KR930701836A - 광자로 여기된 가변 캐패시턴스 효과 디바이스 - Google Patents
광자로 여기된 가변 캐패시턴스 효과 디바이스Info
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Abstract
광자로 여기된 가변 캐패시턴스 효과 디바이스(404)는, 입사하는 광자(402)의 강도 변화에 따라 반응하는 캐패시턴스의 유용한 변화를 일으키는 한편, 디바이스의 동작점은 거의 평형으로 유지된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도는 평형상태에서 P/N 접합을 둘러싸는 공핍영역에 대한 기술도, 제1B도는 평형상태에서 접합양단의 정전기(electroststic) 전위도, 제1C도는 평형상태에서 P/N 접합에 대한 에너지 밴드 다이어그램도, 제2A도는 공핍영역 폭에 입사하는 광의 효과에 대한 예시도, 제2B도는 입사하는 광에 따른 정전기 전위의 증가도, 제2C도는 충돌하는 광자에 노출된 P/N 접합에 대한 에너지 밴드 다이어그램도, 제3A도는 입사하는 광자 밀도와 입사하는 RF 전압이 변함에 따라 갈륨 비소 P/N 접합 동작점의 이동에 대한 도면, 제3B도는 작은 신호가 입사하는 RF 전압으로서 자체 바이어스된 PSVCE 디바이스의 동작 영역에 대한 도면, 제3C도는 보통의 신호가 입사하는 RF 전압으로서 RF 자체 정류 바이어스된 PSVCE 디바이스의 동작 영역에 대한 예시도, 제3D도는 큰 신호가 입사하는 RF 전압으로서 외부적으로 바이어스된 PSVCE 디바이스 동작영역에 대한 도면.
Claims (14)
- 반도체 디바이스에 있어서, 입사하는 RF 전압의 자체 정류에 의해서 발생된 전압에 의해 접합의 동작점이 결정될 때 연관된 공핍영역이 소정의 폭을 갖는 적어도 한 개의 P/N 접합, 사익 접합은 입사하는 광자를 받아들이도록 구성되고 정렬되며, 여기서, 입사하는 광자가 광자로 여기된 가변 캐패시턴스 효과를 발생시키도록 공핍영역의 폭을 변조시키는 한편, 입사하는 RF 전압의 자체 정류에 의해 발생된 전압과 거의 같은 크기만큼 P/N 접합의 평형에 대해 동작점이 상쇄(isoffset)되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 적어도 한 개의 P/N 접합은 갈륨비소로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 적어도 한 개의 P/N 접합은 실리콘으로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 적어도 한 개의 P/N 접합은 다수의 직렬로 연결된 P/N 접합을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 적어도 한 개의 P/N 접합은 다수의 병렬로 연결된 P/N 접합을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 적어도 한 개의 P/N 접합은 광학적으로 투명한 기판 내에 매몰된 접합으로서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 반도체 디바이스에 있어서, 외부에서 인가된 높은 임피던스 전류원의 개회로 전압에 의해 접합의 동작점이 결정될 때 연관된 공핍영역이 소정의 폭을 갖는 적어도 한 개의 P/N 접합, 상기 접합은 입사하는 광자를 받아들이도록 구성되고 정렬되며, 여기서, 입사하는 광자가 광자로 여기된 가변 캐패시턴스 효과를 발생시키도록 공핍영역의폭을 변조시키는 한편, 외부에서 인가된 높은 임피던스 전류원의 개회로 전압과 거의 같은 크기만큼 P/N 접합의 평형에 대해 동작점이 상쇄되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제7항에 있어서, 상기 적어도 한 개의 P/N 접합은 갈륨비소로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제7항에 있어서, 상기 적어도 한 개의 P/N 접합은 실리콘으로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제7항에 있어서, 상기 적어도 한 개의 P/N 접합은 다수의, 직렬로 연결된 P/N 접합을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제7항에 있어서, 상기 적어도 한 개의 P/N 접합은 다수의, 병렬로 연결된 P/N 접합을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제7항에 있어서, 상기 적어도 한 개의 P/N 접합은 광학적으로 투명한 기판 내에 매몰된 접합으로서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 반도체 디바이스에 있어서, 한 개의 패키지 내에 제1및 제2PSVCE 디바이스를 구비하며, 여기서, 제1PSVCE 디바이스에 결합된 제1외부회로와 제2PSVCE 디바이스에 결합된 제2외부회로가 서로 전기적으로 격리되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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