JPH03105914A - 常圧cvd装置システム - Google Patents

常圧cvd装置システム

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Publication number
JPH03105914A
JPH03105914A JP24182189A JP24182189A JPH03105914A JP H03105914 A JPH03105914 A JP H03105914A JP 24182189 A JP24182189 A JP 24182189A JP 24182189 A JP24182189 A JP 24182189A JP H03105914 A JPH03105914 A JP H03105914A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure cvd
reaction chamber
pressure
normal
blower
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24182189A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Chijiiwa
千々岩 雅弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPH03105914A publication Critical patent/JPH03105914A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 常圧CVD装置システムに係り、特に半導体装置の製造
に際して、常圧CVD装置の排気安定化を図るためのシ
ステムに関し、 CDV或長を安定して、均一性よく行うことがてきる常
圧CVD装置システムを提供することを目的とし、 常圧CVD反応室6と工場内ダクト7間にオートダンパ
−3、駆動部を持たないファン4及びインバータ制御に
よるファン5を順にその排気系システムとして設けて前
記工場内ダクトの排気圧力の変動を前記常圧CVD反応
室に影響を与えないようにしたことを構或とする。
〔産業上の利用分野〕
本発明は常圧CVD装置システムに係り、特に半導体装
置の製造に際して、常圧CVD装置の排気安定化を図る
ためのシステムに関する。
常圧CVD (化学気相或長)装置は超LSIプロセス
工程において、PSG , BPSG膜等を或長させる
装置としてよく使用されているが、常圧系であるためP
lJMP系を持たず工場内ダクトより排気を持っている
ため、排気の安定性が戊長膜の膜厚やドーパント濃度の
均一性にとり重要な要因となっている。
〔従来の技術〕
常圧CVD装置では反応ガスの供給、排気のために常圧
とはいっても若干圧力を減じた県内で反応が行われる。
この反応では排気圧が安定であればある程、或長膜の膜
質が安定する。
従来では、排気圧の変動を抑えるために反応装置に続く
排気系に、圧力センサーによりダンパーにフィードバッ
クさせダンパーの開口度を調整するオートダンパーを配
備したり、ダクトにダンパーを2〜3枚追加したりする
ことによって圧力変動をできるだけ抑えていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記のような対策では排気圧の変動はある程度抑えられ
たし、特に長時間の周期を有する圧力変動はオートダン
パーによって抑えることが出来た。
しかし、通常CVD装置に接続しているダクト排気は短
時間(1秒以下)の周期を有する圧力変動を招き、この
圧力変動が反応ガス流の不均一性を生じるため常圧CV
D装置の膜厚や、ドーパント濃度の均一性が不安定とな
る。
第3図(a)及び(b)はそれぞれ従来技術において、
ウェハー11内の膜厚が厚い領域12を示す図及びそれ
に対応した膜厚分布を示すグラフである。
本発明はCVD或長を安定して、均一性よく行うことが
できる常圧CVD装置システムを提供することを目的と
する。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題は本発明によれば常圧CVD反応室6と工場内
ダクト7間にオートダンパ−3、駆動部を持たないファ
ン4及びインバータ制御によるファン5を順にその排気
系システムとして設けて前記工場内ダクトの排気圧力の
変動を前記常圧CVD反応室に影響を与えないようにし
たことを特微とする常圧CVD装置システムによって解
決される。
〔作 用〕
本発明によれば、排気変動のうち、短周期微振及び長時
間周期の圧力変動ともに有効におさえることができ、排
気が安定せしめられ膜厚、ドーバント濃度が均一になる
〔実施例〕
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明の1実施例を示す模式図である。
第1図に示すように、CVD装置に続く排気系1に上流
の方から順に圧力センサー2、オートダンパ−3、駆動
部を持たないファン4及びインバータ制御による駆動部
を持つファン5が設けられている。駆動部を持たないフ
ァン4はインバータ制御による駆動部を持つファン5に
よる風力によって回転せしめられる。
第2図は上記装置を含めた本発明の常圧CVD装置全体
のシステムを示す図である。
第2図において、まず工場内ダクト7の排気圧を上記イ
ンバータ制御によるファン5を用いて安定化させる。こ
の安定化された風力・にょって回転する駆動部を持たな
いファン(回転する多極ファン)によってインバータ制
御によるファンの微振及び本来のダクトの微振を抑える
。そのためには上述のようにファンの羽を出来るだけ多
く、多極型にした方がより振動の抑制効果がある。更に
その上流に配されたオートダンパー3によって長期的な
周期を有する圧力変動が抑えられ反応室へと接続されて
いる。
インバータ制御によるファン5と駆動部を持たないファ
ン4との間には、第2図に示すように窒素(N2)を多
量に例えば100 ffl /分程度流すと圧力変動が
より安定化される。この圧力変動の安定化のためには窒
素(N2)が多ければ多い程よい。
上記ファン4は取り外し可能としておきパウダートラッ
プとしても用いることができる。
第1.2図の如き実施例を用いた場合のウェハー内の膜
厚分布、及び排気の安定性を、従来例と比較した結果を
第1表に示す。
第1表 第1表に示すように本実施例の方がウエハー内膜厚分布
、排気の安定性共に従来例より優れている。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、工場内ダクトの
排気の変動のうち、短周期の微振はインバータ制御によ
るファン、駆動部を持たないファン及びその間に多量の
N2を流すことによりかなりの安定化が図れる。
また排気変動の長時間周期の振動;よオートダンパーに
よりゆるやかに変動を抑えることができ常圧CVD装置
内の反応室内の供給ガス圧の変動を十分に抑制すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の1実施例を示す模式図であり、第2図
は上記装置を含めた本発明の常圧CVD装置全体のシス
テムを示す図であり、 第3図(a)及び(b)はそれぞれ従来技術において、
ウェハー内の膜厚が厚い領域を示す図及びそれに対応し
た膜厚分布を示すグラフである。 1・・・排気系、      2・・・圧力センサー3
・・・オートダンパー 4・・・駆動部を持たないファン、 5・・・インバータ制御による駆動部を持つファン、6
・・・CVD反応室、   7・・・工場内ダクト、1
0・・・常圧CVD装置、 11・・・ウェハー12・
・・膜厚が厚い領域。 膜厚 図 11・・・ウエハー 12・・・膜厚が厚いam

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、常圧CVD反応室6と工場内ダクト7間にオートダ
    ンパー3、駆動部を持たないファン4及びインバータ制
    御によるファン5を順にその排気系システムとして設け
    て前記工場内ダクトの排気圧力の変動を前記常圧CVD
    反応室に影響を与えないようにしたことを特徴とする常
    圧CVD装置システム。
JP24182189A 1989-09-20 1989-09-20 常圧cvd装置システム Pending JPH03105914A (ja)

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JP24182189A JPH03105914A (ja) 1989-09-20 1989-09-20 常圧cvd装置システム

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016146442A (ja) * 2015-01-29 2016-08-12 株式会社Flosfia 成膜装置および成膜方法
CN112359423A (zh) * 2020-10-21 2021-02-12 北京北方华创微电子装备有限公司 压力控制装置及半导体加工设备

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016146442A (ja) * 2015-01-29 2016-08-12 株式会社Flosfia 成膜装置および成膜方法
CN112359423A (zh) * 2020-10-21 2021-02-12 北京北方华创微电子装备有限公司 压力控制装置及半导体加工设备

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