JP2001094142A - フォトカプラ - Google Patents
フォトカプラInfo
- Publication number
- JP2001094142A JP2001094142A JP27065799A JP27065799A JP2001094142A JP 2001094142 A JP2001094142 A JP 2001094142A JP 27065799 A JP27065799 A JP 27065799A JP 27065799 A JP27065799 A JP 27065799A JP 2001094142 A JP2001094142 A JP 2001094142A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photocoupler
- emitting element
- receiving element
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価で、光伝達効率が高く、同封される可動
素子に対する信頼性の高いフォトカプラを提供するこ
と。 【解決手段】 対向配置された発光素子および受光素子
と、前記発光素子と前記受光素子を光学的に結合する透
光性部材と、全体を封止するモールド部材と、を有する
フォトカプラにおいて、前記透光性部材と前記モールド
部材との間に遮光性部材を設けたことを特徴とする。
素子に対する信頼性の高いフォトカプラを提供するこ
と。 【解決手段】 対向配置された発光素子および受光素子
と、前記発光素子と前記受光素子を光学的に結合する透
光性部材と、全体を封止するモールド部材と、を有する
フォトカプラにおいて、前記透光性部材と前記モールド
部材との間に遮光性部材を設けたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトカプラに関
し、特に発光素子と受光素子との光伝達効率を高めると
ともに、その信頼性を向上させたフォトカプラに関する
ものである。
し、特に発光素子と受光素子との光伝達効率を高めると
ともに、その信頼性を向上させたフォトカプラに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来のフォトカプラの構成を示
す断面図である。図２において、発光素子１と受光素子
２とは、それぞれリードフレーム３，４に電気的に接
続、固定され、互いに対向配置されている。
す断面図である。図２において、発光素子１と受光素子
２とは、それぞれリードフレーム３，４に電気的に接
続、固定され、互いに対向配置されている。
【０００３】透光性部材５は、発光素子１と受光素子２
との間に充填される透明シリコンゴムで、発光素子１と
受光素子２とを光学的に結合する光導波路を形成してい
る。白色系モールド樹脂６は、光の反射率が高く、発光
素子１、受光素子２、リードフレーム３、４、及び透光
性部材５の全体を封止している。
との間に充填される透明シリコンゴムで、発光素子１と
受光素子２とを光学的に結合する光導波路を形成してい
る。白色系モールド樹脂６は、光の反射率が高く、発光
素子１、受光素子２、リードフレーム３、４、及び透光
性部材５の全体を封止している。
【０００４】このような構成において、発光素子１にリ
ードフレーム３を介して電流を流すことにより発光素子
１が発光し、受光素子２には、透光性部材５を介して発
光素子１からの光が直接、または白色モールド樹脂６か
ら反射した光が照射される。そして、受光素子２は照射
された光の強度に対応した電流をリードフレーム４を介
して出力する。
ードフレーム３を介して電流を流すことにより発光素子
１が発光し、受光素子２には、透光性部材５を介して発
光素子１からの光が直接、または白色モールド樹脂６か
ら反射した光が照射される。そして、受光素子２は照射
された光の強度に対応した電流をリードフレーム４を介
して出力する。
【０００５】この場合、白色系モールド樹脂６は光の反
射率が高いため、フォトカプラの光伝達効率を高めるこ
とができる。
射率が高いため、フォトカプラの光伝達効率を高めるこ
とができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなフ
ォトカプラにおいては次のような問題点があった。
ォトカプラにおいては次のような問題点があった。
【０００７】同じ白色系モールド樹脂６の内部に、例え
ば半導体スイッチなど高電圧が印加されるパワーＭＯＳ
ＦＥＴ（図示しない）を受光素子２に接続し、全体とし
て半導体リレーを構成したような場合、白色系モールド
樹脂６の内部に存在する不純物イオンの影響でそのパワ
ーＭＯＳＦＥＴの耐圧、オン抵抗等の素子特性が経時変
化してしまう。
ば半導体スイッチなど高電圧が印加されるパワーＭＯＳ
ＦＥＴ（図示しない）を受光素子２に接続し、全体とし
て半導体リレーを構成したような場合、白色系モールド
樹脂６の内部に存在する不純物イオンの影響でそのパワ
ーＭＯＳＦＥＴの耐圧、オン抵抗等の素子特性が経時変
化してしまう。
【０００８】また、白色系モールド樹脂６はエポキシ樹
脂のため高価であり、フォトカプラに使用可能な低不純
物イオン濃度の白色系モールド樹脂は現在生産されてい
ない。
脂のため高価であり、フォトカプラに使用可能な低不純
物イオン濃度の白色系モールド樹脂は現在生産されてい
ない。
【０００９】白色系モールド樹脂６の代用としての黒色
系モールド樹脂は、不純物イオン濃度が低く疎水性であ
るために、同封される半導体素子の特性を経時変化させ
難く、かつ安価な樹脂であるが、これは光の伝達効率が
低くフォトカプラに使用することは困難であった。
系モールド樹脂は、不純物イオン濃度が低く疎水性であ
るために、同封される半導体素子の特性を経時変化させ
難く、かつ安価な樹脂であるが、これは光の伝達効率が
低くフォトカプラに使用することは困難であった。
【００１０】本発明は上述した問題点を解決するために
なされたものであり、安価で、光伝達効率が高く、同封
される半導体素子に対する信頼性の高いフォトカプラを
提供することを目的とする。
なされたものであり、安価で、光伝達効率が高く、同封
される半導体素子に対する信頼性の高いフォトカプラを
提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１におい
ては、対向配置された発光素子および受光素子と、前記
発光素子と前記受光素子を光学的に結合する透光性部材
と、全体を封止するモールド部材と、を有するフォトカ
プラにおいて、前記透光性部材と前記モールド部材との
間に遮光性部材を設けたことを特徴とするフォトカプラ
である。
ては、対向配置された発光素子および受光素子と、前記
発光素子と前記受光素子を光学的に結合する透光性部材
と、全体を封止するモールド部材と、を有するフォトカ
プラにおいて、前記透光性部材と前記モールド部材との
間に遮光性部材を設けたことを特徴とするフォトカプラ
である。
【００１２】請求項２においては、前記遮光性部材は白
色系シリコンゴムからなることを特徴とする前記請求項
１記載のフォトカプラである。
色系シリコンゴムからなることを特徴とする前記請求項
１記載のフォトカプラである。
【００１３】請求項３においては、前記透光性部材は透
明シリコンゴムからなることを特徴とする前記請求項１
記載のフォトカプラである。
明シリコンゴムからなることを特徴とする前記請求項１
記載のフォトカプラである。
【００１４】請求項４においては、前記モールド部材は
低不純物イオン濃度のモールド樹脂からなることを特徴
とする前記請求項1記載のフォトカプラである。
低不純物イオン濃度のモールド樹脂からなることを特徴
とする前記請求項1記載のフォトカプラである。
【００１５】請求項５においては、前記モールド部材は
低不純物イオン濃度の黒色系モールド樹脂からなること
を特徴とする前記請求項1記載のフォトカプラである。
低不純物イオン濃度の黒色系モールド樹脂からなること
を特徴とする前記請求項1記載のフォトカプラである。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を用いて説明する。尚、以下の図面において、図２と
重複する部分は同一番号を付してその説明は適宜に省略
する。図１は本発明の一実施例の構成を示す断面図であ
る。
面を用いて説明する。尚、以下の図面において、図２と
重複する部分は同一番号を付してその説明は適宜に省略
する。図１は本発明の一実施例の構成を示す断面図であ
る。
【００１７】図１において、発光素子１と、受光素子２
とは、それぞれリードフレーム３、４に電気的に接続、
固定され、互いに対向配置されている。
とは、それぞれリードフレーム３、４に電気的に接続、
固定され、互いに対向配置されている。
【００１８】透光性部材５は、発光素子１と受光素子２
の間に充填される透明シリコンゴムで、発光素子１と受
光素子２を光学的に結合する光導波路を形成している。
の間に充填される透明シリコンゴムで、発光素子１と受
光素子２を光学的に結合する光導波路を形成している。
【００１９】遮光性部材７は、遮光性を有する白色系シ
リコンゴムであり、１５０ｕｍ程度の厚さで透光性部材
５の周囲を覆うように形成されている。
リコンゴムであり、１５０ｕｍ程度の厚さで透光性部材
５の周囲を覆うように形成されている。
【００２０】モールド部材８は、不純物イオン濃度が低
く疎水性の黒色系モールド樹脂であり、発光素子１、受
光素子２、リードフレーム３、４、透光性部材５、遮光
性部材７の全体を封止している。
く疎水性の黒色系モールド樹脂であり、発光素子１、受
光素子２、リードフレーム３、４、透光性部材５、遮光
性部材７の全体を封止している。
【００２１】次に動作について説明する。発光素子１に
リードフレーム３を介して電流を流すことにより、発光
素子１が発光し、受光素子２には、透光性部材５を介し
て発光素子１からの光が直接、または遮光性部材７から
反射した光が照射される。そして、受光素子２は照射さ
れた光の強度に対応した電流をリードフレーム４を介し
て出力する。
リードフレーム３を介して電流を流すことにより、発光
素子１が発光し、受光素子２には、透光性部材５を介し
て発光素子１からの光が直接、または遮光性部材７から
反射した光が照射される。そして、受光素子２は照射さ
れた光の強度に対応した電流をリードフレーム４を介し
て出力する。
【００２２】この場合、白色系シリコンゴムである遮光
性部材７は光の反射率が高いため、フォトカプラの光伝
達効率を高めることができる。
性部材７は光の反射率が高いため、フォトカプラの光伝
達効率を高めることができる。
【００２３】また、全体をモールドする黒色系モールド
樹脂であるモールド部材８は、不純物イオン濃度が低い
ため、同じモールド部材８の内部に、例えば半導体スイ
ッチなどの高電圧が印加されるパワーＭＯＳＦＥＴ（図
示しない）を受光素子２に接続し、全体として半導体リ
レーを構成したような場合でも、そのパワーＭＯＳＦＥ
Ｔの耐圧、オン抵抗等の素子特性を経時変化し難くする
ことができる。
樹脂であるモールド部材８は、不純物イオン濃度が低い
ため、同じモールド部材８の内部に、例えば半導体スイ
ッチなどの高電圧が印加されるパワーＭＯＳＦＥＴ（図
示しない）を受光素子２に接続し、全体として半導体リ
レーを構成したような場合でも、そのパワーＭＯＳＦＥ
Ｔの耐圧、オン抵抗等の素子特性を経時変化し難くする
ことができる。
【００２４】また、安価なモールド部材８として黒色系
モールド樹脂を使用することで、その製造コストを低く
抑えることができる。
モールド樹脂を使用することで、その製造コストを低く
抑えることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
安価で、光伝達効率が高く、同封される可動素子に対す
る信頼性の高いフォトカプラを提供することができる。
安価で、光伝達効率が高く、同封される可動素子に対す
る信頼性の高いフォトカプラを提供することができる。
【００２６】
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】従来のフォトカプラの構成を示す断面図であ
る。
る。
１ 発光素子 ２ 受光素子 ３、４ リードフレーム ５ 透光性部材 ６ 白色系モールド樹脂 ７ 遮光性部材 ８ モールド部材
Claims (5)
- 【請求項１】 対向配置された発光素子および受光素子
と、前記発光素子と前記受光素子を光学的に結合する透
光性部材と、全体を封止するモールド部材と、を有する
フォトカプラにおいて、前記透光性部材と前記モールド
部材との間に遮光性部材を設けたことを特徴とするフォ
トカプラ。 - 【請求項２】 前記遮光性部材は白色系シリコンゴムか
らなることを特徴とする前記請求項1記載のフォトカプ
ラ。 - 【請求項３】 前記透光性部材は透明シリコンゴムから
なることを特徴とする前記請求項１記載のフォトカプ
ラ。 - 【請求項４】 前記モールド部材は低不純物イオン濃度
のモールド樹脂からなることを特徴とする前記請求項１
記載のフォトカプラ。 - 【請求項５】 前記モールド部材は低不純物イオン濃度
の黒色系モールド樹脂からなることを特徴とする前記請
求項１記載のフォトカプラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27065799A JP2001094142A (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | フォトカプラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27065799A JP2001094142A (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | フォトカプラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001094142A true JP2001094142A (ja) | 2001-04-06 |
Family
ID=17489152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27065799A Pending JP2001094142A (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | フォトカプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001094142A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7847299B2 (en) | 2006-12-27 | 2010-12-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2016086098A (ja) * | 2014-10-27 | 2016-05-19 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光結合装置 |
-
1999
- 1999-09-24 JP JP27065799A patent/JP2001094142A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7847299B2 (en) | 2006-12-27 | 2010-12-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2016086098A (ja) * | 2014-10-27 | 2016-05-19 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光結合装置 |
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