JP2016175807A5 - - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 30
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 16
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims 2
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015058518A JP6376600B2 (ja) | 2015-03-20 | 2015-03-20 | 結晶積層構造体の製造方法 |
| EP16768238.4A EP3272915B1 (en) | 2015-03-20 | 2016-02-17 | Method for providing a crystal laminate structure |
| PCT/JP2016/054620 WO2016152335A1 (ja) | 2015-03-20 | 2016-02-17 | 結晶積層構造体 |
| CN201680016988.8A CN107532326B (zh) | 2015-03-20 | 2016-02-17 | 晶体层叠结构体 |
| US15/559,167 US10538862B2 (en) | 2015-03-20 | 2016-02-17 | Crystal laminate structure |
| TW105105677A TWI684662B (zh) | 2015-03-20 | 2016-02-25 | 結晶積層構造體 |
| US16/702,186 US11047067B2 (en) | 2015-03-20 | 2019-12-03 | Crystal laminate structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015058518A JP6376600B2 (ja) | 2015-03-20 | 2015-03-20 | 結晶積層構造体の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016175807A JP2016175807A (ja) | 2016-10-06 |
| JP2016175807A5 true JP2016175807A5 (enExample) | 2017-03-09 |
| JP6376600B2 JP6376600B2 (ja) | 2018-08-22 |
Family
ID=56977171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015058518A Active JP6376600B2 (ja) | 2015-03-20 | 2015-03-20 | 結晶積層構造体の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10538862B2 (enExample) |
| EP (1) | EP3272915B1 (enExample) |
| JP (1) | JP6376600B2 (enExample) |
| CN (1) | CN107532326B (enExample) |
| TW (1) | TWI684662B (enExample) |
| WO (1) | WO2016152335A1 (enExample) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6376600B2 (ja) * | 2015-03-20 | 2018-08-22 | 株式会社タムラ製作所 | 結晶積層構造体の製造方法 |
| US11152208B2 (en) * | 2016-09-15 | 2021-10-19 | Flosfia Inc. | Semiconductor film, method of forming semiconductor film, complex compound for doping, and method of doping |
| SG11202000619WA (en) * | 2017-01-25 | 2020-02-27 | Shanghai Inst Optics & Fine Mech Cas | Gallium oxide-doped crystalline material, preparation method and application thereof |
| JP7008293B2 (ja) * | 2017-04-27 | 2022-01-25 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | Ｇａ２Ｏ３系半導体素子 |
| JP2019034883A (ja) * | 2017-08-21 | 2019-03-07 | 株式会社Flosfia | 結晶膜の製造方法 |
| JP7141849B2 (ja) | 2018-05-16 | 2022-09-26 | 株式会社サイオクス | 窒化物結晶基板および窒化物結晶基板の製造方法 |
| US12046471B1 (en) * | 2018-06-06 | 2024-07-23 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Optimized thick heteroepitaxial growth of semiconductors with in-situ substrate pretreatment |
| CN110323291B (zh) * | 2019-04-22 | 2020-07-10 | 湖北大学 | 基于(GaY)2O3非晶薄膜的高增益日盲紫外光探测器及其制备方法 |
| KR102676983B1 (ko) * | 2019-08-27 | 2024-06-20 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 적층구조체 및 적층구조체의 제조방법 |
| JP7093329B2 (ja) * | 2019-09-02 | 2022-06-29 | 信越化学工業株式会社 | 積層構造体、半導体装置及び半導体システム |
| JP7097861B2 (ja) * | 2019-09-03 | 2022-07-08 | 信越化学工業株式会社 | 積層構造体、半導体装置及び半導体システム |
| JP7580708B2 (ja) * | 2020-04-14 | 2024-11-12 | 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー | 半導体膜及びその製造方法 |
| CN112853468A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-28 | 杭州富加镓业科技有限公司 | 一种基于深度学习和热交换法的导电型氧化镓制备方法 |
| JP2024168184A (ja) * | 2023-05-23 | 2024-12-05 | 大陽日酸株式会社 | 結晶膜の製造方法、気相成長装置、及びβ－酸化ガリウム結晶膜 |
| WO2025177952A1 (ja) * | 2024-02-22 | 2025-08-28 | 三菱瓦斯化学株式会社 | β－Ｇａ２Ｏ３／β－Ｇａ２Ｏ３積層体の製造方法、該製造方法によって得られた積層体、及び該積層体を含む半導体装置 |
| CN120239310B (zh) * | 2025-05-29 | 2025-08-29 | 深圳平湖实验室 | 半导体器件及其制备方法以及外延片 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001253794A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体バルク単結晶の製造方法 |
| JP4734786B2 (ja) * | 2001-07-04 | 2011-07-27 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体基板、及びその製造方法 |
| US7008839B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor thin film |
| JP2006193348A (ja) | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体基板およびその製造方法 |
| JP2009126723A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長方法、ｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板 |
| US8822263B2 (en) | 2008-06-30 | 2014-09-02 | National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology | Epitaxial growth method of a zinc oxide based semiconductor layer, epitaxial crystal structure, epitaxial crystal growth apparatus, and semiconductor device |
| JP5392708B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2014-01-22 | 国立大学法人東京農工大学 | ヘテロエピタキシャル成長方法 |
| CN107653490A (zh) | 2011-09-08 | 2018-02-02 | 株式会社田村制作所 | 晶体层叠结构体 |
| JP5948581B2 (ja) | 2011-09-08 | 2016-07-06 | 株式会社Flosfia | Ｇａ２Ｏ３系半導体素子 |
| JP5807282B2 (ja) | 2011-09-08 | 2015-11-10 | 株式会社タムラ製作所 | Ｇａ２Ｏ３系半導体素子 |
| JP6066210B2 (ja) | 2011-09-08 | 2017-01-25 | 株式会社タムラ製作所 | Ｇａ２Ｏ３系半導体素子 |
| JP2013056803A (ja) | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Tamura Seisakusho Co Ltd | β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶膜の製造方法 |
| JP5864998B2 (ja) | 2011-10-11 | 2016-02-17 | 株式会社タムラ製作所 | β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の成長方法 |
| JP5984069B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2016-09-06 | 株式会社タムラ製作所 | β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶膜の成長方法、及び結晶積層構造体 |
| JP6376600B2 (ja) * | 2015-03-20 | 2018-08-22 | 株式会社タムラ製作所 | 結晶積層構造体の製造方法 |
-
2015
- 2015-03-20 JP JP2015058518A patent/JP6376600B2/ja active Active
-
2016
- 2016-02-17 WO PCT/JP2016/054620 patent/WO2016152335A1/ja not_active Ceased
- 2016-02-17 EP EP16768238.4A patent/EP3272915B1/en active Active
- 2016-02-17 CN CN201680016988.8A patent/CN107532326B/zh active Active
- 2016-02-17 US US15/559,167 patent/US10538862B2/en active Active
- 2016-02-25 TW TW105105677A patent/TWI684662B/zh active
-
2019
- 2019-12-03 US US16/702,186 patent/US11047067B2/en active Active
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