JPH053339A - 光電回路素子 - Google Patents

光電回路素子

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JPH053339A
JPH053339A JP15282591A JP15282591A JPH053339A JP H053339 A JPH053339 A JP H053339A JP 15282591 A JP15282591 A JP 15282591A JP 15282591 A JP15282591 A JP 15282591A JP H053339 A JPH053339 A JP H053339A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
photoelectric
circuit element
light
resin
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Pending
Application number
JP15282591A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasunori Miyamoto
靖典 宮本
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】光電素子のチップと同一パッケージ内に収めた
ＭＯＳＦＥＴのチップ表面に光が当たるのを防いでリー
ク電流を押さえた光電回路素子を提供するにある。 【構成】光電回路素子は太陽電池等の光電素子１のチッ
プとその光電素子１の出力で駆動されるＭＯＳＦＥＴ
２、３のチップとを透明エポキシ樹脂４でモールドして
同一パケージ化している。ＭＯＳＦＥＴ２、３は光電素
子１のチップの受光面と同じ側のチップ表面に炭素等を
添加して光に対して不透過性としたシリコン樹脂５、５
を塗布している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトモスリレーと称
されるソリッドステートリレーを構成する光電回路素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光電素子のチップと、この光電素
子の出力で駆動されるＭＯＳＦＥＴのチップとを同一パ
ッケージ内に収めた光電回路素子として、フォトモスリ
レー称せられるソリッドステートリレーがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような光電回路素
子では光電素子のチップの受光面に光信号を与えるため
に、これらＭＯＳＦＥＴのチップと光電素子のチップと
を透明なエポキシ樹脂のような樹脂でモールドしていた
ため、光電素子のチップ以外にもＭＯＳＦＥＴのチップ
表面にも光が当たり、そのためＭＯＳＦＥＴの漏れ電流
が通常のオフ時のリーク電流のｐＡオーダからｎＡオー
ダとなるという問題があった。
【０００４】本発明は上述の問題点に鑑みて為されたも
ので、その目的するところは光電素子のチップと同一パ
ッケージ内に収めたＭＯＳＦＥＴのチップの表面に光が
当たるのを防いでリーク電流を押さえた光電回路素子を
提供するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために、光電素子のチップと、この光電素子に
組み合わせられるＭＯＳＦＥＴのチップとを共に透明樹
脂にてモールドして形成した光電回路素子において、Ｍ
ＯＳＦＥＴのチップ表面に光不透過性の樹脂を塗布した
ものである。
【０００６】
【作用】而して光電素子のチップの受光面に光を照射し
た場合においても、ＭＯＳＦＥＴのチップ表面に塗布し
ている光不透過性の樹脂によりＭＯＳＦＥＴのチップに
は光が入射せず、そのためＭＯＳＦＥＴのリーク電流は
増大しない。
【０００７】
【実施例】以下本発明を実施例により説明する。図１は
太陽電池等の光電素子１のチップとその光電素子１の出
力で駆動されるＭＯＳＦＥＴ２、３のチップとを透明な
エポキシ樹脂４でモールドして同一パケージ化した実施
例の光電回路素子の平面図を示しており、光電素子のチ
ップ１の受光面と同じ側のＭＯＳＦＥＴ２、３のチップ
の表面には斜線で示すように炭素等を添加して光に対し
て不透過性としたシリコン樹脂５、５を、上記透明エポ
キシ樹脂４でモールドする前に塗布してある。
【０００８】図２は実施例の側面を示す。而して本発明
光電回路素子では、光電素子のチップ１の受光面に光を
照射しても、ＭＯＳＦＥＴ２、３のチップには光が入射
せず、ＭＯＳＦＥＴ２、３のチップ表面に光不透過性樹
脂を塗布しない従来の場合のリーク電流（図３のイ線）
に対して図３のロ線で示すように、リーク電流は極めて
小さいという結果返られた。
【０００９】
【発明の効果】本発明は、光電素子のチップと、この光
電素子に組み合わせられるＭＯＳＦＥＴのチップとを共
に透明樹脂にてモールドして形成した光電回路素子にお
いて、ＭＯＳＦＥＴの表面に光不透過性の樹脂を塗布し
たものであるから、光電素子のチップに光を照射した場
合においても、ＭＯＳＦＥＴのチップ表面に塗布してい
る光透過性の樹脂によりＭＯＳＦＥＴのチップには光は
入射せず、そのためＭＯＳＦＥＴのリーク電流が増大し
ないという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の平面図である。
【図２】本発明の一実施例の側面図である。
【図３】本発明と従来例とのリーク電流の比較図であ
る。
【符号の説明】
１ 光電素子 ２ ＭＯＳＦＥＴ ３ ＭＯＳＦＥＴ ４ 透明エポキシ樹脂 ５ シリコン樹脂

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】光電素子のチップと、この光電素子に組み
    合わせられるＭＯＳＦＥＴのチップとを共に透明樹脂に
    てモールドして形成した光電回路素子において、ＭＯＳ
    ＦＥＴのチップ表面に光不透過性の樹脂を塗布したこと
    を特徴とする光電回路素子。
JP15282591A 1991-06-25 1991-06-25 光電回路素子 Pending JPH053339A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10483424B2 (en) 2015-03-02 2019-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Signal coupling device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10483424B2 (en) 2015-03-02 2019-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Signal coupling device
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Effective date: 19991207