JPH11150291A

JPH11150291A - 光結合装置

Info

Publication number: JPH11150291A
Application number: JP31787497A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiko Matsuo; 義彦松尾
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-11-19
Filing date: 1997-11-19
Publication date: 1999-06-02

Abstract

(57)【要約】【課題】受発光素子間で安定した光信号の伝達を行
い、高精度、高信頼性を確保する。【解決手段】発光側ヘッダー部３に搭載された発光素
子５と、受光側ヘッダー部４に搭載された受光素子６と
が対向配置され、受光側リードフレーム２を挟んで両側
に出力用リードフレーム１３がそれぞれ配され、各出力
用リードフレーム１３に受光素子６にワイヤボンドされ
たＭＯＳ素子１２が搭載され、受発光素子５，６および
ＭＯＳ素子１２がインナーパッケージ９により封止さ
れ、インナーパッケージ９がアウターパッケージ１０に
より封止される。発光側ヘッダー部３の寸法が受光側ヘ
ッダー部４の寸法より大とされ、発光側ヘッダー部３
に、発光素子５の外周面に沿って周壁２０が設けられ
る。周壁２０より内側に注入された透光性材料のプリコ
ート８により発光素子５が覆われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高精度・高信頼性
を有する１層モールドタイプおよび２層モールドタイプ
の光結合装置に関し、特にＭＯＳＦＥＴ出力型光結合装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の２層モールドタイプの光結合装置
（フォトカプラ）を図５に示す。このタイプの光結合装
置の製造工程を説明する。あらかじめ折り曲げ成型され
た金属製のリードフレーム１，２のヘッダー部３，４に
発光素子５および受光素子６をそれぞれ個別に導電性ペ
ーストにてダイボンドし、各素子５，６と隣接するリー
ドフレームとを金線等のワイヤ７を用いて結線接続する
ワイヤボンドを施す。

【０００３】次に、発光素子５に、応力緩和用として透
光性のシリコーン樹脂をあらかじめコーティングするプ
リコート８を施す。そして、各素子５，６がダイボンド
されたリードフレーム１，２をスポット溶接またはロー
ディングフレームにセットすることにより、各素子５，
６が略同一光軸上になるように各素子５，６を所定の間
隔をあけて位置決め、対向させ、光学的に発光素子５か
ら受光素子６へ光路形成するように透光性エポキシ樹脂
にて１次トランスファーモールドを行い、インナーパッ
ケージ（透光体）９を形成する。バリ取り処理を施した
後、外乱光の入射防止および光漏れを無くして光信号の
伝達ができるように遮光性エポキシ樹脂にて２次トラン
スファーモールドを行い、アウターパッケージ（遮光
体）１０を形成する。

【０００４】さらに、リードフレームの外装めっき、隣
接するリードフレームを支えモールド時の樹脂漏れを低
減するように設けられた補助リードを切除するタイバー
カット、外部のリードフレームを成形加工し外部端子と
するフォーミング、入出力素子間の絶縁性評価のための
絶縁耐圧試験、電気特性検査、外観検査、梱包工程を経
て、光結合装置が完成される。

【０００５】また、図６に示すような１層モールドタイ
プの光結合装置（フォトカプラ）の製造方法は、インナ
ーパッケージ９の代わりに、発光素子５と受光素子６の
間をシリコーン樹脂にて光学的に結合する光路体１１を
形成する、いわゆるドッキングをした後、遮光性エポキ
シ樹脂にてトランスファーモールドを行い、アウターパ
ッケージ１０を形成する。その後、リードフレームの外
装めっき以下、上記の２層モールドタイプと同様の工程
を経て、光結合装置が完成される。

【０００６】また、一般的なＭＯＳＦＥＴ出力型光結合
装置では、図７に示すように、受光素子６として光電素
子（太陽電池とも言う）を用い、その受光素子６に金線
等のワイヤ７でワイヤボンドされたパワーＭＯＳＦＥＴ
（以下、ＭＯＳ素子と称する）１２を出力素子として一
対の出力側リードフレーム１３に搭載した１層モールド
タイプの構造を採用している。図中、１４は入力用リー
ドフレーム、１５はダミー用リードフレームである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】一般的に１層モールド
タイプの光結合装置の構造として、発光素子５を搭載す
る発光側ヘッダー部３と受光素子６を搭載する受光側ヘ
ッダー部４とを対向させているが、受光素子６に比べ発
光素子５の方が小さいため、それに合わせて発光側ヘッ
ダー部３の方が受光側ヘッダー部４よりも小さく形成さ
れている。

【０００８】そのため、透光性のシリコーン樹脂等を充
填してドッキングさせるとき、シリコーン樹脂の粘度変
化、注入角度の差等によりシリコーン樹脂の未充填が起
こり、図８のように光路体１１のドッキング形状が細る
ことがある。この場合、受光素子６の受光部において、
例えばその端部近傍に発光素子５から発せられる光信号
が到達し難い弱受光箇所（図中、黒色で示した部分）が
生じることがある。

【０００９】ここで、受光素子６としてフォトトランジ
スタ、フォトサイリスタ等の素子を使用している場合
は、ドッキング形状が細って光信号が到達しない弱受光
箇所が生じると、受光部全面積に対してその弱受光箇所
の分だけ感度が落ちて、光信号の伝達の精度が悪くなる
という問題がある。

【００１０】特に、受光素子６として、図９に示すよう
なフォトダイオード等の受光セル１６を直列に接続して
なる素子、つまり光電素子を使用しているＭＯＳＦＥＴ
出力型光結合装置の場合は、受光セル１６の面積および
数によって電圧、電流が決定される。なお、図中、１７
はＭＯＳ素子１２の制御回路である。そのため、光路体
１１のドッキング形状が細って、端部の受光セル１６の
一部が光路体１１から外れるといった光信号が到達し難
い弱受光箇所が生じると、受光感度は弱受光箇所におけ
る起電力特性となり、起電力不足や電流不足になり、信
頼性の低下という問題がある。

【００１１】なお、２層モールドタイプの光結合装置で
は、ドッキング形状が細るという問題は生じないが、発
光素子５から発せられる光信号はプリコート８表面より
透光性樹脂を介して受光素子６へ直線的に到達するた
め、光電素子のように発光素子５に比べて大きい受光部
を持つ受光素子６では、受光部に均等に光信号が到達し
ないという問題があり、精度や信頼性に不安がある。

【００１２】以上のように、１層モールドタイプの光結
合装置では、ドッキング形状に左右されて光信号の高精
度な伝達や信頼性を安定的に得ることができない。ま
た、２層モールドタイプの光結合装置でも、光信号を均
等に安定して伝達させることができず、信頼性に劣る。
特に、高精度、高信頼性のＭＯＳＦＥＴ出力型で２層モ
ールドタイプの光結合装置は製造することが困難であっ
た。

【００１３】本発明は、上記に鑑み、１層あるいは２層
のモールドタイプに関係なく受発光素子間で安定した光
信号の伝達を行えることにより、高精度、高信頼性とな
る光結合装置の提供を目的とする。特に、高精度、高信
頼性の１層モールドタイプあるいは２層モールドタイプ
のＭＯＳＦＥＴ出力型光結合装置を提供することを可能
にする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明による課題解決手
段は、発光側リードフレームのヘッダー部に搭載された
発光素子と、受光側リードフレームのヘッダー部に搭載
された受光素子とが対向配置され、両ヘッダー部の間に
受発光素子を光学的に結合する透光性材料からなる光路
体が形成され、前記受発光素子および光路体が遮光体に
より封止された１層モールドタイプの光結合装置におい
て、前記発光側ヘッダー部の寸法が受光側ヘッダー部の
寸法より大とされ、前記光路体が受光素子を完全に覆う
ように形成されたものである。

【００１５】また、発光側リードフレームのヘッダー部
に搭載された発光素子と、受光側リードフレームのヘッ
ダー部に搭載された受光素子とが対向配置され、前記発
光素子が透光性材料により覆われ、前記受発光素子が透
光体により封止され、該透光体が遮光体により封止され
た２層モールドタイプの光結合装置において、前記発光
側ヘッダー部の寸法が受光側ヘッダー部の寸法より大と
され、発光側ヘッダー部での透光性材料によって覆われ
た領域の面積が受光素子の受光部面積より大きくされた
ものである。

【００１６】このように、１層モールドタイプでは、安
定したドッキング形状の光路体を形成することができる
ので、光路体が細って受光素子に光信号が到達しない箇
所が生じるといったことを防止でき、発光素子から発せ
られる光信号の安定した光路を確保することが可能とな
る。

【００１７】また、２層モールドタイプでは、発光素子
を覆う透光性材料によるプリコートの界面から光信号を
均等に照射させることができるので、発光素子から発せ
られる光信号は受光素子の受光部全体に均等に到達し、
受光素子への光信号の安定した供給が可能となる。

【００１８】ここで、受光素子に光電素子を用い、受光
側リードフレームを挟んで両側に出力用リードフレーム
をそれぞれ配し、各出力用リードフレームに前記光電素
子とワイヤボンドされたＭＯＳ素子を搭載すると、高精
度、高信頼性の１層モールドタイプあるいは２層モール
ドタイプのＭＯＳＦＥＴ出力型光結合装置となる。

【００１９】そして、発光側ヘッダー部に、発光素子の
外周面に沿って周壁が設けられていると、周壁より内側
を透光性材料によって覆うことにより、安定したドッキ
ング形状の光路体を形成することができる。また、発光
側ヘッダー部での透光性材料によって覆われた領域の面
積を確実に受光素子の受光部面積より大きくすることが
できる。

【００２０】

【発明の実施の形態】（第１実施形態）本発明の第１実
施形態の光結合装置を図１に示す。この光結合装置は、
２層モールドタイプのＭＯＳＦＥＴ出力型であり、発光
側リードフレーム１のヘッダー部３に搭載されたＬＥＤ
等の発光素子５と、受光側リードフレーム２のヘッダー
部４に搭載された光電素子である受光素子６とが対向配
置され、受光側リードフレーム２を挟んで両側に出力用
リードフレーム１３がそれぞれ配され、各出力用リード
フレーム１３に受光素子６にワイヤボンドされたＭＯＳ
素子１２が搭載され、発光素子５が応力緩和性、難燃性
のある透光性材料により覆われ、受発光素子５，６およ
びＭＯＳ素子１２がインナーパッケージ（透光体）９に
より封止され、インナーパッケージ９がアウターパッケ
ージ（遮光体）１０により封止されたものである。

【００２１】そして、発光側ヘッダー部３の寸法が受光
側ヘッダー部４の寸法より大とされ、発光側ヘッダー部
３の投射面積が受光側ヘッダー部４の投射面積より大き
くなるので、平面視受光側ヘッダー部４は発光側ヘッダ
ー部３に隠れる。なお、ヘッダー部３，４の寸法とは、
ヘッダー部３，４の横幅および縦幅をいう。

【００２２】また、発光側ヘッダー部３に、発光素子５
の外周面に沿って周壁２０が設けられ、発光素子５の高
さよりも深い凹み２１となるカップ構造となる。この周
壁２０は、発光側ヘッダー部３の周縁を発光素子５の高
さよりも高くなるように受光素子６側に折り曲げて形成
されたものである。

【００２３】周壁２０より内側には透光性材料が注入さ
れて、周壁２０があることにより透光性材料の流れがせ
き止められ、外部に流失するのが防止され、上面が緩や
かな曲面のドーム状のプリコート８となる。これによ
り、発光側ヘッダー部３での透光性材料によって覆われ
た領域の面積が受光素子５の受光部面積より大きくなっ
て、発光素子５からの光を受光素子６の受光部全体に均
等にかつ安定して到達させることができ、光伝達効率が
よくなる。

【００２４】次に、上記光結合装置の製造方法を説明す
る。まず、受光側ヘッダー部４より大きく、かつ発光素
子５の高さより深い凹み２１を持つ発光側ヘッダー部３
を形成して、このヘッダー部３の凹み２１の底面に発光
素子５を導電性ペースト等でダイボンドし、金線等のワ
イヤ７によりワイヤボンドを行う。凹み２１内にシリコ
ーン樹脂等の透光性材料を注入して、発光素子５を覆う
プリコート８を施す。

【００２５】また、受光素子６を同様に受光側ヘッダー
部４にダイボンドし、隣接する一対の出力用リードフレ
ーム１３のヘッダー部にＭＯＳ素子１２をダイボンド
し、受光素子６と両側のＭＯＳ素子１２とをワイヤ７で
ワイヤボンドする。

【００２６】上記のように準備されたそれぞれのリード
フレーム群を受光側ヘッダー部４が発光側ヘッダー部３
と対向するように重ね合わせ、スポット溶接、あるいは
ローディングフレームにセットすることにより、接合し
てフレーム組とする。インナーパッケージ９を形成する
ための金型にフレーム組を挿着し、型締め後、透光性エ
ポキシ樹脂等の透光性樹脂を注入封止して鏡面のインナ
ーパッケージ９を形成する。

【００２７】次に、不要な箇所の樹脂バリをバリ取りし
た後、アウターパッケージ１０を形成するための金型に
インナーパッケージ９を挿着し、型締め後、遮光性エポ
キシ樹脂等の遮光性樹脂を注入封止し、アウターパッケ
ージ１０を形成する。

【００２８】そして、外装めっき後、それぞれのリード
フレーム１，２，１３，１４，１５間にあるタイバーを
切除して独立させ、アウターパッケージ１０から外部に
突出したリードフレーム１，２，１３，１４，１５を外
部端子として使用する形状にフォーミングした後、所定
の検査を行い、光結合装置が完成する。

【００２９】ここで、このＭＯＳＦＥＴ出力型光結合装
置の動作原理を説明すると、入力側のリードフレーム
１，１４に信号電流が流れると、発光素子５が発光す
る。発光された光信号は、インナーパッケージ９を通っ
て受光素子６に向けて照射される。このとき、プリコー
ト８表面の面積が受光素子６の受光部面積より広いの
で、小さな曲率のプリコート８表面から光信号が直線的
に照射され、発光素子５から発せられる光信号を受光部
全体に均等にかつ安定して供給することができる。

【００３０】光信号を受けた受光素子６は光信号の量に
応じて電圧に変換し、この電圧は制御回路１７を通って
ＭＯＳ素子１２を充電する。受光素子６より供給される
ＭＯＳ素子１２のゲート電圧が設定電圧値に達すると、
ＭＯＳ素子１２が導通状態になり、出力側リードフレー
ム１３から出力信号が出力され、負荷等をオンさせるリ
レーとして作動する。

【００３１】そして、入力側の信号電流が切られると、
発光素子５の発光が停止する。すると、受光素子６には
光信号が伝達されなくなり、受光素子６の電圧が下が
る。受光素子６から供給される電圧が下がると、制御回
路１７によりＭＯＳ素子１２のゲート電荷を急速に放電
させる。これにより、ＭＯＳ素子１２が非導通状態とな
り、負荷等をオフする。

【００３２】（第２実施形態）第２実施形態の光結合装
置を図２に示す。この光結合装置は、１層モールドタイ
プのＭＯＳＦＥＴ出力型であり、発光側リードフレーム
１のヘッダー部３に搭載されたＬＥＤ等の発光素子５
と、受光側リードフレーム２のヘッダー部４に搭載され
た光電素子である受光素子６とが対向配置され、受光側
リードフレーム２を挟んで両側に出力用リードフレーム
１３がそれぞれ配され、各出力用リードフレーム１３に
受光素子６にワイヤボンドされたＭＯＳ素子１２が搭載
され、両ヘッダー部３，４の間に受発光素子５，６を光
学的に結合する応力緩和性、難燃性のある透光性材料か
らなる光路体１１が形成され、受発光素子５，６および
光路体１１がアウターパッケージ（遮光体）１０により
封止されたものである。

【００３３】そして、発光側ヘッダー部３の寸法が受光
側ヘッダー部４の寸法より大とされ、発光側ヘッダー部
３の投射面積が受光側ヘッダー部４の投射面積より大き
くなるので、平面視受光側ヘッダー部４は発光側ヘッダ
ー部３に隠れる。また、光路体１１は、発光側ヘッダー
部３から受光側ヘッダー部４に向かってしだいに狭くな
るドッキング形状に形成され、受光素子６を完全に覆っ
ている。

【００３４】次に、上記光結合装置の製造方法を説明す
る。まず、受光側ヘッダー部４より大きい発光側ヘッダ
ー部３を形成して、このヘッダー部３に発光素子５を導
電性ペースト等でダイボンドし、金線等のワイヤ７によ
りワイヤボンドを行う。また、受光素子６を同様に受光
側ヘッダー部４にダイボンドし、隣接する一対の出力用
リードフレーム１３のヘッダー部にＭＯＳ素子１２をダ
イボンドし、受光素子６と両側のＭＯＳ素子１２とをワ
イヤ７でワイヤボンドする。

【００３５】上記のように準備されたそれぞれのリード
フレーム群を受光側ヘッダー部４が発光側ヘッダー部３
と所定の間隔をあけて対向するように重ね合わせ、スポ
ット溶接、あるいはローディングフレームにセットする
ことにより、接合してフレーム組とする。そして、対向
した両ヘッダー部３，４の間にシリコーン樹脂等の透光
性材料を注入して光路体１１を形成する。これにより、
発光素子５と受光素子６とが光学的に結合される。

【００３６】次に、アウターパッケージ１０を形成する
ための金型に上記の光路体１１が形成されたフレーム組
を挿着し、型締め後、遮光性エポキシ樹脂等の遮光性樹
脂を注入封止し、アウターパッケージ１０を形成する。

【００３７】そして、外装めっき後、それぞれのリード
フレーム１，２，１３，１４，１５間にあるタイバーを
切除して独立させ、アウターパッケージ１０から外部に
突出したリードフレーム１，２，１３，１４，１５を外
部端子として使用する形状にフォーミングした後、所定
の検査を行い、光結合装置が完成する。

【００３８】この光結合装置では、発光側ヘッダー部３
の寸法が受光側ヘッダー部４の寸法より大きいので、光
路体１１の横断面の面積は受光部の面積よりも大きくな
り、光路体１１から受光素子６がはみ出すことがなくな
る。したがって、光信号が到達し難い箇所は生じること
がなく、光信号の安定した光路を形成することができ
る。

【００３９】そのため、図３に示すように、光路体１１
のドッキング形状が細った場合でも、受光素子６の端部
は光路体１１からはみ出すことなく覆われ、ドッキング
形状に左右されずに光信号の高精度な伝達を行うことが
できる。

【００４０】また、１層モールドタイプの光結合装置の
他の実施形態を図４に示す。すなわち、発光側ヘッダー
部３および受光側ヘッダー部４に、それぞれ第１実施形
態で示した周壁２０を形成したものである。他の構成は
第２実施形態のものと同じである。

【００４１】このように、各ヘッダー部３，４に周壁２
０を形成することにより、両ヘッダー部３，４間に注入
される透光性材料の流れがヘッダー部３，４上ではせき
止められ、外部に流失するのが防止され、発光素子５お
よび受光素子６を確実に覆うことができる。したがっ
て、細まったドッキング形状になることはなく、より好
ましい形状の光路体１１を形成することができる。

【００４２】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、本発明の範囲内で上記実施形態に多く
の修正および変更を加え得ることは勿論である。例え
ば、プリコートや光路体に用いられる応力緩和性、難燃
性の透光性材料として、シリコーン樹脂の代わりにポリ
イミド系樹脂、エポキシ系樹脂を用いてもよい。

【００４３】また、ヘッダー部に設けられる周壁は、曲
げ加工で形成する以外にもリードフレームのヘッダー部
を切削加工したり、あるいは絞り加工により形成しても
よい。さらに、高粘度でかつ低流動性のシリコーン樹脂
等の樹脂を発光素子を取り囲むようにヘッダー部に塗布
して形成してもよい。

【００４４】そして、上記実施形態のヘッダー構造を利
用して、他の光結合装置、例えばフォトカプラ、フォト
サイリスタ、フォトトライアック、フォトボル等に転用
してもよく、ドッキング形状に左右されずに光信号の高
精度な伝達を行うことが可能となる。

【００４５】

【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明に
よると、１層モールドタイプの光結合装置において、発
光側ヘッダー部の寸法が受光側ヘッダー部の寸法より大
とされ、両ヘッダー部の間に形成された光路体が受光素
子を完全に覆うように形成されることにより、安定した
ドッキング形状の光路体を形成することができ、発光素
子から発せられる光信号の安定した光路を確保すること
が可能となる。

【００４６】また、発光素子がプリコートされた２層モ
ールドタイプの光結合装置において、発光側ヘッダー部
の寸法が受光側ヘッダー部の寸法より大とされ、発光側
ヘッダー部でのプリコートの面積を受光素子の受光部面
積より大きくすることにより、プリコートの界面から光
信号を均等に照射させることができ、発光素子から発せ
られる光信号は受光素子の受光部全体に均等に到達し、
受光素子への光信号の安定した供給が可能となる。

【００４７】したがって、１層モールドタイプ、２層モ
ールドタイプに関係なく、発光素子と受光素子との間に
おける光伝達効率を高めることができ、高精度、高信頼
性の光結合装置を提供することができる。これにより、
従来では製造が困難であった高精度、高信頼性のＭＯＳ
ＦＥＴ出力型で２層モールドタイプの光結合装置を実現
することができる。

【００４８】また、発光側ヘッダー部に、発光素子の外
周面に沿って周壁を設けて、周壁より内側を透光性材料
によって覆うことにより、安定したドッキング形状の光
路体を形成したり、発光側ヘッダー部での透光性材料に
よって覆われた領域の面積を確実に受光素子の受光部面
積より大きくすることができ、光伝達効率がよくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態の２層モールドタイプのＭＯＳＦ
ＥＴ型光結合装置を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）はモ
ールド前の平面図

【図２】第２実施形態の１層モールドタイプのＭＯＳＦ
ＥＴ型光結合装置を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）はモ
ールド前の平面図

【図３】同じく光路体のドッキング形状が細った場合の
断面図

【図４】他の実施形態の１層モールドタイプのＭＯＳＦ
ＥＴ型光結合装置の断面図

【図５】２層モールドタイプの光結合装置の断面図

【図６】１層モールドタイプの光結合装置の断面図

【図７】従来の１層モールドタイプのＭＯＳＦＥＴ型光
結合装置の断面図

【図８】同じく光路体のドッキング形状が細った場合の
断面図

【図９】ＭＯＳＦＥＴ型光結合装置の受光素子搭載状態
を示す平面図

【符号の説明】

１発光側リードフレーム２受光側リードフレーム３発光側ヘッダー部４受光側ヘッダー部５発光素子６受光素子７ワイヤ８プリコート９インナーパッケージ１０アウターパッケージ１１光路体１２ＭＯＳ素子１３出力用リードフレーム２０周壁

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】発光側リードフレームのヘッダー部に搭
載された発光素子と、受光側リードフレームのヘッダー
部に搭載された受光素子とが対向配置され、両ヘッダー
部の間に受発光素子を光学的に結合する透光性材料から
なる光路体が形成され、前記受発光素子および光路体が
遮光体により封止された光結合装置において、前記発光
側ヘッダー部の寸法が受光側ヘッダー部の寸法より大と
され、前記光路体が受光素子を完全に覆うように形成さ
れることを特徴とする光結合装置。
【請求項２】発光側リードフレームのヘッダー部に搭
載された発光素子と、受光側リードフレームのヘッダー
部に搭載された受光素子とが対向配置され、前記発光素
子が透光性材料により覆われ、前記受発光素子が透光体
により封止され、該透光体が遮光体により封止された光
結合装置において、前記発光側ヘッダー部の寸法が受光
側ヘッダー部の寸法より大とされたことを特徴とする光
結合装置。
【請求項３】発光側ヘッダー部での透光性材料によっ
て覆われた領域の面積が受光素子の受光部面積より大き
くされ、発光素子からの光が受光素子の受光部全体に均
等に到達することを特徴とする請求項２記載の光結合装
置。
【請求項４】発光側ヘッダー部に、発光素子の外周面
に沿って周壁が設けられ、該周壁より内側は透光性材料
によって覆われたことを特徴とする請求項１または２記
載の光結合装置。
【請求項５】周壁は、発光側ヘッダー部の周縁を発光
素子の高さよりも高くなるように受光素子側に折り曲げ
て形成されたことを特徴とする請求項４記載の光結合装
置。
【請求項６】受光素子に光電素子が用いられ、受光側
リードフレームを挟んで両側に出力用リードフレームが
それぞれ配され、各出力用リードフレームに前記光電素
子とワイヤボンドされたＭＯＳ素子が搭載されたことを
特徴とする請求項１ないし５記載のいずれかの光結合装
置。