JPS59200442A - ハイブリツド集積回路 - Google Patents
ハイブリツド集積回路Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、複数個の集積回路チップを備えたハイブリッ
ド集積回路に関し、特（二集積回路チップの封止構造を
改良したハイブリッド集積回路（＝関する。
ド集積回路に関し、特（二集積回路チップの封止構造を
改良したハイブリッド集積回路（＝関する。
複数個の集積回路チップを回路パターンを有する一個の
基板上に固定し、ワイヤボンディング等で電気的に接続
するハイブリッド集積回路は、例えば大容量のメモリ、
サーマルヘッドの駆動回路部、密着センサ等の光電変換
器の駆動回路部等、多方面で利用されている。
基板上に固定し、ワイヤボンディング等で電気的に接続
するハイブリッド集積回路は、例えば大容量のメモリ、
サーマルヘッドの駆動回路部、密着センサ等の光電変換
器の駆動回路部等、多方面で利用されている。
このようなハイブリッド集積回路におりては、集積回路
チップを封止前の段階で基板上に実装するので、この集
積回路チップ表面、ボンディングワイヤ等の接続部を外
部から保護するため、樹脂（二より封止することが行な
われている。封止用の樹脂としてはエポキシ樹脂、シリ
コーン樹脂等がある。しかしながら、エポキシ樹脂は密
着性、耐湿性には優れているものの、ハロゲンイオン、
アルカリイオン等の不純物の含有量が多く、集積回路チ
ップのＡｚ配線の腐食、半導体の特性変化等の欠点があ
る。またシリコーン樹脂は耐薬品性、集積回路チップ、
ボンディングワイヤ等（＝与える応力が小さい等の利点
があるものの、密着性（＝劣り、耐湿性の点で問題があ
る。またシリコーン樹脂としてゲル状のものを用いれば
応力は一層低減されるＣのの、外力に対しては非常に弱
く、簡単（二剥離してしまう。
チップを封止前の段階で基板上に実装するので、この集
積回路チップ表面、ボンディングワイヤ等の接続部を外
部から保護するため、樹脂（二より封止することが行な
われている。封止用の樹脂としてはエポキシ樹脂、シリ
コーン樹脂等がある。しかしながら、エポキシ樹脂は密
着性、耐湿性には優れているものの、ハロゲンイオン、
アルカリイオン等の不純物の含有量が多く、集積回路チ
ップのＡｚ配線の腐食、半導体の特性変化等の欠点があ
る。またシリコーン樹脂は耐薬品性、集積回路チップ、
ボンディングワイヤ等（＝与える応力が小さい等の利点
があるものの、密着性（＝劣り、耐湿性の点で問題があ
る。またシリコーン樹脂としてゲル状のものを用いれば
応力は一層低減されるＣのの、外力に対しては非常に弱
く、簡単（二剥離してしまう。
また膜形成（＝際して、硬化前の樹脂は流動性が比較的
大きいため、一層で形成する場合は集積回路チップの周
囲（二流れ止めを形成する必要がある。
大きいため、一層で形成する場合は集積回路チップの周
囲（二流れ止めを形成する必要がある。
従って高密度に集積回路チップが実装されたハイブリッ
ド集積回路（二は適用が困難であった。
ド集積回路（二は適用が困難であった。
このように樹脂には一長一短がある。また樹脂を組合わ
せて封止することも研究されている。
せて封止することも研究されている。
例えば第１図に示すようにエポキシ樹脂とゴム状シリコ
ーン樹脂を用いた封止構造がある。基板（１）上に固定
された複数個の集積回路チップ（２）は、基板（１）上
の配線パターン（図示せず）にホンディングワイヤ（３
）により電気的Ｃ二接続されている。集積回路チップ（
２）はゴム状シリコーン樹脂（６）によりそれぞれ個別
（二被覆されており、さら１−全体を覆うようにエポキ
シ樹脂（７）（二よりコーティングされている。
ーン樹脂を用いた封止構造がある。基板（１）上に固定
された複数個の集積回路チップ（２）は、基板（１）上
の配線パターン（図示せず）にホンディングワイヤ（３
）により電気的Ｃ二接続されている。集積回路チップ（
２）はゴム状シリコーン樹脂（６）によりそれぞれ個別
（二被覆されており、さら１−全体を覆うようにエポキ
シ樹脂（７）（二よりコーティングされている。
このような構成を有するハイブリッド集積回路（−おい
ては、エポキシ樹脂、シリコーンａｔ ＩＢＭのそれぞ
れの特徴を得ることができるものの、まだ内部ストレス
が大きく、ボンディングワイヤのｄ線等の恐れがある。
ては、エポキシ樹脂、シリコーンａｔ ＩＢＭのそれぞ
れの特徴を得ることができるものの、まだ内部ストレス
が大きく、ボンディングワイヤのｄ線等の恐れがある。
また、集積回路チップ封止後、故障の発生等により、個
々の集積回路チップを交換する場合、ゴム状シリコーン
樹脂は耐薬品性（２優れているため完全（二除去するこ
とは困難である。
々の集積回路チップを交換する場合、ゴム状シリコーン
樹脂は耐薬品性（２優れているため完全（二除去するこ
とは困難である。
従って交換したのち、再度ボンディングワイヤを接続し
た場合の接着強度が初回（二比べ低下してしまうため、
このような集積回路チップの交換は困難なことであった
。
た場合の接着強度が初回（二比べ低下してしまうため、
このような集積回路チップの交換は困難なことであった
。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、外力に対
して安定であり低ストレスな封止構造を有するハイブリ
ッド集積回路を提供することを目的、とする。さらには
集積回路チップごとの交換の容易な封止構造を有するハ
イブリッド集〜積回路を提供することを目的とする。
して安定であり低ストレスな封止構造を有するハイブリ
ッド集積回路を提供することを目的、とする。さらには
集積回路チップごとの交換の容易な封止構造を有するハ
イブリッド集〜積回路を提供することを目的とする。
本発明は、
基板と：
この基板−ヒに固定された集積回路チップと；この集積
回路千ツブを被覆するように設けられたゲル状シリコー
ン樹脂からなる第１の封止層と；この第１０附止層を被
覆するように設けられたゴム状シリコーン樹脂からなる
第２の封止層：とを具備したことを特徴とするハイブリ
ッド集積回路である。
回路千ツブを被覆するように設けられたゲル状シリコー
ン樹脂からなる第１の封止層と；この第１０附止層を被
覆するように設けられたゴム状シリコーン樹脂からなる
第２の封止層：とを具備したことを特徴とするハイブリ
ッド集積回路である。
本発明においては、ゲル状シリコーン樹脂及びゴム状シ
リコーン樹脂の２層の封止構造とする。
リコーン樹脂の２層の封止構造とする。
本発明に用いられるシリコーン樹脂は、ＪＣＢ、用とし
て一般に知られているものであり、Ｎａ、に等のアルカ
リ元２．Ｃ／等のハロゲン元素ともに数ＰＰｍ以下の含
有量である高純度のもの、また使用の際の熱サイクル（
二耐えるように１７０〜２００℃の熱試験に耐えるもの
を用いる。
て一般に知られているものであり、Ｎａ、に等のアルカ
リ元２．Ｃ／等のハロゲン元素ともに数ＰＰｍ以下の含
有量である高純度のもの、また使用の際の熱サイクル（
二耐えるように１７０〜２００℃の熱試験に耐えるもの
を用いる。
本発明Ｃ二おいて、直接集積回路チップ（二接している
のは、塑性変形容易なゲル状シリコーン樹脂であるため
、ストレスが、エポキシ樹脂、ゴム状たエポキシ樹脂等
（二比べ、不純物含有量が少ないため、集積回路チップ
上のＡＩ！配線等の腐食の恐れもなく、集積回路チップ
を構成するＳｉ基板等の半導体基板に悪影響をおよぼす
恐れもない。また、ゲル状シリコーン樹脂°を弾性体で
あるゴム状シリコーン樹脂で覆っているため、ゲル状シ
リコーンのみの場合に比ベメタクレン、トリクレン等の
有機溶剤に対する耐薬品性が向上するとともに、ゲルシ
リコーン樹脂（：比べすぐれている。またゴム状シリコ
ーン樹脂でゲル状シリコーン樹脂の流動を防止している
ため、たとえば熱温度変化（２伴なうゲル状シリコーン
樹脂の体積変化を減少することができるため、ボンディ
ングワイヤ等に対するストレスが低下し、断線等を防止
することができる０ さら口、複数個の集積回路チップ（二、個別に第１及び
第２の封止層を形成し、個々のチップごとの封止を行々
うことにより種々の効果を得るととができる。例えば−
個のチップを交換する場合でも、他のチップの封止を損
なうことなく交換することができる。この場合、ゲル状
シリコーン樹脂は例えば綿棒等を用い、トリクレン、メ
タクレン等の有機溶剤により容易Ｃ二除去することがで
きる。
のは、塑性変形容易なゲル状シリコーン樹脂であるため
、ストレスが、エポキシ樹脂、ゴム状たエポキシ樹脂等
（二比べ、不純物含有量が少ないため、集積回路チップ
上のＡＩ！配線等の腐食の恐れもなく、集積回路チップ
を構成するＳｉ基板等の半導体基板に悪影響をおよぼす
恐れもない。また、ゲル状シリコーン樹脂°を弾性体で
あるゴム状シリコーン樹脂で覆っているため、ゲル状シ
リコーンのみの場合に比ベメタクレン、トリクレン等の
有機溶剤に対する耐薬品性が向上するとともに、ゲルシ
リコーン樹脂（：比べすぐれている。またゴム状シリコ
ーン樹脂でゲル状シリコーン樹脂の流動を防止している
ため、たとえば熱温度変化（２伴なうゲル状シリコーン
樹脂の体積変化を減少することができるため、ボンディ
ングワイヤ等に対するストレスが低下し、断線等を防止
することができる０ さら口、複数個の集積回路チップ（二、個別に第１及び
第２の封止層を形成し、個々のチップごとの封止を行々
うことにより種々の効果を得るととができる。例えば−
個のチップを交換する場合でも、他のチップの封止を損
なうことなく交換することができる。この場合、ゲル状
シリコーン樹脂は例えば綿棒等を用い、トリクレン、メ
タクレン等の有機溶剤により容易Ｃ二除去することがで
きる。
従って交換後に再度ボンディングワイヤを接続する場合
も残留樹脂成分がほとんどないため、初回と同程度の接
着強度を再現することができる。
も残留樹脂成分がほとんどないため、初回と同程度の接
着強度を再現することができる。
またシリコーン樹脂を用いて一層で形成する場合は、そ
の流動性による広がりを防止するため流れ止めを形成す
る必要があったが、層を２度に分けて形成すること（二
より広がりを防止しているため、流れ止めを形成する必
要がない。また、個々に封止しているため、ゲル状シリ
コーン樹脂で複数の集積回路チップを共通に封止する場
合に比べ、少量ですむ。封止用の樹脂は、その量が多く
なるとボンディングワイヤ等（−与える応力が大きくな
るため少ない方がより良込。また流れ止めを設ける必要
が々いため、集積回路チップの実装密度があがった場合
でも、個々のチップごと（二封止することが可能である
。
の流動性による広がりを防止するため流れ止めを形成す
る必要があったが、層を２度に分けて形成すること（二
より広がりを防止しているため、流れ止めを形成する必
要がない。また、個々に封止しているため、ゲル状シリ
コーン樹脂で複数の集積回路チップを共通に封止する場
合に比べ、少量ですむ。封止用の樹脂は、その量が多く
なるとボンディングワイヤ等（−与える応力が大きくな
るため少ない方がより良込。また流れ止めを設ける必要
が々いため、集積回路チップの実装密度があがった場合
でも、個々のチップごと（二封止することが可能である
。
また必要に応じ、第３の封止層として、エポキシ樹脂、
ウレタン樹脂、アクリル樹脂等の非シリコーン樹脂を形
成して、さら（２耐湿性の向上を図ることもできる。こ
の場合例えばエポキシ樹脂は、各集積回路チップ共通に
形成してもよい。このように共通に形成した場合、ゴム
状シリコーン樹脂はメタクレン、トリクレン等の有機溶
剤に強いため、エポキシ樹脂のみをこのような有機溶剤
で除去するととは可能である。従ってエポキシ樹脂のみ
を除去すれば、前述のごく個々の集積回路チップの交換
が可能である。また、ゲル状シリコーン樹脂（熱膨張率
９ ｘ １０ ’ （’Ｏ−’） ） 、ゴム状シリコ
ーン樹脂（３ｘ ＩＯ−’ （”Ｏ’）） 、エポキシ
樹脂（２２〜７×１Ｏ−ｓ（υ−１））と順Ｃ二小さく
なるため、第２の封止層であるゴム状シリコーン樹脂が
熱膨張率の差によるストレスの緩和層の役割を果たし、
エポキシ樹脂層を形成して′もボンディングワイヤ等に
与える影響は小さい。さらにゴム状シリコーン樹脂はゲ
ル状シリコーン樹脂より不純物の侵入を防止する効果が
太きいため、工゛ポキシ樹脂からゲル状シリコーン樹脂
への不純物の侵入を防止することができ、集積回路チッ
プへの不純物による悪影響の恐れがない。
ウレタン樹脂、アクリル樹脂等の非シリコーン樹脂を形
成して、さら（２耐湿性の向上を図ることもできる。こ
の場合例えばエポキシ樹脂は、各集積回路チップ共通に
形成してもよい。このように共通に形成した場合、ゴム
状シリコーン樹脂はメタクレン、トリクレン等の有機溶
剤に強いため、エポキシ樹脂のみをこのような有機溶剤
で除去するととは可能である。従ってエポキシ樹脂のみ
を除去すれば、前述のごく個々の集積回路チップの交換
が可能である。また、ゲル状シリコーン樹脂（熱膨張率
９ ｘ １０ ’ （’Ｏ−’） ） 、ゴム状シリコ
ーン樹脂（３ｘ ＩＯ−’ （”Ｏ’）） 、エポキシ
樹脂（２２〜７×１Ｏ−ｓ（υ−１））と順Ｃ二小さく
なるため、第２の封止層であるゴム状シリコーン樹脂が
熱膨張率の差によるストレスの緩和層の役割を果たし、
エポキシ樹脂層を形成して′もボンディングワイヤ等に
与える影響は小さい。さらにゴム状シリコーン樹脂はゲ
ル状シリコーン樹脂より不純物の侵入を防止する効果が
太きいため、工゛ポキシ樹脂からゲル状シリコーン樹脂
への不純物の侵入を防止することができ、集積回路チッ
プへの不純物による悪影響の恐れがない。
〔発明の効果〕
以上説明したよう（二本発明によれば、ゲル状シリコー
ン樹脂とゴム状シリコーン樹脂の２層構造の封止とした
こと（二より、外力鑑二対して安定であり低ストレスか
つ集積回路チップの交換が容易なハイブリッド集積回路
を得ることができる。
ン樹脂とゴム状シリコーン樹脂の２層構造の封止とした
こと（二より、外力鑑二対して安定であり低ストレスか
つ集積回路チップの交換が容易なハイブリッド集積回路
を得ることができる。
従って多数個の集積回路チップを有するサーマルヘッド
の駆動回路部、ファクシミリ等の光学的読取部である密
着センサ等の駆動回路部等ζ：用いると非常（二有効で
ある。
の駆動回路部、ファクシミリ等の光学的読取部である密
着センサ等の駆動回路部等ζ：用いると非常（二有効で
ある。
本発明の実施例を以下（二説明する。
第２図（ａ）は本発明の実施例を示すノ１イブリッド集
積回路の断面図であり、第２図（ｂ）（２第２ ｔ’２
１ （ａｌｌ八人拡大図を示す。
積回路の断面図であり、第２図（ｂ）（２第２ ｔ’２
１ （ａｌｌ八人拡大図を示す。
基板（１）上（：複数個の集積回路チップ（２）を固定
し、基板（１）上の配線パターン（図示せず）（ニボン
デイングワイヤ（３）により電気的に接続する。続いて
各第１の封止層（４）を形成する。この第１の封止層←
）は、ディスペンサーを用い、千ツブω）瑞から］、５
：に露以内（二おさまるようにスポットした後、クリー
ンブース内で熱硬化させる。次（二、ゲル状シリコーン
樹脂の物理的特性がほぼ飽和した時点でこの第封止層（
５）をコーティングする。この第２の封止層（５）は少
なくとも下層である第１の封止ｉ脅（４）を完全に覆う
よう（二形成し、第２の封止層（５）の占有面積を第１
の封止層（４）の占有面積より広くし、第２の封止層（
５）の一部が基板（１）と接触するように形成すること
が好ましい。
し、基板（１）上の配線パターン（図示せず）（ニボン
デイングワイヤ（３）により電気的に接続する。続いて
各第１の封止層（４）を形成する。この第１の封止層←
）は、ディスペンサーを用い、千ツブω）瑞から］、５
：に露以内（二おさまるようにスポットした後、クリー
ンブース内で熱硬化させる。次（二、ゲル状シリコーン
樹脂の物理的特性がほぼ飽和した時点でこの第封止層（
５）をコーティングする。この第２の封止層（５）は少
なくとも下層である第１の封止ｉ脅（４）を完全に覆う
よう（二形成し、第２の封止層（５）の占有面積を第１
の封止層（４）の占有面積より広くし、第２の封止層（
５）の一部が基板（１）と接触するように形成すること
が好ましい。
このようにして形成したハイブリッド集積回路ニラいて
（−２０”Ｏ（３０Ｊ ）＝１２０ ’０ （３０ｍ、
）） ノｔニートサイクルで環境試験を行なった。比
較例としてゲル状シリコーン樹脂を第１の封止層とし、
硬化後さらにゲル状シリコーン樹脂からなる第２の封止
層を形成したものについても同様の試験を行なった。そ
の結果を下表に示す。下表においてはボンディングワイ
ヤの接触不良件数を示す。
（−２０”Ｏ（３０Ｊ ）＝１２０ ’０ （３０ｍ、
）） ノｔニートサイクルで環境試験を行なった。比
較例としてゲル状シリコーン樹脂を第１の封止層とし、
硬化後さらにゲル状シリコーン樹脂からなる第２の封止
層を形成したものについても同様の試験を行なった。そ
の結果を下表に示す。下表においてはボンディングワイ
ヤの接触不良件数を示す。
表
実施例−１及び比較例−１はとも雇ニワイヤのボンディ
ング強度が安定したものであり、両方とも接触不良は発
生しなかった。しかし麿からボンディング強度の不安定
なものを用いた実施例−２及び比較例−２シニおいては
、本発明の実施例−２の方が接触不良件数が少ないこと
がわかる。
ング強度が安定したものであり、両方とも接触不良は発
生しなかった。しかし麿からボンディング強度の不安定
なものを用いた実施例−２及び比較例−２シニおいては
、本発明の実施例−２の方が接触不良件数が少ないこと
がわかる。
これは、本発明の実施例が、ゴム状シリコーン樹脂によ
り、ゲル状シリコーン樹脂の体積膨張をある程度防止し
ているためと考えられる。すなわち、ゲル状シリコーン
樹脂は、たしかにボンディングワイヤ（二対するストレ
スは小さいものの、熱サイクルによる体積変化率が大き
い。従ってゴム状シリコーン樹脂（二よる封止がない場
合の方が、大きく々るため、ワイヤの接触不良が生ずる
と考えられる。
り、ゲル状シリコーン樹脂の体積膨張をある程度防止し
ているためと考えられる。すなわち、ゲル状シリコーン
樹脂は、たしかにボンディングワイヤ（二対するストレ
スは小さいものの、熱サイクルによる体積変化率が大き
い。従ってゴム状シリコーン樹脂（二よる封止がない場
合の方が、大きく々るため、ワイヤの接触不良が生ずる
と考えられる。
才たシリコーン樹脂一層のみを用いた場合は、ピンホー
ル等の欠陥が生じやすく、耐湿性、密封性等の点で問題
がある。％（２集積回路チップの角部（Ｂ）（二おいて
封止層が薄くなるため、ピンホール等が生じやすい。し
かしながら本発明においては二層にシリコーン樹脂を封
止した構成をとるため、ピンホールが生じにくく耐湿性
、密封性等においてもすぐれている。
ル等の欠陥が生じやすく、耐湿性、密封性等の点で問題
がある。％（２集積回路チップの角部（Ｂ）（二おいて
封止層が薄くなるため、ピンホール等が生じやすい。し
かしながら本発明においては二層にシリコーン樹脂を封
止した構成をとるため、ピンホールが生じにくく耐湿性
、密封性等においてもすぐれている。
才たゲル状シリコーン樹脂のみでは、このような角部（
Ｂ）において封止層が薄く々るのを防止するため、かな
り大量の樹脂により封止を行なっていたが、樹脂量が多
くなるとワイヤに与えるストレスが大きくなってしまう
。この点本発明（−よれば樹脂量は最小限ですみ、スト
レスの増大等の恐れがない。
Ｂ）において封止層が薄く々るのを防止するため、かな
り大量の樹脂により封止を行なっていたが、樹脂量が多
くなるとワイヤに与えるストレスが大きくなってしまう
。この点本発明（−よれば樹脂量は最小限ですみ、スト
レスの増大等の恐れがない。
ｌ￥ｊに、熱サイクル；：対しての封止の安定性が良好
であるため、サーマルヘッド等の発熱量の大きい装置等
の温度変化の激しい装置Ｃ２応用すると効果的である。
であるため、サーマルヘッド等の発熱量の大きい装置等
の温度変化の激しい装置Ｃ２応用すると効果的である。
また集積回路チップが多数となるにつれ、集積回路チッ
プの故障の率は高くなるので、本発明のごとく個々Ｃニ
チップ交換が可能であれば、正常な部分には何ら影響を
与えることなくチップ交換ができるため、非常Ｃ二有効
である。
プの故障の率は高くなるので、本発明のごとく個々Ｃニ
チップ交換が可能であれば、正常な部分には何ら影響を
与えることなくチップ交換ができるため、非常Ｃ二有効
である。
また個々の集積回路チップ素子な封止後に交換する場合
、例えばゴム状シリコーン樹脂Ｃ二より封止を行なって
いるものでは、ゴム状シリコーン樹脂が有機溶剤（二対
して非常に安定であるため封止層剥離、除去の後、ポン
ディングパッド上に樹脂が残留してしまい、新たにボン
ディングワイヤを接着した時の接着強度が初回に比べ極
端（−おちる。
、例えばゴム状シリコーン樹脂Ｃ二より封止を行なって
いるものでは、ゴム状シリコーン樹脂が有機溶剤（二対
して非常に安定であるため封止層剥離、除去の後、ポン
ディングパッド上に樹脂が残留してしまい、新たにボン
ディングワイヤを接着した時の接着強度が初回に比べ極
端（−おちる。
これに対しゲル状シリコーン樹脂はメタクレン。
トリクレン等の有機溶剤により除去可能であり。
交換後のボンディングワイヤの接着強度もほぼ初回と同
程度（二まで再現される。
程度（二まで再現される。
このよう（二本発明（＝よれば、
■ 低ストレス
■ 耐薬品性（２優れている
■ 個々の集積回路チップごとの交換が可能■ 交換後
のボンディング強度の再現性が良好等のすぐれた封止構
造を有するハイブリッド集積回路を得ることができる。
のボンディング強度の再現性が良好等のすぐれた封止構
造を有するハイブリッド集積回路を得ることができる。
第１図（：従来のハイブリッド集積回路の断面図。
第２図は本発明のハイブリッド集積回路の断面図。
ｌ・・・基板
２・・・集積回路チップ
４・・・第１の封止層
５・・・第２の封止層
Claims (2)
- （１） 基板と、 この基板上に固定された集積回路チップと、との集積回
路チップを被覆するよう（二設けられたゲル状シリコー
ン樹脂からなる第１の封止層と、この第１の封止層を被
覆するよう（二設けられたゴム状シリコーン樹脂からな
る第２の封止層とを具備したことを特徴とするハイブリ
ッド集積回路。 - （２）前記集積回路チップを複数個具備し、前記第１の
封止層が個々の集積回路チップごとに形成され、前記第
２の封止層が第１の封止層を覆うように個々の集積回路
チップごとに形成されたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のハイブリッド集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073828A JPS59200442A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | ハイブリツド集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073828A JPS59200442A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | ハイブリツド集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200442A true JPS59200442A (ja) | 1984-11-13 |
Family
ID=13529391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58073828A Pending JPS59200442A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | ハイブリツド集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200442A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0340458A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2016162895A (ja) * | 2015-03-02 | 2016-09-05 | 株式会社東芝 | 光結合装置および絶縁装置 |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP58073828A patent/JPS59200442A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0340458A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2016162895A (ja) * | 2015-03-02 | 2016-09-05 | 株式会社東芝 | 光結合装置および絶縁装置 |
| US10483424B2 (en) | 2015-03-02 | 2019-11-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Signal coupling device |
| US11430926B2 (en) | 2015-03-02 | 2022-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Signal coupling device |
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