JP2016177855A - 磁気ヘッド装置 - Google Patents

Abstract

【課題】アーム及びサスペンションの接合強度に優れた磁気ヘッド装置を提供する。【解決手段】磁気ヘッド装置２は、アーム４と、アーム４の先端部に重なるサスペンション８と、サスペンション８の先端部に位置するスライダ１０と、アーム４の先端部とサスペンション８との間に位置し、アーム４とサスペンション８とを接合する接合部１２と、を備え、接合部１２がＳｎを含む。【選択図】図４

Description

本発明は、磁気ヘッド装置に関する。

磁気ディスク装置では、ヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ； Ｈｅａｄ Ｓｔａｃｋ Ａｓｓｅｍｂｌｙ）が磁気記録の読み書きを行う。ＨＳＡは、例えば、複数のアーム（ａｒｍ）を有するキャリッジ（ｃａｒｒｉａｇｅ）と、各アームに接合されたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ； Ｈｅａｄ Ｇｉｍｂａｌ Ａｓｓｅｍｂｌｙ）と、を備える。ＨＧＡは、アームの先端部に接合されるサスペンション（ｓｕｓｐｅｎｓｉоｎ）と、サスペンションの先端部に位置するスライダ（ｓｌｉｄｅｒ）と、を有する。スライダには、磁気ヘッド（例えば、薄膜磁気ヘッド）が組み込まれている。複数のアームを有するキャリッジ（Ｅ字型のキャリッジ）は、Ｅ−ブロックと呼ばれることがある。

従来、アームとサスペンションとを接合する主な方法として、下記特許文献１に記載されているような嵌合接合が知られている。下記特許文献１に記載の方法では、サスペンションにフランジを形成し、アームに嵌め孔を形成する。フランジの位置と嵌め孔の位置を合わせて、サスペンションのフランジをアームの嵌め孔に嵌め込む。続いて、加圧シャフトにより、金属ボールをフランジの孔から導入し、各孔内を通過させる。金属ボールの直径は、フランジの孔の最小径よりも大きいので、サスペンションのフランジが金属ボールにより押し曲げられ、フランジがアームに押し付けられる。つまり、カシメ（ｓｗａｇｉｎｇ又はｃａｕｌｋｉｎｇ）を行う。これらの手順を経て、アームとサスペンションとが接合される。

また、嵌合接合以外の接合方法も知られている。例えば、下記特許文献２には、接合光線（ＹＡＧレーザー）の照射によりサスペンション及びアームを接合することが記載されている。

特開平５−３０３８５５号公報 特開平７−１７８５８２号公報

磁気ディスク装置の記憶容量を増加させるためには、装置に搭載される磁気ディスクの枚数を増やす必要がある。しかし、磁気ディスク装置の寸法（高さ）は制約される。したがって、磁気ディスクの枚数を増やすためには、アーム、サスペンション及び接合部を薄くして、磁気ディスクを設置するための空間を拡げなければならない。

上記特許文献１に記載の嵌合接合の場合、アーム及びサスペンションが薄いほど、嵌める範囲（接合部）が狭くなり、接合強度が低下する。つまり、アーム及びサスペンションが薄いほど、各嵌め孔が浅くなり、接合強度が低下する。接合強度の低下に伴い、磁気ヘッドの位置が不安定になり、磁気記録の正確な読み書きが困難になる。最悪の場合、サスペンションがアームから脱離して磁気ディスク上に落下し、磁気ディスクが破損してしまう。

また上記特許文献２に記載のレーザーを用いた接合の場合、レーザーのスポット内でアーム及びサスペンションが溶接される。スポットの大きさは制約されるので、接合面積（接合部）が狭くなり、信頼できる十分な接合強度が得られない。また、磁気ディスクの枚数の増加に伴い、サスペンション間の空間が狭まると、レーザーを所望の位置へ正確に照射することが困難となる。その結果、信頼できる十分な接合強度が得られない。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、アーム及びサスペンションの接合強度に優れた磁気ヘッド装置を提供することを目的とする。

本発明の一側面に係る磁気ヘッド装置は、アームと、アームの先端部に重なるサスペンションと、サスペンションの先端部に位置するスライダと、アームの先端部とサスペンションとの間に位置し、アームとサスペンションとを接合する接合部と、を備え、接合部がＳｎ（錫）を含む。

本発明の一側面においては、接合部が、Ｓｎを含有する合金を含み、合金が、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｉｎ（インジウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｐ（リン）及びＡｕ（金）からなる群より選ばれる少なくとも一種を含有してもよい。

本発明の一側面においては、接合部におけるＳｎの含有量が４０質量％以上１００質量％未満であってよい。

本発明の一側面においては、接合部の厚みが２〜５０μｍであってよい。

本発明の一側面においては、アーム側接合面が、アームの表面のうちサスペンションに対向する面と定義されるとき、アーム側接合面に隣接する面において、アームの素地が露出していてよい。または、アーム側接合面に隣接する面において、アームの素地を覆う保護層が露出していてよく、保護層が、Ｎｉ及びＰを含んでよい。

本発明の一側面においては、サスペンション側接合面が、サスペンションの表面のうちアームに対向する面と定義されるとき、サスペンション側接合面に隣接する面において、サスペンションの素地が露出していてよい。

本発明の一側面に係る磁気ヘッド装置は、複数の上記アームを有するキャリッジを備えてよい。

本発明の一側面に係る磁気ヘッド装置は、アームの表面及びサスペンションの表面のうち一方の表面又は両表面を、Ｓｎを含有する合金、又はＳｎ単体で覆う第一工程と、第一工程後、アームの表面とサスペンションの表面とを接触させて、接合部を形成する第二工程と、を備える製造方法によって製造されてよい。

第一工程では上記合金が用いられてよく、上記合金が、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｐ及びＡｕからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有してよい。

第一工程において、アームの表面及びサスペンションの表面のうち、一方の表面を、上記合金又はＳｎ単体で覆ってよく、他方の表面を、上記合金よりも融点が高い金属、又はＳｎ単体よりも融点が高い金属で覆ってよい。他方の表面を、Ｎｉ単体、又はＰを含むＮｉで覆ってよい。つまり、上記合金又はＳｎ単体よりも融点が高い金属は、Ｎｉ単体、又はＰを含むＮｉであってよい。

本発明によれば、アーム及びサスペンションの接合強度に優れた磁気ヘッド装置が提供される。

図１は、本発明の一実施形態に係る磁気ヘッド装置の模式的斜視図である。 図２は、本発明の一実施形態に係る磁気ヘッド装置を備える磁気ディスク装置の模式的上面図である。 図３は、図２に示す磁気ディスク装置の模式的側面図である。 図４は、図３に示す磁気ヘッド装置が備えるアーム、サスペンション及び接合部の模式的拡大図である。 図５中のａ（図５ａ）は、本発明に係る磁気ヘッド装置が備える接合部の一例の模式的断面図であり、図５中のｂ（図５ｂ）は、本発明に係る磁気ヘッド装置が備える接合部の他の例の模式的断面図である。 図６中のａ（図６ａ）は、本発明に係る磁気ヘッド装置の製造方法の第一工程の一例を示す模式図であり、図６中のｂ（図６ｂ）は、図６ａが示す第一工程を経て製造された磁気ヘッド装置が備えるアーム、サスペンション及び接合部の模式図であり、図６中のｃ（図６ｃ）は、本発明に係る磁気ヘッド装置の製造方法の第一工程の他の例を示す模式図であり、図６中のｄ（図６ｄ）は、図６ｃが示す第一工程を経て製造された磁気ヘッド装置が備えるアーム、サスペンション及び接合部を示す模式図である。 図７中のａ（図７ａ）は、本発明に係る磁気ヘッド装置の製造方法の第一工程の他の例を示す模式図であり、図７中のｂ（図７ｂ）は、図７ａが示す第一工程を経て製造された磁気ヘッド装置が備えるアーム、サスペンション及び接合部の模式的断面図であり、図７中のｃ（図７ｃ）は、本発明に係る磁気ヘッド装置の製造方法の第一工程の他の例を示す模式図であり、図７中のｄ（図７ｄ）は、図７ｃが示す第一工程を経て製造された磁気ヘッド装置が備えるアーム、サスペンション及び接合部の模式的断面図である。 図８中のａ（図８ａ）は、本発明の一実施形態に係る磁気ヘッド装置の製造方法の第一工程を示す模式図であり、図８中のｂ（図８ｂ）は、図８ａが示す第一工程を経て製造された磁気ヘッド装置が備えるアーム、サスペンション及び接合部の模式的断面図であり、図８中のｃ（図８ｃ）は、本発明の一実施形態に係る磁気ヘッド装置の製造方法の第一工程を示す模式図であり、図８中のｄ（図８ｄ）は、図８ｃが示す第一工程を経て製造された磁気ヘッド装置が備えるアーム、サスペンション及び接合部の模式的断面図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の好適な一実施形態について説明する。各図面において、同一又は同等の構成要素には同一の符号を付す。本発明は下記実施形態に限定されるものではない。

本実施形態に係る磁気ヘッド装置は、ヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）である。図１、図２、図３及び図４に示すように、ＨＳＡ２は、複数のアーム４を有するキャリッジ６と、各アーム４の先端部に重なるサスペンション８と、各サスペンション８の先端部に位置するスライダ１０と、アーム４の先端部とサスペンション８との間に位置し、アーム４とサスペンション８とを接合する接合部１２と、を備える。換言すれば、ＨＳＡ２は、複数のアーム４を有するキャリッジ６と、各アーム４の先端部に接合されたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ１１）と、アーム４とＨＧＡ１１とを接合する接合部１２と、を備える。アーム４及びサスペンション８其々は、扁平又は略板状であってよい。アーム４及びサスペンション８其々は、所定の方向に延びていてよい。つまり、アーム４及びサスペンション８其々は、長尺であってよい。サスペンション８は、アーム４の先端部の片面のみに重なっていてよい。一つのサスペンション８がアーム４の先端部の表面に重なり、別のサスペンション８が同アーム４の先端部の裏面に重なっていてもよい。つまり、一つのアーム４の先端部が一対のサスペンション８によって挟まれていてもよい。各スライダ１０には、磁気ヘッド（例えば、薄膜磁気ヘッド）が組み込まれている。複数のアーム４及びＨＧＡ１１は、所定の間隔で、同一の方向を向いて重なっている。説明の便宜上、図示されたアーム４の数は３つであるが、アーム４の数は限定されない。説明の便宜上、図示されたサスペンション８及びスライダ１０其々の数は４つであるが、サスペンション８及びスライダ１０の数は限定されない。

ＨＳＡ２は、複数の磁気ディスク１６を備える磁気ディスク装置１８（ＨＤＤ）に搭載される。複数の磁気ディスク１６は、スピンドルモータ２０に取り付けられ、所定の間隔で重ねられている。各磁気ディスク１６は、一対のＨＧＡ１１の間に配置されていてよい。ＨＧＡ１１の先端部に位置する各スライダ１０は、磁気ディスク１６に対向している。キャリッジ６においてアーム４の反対側に位置する部分は、コイル部１４である。コイル部１４と、コイル部１４を挟んで対向する一対の永久磁石２２とは、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ； Ｖｏｉｃｅ Ｃｏｉｌ Ｍｏｔｏｒ）を構成する。説明の便宜上、図示された磁気ディスク１６の枚数は２枚であるが、磁気ディスク１６の枚数は限定されない。

接合部１２はＳｎを含む。接合部１２はＳｎ単体を含んでよい。接合部１２はＳｎ単体からなっていてよい。接合部１２は、Ｓｎを含有する合金を含んでよい。接合部１２は、Ｓｎを含有する合金からなっていてよい。Ｓｎを含有する合金は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｐ及びＡｕからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有してもよい。以下では、Ｓｎを含有する合金を、「Ｓｎ系合金」と記す場合がある。

アーム４を構成する物質（アーム４の素地）は、特に限定されないが、例えば、Ａｌ（アルミニウム）等であってよい。アーム４の表面の一部又は表面全体は、アーム４の素地を覆う保護層から構成されていてよい。つまり、アーム４は、Ａｌ等からなる基体（素地）と、基体（素地）の表面の一部又は表面全部を覆う保護層と、を有してもよい。接合部１２は、アーム４の表面を構成する保護層の上に位置してよい。保護層はＮｉ及びＰを含んでよい。保護層がＮｉ−Ｐ（リンを含むＮｉ）のみからなっていてもよい。キャリッジ６全体（コイル部１４を除く。）を構成する物質は、アーム４を構成する物質と同じであってよい。キャリッジ６（コイル部１４を除く。）の表面の一部又は表面全体が、上記保護層から構成されていてよい。サスペンション８を構成する物質（サスペンション８の素地）は、特に限定されないが、例えば、ＳＵＳ（ステンレス鋼）等であってよい。

本実施形態に係るＨＳＡ２は、下記の第一工程と、第一工程に続く第二工程と、を備える製造方法によって製造されてよい。

第一工程では、アーム４の表面及びサスペンション８の表面のうち一方の表面又は両表面を、Ｓｎ系合金、又はＳｎ単体で覆う。換言すれば、第一工程では、Ｓｎを含む膜を、アーム４の表面及びサスペンション８の表面のうち、少なくとも一方の表面に形成する。第一工程では、アーム４の表面の一部又は全表面を、Ｓｎを含む膜で覆ってもよい。第一工程では、サスペンション８の表面の一部又は全表面を、Ｓｎを含む膜で覆ってもよい。以下では、第一工程においてアーム４の表面に形成する膜を、「アーム膜」と記す。また、第一工程においてサスペンション８の表面に形成する膜を、「サスペンション膜」と記す。接合部１２の組成は、例えば、アーム膜又はサスペンション膜の組成の調整によって、制御することができる。アーム膜及びサスペンション膜うちの少なくとも一方がＳｎを含めばよい。Ｓｎを含むアーム膜がある場合、サスペンション膜はなくてもよい。Ｓｎを含むサスペンション膜がある場合、アーム膜はなくてもよい。第一工程では、アーム４の表面を構成する保護層の上にアーム膜を形成してもよい。

アーム膜及びサスペンション膜の形成方法は、例えば、めっき、スパッタリング、又は化学気相蒸着（ＣＶＤ）であってよい。めっきは、電解めっき又は無電解めっきのどちらであってもよい。これらの形成方法によれば、アーム膜及びサスペンション膜其々の組成及び厚さを自在に調整することできる。第一工程の前にマスキング工程を行うことにより、アーム４の表面の一部のみを露出させ、他部をマスクで覆ってよい。マスキング工程後の第一工程では、アーム４の表面のうち露出した部分のみにアーム膜を形成してよい。第一工程の前にマスキング工程を行うことにより、サスペンション８の表面の一部のみを露出させ、他部をマスクで覆ってよい。マスキング工程後の第一工程では、サスペンション８の表面のうち露出した部分のみにサスペンション膜を形成してよい。マスキング工程とは、樹脂膜によるアーム４又はサスペンション８の被覆であってよい。つまり、マスクは樹脂膜であってよい。

第二工程では、アーム４の表面とサスペンション８の表面とを接触させて、両表面を接合することにより、接合部１２を形成する。アーム４の表面のうちサスペンション８に対向する面を、「アーム側接合面」と記す。アーム側接合面とは、アーム側の被接合面と言い換えてもよい。サスペンション８の表面のうちアーム４に対向する面を、「サスペンション側接合面」と記す。サスペンション側接合面とは、サスペンション側の被接合面と言い換えてもよい。第二工程では、アーム側接合面とサスペンション側接合面とを接触させて、接合部１２を形成する。つまり、接合部１２が、アーム側接合面とサスペンション側接合面とを接合する。第一工程前にマスキング工程を行う場合、第二工程の後でマスクをアーム４又はサスペンション８から剥がす工程を行ってよい。

第二工程において用いる接合の方法は、特に限定されない。例えば、アーム側接合面とサスペンション側接合面とを接触させ、これらを加熱してもよい。つまり、アーム側接合面及びサスペンション側接合面を密着させると共に、アーム膜及びサスペンション膜の少なくとも一方又は両方を加熱により溶融させる。その結果、アーム膜及びサスペンション膜の一方又は両方から接合部１２が形成される。つまり、アーム側接合面とサスペンション側接合面とが溶接される。加熱法は、例えば、ギ酸リフロー等の雰囲気加熱法であってよい。第二工程おいて加熱により接合部１２を形成する場合、アーム側接合面とサスペンション側接合面とを、例えば１５０〜４５０℃で加熱すればよい。この温度範囲での加熱により、接合部１２が形成され易く、アーム４及びサスペンション８の接合強度が向上し易い。レーザー溶接により、アーム側接合面とサスペンション側接合面とを溶接して、接合部１２を形成してもよい。超音波接合法等の非加熱法によって接合部１２を形成してもよい。超音波接合法では、アーム側接合面及びサスペンション側接合面其々にあるゴミ又は酸化膜等が超音波によって除去され、各接合面が活性化される。アーム側接合面及びサスペンション側接合面が化学的に接合される。なお、サスペンション８間の間隔が狭まるほど、レーザーを各接合面へ正確に照射し難くなる。しかし、加熱法又は超音波接合法を用いた場合、サスペンション８間の間隔に関わらず、熱又は超音波は各接合面へ均一に伝わり易いので、複数の接合部１２間における接合強度の斑又はばらつきが抑制され易い。

以上のように、本実施形態では、Ｓｎを含む接合部１２がアーム４及びサスペンション８を化学的に接合する。したがって、本実施形態によれば、嵌合接合等の従来の機械的接合方法を用いる場合に比べて、アーム４及びサスペンション８の接合強度が向上する。また、本実施形態では、面接触により接合部１２を形成することができるため、嵌め孔を形成するためにアーム４及びサスペンション８を厚くする必要がない。つまり、本実施形態では、篏合接合ができないほどアーム４及びサスペンション８が薄い場合であっても、接合強度が損なわれ難い。したがって、本実施形態に係るＨＳＡ２によれば、接合強度を確保しつつ、アーム４及びサスペンション８其々を薄くして、磁気ディスク１６の枚数を増やすことができる。その結果、従来よりも信頼性が高く、容量が大きい磁気ディスク装置１８を実現することができる。

接合部１２におけるＳｎの含有量は、例えば、４０質量％以上１００質量％未満であってよい。Ｓｎの含有量が４０質量％以上である場合、接合強度が向上し易い。接合部１２におけるＳｎの含有量は、例えば、第一工程において形成するアーム膜又はサスペンション膜におけるＳｎの含有量の調整によって自在に制御される。

接合部１２の厚みは、例えば、２〜５０μｍであってよく、５〜３０μｍであってもよい。接合部１２の厚みとは、接合部１２を介して接合されたアーム４とサスペンション８との間隔と言い換えてよい。接合部１２の厚みは、例えば、第一工程において形成するアーム膜又はサスペンション膜の厚さの調整によって、自在に制御される。接合部１２の厚みを２μｍ以上に制御することにより、接合強度が向上し易い。接合部１２の厚みを５０μｍ以下に制御することにより、第二工程におけるアーム膜又はサスペンション膜を構成する成分の溶融及び流れだし（すなわち、にじみ）が抑制され易い。その結果、にじみによる他の部材の汚染が抑制され易く、汚染による他の部材の機能の低下が抑制され易い。

サスペンション８の厚みは、例えば、０．０５〜０．３ｍｍであってよい。アーム４の厚みは、例えば、０．３〜１．０ｍｍであってよい。

第一工程で用いるＳｎ系合金は、例えば、はんだ（ｓｏｌｄｅｒ）、又はろう材（ｂｒａｚｅ ｍａｔｅｒｉａｌ）であってよい。Ｓｎ系合金は、Ｓｎに加えて、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｐ及びＡｕからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有してよい。これらの元素を含有するＳｎ系合金を用いることにより、第二工程において、接合部１２が形成され易く、接合強度が向上し易い。なお、アーム膜及びサスペンション膜のうち一方の膜がＳｎを含む場合、他方の膜はＳｎを含まなくてよい。例えば、アーム膜及びサスペンション膜のうち一方の膜がＳｎを含む場合、他方の膜は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｐ及びＡｕからなる群より選ばれる少なくとも一種からなる膜であってよい。つまり、他方の膜は、Ｓｎ以外の元素からなる膜であってよい。アーム膜が、重なった２つの膜から構成されてよく、うち１つの膜はＳｎを含み、他方の膜はＳｎを含まなくてよい。同様に、サスペンション膜が、重なった２つの膜から構成されていてもよい。

第一工程において、アームの表面及びサスペンションの表面のうち、一方の表面を、Ｓｎ系合金又はＳｎ単体で覆ってよく、他方の表面を、Ｓｎ系合金よりも融点が高い金属、又はＳｎ単体よりも融点が高い金属で覆ってよい。このような第一工程を実施した場合、第二工程における各接合面の過度の溶融及びにじみが抑制されるので、接合部１２が厚くなり易い。Ｓｎ系合金又はＳｎ単体よりも融点が高い金属は、例えば、Ｎｉ単体、又はＰを含むＮｉである。したがって、第一工程では、一方の接合面を、Ｓｎ系合金又はＳｎ単体からなる膜で覆い、他方の接合面を、Ｎｉ単体からなる膜、又はＰを含むＮｉからなる膜で覆ってよい。Ｐを含むＮｉからなる膜は、例えば、リン化合物を含む無電解ニッケルめっき液から形成することができる。リン化合物とは、例えば、次亜リン酸ナトリウム等の次亜リン酸塩であってよい。

接合部１２は、複数の層を有してもよい。例えば、図５ａに示すように、接合部１２は、保護層（Ｎｉ−Ｐ層）、第１層、第２層、第３層、第４層及び第５層を有してよい。図５ａにおいて、Ａｌからなるアーム４の表面には、Ｎｉ−Ｐ層が形成されている。第１層はＮｉからなる。第１層は、Ｎｉ−Ｐ層を覆う。第２層は、ＮｉリッチであるＳｎ合金（ＮｉＳｎ）からなる。第２層は、第１層を覆う。第３層は、ＳｎリッチであるＮｉ合金（ＳｎＮｉ）からなる。第３層は、Ｓｎのみからなっていてもよい。第３層は、第２層を覆う。第４層は、ＮｉリッチであるＳｎ合金（ＮｉＳｎ）からなる。第４層は、第３層を覆う。第５層はＮｉからなる。第５層は、第４層を覆う。第５層は、ＳＵＳからなるサスペンション８の表面に接している。図５ａに示す接合部１２において、「Ｎｉ−ｒｉｃｈ」とは、第２層又は第４層におけるＮｉの含有量（単位：質量％）が、第３層におけるＮｉの含有量よりも大きいことを意味する。図５ａに示す接合部１２において、「Ｓｎ−ｒｉｃｈ」とは、第３層におけるＳｎの含有量が、第２層又は第４層におけるＳｎの含有量よりも大きいことを意味する。図５ａに示す接合部１２を形成する場合、第一工程では、アーム側接合面（Ｎｉ−Ｐ層）及びサスペンション側接合面の両方にＮｉ膜を形成する。続いて、２つのＮｉ膜のうち少なくとも一方のＮｉ膜上にＳｎ膜を形成する。両方のＮｉ膜上にＳｎ膜を形成してもよい。続く第二工程においてこれらの接合面を加熱することにより、図５ａに示す接合部１２が得られる。

図５ｂに示すように、接合部１２は、保護層（Ｎｉ−Ｐ層）、第１ａ層、第２ａ層、第３ａ層及び第４ａ層を有してよい。図５ｂにおいて、Ａｌからなるアーム４の表面には、Ｎｉ−Ｐ層が形成されている。第１ａ層は、ＮｉリッチであるＳｎＰ合金（ＮｉＳｎＰ）からなる。第１ａ層は、Ｎｉ−Ｐ層を覆う。第２ａ層は、ＳｎリッチであるＮｉ合金（ＳｎＮｉ）からなる。第２ａ層は、Ｓｎのみからなっていてもよい。第２ａ層は、第１ａ層を覆う。第３ａ層は、ＮｉリッチであるＳｎ合金（ＮｉＳｎ）からなる。第３ａ層は、第２ａ層を覆う。第４ａ層はＮｉからなる。第４ａ層は、第３ａ層を覆う。第４ａ層は、ＳＵＳからなるサスペンション８の表面に接している。図５ｂに示す接合部１２において、「Ｎｉ−ｒｉｃｈ」とは、第１ａ層又は第３ａ層におけるＮｉの含有量（単位：質量％）が、第２ａ層におけるＮｉの含有量よりも大きいことを意味する。図５ｂに示す接合部１２において、「Ｓｎ−ｒｉｃｈ」とは、第２ａ層におけるＳｎの含有量が、第１ａ層又は第３ａ層におけるＳｎの含有量よりも大きいことを意味する。図５ｂに示す接合部１２を形成する場合、第一工程において、サスペンション側接合面にＮｉ膜を形成する。続いて、アーム側接合面（Ｎｉ−Ｐ層）、又はサスペンション側接合面（Ｎｉ膜）のうち少なくとも一方の面にＳｎ膜を形成する。アーム側接合面（Ｎｉ−Ｐ層）、及びサスペンション側接合面（Ｎｉ膜）の両面にＳｎ膜を形成してもよい。続く第二工程においてこれらの接合面を加熱することにより、図５ｂに示す接合部１２が得られる。

第一工程では、アーム側接合面及びサスペンション側接合面のうち一方の接合面のみ又は両接合面のみを、Ｓｎ系合金又はＳｎ単体で覆ってよい。つまり、アーム４の表面のうちアーム側接合面のみを、Ｓｎを含む膜で覆ってもよい。サスペンション８の表面のうちサスペンション側接合面のみを、Ｓｎを含む膜で覆ってもよい。アーム側接合面及びサスペンション側接合面の両方を、Ｓｎを含む膜で覆ってもよい。第一工程にでは、アーム側接合面及びサスペンション側接合面のうち、一方の接合面を、Ｓｎ系合金又はＳｎ単体で覆い、他方の接合面を、Ｓｎ系合金又はＳｎ単体よりも融点が高い金属で覆ってよい。

図６ａに示すように、第一工程では、アーム側接合面４ａの全体を、アーム膜３４で覆ってよい。第一工程では、サスペンション側接合面８ａの全体を、サスペンション膜３８で覆ってもよい。図６ａに示す第一工程を実施した場合、図６ｂに示すように、アーム膜３４の一部分は接合部１２になり、アーム膜３４の他の部分は、アーム４の表面（アーム側接合面４ａ）に残存する。同様に、サスペンション膜３８の一部分は接合部１２になり、サスペンション膜３８の他の部分は、サスペンション８の表面（サスペンション側接合面８ａ）に残存する。

第一工程では、アーム側接合面４ａの一部のみを、アーム膜３４で覆ってよい。例えば、図６ｃに示すように、アーム側接合面４ａのうちサスペンション８と重なる先端部のみを、アーム膜３４で覆ってよい。第一工程では、サスペンション側接合面８ａの一部のみを、サスペンション膜３８で覆ってもよい。例えば、図６ｃに示すように、サスペンション側接合面８ａのうちアーム４の先端部に重なる部分のみを、サスペンション膜３８で覆ってもよい。図６ｃに示す第一工程を実施した場合、図６ｄに示すように、アーム膜３４及びサスペンション膜３８の略全てが接合部１２になる。

第二工程においてアーム側接合面４ａとサスペンション側接合面８ａとを溶接する場合、両接合面間に位置するアーム膜３４又はサスペンション膜３８が溶融する。以下では、溶融したアーム膜３４又はサスペンション膜３８を、溶融金属と記す。この溶融金属は固化して接合部１２を形成するが、一部の溶融金属は流動して各接合面の間からはみ出し、フィレット（ｆｉｌｌｅｔ）を形成することがある。フィレットとは、接合部１２と略同じ化学的組成を有し、アーム側接合面４ａ及びサスペンション側接合面８ａの間からはみ出した部分を意味する。フィレットは、ある種のバリであり、ＨＳＡ２（磁気ヘッド装置）のサイズ・形状の精度を損なう。例えば、ＨＳＡ２の製造では、アーム４及びサスペンション８の位置合わせのために、アーム４及びサスペンション８其々に位置決め孔を形成することがある。これらの位置決め孔内にフィレットが形成された場合、位置決め孔の寸法の精度が損なわれ、アーム４及びサスペンション８の正確な位置合わせが困難になる。磁気ディスク装置１８が小さいほど、フィレットの形成を抑制して、ＨＳＡ２のサイズ・形状の精度を高めなければならない。つまり、磁気ディスク装置１８が小さいほど、フィレットを小さくしなければならない。また、フィレットは、ＨＳＡ２から脱落して、磁気ディスク１６の表面を傷付けることもある。

以下では、図７及び８に基づき、フィレットについて詳しく説明する。図７ａ、７ｃ、８ａ及び８ｃは、互いに異なる第一工程において加工されたアーム４及びサスペンション８を示している。図７ａ、７ｃ、８ａ及び８ｃは其々、アーム側接合面４ａに垂直なアーム４の断面、及びサスペンション側接合面８ａに垂直なサスペンション８の断面を示している。図７ｂ、７ｄ、８ｂ及び８ｄは、互いに異なるＨＳＡの模式断面図である。各断面図は、図１中のＸＸ線方向における断面に対応する。

図７ａに示すように、第一工程でアーム４の全表面をアーム膜３４で覆い、サスペンション８の全表面をサスペンション膜３８で覆った場合、図７ｂに示すように、第二工程においてフィレット４０が増大し易い。なぜなら、溶融金属が、濡れ性（溶融金属との親和性）を有するアーム膜３４及びサスペンション膜３８の表面を介して、接合部１２以外の部分に濡れ広がり易いからである。

アーム４自体の表面（例えばＡｌ）は、溶融金属とは異なる組成を有するため、アーム膜３４に比べて、濡れ性に劣る。アーム４の表面が、リンを含むＮｉ（Ｎｉ−Ｐ）からなる保護層で覆われている場合、保護層は、溶融金属とは異なる組成を有するため、アーム膜３４及びアーム４の表面のどちらと比べても、濡れ性に劣る。サスペンション８自体の表面（例えばステンレス鋼、又はステンレス鋼に固有の不動態膜）も、溶融金属とは異なる組成を有するため、サスペンション膜３８に比べて、濡れ性に劣る。このような濡れ性の違いを利用することにより、フィレット４０の体積を抑制することができる、例えば、図７ｃに示すように、第一工程において、アーム側接合面４ａに隣接する面（側面４ｂ）において、アーム４の素地を露出させる。また第一工程において、サスペンション側接合面８ａに隣接する面（側面８ｂ）において、サスペンション８の素地を露出させる。換言すると、第一工程において、アーム側接合面４ａのみをアーム膜３４で覆い、且つサスペンション側接合面８ａのみをサスペンション膜３８で覆う。要するに、第一工程においてアーム膜３４及びサスペンション膜３８を形成する部分を限定し、濡れ性に劣る各素地の一部を意図的に露出させる。その結果、第二工程では、溶融金属が接合部１２以外の部分（素地）に濡れ広がり難くなる。したがって、図７ｄに示すように、フィレット４０の体積が抑制される。ＨＳＡの完成後においても、アーム側接合面４ａに隣接する面（側面４ｂ）においてアーム４の素地が露出し、サスペンション側接合面８ａに隣接する面（側面８ｂ）においてサスペンション８の素地が露出する。アーム側接合面４ａに隣接する面（側面４ｂ）の一部又は面全体において、アーム４の素地が露出してよい。サスペンション側接合面８ａに隣接する面（側面８ｂ）の一部又は面全体において、サスペンション８の素地が露出してよい。当然、フィレット４０はなくてもよい。

図７ｃに示す第一工程の変更例（バリエーション）では、アーム側接合面４ａに隣接する面（側面４ｂ）において、アーム４の素地を覆う保護層を露出させてよい。保護層はＮｉ及びＰを含めばよい。この保護層もアーム４の素地と同様に濡れ性に劣る。したがって、上記と同様の原理によりフィレット４０の体積が抑制される。ＨＳＡの完成後においても、アーム側接合面４ａに隣接する面（側面４ｂ）において、アーム４の素地を覆う保護層が露出していてよい。

図７ｃに示す第一工程の変更例では、サスペンション側接合面８ａと、サスペンション側接合面８ａの裏面８ｃと、を、サスペンション膜３８で覆ってよく、サスペンション側接合面８ａと裏面８ｃとの間に位置する側面８ｂにおいて、サスペンション８の素地を露出させてよい。例えば、板材の全表面をサスペンション膜３８（例えば、めっき）で覆った後、板材をプレス機で打ち抜いて成形すると、両面がめっきで覆われて切断面では板材の素地が露出した薄板状のサスペンション８が得られる。ＨＳＡの完成後において、サスペンション側接合面８ａの裏面８ｃはサスペンション膜３８（例えば、Ｓｎ系合金又はＳｎン単体）で覆れていてよい。サスペンション側接合面８ａと裏面８ｃとの間に位置する側面８ｂにおいて、サスペンション８の素地が露出していてよい。

図７ｃに示す形第一工程の変更例では、アーム側接合面４ａと、アーム側接合面４ａの裏面４ｃと、を、アーム膜３４で覆ってよく、アーム側接合面４ａと裏面４ｃとの間に位置する側面４ｂにおいて、アーム４の素地を露出させてよい。ＨＳＡの完成後において、アーム側接合面４ａの裏面４ｃはアーム膜３４（例えば、Ｓｎ系合金又はＳｎン単体）で覆れていてよい。アーム側接合面４ａと裏面４ｃとの間に位置する側面４ｂにおいて、アーム４の素地が露出していてよい。

図８ａに示すように、第一工程において、アーム側接合面４ａのみをアーム膜３４で覆い、サスペンション８の全表面をサスペンション膜３８で覆ってもよい。続く第二工程では、溶融金属は、サスペンション膜３８の表面を介して、サスペンション８の表面へ濡れ広がるが、アーム４の表面（アーム４の素地）には濡れ広がり難い。したがって、図８ｂに示すように、フィレット４０の体積が抑制される。

図８ｃに示すように、第一工程において、アーム４の全表面をアーム膜３４で覆い、サスペンション側接合面８ａのみをサスペンション膜３８で覆ってもよい。続く第二工程では、溶融金属は、アーム膜３４の表面を介して、アーム４の表面へ濡れ広がるが、サスペンション８の表面（サスペンション８の素地）には濡れ広がり難い。したがって、図８ｄに示すように、フィレット４０の体積が抑制される。

以上、本発明の一実施形態に係る磁気ヘッド装置（ＨＳＡ２）について説明したが、本発明は上記実施形態に何ら限定されるものではない。例えば、本発明の他の実施形態に係る磁気ヘッド装置は、一つのアーム４と、当該アーム４の先端部に重なるサスペンション８と、サスペンション８の先端部に位置するスライダ１０と、アーム４の先端部とサスペンション８との間に位置し、アーム４とサスペンション８とを接合する接合部１２と、を備え、接合部１２がＳｎを含む、ヘッドアームアセンブリ（ＨＡＡ）であってよい。

サスペンション８は、スペーサ（ｓｐａｃｅｒ）、ロードビーム（ｌｏａｄ ｂｅａｍ）及びフレキシャ（ｆｌｅｘｕｒｅ）を有してよい。つまり、サスペンション８は、スペーサ、ロードビーム及びフレキシャから構成されていてよい。スペーサがアーム４の先端部に重なり、Ｓｎを含む接合部１２はアーム４の先端部とスペーサとの間に位置してよい。つまり、接合部１２は、アーム４とスペーサとを接合してよい。ロードビームの一方の先端部はスペーサに固定され、ロードビームの他方の先端部にフレキシャが設置されてよい。フレキシャの表面にスライダ１０が設置されていてよい。

以下、本発明の内容を実施例及び比較例を用いてより詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（実施例Ａ１）
アルミニウム基材からなるＥ−ブロック用のアームを作製した。予め、アームの表面全体をＮｉ−Ｐ膜（保護層）で覆った。Ｎｉ−Ｐ膜の厚さは０．５μｍであった。またＳＵＳからなるサスペンションを作製した。アームの厚さは０．５ｍｍであった。サスペンションの厚さは０．１ｍｍであった。

［第一工程］
電解めっき法により、上記アームの表面全体を、Ｎｉ膜（Ｎｉからなる膜）で覆った。Ｎｉ膜の厚さは０．２μｍに調整した。続いて、電解めっき法により、アームの表面に形成されたＮｉ膜全体を、Ｓｎ膜（Ｓｎからなる膜）で覆った。Ｓｎ膜の厚さは１０μｍに調整した。

電解めっき法により、上記サスペンションの表面全体を、Ｎｉ膜で覆った。Ｎｉ膜の厚さは０．２μｍに調整した。続いて、電解めっき法により、サスペンションの表面に形成されたＮｉ膜全体を、Ｓｎ膜で覆った。Ｓｎ膜の厚さは１０μｍに調整した。

［第二工程］
続いて、アームの先端部の表面（Ｓｎ膜）と、サスペンションの表面（Ｓｎ膜）と、を重ね合わせて、アーム及びサスペンションをギ酸リフローにより２５０℃で加熱した。以下では、第二工程における加熱温度を、「接合温度」と記す。

以上の工程により、アーム、サスペンション、及びこれらを接合する接合部を備える１０個の試料を作製した。なお、アーム及びサスペンション其々の接合面の面積（接合部の縦幅及び横幅）は４ｍｍ×４ｍｍ程度であった。

［接合部の評価］
各試料を研磨して、試料の中央部の断面を露出させた。ここで、中央部の断面とは、アーム及び接合部の界面に垂直な方向における試料の断面である。中央部の断面とは、接合部及びサスペンションの界面に垂直な方向における試料の断面と言い換えてもよい。各試料の中央部の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察して、各試料の接合部の厚みを測定した。１０個の試料の接合部の厚みの平均値を、下記表１に示す。

電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）を用いて、試料の断面における元素分布を調べた。また、ＥＰＭＡを用いて試料の断面における線分析を行った。元素分布及び線分析に基づいて、接合部の組成、及び接合部におけるＳｎの含有量（Ｓｎ量）を特定した。接合部の組成、及びＳｎ量を、下記表１に示す。

試料のアーム側の側面を、台座の略水平な表面に載置して、アームを台座に固定した。続いて、サスペンションの垂直な端面に対して、水平な方向から、棒を押し当てた。棒によりサスペンションの端面に対して荷重をかけた。サスペンションがアームから剥離した瞬間（接合部が破壊された瞬間）に棒がサスペンションの端面に及ぼした荷重（接合強度）を測定した。測定においては、水平方向における棒の速度を、０．０２ｍｍ／ｓｅｃに調整した。１０個の試料を用いて、同様の測定を１０回行った。１０個の試料の接合強度の平均値を、下記表１に示す。サスペンション及びアームと接合部との間で金属結合が十分に行われている場合、接合強度は１ｋｇ以上であると想定される。接合強度は１ｋｇ以上であることが好ましい。

［接合温度の変更］
接合温度を下記表１に示す温度に変更した以外は、上記の同様の方法で、実施例Ａ１の試料の作製を試みた。しかし、接合温度が１５０℃及び２００℃であった場合、接合部が形成されず、実施例Ａ１の試料を作製することができなかった。下記表において「Ｘ」と記載された列は、その接合温度では接合部が形成されなかったことを意味する。接合温度が２５０℃であった場合、接合部が形成され、実施例Ａ１の試料を作製することができた。２５０℃の接合温度で形成された接合部を、上記の方法で評価した。評価結果を下記表１に示す。

（実施例Ａ２〜Ａ１６）
各実施例の第一工程では、下記表１〜３の「アーム膜組成」の欄に記載の組成を有する膜により、アーム側のＮｉ膜全体を覆った。また、各実施例の第一工程では、下記表１〜３の「サスペンション膜組成」の欄に記載の膜により、サスペンション側のＮｉ膜全体を覆った。なお、「アーム膜組成」及び「サスペンション膜組成」の欄に記載の各元素記号の前に付された数値は、各膜における各元素の含有量（単位：質量％）を意味する。

以上の事項を除いて実施例Ａ１と同様の方法で、実施例Ａ２〜Ａ１６の試料の作製、及び各実施例の接合部の評価を試みた。実施例Ａ２〜Ａ１６の結果を、下記表１〜３に示す。

（実施例Ｂ１）
実施例Ｂ１の第二工程では、ギ酸リフローによる加熱の代わりに、超音波接合を採用した。つまり、アームの先端部の表面（Ｓｎ膜）と、サスペンションの表面（Ｓｎ膜）と、を重ね合わせて、アーム及びサスペンションに対して超音波を及ぼすことにより、接合部を形成した。

以上の事項を除いて実施例Ａ１と同様の方法で、実施例Ｂ１の試料の作製、及び実施例Ｂ１の接合部の評価を行った。実施例Ｂ１の結果を、下記表４に示す。

（実施例Ｂ２〜Ｂ８）
各実施例の第一工程では、下記表４の「アーム膜組成」の欄に記載の組成を有する膜により、アーム側のＮｉ膜全体を覆った。また、各実施例の第一工程では、下記表４の「サスペンション膜組成」の欄に記載の膜により、サスペンション側のＮｉ膜全体を覆った。

以上の事項を除いて実施例Ｂ１と同様の方法で、実施例Ｂ２〜Ｂ８の試料の作製、及び各実施例の接合部の評価を行った。実施例Ｂ２〜Ｂ８の結果を、下記表４に示す。

（実施例Ｃ１）
実施例Ｃ１の第二工程では、ギ酸リフローの代わりに、ヒータを用いた直接加熱により、接合部を形成した。

以上の事項を除いて実施例Ａ１と同様の方法で、実施例Ｃ１の試料の作製、及び実施例Ｃ１の接合部の評価を行った。実施例Ｃ１の結果を、下記表５に示す。

（実施例Ｃ２〜Ｃ１０）
各実施例の第一工程では、下記表５の「アーム膜組成」の欄に記載の組成を有する膜により、アーム側のＮｉ膜全体を覆った。また、各実施例の第一工程では、下記表５の「サスペンション膜組成」の欄に記載の膜により、サスペンション側のＮｉ膜全体を覆った。

以上の事項を除いて実施例Ｃ１と同様の方法で、実施例Ｃ２〜Ｃ１０の試料の作製、及び各実施例の接合部の評価を行った。実施例Ｃ２〜Ｃ１０の結果を、下記表５に示す。

（実施例Ｄ１）
実施例Ｄ１の第一工程では、電解めっき法の代わりに、スパッタリングにより、各膜を形成した。

以上の事項を除いて実施例Ａ１と同様の方法で、実施例Ｄ１の試料の作製、及び実施例Ｄ１の接合部の評価を行った。実施例Ｄ１の結果を、下記表６に示す。

（実施例Ｅ１）
実施例Ｅ１では、第一工程において各膜の厚さを調整することにより、下記表７に示す厚さを有する接合部を形成した。つまり、実施例Ｅ１では、接合部の厚さが異なる６種類の試料を作製した。第一工程においてアーム側のＮｉ膜を覆うＳｎ膜の厚さは１〜５０μｍの範囲内で調整した。第一工程においてサスペンション側のＮｉ膜を覆うＳｎ膜の厚さも、１〜５０μｍの範囲内で調整した。実施例Ｅ１の各試料の接合部の厚さは、実施例Ａ１と同様の方法で特定した。実施例Ｅ１の第二工程では、加熱により形成された接合部におけるにじみの発生の有無を、実体顕微鏡により調べた。

以上の事項を除いて実施例Ａ１と同様の方法で、実施例Ｅ１の試料を作製した。実施例Ａ１と同様の方法で、実施例Ｅ１の各試料の接合部の接合強度を測定した。

実施例Ｅ１の結果を、下記表７に示す。

（実施例Ｅ２〜Ｅ５）
各実施例の第一工程では、下記表７の「アーム膜組成」の欄に記載の組成を有する膜により、アーム側のＮｉ膜全体を覆った。また、各実施例の第一工程では、下記表７の「サスペンション膜組成」の欄に記載の膜により、サスペンション側のＮｉ膜全体を覆った。

以上の事項を除いて実施例Ｅ１と同様の方法で、実施例Ｅ２〜Ｅ５の試料の作製し、及び各実施例の接合部の評価を行った。実施例Ｅ２〜Ｅ５の結果を、下記表７に示す。

（実施例Ｆ１〜Ｆ４）
実施例Ｆ１及びＦ２の第一工程では、アームの表面全体をＮｉ膜（Ｎｉからなる膜）で覆った後、Ｓｎ膜をアーム側に形成しなかった。

実施例Ｆ３及びＦ４の第一工程では、Ｎｉ膜及びＳｎ膜のいずれもアーム側に形成しなかった。つまり、Ｎｉ−Ｐ膜で覆われたアームそのものを第二工程で用いた。

実施例Ｆ１〜Ｆ４の第一工程では、下記表８の「サスペンション膜組成」の欄に記載の膜により、サスペンション側のＮｉ膜全体を覆った。

実施例Ｆ１〜Ｆ４では、第一工程において各膜の厚さを調整することにより、下記表８に示す厚さを有する接合部を形成した。つまり、実施例Ｆ１〜Ｆ４其々において、接合部の厚さが異なる４種類の試料を作製した。

以上の事項を除いて実施例Ｅ１と同様の方法で、実施例Ｆ１〜Ｆ４の試料の作製し、各実施例の接合部の評価を行った。実施例Ｆ１〜Ｆ４の結果を、下記表８に示す。

（比較例）
比較例では、実施例１と同じアーム及びサスペンションを用いた。しかし比較例では、第一工程及び第二工程を実施しなかった。比較例１では、アーム及びサスペンション其々に嵌め孔を形成した。各嵌め孔のφは０．２ｍｍであった。続いて、アーム及びサスペンションの嵌合接合を行うことにより、比較例１の試料を作製した。実施例１と同様の方法で、比較例１の接合強度を測定した。比較例１の接合強度は、０．８ｋｇであり、全実施例の接合強度よりも低かった。

本発明の一側面に係る磁気ヘッド装置は、例えば、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に搭載されるＨＳＡに適用される。

２…ＨＳＡ（磁気ヘッド装置）、４…アーム、４ａ…アーム側接合面、４ｂ…アーム側接合面に隣接する面（側面）、４ｃ…アーム側接合面の裏面、６…キャリッジ、８…サスペンション、８ａ…サスペンション側接合面、８ｂ…サスペンション側接合面に隣接する面（側面）、８ｃ…サスペンション側接合面の裏面、１０…スライダ、１１…ＨＧＡ、１２…接合部、１４…コイル部、１６…磁気ディスク、１８…磁気ディスク装置、２０…スピンドルモータ、２２…永久磁石、３４…アーム膜、３８…サスペンション膜。

Claims (12)

1. アームと、
   前記アームの先端部に重なるサスペンションと、
   前記サスペンションの先端部に位置するスライダと、
   前記アームの先端部と前記サスペンションとの間に位置し、前記アームと前記サスペンションとを接合する接合部と、
   を備え、
   前記接合部がＳｎを含む、
   磁気ヘッド装置。
2. 前記接合部が、Ｓｎを含有する合金を含み、
   前記合金が、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｐ及びＡｕからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有する、
   請求項１に記載の磁気ヘッド装置。
3. 前記接合部におけるＳｎの含有量が４０質量％以上１００質量％未満である、
   請求項１又は２の記載の磁気ヘッド装置。
4. 前記接合部の厚みが２〜５０μｍである、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気ヘッド装置。
5. アーム側接合面が、前記アームの表面のうち前記サスペンションに対向する面と定義されるとき、
   前記アーム側接合面に隣接する面において、前記アームの素地が露出している、
   請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気ヘッド装置。
6. アーム側接合面が、前記アームの表面のうち前記サスペンションに対向する面と定義されるとき、
   前記アーム側接合面に隣接する面において、前記アームの素地を覆う保護層が露出しており、
   前記保護層が、Ｎｉ及びＰを含む、
   請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気ヘッド装置。
7. サスペンション側接合面が、前記サスペンションの表面のうち前記アームに対向する面と定義されるとき、
   前記サスペンション側接合面に隣接する面において、前記サスペンションの素地が露出している、
   請求項１〜６のいずれか一項に記載の磁気ヘッド装置。
8. 複数の前記アームを有するキャリッジを備える、
   請求項１〜７のいずれか一項に記載の磁気ヘッド装置。
9. 前記アームの表面及び前記サスペンションの表面のうち一方の表面又は両表面を、Ｓｎを含有する合金、又はＳｎ単体で覆う第一工程と、
   前記第一工程後、前記アームの表面と前記サスペンションの表面とを接触させて、前記接合部を形成する第二工程と、
   を備える製造方法によって製造される、
   請求項１〜８のいずれか一項に記載の磁気ヘッド装置。
10. 前記第一工程では前記合金が用いられ、
    前記合金が、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｐ及びＡｕからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有する、
    請求項９に記載の磁気ヘッド装置。
11. 前記第一工程において、
    前記アームの表面及び前記サスペンションの表面のうち、一方の表面を、前記合金又は前記Ｓｎ単体で覆い、他方の表面を、前記合金よりも融点が高い金属、又は前記Ｓｎ単体よりも融点が高い金属で覆う、
    請求項９又は１０に記載の磁気ヘッド装置。
12. 前記他方の表面を、Ｎｉ単体、又はＰを含むＮｉで覆う、
    請求項１１に記載の磁気ヘッド装置。

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