JP2002049593A - 本人認証システムまたは本人認証方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 携帯通信装置を用いた認証システムを提供す
る。 【解決手段】 センサー内蔵型の表示装置を用いて使用
者の生体情報を読み取る手段と、読み取った生体情報
と、基準となる生体情報を照合する手段と、前記照合が
合致した場合、交信先に合致したことを情報として伝え
る手段と、前記交信先が、前記照合が合致したことを情
報として受け取った後、前記使用者と前記交信先の間の
通信が許可されたことを前記使用者に通知する手段と、
を有することを特長とする本人認証システム。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は本人認証システムま
たは本人認証方法に関し、特に、センサー付ディスプレ
イを用いて、本人認証を行うことを特徴とする本人認証
システムまたは本人認証方法である。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話、携帯情報端末などの携
帯型の通信装置（携帯通信装置）を使用したインターネ
ットによる、通信技術が急速に発展しつつある。従来の
インターネットは、企業、家庭での据え置きパソコンに
電話回線を接続し、通信をおこなっていた。しかし、現
在では、携帯電話で、インターネットが簡単に出来るi
モードが普及し、さまざまな情報交換が簡便に行われる
ようになった。

【０００３】本明細書で記述するのはインターネットと
携帯通信装置を用いた本人認証システムに関するのもの
である。

【０００４】従来の携帯電話装置の例を図１６に示す。
図１６に示されるような従来の携帯電話装置は本体２６
０１、音声出力部２６０２、音声入力部２６０３、表示
部２６０４、操作スイッチ２６０５、アンテナ２６０６
などによって構成されている。通常の電話をかける場合
は液晶ディスプレイに相手先の電話番号や、電波の受信
状態などが表示される。また、インターネットを使用す
る場合には、相手先の必要情報が表示されることにな
る。

【０００５】図１６に示したような従来の携帯電話装置
を用いて、インターネット上で金銭授受を行う場合、本
人であることの確認が必要であるが、そのときは、あら
かじめ相手先に登録した暗証番号を入力して、相手先と
データのやり取りを行い、確認を行っていた。

【０００６】図１７に従来の本人認証のフローを示す。
使用者はまず、要望する相手先とインターネットを介し
て接続を行う。次に、相手先の指定した条件下で、認証
のための数値（暗証番号）を携帯電話装置より入力す
る。数値を受け取った相手先は自分のところにあらかじ
め登録された数値との照合を行い、合致するかどうかを
確認する。ここで合致が見られれば、使用者は本人と確
認され、要望する対応を得ることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記にて説明したよう
な従来の携帯電話を用いた認証システムでは以下の課題
があった。 １、本人であることの確認が難しい。暗証番号が本人以
外の人間に漏洩した場合、悪用される可能性がある。 ２、本人確認が毎回、相手先との通信を介して行われる
ため、通信コストが上昇し、また、通話の断絶が発生す
ると、再確認が必要となる。 ３、キーボードの入力の手間が多い。 という問題点がある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明によって、センサ
ー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取
る手段と、読み取った生体情報と、基準となる生体情報
を照合する手段と、前記照合が合致した場合、交信先に
合致したことを情報として伝える手段と、を有すること
を特長とする本人認証システムが提供される。

【０００９】本発明によって、センサー内蔵型の表示装
置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、読み取
った生体情報と、基準となる生体情報を照合する手段
と、前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを
情報として伝える手段と、前記交信先が、前記照合が合
致したことを情報として受け取った後、前記使用者と前
記交信先の間の通信が許可されたことを前記使用者に通
知する手段と、を有することを特長とする本人認証シス
テムが提供される。

【００１０】本発明によって、センサー内蔵型の表示装
置を有する携帯通信装置を用いた本人認証システムであ
って前記センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生
体情報を読み取る手段と、読み取った生体情報と、前記
携帯通信装置に記憶されている基準となる生体情報を照
合する手段と、前記照合が合致した場合、交信先に合致
したことを情報として伝える手段と、を有することを特
長とする本人認証システムが提供される。

【００１１】本発明によって、センサー内蔵型の表示装
置を有する携帯通信装置を用いた本人認証システムであ
って前記センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生
体情報を読み取る手段と、読み取った生体情報と、前記
携帯通信装置に記憶されている基準となる生体情報を照
合する手段と、前記照合が合致した場合、交信先に合致
したことを情報として伝える手段と、前記交信先が、前
記照合が合致したことを情報として受け取った後、前記
使用者と前記交信先の間の通信が許可されたことを情報
として前記携帯通信装置に伝える手段と、を有すること
を特長とする本人認証システムが提供される。

【００１２】本発明によって、センサー内蔵型の表示装
置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、読み取
った生体情報と、基準となる生体情報を照合する手段
と、前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを
情報として伝える手段と、を有することを特長とする本
人認証方法が提供される。

【００１３】本発明によって、センサー内蔵型の表示装
置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、読み取
った生体情報と、基準となる生体情報を照合する手段
と、前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを
情報として伝える手段と、前記交信先が、前記照合が合
致したことを情報として受け取った後、前記使用者と前
記交信先の間の通信が許可されたことを前記使用者に通
知する手段と、を有することを特長とする本人認証方法
が提供される。

【００１４】本発明によって、センサー内蔵型の表示装
置を有する携帯通信装置を用いた本人認証方法であって
前記センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情
報を読み取る手段と、読み取った生体情報と、前記携帯
通信装置に記憶されている基準となる生体情報を照合す
る手段と、前記照合が合致した場合、交信先に合致した
ことを情報として伝える手段と、を有することを特長と
する本人認証方法が提供される。

【００１５】本発明によって、センサー内蔵型の表示装
置を有する携帯通信装置を用いた本人認証方法であって
前記センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情
報を読み取る手段と、読み取った生体情報と、前記携帯
通信装置に記憶されている基準となる生体情報を照合す
る手段と、前記照合が合致した場合、交信先に合致した
ことを情報として伝える手段と、前記交信先が、前記照
合が合致したことを情報として受け取った後、前記使用
者と前記交信先の間の通信が許可されたことを情報とし
て前記携帯通信装置に伝える手段と、を有することを特
長とする本人認証方法が提供される。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明では、以上に述べた問題点
を解決するための形態として、本人認証を暗証番号では
なく、使用者が持つ生体情報（指紋、掌紋などその人間
が生まれつき持っている身体的な特徴情報）を識別し、
本人認証に使用するものである。また認証作業を相手先
で行うのではなく、携帯通信装置自体で行うことによ
り、システムとしての簡便性を増すものである。

【００１７】図１に本発明の本人認証システムの認証フ
ローを示す。まず、キーボード上で生体情報収集を指示
する。あらかじめプログラムされていれば、１つのキー
を押すことによって、生体情報収集がはじめられるよう
にすることも容易に可能である。また、携帯通信装置の
電源投入時に自動的に生体情報収集がはじめられるよう
にすることも可能である。

【００１８】得られた生体情報はあらかじめ携帯通信装
置の中の不揮発性メモリに蓄えられている基準となる本
人の生体情報と比較される。ここで、読み取られた生体
情報と、基準となる生体情報が合致すると判断されれ
ば、使用者は携帯通信装置の正しい所有者であると判断
される。判断終了後、相手先に送信をおこなう。このと
き、認証作業はすでに終了しているので、新たに相手先
との間で認証作業をする必要はなく、携帯通信装置から
認証は終了しているという情報を相手先は受け取るだけ
でよい。

【００１９】本実施の形態の本人認証システムに使用す
る携帯通信装置が従来と異なるのは、従来の携帯電話の
ディスプレイが表示専用であるのに対し、本実施の形態
の認証システムのディスプレイではセンサーを内臓して
いることである。ここで用いるセンサーはエリアセンサ
ーであり、使用者の生体情報を読み取るのに使用する。
ここでいう生体情報とは。使用者が生まれつき持ってい
る、身体上の固有の情報で、たとえば、指紋や手のひら
の掌紋（手相）などである。

【００２０】次に本発明の携帯通信装置について述べ
る。図２に示すのは本発明の携帯通信装置であり、２７
０１は表示用パネル、２７０２は操作用パネルである。
表示用パネル２７０１と操作用パネル２７０２とは接続
部２７０３において接続されている。そして接続部２７
０３における、表示用パネル２７０１のセンサー内蔵デ
ィスプレイ（センサー内蔵の表示装置）２７０４が設け
られている面と操作用パネル２７０２の操作キー２７０
６が設けられている面との角度θは、任意に変えること
ができる。

【００２１】表示用パネル２７０１はセンサー内蔵ディ
スプレイ２７０４を有している。また図２に示した携帯
通信装置は電話としての機能を有しており、表示用パネ
ル２７０１は音声出力部２７０５を有しており、音声が
音声出力部２７０５から出力される。センサー内蔵ディ
スプレイ２７０４にはＥＬディスプレイが用いられてい
る。

【００２２】操作用パネル２７０２は操作キー２７０
６、電源スイッチ２７０７、音声入力部２７０８を有し
ている。なお図２では操作キー２７０６と電源スイッチ
２７０７とを別個に設けたが、操作キー２７０６の中に
電源スイッチ２７０７が含まれる構成にしても良い。音
声入力部２７０８において、音声が入力される。

【００２３】なお図２では表示用パネル２７０１が音声
出力部２７０５を有し、操作用パネル２７０２が音声入
力部２７０８を有しているが、本実施例はこの構成に限
定されない。表示用パネル２７０１が音声入力部２７０
８を有し、操作用パネルが音声出力部２７０５を有して
いても良い。また音声出力部２７０５と音声入力部２７
０８とが共に表示用パネル２７０１に設けられていても
良いし、音声出力部２７０５と音声入力部２７０８とが
共に操作用パネル２７０２に設けられていても良い。

【００２４】図３、図４を用いて、図２で示した携帯通
信装置の使用方法について説明する。図３に示すよう
に、本装置によって認証を行う場合には、手のひらを携
帯通信装置に覆いかぶせるようにして使用する。認証は
キーボードでキー操作を行うとともに、使用者の手相を
センサー付ディスプレイが読み取り、認証作業を行う。
ここで手のひらは携帯装置を覆っているため、センシン
グにもちいられる光は、ディスプレイ内部より得る必要
がある。よって、ディスプレイは有機ＥＬディスプレイ
のように自発光のディスプレイが望ましい。図１８に示
すように、掌紋（手相）がセンサーによって読みとられ
る。

【００２５】なお図３では操作キー２７０６を人差し指
で操作している例について示したが、図４に示すよう
に、親指で操作キー２７０６を操作することも可能であ
る。なお操作キー２７０６は操作用パネル２７０２の側
面に設けても良い。操作は片手（きき手）の人差し指の
み、または親指のみでも可能である。

【００２６】

【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。

【００２７】（実施例１）以下に本発明に用いるセンサ
ー内蔵ディスプレイを有する携帯通信装置の実施例の構
成と、その動作について説明する。

【００２８】図５は本実施例の携帯通信装置のブロック
図である。この携帯通信装置はアンテナ６０１、送信受
信回路６０２、信号を圧縮伸張化、符号化する信号処理
回路６０３、制御用マイコン６０４、フラッシュメモリ
６０５、キーボード６０６、音声入力回路６０７、音声
出力回路６０８、マイク６０９、スピーカ６１０などを
有していることは従来と同じであるが、それに加えてセ
ンサー内蔵ディスプレイ６１１、照合回路部６１２など
を有している。

【００２９】照合を行うときには、ディスプレイ内部の
センサーによって得られたアナログ画像情報はＡ/Ｄコ
ンバータ６１３によってデジタル信号に変換される。変
換された信号はＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）
６１４におくられ、信号処理を行われる。信号処理とし
ては、手相をより判別しやすくするため、微分フィルタ
などを用い映像の濃淡が変わるところを際立たせること
が可能である。得られた手相データはＤＳＰ６１４内部
で数値化し、比較回路６１５に送られる。比較回路６１
５にはフラッシュメモリ６０５に記憶している基準デー
タも呼び出され、２つのデータは比較照合される。

【００３０】生体情報データを判別する方法としては、
元になるデータと収集したデータのそれぞれの特徴を比
較して照合する特徴照合方式と二つのデータを直接比較
する画像マッチング方式があるが、どちらの方式を用い
ても問題はない。また基準データは１つだけではなく、
手の向きを多少変えるなどして、複数の認証データを備
えたほうがより確実な認証が可能となる。

【００３１】ここで合致が見られれば、制御用マイコン
６０４は認証信号を出力し、信号処理部６０３、送受信
回路６０２、アンテナ６０１を介して、送信され、イン
ターネットなどを通じて伝達される。

【００３２】（実施例２）図６は本発明で使用するセン
サー内蔵型ディスプレイの構造を示すブロック図であ
る。１２０はソース信号線駆動回路、１２２はゲート信
号線駆動回路であり、共にスイッチング用ＴＦＴ１０４
及びＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５の駆動を制御している。ま
た１２１はセンサー用ソース信号線駆動回路、１２３は
センサー用ゲート信号線駆動回路であり、共にリセット
用ＴＦＴ１１０、バッファ用ＴＦＴ１１１及び選択用Ｔ
ＦＴ１１２の駆動を制御している。なお本明細書におい
て、ソース信号線駆動回路１２０、ゲート信号線駆動回
路１２２、センサー用ソース信号線駆動回路１２１、セ
ンサー用ゲート信号線駆動回路１２３を駆動部と呼ぶ。

【００３３】ソース信号線駆動回路１２０は、シフトレ
ジスタ１２０ａ、ラッチ（Ａ）１２０ｂ、ラッチ（Ｂ）
１２０ｃを有している。ソース信号線駆動回路１２０に
おいて、シフトレジスタ１２０ａにクロック信号（ＣＬ
Ｋ）およびスタートパルス（ＳＰ）が入力される。シフ
トレジスタ１２０ａは、これらのクロック信号（ＣＬ
Ｋ）およびスタートパルス（ＳＰ）に基づきタイミング
信号を順に発生させ、後段の回路へタイミング信号を順
次供給する。

【００３４】なおシフトレジスタ１２０ａからのタイミ
ング信号を、バッファ等（図示せず）によって緩衝増幅
し、後段の回路へ緩衝増幅したタイミング信号を順次供
給しても良い。タイミング信号が供給される配線には、
多くの回路あるいは素子が接続されているために負荷容
量（寄生容量）が大きい。この負荷容量が大きいために
生ずるタイミング信号の立ち上がりまたは立ち下がり
の”鈍り”を防ぐために、このバッファが設けられる。

【００３５】図７にセンサー部１０１の回路図を示す。
センサー部１０１はソース信号線Ｓ１〜Ｓｘ、電源供給
線Ｖ１〜Ｖｘ、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙ、リセット用ゲ
ート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙ、センサー用ゲート信号線Ｓ
Ｇ１〜ＳＧｙ、センサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘ、セン
サー用電源線ＶＢが設けられている。

【００３６】センサー部１０１は複数の画素１０２を有
している。画素１０２は、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘのい
ずれか１つと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１つ
と、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つと、リセッ
ト用ゲート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙのいずれか１つと、セ
ンサー用ゲート信号線ＳＧ１〜ＳＧｙのいずれか１つ
と、センサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘのいずれか１つ
と、センサー用電源線ＶＢとを有している。

【００３７】センサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘはそれぞ
れ定電流電源１０３＿１〜１０３＿ｘに接続されてい
る。

【００３８】図８に画素１０２の詳しい構成を示す。点
線で囲まれた領域が画素１０２である。なお、ソース信
号線Ｓは、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘのいずれか１つを意
味する。また電源供給線Ｖは電源供給線Ｖ１〜Ｖｘのい
ずれか１つを意味する。またゲート信号線Ｇはゲート信
号線Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つを意味する。またリセッ
ト用ゲート信号線ＲＧはリセット用ゲート信号線ＲＧ１
〜ＲＧｙのいずれか１つを意味する。またセンサー用ゲ
ート信号線ＳＧは、センサー用ゲート信号線ＳＧ１〜Ｓ
Ｇｙのいずれか１つを意味する。またセンサー出力配線
ＳＳはセンサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘのいずれか１つ
を意味する。

【００３９】画素１０２はスイッチング用ＴＦＴ１０
４、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５、ＥＬ素子１０６を有して
いる。また図８では画素１０２にコンデンサ１０７が設
けられているが、コンデンサ１０７を設けなくとも良
い。

【００４０】ＥＬ素子１０６は陽極と陰極と、陽極と陰
極との間に設けられたＥＬ層とからなる。陽極がＥＬ駆
動用ＴＦＴ１０５のソース領域またはドレイン領域と接
続している場合、陽極が画素電極、陰極が対向電極とな
る。逆に陰極がＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５のソース領域ま
たはドレイン領域と接続している場合、陽極が対向電
極、陰極が画素電極である。

【００４１】スイッチング用ＴＦＴ１０４のゲート電極
はゲート信号線Ｇに接続されている。そしてスイッチン
グ用ＴＦＴ１０４のソース領域とドレイン領域は、一方
がソース信号線Ｓに、もう一方がＥＬ駆動用ＴＦＴ１０
５のゲート電極に接続されている。

【００４２】ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５のソース領域とド
レイン領域は、一方が電源供給線Ｖに、もう一方がＥＬ
素子１０６に接続されている。コンデンサ１０７はＥＬ
駆動用ＴＦＴ１０５のゲート電極と電源供給線Ｖとに接
続して設けられている。

【００４３】さらに画素１０２は、リセット用ＴＦＴ１
１０、バッファ用ＴＦＴ１１１、選択用ＴＦＴ１１２、
フォトダイオード１１３を有している。

【００４４】リセット用ＴＦＴ１１０のゲート電極はリ
セット用ゲート信号線ＲＧに接続されている。リセット
用ＴＦＴ１１０のソース領域はセンサー用電源線ＶＢに
接続されている。センサー用電源線ＶＢは常に一定の電
位（基準電位）に保たれている。またリセット用ＴＦＴ
１１０のドレイン領域はフォトダイオード１１３及びバ
ッファ用ＴＦＴ１１１のゲート電極に接続されている。

【００４５】図示しないが、フォトダイオード１１３は
カソード電極と、アノード電極と、カソード電極とアノ
ード電極の間に設けられた光電変換層とを有している。
リセット用ＴＦＴ１１０のドレイン領域は、具体的には
フォトダイオード１１３のアノード電極又はカソード電
極に接続されている。

【００４６】バッファ用ＴＦＴ１１１のドレイン領域は
センサー用電源線ＶＢに接続されており、常に一定の基
準電位に保たれている。そしてバッファ用ＴＦＴ１１１
のソース領域は選択用ＴＦＴ１１２のソース領域又はド
レイン領域に接続されている。

【００４７】選択用ＴＦＴ１１２のゲート電極はセンサ
ー用ゲート信号線ＳＧに接続されている。そして選択用
ＴＦＴ１１２のソース領域とドレイン領域は、一方は上
述したとおりバッファ用ＴＦＴ１１１のソース領域に接
続されており、もう一方はセンサー出力配線ＳＳに接続
されている。センサー出力配線ＳＳは定電流電源１０３
（定電流電源１０３＿１〜１０３＿ｘのいずれか１つ）
に接続されており、常に一定の電流が流れている。

【００４８】図６に示したシフトレジスタ１２０ａから
のタイミング信号は、ラッチ（Ａ）１２０ｂに供給され
る。ラッチ（Ａ）１２０ｂは、デジタル信号（digital
signals）を処理する複数のステージのラッチを有して
いる。ラッチ（Ａ）１２０ｂは、前記タイミング信号が
入力されると同時に、デジタル信号を順次書き込み、保
持する。

【００４９】なお、ラッチ（Ａ）１２０ｂにデジタル信
号を取り込む際に、ラッチ（Ａ）１２０ｂが有する複数
のステージのラッチに、順にデジタル信号を入力しても
良い。しかし本願発明はこの構成に限定されない。ラッ
チ（Ａ）１２０ｂが有する複数のステージのラッチをい
くつかのグループに分け、各グループごとに並行して同
時にデジタル信号を入力する、いわゆる分割駆動を行っ
ても良い。なおこのときのグループの数を分割数と呼
ぶ。例えば４つのステージごとにラッチをグループに分
けた場合、４分割で分割駆動すると言う。

【００５０】ラッチ（Ａ）１２０ｂの全ステージのラッ
チへのデジタル信号の書き込みが一通り終了するまでの
時間を、ライン期間と呼ぶ。すなわち、ラッチ（Ａ）１
２０ｂ中で一番左側のステージのラッチにデジタル信号
の書き込みが開始される時点から、一番右側のステージ
のラッチにデジタル信号の書き込みが終了する時点まで
の時間間隔がライン期間である。実際には、上記ライン
期間に水平帰線期間が加えられた期間をライン期間に含
むことがある。

【００５１】１ライン期間が終了すると、ラッチ（Ｂ）
１２０ｃにラッチシグナル（LatchSignal）が供給され
る。この瞬間、ラッチ（Ａ）１２０ｂに書き込まれ保持
されているデジタル信号は、ラッチ（Ｂ）１２０ｃに一
斉に送出され、ラッチ（Ｂ）１２０ｃの全ステージのラ
ッチに書き込まれ、保持される。

【００５２】デジタル信号をラッチ（Ｂ）１２０ｃに送
出し終えたラッチ（Ａ）１２０ｂは、シフトレジスタ１
２０ａからのタイミング信号に基づき、再びデジタル信
号の書き込みを順次行う。

【００５３】この２順目の１ライン期間中には、ラッチ
（Ｂ）１２０ｂに書き込まれ、保持されているデジタル
信号がソース信号線Ｓ１〜Ｓｘに入力される。

【００５４】一方、ゲート信号側駆動回路１２２は、そ
れぞれシフトレジスタ、バッファ（いずれも図示せず）
を有している。また場合によっては、ゲート信号側駆動
回路１２２が、シフトレジスタ、バッファの他にレベル
シフトを有していても良い。

【００５５】ゲート信号側駆動回路１２２において、シ
フトレジスタ（図示せず）からのゲート信号がバッファ
（図示せず）に供給され、対応するゲート信号線に供給
される。ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙには、それぞれ１ライ
ン分の画素のスイッチング用ＴＦＴ１０４のゲート電極
が接続されており、１ライン分全ての画素のスイッチン
グ用ＴＦＴ１０４を同時にオンの状態にしなくてはなら
ないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なも
のが用いられる。

【００５６】なおソース信号線駆動回路とゲート信号線
駆動回路の数、構成及びその動作は、本実施例で示した
構成に限定されない。本発明のセンサー内蔵ディスプレ
イに用いられるエリアセンサーは、公知のソース信号線
駆動回路及びゲート信号線駆動回路を用いることが可能
である。

【００５７】本実施例の構成は、実施例１と自由に組み
合わせて実施することが可能である。

【００５８】（実施例３）実施例２のセンサー部とは異
なる構成を有するセンサー部の回路図を図９に示す。セ
ンサー部１００１はソース信号線Ｓ１〜Ｓｘ、電源供給
線Ｖ１〜Ｖｘ、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙ、リセット用ゲ
ート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙ、センサー出力配線ＳＳ１〜
ＳＳｘ、センサー用電源線ＶＢが設けられている。

【００５９】センサー部１００１は複数の画素１００２
を有している。画素１００２は、ソース信号線Ｓ１〜Ｓ
ｘのいずれか１つと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘのいずれか
１つと、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つと、リ
セット用ゲート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙのいずれか１つ
と、センサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘのいずれか１つ
と、センサー用電源線ＶＢとを有している。

【００６０】センサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘはそれぞ
れ定電流電源１００３＿１〜１００３＿ｘに接続されて
いる。

【００６１】画素１００２はスイッチング用ＴＦＴ１０
０４、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５、ＥＬ素子１００６を
有している。また図９では画素１００２にコンデンサ１
００７が設けられているが、コンデンサ１００７を設け
なくとも良い。さらに画素１００２は、リセット用ＴＦ
Ｔ１０１０、バッファ用ＴＦＴ１０１１、選択用ＴＦＴ
１０１２、フォトダイオード１０１３を有している。

【００６２】ＥＬ素子１００６は陽極と陰極と、陽極と
陰極との間に設けられたＥＬ層とからなる。陽極がＥＬ
駆動用ＴＦＴ１００５のソース領域またはドレイン領域
と接続している場合、陽極が画素電極、陰極が対向電極
となる。逆に陰極がＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５のソース
領域またはドレイン領域と接続している場合、陽極が対
向電極、陰極が画素電極である。

【００６３】スイッチング用ＴＦＴ１００４のゲート電
極はゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）に接続されている。そ
してスイッチング用ＴＦＴ１００４のソース領域とドレ
イン領域は、一方がソース信号線Ｓに、もう一方がＥＬ
駆動用ＴＦＴ１００５のゲート電極に接続されている。

【００６４】ＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５のソース領域と
ドレイン領域は、一方が電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）に、
もう一方がＥＬ素子１００６に接続されている。コンデ
ンサ１００７はＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５のゲート電極
と電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）とに接続して設けられてい
る。

【００６５】リセット用ＴＦＴ１０１０のゲート電極は
リセット用ゲート信号線（ＲＧ１〜ＲＧｘ）に接続され
ている。リセット用ＴＦＴ１０１０のソース領域はセン
サー用電源線ＶＢに接続されている。センサー用電源線
ＶＢは常に一定の電位（基準電位）に保たれている。ま
たリセット用ＴＦＴ１０１０のドレイン領域はフォトダ
イオード１０１３及びバッファ用ＴＦＴ１０１１のゲー
ト電極に接続されている。

【００６６】図示しないが、フォトダイオード１０１３
はカソード電極と、アノード電極と、カソード電極とア
ノード電極の間に設けられた光電変換層とを有してい
る。リセット用ＴＦＴ１０１０のドレイン領域は、具体
的にはフォトダイオード１０１３のアノード電極又はカ
ソード電極に接続されている。

【００６７】バッファ用ＴＦＴ１０１１のドレイン領域
はセンサー用電源線ＶＢに接続されており、常に一定の
基準電位に保たれている。そしてバッファ用ＴＦＴ１０
１１のソース領域は選択用ＴＦＴ１０１２のソース領域
又はドレイン領域に接続されている。

【００６８】選択用ＴＦＴ１０１２のゲート電極はゲー
ト信号線（Ｇ１〜Ｇｘ）に接続されている。そして選択
用ＴＦＴ１０１２のソース領域とドレイン領域は、一方
は上述したとおりバッファ用ＴＦＴ１０１１のソース領
域に接続されており、もう一方はセンサー出力配線（Ｓ
Ｓ１〜ＳＳｘ）に接続されている。センサー出力配線
（ＳＳ１〜ＳＳｘ）は定電流電源１００３（定電流電源
１００３＿１〜１００３＿ｘ）にそれぞれ接続されてお
り、常に一定の電流が流れている。

【００６９】本実施例において、スイッチング用ＴＦＴ
１００４及び選択用ＴＦＴ１０１２の極性は同じであ
る。つまり。スイッチング用ＴＦＴ１００４がｎチャネ
ル型ＴＦＴの場合、選択用ＴＦＴ１０１２もｎチャネル
型ＴＦＴである。またスイッチング用ＴＦＴ１００４が
ｐチャネル型ＴＦＴの場合、選択用ＴＦＴ１０１２もｐ
チャネル型ＴＦＴである。

【００７０】そして本実施例のエリアセンサーのセンサ
ー部は、図７に示したエリアセンサーと異なり、スイッ
チング用ＴＦＴ１００４のゲート電極と、選択用ＴＦＴ
１０１２のゲート電極が、共にゲート信号線（Ｇ１〜Ｇ
ｘ）に接続されていることである。よって本実施例のエ
リアセンサーの場合、各画素の有するＥＬ素子１００６
の発光する期間は、サンプリング期間（ＳＴ１〜ＳＴ
ｎ）と同じ長さである。上記構成によって、本実施例の
エリアセンサーは配線の数を図７の場合に比べて少なく
することができる。

【００７１】なお本実施例のエリアセンサーも、センサ
ー部１００１に画像を表示することは可能である。

【００７２】本実施例の構成は、実施例１または実施例
２と自由に組み合わせて実施することが可能である。

【００７３】（実施例４）図１０に本実施例のエリアセ
ンサーの上面図を示す。１３０はソース信号線駆動回
路、１３２はゲート信号線駆動回路である。また１３１
はセンサー用ソース信号線駆動回路、１３３はセンサー
用ゲート信号線駆動回路である。本実施例ではソース信
号線駆動回路とゲート信号線駆動回路とを１つづつ設け
たが、本願発明はこの構成に限定されない。ソース信号
線駆動回路を２つ設けても良い。また、ゲート信号線駆
動回路を２つ設けても良い。

【００７４】なお本明細書において、ソース信号線駆動
回路１３０、ゲート信号線駆動回路１３２、センサー用
ソース信号線駆動回路１３１、センサー用ゲート信号線
駆動回路１３３を駆動部と呼ぶ。

【００７５】ソース信号線駆動回路１３０は、シフトレ
ジスタ１３０ａ、レベルシフト１３０ｂ、サンプリング
回路１３０ｃを有している。なおレベルシフトは必要に
応じて用いればよく、必ずしも用いなくとも良い。また
本実施例においてレベルシフトはシフトレジスタ１３０
ａとサンプリング回路１３０ｃとの間に設ける構成とし
たが、本願発明はこの構成に限定されない。またシフト
レジスタ１３０ａの中にレベルシフト１３０ｂが組み込
まれている構成にしても良い。

【００７６】クロック信号（ＣＬＫ）、スタートパルス
信号（ＳＰ）がシフトレジスタ１３０ａに入力される。
シフトレジスタ１３０ａからアナログの信号（アナログ
信号）をサンプリングするためのサンプリング信号が出
力される。出力されたサンプリング信号はレベルシフト
１３０ｂに入力され、その電位の振幅が大きくなって出
力される。

【００７７】レベルシフト１３０ｂから出力されたサン
プリング信号は、サンプリング回路１３０ｃに入力され
る。そしてサンプリング回路１３０ｃに入力されるアナ
ログ信号がサンプリング信号によってそれぞれサンプリ
ングされ、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘに入力される。

【００７８】一方、ゲート信号側駆動回路１３２は、そ
れぞれシフトレジスタ、バッファ（いずれも図示せず）
を有している。また場合によっては、ゲート信号側駆動
回路１３２が、シフトレジスタ、バッファの他にレベル
シフトを有していても良い。

【００７９】ゲート信号側駆動回路１３２において、シ
フトレジスタ（図示せず）からのゲート信号がバッファ
（図示せず）に供給され、対応するゲート信号線に供給
される。ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙには、それぞれ１ライ
ン分の画素のスイッチング用ＴＦＴ１０４のゲート電極
が接続されており、１ライン分全ての画素のスイッチン
グ用ＴＦＴ１０４を同時にオンの状態にしなくてはなら
ないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なも
のが用いられる。

【００８０】なおソース信号線駆動回路とゲート信号線
駆動回路の数、構成及びその動作は、本実施例で示した
構成に限定されない。本発明のセンサー内蔵ディスプレ
イに用いられるエリアセンサーは、公知のソース信号線
駆動回路及びゲート信号線駆動回路を用いることが可能
である。

【００８１】なお本実施例において、センサー部１０１
は図７または図９に示した構成を有していても良い。

【００８２】本実施例は実施例１または実施例３と自由
に組み合わせて実施することが可能である。

【００８３】（実施例５）本実施例では基板上にセンサ
ー部のＴＦＴを作製する方法について詳細に説明する。

【００８４】まず、図１１（Ａ）に示すように、コーニ
ング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代
表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホ
ウケイ酸ガラスなどのガラスから成る基板７００上に酸
化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン
膜などの絶縁膜から成る下地膜７０１を形成する。例え
ば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ₄、ＮＨ₃、Ｎ₂Ｏから作
製される酸化窒化シリコン膜７０１ａを１０〜２００nm
（好ましくは５０〜１００nm）形成し、同様にＳｉ
Ｈ₄、Ｎ₂Ｏから作製される酸化窒化水素化シリコン膜７
０１ｂを５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０
nm）の厚さに積層形成する。本実施例では下地膜７０１
を２層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または
２層以上積層させた構造として形成しても良い。

【００８５】島状半導体層７０２〜７０７は、非晶質構
造を有する半導体膜をレーザー結晶化法や公知の熱結晶
化法を用いて作製した結晶質半導体膜で形成する。この
島状半導体層７０２〜７０７の厚さは２５〜８０ｎｍ
（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の厚さで形成する。結晶
質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコン
またはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金などで形
成すると良い。

【００８６】レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製
するには、パルス発振型または連続発光型のエキシマレ
ーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ₄レーザーを用いる。
これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器か
ら放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体
膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施
者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用
いる場合はパルス発振周波数３０Ｈｚとし、レーザーエ
ネルギー密度を１００〜４００mJ/cm²(代表的には２０
０〜３００mJ/cm²)とする。また、ＹＡＧレーザーを用
いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周波数１
〜１０ｋＨｚとし、レーザーエネルギー密度を３００〜
６００mJ/cm²(代表的には３５０〜５００mJ/cm²)とする
と良い。そして幅１００〜１０００μｍ、例えば４００
μｍで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照
射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバ
ーラップ率）を８０〜９８％として行う。

【００８７】次いで、島状半導体層７０２〜７０７を覆
うゲート絶縁膜７０８を形成する。ゲート絶縁膜７０８
はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４
０〜１５０ｎｍとしてシリコンを含む絶縁膜で形成す
る。本実施例では、１２０ｎｍの厚さで酸化窒化シリコ
ン膜で形成する。勿論、ゲート絶縁膜７０８はこのよう
な酸化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシ
リコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いて
も良い。例えば、酸化シリコン膜を用いる場合には、プ
ラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicat
e）とＯ₂とを混合し、反応圧力４０Pa、基板温度３００
〜４００℃とし、高周波（１３．５６MHz）電力密度
０．５〜０．８W/cm²で放電させて形成することができ
る。このようにして作製される酸化シリコン膜は、その
後４００〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜と
して良好な特性を得ることができる。

【００８８】そして、ゲート絶縁膜７０８上にゲート電
極を形成するための第１の導電膜７０９ａと第２の導電
膜７０９ｂとを形成する。本実施例では、第１の導電膜
７０９ａをＴａで５０〜１００ｎｍの厚さに形成し、第
２の導電膜７０９ｂをＷで１００〜３００ｎｍの厚さに
形成する。

【００８９】Ｔａ膜はスパッタ法で形成し、Ｔａのター
ゲットをＡｒでスパッタする。この場合、Ａｒに適量の
ＸｅやＫｒを加えると、Ｔａ膜の内部応力を緩和して膜
の剥離を防止することができる。また、α相のＴａ膜の
抵抗率は２０μΩcm程度でありゲート電極に使用するこ
とができるが、β相のＴａ膜の抵抗率は１８０μΩcm程
度でありゲート電極とするには不向きである。α相のＴ
ａ膜を形成するために、Ｔａのα相に近い結晶構造をも
つ窒化タンタルを１０〜５０ｎｍ程度の厚さでＴａの下
地に形成しておくとα相のＴａ膜を容易に得ることがで
きる。

【００９０】Ｗ膜を形成する場合には、Ｗをターゲット
としたスパッタ法で形成する。その他に６フッ化タング
ステン（ＷＦ₆）を用いる熱ＣＶＤ法で形成することも
できる。いずれにしてもゲート電極として使用するため
には低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０μ
Ωｃｍ以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大き
くすることで低抵抗率化を図ることができるが、Ｗ中に
酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され
高抵抗化する。このことより、スパッタ法による場合、
純度９９．９９９９％のＷターゲットを用い、さらに成
膜時に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮
してＷ膜を形成することにより、抵抗率９〜２０μΩｃ
ｍを実現することができる。

【００９１】なお、本実施例では、第１の導電膜７０９
ａをＴａ、第２の導電膜７０９ｂをＷとしたが、特に限
定されず、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ
から選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金
材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、リン
等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代
表される半導体膜を用いてもよい。本実施例以外の他の
組み合わせの一例は、第１の導電膜７０９ａを窒化タン
タル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜７０９ｂをＷと
する組み合わせ、第１の導電膜７０９ａを窒化タンタル
（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜７０９ｂをＡｌとす
る組み合わせ、第１の導電膜７０９ａを窒化タンタル
（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜７０９ｂをＣｕとす
る組み合わせで形成することが好ましい。

【００９２】次に、レジストによるマスク７１０〜７１
５を形成し、電極及び配線を形成するための第１のエッ
チング処理を行う。本実施例ではＩＣＰ（Inductively
Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を
用い、エッチング用ガスにＣＦ₄とＣｌ₂を混合し、１Pa
の圧力でコイル型の電極に５００WのＲＦ（13.56MHz）
電力を投入してプラズマを生成して行う。基板側（試料
ステージ）にも１００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入
し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ₄
とＣｌ₂を混合した場合にはＷ膜及びＴａ膜とも同程度
にエッチングされる。

【００９３】上記エッチング条件では、レジストによる
マスクの形状を適したものとすることにより、基板側に
印加するバイアス電圧の効果により第１の導電層及び第
２の導電層の端部がテーパー形状となる。テーパー部の
角度は１５〜４５°となる。ゲート絶縁膜上に残渣を残
すことなくエッチングするためには、１０〜２０％程度
の割合でエッチング時間を増加させると良い。Ｗ膜に対
する酸化窒化シリコン膜の選択比は２〜４（代表的には
３）であるので、オーバーエッチング処理により、酸化
窒化シリコン膜が露出した面は２０〜５０nm程度エッチ
ングされることになる。こうして、第１のエッチング処
理により第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形
状の導電層７１９〜７２４（第１の導電層７１９ａ〜７
２４ａと第２の導電層７１９ｂ〜７２４ｂ）を形成す
る。７１８はゲート絶縁膜であり、第１の形状の導電層
７１９〜７２４で覆われない領域は２０〜５０nm程度エ
ッチングされ薄くなった領域が形成される。（図１１
（Ｂ））

【００９４】そして、第１のドーピング処理を行いｎ型
を付与する不純物元素を添加する。（図１１（Ｃ））ド
ーピングの方法はイオンドープ法若しくはイオン注入法
で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×
１０¹³〜５×１０¹⁴atoms/cm ²とし、加速電圧を６０〜
１００ｋｅＶとして行う。ｎ型を付与する不純物元素と
して１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または
砒素（Ａｓ）を用いるが、ここではリン（Ｐ）を用い
る。この場合、導電層７１９〜７２４がｎ型を付与する
不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第１の
不純物領域７２６〜７３１が形成される。第１の不純物
領域７２６〜７３１には１×１０²⁰〜１×１０²¹atomic
/cm³の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加す
る。

【００９５】次に、図１１（Ｄ）に示すように第２のエ
ッチング処理を行う。同様にＩＣＰエッチング法を用
い、エッチングガスにＣＦ₄とＣｌ₂とＯ₂を混合して、
１Paの圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ電力(13.
56MHz)を供給し、プラズマを生成して行う。基板側（試
料ステージ）には５０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入
し、第１のエッチング処理に比べ低い自己バイアス電圧
を印加する。このような条件によりＷ膜を異方性エッチ
ングし、かつ、それより遅いエッチング速度で第１の導
電層であるＴａを異方性エッチングして第２の形状の導
電層７３３〜７３８（第１の導電層７３３ａ〜７３８ａ
と第２の導電層７３３ｂ〜７３８ｂ）を形成する。７３
２はゲート絶縁膜であり、第２の形状の導電層７３３〜
７３８で覆われない領域はさらに２０〜５０nm程度エッ
チングされ薄くなった領域が形成される。

【００９６】Ｗ膜やＴａ膜のＣＦ₄とＣｌ₂の混合ガスに
よるエッチング反応は、生成されるラジカルまたはイオ
ン種と反応生成物の蒸気圧から推測することができる。
ＷとＴａのフッ化物と塩化物の蒸気圧を比較すると、Ｗ
のフッ化物であるＷＦ₆が極端に高く、その他のＷＣ
ｌ₅、ＴａＦ₅、ＴａＣｌ₅は同程度である。従って、Ｃ
Ｆ₄とＣｌ₂の混合ガスではＷ膜及びＴａ膜共にエッチン
グされる。しかし、この混合ガスに適量のＯ₂を添加す
るとＣＦ₄とＯ₂が反応してＣＯとＦになり、Ｆラジカル
またはＦイオンが多量に発生する。その結果、フッ化物
の蒸気圧が高いＷ膜のエッチング速度が増大する。一
方、ＴａはＦが増大しても相対的にエッチング速度の増
加は少ない。また、ＴａはＷに比較して酸化されやすい
ので、Ｏ₂を添加することでＴａの表面が酸化される。
Ｔａの酸化物はフッ素や塩素と反応しないためさらにＴ
ａ膜のエッチング速度は低下する。従って、Ｗ膜とＴａ
膜とのエッチング速度に差を作ることが可能となりＷ膜
のエッチング速度をＴａ膜よりも大きくすることが可能
となる。

【００９７】そして、図１２（Ａ）に示すように第２の
ドーピング処理を行う。この場合、第１のドーピング処
理よりもドーズ量を下げて高い加速電圧の条件としてｎ
型を付与する不純物元素をドーピングする。例えば、加
速電圧を７０〜１２０ｋｅＶとし、１×１０¹³/cm²のド
ーズ量で行い、図１１（Ｃ）で島状半導体層に形成され
た第１の不純物領域の内側に新な不純物領域を形成す
る。ドーピングは、第２の形状の導電層７３３〜７３８
を不純物元素に対するマスクとして用い、第２の導電層
７３３ａ〜７３８ａの下側の領域にも不純物元素が添加
されるようにドーピングする。こうして、第２の導電層
７３３ａ〜７３８ａと重なる第３の不純物領域７３９〜
７４４と、第１の不純物領域と第３の不純物領域との間
の第２の不純物領域７４６〜７５１とを形成する。ｎ型
を付与する不純物元素は、第２の不純物領域で１×１０
¹⁷〜１×１０¹⁹atoms/cm³の濃度となるようにし、第３
の不純物領域で１×１０¹⁶〜１×１０¹⁸atoms/cm³の濃
度となるようにする。

【００９８】そして、図１２（Ｂ）に示すように、ｐチ
ャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層７０４、７０７
に一導電型とは逆の導電型の第４の不純物領域７５５〜
７５７を形成する。第２の導電層７３５ｂ、７３８ｂを
不純物元素に対するマスクとして用い、自己整合的に不
純物領域を形成する。このとき、ｎチャネル型ＴＦＴを
形成する島状半導体層７０２、７０３、７０６の全面と
７０５の一部は、レジストマスク７５２〜７５４で被覆
しておく。不純物領域７５５ａ、ｂ、ｃ〜７５７ａ、
ｂ、ｃには異なる濃度でリンが添加されているが、ジボ
ラン（Ｂ₂Ｈ₆）を用いたイオンドープ法で形成し、その
いずれの領域においても不純物濃度を２×１０²⁰〜２×
１０²¹atoms/cm³となるようにする。

【００９９】以上までの工程でそれぞれの島状半導体層
に不純物領域が形成される。島状半導体層と重なる第２
の導電層７３３〜７３８がゲート電極として機能する。

【０１００】レジストマスク７５２〜７５４を除去した
後、導電型の制御を目的として図１２（Ｃ）に示すよう
に、それぞれの島状半導体層に添加された不純物元素を
活性化する工程を行う。この工程はファーネスアニール
炉を用いる熱アニール法で行う。その他に、レーザーア
ニール法、またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ
法）を適用することができる。熱アニール法では酸素濃
度が１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素
雰囲気中で４００〜７００℃、代表的には５００〜６０
０℃で行うものであり、本実施例では５００℃で４時間
の熱処理を行う。ただし、７３３〜７３８に用いた配線
材料が熱に弱い場合には、配線等を保護するため層間絶
縁膜（シリコンを主成分とする）を形成した後で活性化
を行うことが好ましい。

【０１０１】さらに、３〜１００％の水素を含む雰囲気
中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行
い、島状半導体層を水素化する工程を行う。この工程は
熱的に励起された水素により半導体層のダングリングボ
ンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、
プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用い
る）を行っても良い。

【０１０２】次いで、第１の層間絶縁膜７６０は酸化窒
化シリコン膜から１００〜２００ｎｍの厚さで形成す
る。その上に有機絶縁物材料から成る第２の層間絶縁膜
７６１を形成する。次いで、コンタクトホールを形成す
るためのエッチング工程を行う。

【０１０３】そして、島状半導体層のソース領域とコン
タクトを形成するソース配線７６２〜７６７、ドレイン
領域とコンタクトを形成するドレイン配線７６８〜７７
３を形成する。図示していないが、本実施例ではこの電
極を、Ｔｉ膜を１００ｎｍ、Ｔｉを含むＡｌ膜３００ｎ
ｍ、Ｔｉ膜１５０ｎｍをスパッタ法で連続して形成した
３層構造の電極として用いた（図１３（Ａ））。

【０１０４】そして、ソース配線７６２〜７６７と、ド
レイン配線７６８〜７７３と、第２の層間絶縁膜７６１
を覆ってパッシベーション膜７７４を形成した。パッシ
ベーション膜７７４は、窒化珪素膜で５０ｎｍの厚さで
形成した。さらに、有機樹脂からなる第３の層間絶縁膜
７７５を約１０００ｎｍの厚さに形成した。有機樹脂膜
としては、ポリイミド、アクリル、ポリイミドアミド等
を使用することができる。有機樹脂膜を用いることの利
点は、成膜方法が簡単である点や、比誘電率が低いの
で、寄生容量を低減できる点、平坦性に優れる点などが
上げられる。なお上述した以外の有機樹脂膜を用いるこ
ともできる。ここでは、基板に塗布後、熱重合するタイ
プのポリイミドを用い、３００℃で焼成して形成した。

【０１０５】次に、第３の層間絶縁膜７７５及びパッシ
ベーション膜７７４に、ドレイン配線７７３、７７１に
達するコンタクトホールを形成し、画素電極７７６、セ
ンサー用配線７７７を形成する。本実施例では酸化イン
ジウム・スズ（ＩＴＯ）膜を１１０ｎｍの厚さに形成
し、パターニングを行ってセンサー用配線７７７及び画
素電極７７６を同時に形成する。また、酸化インジウム
に２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電
膜を用いても良い。この画素電極７７６がＥＬ素子の陽
極となる（図１３（Ｂ））。

【０１０６】次に、樹脂材料でなるバンク７７８を形成
する。バンク７７８は１〜２μm厚のアクリル膜または
ポリイミド膜をパターニングして形成すれば良い。この
バンク７７８は画素と画素との間にストライプ状に形成
される。本実施例では、バンク７７８はソース配線７７
６上に沿って形成しているが、ゲート配線（図示せず）
上に沿って形成しても良い。なおバンク７７８を形成し
ている樹脂材料に顔料等を混ぜ、バンク７７８を遮蔽膜
として用いても良い。

【０１０７】またバンク７７８を形成する際に同時に、
画素電極７７６の、ドレイン配線７７３に達するコンタ
クトホール上に、画素電極７７６上に形成されるＥＬ層
を平坦化するための平坦化部を形成しても良い。

【０１０８】次に、ＥＬ層７７９及び陰極（ＭｇＡｇ電
極）７８０を、真空蒸着法を用いて大気解放しないで連
続形成する。なお、ＥＬ層７７９の膜厚は８０〜２００
ｎｍ（典型的には１００〜１２０ｎｍ）、陰極７８０の
厚さは１８０〜３００ｎｍ（典型的には２００〜２５０
ｎｍ）とすれば良い。なお、本実施例では一画素しか図
示されていないが、このとき同時に赤色に発光するＥＬ
層、緑色に発光するＥＬ層及び青色に発光するＥＬ層が
形成される。

【０１０９】この工程では、赤色に対応する画素、緑色
に対応する画素及び青色に対応する画素に対して順次Ｅ
Ｌ層７７９及び陰極７８０を形成する。但し、ＥＬ層７
７９は溶液に対する耐性に乏しいためフォトリソグラフ
ィ技術を用いずに各色個別に形成しなくてはならない。
そこでメタルマスクを用いて所望の画素以外を隠し、必
要箇所だけ選択的にＥＬ層７７９及び陰極７８０を形成
するのが好ましい。

【０１１０】即ち、まず赤色に対応する画素以外を全て
隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて赤色発光の
ＥＬ層及び陰極を選択的に形成する。次いで、緑色に対
応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマス
クを用いて緑色発光のＥＬ層及び陰極を選択的に形成す
る。次いで、同様に青色に対応する画素以外を全て隠す
マスクをセットし、そのマスクを用いて青色発光のＥＬ
層及び陰極を選択的に形成する。なお、ここでは全て異
なるマスクを用いるように記載しているが、同じマスク
を使いまわしても構わない。また、全画素にＥＬ層及び
陰極を形成するまで真空を破らずに処理することが好ま
しい。

【０１１１】なお、本実施例ではＥＬ層７７９を発光層
のみからなる単層構造とするが、ＥＬ層は発光層の他に
正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等を
有していても構わない。このように組み合わせは既に様
々な例が報告されており、そのいずれの構成を用いても
構わない。ＥＬ層７７９としては公知の材料を用いるこ
とができる。公知の材料としては、ＥＬ駆動電圧を考慮
すると有機材料を用いるのが好ましい。また、本実施例
ではＥＬ素子の陰極としてＭｇＡｇ電極を用いた例を示
すが、公知の他の材料を用いることが可能である。

【０１１２】こうして図１３（Ｃ）に示すような構造の
センサー基板が完成する。なお、バンク７７８を形成し
た後、陰極７８０を形成するまでの工程をマルチチャン
バー方式（またはインライン方式）の薄膜形成装置を用
いて、大気解放せずに連続的に処理することは有効であ
る。

【０１１３】なお本実施例ではセンサー部が有するＴＦ
Ｔの作製行程について説明したが、駆動部が有するＴＦ
Ｔも上述したプロセスを参照して、同時に基板上に形成
しても良い。

【０１１４】７８１はバッファ用ＴＦＴ、７８２は選択
用ＴＦＴ、７８３はリセット用ＴＦＴ、７８４はフォト
ダイオード、７８５はスイッチング用ＴＦＴ、７８６は
ＥＬ駆動用ＴＦＴに相当する。

【０１１５】本実施例ではスイッチング用ＴＦＴ７８５
をシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造
でも構わないし、トリプルゲート構造やそれ以上のゲー
ト本数を持つマルチゲート構造でも構わない。スイッチ
ング用ＴＦＴ７８５をダブルゲート構造とすることで、
実質的に二つのＴＦＴが直列された構造となり、オフ電
流値を低減することができるという利点がある。

【０１１６】なお本実施例においてフォトダイオード７
８４上に設けられているゲート電極７３６は、フォトダ
イオード７８４に光が照射されていない時に、カソード
電極７８７とアノード電極７８８の間に設けられた光電
変換層７８９に電流が流れないような電位に常に保たれ
ている。

【０１１７】本実施例においてバッファ用ＴＦＴ７８１
と、選択用ＴＦＴ７８２と、スイッチング用ＴＦＴ７８
５はｎチャネル型ＴＦＴであり、それぞれチャネル形成
領域８０１〜８０３、第１のゲート電極７３３ａ、７３
４ａ、７３７ａと重なる第３の不純物領域８０４〜８０
６（Ｌｏｖ領域）、第１のゲート電極７３３ａ、７３４
ａ、７３７ａの外側に形成される第２の不純物領域８０
７〜８０９（Ｌｏｆｆ領域）とソース領域またはドレイ
ン領域として機能する第１の不純物領域８１０〜８１２
を有している。

【０１１８】また本実施例において、リセット用ＴＦＴ
７８３、ＥＬ駆動用ＴＦＴ７８６はｐチャネル型ＴＦＴ
であり、それぞれチャネル形成領域８１３、８１４、第
１のゲート電極７３５ａ、７３８ａと重なる第４の不純
物領域８１５、８１６、第１のゲート電極７３５ａ、７
３８ａの外側に形成される第５の不純物領域８１７、８
１８、ソース領域またはドレイン領域として機能する第
６の不純物領域８１９、８２０を有している。

【０１１９】なお、実際には図１３（Ｃ）まで完成した
ら、さらに外気に曝されないように気密性が高く、脱ガ
スの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線
硬化樹脂フィルム等）や透光性のシーリング材でパッケ
ージング（封入）することが好ましい。その際、シーリ
ング材の内部を不活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材
料（例えば酸化バリウム）を配置したりするとＥＬ素子
の信頼性が向上する。

【０１２０】また、パッケージング等の処理により気密
性を高めたら、基板上に形成された素子又は回路から引
き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネ
クター（フレキシブルプリントサーキット：ＦＰＣ）を
取り付けて製品として完成する。このような出荷できる
までした状態を本明細書中ではエリアセンサという。

【０１２１】なお、本発明は上述した作製方法に限定さ
れず、公知の方法を用いて作製することが可能である。
また本実施例は、実施例１〜実施例４と自由に組み合わ
せて実施することが可能である。

【０１２２】（実施例６）本実施例は本発明を使用する
状況を述べるものである。本人認証が生体情報までの高
度な認証が不要な場合は本発明を使用しないこともあり
える。小額の金銭移動などの場合は必ずしも必要ではな
い。

【０１２３】このため、認証の有無が選択できること、
たとえば金銭が高額な移動が伴う場合のみに選択的に認
証が出来るようにすることも可能である。取引先の状況
に合わせ使用することや、あらかじめ携帯情報装置の制
御マイコン上に判定基準を設定しておき、数値が一定値
を超えた場合のみ使用することが可能である。また、認
証結果を必要な場合のみ認証結果をインターネットで伝
達することも可能である。

【０１２４】なお、本実施例は、実施例１〜実施例５と
自由に組み合わせて実施することが可能である。

【０１２５】（実施例７）本実施例では、本発明のセン
サー内蔵ディスプレイに用いられるＥＬ（エレクトロル
ミネセンス）ディスプレイ（エリアセンサー）を作製し
た例について説明する。なお、図１４（Ａ）は本発明の
ＥＬ表示装置の上面図であり、図１４（Ｂ）はその断面
図である。

【０１２６】図１４（Ａ）、（Ｂ）において、４００１
は基板、４００２は画素部、４００３はソース側駆動回
路、４００４はゲート側駆動回路であり、それぞれの駆
動回路は配線４００５を経てＦＰＣ（フレキシブルプリ
ントサーキット）４００６に至り、外部機器へと接続さ
れる。

【０１２７】このとき、画素部４００２、ソース側駆動
回路４００３及びゲート側駆動回路４００４を囲むよう
にして第１シール材４１０１、カバー材４１０２、充填
材４１０３及び第２シール材４１０４が設けられてい
る。

【０１２８】図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）をＡ−Ａ’で
切断した断面図に相当し、基板４００１の上にフォトダ
イオード４２０１及び画素部４００２に含まれるＥＬ駆
動用ＴＦＴ（ＥＬ素子への電流を制御するＴＦＴ）４２
０２が形成されている。

【０１２９】ＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２には公知の方法
で作製されたｐチャネル型ＴＦＴが用いられる。また、
画素部４００２にはＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２のゲート
に接続された保持容量（図示せず）が設けられる。

【０１３０】フォトダイオード４２０１及びＥＬ駆動用
ＴＦＴ４２０２の上には樹脂材料でなる層間絶縁膜（平
坦化膜）４３０１が形成され、その上にＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔ４２０２のドレインと電気的に接続する画素電極（陽
極）４３０２が形成される。画素電極４３０２としては
仕事関数の大きい透明導電膜が用いられる。透明導電膜
としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化
インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズ
または酸化インジウムを用いることができる。また、前
記透明導電膜にガリウムを添加したものを用いても良
い。

【０１３１】そして、画素電極４３０２の上には絶縁膜
４３０３が形成され、絶縁膜４３０３は画素電極４３０
２の上に開口部が形成されている。この開口部におい
て、画素電極４３０２の上にはＥＬ（エレクトロルミネ
ッセンス）層４３０４が形成される。ＥＬ層４３０４は
公知の有機ＥＬ材料または無機ＥＬ材料を用いることが
できる。また、有機ＥＬ材料には低分子系（モノマー
系）材料と高分子系（ポリマー系）材料があるがどちら
を用いても良い。

【０１３２】ＥＬ層４３０４の形成方法は公知の蒸着技
術もしくは塗布法技術を用いれば良い。また、ＥＬ層の
構造は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層ま
たは電子注入層を自由に組み合わせて積層構造または単
層構造とすれば良い。

【０１３３】ＥＬ層４３０４の上には遮光性を有する導
電膜（代表的にはアルミニウム、銅もしくは銀を主成分
とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層膜）か
らなる陰極４３０５が形成される。また、陰極４３０５
とＥＬ層４３０４の界面に存在する水分や酸素は極力排
除しておくことが望ましい。従って、真空中で両者を連
続成膜するか、ＥＬ層４３０４を窒素または希ガス雰囲
気で形成し、酸素や水分に触れさせないまま陰極４３０
５を形成するといった工夫が必要である。本実施例では
マルチチャンバー方式（クラスターツール方式）の成膜
装置を用いることで上述のような成膜を可能とする。

【０１３４】そして陰極４３０５は４３０６で示される
領域において配線４００５に電気的に接続される。配線
４００５は陰極４３０５に所定の電圧を与えるための配
線であり、異方導電性フィルム４３０７を介してＦＰＣ
４００６に電気的に接続される。

【０１３５】以上のようにして、画素電極（陽極）４３
０２、ＥＬ層４３０４及び陰極４３０５からなるＥＬ素
子が形成される。このＥＬ素子は、第１シール材４１０
１及び第１シール材４１０１によって基板４００１に貼
り合わされたカバー材４１０２で囲まれ、充填材４１０
３により封入されている。

【０１３６】カバー材４１０２としては、ガラス材、金
属材（代表的にはステンレス材）、セラミックス材、プ
ラスチック材（プラスチックフィルムも含む）を用いる
ことができる。プラスチック材としては、ＦＲＰ（Ｆｉ
ｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔ
ｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィル
ム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはア
クリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アル
ミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフィルムで
挟んだ構造のシートを用いることもできる。

【０１３７】但し、ＥＬ素子からの光の放射方向がカバ
ー材側に向かう場合にはカバー材は透明でなければなら
ない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリ
エステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透明
物質を用いる。

【０１３８】また、充填材４１０３としては紫外線硬化
樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポ
リビニルクロライド）、アクリル、ポリイミド、エポキ
シ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラ
ル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用い
ることができる。この充填材４１０３の内部に吸湿性物
質（好ましくは酸化バリウム）もしくは酸素を吸着しう
る物質を設けておくとＥＬ素子の劣化を抑制できる。

【０１３９】また、充填材４１０３の中にスペーサを含
有させてもよい。このとき、スペーサを酸化バリウムで
形成すればスペーサ自体に吸湿性をもたせることが可能
である。また、スペーサを設けた場合、スペーサからの
圧力を緩和するバッファ層として陰極４３０５上に樹脂
膜を設けることも有効である。

【０１４０】また、配線４００５は異方導電性フィルム
４３０７を介してＦＰＣ４００６に電気的に接続され
る。配線４００５は画素部４００２、ソース側駆動回路
４００３及びゲート側駆動回路４００４に送られる信号
をＦＰＣ４００６に伝え、ＦＰＣ４００６により外部機
器と電気的に接続される。

【０１４１】また、本実施例では第１シール材４１０１
の露呈部及びＦＰＣ４００６の一部を覆うように第２シ
ール材４１０４を設け、ＥＬ素子を徹底的に外気から遮
断する構造となっている。こうして図１４（Ｂ）の断面
構造を有するＥＬ表示装置となる。

【０１４２】（実施例８）本実施例では、本発明で用い
られるＥＬ（エレクトロルミネセンス）表示装置の図１
４とは異なる例について説明する。なお、図１５（Ａ）
は本発明のＥＬ表示装置の上面図であり、図１５（Ｂ）
はその断面図である。なお図１４で既に示したものは同
じ符号を用いる。

【０１４３】図１５（Ａ）、（Ｂ）において４５０１は
カバー層であり、画素部４００２、ソース側駆動回路４
００３及びゲート側駆動回路４００４を覆うように、基
板４００１上に形成されている。

【０１４４】図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）をＡ−Ａ’で
切断した断面図に相当し、フォトダイオード４２０１及
びＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２の上には樹脂材料でなる層
間絶縁膜（平坦化膜）４３０１が形成され、その上にＥ
Ｌ駆動用ＴＦＴ４２０２のドレインと電気的に接続する
画素電極（陽極）４３０２が形成される。

【０１４５】そして、画素電極４３０２の上には絶縁膜
４３０３が形成され、絶縁膜４３０３は画素電極４３０
２の上に開口部が形成されている。この開口部におい
て、画素電極４３０２の上にはＥＬ（エレクトロルミネ
ッセンス）層４３０４が形成される。ＥＬ層４３０４は
公知の有機ＥＬ材料または無機ＥＬ材料を用いることが
できる。また、有機ＥＬ材料には低分子系（モノマー
系）材料と高分子系（ポリマー系）材料があるがどちら
を用いても良い。

【０１４６】ＥＬ層４３０４の形成方法は公知の蒸着技
術もしくは塗布法技術を用いれば良い。また、ＥＬ層の
構造は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層ま
たは電子注入層を自由に組み合わせて積層構造または単
層構造とすれば良い。

【０１４７】ＥＬ層４３０４の上には遮光性を有する導
電膜（代表的にはアルミニウム、銅もしくは銀を主成分
とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層膜）か
らなる陰極４３０５が形成される。また、陰極４３０５
とＥＬ層４３０４の界面に存在する水分や酸素は極力排
除しておくことが望ましい。従って、真空中で両者を連
続成膜するか、ＥＬ層４３０４を窒素または希ガス雰囲
気で形成し、酸素や水分に触れさせないまま陰極４３０
５を形成するといった工夫が必要である。本実施例では
マルチチャンバー方式（クラスターツール方式）の成膜
装置を用いることで上述のような成膜を可能とする。

【０１４８】本実施例では、陰極４３０５上にバリア層
４５０１を形成する。本実施例ではバリア層４５０１と
してＳｉが添加されたＤＬＣ（Diamond like carbon）
膜を用いたが、本実施例はこれに限定されない。Ｓｉが
添加されたＤＬＣ膜の他に、酸化タンタル、窒化珪素、
窒化アルミニウム、炭化珪素、ＤＬＣ膜も用いることが
可能である。

【０１４９】ＥＬ層は熱に弱いので、陰極及びバリア層
はなるべく低温で（好ましくは室温から１２０℃までの
温度範囲）で成膜するのが望ましい。本実施例ではバリ
ア層４５０１はプラズマＣＶＤ法を用いて室温で形成す
るが、スパッタリング法を用いて形成することもでき
る。プラズマＣＶＤ法を用いてバリア層を形成すること
で、ＥＬ層、陰極及びバリア層をマルチチャンバー内に
おいて連続形成することが可能である。バリア層の厚さ
は１０ｎｍ〜１００ｎｍであることが好ましく、本実施
例ではバリア層４５０１を５０ｎｍの厚さに形成した。

【０１５０】バリア層４５０１を形成したら、バリア層
４５０１の上に有機樹脂からなるカバー層４５０２を形
成する。なお、有機樹脂を溶媒に溶かしたり、有機樹脂
自体の粘度を適度に調節して有機樹脂液を作製した後、
これを材料室に備えて電解塗布法により塗布し、カバー
層４５０２を形成する。このとき有機樹脂液の粘性は、
１×１０^-3〜３×１０^-2Ｐａ・ｓであることが望まし
い。

【０１５１】またこの時、カバー層を形成する有機樹脂
液の内部に酸化バリウムといった吸湿剤や酸化防止剤を
添加しておくことで、ＥＬ素子の劣化を促進する水分や
酸素がＥＬ層の中に進入するのを防ぐことができる。

【０１５２】そして陰極４３０５は４３０６で示される
領域において配線４００５に電気的に接続される。配線
４００５は陰極４３０５に所定の電圧を与えるための配
線であり、異方導電性フィルム４３０７を介してＦＰＣ
４００６に電気的に接続される。

【０１５３】カバー材４１０２としては、ガラス材、金
属材（代表的にはステンレス材）、セラミックス材、プ
ラスチック材（プラスチックフィルムも含む）を用いる
ことができる。プラスチック材としては、ＦＲＰ（Ｆｉ
ｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔ
ｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィル
ム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはア
クリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アル
ミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフィルムで
挟んだ構造のシートを用いることもできる。

【０１５４】但し、ＥＬ素子からの光の放射方向がカバ
ー材側に向かう場合にはカバー材は透明でなければなら
ない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリ
エステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透明
物質を用いる。

【０１５５】また、カバー層４５０２の中にスペーサを
含有させてもよい。このとき、スペーサを酸化バリウム
で形成すればスペーサ自体に吸湿性をもたせることが可
能である。また、スペーサを設けた場合、スペーサから
の圧力を緩和するバッファ層として陰極４３０５上に樹
脂膜を設けることも有効である。

【０１５６】また、配線４００５は異方導電性フィルム
４３０７を介してＦＰＣ４００６に電気的に接続され
る。配線４００５は画素部４００２、ソース側駆動回路
４００３及びゲート側駆動回路４００４に送られる信号
をＦＰＣ４００６に伝え、ＦＰＣ４００６により外部機
器と電気的に接続される。

【０１５７】また、本実施例では第１シール材４１０１
の露呈部及びＦＰＣ４００６の一部を覆うように第２シ
ール材４１０４を設け、ＥＬ素子を徹底的に外気から遮
断する構造となっている。こうして図１５（Ｂ）の断面
構造を有するＥＬ表示装置となる。

【０１５８】

【発明の効果】本発明の携帯通信装置は、装置内部のセ
ンサーに機能により本人認証が可能であり、従来の数値
入力（暗証番号）を入力する認証作業に対して、高信頼
性、簡易性を有することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の本人認証システムの認証フロー。

【図２】 本発明の携帯通信装置の外観図。

【図３】 本発明の携帯通信装置の使用方法について示
した図。

【図４】 本発明の携帯通信装置の使用方法について示
した図。

【図５】 センサー内蔵型ディスプレイの構造を示すブ
ロック図。

【図６】 センサー内蔵型ディスプレイの構造を示すブ
ロック図。

【図７】 センサー部の回路図。

【図８】 画素の回路図。

【図９】 センサー部の回路図。

【図１０】 センサー内蔵型ディスプレイの構造を示す
ブロック図。

【図１１】 センサー内蔵型ディスプレイの作製行程を
示す図。

【図１２】 センサー内蔵型ディスプレイの作製行程を
示す図。

【図１３】 センサー内蔵型ディスプレイの作製行程を
示す図。

【図１４】 センサー内蔵型ディスプレイの外観図及び
断面図。

【図１５】 センサー内蔵型ディスプレイの外観図及び
断面図。

【図１６】 従来の携帯電話の図。

【図１７】 従来の本人認証のフロー。

【図１８】 読み取る掌紋の位置を示す図。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4C038 FF01 FF05 5B085 AE02 AE26 5J104 AA07 KA01 NA05 PA02 PA07 5K027 AA11 BB09 EE11 HH11 HH23 MM04 5K067 AA32 AA34 BB04 EE02 EE16 FF02 FF23 HH22 HH23 KK15

Claims (36)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者
   の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、基準となる生体情報を照合する
   手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報
   として伝える手段と、を有することを特長とする本人認
   証システム。
2. 【請求項２】センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者
   の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、基準となる生体情報を照合する
   手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報
   として伝える手段と、 前記交信先が、前記照合が合致したことを情報として受
   け取った後、前記使用者と前記交信先の間の通信が許可
   されたことを前記使用者に通知する手段と、を有するこ
   とを特長とする本人認証システム。
3. 【請求項３】センサー内蔵型の表示装置を有する携帯通
   信装置を用いた本人認証システムであって前記センサー
   内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る
   手段と、 読み取った生体情報と、前記携帯通信装置に記憶されて
   いる基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報
   として伝える手段と、を有することを特長とする本人認
   証システム。
4. 【請求項４】センサー内蔵型の表示装置を有する携帯通
   信装置を用いた本人認証システムであって前記センサー
   内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る
   手段と、 読み取った生体情報と、前記携帯通信装置に記憶されて
   いる基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報
   として伝える手段と、 前記交信先が、前記照合が合致したことを情報として受
   け取った後、前記使用者と前記交信先の間の通信が許可
   されたことを情報として前記携帯通信装置に伝える手段
   と、を有することを特長とする本人認証システム。
5. 【請求項５】請求項３または請求項４において、 使用者が前記携帯通信装置に設けられた操作キーを操作
   することで、前記全ての手段が制御されることを特徴と
   する本人認証システム。
6. 【請求項６】請求項３乃至請求項５のいずれか１項にお
   いて、前記操作キーは使用者の利き手のみで制御できる
   ことを特徴とする本人認証システム。
7. 【請求項７】請求項３乃至請求項６のいずれか１項にお
   いて、前記操作キーは使用者の人差し指のみで制御でき
   ることを特徴とする本人認証システム。
8. 【請求項８】請求項３乃至請求項６のいずれか１項にお
   いて、前記操作キーは使用者の親指のみで制御できるこ
   とを特徴とする本人認証システム。
9. 【請求項９】請求項３乃至請求項８のいずれか１項にお
   いて、前記携帯通信装置の電源投入と同時に行われるこ
   とを特徴とする本人認証システム。
10. 【請求項１０】請求項１乃至請求項９のいずれか１項に
    おいて、使用者の前記生体情報とは、掌紋（手相）また
    は指紋であることを特徴とする本人認証システム。
11. 【請求項１１】請求項１０において、前記掌紋は手ひら
    の全体、もしくは一部であることを特徴とする本人認証
    システム。
12. 【請求項１２】センサー内蔵型の表示装置を用いて使用
    者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、基準となる生体情報を照合する
    手段と、 前記照合の結果の情報を、交信先にインターネットを介
    し伝える手段と、を有することを特長とする本人認証シ
    ステム。
13. 【請求項１３】センサー内蔵型の表示装置を有する携帯
    通信装置を用いた本人認証システムであって前記センサ
    ー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取
    る手段と、 読み取った生体情報と、前記携帯通信装置に記憶されて
    いる基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合の結果の情報を、前記携帯通信装置もしくは交
    信先において必要と判断された場合においてのみ、交信
    先にインターネットを介し伝える手段と、を有すること
    を特長とする本人認証システム。
14. 【請求項１４】センサー内蔵型の表示装置を用いて使用
    者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、基準となる生体情報を照合する
    手段と、 前記照合の結果の情報を、交信先にインターネットを介
    し伝える手段と、 前記交信先が、前記照合が合致したことを情報として受
    け取った後、前記使用者と前記交信先の間の通信が許可
    されたことを前記使用者に通知する手段と、を有するこ
    とを特長とする本人認証システム。
15. 【請求項１５】センサー内蔵型の表示装置を有する携帯
    通信装置を用いた本人認証システムであって前記センサ
    ー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取
    る手段と、 読み取った生体情報と、前記携帯通信装置に記憶されて
    いる基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合の結果の情報を、前記携帯通信装置もしくは交
    信先において必要と判断された場合においてのみ、交信
    先にインターネットを介し伝える手段と、 前記交信先が、前記照合が合致したことを情報として受
    け取った後、前記使用者と前記交信先の間の通信が許可
    されたことを情報として前記携帯通信装置にインターネ
    ットを介し伝える手段と、を有することを特長とする本
    人認証システム。
16. 【請求項１６】請求項１乃至請求項１５のいずれか１項
    において、前記センサー内蔵の表示装置は自発光表示装
    置であることを特徴とする本人認証システム。
17. 【請求項１７】請求項１乃至請求項１６のいずれか１項
    において、前記センサー内蔵の表示装置はＥＬ表示装置
    であることを特徴とする本人認証システム。
18. 【請求項１８】請求項１乃至請求項１７のいずれか１項
    において、前記センサー内蔵の表示装置が有するセンサ
    ーは、密着型エリアセンサーであることを特徴とする本
    人認証システム。
19. 【請求項１９】センサー内蔵型の表示装置を用いて使用
    者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、基準となる生体情報を照合する
    手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報
    として伝える手段と、を有することを特長とする本人認
    証方法。
20. 【請求項２０】センサー内蔵型の表示装置を用いて使用
    者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、基準となる生体情報を照合する
    手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報
    として伝える手段と、 前記交信先が、前記照合が合致したことを情報として受
    け取った後、前記使用者と前記交信先の間の通信が許可
    されたことを前記使用者に通知する手段と、を有するこ
    とを特長とする本人認証方法。
21. 【請求項２１】センサー内蔵型の表示装置を有する携帯
    通信装置を用いた本人認証方法であって前記センサー内
    蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手
    段と、 読み取った生体情報と、前記携帯通信装置に記憶されて
    いる基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報
    として伝える手段と、を有することを特長とする本人認
    証方法。
22. 【請求項２２】センサー内蔵型の表示装置を有する携帯
    通信装置を用いた本人認証方法であって前記センサー内
    蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手
    段と、読み取った生体情報と、前記携帯通信装置に記憶
    されている基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報
    として伝える手段と、 前記交信先が、前記照合が合致したことを情報として受
    け取った後、前記使用者と前記交信先の間の通信が許可
    されたことを情報として前記携帯通信装置に伝える手段
    と、を有することを特長とする本人認証方法。
23. 【請求項２３】請求項２１または請求項２２において、 使用者が前記携帯通信装置に設けられた操作キーを操作
    することで、前記全ての手段が制御されることを特徴と
    する本人認証方法。
24. 【請求項２４】請求項２１乃至請求項２３のいずれか１
    項において、前記操作キーは使用者の利き手のみで制御
    できることを特徴とする本人認証方法。
25. 【請求項２５】請求項２１乃至請求項２４のいずれか１
    項において、前記操作キーは使用者の人差し指のみで制
    御できることを特徴とする本人認証方法。
26. 【請求項２６】請求項２１乃至請求項２４のいずれか１
    項において、前記操作キーは使用者の親指のみで制御で
    きることを特徴とする本人認証方法。
27. 【請求項２７】請求項２１乃至請求項２４のいずれか１
    項において、前記携帯通信装置の電源投入と同時に行わ
    れることを特徴とする本人認証方法。
28. 【請求項２８】請求項１９乃至請求項２７のいずれか１
    項において、使用者の前記生体情報とは、掌紋（手相）
    または指紋であることを特徴とする本人認証方法。
29. 【請求項２９】請求項２８において、前記掌紋は手ひら
    の全体、もしくは一部であることを特徴とする本人認証
    方法。
30. 【請求項３０】センサー内蔵型の表示装置を用いて使用
    者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、基準となる生体情報を照合する
    手段と、 前記照合の結果の情報を、交信先にインターネットを介
    し伝える手段と、を有することを特長とする本人認証方
    法。
31. 【請求項３１】センサー内蔵型の表示装置を有する携帯
    通信装置を用いた本人認証方法であって前記センサー内
    蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手
    段と、 読み取った生体情報と、前記携帯通信装置に記憶されて
    いる基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合の結果の情報を、前記携帯通信装置もしくは交
    信先において必要と判断された場合においてのみ、交信
    先にインターネットを介し伝える手段と、を有すること
    を特長とする本人認証方法。
32. 【請求項３２】センサー内蔵型の表示装置を用いて使用
    者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、基準となる生体情報を照合する
    手段と、 前記照合の結果の情報を、交信先にインターネットを介
    し伝える手段と、 前記交信先が、前記照合が合致したことを情報として受
    け取った後、前記使用者と前記交信先の間の通信が許可
    されたことを前記使用者に通知する手段と、を有するこ
    とを特長とする本人認証方法。
33. 【請求項３３】センサー内蔵型の表示装置を有する携帯
    通信装置を用いた本人認証方法であって前記センサー内
    蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手
    段と、 読み取った生体情報と、前記携帯通信装置に記憶されて
    いる基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合の結果の情報を、前記携帯通信装置もしくは交
    信先において必要と判断された場合においてのみ、交信
    先にインターネットを介し伝える手段と、 前記交信先が、前記照合が合致したことを情報として受
    け取った後、前記使用者と前記交信先の間の通信が許可
    されたことを情報として前記携帯通信装置にインターネ
    ットを介し伝える手段と、を有することを特長とする本
    人認証方法。
34. 【請求項３４】請求項１９乃至請求項３３のいずれか１
    項において、前記センサー内蔵の表示装置は自発光表示
    装置であることを特徴とする本人認証方法。
35. 【請求項３５】請求項１９乃至請求項３４のいずれか１
    項において、前記センサー内蔵の表示装置はＥＬ表示装
    置であることを特徴とする本人認証方法。
36. 【請求項３６】請求項１９乃至請求項３５のいずれか１
    項において、前記センサー内蔵の表示装置が有するセン
    サーは、密着型エリアセンサーであることを特徴とする
    本人認証方法。 【００００】