JP2007280530A - 磁気ヘッドアッセンブリ - Google Patents

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Abstract

【課題】スライダの電極パッドとフレキシブル配線基板の電極パッドを簡単な工程で強固に接合できる磁気ヘッドアッセンブリを得る。
【解決手段】スライダ表面に露出する磁気抵抗効果素子用の電極パッドと、磁気抵抗効果素子と外部回路を接続するフレキシブル配線基板の電極パッドが半田接合される磁気ヘッドアッセンブリにおいて、スライダの電極パッドは磁気抵抗効果素子に接続された電気配線層上に形成され、半田接触面に露出するAu表面保護層及び該Au表面保護層と電気配線層の間に介在するCu接着層を有し、このCu接着層の半田接合前の厚さが、半田接合後に0.05μm以上となるように規定されている。
【選択図】図3

Description

本発明は、スライダの電極パッドとフレキシブル配線基板の電極パッドとをSn半田で接合する磁気ヘッドアッセンブリに関する。
ハードディスクドライブ(HDD)で使用されるいわゆる磁気ヘッドアッセンブリは、磁気ヘッドが組み込まれたスライダと、スライダを弾性的に支持するフレキシャと、このフレキシャ表面に接着されたフレキシブル配線基板とを備えている。この種の磁気ヘッドアッセンブリでは、従来一般に、磁気ヘッドのスライダ表面に露出する電極パッドとフレキシブル配線基板の電極パッドを互いに直交する位置関係で金ボールボンディング方式により接合していたが、近年では、ボンディング領域(電極パッドの大きさ及び電極パッド間隔)の狭小化に対応できるよう、金ボールよりも小さい球径で形成可能な半田ボールを用いた半田ボールボンディング方式が提案されている。
半田ボールボンディング方式は、例えば半田ボールを溶融した状態で接合面に吹き付けるSJB方式のマウンターを用いて実行することができ、このマウンターから接合面に供給した溶融半田を凝固させることで、スライダの電極パッドとフレキシブル配線基板の電極パッドを接合している。半田濡れ性を上げるため、スライダの電極パッドの半田接触面にはAuからなる表面保護層が形成され、このAu表面保護層と電気配線層の間に、溶融半田とAu表面保護層を強固に接合させる接着層が形成されている。この接着層には従来、NiFeが用いられる。一方、フレキシブル配線基板の電極パッドには、半田接触面にAuからなる表面保護層が形成され、このAu表面保護層と電気配線層の間にCu接着層が形成されている。
特開平10−79105号公報
しかしながら、上記従来の電極パッド構成では、スライダの電極パッドとフレキシブル配線基板の電極パッドの間で半田ボールを溶融すると、溶融半田の大部分がフレキシブル配線基板側に流れてしまい、スライダの電極パッドよりもフレキシブル配線基板の電極パッドで半田濡れ性が悪くなっている。このため、スライダの電極パッドの接合強度が弱く、導通不良が生じてしまう場合がある。コレを回避するには、スライダの電極パッドの半田濡れ性を向上させる必要があり、スライダの電極パッドを予め加熱するなどの工程が必要であった。
本発明は、上述の従来課題に鑑みてなされたもので、スライダの電極パッドとフレキシブル配線基板の電極パッドを簡単な工程で強固に接合できる磁気ヘッドアッセンブリを得ることを目的としている。
本発明は、Au表面保護層の直下位置に存在する接着層の熱伝導率の違いが半田濡れ性の違いを生じさせていることに気付き、スライダ側とフレキシブル配線基板側の接着層を同一材料(Cu)で形成すれば半田濡れ性が一様となって両電極パッドを全体的に接合できること、さらに、半田接合後に残存するCu層(接着層)を薄くするほど接着強度を高められることに着目したものである。
すなわち、本発明は、磁気ヘッドのスライダ表面に露出する電極パッドと、該磁気ヘッドと外部回路を接続するフレキシブル配線基板の電極パッドとが半田接合される磁気ヘッドアッセンブリにおいて、スライダの電極パッドは、磁気ヘッドに接続された電気配線層上に形成されていて、半田接触面に露出するAu表面保護層及び該Au表面保護層と電気配線層の間に介在するCu接着層を有し、このCu接着層の半田接合前の厚さが、半田接合後に0.05μm以上となるように規定されていることを特徴としている。
フレキシブル配線基板の電極パッドは、該フレキシブル配線基板の電気配線層上に形成されていて、半田接触面に露出するAu表面保護層及び該Au表面保護層と電気配線層の間に介在するCu接着層を有していることが実際的である。スライダ及びフレキシブル配線基板の電極パッドの接着層を同一材料で形成すれば、両方の接着層の熱導電率は一致し、両電極パッドでの半田濡れ性が一様になる。
Au表面保護層は薄いことが好ましく、具体的にその厚さは0.5μm以下とするのがよい。
スライダの電極パッドとフレキシブル配線基板の電極パッドは、Sn半田材によって接合されることが実際的である。
スライダの電極パッドは、Au表面保護層の直下位置にCu接着層が存在することで熱伝導率が改善されるから、Cu接着層と電気配線層の間にNiFe層を有していてもよい。
スライダの電極パッドとフレキシブル配線基板の電極パッドは、半田ボールボンディング法により接合される。半田ボールボンディング法には、スライダの電極パッドとフレキシブル配線基板の電極パッドとの間に設置した半田ボールをレーザー照射して溶融させる方法(SBB)と、溶融状態の半田ボールをスライダの電極パッドとフレキシブル配線基板の電極パッドの間に供給する方法(SJB)とが含まれるが、いずれの方法を採用しても同程度の接合強度を確保できる。
本発明によれば、スライダの電極パッドとフレキシブル配線基板の電極パッドを簡単な工程で強固に接合できる磁気ヘッドアッセンブリを得ることができる。
図1は、本発明の適用対象となる、ハードディスクドライブ用の磁気ヘッドアッセンブリ(完成状態)の一実施形態を示している。磁気ヘッドアッセンブリ1は、磁気抵抗効果素子や磁気記録素子などを含む磁気ヘッド12が組み込まれたスライダ11と、このスライダ11の背面を例えば熱硬化性接着剤やUV硬化性接着剤、導電性接着剤接着等で接着したフレキシャ21を備えている。
フレキシャ21は、板ばね状の可撓性を有する薄い金属板であって、ロードビームの先端部に、該ロードビームに対してスライダ11を弾性的に浮遊支持した状態で装着している。フレキシャ21の表面には、スライダ11の磁気抵抗効果素子とこの磁気ヘッドアッセンブリが装着されるハードディスク装置の回路系とを導通接続するフレキシブル配線基板(FPC)22が、接着剤による貼り付け等により固定されている。フレキシブル配線基板22は、図2に拡大して示すように、フレキシャ21の先端部に配置された複数の電極パッド23から両側縁部に別れた後に両側縁部に沿って延び、フレキシャ21の後端縁部からさらに引き出され、中継用フレキシブル配線基板24を介して一つにまとめられている。中継用フレキシブル配線基板24は、磁気ヘッドアッセンブリ1が搭載されるハードディスク装置の回路系に接続される。
フレキシブル配線基板22の電極パッド23は、該フレキシブル配線基板22内の電気配線層230上に形成されており、図3(a)(b)に示されるように、最表面に露出するAu表面保護層231と、このAu表面保護層231と電気配線層230の間に介在するCu接着層232とを有している。電気配線層230は本実施形態ではTiにより形成されている。
スライダ11には、スライダ端面11aに位置させて、磁気ヘッド12用の電極パッド13が形成されている。スライダ11の電極パッド13は、一端部が磁気ヘッド12に接続され他端部が該スライダ端面11aに露出する電気配線層130上に形成されており、図3(a)に示されるように半田接合前は、半田接触面となる最表面に形成されたAu表面保護層131と、このAu表面保護層131と電気配線層130との間に介在するCu接着層132を有している。Au表面保護層131は、0.5μm以下の薄い膜厚で形成され、電極パッド13の半田濡れ性を向上させると共にCu接着層132の腐食を防止する。Cu接着層132は、Sn半田接合後に0.05μm以上の膜厚が得られるように半田接合前の膜厚が規定されている。電気配線層130は本実施形態ではTiにより形成されている。
上記スライダ11とフレキシブル配線基板22は、互いの電極パッド13、23が直交する位置関係でフレキシャ21上に装着されている。この互いに直交する位置関係で設置されたスライダ11の電極パッド13とフレキシブル配線基板22の電極パッド23は、鉛を含まず錫を主体とするSn半田を用いて、半田ボールボンディングされる。鉛を含まず錫を主体とするSn半田としては、Sn−Bi系、Sn−Ag系、Sn−Cu系、Sn−Zn系、Sn−In系またはSn−Au系を用いることができる。上述したようにスライダ11の電極パッド構成はフレキシブル配線基板22の電極パッド構成と同一であるから、これらの接着層132、232はいずれもCuにより形成されている。よって、電極パッド13表面及び電極パッド23表面における熱伝導率は同等となり、スライダ11側とフレキシブル配線基板22側において半田濡れ性の偏りはなくなる。つまり、スライダ11の電極パッド13全体的に半田が濡れる状態となっている。
半田ボールボンディング方式としては、スライダ11の電極パッド13とフレキシブル配線基板22の電極パッド23との間に設置した未溶融状態のSn半田ボールを1回または複数回のレーザー照射により溶融させるSBB方式と、溶融状態のSn半田ボールをスライダ11の電極パッド13とフレキシブル配線基板22の電極パッド23の間に供給するSJB方式のいずれを用いてもよい。半田接合後の電極パッド構成、半田フィレット及び接合強度はSBB方式及びSJB方式のいずれを用いても同様となるので、以下では、SBB方式により接合する場合について説明する。
周知のようにSBB方式では先ず、スライダ11及びフレキシブル配線基板22の電極パッド13、23の間にSn半田ボールを設置し、このSn半田ボールの一部をレーザー照射(1回目)により溶融させ、該Sn半田ボールを仮固定する。電極パッド13、23の表面にはそれぞれAu表面保護層131、231が形成されているため、電極パッド13、23と固化したSn半田ボールとの間にはAuSn化合物が生じる。次に、窒素ガス流によってSn半田ボールの酸化を防止しつつ、2回目のレーザー照射によりSn半田ボールを完全に溶融させる。Sn半田ボールが完全に溶融されると、その溶融半田内に電極パッド13、23の表面に生じているAuSn化合物が分散され、この分散されたAu原子を含んだ状態で溶融半田が固化して半田フィレット41(図3(b))が形成される。半田フィレット41により、スライダ11の電極パッド13とフレキシブル配線基板22の電極パッド23は接合される。
半田フィレット41には、少なくとも電極パッド13、23と固化したSn半田との境界に、Au原子が分散したAuSn分散層43が生じる。溶融半田内にはAu表面露出層131、231の直下に位置するCu接着層132、232のCu原子も一部分散されるため、AuSn分散層43にはCuSn化合物が含まれる。このように1回目のレーザー照射で生じた脆弱なAuSn化合物が二回目のレーザー照射により半田内に分散してCuSn化合物が形成されることで、半田フィレット41の接合強度は高められる。
Cu接着層132、232の膜厚は、レーザー照射によりCuSn化合物が形成されるため、半田接合前よりも半田接合後で薄くなる。半田接合後に残存しているCu接着層132、232の膜厚が薄くなるほど、半田フィレット41の接合強度が高くなることは実験的に確かめられている(図4及び図5参照)。
図4及び図5は、スライダ11の電極パッド13の接着層を異なる材料及び異なる膜厚で形成した実施例1〜4及び比較例1に対し、その膜厚[μm]と接着強度[g]の関係を調べた結果を示している。図4はSBB(Solder Ball Bonding)方式により接合した場合の結果を示し、図5はSJB(Solder Jet Bonding)方式により接合した場合の結果を示している。具体的に、SBB方式による結線では、マウンターにより未溶融状態の半田ボールを電極パッド13の上面(接合面)に供給し、該電極パッド13上の所定位置に半田ボールを位置決めした状態で該半田ボールをレーザー照射により溶融させて、スライダ11の電極パッド13とフレキシブル配線基板22の電極パッド23を接合する。一方、SJB方式による結線では、マウンターにより溶融状態の半田ボールを電極パッド13の上面(接合面)に供給し、溶融半田が再凝固することでスライダ11の電極パッド13とフレキシブル配線基板22の電極パッド23を接合する。図4及び図5において、A〜C、Dは実施例1〜3、4を示し、Eは比較例1を示している。また図4及び図5の○印は、各実施例及び比較例においてそれぞれ測定した多数のサンプルの平均値を示している。
各実施例1〜4及び比較例1の接着層構成及び接着前の膜厚は、表1に示すとおりである。各実施例1〜4及び比較例1において、スライダ11の電気配線層130はTi層(400Å)、Au表面保護層131はAu層(0.3μm)で形成されている。
[表1]
接着層(μm)
実施例1 Cu(0.2)
実施例2 Cu(0.5)
実施例3 Cu(1.0)
実施例4 電気配線層130側からNiFe(0.2)/Cu(0.2)
比較例1 NiFe(0.2)
また表2には、図4に示されるSBB方式により接合した場合の各実施例1〜4及び比較例1における、電極パッド13の接着層の膜厚変化を示す。接着後の膜厚及び接着前後の膜厚変化は、多数サンプルの平均値で示してある。
[表2]
接着前の膜厚 接着後の膜厚 接着前後の膜厚変化
(食われ残量) (食われ量)
実施例1 0.2μm 0.05μm 0.15μm
実施例2 0.5μm 0.36μm 0.14μm
実施例3 1.0μm 0.89μm 0.11μm
実施例4 0.4μm 0.29μm 0.11μm
比較例1 0.2μm − −
表3には、図5に示されるSJB方式により接合した場合の各実施例1〜4及び比較例1における、電極パッド13の接着層の膜厚変化を示す。
[表3]
接着前の膜厚 接着後の膜厚 接着前後の膜厚変化
(食われ残量) (食われ量)
実施例1 0.2μm 0.063μm 0.137μm
実施例2 0.5μm 0.40μm 0.10μm
実施例3 1.0μm 0.85μm 0.15μm
実施例4 0.4μm 0.31μm 0.09μm
比較例1 0.2μm 0.10μm 0.10μm
図4または図5を見ると、Cu接着層132を有する実施例1〜3は比較例1よりも接着強度が高くなっているから、Au表面保護層131の直下位置にCuが存在することで、NiFe接着層を有する場合よりも接着強度が高められることがわかる。また、Cu接着層132を有する実施例1〜3では、接着後の膜厚が小さいほど接着強度が高くなっていることが明らかである。さらに、NiFe/Cu接着層を有する実施例4でも比較例1より接着強度が高くなっていることから、少なくともAu表面保護層131の直下位置にCuが存在していれば、電極パッド13にNiFeが含まれていても接着強度が改善されることがわかる。これは、Au表面保護層131の直下位置にCuが存在することで、電極パッド13の表面における熱伝導率がフレキシブル配線基板22の電極パッド表面の熱伝導率とほぼ同等に改善されるからと推測できる。
図4と図5を比較してみると、いずれの場合も各実施例1〜4では比較例1よりも接着強度が高くなっており、表2と表3を比較してみると、電極パッド13の接合後の接着層の膜厚がほぼ同等となっている。これにより、SBB方式とSJB方式のいずれにより接合した場合でも、同等の接着強度が得られることがわかる。つまり、接合方法にはよらず、少なくともAu表面保護層131の直下位置にCuが存在していれば接着強度が改善されることがわかる。
以上の結果から、本実施形態では、スライダ11の電極パッド13が十分な接合強度を確保できるよう、半田接合後に0.05μm以上の膜厚が残るように半田接合前のCu接着層132の膜厚を設定してある。具体的に半田接合前後におけるCu接着層132の膜厚変動は0.15μm程度であるから、接合前の膜厚は0.2μm以上としてある。
本実施形態によれば、スライダ11の電極パッド13がAu表面保護層131とCu接着層132により形成されているので、スライダ11の電極パッド13における熱伝導率がフレキシブル配線基板22の電極パッド23での熱伝導率とほぼ同等に改善され、良好な半田濡れ性を確保することができる。これにより、スライダ11の電極パッド13の全面的に半田フィレット41が形成され、信頼性が向上する。また本実施形態によれば、Cu接着層132の半田接合前の厚さが、半田接合後に0.05μm以上となるように規定されているので、スライダ11の電極パッド13の接合強度をより高められる。これにより、半田接合前にスライダ11の電極パッド13を加熱する必要がなく、スライダ11の電極パッド13とフレキシブル配線基板22の電極パッド23を簡単な工程で強固に接合することができる。
本実施形態では、鉛を含まないSn半田を用いているが、鉛と錫を主成分とする半田を使用してもよい。
本発明方法の適用対象である、磁気ヘッドアッセンブリ(完成状態)の一実施形態を示す模式構成図である。 図1のスライダの電極パッドとフレキシブル配線基板の電極パッドとの接合部を拡大して示す模式図である。 (a)半田接合前のスライダの電極パッド構成及びフレキシブル配線基板の電極パッド構成を示す模式断面図である。(b)半田接合後のスライダの電極パッド構成及びフレキシブル配線基板の電極パッド構成を示す模式断面図である。 SBB方式で接合した場合における、電極パッドの接着層と接着強度の関係を示すグラフである。 SJB方式で接合した場合における、電極パッドの接着層と接着強度の関係を示すグラフである。
符号の説明
11 スライダ
12 磁気ヘッド
13 電極パッド
21 フレキシャ
22 フレキシブル配線基板
23 電極パッド
41 半田フィレット
43 AuSn分散層
130、230 電気配線層
131、231 Au表面保護層
132、232 Cu接着層

Claims (6)

  1. 磁気ヘッドのスライダ表面に露出する電極パッドと、該磁気ヘッドと外部回路を接続するフレキシブル配線基板の電極パッドとが半田接合される磁気ヘッドアッセンブリにおいて、
    前記スライダの電極パッドは、前記磁気ヘッドに接続された電気配線層上に形成されていて、半田接触面に露出するAu表面保護層及び該Au表面保護層と前記電気配線層の間に介在するCu接着層を有し、このCu接着層の半田接合前の厚さが、半田接合後に0.05μm以上となるように規定されていることを特徴とする磁気ヘッドアッセンブリ。
  2. 請求項1記載の磁気ヘッドアッセンブリにおいて、前記フレキシブル配線基板の電極パッドは、該フレキシブル配線基板の電気配線層上に形成されていて、半田接触面に露出するAu表面保護層及び該Au表面保護層と前記電気配線層の間に介在するCu接着層を有している磁気ヘッドアッセンブリ。
  3. 請求項1または2記載の磁気ヘッドアッセンブリにおいて、前記Au表面保護層の厚さは0.5μm以下である磁気ヘッドアッセンブリ。
  4. 請求項1ないし3のいずれか一項に記載の磁気ヘッドアッセンブリにおいて、前記スライダの電極パッドと前記フレキシブル配線基板の電極パッドは、Sn半田材によって接合される磁気ヘッドアッセンブリ。
  5. 請求項1ないし3のいずれか一項記載の磁気ヘッドアッセンブリにおいて、前記スライダの電極パッドは、前記Cu接着層と前記電気配線層の間にNiFe層を有している磁気ヘッドアッセンブリ。
  6. 請求項1ないし5のいずれか一項に記載の磁気ヘッドアッセンブリにおいて、前記スライダの電極パッドと前記フレキシブル配線基板の電極パッドは、半田ボールボンディング法により接合される磁気ヘッドアッセンブリ。
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