JPH0142356Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0142356Y2 JPH0142356Y2 JP12003283U JP12003283U JPH0142356Y2 JP H0142356 Y2 JPH0142356 Y2 JP H0142356Y2 JP 12003283 U JP12003283 U JP 12003283U JP 12003283 U JP12003283 U JP 12003283U JP H0142356 Y2 JPH0142356 Y2 JP H0142356Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- integrated circuit
- hybrid integrated
- coated
- epoxy resin
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- Expired
Links
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Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は絶縁基板上に搭載された部品を含め
て、基板全体をポリウレタン樹脂で被覆した混成
集積回路装置に関するものである。
て、基板全体をポリウレタン樹脂で被覆した混成
集積回路装置に関するものである。
従来混成集積回路の一般的な製法は、基板に搭
載した半導体チツプをシリコン樹脂等でコーテイ
ングし、他の部品コンデンサ、トランジスタ等を
はんだ付け等で基板に接続し、基板全体シリコン
樹脂でまず被覆し、エポキシ樹脂で外装を仕上げ
るか、シリコン樹脂を使用せず直接エポキシ樹脂
で外装するかのいずれかをとつている。
載した半導体チツプをシリコン樹脂等でコーテイ
ングし、他の部品コンデンサ、トランジスタ等を
はんだ付け等で基板に接続し、基板全体シリコン
樹脂でまず被覆し、エポキシ樹脂で外装を仕上げ
るか、シリコン樹脂を使用せず直接エポキシ樹脂
で外装するかのいずれかをとつている。
従来の構造では耐熱性、耐クラツク性に関して
次のごとき不具合いがある。直接エポキシ樹脂で
外装する方法ではエポキシ樹脂と基板、部品との
密着性がよく、基板とエポキシ樹脂の膨張係数が
違うため、温度サイクル試験等の熱ストレスを加
えると、基板上に印刷、焼成で形成されている抵
抗膜（図示せず）のクラツクや剥離につながる。
基板サイズの大型のもの又は熱ストレスが強力で
あると、膨張係数の差による内部応力がさらに強
くなり、著しい場合は部品のはんだ付部導体パタ
ンの剥離にもつながることがある。
次のごとき不具合いがある。直接エポキシ樹脂で
外装する方法ではエポキシ樹脂と基板、部品との
密着性がよく、基板とエポキシ樹脂の膨張係数が
違うため、温度サイクル試験等の熱ストレスを加
えると、基板上に印刷、焼成で形成されている抵
抗膜（図示せず）のクラツクや剥離につながる。
基板サイズの大型のもの又は熱ストレスが強力で
あると、膨張係数の差による内部応力がさらに強
くなり、著しい場合は部品のはんだ付部導体パタ
ンの剥離にもつながることがある。
前記不具合いを解消するために、まずシリコン
樹脂で部品を含めた基板を被覆し、その後エポキ
シ樹脂で外装する方法がとられている。この方法
を取るとシリコン樹脂がバツフア材となるため、
前記の不具合は解消されるが、この場合シリコン
樹脂とエポキシ樹脂の密着が悪いため、温度サイ
クル等の熱ストレスを加えると、外装のエポキシ
樹脂のクラツクにつながる。またシリコン樹脂は
基板との密着が悪いため、PCT（プレツシヤクツ
カーテスト）等きびしい条件の耐湿試験を行なう
とリード部より水分の浸入があり、試験時間16時
間で半導体チツプのAl電極の腐蝕を生じ要求信
頼度を満たさなくなる。
樹脂で部品を含めた基板を被覆し、その後エポキ
シ樹脂で外装する方法がとられている。この方法
を取るとシリコン樹脂がバツフア材となるため、
前記の不具合は解消されるが、この場合シリコン
樹脂とエポキシ樹脂の密着が悪いため、温度サイ
クル等の熱ストレスを加えると、外装のエポキシ
樹脂のクラツクにつながる。またシリコン樹脂は
基板との密着が悪いため、PCT（プレツシヤクツ
カーテスト）等きびしい条件の耐湿試験を行なう
とリード部より水分の浸入があり、試験時間16時
間で半導体チツプのAl電極の腐蝕を生じ要求信
頼度を満たさなくなる。
本考案は、かかる従来の欠点を解決した混成集
積回路装置を提供することをその目的とする。
積回路装置を提供することをその目的とする。
本考案の特徴は、混成集積回路装置の絶縁基板
上に半導体チツプ、コンデンサー、トランジスタ
等が混載され基板と電気的に接続された混成集積
回路において、搭載部品を含めて基板全体をポリ
ウレタン樹脂で被覆し、更にエポキシ樹脂で外装
した混成集積回路装置にある。
上に半導体チツプ、コンデンサー、トランジスタ
等が混載され基板と電気的に接続された混成集積
回路において、搭載部品を含めて基板全体をポリ
ウレタン樹脂で被覆し、更にエポキシ樹脂で外装
した混成集積回路装置にある。
以下に本考案の実施例について説明する。
第１図は従来構造の断面図である。バツフア材
としてのシリコン樹脂のない構造は第１図でシリ
コン樹脂７をはぶいたものである。
としてのシリコン樹脂のない構造は第１図でシリ
コン樹脂７をはぶいたものである。
第２図は本考案の実施例である。即ち第１図の
シリコン樹脂７をポリウレタン樹脂８に置き換え
たものである。すなわち混成集積回路装置の絶縁
板上に半導体チツプ、コンデンサー、トランジス
タ等が混成され、基板と電気的に接続された混成
集積回路において搭載部品を含めて基板全体をポ
リウレタン樹脂で被覆した事を特徴とするもので
ある。本考案におけるポリウレタン樹脂とはポリ
ブタジエン樹脂をすでにイソシアネート硬化させ
た樹脂のことである。ポリウレタン樹脂で硬度が
比較的低いもの（例えば硬度シヨアＡで10〜90の
もの）は外装のエポキシ樹脂６と基板１の膨張係
数の違いを吸収するバツフア材となり、温度サイ
クル等の熱ストレスを加えても抵抗膜のクラツ
ク、剥離等の発生はなく、耐熱性、耐クラツク性
を向上することができる。
シリコン樹脂７をポリウレタン樹脂８に置き換え
たものである。すなわち混成集積回路装置の絶縁
板上に半導体チツプ、コンデンサー、トランジス
タ等が混成され、基板と電気的に接続された混成
集積回路において搭載部品を含めて基板全体をポ
リウレタン樹脂で被覆した事を特徴とするもので
ある。本考案におけるポリウレタン樹脂とはポリ
ブタジエン樹脂をすでにイソシアネート硬化させ
た樹脂のことである。ポリウレタン樹脂で硬度が
比較的低いもの（例えば硬度シヨアＡで10〜90の
もの）は外装のエポキシ樹脂６と基板１の膨張係
数の違いを吸収するバツフア材となり、温度サイ
クル等の熱ストレスを加えても抵抗膜のクラツ
ク、剥離等の発生はなく、耐熱性、耐クラツク性
を向上することができる。
ポリウレタン樹脂８は基板１及びエポキシ樹脂
６と密着がよく、耐湿性もPCT50時間で半導体
チツプのアルミ電極の腐蝕は認められなかつた。
本考案によれば耐熱性、耐湿性共に向上する信頼
度の高い混成集積回路を供給することができる。
６と密着がよく、耐湿性もPCT50時間で半導体
チツプのアルミ電極の腐蝕は認められなかつた。
本考案によれば耐熱性、耐湿性共に向上する信頼
度の高い混成集積回路を供給することができる。
第１図は従来構造の混成集積回路の断面図、第
２図は本考案実施例の混成集積回路の断面図、で
ある。 なお図において、１……基板、２……半導体チ
ツプ、３……搭載部品（チツプコンデンサー）、
４……外部端子、５……半導体チツプコートのシ
リコン樹脂、６……外装エポキシ樹脂、７……基
板コートのシリコン樹脂、８……基板コートのポ
リウレタン樹脂、である。
２図は本考案実施例の混成集積回路の断面図、で
ある。 なお図において、１……基板、２……半導体チ
ツプ、３……搭載部品（チツプコンデンサー）、
４……外部端子、５……半導体チツプコートのシ
リコン樹脂、６……外装エポキシ樹脂、７……基
板コートのシリコン樹脂、８……基板コートのポ
リウレタン樹脂、である。
Claims (1)
- 絶縁基板上に半導体チツプ、コンデンサ、トラ
ンジスタ等が混載され基板と電気的に接続された
混成集積回路において、半導体チツプは予めシリ
コン樹脂等で被覆し前記搭載部品を含めて基板全
体をポリウレタン樹脂で被覆し、更にエポキシ樹
脂で外装した事を特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12003283U JPS6027441U (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12003283U JPS6027441U (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027441U JPS6027441U (ja) | 1985-02-25 |
| JPH0142356Y2 true JPH0142356Y2 (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=30275242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12003283U Granted JPS6027441U (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027441U (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2571795Y2 (ja) * | 1990-03-08 | 1998-05-18 | 株式会社村田製作所 | 樹脂封止形電子部品 |
| JP2005243746A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Nippon Chemicon Corp | バリスタ |
| US9699917B2 (en) * | 2013-05-31 | 2017-07-04 | Cytec Industries Inc. | Formulated resin compositions for flood coating electronic circuit assemblies |
-
1983
- 1983-08-01 JP JP12003283U patent/JPS6027441U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6027441U (ja) | 1985-02-25 |
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