JP2016146442A - 成膜装置および成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】原料溶液を霧化または液滴化する霧化・液滴化部、前記霧化・液滴化部で発生したミストまたは液滴をキャリアガスでもって基体まで搬送する搬送部、および該ミストまたは該液滴を熱処理して該基体上に成膜する成膜部を備えている成膜装置であって、成膜部が、円筒状であり、成膜部の側面に、前記ミストまたは前記液滴の搬入口が設けられていて、前記ミストまたは前記液滴を旋回させて旋回流を発生させるように構成されており、成膜部上面に排気口を有している。
【選択図】図1
Description
[1]原料溶液を霧化または液滴化する霧化・液滴化部、前記霧化・液滴化部で発生したミストまたは液滴をキャリアガスでもって基体まで搬送する搬送部、および該ミストまたは該液滴を熱処理して該基体上に成膜する成膜部を備える成膜装置において、
成膜部が、前記ミストまたは前記液滴を旋回させて旋回流を発生させる手段を具備することを特徴とする成膜装置。
[2]旋回流が、内向きに流れる前記[1]記載の成膜装置。
[3]成膜部が、円筒状または略円筒状であり、成膜部の側面に、前記ミストまたは前記液滴の搬入口が設けられている前記[1]または[2]に記載の成膜装置。
[4]成膜部の前記搬入口よりも前記基体から離れているところに、前記ミストまたは前記液滴の排気口が設けられている前記[3]記載の成膜装置。
[5]さらに、排気ファンが備え付けられている前記[1]〜[4]のいずれかに記載の成膜装置。
[6]ホットプレートを成膜部に備えている前記[1]〜[5]のいずれかに記載の成膜装置。
[7]超音波振動子を霧化・液滴化部に備えている前記[1]〜[6]のいずれかに記載の成膜装置。
[8]原料溶液を霧化または液滴化して生成されるミストまたは液滴を、キャリアガスでもって成膜室内に設置されている基体まで搬送し、ついで該基体上で該ミストまたは該液滴を熱反応させて成膜する成膜方法において、
前記成膜室内において、前記ミストまたは前記液滴を旋回させて旋回流を発生させることを特徴とする成膜方法。
[9]旋回流が、内向きに流れる前記[8]記載の成膜方法。
[10]成膜室が円筒状または略円筒状であり、成膜室の側面に前記ミストまたは前記液滴の搬入口が設けられている前記[8]または[9]に記載の成膜方法。
[11]成膜室の前記搬入口よりも前記基体から離れているところに、前記ミストまたは前記液滴の排気口が設けられている前記[10]記載の成膜方法。
[12]排気ファンを用いて排気する前記[11]記載の成膜方法。
[13]霧化または液滴化を、超音波振動により行う前記[8]〜[12]のいずれかに記載の成膜方法。
まず、原料溶液4aをミスト発生源4内に収容し、基板10をホットプレート8上に設置させ、ホットプレート8を作動させる。次に、流量調節弁3(3a、3b)を開いてキャリアガス源2(2a、2b)からキャリアガスを成膜室7内に供給し、成膜室7の雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量と希釈用キャリアガスの流量をそれぞれ調節する。次に、超音波振動子6を振動させ、その振動を、水5aを通じて原料溶液4aに伝播させることによって、原料溶液4aを霧化または液滴化させてミストまたは液滴4bを生成する。ついで、ミストまたは液滴4bが、キャリアガスによって成膜室7内に導入される。成膜室7の上面真ん中には、排気口が設けられており、排気管17と接続されている。また、排気管17は排気ファン11に接続されており、排気ファン17によって、成膜室7内の排気ガス等が排気口から吸気されるように構成されている。また、円筒状の成膜室7の側面には、ミストまたは液滴の搬入口が設けられており、成膜室7内に導入されたミストまたは液滴が旋回して、内向きに流れる旋回流が生じるように構成されている。そして、旋回しながら、ミストまたは液滴が、成膜室7内でホットプレート8の加熱により熱反応して、基板10上に成膜することができる。
また、前記基体は成膜時に回転されてもよく、回転方向は、前記旋回流の向きと逆向きにするのが好ましい。
原料溶液は、霧化または液滴化が可能な材料を含んでいれば特に限定されず、無機材料であっても、有機材料であってもよいが、本発明においては、金属または金属化合物であるのが好ましく、ガリウム、鉄、インジウム、アルミニウム、バナジウム、チタン、クロム、ロジウム、ニッケルおよびコバルトから選ばれる1種または2種以上の金属を含むのがより好ましい。
前記基体は、前記膜を支持できるものであれば特に限定されない。前記基体の材料も、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、公知の基体であってよく、有機化合物であってもよいし、無機化合物であってもよい。前記基体の形状としては、どのような形状のものであってもよく、あらゆる形状に対して有効であり、例えば、平板や円板等の板状、繊維状、棒状、円柱状、角柱状、筒状、螺旋状、球状、リング状などが挙げられるが、本発明においては、基板が好ましい。基板の厚さは、本発明においては特に限定されないが、好ましくは、10〜2000μmであり、より好ましくは50〜800μmである。
1.製造装置
まず、図1を用いて、本実施例で用いた成膜装置1を説明する。成膜装置1は、キャリアガスを供給するキャリアガス源2aと、キャリアガス源2aから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁3aと、希釈用キャリアガスを供給する希釈用キャリアガス源2bと、希釈用キャリアガス源2bから送り出される希釈用キャリアガスの流量を調節するための流量調節弁3bと、原料溶液4aが収容されるミスト発生源4と、水5aが入れられる容器5と、容器5の底面に取り付けられた超音波振動子6と、成膜室7と、ミスト発生源4から成膜室7までをつなぐ石英製の供給管9と、成膜室7内に設置されたホットプレート8と、排気管17および排気ファン11とを備えている。ホットプレート8上には、基板10が設置されている。
臭化ガリウム0.1mol/Lの水溶液を調整し、この際、さらに48%臭化水素酸溶液を体積比で10%となるように含有させ、これを原料溶液とした。
上記2.で得られた原料溶液4aをミスト発生源4内に収容した。次に、基板10として4インチのc面サファイア基板を用いて、c面サファイア基板をホットプレート8上に設置し、ホットプレート8を作動させて成膜室7内の温度を500℃にまで昇温させた。次に、流量調節弁3(3a、3b)を開いてキャリアガス源2(2a、2b)からキャリアガスを成膜室7内に供給し、成膜室7の雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量を5L/minに、希釈用キャリアガスの流量を0.5L/minにそれぞれ調節した。なお、キャリアガスとして酸素を用いた。
次に、超音波振動子6を2.4MHzで振動させ、その振動を、水5aを通じて原料溶液4aに伝播させることによって、原料溶液4aを霧化してミスト4bを生成した。このミスト4bが、キャリアガスによって成膜室7内に導入され、成膜室7内でミストが旋回して、図8に示されるような内向きに流れる旋回流が発生した。そして、大気圧下、560℃にて、成膜室7内で旋回流のミストが反応して、基板10上に薄膜が形成された。なお、ミストの流速は45.6cm/秒であり、成膜時間は30分であった。
上記4.にて得られたα−Ga2O3薄膜の相の同定をした。同定は、薄膜用XRD回折装置を用いて、15度から95度の角度で2θ/ωスキャンを行うことによって行った。測定は、CuKα線を用いて行った。その結果、得られた薄膜はα−Ga2O3であった。
図6を用いて、比較例で用いた成膜装置19を説明する。ミストCVD装置19は、基板20を載置するサセプタ21と、キャリアガスを供給するキャリアガス供給手段22aと、キャリアガス供給手段22aから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁23aと、希釈用キャリアガスを供給する希釈用キャリアガス供給手段22bと、希釈用キャリアガス供給手段22bから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁23bと、原料溶液24aが収容されるミスト発生源24と、水25aが入れられる容器25と、容器25の底面に取り付けられた超音波振動子26と、内径40mmの石英管からなる供給管27と、供給管27の周辺部に設置されたヒーター28と、排気口29とを備えている。サセプタ21は、石英からなり、基板20を載置する面が水平面から45度傾斜している。成膜室となる供給管27とサセプタ21をどちらも石英で作製することにより、基板20上に形成される膜内に装置由来の不純物が混入することを抑制している。
基板10として、10mm角のc面サファイア基板を用いたこと以外は、実施例1と同様にして成膜した。得られた薄膜につき、上記比較例と同様にして、薄膜用XRD回折装置を用いて、相を同定した。その結果、得られた薄膜はα−Ga2O3であった。また、上記比較例と同様にして膜厚を測定した。なお、膜厚測定箇所は、基板20を基板10としたこと以外は、比較例と同様に、薄膜の各測定箇所(B1、B2、B3、B4およびB5)とした。結果を実施例2として表1に示す。
ガリウムアセチルアセトナートとアルミニウムアセチルアセトナートとがモル比で1:6となり、かつ塩酸が体積比で2%となるように水溶液を調整し、これを原料溶液とした。
得られた原料溶液を用いたこと、成膜温度を600℃としたこと、キャリアガスの流量を8LPMとしたこと、成膜時間を3時間としたこと以外は、実施例1と同様にして成膜した。なお、ミストの流速は73.0cm/秒であった。得られた膜につき、アルミニウムの含有率をX線にて測定した。XRD測定結果を図9に示す。XRD測定結果から、得られた膜は、今まで成膜が困難とされてきたコランダム構造のアルミニウム62.8%含有AlGaO系半導体膜であった。また、得られたコランダム構造のAlGaO系半導体膜につき、膜厚を測定したところ、720nmであった。
今まではコランダム構造のAlGaO系半導体膜が得られたとしても、50nm以上の厚い膜を得ることは困難であったが、本発明によれば、700nm以上もの厚いコランダム構造のAlGaO系半導体膜を得ることができた。このことからも、本発明の成膜装置は、ミストCVD法の適性に優れ、さらに、成膜レートが格別に優れていることがわかる。
2a キャリアガス源
2b 希釈用キャリアガス源
3a 流量調節弁
3b 流量調節弁
4 ミスト発生源
4a 原料溶液
4b ミスト
4c 排気ガス
5 容器
5a 水
6 超音波振動子
6a 電極
6b 圧電体素子
6c 電極
6d 弾性体
6e 支持体
7 成膜室
8 ホットプレート
9 供給管
10 基板
11 排気ファン
16 発振器
17 排気管
19 ミストCVD装置
20 基板
21 サセプタ
22a キャリアガス供給手段
22b 希釈用キャリアガス供給手段
23a 流量調節弁
23b 流量調節弁
24 ミスト発生源
24a 原料溶液
25 容器
25a 水
26 超音波振動子
27 供給管
28 ヒーター
29 排気口
Claims (13)
- 原料溶液を霧化または液滴化する霧化・液滴化部、前記霧化・液滴化部で発生したミストまたは液滴をキャリアガスでもって基体まで搬送する搬送部、および該ミストまたは該液滴を熱処理して該基体上に成膜する成膜部を備える成膜装置において、
成膜部が、前記ミストまたは前記液滴を旋回させて旋回流を発生させる手段を具備することを特徴とする成膜装置。 - 旋回流が、内向きに流れる請求項1記載の成膜装置。
- 成膜部が、円筒状または略円筒状であり、成膜部の側面に、前記ミストまたは前記液滴の搬入口が設けられている請求項1または2に記載の成膜装置。
- 成膜部の前記搬入口よりも前記基体から離れているところに、前記ミストまたは前記液滴の排気口が設けられている請求項3記載の成膜装置。
- さらに、排気ファンが備え付けられている請求項1〜4のいずれかに記載の成膜装置。
- ホットプレートを成膜部に備えている請求項1〜5のいずれかに記載の成膜装置。
- 超音波振動子を霧化・液滴化部に備えている請求項1〜6のいずれかに記載の成膜装置。
- 原料溶液を霧化または液滴化して生成されるミストまたは液滴を、キャリアガスでもって成膜室内に設置されている基体まで搬送し、ついで該基体上で該ミストまたは該液滴を熱反応させて成膜する成膜方法において、
前記成膜室内において、前記ミストまたは前記液滴を旋回させて旋回流を発生させることを特徴とする成膜方法。 - 旋回流が、内向きに流れる請求項8記載の成膜方法。
- 成膜室が円筒状または略円筒状であり、成膜室の側面に前記ミストまたは前記液滴の搬入口が設けられている請求項8または9に記載の成膜方法。
- 成膜室の前記搬入口よりも前記基体から離れているところに、前記ミストまたは前記液滴の排気口が設けられている請求項10記載の成膜方法。
- 排気ファンを用いて排気する請求項11記載の成膜方法。
- 霧化または液滴化を、超音波振動により行う請求項8〜12のいずれかに記載の成膜方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/632,768 US20160222511A1 (en) | 2015-01-29 | 2015-02-26 | Apparatus and method for forming film |
EP15156678.3A EP3051002A1 (en) | 2015-01-29 | 2015-02-26 | Apparatus and method for forming film |
KR1020150026934A KR101708283B1 (ko) | 2015-01-29 | 2015-02-26 | 성막장치 및 성막방법 |
TW104106265A TWI535883B (zh) | 2015-01-29 | 2015-02-26 | Film forming apparatus and film forming method |
CN201510090158.7A CN105986246A (zh) | 2015-01-29 | 2015-02-27 | 成膜装置和成膜方法 |
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018070422A (ja) * | 2016-11-01 | 2018-05-10 | 国立大学法人 和歌山大学 | 酸化ガリウムの製造方法及び結晶成長装置 |
JP2018172774A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 株式会社Flosfia | 結晶性積層構造体の製造方法 |
WO2018207676A1 (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-15 | 株式会社Flosfia | サーミスタ膜およびその成膜方法 |
JP2020002396A (ja) * | 2018-06-26 | 2020-01-09 | 信越化学工業株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2020033576A (ja) * | 2018-08-27 | 2020-03-05 | 信越化学工業株式会社 | 成膜方法 |
WO2020129625A1 (ja) * | 2018-12-18 | 2020-06-25 | 信越化学工業株式会社 | 酸化ガリウム膜の製造方法 |
JP2020198410A (ja) * | 2019-06-05 | 2020-12-10 | トヨタ自動車株式会社 | 酸化物膜の成膜方法、半導体装置の製造方法、及び、酸化物膜の成膜装置 |
WO2020261574A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
WO2020261355A1 (ja) * | 2019-06-25 | 2020-12-30 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
JPWO2021044489A1 (ja) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | ||
JP2022016427A (ja) * | 2020-07-08 | 2022-01-21 | 信越化学工業株式会社 | 酸化ガリウム薄膜及び積層構造体 |
CN114774883A (zh) * | 2022-04-14 | 2022-07-22 | 重庆理工大学 | 一种紧凑型雾化辅助cvd薄膜制备装置 |
JP2022109309A (ja) * | 2018-08-27 | 2022-07-27 | 信越化学工業株式会社 | 成膜方法 |
WO2022186112A1 (ja) | 2021-03-02 | 2022-09-09 | 信越化学工業株式会社 | 製膜方法、製膜装置及び積層体 |
WO2023047895A1 (ja) * | 2021-09-22 | 2023-03-30 | 信越化学工業株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び結晶性酸化物膜 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109643660B (zh) | 2016-08-31 | 2024-03-05 | 株式会社Flosfia | p-型氧化物半导体及其制造方法 |
JP2020001997A (ja) * | 2017-08-21 | 2020-01-09 | 株式会社Flosfia | 結晶膜の製造方法 |
JP2020011858A (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | トヨタ自動車株式会社 | 成膜方法、及び、半導体装置の製造方法 |
CN109056066A (zh) * | 2018-09-05 | 2018-12-21 | 南京大学 | 一种超声辅助雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的系统 |
JP2020092125A (ja) * | 2018-12-03 | 2020-06-11 | トヨタ自動車株式会社 | 成膜装置 |
KR20200079086A (ko) | 2018-12-24 | 2020-07-02 | 한국세라믹기술원 | 반극성 사파이어 기판을 이용한 초광대역 전력반도체 에피박막 화학기상증착 장치 |
KR20200079167A (ko) | 2018-12-24 | 2020-07-02 | 한국세라믹기술원 | 갈륨옥사이드 박막 성장용 미스트 화학기상증착(Mist-CVD) 장치 |
KR20200079084A (ko) | 2018-12-24 | 2020-07-02 | 한국세라믹기술원 | 비극성 사파이어 기판을 이용한 갈륨옥사이드 박막 성장용 미스트 화학기상증착(Mist-CVD) 장치 |
JP6879516B2 (ja) * | 2019-01-25 | 2021-06-02 | 株式会社デンソー | 成膜装置と半導体装置の製造方法 |
WO2020174642A1 (ja) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 成膜装置 |
JP2020188170A (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | トヨタ自動車株式会社 | ミスト生成装置及び成膜装置 |
JP7228160B2 (ja) * | 2019-06-03 | 2023-02-24 | 株式会社デンソー | ミスト生成装置、成膜装置、及び成膜装置を用いた成膜方法 |
CN113755826A (zh) * | 2021-08-26 | 2021-12-07 | 新沂市锡沂高新材料产业技术研究院有限公司 | 一种基于电晕荷电的氧化镓薄膜沉积系统及薄膜沉积方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03105914A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Fujitsu Ltd | 常圧cvd装置システム |
JPH03281781A (ja) * | 1990-03-28 | 1991-12-12 | Fujitsu Ltd | 排気装置 |
JPH0714771A (ja) * | 1993-06-26 | 1995-01-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 薄膜形成方法及び装置 |
JP2005511895A (ja) * | 2001-12-04 | 2005-04-28 | プライマックス・インコーポレーテッド | 化学蒸着反応器 |
JP2014072463A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Roca Kk | 半導体装置および結晶 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2671367B2 (ja) | 1988-04-06 | 1997-10-29 | 富士通株式会社 | 気相エピタキシャル成長装置 |
US6174371B1 (en) * | 1997-10-06 | 2001-01-16 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating method and apparatus |
US6349668B1 (en) * | 1998-04-27 | 2002-02-26 | Msp Corporation | Method and apparatus for thin film deposition on large area substrates |
WO2000045940A1 (en) * | 1999-02-02 | 2000-08-10 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Hydrogen-selective silica based membrane |
JP2001011653A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
US20040028810A1 (en) * | 2000-10-16 | 2004-02-12 | Primaxx, Inc. | Chemical vapor deposition reactor and method for utilizing vapor vortex |
KR20040083417A (ko) * | 2001-12-04 | 2004-10-01 | 프라이맥스 인코포레이티드 | 화학 증착법 및 화학 증착 리액터 |
KR100559792B1 (ko) * | 2003-08-29 | 2006-03-15 | 한국과학기술원 | 액적화학증착법을 이용한 박막 또는 분말 어레이 제조 방법 |
JP5124760B2 (ja) | 2004-04-19 | 2013-01-23 | 静雄 藤田 | 成膜方法及び成膜装置 |
CN2784166Y (zh) * | 2005-04-07 | 2006-05-31 | 比亚迪股份有限公司 | 一种流延成膜机 |
JP2012046772A (ja) | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Sharp Corp | ミストcvd装置及びミスト発生方法 |
JP6137668B2 (ja) | 2012-08-26 | 2017-05-31 | 国立大学法人 熊本大学 | 酸化亜鉛結晶層の製造方法及びミスト化学気相成長装置 |
JP5397794B1 (ja) | 2013-06-04 | 2014-01-22 | Roca株式会社 | 酸化物結晶薄膜の製造方法 |
-
2015
- 2015-02-09 JP JP2015023488A patent/JP6478103B2/ja active Active
- 2015-02-26 TW TW104106265A patent/TWI535883B/zh active
- 2015-02-26 KR KR1020150026934A patent/KR101708283B1/ko active IP Right Grant
- 2015-02-27 CN CN201510090158.7A patent/CN105986246A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03105914A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Fujitsu Ltd | 常圧cvd装置システム |
JPH03281781A (ja) * | 1990-03-28 | 1991-12-12 | Fujitsu Ltd | 排気装置 |
JPH0714771A (ja) * | 1993-06-26 | 1995-01-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 薄膜形成方法及び装置 |
JP2005511895A (ja) * | 2001-12-04 | 2005-04-28 | プライマックス・インコーポレーテッド | 化学蒸着反応器 |
JP2014072463A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Roca Kk | 半導体装置および結晶 |
Cited By (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018070422A (ja) * | 2016-11-01 | 2018-05-10 | 国立大学法人 和歌山大学 | 酸化ガリウムの製造方法及び結晶成長装置 |
JP2018172774A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 株式会社Flosfia | 結晶性積層構造体の製造方法 |
JP7054850B2 (ja) | 2017-03-31 | 2022-04-15 | 株式会社Flosfia | 結晶性積層構造体の製造方法 |
JP7358719B2 (ja) | 2017-05-09 | 2023-10-11 | 株式会社Flosfia | サーミスタ膜およびその成膜方法 |
WO2018207676A1 (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-15 | 株式会社Flosfia | サーミスタ膜およびその成膜方法 |
US10989609B2 (en) | 2017-05-09 | 2021-04-27 | Flosfia Inc. | Thermistor film and method of depositing the same |
JPWO2018207676A1 (ja) * | 2017-05-09 | 2020-03-26 | 株式会社Flosfia | サーミスタ膜およびその成膜方法 |
JP2020002396A (ja) * | 2018-06-26 | 2020-01-09 | 信越化学工業株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2022050520A (ja) * | 2018-06-26 | 2022-03-30 | 信越化学工業株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP7223515B2 (ja) | 2018-06-26 | 2023-02-16 | 信越化学工業株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP7274024B2 (ja) | 2018-08-27 | 2023-05-15 | 信越化学工業株式会社 | 成膜装置 |
JP2022109309A (ja) * | 2018-08-27 | 2022-07-27 | 信越化学工業株式会社 | 成膜方法 |
WO2020044730A1 (ja) * | 2018-08-27 | 2020-03-05 | 信越化学工業株式会社 | 成膜方法 |
JP2021119614A (ja) * | 2018-08-27 | 2021-08-12 | 信越化学工業株式会社 | 成膜装置、成膜基体の製造方法、半導体膜の製造装置及び半導体膜の製造方法 |
JP7075525B2 (ja) | 2018-08-27 | 2022-05-25 | 信越化学工業株式会社 | 成膜装置、成膜基体の製造方法、半導体膜の製造装置及び半導体膜の製造方法 |
JP2020033576A (ja) * | 2018-08-27 | 2020-03-05 | 信越化学工業株式会社 | 成膜方法 |
JP7374282B2 (ja) | 2018-12-18 | 2023-11-06 | 信越化学工業株式会社 | ガリウム含有膜の成膜方法 |
JP2020098846A (ja) * | 2018-12-18 | 2020-06-25 | 信越化学工業株式会社 | 酸化ガリウム膜の製造方法 |
WO2020129625A1 (ja) * | 2018-12-18 | 2020-06-25 | 信越化学工業株式会社 | 酸化ガリウム膜の製造方法 |
JP2020198410A (ja) * | 2019-06-05 | 2020-12-10 | トヨタ自動車株式会社 | 酸化物膜の成膜方法、半導体装置の製造方法、及び、酸化物膜の成膜装置 |
JP7212890B2 (ja) | 2019-06-05 | 2023-01-26 | 株式会社デンソー | 酸化物膜の成膜方法、半導体装置の製造方法、及び、酸化物膜の成膜装置 |
US11373864B2 (en) | 2019-06-05 | 2022-06-28 | Denso Corporation | Method of forming oxide film, method of manufacturing semiconductor device, and apparatus configured to form oxide film |
WO2020261355A1 (ja) * | 2019-06-25 | 2020-12-30 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
JP7301966B2 (ja) | 2019-06-25 | 2023-07-03 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
JPWO2020261355A1 (ja) * | 2019-06-25 | 2020-12-30 | ||
JP7265624B2 (ja) | 2019-06-28 | 2023-04-26 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
JPWO2020261574A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | ||
WO2020261574A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
JP7289357B2 (ja) | 2019-09-02 | 2023-06-09 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
JPWO2021044489A1 (ja) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | ||
JP2022016427A (ja) * | 2020-07-08 | 2022-01-21 | 信越化学工業株式会社 | 酸化ガリウム薄膜及び積層構造体 |
WO2022186112A1 (ja) | 2021-03-02 | 2022-09-09 | 信越化学工業株式会社 | 製膜方法、製膜装置及び積層体 |
KR20230150815A (ko) | 2021-03-02 | 2023-10-31 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 제막방법, 제막장치 및 적층체 |
WO2023047895A1 (ja) * | 2021-09-22 | 2023-03-30 | 信越化学工業株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び結晶性酸化物膜 |
CN114774883A (zh) * | 2022-04-14 | 2022-07-22 | 重庆理工大学 | 一种紧凑型雾化辅助cvd薄膜制备装置 |
CN114774883B (zh) * | 2022-04-14 | 2023-10-31 | 重庆理工大学 | 一种紧凑型雾化辅助cvd薄膜制备装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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