JP2016162895A - 光結合装置および絶縁装置 - Google Patents
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Abstract
Description
前記発光素子を駆動し前記光信号を生成する第1半導体素子と、
前記光信号を受光して電気信号に変換する第2半導体素子と
前記第1半導体素子の側面および上面を覆うゲル状の第1のシリコーン材と、
前記第1のシリコーン材とは離隔して配置され、前記第2半導体素子の側面および上面を覆うゲル状の第2のシリコーン材と、
前記第1および第2のシリコーン材とは離隔して配置され、前記第2半導体素子と対向する発光素子の側面および上面を覆うゲル状の第3のシリコーン材と、
前記第1のシリコーン材、前記第2のシリコーン材および前記第3のシリコーン材の周囲を覆う第1の樹脂材と、
前記第1の樹脂材の周囲を覆う第2の樹脂材と、を備え、
前記第1乃至第3のシリコーン材および前記第1の樹脂材は、前記発光素子が発光する前記光信号の波長に対して透明な材料であり、
前記第2の樹脂材は、前記発光素子が発光する前記光信号の波長に対して不透明な材料である光結合装置が提供される。
図8は第2の実施形態における光結合装置1のICパッケージ2の断面図、図9は一比較例によるICパッケージ2の断面図である。図8および図9のICパッケージ2は、シングルモールド構造である。
上述した第1および第2の実施形態では、発光素子4からの光信号を絶縁状態を維持したまま送受信する光結合装置を説明したが、光結合装置などの絶縁装置は、光信号を送受するものだけでなく、例えば磁気結合や容量結合により、非接触で信号を伝送することも可能である。
前記発光素子を駆動し前記光信号を生成する第1半導体素子と、
前記光信号を受光して電気信号に変換する第2半導体素子と
前記第1半導体素子の側面および上面を覆うゲル状の第1シリコーン部と、
前記第1シリコーン部とは離隔して配置され、前記第2半導体素子の側面および上面を覆うゲル状の第2シリコーン部と、
前記第1および第2シリコーン部とは離隔して配置され、前記第2半導体素子と対向する発光素子の側面および上面を覆うゲル状の第3シリコーン部と、
前記第1シリコーン部、前記第2シリコーン部および前記第3シリコーン部の周囲を覆う第1樹脂部と、
前記第1樹脂部の周囲を覆う第2樹脂部と、を備える光結合装置が提供される。
第1基準電圧生成回路22は、その内部に、不図示のバンドギャップ回路と、バッファ回路とを有する。バンドギャップ回路は、トランジスタのバンドギャップ電圧を相殺することで、電源電圧や温度に依存しない第1基準電圧を生成する。バッファ回路は、バンドギャップ回路が生成した第1基準電圧をバッファリングする。第1基準電圧調整器21は、第1基準電圧生成回路22で生成される第1基準電圧の電圧レベルを微調整する。
よって、発光素子4のアノード−カソード間電圧は、変調信号(たとえばPWM信号)のパルス幅に応じて変化し、発光素子4は、変調信号(たとえばPWM信号)のパルス幅に応じた光信号を発光する。発光素子4は、例えばLED(Light Emitting Diode)であり、アノード−カソード間電圧に応じた強度の光信号を発光する。
図8は第2の実施形態における光結合装置1のICパッケージ2の断面図、図9は一比較例によるICパッケージ2の断面図である。図8および図9のICパッケージ2は、シングルモールド構造である。
上述した第1および第2の実施形態では、発光素子4からの光信号を絶縁状態を維持したまま送受信する光結合装置を説明したが、光結合装置などの絶縁装置は、光信号を送受するものだけでなく、例えば磁気結合や容量結合により、非接触で信号を伝送することも可能である。
Claims (11)
- 光信号を発光する発光素子と、
前記発光素子を駆動し前記光信号を生成する第1半導体素子と、
前記光信号を受光して電気信号に変換する第2半導体素子と、
前記第1半導体素子の側面および上面を覆うゲル状の第1のシリコーン材と、
前記第1のシリコーン材とは離隔して配置され、前記第2半導体素子の側面および上面を覆うゲル状の第2のシリコーン材と、
前記第1および第2のシリコーン材とは離隔して配置され、前記第2半導体素子と対向する発光素子の側面および上面を覆うゲル状の第3のシリコーン材と、
前記第1のシリコーン材、前記第2のシリコーン材および前記第3のシリコーン材の周囲を覆う第1の樹脂材と、
前記第1の樹脂材の周囲を覆う第2の樹脂材と、を備え、
前記第1乃至第3のシリコーン材および前記第1の樹脂材は、前記発光素子が発光する前記光信号の波長に対して透明な材料であり、
前記第2の樹脂材は、前記発光素子が発光する前記光信号の波長に対して不透明な材料である光結合装置。 - 前記第1および第2のシリコーン材は、JIS K 6253およびJIS K 7215の少なくとも一方に準拠した硬さの値が10乃至24、望ましくは16乃至24である請求項1に記載の光結合装置。
- 前記第1および第2の樹脂材の硬さの値は、前記第1乃至第3のシリコーン材の硬さの値よりも3倍以上大きい請求項2に記載の光結合装置。
- 前記第1および第2のシリコーン材の厚さは、100μm以上、望ましくは200μm以上、より望ましくは250μm以上である請求項1乃至3のいずれかに記載の光結合装置。
- 前記第1および第2のシリコーン材の厚さは、400μm以下、望ましくは300μm以下である請求項4に記載の光結合装置。
- 前記第1のシリコーン材の厚さは、前記送信チップの厚さに逆比例して設定され、
前記第2のシリコーン材の厚さは、前記受信チップの厚さに逆比例して設定される請求項1乃至5のいずれかに記載の光結合装置。 - 前記第1および第2のシリコーン材の厚さは、当該光結合装置のICパッケージの厚さに逆比例して設定される請求項1乃至6のいずれかに記載の光結合装置。
- 前記第1のシリコーン材の厚さは、前記送信チップの表面積に比例して設定され、
前記第2のシリコーン材の厚さは、前記受信チップの表面積に比例して設定される請求項1乃至7のいずれかに記載の光結合装置。 - 光信号を発光する発光素子と、
前記光信号に応じて電圧信号を生成する第1半導体素子と、
前記光信号を受光して電流信号に変換する第2半導体素子と、
前記第1半導体素子の側面および上面を覆うゲル状の第1シリコーン材と、
前記発光素子の側面および上面から、前記光信号の伝搬経路を含めて、前記発光素子に対向する前記第2半導体素子の側面および上面までを覆うゲル状またはゴム状の第2シリコーン材と、
前記第1および第2シリコーン材の周囲を覆う樹脂材と、を備え、
前記第1および第2シリコーン材は、前記発光素子が発光する前記光信号の波長に対して透明な材料であり、
前記樹脂材は、前記発光素子が発光する前記光信号の波長に対して不透明な材料である光結合装置。 - 前記シリコーン材の厚さは、200μm以上、望ましくは250μm以上である請求項9に記載の光結合装置。
- 送信信号を生成する第1半導体素子と、
磁気結合または容量結合により前記送信信号を受信する第2半導体素子と、
前記第1半導体素子および前記第2半導体素子の側面および上面を覆うゲル状のシリコーン材と、
前記シリコーン材の周囲を覆う樹脂材と、を備え、
前記シリコーン材の厚さは、200μm以上、望ましくは250μm以上である絶縁装置。
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