JPS6041270A - 集積型ホトカプラ - Google Patents
集積型ホトカプラInfo
- Publication number
- JPS6041270A JPS6041270A JP58148745A JP14874583A JPS6041270A JP S6041270 A JPS6041270 A JP S6041270A JP 58148745 A JP58148745 A JP 58148745A JP 14874583 A JP14874583 A JP 14874583A JP S6041270 A JPS6041270 A JP S6041270A
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- Japan
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- photocoupler
- light emitting
- integrated
- bin
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- Pending
Links
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明はホトカプラ、特にマトリックス構成に適する
集積型ホトカプラに関するものである。
集積型ホトカプラに関するものである。
（背景技術）
ホトカプラは電気信号を光信号に変換した後、再び電気
信号として出力する装置であり、信号レベルの異々る２
つの電子回路を電気的々アイソレーションを保持した状
態で結合できるのでインピーダンス変換装置として便利
である。
信号として出力する装置であり、信号レベルの異々る２
つの電子回路を電気的々アイソレーションを保持した状
態で結合できるのでインピーダンス変換装置として便利
である。
一般にホトカプラは信号入力側の発光ダイオードと、信
号出力側のホトトランジスタ、ホトサイリスタ等の受光
素子とから構成され、近年電子交換機やボタン式電話装
置の通話路スイッチのためのマトリックス回路のスイッ
チ素子として不可欠な電子部品となっている。
号出力側のホトトランジスタ、ホトサイリスタ等の受光
素子とから構成され、近年電子交換機やボタン式電話装
置の通話路スイッチのためのマトリックス回路のスイッ
チ素子として不可欠な電子部品となっている。
例えば集積型ホトカプラは第１図に示されるような屋内
用のボタン式電話装置の通話切換のためのマトリックス
回路に使用されている。
用のボタン式電話装置の通話切換のためのマトリックス
回路に使用されている。
このマトリックス回路はボタン式電話器１００に接続さ
れた行ラインＡ及びＢと電話交換局の局線に接続される
列ラインａ及びｂ及び各交点に接続されたホトカプラ１
０１から構成されている。
れた行ラインＡ及びＢと電話交換局の局線に接続される
列ラインａ及びｂ及び各交点に接続されたホトカプラ１
０１から構成されている。
ホトカプラ１０１は受光素子１０２，１０３，１０４゜
１０５（例えばホトサイリスタ）と発光ダイオード１０
６，１０７．１０８，１０９ とから構成される。
１０５（例えばホトサイリスタ）と発光ダイオード１０
６，１０７．１０８，１０９ とから構成される。
第１図のマトリックス回路のスイッチ動作において、制
御回路１１０が発光ダイオード１０６ 、１０７を選択
して光結合されたホトサイリスタ１０２゜１０．９をト
リガすると、行ラインＡ１＋Ｂｔと列ラインａＩ、ｂ１
とが接続され電話器１００と局回線とは通話状態となる
。
御回路１１０が発光ダイオード１０６ 、１０７を選択
して光結合されたホトサイリスタ１０２゜１０．９をト
リガすると、行ラインＡ１＋Ｂｔと列ラインａＩ、ｂ１
とが接続され電話器１００と局回線とは通話状態となる
。
このマトリックス回路に使用される集積型ホトカプラは
第２図に示されるように樹脂封止されたデュアルインラ
イン型のＩＣパッケージ２００として構成され、マ）
ＩＪソックス線が印刷されたプリント基板上に実装され
る。
第２図に示されるように樹脂封止されたデュアルインラ
イン型のＩＣパッケージ２００として構成され、マ）
ＩＪソックス線が印刷されたプリント基板上に実装され
る。
発光ダイオード２０１とホトサイリスタ２０２とは対向
して配置され一組のホトカプラ素子を形成する。しかし
第２図のような従来の集積ホトカプラではパッケージの
ビン端子２０３からプリント基板への配線が複雑に々す
、マトリックス回路装置の実装面積が大きくなる欠点を
有していた。
して配置され一組のホトカプラ素子を形成する。しかし
第２図のような従来の集積ホトカプラではパッケージの
ビン端子２０３からプリント基板への配線が複雑に々す
、マトリックス回路装置の実装面積が大きくなる欠点を
有していた。
（発明の目的）
この発明の目的は高密度実装及び低実装コストを可能に
する集積型ホトカプラを提供することにある。
する集積型ホトカプラを提供することにある。
この発明の他の目的はマトリックス回路に有効な集積型
ホトカプラを提供することにある。
ホトカプラを提供することにある。
（発明の構成）
第３図はこの発明によるホトカプラの実施例である。な
お第３図において、第１図に示したと同一部分には同一
符号を付し、その説明は省略する。
お第３図において、第１図に示したと同一部分には同一
符号を付し、その説明は省略する。
発光ダイオード１０６，１０７．１０Ｆｔ、１０９ と
ホトサイリスタ１０２，１０．９，１０４，１０５ と
は樹脂モールドされたパッケージ３００内に収容されて
いる。発光ダイオード１０６．１０８ のアノードはビ
ン端子３０２へ共通接続され、それらのカソードは各々
共通ビン端子３０２に隣接するビン端子３０１ 、３０
．７ へ接続される。又発光ダイオード１０７．１０９
のアノードはビン端子３θ５へ共通接続され、これら
のカソードは各々共通ビン端子３０５に隣接するビン端
子、１０４．３０６ へ接続する。
ホトサイリスタ１０２，１０．９，１０４，１０５ と
は樹脂モールドされたパッケージ３００内に収容されて
いる。発光ダイオード１０６．１０８ のアノードはビ
ン端子３０２へ共通接続され、それらのカソードは各々
共通ビン端子３０２に隣接するビン端子３０１ 、３０
．７ へ接続される。又発光ダイオード１０７．１０９
のアノードはビン端子３θ５へ共通接続され、これら
のカソードは各々共通ビン端子３０５に隣接するビン端
子、１０４．３０６ へ接続する。
一方ホトサイリスク１０２，１０４ は発光ダイオード
１０６，１０８ に対向して配置され、そのアノードは
ビン端子３０８へ共通接続され、カソードは各々隣接す
るビン端子、？ ０７ 、３０９°へ接続される。又ホ
トサイリスタ１０３，１０５ も発光ダイオード１０７
．１０９ に対向して配置され、カソードは共通ビン端
子３１ノに隣接するビン端子３１０゜３１２へ接続され
る。
１０６，１０８ に対向して配置され、そのアノードは
ビン端子３０８へ共通接続され、カソードは各々隣接す
るビン端子、？ ０７ 、３０９°へ接続される。又ホ
トサイリスタ１０３，１０５ も発光ダイオード１０７
．１０９ に対向して配置され、カソードは共通ビン端
子３１ノに隣接するビン端子３１０゜３１２へ接続され
る。
第３図の集積型ホトカプラにおいて、共通ビン端子、？
０２ 、．９０５ は共に制御回路１１０の制御端子
ＬＡに接続され、ビン端子、９０１，３０４ 及びビン
端子、？ ０３．．９０６ はそれぞれ制御回路１１０
の制御端子Ｌ１ 、 Ｌ２へ接続される。
０２ 、．９０５ は共に制御回路１１０の制御端子
ＬＡに接続され、ビン端子、９０１，３０４ 及びビン
端子、？ ０３．．９０６ はそれぞれ制御回路１１０
の制御端子Ｌ１ 、 Ｌ２へ接続される。
一方共通ビン端子３０ Ｂ 、 、９１１ は各々行ラ
インＡ１及びＢ！に接続され、ビン端子３０７，３０９
はそれぞれ列ラインａ１及びａ２に接続され、ビン端子
、９ Ｊ Ｏ、３１２はそれぞれ列ラインｂ１及びｂ２
に接続される。
インＡ１及びＢ！に接続され、ビン端子３０７，３０９
はそれぞれ列ラインａ１及びａ２に接続され、ビン端子
、９ Ｊ Ｏ、３１２はそれぞれ列ラインｂ１及びｂ２
に接続される。
このように集積型ホトカプラでスイッチマトリックスを
構成すると、ビン端子数の減少によシホトカゾラが小型
化されると共に、ビン端子間の配線が単純化されるため
、マトリックス回路の集積密度が向上する利点を有する
。
構成すると、ビン端子数の減少によシホトカゾラが小型
化されると共に、ビン端子間の配線が単純化されるため
、マトリックス回路の集積密度が向上する利点を有する
。
第４図（ａ） 、 （ｂ）は第３図の実施例を実現する
ためのリードフレームであシ、集積型ホトカプラを形成
する場合フレーム４０１と４０８を対向１−で配置した
後、熱硬化性樹脂によシモールド形成される。
ためのリードフレームであシ、集積型ホトカプラを形成
する場合フレーム４０１と４０８を対向１−で配置した
後、熱硬化性樹脂によシモールド形成される。
第４図において、リードフレーム４０Ｂの素子搭載領域
４０９，４１０ に発光ダイオード１０６゜１０７．１
０８，１０９ が配置され、そのカソードはワイヤポン
ディングフィンガ４１１，４１２，４１３，４１４と金
線により接続される。リードフレーム４０１の素子搭載
領域４０２，４０．”ｊ 上にはホトサイリスタ１０２
，１０３，１０４．１０５ が配置され、そのカソード
又はアノードは隣接するワイヤポンディングフィンガ４
１１，４０４，４０．５，４０６，４０７ と金線によ
り接続される。次にフレーム４０ノド４０８とは対向し
て配置され、発光ダイオードとホトサイリスタの光結合
部分を樹脂モールドすることによ、！ｌ）、ＩＸ２クロ
スポイントにマトリックス構成された１２ビンの樹脂モ
ールド型デュアルインラインパッケージの集積型フォト
カプラ装置が完成する。
４０９，４１０ に発光ダイオード１０６゜１０７．１
０８，１０９ が配置され、そのカソードはワイヤポン
ディングフィンガ４１１，４１２，４１３，４１４と金
線により接続される。リードフレーム４０１の素子搭載
領域４０２，４０．”ｊ 上にはホトサイリスタ１０２
，１０３，１０４．１０５ が配置され、そのカソード
又はアノードは隣接するワイヤポンディングフィンガ４
１１，４０４，４０．５，４０６，４０７ と金線によ
り接続される。次にフレーム４０ノド４０８とは対向し
て配置され、発光ダイオードとホトサイリスタの光結合
部分を樹脂モールドすることによ、！ｌ）、ＩＸ２クロ
スポイントにマトリックス構成された１２ビンの樹脂モ
ールド型デュアルインラインパッケージの集積型フォト
カプラ装置が完成する。
これは従来同一機能で１６ピンのパッケージを必要した
ので大巾々実装密度の向上を可能にするものである。
ので大巾々実装密度の向上を可能にするものである。
（発明の効果）
この発明によれば、ホトカプラのマトリックス構成を高
集積密度で実施できるので、特に局内電話交換機用のス
イッチマトリックス回路の使用に極めて有効である。更
にこの発明によるホトカプラは小型で汎用のインピーダ
ンス変換装置としても使用可能である。
集積密度で実施できるので、特に局内電話交換機用のス
イッチマトリックス回路の使用に極めて有効である。更
にこの発明によるホトカプラは小型で汎用のインピーダ
ンス変換装置としても使用可能である。
なお、この発明の実施例において受光素子としてホトサ
イリスタを用いたが、ホトダイオード、ホ））ランジス
タ等の感光素子全般について適用できるものである。
イリスタを用いたが、ホトダイオード、ホ））ランジス
タ等の感光素子全般について適用できるものである。
第１図は従来の通話路スイッチマトリックス回路、第２
図は通話路スイッチマトリックス回路に使用される従来
の集積型ホトカプラ、第３図はとの発明の一実施例であ
る集積型ホトカプラのパンケージ配置図、第４図はこの
発明による集積型ホトカプラを搭載するためのパッケー
ジ用フレームである。 １０６．１０７，１０８，１０９ ・・・発光ダイオー
ド、１０２．１０３，１０４，１０５ ・・・ホトサイ
リスク、３００・・・パッケージ、４θ１ 、４０ＦＩ
・・・リードフレーム。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第３図 ＱｌＡ、α２ ｂｉ ｓ、ｂ２ 第４図 （０） １゜２”４０６４゜３ ■°慴冒°″■ ０１
図は通話路スイッチマトリックス回路に使用される従来
の集積型ホトカプラ、第３図はとの発明の一実施例であ
る集積型ホトカプラのパンケージ配置図、第４図はこの
発明による集積型ホトカプラを搭載するためのパッケー
ジ用フレームである。 １０６．１０７，１０８，１０９ ・・・発光ダイオー
ド、１０２．１０３，１０４，１０５ ・・・ホトサイ
リスク、３００・・・パッケージ、４θ１ 、４０ＦＩ
・・・リードフレーム。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第３図 ＱｌＡ、α２ ｂｉ ｓ、ｂ２ 第４図 （０） １゜２”４０６４゜３ ■°慴冒°″■ ０１
Claims (1)
- 互に対向して配置された複数の発光素子と受光素子とを
デュアルイン型パッケージ内に含む集積型ホトカプラに
おいて、前記パッケージの一方のビン端子列に結合され
た一組の発光素子と、前記パッケージの他方のビン端子
列に結合され且つ前記発光素子の各々に対向して配置さ
れた一組の受光素子とを具備し、−組の前記受光素子の
同一極性電極を前記一方のビン端子列の一つのピン端子
に共通接続し、−組の前記受光素子の同一極性電極を前
記他方のビン端子列の一つのビン端子に共通接続したこ
とを特徴とする集積型ホトカプラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58148745A JPS6041270A (ja) | 1983-08-16 | 1983-08-16 | 集積型ホトカプラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58148745A JPS6041270A (ja) | 1983-08-16 | 1983-08-16 | 集積型ホトカプラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6041270A true JPS6041270A (ja) | 1985-03-04 |
Family
ID=15459669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58148745A Pending JPS6041270A (ja) | 1983-08-16 | 1983-08-16 | 集積型ホトカプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041270A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992004735A1 (en) * | 1990-09-07 | 1992-03-19 | Motorola, Inc. | Photon stimulated variable capacitance effect devices |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59225579A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-18 | Sharp Corp | 光電式通話路スイツチ |
-
1983
- 1983-08-16 JP JP58148745A patent/JPS6041270A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59225579A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-18 | Sharp Corp | 光電式通話路スイツチ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992004735A1 (en) * | 1990-09-07 | 1992-03-19 | Motorola, Inc. | Photon stimulated variable capacitance effect devices |
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