JP2016035768A - 表示装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
する。
【解決手段】画素電極1つに対してフォトセンサが複数となる比率で画素部にフォトセン
サを配置することにより、センサの解像度が高くなり、正確な位置を検出することができ
る。フォトセンサの制御回路や、表示のための駆動回路には単結晶半導体層を用いる。ま
た、隣り合う画素電極の間に設けられた複数のフォトセンサにもカラーフィルタを重ねて
配置することができ、フォトセンサと重ねるカラーフィルタを画素電極と重ねるカラーフ
ィルタと同じ工程、且つ、同じアライメントを用いて重ねることができるため、製造プロ
セス上のメリットが得られる。
【選択図】図1
Description
置およびその作製方法に関する。例えば、液晶表示パネルに代表される電気光学装置や有
機発光素子を有する発光表示装置を部品として搭載した電子機器に関する。
置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
いて薄膜トランジスタ(TFT)を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは
ICや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチ
ング素子として開発が急がれている。
ネルが表示面全面に貼り付けられているものがあり、付属するペンなどを用いて入力が可
能となっている。
る。画像取り込みを行う密着型エリアセンサを配置した画像取り込み機能を備えた表示装
置が特許文献1、及び特許文献2に開示されている。また、特許文献3には発光素子の輝
度を制御するためのセンサを備えた表示装置が開示されている。
ている。本人認証には、指紋、顔、手形、掌紋、手の静脈などが挙げられる。本人認証機
能を表示部とは別の場所に設ける場合は、部品が増大し、電子機器の重量や価格が増大す
る恐れがある。また、静電容量測定方式を用いて指紋などを検出しようとすると、指の状
態によっては導電率が変化するため検出率が低下する恐れがある。
るまでの時間は、手指の位置検出に要する時間と、新しい画面情報を書き込んで表示画面
に出力する表示時間とが主に占める。従って、使用者が違和感なくスムーズに表示切り替
えを行うためには、手指の位置検出に要する時間と、新しい画面情報を書き込む表示時間
の両方を短縮することが望まれる。
供する。即ち、表示画面に手指が触れた位置を検出する位置検出を高速で正確に行える表
示部を有する半導体装置を提供する。
する。
ことにより、センサの解像度が高くなり、正確な位置を検出することができる。
本人認証機能も付与することができる。また、同じフォトセンサを用いて表示部のRGB
色度調整も行うことができる。
1つのフォトセンサを配置する例であった。従って、センサの解像度が画像表示の解像度
と同じまたはそれ以下となっていた。
、フォトセンサは少なくとも一つの薄膜トランジスタと電気的に接続される。また、画素
電極はフォトセンサとは異なる薄膜トランジスタと電気的に接続される。
いられる。また、これらの薄膜トランジスタは、製造コストを低減するため同一基板上に
形成することが好ましく、さらに基板として安価なガラス基板を用いることが好ましい。
く、中でも半導体基板から分離させた単結晶半導体層を用いることが好ましい。半導体基
板を用いてガラス基板上に薄い単結晶半導体層を形成し、その単結晶半導体層を画素電極
に接続する薄膜トランジスタや、フォトセンサに接続される薄膜トランジスタに用いる。
半導体基板を用いて得られる単結晶半導体層は、特性のバラツキが少なく、高い電界効果
移動度を有する薄膜トランジスタを実現することができる。また、単結晶半導体層を表示
駆動回路やセンサ制御回路に用いる場合、回路全体の占有面積を小さくすることができ、
さらに処理速度を向上することができる。また、本人認証のための指紋データなどを格納
するフラッシュメモリなども単結晶半導体層を用いて形成することができる。
いてもよいが、非晶質半導体膜、または微結晶半導体膜を用いることが好ましい。フォト
センサの光電変換層に非晶質半導体膜を用いるメリットは、分光感度が視感度に近い点で
ある。また、フォトセンサの光電変換層に単結晶半導体を用いる場合、非晶質半導体膜、
または微結晶半導体膜よりもセンシング時間を短縮することができる一方、波長カットフ
ィルターや補正回路が必要となる。
、表示部は、第1の画素電極と、該第1の画素電極と隣り合う第2の画素電極の間に複数
のフォトセンサを有し、駆動回路部は、複数のフォトセンサを制御するセンサ制御回路を
含むことを特徴とする半導体装置である。
、または青色カラーフィルタをそれぞれ配置してフルカラー表示を実現させる。また、隣
り合う画素電極の間に設けられた複数のフォトセンサにもカラーフィルタを重ねて配置す
ることができ、フォトセンサと重ねるカラーフィルタを画素電極と重ねるカラーフィルタ
と同じ工程、且つ、同じアライメントを用いて重ねることができるため、製造プロセス上
のメリットが得られる。
フィルタと重なる第2の画素電極と、青色カラーフィルタと重なる第3の画素電極とを有
する表示部を有し、第1の画素電極と第2の画素電極の間に3つのフォトセンサを有し、
3つのフォトセンサは、赤色カラーフィルタと重なる第1のフォトセンサと、緑色カラー
フィルタと重なる第2のフォトセンサと、青色カラーフィルタと重なる第3のフォトセン
サである半導体装置である。
トセンサは、薄膜トランジスタと電気的に接続する配線と重なる位置に形成することを特
徴としている。フォトセンサは、主に上方向または下方向からの光を感知するため、薄膜
トランジスタと電気的に接続する配線と重ねることにより、フォトセンサに入射する光の
方向を一方向に限定することができる。
い、光電変換素子より生じる光電流を抵抗素子に流し、得られる出力電圧に基づいて光の
強度を検出するものである。フォトダイオードの構成として、アノード電極とカソード電
極の間に光電変換層を挟んだショットキー型、PIN型や、PN型のダイオードや、アバ
ランシェダイオード等を用いることもできる。また光電変換素子より生じる光電流は、微
弱光の検出を行うために、増幅回路を用いて増幅することが行われており、増幅回路とし
ては、例えばカレントミラー回路が用いる。微弱光から強光までを検出しようとすると、
増幅された光電流の範囲が広くなる。そのため外部の負荷抵抗などで増幅された光電流を
電圧に変換する場合、照度に対して線形に出力電圧も増加する。その結果、広い照度範囲
に対して出力電圧を得ようとすると、微弱光では数mV、強光では数Vとなり、回路の諸
制約(例えば電源電圧)によりフォトセンサとしての照度のダイナミックレンジを広くと
ることが困難である。そこで、光電変換装置の照度のダイナミックレンジを取るために、
光電変換素子より生じる光電流をダイオード素子に流すことで、対数圧縮された電圧値に
よる出力(以下、出力電圧という)を得る方式となるセンサ制御回路としてもよい。なお
対数圧縮とは、光電変換素子に入射する光の照度、すなわち光電流の値を変数として、出
力される電流値または電圧値を対数の関数として得ることをいう。
光量に応じてフォトダイオードから流れる電流によりデジタル信号を生成してもよい。ま
た、フォトセンサの出力が、照度の増加によって出力電圧も増加する方式に限らず、低照
度であると出力電圧が飽和する方式となるセンサ制御回路としてもよい。低照度であると
出力電圧が飽和する方式は、照度を横軸、出力電圧を縦軸とした際に、照度の増加に伴い
、出力電圧値は減少する右下がりのグラフとなる。この低照度であると出力電圧が飽和す
る方式は、低照度領域の分解能を高めたとしてもダイナミックレンジを広く取ることがで
きる。そのため、低照度であると出力電圧が飽和する方式は、特に低照度領域で分解能も
高く、確度の高い出力電圧を出力することができるとともに、広いダイナミックレンジを
取る事ができる。
理を正確に行える表示部を有する半導体装置を実現できる。
が可能となり、表示画面に手指(またはペン)が触れた位置を検出する位置検出を高速で
正確に行える表示部を有する半導体装置を実現できる。
いることにより、表示画面からの本人認証を高速で正確に行える表示部を有する半導体装
置を実現できる。
のみを示した上面配置図である。
色の表示領域と隣り合う緑色の表示領域となる位置に配置される第2の画素電極11Gと
の間には、3つのフォトセンサを配置する。第1のフォトセンサ12R、第2のフォトセ
ンサ12G、及び第3のフォトセンサ12Bは、それぞれ異なる色のカラーフィルタと重
なる。赤色のカラーフィルタ15Rは、第1の画素電極11Rと第1のフォトセンサ12
Rと重なる。
と隣り合う青色の表示領域となる位置に配置される第3の画素電極11Bとの間にも3つ
のフォトセンサを配置する。第4のフォトセンサ13R、第5のフォトセンサ13G、及
び第6のフォトセンサ13Bは、それぞれ異なる色のカラーフィルタと重なる。また、緑
色のカラーフィルタ15Gは、第2の画素電極11Gと第2のフォトセンサ12Gと第5
のフォトセンサ13Gと重なる。
タ15Gの間に配置された青色のカラーフィルタ17Bと重なる。
と隣り合っており、第4の画素電極21Rとの間にも3つのフォトセンサを配置する。第
7のフォトセンサ14R、第8のフォトセンサ14G、及び第9のフォトセンサ14Bは
、それぞれ異なる色のカラーフィルタと重なる。また、青色のカラーフィルタ15Bは、
第3の画素電極11Bと第6のフォトセンサ13Bと第9のフォトセンサ14Bと重なる
。また、赤色のカラーフィルタ16Rは第7のフォトセンサ14Rと第4の画素電極21
Rと重なる。
タ15Gの間に配置された赤色のカラーフィルタ18Rと重なる。
タ16Rの間に配置された緑色のカラーフィルタ19Gと重なる。また、それぞれのカラ
ーフィルタの間に遮光膜となるブラックマトリクスを設けてもよい。
表示部を構成する。
との位置合わせを行うことで、カラーフィルタとセンサとの位置合わせも同時に行うこと
ができる。
BWの4色を用いてフルカラー表示を行ってもよい。
。
(真性半導体)111及びP型半導体112が設けられている。N型半導体110、I型
半導体111及びP型半導体112の積層体がフォトセンサ113に相当する。I型半導
体111は何もドープしていない純度の高い半導体である。
102が設けられ、これらの素子を覆うように絶縁膜140が設けられる。絶縁膜140
上には、有機発光素子108の隔壁として機能する絶縁膜141が設けられ、当該絶縁膜
141上には絶縁膜142が設けられ、当該絶縁膜142上には絶縁膜143が設けられ
る。有機発光素子108は絶縁膜140上に設けられ、フォトセンサ113は絶縁膜14
2上に設けられる。フォトセンサ113は第3の電極114を介してトランジスタ101
と電気的に接続される。
、第1の電極(画素電極)105、発光層106及び第2の電極(対向電極)107が設
けられる。第1の電極105、発光層106及び第2の電極107の積層体が有機発光素
子108に相当する。有機発光素子108は白色発光素子、或いはR、G、Bの3種類の
発光素子を用いる。
特徴とする。第2の電極107、及び第4の電極115を構成する透光性材料とは、IT
O等の透明導電膜、又は光を透過できる厚さで形成されたアルミニウム等を用いたものを
指す。また、基板100と、フォトセンサ113の上方に設けられる対向基板120も透
光性を有することを特徴とする。
つ。
1とを有している。カラーフィルタ130は、フォトセンサ113と有機発光素子108
の両方と重なっている。
おり、駆動用トランジスタ102の配線104とも重なっている。
図示しており、有機発光素子108からの光が被写体である指109に反射してフォトセ
ンサ113に入射する光路の一例を示している。有機発光素子108からの光が被写体に
反射した後でフォトセンサ113に入射すると、フォトセンサの両電極間の電位差は変化
し、その変化した電位差に応じて両電極間(第3の電極114及び第4の電極115)に
電流が流れ、その流れた電流量を検知することで、被写体の情報を得ることができる。そ
して、その得られた情報は、有機発光素子108により表示される。つまり、有機発光素
子108は、被写体の情報を読み取る際の光源としての役割と、画像を表示する役割の2
つの役割を果たす。
境に合わせた表示となるように有機発光素子108の輝度を調節することもできる。
表示装置及び電子機器を提供することができる。図2(A)に示す表示装置を用いて、表
示とセンシングを行うためには、表示用の発光と、センシング用の発光とを異なるタイミ
ングで有機発光素子108を発光させる。
体膜(真性半導体)161及びP型半導体膜162が設けられている。N型半導体膜16
0、I型半導体膜161及びP型半導体膜162の積層体がフォトセンサ163に相当す
る。I型半導体膜161は何もドープしていない純度の高い半導体である。
ンジスタ152が設けられ、これらの素子を覆うように絶縁膜170が設けられる。絶縁
膜170上には、絶縁膜172が設けられ、当該絶縁膜172上には絶縁膜173が設け
られる。画素電極171は絶縁膜173上に設けられ、フォトセンサ163は絶縁膜17
2上に設けられる。フォトセンサ163は第3の電極164を介してトランジスタ151
と電気的に接続される。
びオーバーコート層181が設けられる。シール材によって対向基板189と透光性を有
する基板150は固定され、間隙材176によって基板間隔が保持される。画素電極17
1、液晶層174及び対向電極175の積層体が液晶素子に相当する。
いる。
重なっており、スイッチング用トランジスタ152のソース配線154とも重なっている
。
た、バックライトは、冷陰極管、または冷陰極管よりも輝度の調整範囲が広い白色LED
を用いることができる。また、R、G、Bの3種類のLEDを用いてバックライトを構成
してもよい。R、G、Bの3種類のLEDを用いてバックライトを構成する場合は画素電
極と重なるカラーフィルタは不要である。
表示装置及び電子機器を提供することができる。図2(B)に示す表示装置を用いて、表
示とセンシングを行うためには、表示用のバックライトと、センシング用のバックライト
とを異なるタイミングで点灯させる。また、バックライトを複数種類設けてもよく、R、
G、Bの3種類のLEDを用いて表示用のバックライトとし、近赤外光を射出するLED
を用いてセンシング用のバックライトとし、手の静脈を識別できるようにしてもよい。手
の静脈を識別する場合には、I型半導体膜161として単結晶半導体層を用いる。
境に合わせた表示となるようにバックライトの輝度を調節することもできる。
のフレーム画像で構成される動画像を表示する表示装置、および画像表示方法について以
下に説明する。
212、及びデータ線駆動回路213を有する。さらに、表示装置は、走査線駆動回路2
12およびデータ線駆動回路213を制御するための表示制御回路216、センサ用走査
線駆動回路214およびセンサ用データ線駆動回路215を制御するセンサ制御回路21
7を有する。さらに、表示装置は、表示制御回路216およびセンサ制御回路217を制
御する演算処理回路218、および各種のデータを保存するメモリ回路219を有する。
あり、CPU(Central Processing Unit)、画像処理用演算回
路等を含む。
ュータプログラム、画像処理用フィルタおよびルックアップテーブル等を記憶するROM
、演算処理回路218が計算した演算結果、映像データ等を記憶するRAM等を含む。
と、光センサ222R、222G、222Bおよびセンサ回路が設けられている。
駆動回路213に接続されている。表示素子としては、液晶素子のような通過する光の偏
波状態を変更する素子、EL(エレクトロルミネッセンス)素子等の発光素子等がある。
画素回路により、液晶素子の液晶分子の配向が制御され、通過する光の偏光状態が制御さ
れ、所望の輝度に透過光量が調節される。あるいは、画素回路により発光素子の明るさが
制御され、所望の輝度で発光素子が発光する。このように走査線駆動回路212およびデ
ータ線駆動回路213は、画素回路を駆動する画素用駆動回路223を構成する。
サ用データ線によりセンサ用データ線駆動回路215に接続されている。光センサ222
は、受光した光を電気信号に変換する素子であり、例えば、フォトダイオードが用いられ
る。センサ用走査線駆動回路214から出力されるセンサ選択信号で指定された行の各画
素から、それぞれ3つの光センサで検出された信号がセンサ用データ線駆動回路215に
出力される。このように、センサ用走査線駆動回路214およびセンサ用データ線駆動回
路215は、センサ回路を駆動するセンサ用駆動回路224を構成する。
駆動回路213)を制御する回路である。表示制御回路216から入力される信号にした
がって、走査線駆動回路212は走査線に信号を出力し、かつデータ線駆動回路213は
データ線に画像データを出力する。表示部211では、走査線およびデータ線に入力され
た信号にしたがって、画像が表示される。例えば、表示制御回路216は、アナログの画
像データをデジタルデータに変換するA−D変換回路(アナログ−デジタル変換回路)、
デジタルの画像データをアナログのデータに変換するD−A変換回路(デジタル−アナロ
グ変換回路)、ガンマ補正等の画像処理を行う画像処理回路等を含む。発光素子を用いて
表示を行う場合、表示制御回路216は、表示装置に入力される映像信号の画像データが
デジタルビデオ信号であればデジタル方式で駆動させて表示を行うことができる。例えば
、表示装置が発光装置であれば、デジタル制御で発光素子をオン状態またはオフ状態とし
て階調を表現する。
よびセンサ用データ線駆動回路215)を制御する回路である。センサ制御回路217か
ら入力される信号にしたがって、センサ用走査線駆動回路214は、センサ用走査線に信
号を出力する。センサ制御回路217は、表示部211からセンサ用データ線駆動回路2
15に入力された検出信号をセンサ用データ線駆動回路215から読み込む。センサ制御
回路217または演算処理回路218において、検出信号を解析し、入力があった光セン
サの位置が検出される。センサ制御回路217は、アナログのセンサ出力信号をデジタル
のセンサ出力信号に変換するA−D変換回路を用いてもよく、デジタルのセンサ出力信号
を演算処理回路218に入力してもよい。また、センサ出力信号が微弱である場合、セン
サ制御回路217に増幅回路を設け、センサ出力信号を増幅してノイズを低減することが
好ましい。
路229を構成する。表示切替回路229は、センサ用駆動回路224から入力された検
出信号をもとに、表示部211に表示される画像を切り替える信号を画素用駆動回路22
3に出力する。つまりセンサ制御回路217または演算処理回路218で検出された光セ
ンサの位置情報をもとに、演算処理回路218では、表示部211に表示される画像を決
定し、表示制御回路216を制御して、表示部211に表示される画像を変更する。
22R、222G、222B、ならびに走査線駆動回路212、データ線駆動回路213
、センサ用走査線駆動回路214およびセンサ用データ線駆動回路215に含まれるトラ
ンジスタは、同一基板上に形成されている。このように、画素部と駆動回路部とを同一基
板上に形成することでノイズの低減を図ることができる。
等で作製された回路と比較して、回路ごとに特性のばらつきが格段抑えられるため、高速
の位置検出が可能になる。また、各画素での輝度のばらつきも調整できるため、表示性能
の高い入力装置を提供することができる。
ジスタを作製することができる。多結晶シリコンを用いる場合、バラツキを抑えるために
トランジスタのチャネル長Lなどを長くすることを行う場合があるが、単結晶半導体層を
用いる場合、チャネル長Lを短くしてもバラツキがほとんどなくすことができる。その結
果として、トランジスタのサイズを小さくすることができるので、走査線駆動回路212
、データ線駆動回路213、センサ用走査線駆動回路214およびセンサ用データ線駆動
回路215の占有面積を小さくできるため、表示部211の大画面化、高精細化ができる
。
こともできる。このような回路として、表示制御回路216の全てまたは一部、センサ制
御回路217の全てまたは一部、演算処理回路218の全てまたは一部、メモリ回路21
9の全てまたは一部等がある。
結晶半導体層が設けられている透光性の基板を用いることができる。図4は、このような
基板の構成例を示す斜視図である。
結晶半導体層が形成されている基板である。図4(A)に示すように、半導体基板31は
、バッファ層42を介して単結晶半導体層41が支持基板40に固定されている基板であ
る。バッファ層42の表面と支持基板40の表面が接合することで、単結晶半導体層41
が支持基板40に固定されている。
支持基板40に固定されている基板である。バッファ層43の表面と単結晶半導体層41
の表面が接合することで、単結晶半導体層41が支持基板40に固定されている。
41が支持基板40に固定されている基板である。バッファ層42の表面と単結晶半導体
層41の表面が接合することで、単結晶半導体層41が支持基板40に固定されている。
ス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われ
る各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板、サファイア基板が挙げられる。支持基板
40としてガラス基板を用いるのが好ましい。
しくは、30×10−7/℃以上40×10−7/℃以下)であり、歪み点が580℃以
上700℃以下である基板を用いることが好ましい。また、半導体素子の汚染を抑えるた
め、ガラス基板は無アルカリガラス基板が好ましい。無アルカリガラス基板の材料には、
例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガ
ラス等のガラス材料等がある。
単結晶半導体基板には、市販の半導体基板を用いることができ、例えば、単結晶シリコン
基板、単結晶ゲルマニウム基板、単結晶シリコンゲルマニウム基板等、第14族元素でな
る単結晶半導体基板を用いることができる。
バッファ層42、43を構成する絶縁膜として、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化
窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化ゲルマニウム膜、窒化ゲルマニウム膜、酸化
窒化ゲルマニウム膜、窒化酸化ゲルマニウム膜等のシリコンまたはゲルマニウムを組成に
含む絶縁膜を用いることができる。また、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ハフニ
ウム等の金属の酸化物でなる絶縁膜、窒化アルミニウム等の金属の窒化物でなる絶縁膜、
酸化窒化アルミニウム膜等の金属の酸化窒化物でなる絶縁膜、窒化酸化アルミニウム膜等
の金属の窒化酸化物でなる絶縁膜を用いることもできる。
こととする。
の作製方法について説明する。
図である。本実施例では半導体基板の作製方法の一例として、図4(A)に示す基板31
と同様な積層構造をもつ基板の作製方法について説明する。
導体基板を用いることができ、例えば、単結晶のシリコン基板やゲルマニウム基板等であ
る。市販の単結晶シリコン基板としては、直径5インチ(125mm)、直径6インチ(
150mm)、直径8インチ(200mm)、直径12インチ(300mm)サイズ、直
径18インチ(450mm)の円形のウエハが知られている。なお、単結晶半導体基板4
01の形状は円形に限られず矩形状等に加工した単結晶半導体基板を用いることも可能で
ある。
等により酸化シリコン膜(SiOx)、酸化窒化シリコン膜(SiOxNy)(x>y)
で設けることができる。また、単結晶半導体基板401を酸化することにより形成された
酸化物膜でもよい。単結晶半導体基板401の酸化処理はドライ熱酸化で行うこともでき
るが、酸化雰囲気中にハロゲンまたはハロゲン化合物の気体を添加することが好ましい。
このような気体には、HClが代表例であり、他にはHF、NF3、HBr、Cl2、C
lF3、BCl3、F2、Br2等がある。また、単結晶半導体基板401の酸化処理は
、オゾン水、過酸化水素水又は硫酸過水等による表面処理で行うこともできる。
402の表面の平均面粗さ(Ra)が0.5nm以下、自乗平均粗さ(Rms)が0.6
nm以下、好ましくは、平均面粗さが0.3nm以下、自乗平均粗さが0.4nm以下と
なるように形成する。
酸化シリコン膜を形成することができる。有機シランを用いて形成された酸化シリコン膜
を用いることによって、絶縁膜402の表面を平坦にすることができるためである。
)4)、テトラメチルシラン(TMS:化学式Si(CH3)4)、トリメチルシラン(
(CH3)3SIH)、テトラメチルシクロテトラシロキサン(略称;TMCTS)、オ
クタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS)、ヘキサメチルジシラザン(略称;H
MDS)、トリエトキシシラン(SiH(OC2H5)3)、トリスジメチルアミノシラ
ン(SiH(N(CH3)2)3)等のシリコン含有化合物を用いることができる。
結晶半導体基板401に照射して、単結晶半導体基板401の表面から所定の深さの領域
にイオンを導入することにより、損傷領域404を形成する(図5(B)参照)。
ズマから電界の作用により、プラズマに含まれるイオンを引き出すことで生成される。イ
オンを単結晶半導体基板401に導入するには、質量分離を伴わないイオンドーピング法
を用いることができる。また、質量分離を伴うイオン注入法を用いてもよい。ソースガス
には水素ガス、ハロゲンガス、ヘリウムガス等を用いることができる。
オンビーム403の入射角によって調節することができる。加速エネルギーは加速電圧、
ドーズ量等により調節できる。イオンの平均侵入深さとほぼ同じ深さの領域に損傷領域4
04が形成される。イオンを導入する深さで、単結晶半導体基板401から分離される半
導体層の厚さが決定される。損傷領域404が形成される深さは10nm以上500nm
以下であり、好ましい深さの範囲は50nm以上200nm以下である。
場合、水素ガスを励起してH+、H2 +、H3 +を含むプラズマを生成することができる
。ソースガスから生成されるイオン種の割合は、プラズマの励起方法、プラズマを発生さ
せる雰囲気の圧力、ソースガスの供給量等を調節することで、変化させることができる。
量が大きいため、同じエネルギーで加速される場合、H+、H2 +よりも単結晶半導体基
板401のより浅い領域に導入される。イオンビーム403に含まれるH3 +の割合を高
くすることにより、水素イオンの平均侵入深さのばらつきが小さくなるので、単結晶半導
体基板401に水素の深さ方向の濃度プロファイルはより急峻になり、そのプロファイル
のピーク位置を浅くすることができる。従って、イオンドーピング法を用いる場合、イオ
ンビーム403に含まれるH+、H2 +、H3 +の総量に対してH3 +が50%以上、好
ましくは80%以上含まれるようにする。
上200kV以下、ドーズ量1×1016ions/cm2以上6×1016ions/
cm2以下とすることができる。この条件で水素イオンを導入することで、イオンビーム
403に含まれるイオン種やイオンの割合にもよるが、損傷領域404を単結晶半導体基
板401の深さ50nm以上500nm以下の領域に形成することができる。
支持基板と貼り合わされる層(接合層)として機能する。
xOy)(x>y))、酸化窒化シリコン膜(SiOxNy)(x>y))を形成するこ
とができる。絶縁膜405として、窒化シリコン膜又は窒化酸化シリコン膜を形成するこ
とで、支持基板に含まれる可動イオンや水分等の不純物が単結晶半導体層に拡散すること
を防ぐためのバリア層として絶縁膜405を機能させることができるため、好ましい。
05は、水素が含まれるように形成する。絶縁膜405として、水素を含有する窒化シリ
コン膜又は窒化酸化シリコン膜を用いることによって、Si−H、Si−OH、N−H、
N−OHを結合手として、ガラス等の支持基板と水素結合による強固な接合を形成するこ
とが可能となる。水素を含む絶縁膜405の形成方法としては、プラズマCVD法を用い
、成膜時の基板温度を室温以上350℃以下、好ましくは室温以上300℃以下にし、か
つ水素を組成とする原料ガスを用いる。成膜時の基板温度を低くすることによって、形成
される絶縁膜405の表面の粗さを小さくすることができる。これは、成膜時の基板温度
が高くなるにつれて膜の堆積表面での水素ラジカル等によるエッチング反応が過多となり
表面荒れを起こすためである。
ランガス、アンモニアガス及び水素ガスを含む原料ガスを用いて、窒化シリコン膜又は窒
化酸化シリコン膜の成膜を行うことが好ましい。窒化酸化シリコン膜を形成する場合は、
原料ガスに窒素酸化物ガスを添加すればよい。アンモニアガスや水素ガスを用いることに
よって、膜中に水素を含む絶縁膜405を得ることができる。また、成膜時の基板温度を
低くすることによって、成膜中の脱水素反応が抑制され、絶縁膜405に含まれる水素の
量を多くすることができる。その結果、支持基板との接合を強固に行うことが可能となる
。
は、支持基板400として用いることのできる基板は、アルミノシリケートガラス、アル
ミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われるガラス
基板や、表面に酸化シリコン膜や酸窒化シリコン膜が形成されたプラスチック基板等があ
る。
500mm×1850mm)、第7世代(1870mm×2200mm)、第8世代(2
200mm×2400mm)といわれる大面積のマザーガラス基板を用いることができる
。
単結晶半導体基板401表面に形成された絶縁膜405と支持基板400の表面とを密着
させることにより接合が形成される。この接合は、ファンデルワールス力が作用しており
、支持基板400と単結晶半導体基板401を圧接することにより、Si−H、Si−O
H、N−H、N−OHを結合手として、水素結合による強固な接合を形成することが可能
となる。
浄することが好ましい。あるいは、接合面の洗浄は、メガソニック洗浄とオゾン水洗浄の
双方行うことがより好ましい。それは、洗浄処理により、接合面の有機物等のゴミが除去
され、接合面を親水化することができるからである。
よい。加熱処理を行うことにより、支持基板400と単結晶半導体基板401の接合強度
が向上する。
処理は、接合面に垂直な方向に圧力が加わるように行う。加圧処理を行うことによって、
支持基板400の表面や絶縁膜405の表面に凹凸がある場合であっても、緻密性が低い
絶縁膜405により当該凹凸が吸収され、単結晶半導体基板401と支持基板400との
接合不良を効果的に低減することが可能となる。なお、加熱処理の温度は、支持基板40
0の耐熱温度以下で行えばよく、例えば、200乃至600℃で行えばよい。
部を支持基板400から分離する(図5(E)参照)。加熱処理温度は400℃以上支持
基板400の歪み点以下とする。なお、加熱処理にRTA(Rapid Thermal
Anneal)装置のような急速加熱を行うことができる装置を用いる場合には、支持
基板400の歪点より高い温度で加熱処理を行うことが可能になる。
亀裂を生じさせることができる。すなわち、損傷領域404に沿って単結晶半導体基板4
01を劈開することが可能となる。その結果、支持基板400上には、単結晶半導体基板
401と同じ結晶性の単結晶半導体層406が形成される。
半導体層406が設けられたガラス基板410が作製される。絶縁膜402および絶縁膜
405がバッファ層407である。
レーザ照射処理を行うことが好ましい。レーザ光を照射し、単結晶半導体層406を溶融
させることで、単結晶半導体層406の結晶性を回復させ、かつその上面の平坦性を向上
することができるからである。
入を、絶縁膜405の形成前でなく、絶縁膜405を形成した後に絶縁膜402及び絶縁
膜405を介して行うことによって、単結晶半導体基板401の表面から所定の深さの領
域に損傷領域404を形成してもよい。
5を接合させることで、図4(C)の基板33と同じ積層構造を有する基板を作製するこ
とができる。
結晶半導体基板401の表面を露出させる。そして、支持基板400側に絶縁膜を形成し
、この絶縁膜と単結晶半導体基板401を接合させることで、図4(B)の基板32と同
じ積層構造を有する基板を作製することができる。
成する。
術を用いて作製する。ここではゲート配線415を有するスイッチング用TFT411と
、ゲート電極413を有する駆動用TFT408と、フォトセンサと電気的に接続するT
FT409を同一基板上に形成する。フォトセンサと電気的に接続するTFT409は、
ゲート配線414を有している。それぞれのTFTは、nチャネル型TFTまたはpチャ
ネル型TFTを用いることができ、実施者が適宜用いる回路に合わせて設計する。また、
単結晶半導体層を下部電極とする保持容量412もこれらのTFTと同一工程で形成する
。なお、保持容量412は駆動用TFTのゲート電極413を上部電極とし、誘電体とし
て駆動用TFTのゲート絶縁膜と同一工程で得られる絶縁膜を用いる。
回路もnチャネル型TFTまたはpチャネル型TFTを用いて、同一基板上に形成する。
それぞれの単結晶半導体層と電気的に接続するソース電極またはドレイン電極、または上
方の配線と接続する接続電極が形成される。また、フォトセンサと電気的に接続するTF
T409の信号線419も形成される。また、スイッチング用TFTのソース信号線50
0も形成される。また、駆動用TFT408と電気的に接続される電源供給線417も形
成される。
、第1の電極418Rの周縁部を覆う絶縁物からなる隔壁420を形成する。
する場合、赤、青、緑の発光層をそれぞれ形成する。赤、青、緑の発光層は公知の技術、
例えば蒸着法やインクジェット法などを用いて成膜を行う。図6では、赤色の発光層42
1Rを形成する例を示している。次いで、発光層421R上に第2の電極422を選択的
に形成する。こうして発光素子423が形成される。
いない領域、即ち図7中の実線で囲んだ領域に相当する。なお、緑色の発光領域501G
は、第1の電極418G上において隔壁420と重なっていない領域、即ち図7中の実線
で囲んだ領域に相当する。なお、青色の発光領域501Bは、第1の電極418B上にお
いて隔壁420と重なっていない領域、即ち図7中の実線で囲んだ領域に相当する。
子423の発光を通過させる材料を用い、第2の電極422は透光性を有する導電膜を用
い、発光素子423の発光を通過させて光を取り出す。
25を形成する。
成する。第1の接続電極425は、フォトセンサ429と、TFT409とを電気的に接
続する電極である。フォトセンサ429は、N型半導体膜426、I型半導体膜(真性半
導体)427及びP型半導体膜428の積層で構成される。本実施例では、プラズマCV
D法を用いてN型半導体膜426としてリンを含む微結晶シリコン膜と、I型半導体膜4
27としてアモルファスシリコン膜と、P型半導体膜428としてボロンを含む微結晶シ
リコン膜とを積層する。
23の発光を通過させる材料を用いる。次いで、絶縁膜430にコンタクトホールを形成
し、絶縁膜430上にP型半導体膜428と電気的に接続する第2の接続電極431を形
成する。
装置は光学式のフォトセンサを有しており、タッチパネルの機能を表示部に有する。図6
に示す発光表示装置は、一箇所だけの位置検出だけでなく、同時に複数箇所の位置検出、
所謂マルチタッチ感知も行うことができる。
いる。なお、図7は、画素構成の一例を示す上面図であり、赤色発光領域に位置する第1
の電極418Rと、緑色発光領域に位置する第1の電極418Gとの間に3つのフォトセ
ンサ429、432、433を配置する例である。勿論、図7は、一例であって2つの隣
り合う発光素子の間に配置されるフォトセンサは3つに限定されず、2つ以上であれば特
に限定されない。また、3つのフォトセンサはそれぞれ1つの薄膜トランジスタに接続さ
れ、それらのゲート電極は共通となっているが特に限定されず、別々のゲート配線を用い
てもよい。また、信号線419は、3つのフォトセンサで共通となっているが特に限定さ
れず、別々の信号線を用いてもよい。また、本実施例では、発光素子を駆動するために2
個のTFTを用いる例を示したが、特に限定されない。また、一つのフォトセンサに電気
的に接続する1つのTFTを配置する例を示したが、特に限定されない。なお、簡略化の
ため、図7においては発光素子の第2の電極、及び発光層と、第1の接続電極及び第2の
接続電極は図示していない。
、必要があれば円偏光板などの偏光フィルムや、図2(A)に示したようにカラーフィル
タなどの光学フィルムを設けてもよい。
調整を行うことができる。特にカラーフィルタをフォトセンサと重ねることによって、外
光の赤色成分、青色成分、及び緑色成分を分別して検出し、その成分毎に赤色の発光素子
の輝度、青色の発光素子の輝度、緑色の発光素子の輝度をそれぞれ最適な輝度に調節する
ことができる。なお、外光の赤色成分、青色成分、及び緑色成分を分別して検出する場合
にはフォトセンサと接続するTFTの信号線は別々にする。
れ、指を接触させた領域は指に隠れるため使用者は表示を確認することはできない。従っ
て、フォトセンサを用いて外光が遮断されたエリアの位置を検出し、さらにそのエリアの
位置に対応する発光素子の発光輝度を高め、その強い発光を利用して指から反射した光を
フォトセンサで撮像する。即ち、フォトセンサで指の位置を認識した後は、表示部の一部
では表示が行われずにセンシングが部分的に行われ、他の一部、即ち、指が触れている部
分以外の領域は、通常の画面表示を行う。このように発光表示装置においては、表示画面
の一部でセンシングのための発光を行い、表示画面のその他の部分で表示を行うことがで
きる。また、他のセンシング方法として、画像表示とセンシングとの両方を行う例を示す
。図11に発光素子の1フレーム期間の動作の概略を示す。図11に示すように、まず、
映像信号を全画素分(1フレーム分)取り込んだ後、映像信号に合わせた輝度の発光を行
って表示を行った後、センシング用に高輝度の発光を行う。なお、図11中の実線110
1は、縦軸を電流値、横軸を時間として表した発光素子に流れる発光駆動電流の一例であ
る。また、フォトセンサは、センシング用発光期間に発光した強光が被写体に反射して入
射された光を撮像し、受光信号出力期間において、撮像期間で取り込まれたデータに対応
した受光信号電流を出力する。撮像期間は、フォトセンサの光感度が高ければ高いほど、
発光素子の輝度が高ければ高いほど短縮することができる。なお、図11では、まず映像
取り込み期間の後、表示発光期間とし、その後センシング用発光期間として受光動作する
例を挙げて説明したが、これらの動作の順番は一例にすぎない。例えば、最初に映像信号
を取り込み、センシング用に高輝度の発光を行った後、次いで受光動作期間の各動作を実
行し、最後に表示発光期間に移行する順序としてもよい。
データと比較することによって認証を行うことができる。
サを用いることが好ましく、フォトセンサの光電変換層に非晶質シリコン膜を用いること
は有用である。
うことができる。また、フォトセンサに電気的に接続するTFTの活性層として単結晶半
導体層を用いているため、指紋などのセンシングデータを短時間で処理することができる
。
例では、フォトセンサを覆う絶縁膜上に発光素子を作製する例を示す。図8に発光表示装
置の断面図を示す。なお、簡略化のため、図8において、図2(A)と同じ箇所には同じ
符号を用いることとする。
。
術を用いて作製する。トランジスタ101と、ゲート電極103を有する駆動用トランジ
スタ102を同一基板上に形成する。それぞれのTFTは、nチャネル型TFTまたはp
チャネル型TFTを用いることができ、実施者が適宜用いる回路に合わせて設計する。
回路もnチャネル型TFTまたはpチャネル型TFTを用いて、同一基板上に形成する。
それぞれの単結晶半導体層と電気的に接続するソース電極またはドレイン電極、または上
方の配線と接続する接続電極が形成される。
る。
、及び第1の接続電極191を形成する。なお、第1の接続電極191は駆動用トランジ
スタ102と電気的に接続する電極である。
る。第3の電極114は、フォトセンサ113と、トランジスタ101とを電気的に接続
する電極である。フォトセンサ113は、N型半導体110、I型半導体(真性半導体)
111及びP型半導体112の積層で構成される。本実施例では、プラズマCVD法を用
いてN型半導体110としてリンを含むアモルファスシリコン膜と、I型半導体111と
してアモルファスシリコン膜と、P型半導体112としてボロンを含むアモルファスシリ
コン膜とを積層する。
次いで、絶縁膜192にコンタクトホールを形成し、絶縁膜192上にP型半導体膜11
2と電気的に接続する第4の電極193と、第2の接続電極194を形成する。
4と接して形成する。次いで、第1の電極195の周縁部を覆う絶縁物からなる隔壁19
6を形成する。なお、隔壁196は、第2の接続電極194及び第4の電極193を覆っ
て形成する。
ラー表示とする場合、赤、青、緑の発光層をそれぞれ形成する。赤、青、緑の発光層は公
知の技術、例えば蒸着法やインクジェット法などを用いて成膜を行う。次いで、発光層1
97上に第2の電極198を形成する。こうして発光素子199が形成される。
料を用い、第2の電極198は透光性を有する導電膜を用い、可視光が第2の電極198
を通過させてフォトセンサ113に入射させる。
装置は光学式のフォトセンサを有しており、タッチパネルの機能を表示部に有する。図8
に示す発光表示装置は、一箇所だけの位置検出だけでなく、同時に複数箇所の位置検出、
所謂マルチタッチ感知も行うことができる。
止を行ってもよい。また、必要があれば円偏光板などの偏光フィルムや、図2(A)に示
したようにカラーフィルタなどの光学フィルムを設けてもよい。
例では、図2(B)を用いて以下に説明する。
術を用いて作製する。ここではゲート電極153を有するスイッチング用トランジスタ1
52と、フォトセンサと電気的に接続するトランジスタ151を同一基板上に形成する。
それぞれのTFTは、nチャネル型TFTまたはpチャネル型TFTを用いることができ
、実施者が適宜用いる回路に合わせて設計する。また、単結晶半導体層を下部電極とする
保持容量もこれらのTFTと同一工程で形成する。なお、保持容量は容量配線を上部電極
とし、誘電体としてスイッチング用TFTのゲート絶縁膜と同一工程で得られる絶縁膜を
用いる。
それぞれの単結晶半導体層と電気的に接続するソース電極またはドレイン電極、または上
方の配線と接続する接続電極が形成される。また、フォトセンサと電気的に接続するトラ
ンジスタ151の信号線も形成される。また、スイッチング用TFTのソース配線154
も形成される。
の例であるので、絶縁膜172は、可視光を通過する絶縁材料を用いる。次いで、絶縁膜
172にコンタクトホールを形成し、絶縁膜172上に第3の電極164を形成する。
る。第3の電極164は、フォトセンサ163と、トランジスタ151とを電気的に接続
する電極である。フォトセンサ163は、N型半導体膜160、I型半導体膜(真性半導
体)161及びP型半導体膜162の積層で構成される。本実施例では、プラズマCVD
法を用いてN型半導体膜160としてリンを含む微結晶シリコン膜と、I型半導体膜16
1としてアモルファスシリコン膜と、P型半導体膜162としてボロンを含む微結晶シリ
コン膜とを積層する。
る絶縁材料を用いる。次いで、絶縁膜173にコンタクトホールを形成し、絶縁膜173
上に画素電極171及び第4の電極165を形成する。
スペーサを用いてもよい。
を行う。そして、対向電極175、カラーフィルタ180、及びオーバーコート層181
が設けられた透光性を有する対向基板189を用意し、シール材を用いて基板150と貼
り合わせる。また、貼り合わせる前に、対向基板189にも配向膜を塗布し、ラビング処
理を行う。一対の基板間には液晶滴下法または液晶注入法を用いて液晶層174を配置す
る。
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するため、5重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層174に用
いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が10μs〜1
00μsと短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい
。
s内に一つのタッチ位置を検出する、或いは指紋データを検出する。なお、1画面の表示
期間を1フレーム期間と呼び、一つの時間軸に対応する1フレーム期間を複数の時間軸に
分割してサブフレーム期間を形成する。1フレーム期間を2つのサブフレーム期間に分割
すると、サブフレーム期間は、1フレーム期間の半分(即ち、1/120秒)となる。液
晶表示装置の場合、例えば、2つのサブフレーム期間のうち、一方のサブフレーム期間で
画素へ映像信号を1回印加して表示をし、もう一方のサブフレーム期間でリセット信号を
印加し、瞬間的に全面白表示を行えばよい。この全面白表示の時のバックライトの光を用
いて被写体に光を照射し、その反射光をフォトセンサで感知する。この場合、人間の目は
、一つのサブフレーム期間中の階調変化を認識することができず、結果的に人の目では、
映像信号による階調表示と全面白表示とが複合され、1フレーム期間の階調表示が、映像
信号による階調より高くなってしまう。従って、映像信号による階調表示と全面白表示と
が複合されても所望の階調を得るように映像信号を補正することが好ましい。
トとなる。また、偏光板なども用いるため、弱い光源となり、フォトセンサに入射される
までに低照度の光となる恐れがある。従って、アナログ信号をデジタル信号に変換するた
めの回路をセンサ制御回路に加え、低照度であると出力電圧が飽和する方式となるセンサ
制御回路とすることが好ましい。低照度であると出力電圧が飽和する方式は、特に低照度
領域で分解能も高く、確度の高い出力電圧を出力することができるとともに、広いダイナ
ミックレンジを取る事ができる。
て、例えば、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ナビゲーションシステム、音響再生装置(
携帯型デジタル音楽プレイヤー、カーオーディオ、オーディオコンポ等)、ノート型コン
ピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム
機又は電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Ve
rsatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディ
スプレイを備えた装置)等が挙げられる。
観図である。PDA1000は、筐体1001内に、図1に示すシステムが内蔵されてい
る。PDA1000は、表示部1002、操作ボタン1003、外部接続ポート1004
、スピーカ1005、マイク1006を有する。表示部1002を指(またはペン)など
で触れることで、PDA1000に情報を入力することができる。
表示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表
示モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
に示すように、表示部1002には、キーボード1030が表示され、また、画面103
1には、点線で囲ったキーボード1030から入力された文字を表示する。入力モードで
は、文字の入力操作を優先するため、表示部1002の画面のほとんどにキーボード10
30が表示される。キーボード1030のキー配列は使用する言語によって、変更される
。
する検出装置を設けることで、PDA1000の向き(縦か横か)を判断して、表示部1
002の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
1003の操作により行われる。また、表示部1002に表示される画像の種類によって
切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータ
であれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
示部1002のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モー
ドから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
002に掌や指を触れることで、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことが
できる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセン
シング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
る。図10にこのような電子機器の一例を示す。
示部1122、支持台1123等を有する。筐体1121に本発明の表示装置が内蔵され
、表示部1122の画素にはフォトセンサが複数設けられており、表示部1122は表示
機能と情報入力機能を有する。
体1131、第1表示部1132、第2表示部1133、操作ボタン1134等を有する
。筐体1131に本発明の表示装置が内蔵され、第1表示部1132または第2表示部1
133の画素にはフォトセンサが設けられており、第1表示部1132または第2表示部
1133は表示機能と情報入力機能を有する。第2表示部1133にキーボードを表示し
、表示されたキーボードを指(またはペン)などで触れることによって入力された文字を
第1表示部1132または第2表示部1133に表示することができる。従って、携帯型
ゲーム装置1130は、キーボード表示され、タッチ入力可能な第2表示部1133を用
いてノート型パーソナルコンピュータのような使用も可能である。
ある。
101:トランジスタ
102:駆動用トランジスタ
103:ゲート電極
104:配線
105:第1の電極
106:電界発光層
107:第2の電極
108:有機発光素子
110:N型半導体
109:指
111:I型半導体
112:P型半導体
113:フォトセンサ
114:第3の電極
115:第4の電極
Claims (3)
- 第1の画素電極と、
第2の画素電極と、
第3の画素電極と、
第1の画素電極と重なる領域を有する第1のカラーフィルタと、
第2の画素電極と重なる領域を有する第2のカラーフィルタと、
第3の画素電極と重なる領域を有する第3のカラーフィルタと、
前記第1の画素電極と前記第2の画素電極との間の光電変換素子と、
前記光電変換素子と重なる領域を有する第4のカラーフィルタと、を有し、
前記第4のカラーフィルタの色は、前記第1のカラーフィルタの色と異なり、
前記第4のカラーフィルタの色は、前記第2のカラーフィルタの色と異なり、
前記第4のカラーフィルタの色は、前記第3のカラーフィルタの色と同じであることを特徴とする表示装置。 - 第1のカラーフィルタと、
第2のカラーフィルタと、
第3のカラーフィルタと、
前記第1のカラーフィルタと重なる領域を有する第1の画素電極と、
前記第2のカラーフィルタと重なる領域を有する第2の画素電極と、
前記第3のカラーフィルタと重なる領域を有する第3の画素電極と、
前記第1のカラーフィルタと前記第2のカラーフィルタとの間の第4のカラーフィルタと、
前記第4のカラーフィルタと重なる領域を有する光電変換素子と、を有し、
前記第4のカラーフィルタの色は、前記第1のカラーフィルタの色と異なり、
前記第4のカラーフィルタの色は、前記第2のカラーフィルタの色と異なり、
前記第4のカラーフィルタの色は、前記第3のカラーフィルタの色と同じであることを特徴とする表示装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の表示装置と、
操作ボタン、マイク、スピーカー、又は筐体と、
を有することを特徴とする電子機器。
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