JPH05251731A - 光結合装置およびこれに使用する1次モールド金型 - Google Patents

光結合装置およびこれに使用する1次モールド金型

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JPH05251731A
JPH05251731A JP5039492A JP5039492A JPH05251731A JP H05251731 A JPH05251731 A JP H05251731A JP 5039492 A JP5039492 A JP 5039492A JP 5039492 A JP5039492 A JP 5039492A JP H05251731 A JPH05251731 A JP H05251731A
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JP
Japan
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light
common
lead frame
light emitting
lead
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Application number
JP5039492A
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English (en)
Inventor
Katsunori Makiya
勝則 真喜屋
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 多連でピン数の削減できる光結合装置を提供
する。 【構成】 発光側、受光側各々のリードフレーム31,
33に各チヤンネル共通としての2nd共通リード3
7,41を設け、これにワイヤボンドして外部端子にひ
き出す。この共通リード部は、専用の一次モールド金型
50,51により、モールドするので、クロストークが
起らない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトカプラ等の光結
合装置およびその成形時に使用する1次モールド金型に
関し、特に、複数の発光素子(Light Emitt
ing Diode)及び受光素子(Photo Tr
ansister)を有する多連式のものに係る。
【0002】
【従来の技術】一般に、複数の信号を電気的に絶縁し
て、伝達するデバイスでは、複数の光結合素子が必要と
なる。ここで、光結合素子に要求される項目は、高絶縁
耐圧を1次〜2次間で有すること、及び異なるチヤンネ
ル間において、信号の誤伝達(クロストーク)がないこ
とがあげられる。
【0003】図4に複数の信号伝達回路の一例を、図5
に図4に用いる光結合装置の形状を、及び図6に図4の
光結合装置の内部構造、とりわけリードフレームの構造
を示す。
【0004】図5の光結合装置20は、発光素子21に
GaAs LEDを、受光素子22にSiフオトトラン
ジスタを各々4個有し、各受発光素子間において光透過
絶縁樹脂(この場合は白色エポキシ系樹脂)により光結
合され、図6の内部構造図で明らかなように、各チヤン
ネル24,25,26,27の受発光素子21,22の
光結合部を白色樹脂28でトランスフアーモールドを行
つた後に、遮光性の黒色樹脂29でトランスフアーモー
ルドを行つている。そのため、隣接したチヤンネル2
4,25,26,27の間では光信号が一切伝達されな
い。このため、異なるチヤンネル間のクロストークがお
さえられている。
【0005】リードフレーム31,33からのピン数
は、4チヤンネルにおいて16ピンとなつており、その
ピン番号を図5のBに示す。ピン番号1,3,5,7は
アノード端子、2,4,6,8はカソード端子、9,1
1,13,15はエミツタ端子、10,12,14,1
6はコレクタ端子を夫々示す。パツケージサイズは、図
5の光結合装置では19.82×6.5(mm)、また
図7に示す小型平面実装タイプ(ミニフラツトパツケー
ジ)では16.29×4.4(mm)となる。
【0006】なお、図6において、発光素子21は、発
光側リードフレーム31の素子搭載リード31aにダイ
ボンドされ、金線32によつてリード側端子31bにワ
イヤボンドされている。受光素子22は、受光側リード
フレーム33の素子搭載リード33aにダイボンドさ
れ、金線34によつてリード端子34bにワイヤボンド
されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】図4に示す回路例にお
いて、発光素子21(LED)のアノード端子21aを
共通に、受光素子22(フォトトランジスタ)のエミツ
タ端子22aを共通にしているところを、光結合装置内
部で共通にすれば、さらにパツケージサイズを小さくす
ることができ、近年の高密度実装化に対応できる。
【0008】しかしながら、従来の二重トランスフアー
モールド方式の光結合装置において、各チヤンネル24
〜27の端子を共通にするべくリードフレームの配置を
考えることは困難であった。各チヤンネル24〜27を
共通してワイヤボンドできることを可能とするリードフ
レームと、さらに各チヤンネル24〜27の1次〜2次
光結合において隣接した結合同志の光リーク(クロスト
ーク)が起らない構造が必要となるためである。
【0009】本発明は、上記条件を満たしたリードフレ
ーム構造及び一次トランスフアーモールド金型の形状を
具体化し、多連でかつピン数の削減を実現するものであ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明によ
る課題解決手段は、発光側のリードフレーム31に搭載
された複数個の発光素子21と、受光側リードフレーム
33に搭載された複数個の受光素子22とが対向配置さ
れ、これらが多連式に光学的に結合された光結合装置に
おいて、前記発光側リードフレーム31に発光素子21
のアノード端子を共通とすべく発光側共通リード41が
設けられ、受光側リードフレーム33に受光素子22の
エミツタ端子を共通とすべく受光側共通リード37が設
けられ、各々の共通リード37,41は、前記各リード
フレーム31,33に左右二点で支持されたものであ
る。
【0011】請求項2記載の発明による課題解決手段
は、請求項1記載のリードフレーム31,33を用い、
二重トランスフアーモールド方式により形成する光結合
装置において、これに使用される1次モールド金型を、
隣接したチヤンネル間においてクロストークをなくすべ
く共通リード37,41もモールドする構造としたこと
である。
【0012】
【作用】上記課題解決手段において、光結合装置の製造
時には、発光側リードフレーム31上に複数の発光素子
21を搭載するとともに、受光側リードフレーム33上
に複数の受光素子22を搭載する。各々の素子から発光
側は共通アノード端子となる共通リード41に、受光側
は共通エミツタ端子となる共通リード37にそれぞれ内
部結線した後、1次モールド金型50,51にて樹脂封
止を行なう。
【0013】この後、不用部分の樹脂の厚バリを除去
し、遮光用の黒色エポキシ樹脂29にて2次トランスフ
ァモールドを行ない、光結合装置を形成する。
【0014】以上の形成方法により、多チヤンネルの高
絶縁耐圧を有する高密度実装に適した光結合装置が可能
となる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明
する。図1に内部構造図、図2に専用の1次トランスフ
ァモールド金型の斜視図、図3に内部結線図を示す。
【0016】図1に示す通り、発光側のLED21のア
ノード端子、及び受光側のフオトトランジスタ22のエ
ミツタ端子が共通となつている。この結線を実現するた
めに図1のようなリードフレーム構造とする。
【0017】すなわち、図1に示す受光側リードフレー
ム33は、両端にエミツタ共通端子33c(7番ピン、
12番ピン)を有し、これらの先端が共通リード37で
橋渡し形成されている。そしてエミツタ共通端子33c
(7番ピンと12番ピン)の間に等間隔で4本の素子搭
載用のリード端子33a(8番〜11番ピン)が配列さ
れている。
【0018】そして、この搭載用のリード端子33a
(8番〜11番)の素子搭載部に受光素子22がダイボ
ンドされている。受光素子22は金線40を介して共通
リード37にワイヤボンドされている。
【0019】一方、発光側リードフレーム31は、両端
にアノード共通端子31c(1番、6番ピン)を有し、
これらの先端が共通リード41で橋渡し形成されてい
る。そして、アノード共通端子の間に等間隔で4本の素
子搭載用のリード端子31a(2番〜5番ピン)が配列
されている。この搭載用のリード端子31a(2番〜5
番ピン)の素子搭載部に発光素子21がダイボンドされ
ている。発光素子21は、金線43を介して共通リード
41にワイヤボンドされている。
【0020】そして、発光側リードフレーム31を上側
に配置し、受光側リードフレーム33を下側に配し、両
者を溶接等で位置決め固定した後、1次モールド、およ
び2次モールドを行なう。
【0021】このとき、共通リード37および41の存
在により、通常の金型では、1次モールドが困難である
ため、図2に示す1次モールド金型を使用する。すなわ
ち、発光側、受光側の素子21,22の対向している光
結合部は、1つの長方体形状でおおわれ、隣接光結合部
間は、図2の断面図に示す通り、共通リード37,41
が、上方向、下方向にシフトし、左右のリード端子近く
では中央部に樹脂バリができるように段違いに上下金型
50,51を形成する。
【0022】なお、図2における1点鎖線Yは上側の金
型50と下側の金型51との境界線を表わす。
【0023】上記の光結合装置の製造方法を説明する
と、1,6番ピン及び7,12番ピンはつながつて共通
2ndワイヤボンドエリアとしてあり、2〜5番ピン及
び8〜11番ピンはそれぞれ発光素子21(LED)、
受光素子22(フォトトランジスタ)が1個ずつマウン
トされ、素子裏面のカソード端子、コレクタ端子と導通
をとる。
【0024】この後、発光側は各々の発光素子21のア
ノード電極(素子上面の電極)と発光側共通リード41
とを金線43でワイヤボンドし、受光側は各々のフオト
トランジスタ22のエミツタ電極(フオトトランジスタ
素子上面のエミツタパツド)と受光側共通リード37
(7,12番ピン)とを金線40でワイヤボンドする。
【0025】次に光透過性の白色樹脂28にて図2のよ
うに一次トランスファモールド封止を行なうが、金型の
形状としては、発光側、受光側素子の対向している光結
合部は、1つの長方体形状でおおわれ、隣接光結合部間
は、共通リード37,41が上下方向にシフトし、左右
のリード端子近くでは中央部に樹脂バリができるよう
に、段違いに上下金型形状を形成する。1次トランスフ
ァモールド成型した後、樹脂バリのうち図2の斜線で示
すバリ52,53を削除する。そうすると、チヤンネル
間では光透過用の白色樹脂28が共通リード37,41
のほんの周辺54,55にしか形成されないため、クロ
ストークの問題が起らない。この後、遮光性黒色エポキ
シ樹脂29にてトランスファモールド成型を行ない、光
結合装置を完成する。
【0026】このように 従来例の4チヤンネル16ピ
ンに比べて、パツケージサイズで3/4に、また同パツ
ケージサイズならチヤンネル数は3/2になり、高密度
実装化に適した小型、多チヤンネル化が可能となる。
【0027】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。たとえば、
上記実施例では4チヤンネルで12ピンとなるが、応用
例で6チヤンネル16ピン等も実現できる。
【0028】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明に
よると、多連式に光学的に結合された光結合装置におい
て、受発光リードフレームに夫々共通リードを設けたか
ら、高密度実装化に適した小型、多チヤンネル化が可能
となる。
【0029】また、1次モールド金型も共通リードを含
んでモールドできる構造としたから、クロストークも防
止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による光結合装置のリードフレーム構造
【図2】1次トランスファモールド金型の形状を示す斜
視図
【図3】光結合装置の内部構造図
【図4】光結合素子を用いた多チヤンネル信号伝送回路
【図5】従来の光結合装置を示し、Aは平面図、Bは内
部結線図、Cは正面図、Dは側面図
【図6】従来の光結合装置の内部構造図
【図7】従来の多チヤンネル用ミニフラツトパツケージ
タイプ光結合装置を示し、Aは平面図、Bは内部結線
図、Cは正面図、Dは側面図
【符号の説明】
21 発光素子 22 受光素子 28 光透過性白色樹脂 29 遮光性黒色エポキシ樹脂 31 発光側リードフレーム 33 受光側リードフレーム 37 共通リード 41 共通リード 50,51 1次モールド金型

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光側のリードフレームに搭載された複
    数個の発光素子と、受光側リードフレームに搭載された
    複数個の受光素子とが対向配置され、これらが多連式に
    光学的に結合された光結合装置において、前記発光側リ
    ードフレームに発光素子のアノード端子を共通とすべく
    発光側共通リード端子が設けられ、受光側リードフレー
    ムに受光素子のエミツタ端子を共通とすべく受光側共通
    リード端子が設けられ、各々の共通リード端子は、前記
    各リードフレームに左右二点で支持されたことを特徴と
    する光結合装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のリードフレームを用いた
    二重トランスフアーモールド方式の光結合装置に使用さ
    れるものであって、隣接したチヤンネル間において共通
    リード部もモールドする構造を特徴とする1次モールド
    金型。
JP5039492A 1992-03-09 1992-03-09 光結合装置およびこれに使用する1次モールド金型 Pending JPH05251731A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6507048B1 (en) 1999-08-23 2003-01-14 Sharp Kabushiki Kaisha Light coupled device with insulating and light shielding element and light insulating and transmitting element

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6507048B1 (en) 1999-08-23 2003-01-14 Sharp Kabushiki Kaisha Light coupled device with insulating and light shielding element and light insulating and transmitting element

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