JP2001339492A

JP2001339492A - 電子機器

Info

Publication number: JP2001339492A
Application number: JP2001076003A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; Jun Koyama; 潤小山; Masaru Yamazaki; 優山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2000-03-22
Filing date: 2001-03-16
Publication date: 2001-12-07

Abstract

(57)【要約】【課題】使い勝手の良い電子機器を提供する。【解決手段】表示部と、音声入力部と、音声出力部
と、操作キーとを有し、電話として機能する電子機器で
あって、表示部は受動素子を有しており、操作キーはＬ
ＥＤを有しており、ＬＥＤによって表示される画像は、
向きが切り替わることを特徴とする電子機器。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電話機（電話）とし
ての機能を有する電子機器、特に携帯情報端末に関す
る。特にＥＬ素子を表示部に有する携帯情報端末に関す
る。なお本明細書において携帯情報端末とは、利用者が
携帯可能で、移動中に居ながらにして他者とのデータの
やりとりが可能で、かつ電話機としての機能を持ち合わ
せている通信機器を意味する。

【０００２】

【従来の技術】近年フラットパネルディスプレイに関す
る技術は、軽薄短小へのニーズの高まりを背景に急速に
発展しており、高品質、フルカラー、高解像度の表示が
可能になっている。そしてフラットパネルディスプレイ
の１つである液晶表示装置は、携帯情報端末（モバイル
コンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書
籍等）の表示部に用いられている。

【０００３】図２５に液晶表示装置を有する、携帯情報
端末の一つである携帯電話を示す。図２５に示した携帯
電話は、本体２８０１、音声出力部２８０２、音声入力
部２８０３、表示部２８０４、操作キー２８０５、アン
テナ２８０６を含む。

【０００４】図２５に示した携帯電話は、音声入力部２
８０３に入力された音声が電波に変換されて出力し、ま
た音声の情報を有する電波を取り込んで音声に変換し、
該音声を音声出力部において再生するという、電話とし
ての機能を有している。

【０００５】表示部２８０４には液晶表示装置が用いら
れており、必要な情報を表示することが可能である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図２５に示した従来の
携帯情報端末は、どの操作キーを押すと、どういった情
報が携帯情報端末に入力されるかを利用者が認識できる
ように、操作キーに文字、数字または記号等の画像が記
載または表示されている。しかし従来の携帯情報端末
は、操作キーに記載または表示されている文字、数字ま
たは記号の向きが常に固定されている。そのため、利用
者は携帯情報端末の向きを、常に操作キーに表示されて
いる文字、数字または記号の向きに合わせて利用せざる
を得なかったため、携帯情報端末自体の利便性に欠けて
いた。

【０００７】上述したことに鑑み、本発明はより使い勝
手の良い携帯情報端末を提供することを課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】

【０００９】本発明の携帯情報端末は、情報を入力する
ための操作キーがそれぞれＬＥＤ（Light Emitting Dio
de）、ＥＬ表示装置または液晶表示装置を有しており、
該ＬＥＤ、ＥＬ表示装置または液晶表示装置によって操
作キーに表示される文字、記号、数字で、利用者が操作
キーを識別できるようにした。上記構成によって、暗所
においても利用者が操作キーを識別できる。

【００１０】そして表示部に表示される画像の向きと、
操作キーに表示される文字、記号、数字などの画像の向
きを、携帯情報端末を用いる用途によって、利用者が適
宜変えることができるようにした。上記構成によって、
携帯情報端末の使い勝手を良くすることができる。

【００１１】また本発明の携帯情報端末は、ＣＣＤカメ
ラを有する構成としても良い。ＣＣＤカメラを有するこ
とで、ＣＣＤカメラで携帯情報端末に電子データとして
取り込んだ画像情報を、その場で他者に送ることができ
る。

【００１２】以下に本発明の構成を示す。

【００１３】本発明によって、表示部と、音声入力部
と、音声出力部と、操作キーとを有し、電話として機能
する電子機器であって、前記表示部は能動素子を有して
おり、前記操作キーはＬＥＤを有しており、前記ＬＥＤ
によって表示される画像は、向きが切り替わることを特
徴とする電子機器が提供される。

【００１４】前記能動素子はＥＬもしくは液晶を有する
ことを特徴としていても良い。

【００１５】本発明によって、表示部と、音声入力部
と、音声出力部と、操作キーとを有し、電話として機能
する電子機器であって、前記表示部はＥＬ素子を有して
おり、前記操作キーは液晶を有しており、前記液晶によ
って表示される画像は、向きが切り替わることを特徴と
する電子機器が提供される。

【００１６】本発明によって、音声入力部と音声出力部
のいずれか一方と、表示部とを有する第１のパネルと、
音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能
する電子機器であって、前記第１のパネルと前記第２の
パネルは接続されており、前記第１のパネルと前記第２
のパネルの間の角度は任意に変えることができ、前記表
示部はＥＬ素子を有しており、前記操作キーはＬＥＤを
有しており、前記ＬＥＤによって表示される画像は、向
きが切り替わることを特徴とする電子機器が提供され
る。

【００１７】本発明によって、音声入力部と音声出力部
のいずれか一方と、表示部とを有する第１のパネルと、
音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能
する電子機器であって、前記第１のパネルと前記第２の
パネルは接続されており、前記第１のパネルと前記第２
のパネルの間の角度は任意に変えることができ、前記表
示部はＥＬ素子を有しており、前記操作キーは液晶を有
しており、前記液晶によって表示される画像は、向きが
切り替わることを特徴とする電子機器が提供される。

【００１８】本発明によって、音声入力部と音声出力部
のいずれか一方と、表示部とを有する第１のパネルと、
音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能
する電子機器であって、前記表示部はＥＬ素子を有して
おり、前記操作キーはＬＥＤを有しており、前記第１の
パネルと前記第２のパネルは接続されており、前記第１
のパネルと前記第２のパネルの間の角度は任意に変える
ことができ、前記ＬＥＤによって表示される画像は、前
記角度によって向きが切り替わることを特徴とする電子
機器が提供される。

【００１９】本発明によって、音声入力部と音声出力部
のいずれか一方と、表示部とを有する第１のパネルと、
音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能
する電子機器であって、前記表示部はＥＬ素子を有して
おり、前記操作キーは液晶を有しており、前記第１のパ
ネルと前記第２のパネルは接続されており、前記第１の
パネルと前記第２のパネルの間の角度は任意に変えるこ
とができ、前記液晶によって表示される画像は、前記角
度によって向きが切り替わることを特徴とする電子機器
が提供される。

【００２０】本発明によって、音声入力部と音声出力部
のいずれか一方と、表示部とを有する第１のパネルと、
音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能
する電子機器であって、前記第１のパネルと前記第２の
パネルは接続されており、前記第１のパネルと前記第２
のパネルの間の角度は任意に変えることができ、前記表
示部は複数の画素を有しており、前記複数の画素は、フ
ォトダイオードと、ＥＬ素子と、スイッチング用ＴＦＴ
と、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、バッフ
ァ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴとをそれぞれ有しており、
前記スイッチング用ＴＦＴ及び前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ
は、前記ＥＬ素子の発光を制御しており、前記ＥＬ素子
から発せられた光は、被写体上で反射して前記フォトダ
イオードに照射され、前記フォトダイオード、前記リセ
ット用ＴＦＴ、前記バッファ用ＴＦＴ及び選択用ＴＦＴ
は、前記フォトダイオードに照射された光から画像信号
を生成し、前記操作キーはＬＥＤを有しており、前記Ｌ
ＥＤによって表示される画像は、向きが切り替わること
を特徴とする電子機器が提供される。

【００２１】本発明によって、音声入力部と音声出力部
のいずれか一方と、表示部とを有する第１のパネルと、
音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能
する電子機器であって、前記第１のパネルと前記第２の
パネルは接続されており、前記第１のパネルと前記第２
のパネルの間の角度は任意に変えることができ、前記表
示部は複数の画素を有しており、前記複数の画素は、フ
ォトダイオードと、ＥＬ素子と、スイッチング用ＴＦＴ
と、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、バッフ
ァ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴとをそれぞれ有しており、
前記スイッチング用ＴＦＴ及び前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ
は、前記ＥＬ素子の発光を制御しており、前記ＥＬ素子
から発せられた光は、被写体上で反射して前記フォトダ
イオードに照射され、前記フォトダイオード、前記リセ
ット用ＴＦＴ、前記バッファ用ＴＦＴ及び選択用ＴＦＴ
は、前記フォトダイオードに照射された光から画像信号
を生成し、前記操作キーは液晶を有しており、前記液晶
によって表示される画像は、向きが切り替わることを特
徴とする電子機器が提供される。

【００２２】本発明によって、表示部と、音声入力部
と、音声出力部と、操作キーとを有し、電話として機能
する電子機器であって、前記表示部は第１のＥＬ素子を
有しており、前記操作キーは第２のＥＬ素子を有してお
り、前記第２のＥＬ素子によって表示される画像は、向
きが切り替わることを特徴とする電子機器が提供され
る。

【００２３】本発明によって、音声入力部と音声出力部
のいずれか一方と、表示部とを有する第１のパネルと、
音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能
する電子機器であって、前記第１のパネルと前記第２の
パネルは接続されており、前記第１のパネルと前記第２
のパネルの間の角度は任意に変えることができ、前記表
示部は第１のＥＬ素子を有しており、前記操作キーは第
２のＥＬ素子を有しており、前記第２のＥＬ素子によっ
て表示される画像は、向きが切り替わることを特徴とす
る電子機器が提供される。

【００２４】本発明によって、音声入力部と音声出力部
のいずれか一方と、表示部とを有する第１のパネルと、
音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能
する電子機器であって、前記表示部は第１のＥＬ素子を
有しており、前記操作キーは第２のＥＬ素子を有してお
り、前記第１のパネルと前記第２のパネルは接続されて
おり、前記第１のパネルと前記第２のパネルの間の角度
は任意に変えることができ、前記第２のＥＬ素子によっ
て表示される画像は、前記角度によって向きが切り替わ
ることを特徴とする電子機器が提供される。

【００２５】本発明によって、音声入力部と音声出力部
のいずれか一方と、表示部とを有する第１のパネルと、
音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能
する電子機器であって、前記第１のパネルと前記第２の
パネルは接続されており、前記第１のパネルと前記第２
のパネルの間の角度は任意に変えることができ、前記表
示部は複数の画素を有しており、前記複数の画素は、フ
ォトダイオードと、第１のＥＬ素子と、スイッチング用
ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、
バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴとをそれぞれ有して
おり、前記スイッチング用ＴＦＴ及び前記ＥＬ駆動用Ｔ
ＦＴは、前記第１のＥＬ素子の発光を制御しており、前
記第１のＥＬ素子から発せられた光は、被写体上で反射
して前記フォトダイオードに照射され、前記フォトダイ
オード、前記リセット用ＴＦＴ、前記バッファ用ＴＦＴ
及び選択用ＴＦＴは、前記フォトダイオードに照射され
た光から画像信号を生成し、前記操作キーは第２のＥＬ
素子を有しており、前記第２のＥＬ素子によって表示さ
れる画像は、向きが切り替わることを特徴とする電子機
器が提供される。

【００２６】前記第１のＥＬ素子は陽極と、陰極と、前
記陽極と前記陰極の間に設けられたＥＬ層とを有してお
り、前記ＥＬ層の外部量子効率は１０％以上であること
を特徴としていても良い。

【００２７】前記第１のＥＬ素子の発光強度の最大値が
２５ｌｍ／Ｗ以上であることを特徴としていても良い。

【００２８】前記第２のＥＬ素子は陽極と、陰極と、前
記陽極と前記陰極の間に設けられたＥＬ層とを有してお
り、前記ＥＬ層の外部量子効率は１０％以上であること
を特徴としていても良い。

【００２９】前記第２のＥＬ素子の発光強度の最大値が
２５ｌｍ／Ｗ以上であることを特徴としていても良い。

【００３０】前記電子機器はＣＣＤ受光部を有すること
を特徴としていても良い。

【００３１】前記ＣＣＤ受光部において画像を電子デー
タとして取り込むことを特徴としていても良い。

【００３２】前記電子機器は前記表示部においてタッチ
パネルを有し、前記タッチパネルに書き込まれた画像を
電子データとして読み込むことを特徴としていても良
い。

【００３３】

【発明の実施の形態】本発明の携帯情報端末の構成の一
例を図１（Ａ）に示す。１０１は表示用パネルであり、
１０２は操作用パネルである。表示用パネル１０１と操
作用パネル１０２とは接続部（ヒンジ）１０３において
接続されている。そして接続部１０３における、表示用
パネル１０１の表示部１０４が設けられている面と操作
用パネル１０２の操作キー１０６が設けられている面と
の角度θは、任意に変えることができる。

【００３４】図１（Ｂ）に表示用パネル１０１と操作用
パネル１０２とが重なっている状態にある携帯情報端末
の構成を示す。この場合、角度θは０°となっている。

【００３５】表示用パネル１０１は表示部１０４を有し
ている。また表示用パネル１０１は音声出力部１０５を
有しており、音声が音声出力部１０５から出力される。
そして本発明の携帯情報端末の表示部１０４は、電場を
加えることでルミネッセンスが発生する有機化合物を含
む層（以下、有機化合物層と記す）を有する能動素子
（ＥＬ素子）を用いているＥＬ表示装置、または液晶を
有する能動素子を用いている液晶表示装置で構成されて
いる。

【００３６】

【００３７】ＥＬ表示装置は有機ＥＬディスプレイ（Ｏ
ＥＬＤ：Organic EL Display）又は有機ライトエミッテ
ィングダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting
Diode）とも呼ばれている。ＥＬ表示装置は、液晶表示
装置と異なり自発光型である。ＥＬ素子は一対の電極
（陽極と陰極）の間に電場を加えることでルミネッセン
スが発生する有機化合物を含む層（以下、有機化合物層
と記す）が挟まれた構造となっているが、有機化合物層
は通常、積層構造となっている。代表的には、コダック
・イーストマン・カンパニーのTangらが提案した「正孔
輸送層／発光層／電子輸送層」という積層構造が挙げら
れる。この構造は非常に発光効率が高く、現在、研究開
発が進められている発光装置は殆どこの構造を採用して
いる。

【００３８】ＥＬ素子は、電場を加えることで発生する
ルミネッセンス（Electro Luminescence）が得られる
と、陽極層と、有機化合物層と、陰極層とを有する。有
機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態
から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態
から基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本
発明の発光装置は、どちらの発光を用いていても良い。

【００３９】また他にも、電極上に正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層する
構造でも良い。発光層に対して蛍光性色素等をドーピン
グしても良い。

【００４０】本明細書において、ＥＬ素子が有する一対
の電極間に設けられる全ての層を総称して有機化合物層
と呼ぶ。よって上述した正孔注入層、正孔輸送層、発光
層、電子輸送層、電子注入層等は、全て有機化合物層に
含まれる。

【００４１】本明細書中では、陽極、有機化合物層及び
陰極で形成される素子をＥＬ素子と呼ぶ。

【００４２】操作用パネル１０２は操作キー１０６、電
源スイッチ１０７、音声入力部１０８、ＣＣＤ受光部１
０９を有している。なお本実施の形態では操作キー１０
６と電源スイッチ１０７とを別個に設けたが、操作キー
１０６の中に電源スイッチ１０７が含まれる構成にして
も良い。

【００４３】音声入力部１０７において、音声が入力さ
れる。ＣＣＤ受光部１０９において入力された画像が電
子データとして携帯情報端末に取り込まれる。

【００４４】なお図１では表示用パネル１０１が音声出
力部１０５を有し、操作用パネルが音声入力部１０８を
有しているが、本発明はこの構成に限定されない。表示
用パネル１０１が音声入力部１０８を有し、操作用パネ
ルが音声出力部１０５を有していても良い。また音声出
力部１０５と音声入力部１０８とが共に表示用パネル１
０１に設けられていても良いし、音声出力部１０５と音
声入力部１０８とが共に操作用パネル１０２に設けられ
ていても良い。

【００４５】また本発明の携帯情報端末は操作キー１０
６がそれぞれＬＥＤ、液晶表示装置またはＥＬ表示装置
等を有している。そして各操作キー１０６が有するＬＥ
Ｄ、液晶表示装置またはＥＬ表示装置等によって、操作
キー１０６のそれぞれに文字、記号、数字等が表示され
る。

【００４６】なお本実施の形態において携帯情報端末は
アンテナを有していないが、必要に応じてアンテナを設
けても良い。

【００４７】図２に操作用パネル１０２の拡大図を示
す。図１に図示したのと同じものには同じ符号を付け
る。

【００４８】図２（Ａ）に示した操作キー１０６は白色
の地に黒色の単数または複数の文字、記号、数字等が表
示されている。図２（Ｂ）に示した操作キー１０６は黒
色の地に白色の単数または複数の文字、記号、数字等が
表示されている。

【００４９】なお図２（Ａ）、図２（Ｂ）では、黒色ま
たは白色で表示を行う操作キーについて説明したが、本
発明はこの構成に限定されない。操作キーが白色以外の
色の表示を行っても良い。例えば黒色の地に黄色表示、
白色の地に緑色表示、または青色の地に黒色表示を行っ
ても構わない。

【００５０】また本発明の携帯情報端末は、表示部１０
４に表示される画像の方向及び操作キー１０６に表示さ
れる文字、数字、記号等の画像の方向を、利用者が適宜
変更することが可能である。図３に携帯情報端末の上面
図を示す。

【００５１】図３（Ａ）には表示用パネル１０１と操作
用パネル１０２とを横方向に並べたときに、表示部１０
４に表示される画像の方向と、操作キー１０６に表示さ
れる文字、数字、記号等の画像の方向とが、利用者側か
ら見て本来の方向にある場合を示した。

【００５２】図３（Ｂ）には表示用パネル１０１と操作
用パネル１０２とを縦方向に並べたときに、表示部１０
４に表示される画像の方向と、操作キー１０６に表示さ
れる文字、数字、記号等の画像の方向とが、利用者側か
ら見て本来の方向にある場合を示した。

【００５３】本発明の携帯情報端末は、利用者の使い勝
手に合わせて、表示部１０４に表示される画像の方向及
び操作キー１０６に表示される文字、数字、記号等の画
像の方向を、図３（Ａ）に示した方向と図３（Ｂ）に示
した方向とに切り替えることが可能である。

【００５４】なお図２では表示部１０４に表示される画
像の方向と、操作キー１０６に表示される文字、数字、
記号等の画像の方向とが常に同じ場合について説明した
が、本発明はこれに限定されない。表示部１０４に表示
される画像の方向と、操作キー１０６に表示される文
字、数字、記号等の画像の方向とが異なっていても良
い。

【００５５】なお図２に示した操作キーが表示している
文字、数字及び記号は一例であり、本発明の携帯情報端
末はこれらの文字、数字及び記号に限定されない。

【００５６】また表示部１０４に表示される画像の方向
と、操作キー１０６に表示される文字、数字、記号等の
画像の方向とを、接続部１０３における表示用パネル１
０１の表示部１０４を有する面と操作用パネル１０２の
操作キー１０６を有する面との間の角度θによって自動
的に変更するような構成にしても良い。

【００５７】例えば図４（Ａ）に示すように、角度θが
１８０°以上の場合、表示部１０４に表示される画像の
方向と、操作キー１０６に表示される文字、数字、記号
等の画像の方向とが図３（Ａ）に示した方向に切り替わ
る。そして図４（Ｂ）に示すように角度θが０°以上１
８０°未満の場合、表示部１０４に表示される画像の方
向と、操作キー１０６に表示される文字、数字、記号等
の画像の方向とが図３（Ｂ）に示した方向に切り替わ
る。

【００５８】上記構成によって本発明の携帯情報端末
を、利用者にとってより使い勝手の良いものとすること
ができる。

【００５９】

【実施例】以下に、本発明の実施例を説明する。

【００６０】（実施例１）本実施例では、本発明の携帯
情報端末の操作キーの構成について詳しく説明する。

【００６１】図５（Ａ）に、本実施例の携帯情報端末の
操作キーの拡大図を示す。本実施例の操作キーはｘ１〜
ｘ８の８つの列と、ｙ１〜ｙ８の８つの行とを有するマ
トリクス状になっており、計８×８の画素を有してい
る。なお本実施例では操作キーが計８×８の画素を有す
る構成を示すが、本発明はこれに限定されない。操作キ
ーの画素数は、本発明を実施する者が適宜設定すること
ができる。

【００６２】図５（Ｂ）に図５（Ａ）に示した携帯情報
端末の操作キーの駆動回路群を示す。１５１は列ドライ
バー回路であり、ｘ１〜ｘ８の８つの列の画素ごとに表
示データを入力する。１５２は行ドライバー回路であ
り、ｘ１〜ｘ８の８つの列に入力された表示データが指
定された画素に入力されるように、ｙ１〜ｙ８の８つの
行を順に選択する。

【００６３】操作キーが有する各画素は、ＬＥＤ、ＥＬ
表示装置または液晶表示装置をそれぞれ有している。

【００６４】表示データは第１メモリ１５３と第２メモ
リ１５４のそれぞれに記憶されている。第１のメモリ１
５３と第２のメモリ１５４のいずれか一方が選択される
ことで、選択されたメモリに記憶されている表示データ
が列ドライバー回路１５１に入力される。

【００６５】第１メモリ１５３に記憶されている表示デ
ータによって操作キーに表示される文字、数字及び記号
等の画像と、第２メモリ１５４に記憶されている表示デ
ータによって操作キーに表示される文字、数字及び記号
等の画像とは、互いに向きが異なっている。

【００６６】なお本実施例では、表示データを記憶する
メモリを２つ有する例を示したが、本発明はこの構成に
限定されない。本発明の携帯情報端末は表示データを記
憶するメモリを２つ以上有していれば良い。

【００６７】また操作キーのメモリまたは操作キーの駆
動回路群を携帯情報端末内のマイコンチップ、ＬＳＩ等
の中に含めてしまっても良い。また、操作キーのメモリ
または操作キーの駆動回路群専用のＬＳＩを設けても良
い。

【００６８】また操作キーは常に表示を行っている必要
はなく、必要なときだけ発光して表示を行う構成として
も良い。例えば携帯情報端末を携帯電話として利用する
ときは、操作キーのいずれか１つを押すと全ての操作キ
ーが一定の期間内だけ表示を行うようにしても良い。ま
た携帯情報端末をモバイルコンピュータとして利用する
場合、常に利用者が操作キーを識別する必要があるた
め、操作キーへの入力がない場合でも常に操作キーが表
示を行うようにしても良い。上記構成によって、消費電
力を抑えることができる。

【００６９】（実施例２）本実施例では、本発明の携帯
情報端末の表示部に用いられるＥＬ表示装置の構成につ
いて詳しく説明する。

【００７０】本実施例の携帯情報端末は表示部にＥＬ表
示装置を用いることから、液晶表示装置を用いた携帯情
報端末と異なりバックライトを用いる必要がない。その
ため携帯情報端末がより小型化、軽量化、薄型化され
る。そしてＥＬ表示装置は自発光型の表示装置であるこ
とから液晶表示装置に比べて視野角が広い。

【００７１】図６に本実施例のＥＬ表示装置の画素部の
構成を示す。６００は表示部であり、ソース信号線Ｓ１
〜Ｓｘ、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘ、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇ
ｙを有している。ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘのいずれか１
つと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１つと、ゲート
信号線Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つとを含む領域が画素６
０２である。

【００７２】画素６０２はスイッチング用ＴＦＴ６０２
と、ＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３と、ＥＬ素子６０４と、保
持容量６０５とを有している。なお本実施例では保持容
量６０５を有する構成を示したが本発明はこれに限定さ
れず、保持容量６０５を設けない構成としても良い。

【００７３】スイッチング用ＴＦＴ６０２のゲート電極
はゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つに接続されて
いる。またスイッチング用ＴＦＴ６０２のソース領域と
ドレイン領域は、一方はソース信号線Ｓ１〜Ｓｘのいず
れか１つと、もう一方はＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３のゲー
ト電極及び保持容量６０５と、それぞれ接続されてい
る。

【００７４】ＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３のソース領域は電
源供給線Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１つと接続されている。
またＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３のドレイン領域は、ＥＬ素
子６０４が有する陽極と陰極のいずれか一方に接続され
ている。

【００７５】なおスイッチング用ＴＦＴ６０２とＥＬ駆
動用ＴＦＴ６０３はｎチャネル型ＴＦＴでもｐチャネル
型ＴＦＴでもどちらでも良い。ただし、ＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔ６０３のドレイン領域がＥＬ素子６０４の陽極と接続
されている場合、ＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３はｐチャネル
型ＴＦＴであることが望ましい。また逆にＥＬ駆動用Ｔ
ＦＴ６０３のドレイン領域がＥＬ素子６０４の陰極と接
続されている場合、ＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３はｎチャネ
ル型ＴＦＴであることが望ましい。

【００７６】（実施例３）本実施例では、実施例２で示
したＥＬ表示装置の駆動回路の一例について説明する。

【００７７】図７に本実施例のＥＬ表示装置のブロック
図を示す。６２０はソース信号線駆動回路、６２２はゲ
ート信号線駆動回路であり、共にスイッチング用ＴＦＴ
６０２及びＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３の駆動を制御してい
る。

【００７８】ソース信号線駆動回路６２０は、シフトレ
ジスタ６２０ａ、ラッチ（Ａ）６２０ｂ、ラッチ（Ｂ）
６２０ｃを有している。ソース信号線駆動回路６２０に
おいて、シフトレジスタ６２０ａにクロック信号（ＣＬ
Ｋ）およびスタートパルス（ＳＰ）が入力される。シフ
トレジスタ６２０ａは、これらのクロック信号（ＣＬ
Ｋ）およびスタートパルス（ＳＰ）に基づきタイミング
信号を順に発生させ、後段の回路へタイミング信号を順
次供給する。

【００７９】なおシフトレジスタ６２０ａからのタイミ
ング信号を、バッファ等（図示せず）によって緩衝増幅
し、後段の回路へ緩衝増幅したタイミング信号を順次供
給しても良い。タイミング信号が供給される配線には、
多くの回路あるいは素子が接続されているために負荷容
量（寄生容量）が大きい。この負荷容量が大きいために
生ずるタイミング信号の立ち上がりまたは立ち下がり
の”鈍り”を防ぐために、このバッファが設けられる。

【００８０】シフトレジスタ６２０ａからのタイミング
信号は、ラッチ（Ａ）６２０ｂに供給される。ラッチ
（Ａ）６２０ｂは、画像情報を有するデジタル信号（di
gitalsignals）を処理する複数のステージのラッチを有
している。ラッチ（Ａ）６２０ｂは、前記タイミング信
号が入力されると同時に、デジタル信号を順次書き込
み、保持する。

【００８１】なお、ラッチ（Ａ）６２０ｂにデジタル信
号を取り込む際に、ラッチ（Ａ）６２０ｂが有する複数
のステージのラッチに、順にデジタル信号を入力しても
良い。しかし本発明はこの構成に限定されない。ラッチ
（Ａ）６２０ｂが有する複数のステージのラッチをいく
つかのグループに分け、各グループごとに並行して同時
にデジタル信号を入力する、いわゆる分割駆動を行って
も良い。なおこのときのグループの数を分割数と呼ぶ。
例えば４つのステージごとにラッチをグループに分けた
場合、４分割で分割駆動すると言う。

【００８２】ラッチ（Ａ）６２０ｂの全ステージのラッ
チへのデジタル信号の書き込みが一通り終了するまでの
時間を、ライン期間と呼ぶ。すなわち、ラッチ（Ａ）６
２０ｂ中で一番左側のステージのラッチにデジタル信号
の書き込みが開始される時点から、一番右側のステージ
のラッチにデジタル信号の書き込みが終了する時点まで
の時間間隔がライン期間である。実際には、上記ライン
期間に水平帰線期間が加えられた期間をライン期間に含
むことがある。

【００８３】１ライン期間が終了すると、ラッチ（Ｂ）
６２０ｃにラッチシグナル（LatchSignal）が供給され
る。この瞬間、ラッチ（Ａ）６２０ｂに書き込まれ保持
されているデジタル信号は、ラッチ（Ｂ）６２０ｃに一
斉に送出され、ラッチ（Ｂ）６２０ｃの全ステージのラ
ッチに書き込まれ、保持される。

【００８４】デジタル信号をラッチ（Ｂ）６２０ｃに送
出し終えたラッチ（Ａ）６２０ｂは、シフトレジスタ６
２０ａからのタイミング信号に基づき、再びデジタル信
号の書き込みを順次行う。

【００８５】この２順目の１ライン期間中には、ラッチ
（Ｂ）６２０ｂに書き込まれ、保持されているデジタル
信号がソース信号線Ｓ１〜Ｓｘに入力される。

【００８６】一方、ゲート信号線駆動回路６２２は、そ
れぞれシフトレジスタ、バッファ（いずれも図示せず）
を有している。また場合によっては、ゲート信号線駆動
回路６２２が、シフトレジスタ、バッファの他にレベル
シフトを有していても良い。

【００８７】ゲート信号線駆動回路６２２において、シ
フトレジスタ（図示せず）からのゲート信号がバッファ
（図示せず）に供給され、対応するゲート信号線に供給
される。ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙには、それぞれ１ライ
ン分の画素のスイッチング用ＴＦＴ６０２のゲート電極
が接続されており、１ライン分全ての画素のスイッチン
グ用ＴＦＴ６０２を同時にオンの状態にしなくてはなら
ないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なも
のが用いられる。

【００８８】なおソース信号線駆動回路とゲート信号線
駆動回路の数、構成及びその動作は、本実施例で示した
構成に限定されない。本実施例のＥＬ表示装置は、公知
のソース信号線駆動回路及びゲート信号線駆動回路を用
いることが可能である。

【００８９】次に、本実施例のＥＬ表示装置で、時分割
駆動の１つである表示期間分離駆動法（Display-period
-separated driving）により２⁶階調の表示を行う場合
のタイミングチャートを図８に示す。なお本実施例で２
⁶階調の表示を行う例について説明するが本実施例は２⁶
階調に限定されず、デジタル信号のビット数は実施する
ものが適宜設定することが可能である。

【００９０】図８のタイミングチャートにおいて、横軸
は時間を示し、縦軸はゲート信号線の位置を示してい
る。

【００９１】まず、１フレーム期間を６個のサブフレー
ム期間（ＳＦ１〜ＳＦ６）に分割する。なお、表示部の
全ての画素が１つの画像を表示する期間を１フレーム期
間（Ｆ）と呼ぶ。通常のＥＬ表示装置では発振周波数は
６０Ｈｚ以上、即ち１秒間に６０以上のフレーム期間が
設けられており、１秒間に６０以上の画像が表示されて
いる。１秒間に表示される画像の数が６０より少なくな
ると、視覚的にフリッカ等の画像のちらつきが目立ち始
める。なお、１フレーム期間をさらに複数に分割した期
間をサブフレーム期間と呼ぶ。階調数が多くなるにつれ
て１フレーム期間の分割数も増え、駆動回路を高い周波
数で駆動しなければならない。

【００９２】１つのサブフレーム期間は書き込み期間
（Ｔａ）と表示期間（Ｔｓ）とに分けられる。書き込み
期間とは、１サブフレーム期間中、全画素にデジタル信
号を入力する期間であり、表示期間（点灯期間とも呼
ぶ）とは、ＥＬ素子の発光または非発光状態を選択し表
示を行う期間を示している。

【００９３】ｎ個のサブフレーム期間（ＳＦ１〜ＳＦ
６）がそれぞれ有する書き込み期間（Ｔａ１〜Ｔａ６）
の長さは全て一定である。ＳＦ１〜ＳＦ６がそれぞれ有
する表示期間（Ｔｓ）をそれぞれＴｓ１〜Ｔｓ６とす
る。

【００９４】表示期間の長さは、Ｔｓ１：Ｔｓ２：Ｔｓ
３：…：Ｔｓ６＝２⁰：２¹：２²：…：２⁵となるように
設定する。但し、ＳＦ１〜ＳＦ６を出現させる順序はど
のようにしても良い。この表示期間の組み合わせで２⁶
階調のうち所望の階調表示を行うことができる。

【００９５】まず書き込み期間において、電源供給線
（Ｖ１〜Ｖｘ）の電位（電源電位）は、対向電極の電位
（対向電位）と同じ高さに保たれている。電源電位の高
さは、ＥＬ素子が発光しない範囲で対向電位の高さと同
じであれば良い。なお電源電位は常に一定に保たれてい
る。また本明細書において、対向電位と電源電位との電
位差をＥＬ駆動電圧と呼ぶ。書き込み期間においてＥＬ
駆動電圧は０Ｖであることが望ましいが、ＥＬ素子が発
光しない程度の大きさであれば良い。

【００９６】そしてゲート信号線Ｇ１に入力されるゲー
ト信号によって、ゲート信号線Ｇ１に接続されている全
てのスイッチング用ＴＦＴ６０２がオンの状態になる。
そしてソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）にデジタル信号が入
力される。デジタル信号は「０」または「１」の情報を
有しており、「０」と「１」のデジタル信号がそれぞれ
ＨｉまたはＬｏのいずれかの電圧を有する信号を意味し
ている。

【００９７】そしてソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）に入力
されたデジタル信号は、オンの状態のスイッチング用Ｔ
ＦＴ６０２を介してＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３のゲート電
極に入力される。

【００９８】次にゲート信号線Ｇ２に入力されるゲート
信号によって、ゲート信号線Ｇ２に接続されている全て
のスイッチング用ＴＦＴ６０２がオンの状態になる。そ
してソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）にデジタル信号が入力
される。

【００９９】ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）に入力された
デジタル信号は、オン（ＯＮ）の状態のスイッチング用
ＴＦＴ６０２を介してＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３のゲート
電極に入力される。

【０１００】そして順にゲート信号線Ｇ３〜Ｇｙにおい
ても上述した動作を繰り返し、全ての画素のＥＬ駆動用
ＴＦＴ６０３のゲート電極にデジタル信号が入力され
る。全ての画素のＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３のゲート電極
にデジタル信号が入力されるまでの期間が書き込み期間
である。

【０１０１】書き込み期間が終了すると同時に表示期間
となる。表示期間になると全てのスイッチング用ＴＦＴ
６０２はオフとなる。そして電源電位はＥＬ素子６０４
が発光する程度に対向電位との間に電位差を有するよう
になる。

【０１０２】ＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３のゲート電極に入
力されたデジタル信号が「０」の情報を有していた場
合、本実施例ではＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３はオフ状態と
なる。そのためＥＬ素子６０４の画素電極の電位は、対
向電位と同じ高さの電位に保たれる。その結果、「０」
の情報を有するデジタル信号がＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３
に入力された画素が有するＥＬ素子６０４は発光しな
い。

【０１０３】逆に、デジタル信号が「１」の情報を有し
ていた場合、本実施例ではＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３はオ
ンの状態となる。そのためＥＬ素子６０４の画素電極の
電位は電源電位に保たれる。また対向電位はＥＬ素子６
０４が発光する程度に電源電位との間に電位差を有して
いる。その結果、「１」の情報を有するデジタル信号が
ＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３に入力された画素が有するＥＬ
素子６０４は発光する。

【０１０４】なお本実施例では、デジタル信号が「０」
の情報を有していた場合ＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３がオフ
状態となり、デジタル信号が「１」の情報を有していた
場合ＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３がオン状態となるが、本発
明はこの構成に限定されない。デジタル信号が「０」の
情報を有していた場合ＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３がオン状
態となり、デジタル信号が「１」の情報を有していた場
合ＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３がオフ状態となるようにして
も良い。

【０１０５】このようにデジタル信号が有する情報によ
って、ＥＬ素子の発光または非発光状態が選択され、全
ての画素が一斉に表示を行う。全ての画素が表示を行う
ことによって、画像が形成される。画素が表示を行う期
間を表示期間と呼ぶ。

【０１０６】表示期間はＴｓ１〜Ｔｓ６までのいずれか
の期間である。ここではＴｓ１の期間、所定の画素を点
灯させたとする。

【０１０７】次に、再び書き込み期間に入り、全画素に
デジタル信号を入力したら表示期間に入る。このときは
Ｔｓ２〜Ｔｓ６のいずれかの期間が表示期間となる。こ
こではＴｓ２の期間、所定の画素を点灯させたとする。

【０１０８】以下、残りの４個のサブフレームについて
同様の動作を繰り返し、それぞれのサブフレーム期間内
の表示期間において所定の画素を点灯させたとする。

【０１０９】６個のサブフレーム期間が出現したら１フ
レーム期間を終えたことになる。このとき、画素が点灯
していた表示期間の長さを積算することによって、その
画素の階調がきまる。

【０１１０】なお本実施例において、ＥＬ表示装置は対
向電位を常に一定に保ち電源電位を書き込み期間と表示
期間とで変化させて、ＥＬ駆動電圧の大きさを変えるこ
とにより、ＥＬ素子の発光を制御していた。しかし本発
明はこの構成に限定されない。本発明のＥＬ表示装置
は、電源電位を常に一定に保ち、対向電位を変化させる
ことにより、ＥＬ素子の発光を制御しても良い。

【０１１１】本実施例において、ソース信号線駆動回路
６２０、ゲート信号線駆動回路６２２はＩＣチップ等を
用いて表示部６００が形成されている基板に実装しても
良い。その場合、そのＩＣチップ上のソース信号線駆動
回路６２０、ゲート信号線駆動回路６２２は、ＦＰＣや
ＴＡＢ等のコネクターを介して表示部６００に接続され
る構成となる。この場合、ＥＬ表示装置はＩＣチップ上
のソース信号線駆動回路６２０、ゲート信号線駆動回路
６２２を含む。

【０１１２】なお本実施例は実施例１または実施例２と
自由に組み合わせて実施することが可能である。

【０１１３】（実施例４）本実施例では、実施例２で示
したＥＬ表示装置の駆動回路の一例について説明する。

【０１１４】図９に本実施例のＥＬ表示装置の上面図を
示す。６３０はソース信号線駆動回路、６３２はゲート
信号線駆動回路、６００は表示部を示している。本実施
例ではソース信号線駆動回路とゲート信号線駆動回路と
を１つづつ設けたが、本発明はこの構成に限定されな
い。ソース信号線駆動回路を２つ設けても良いし、ゲー
ト信号線駆動回路を２つ設けても良い。

【０１１５】ソース信号線駆動回路６３０は、シフトレ
ジスタ６３０ａ、レベルシフト６３０ｂ、サンプリング
回路６３０ｃを有している。なおレベルシフト６３０ｂ
は必要に応じて用いればよく、必ずしも用いなくとも良
い。また本実施例においてレベルシフト６３０ｂはシフ
トレジスタ６３０ａとサンプリング回路６３０ｃとの間
に設ける構成としたが、本実施例はこの構成に限定され
ない。シフトレジスタ６３０ａの中にレベルシフト６３
０ｂが組み込まれている構成にしても良い。

【０１１６】電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）は電源と接続さ
れることで一定の電位（電源電位）に保たれている。

【０１１７】またゲート信号線駆動回路６３２は、シフ
トレジスタ、バッファ（いずれも図示せず）を有してい
る。また、レベルシフトを有していても良い。

【０１１８】パネル制御信号であるクロック信号（ＣＬ
Ｋ）、スタートパルス信号（ＳＰ）がシフトレジスタ６
３０ａに入力される。シフトレジスタ６３０ａから画像
情報を有するアナログ信号をサンプリングするためのサ
ンプリング信号が出力される。出力されたサンプリング
信号はレベルシフト６３０ｂに入力され、その電位の振
幅が大きくなって出力される。

【０１１９】レベルシフト６３０ｂから出力されたサン
プリング信号は、サンプリング回路６３０ｃに入力され
る。そして同時に、アナログ信号線を介してアナログ信
号がサンプリング回路６３０ｃに入力される。

【０１２０】サンプリング回路６３０ｃにおいて、入力
されたアナログ信号がサンプリング信号によってサンプ
リングされ、それぞれソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）に入
力される。

【０１２１】本実施例のＥＬ表示装置を、アナログ方式
で駆動させた場合のタイミングチャートを図１０に示
す。１つのゲート信号線が選択されてから、その次に別
のゲート信号線が選択されるまでの期間を１ライン期間
（Ｌ）と呼ぶ。なお本明細書においてゲート信号線が選
択されるとは、スイッチング用ＴＦＴがオンの状態にな
るような電位を有するゲート信号がゲート信号線に入力
されることを意味する。

【０１２２】また１つの画像が表示されてから次の画像
が表示されるまでの期間が１フレーム期間（Ｆ）に相当
する。本実施例のＥＬ表示装置の場合、ゲート信号線は
ｙ本あるので、１フレーム期間中にｙ個のライン期間
（Ｌ１〜Ｌｙ）が設けられている。

【０１２３】まず本実施例において電源供給線（Ｖ１〜
Ｖｘ）の電源電位は常に一定に保たれている。そして対
向電極の電位も一定に保たれている。対向電極の電位
は、電源電位がＥＬ素子６０４の画素電極に与えられた
ときにＥＬ素子が発光する程度に、電源電位との間に電
位差を有している。

【０１２４】第１のライン期間（Ｌ１）において、ゲー
ト信号線駆動回路６３２からゲート信号線Ｇ１を介して
入力されるゲート信号によってゲート信号線Ｇ１が選択
され、ゲート信号線Ｇ１に接続されている全てのスイッ
チング用ＴＦＴが全てオンの状態になる。そして、ソー
ス信号線駆動回路６３０からソース信号線（Ｓ１〜Ｓ
ｘ）に順にアナログ信号が入力される。ソース信号線
（Ｓ１〜Ｓｘ）に入力されたアナログ信号は、スイッチ
ング用ＴＦＴ６０２を介してＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３の
ゲート電極に入力される。

【０１２５】ＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３のチャネル形成領
域を流れる電流の量は、ＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３のゲー
ト電極とソース領域の電位差であるゲート電圧Ｖｇｓに
よって制御される。よって、ＥＬ素子６０４の画素電極
に与えられる電位は、ＥＬ駆動用ＴＦＴ６０３のゲート
電極に入力されたアナログ信号の電位の高さによって決
まる。したがって、ＥＬ素子６０４はアナログ信号の電
位に制御されて発光を行う。

【０１２６】上述した動作を繰り返し、ソース信号線
（Ｓ１〜Ｓｘ）へのアナログ信号の入力が終了すると、
第１のライン期間（Ｌ１）が終了する。なお、ソース信
号線（Ｓ１〜Ｓｘ）へのアナログ信号の入力が終了する
までの期間と水平帰線期間とを合わせて１つのライン期
間としても良い。そして次に第２のライン期間（Ｌ２）
が開始され、ゲート信号によってゲート信号線Ｇ２が選
択され、第１のライン期間（Ｌ１）と同様にソース信号
線（Ｓ１〜Ｓｘ）に順にアナログ信号が入力される。

【０１２７】そして全てのゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）
が選択されると、全てのライン期間（Ｌ１〜Ｌｙ）が終
了する。全てのライン期間（Ｌ１〜Ｌｙ）が終了する
と、１フレーム期間が終了する。１フレーム期間中にお
いて全ての画素が表示を行い、１つの画像が形成され
る。なお全てのライン期間（Ｌ１〜Ｌｙ）と垂直帰線期
間とを合わせて１フレーム期間としても良い。

【０１２８】以上のように、アナログ信号の電位によっ
てＥＬ素子の発光量が制御され、その発光量の制御によ
って階調表示がなされる。

【０１２９】本実施例において、ソース信号線駆動回路
６３０、ゲート信号線駆動回路６３２はＩＣチップ等を
用いて表示部６００を有する基板に実装しても良い。そ
の場合、そのＩＣチップ上のソース信号線駆動回路６３
０、ゲート信号線駆動回路６３２は、ＦＰＣやＴＡＢ等
のコネクターを介して表示部６００に接続される構成と
なる。この場合、ＥＬ表示装置はＩＣチップ上のソース
信号線駆動回路６３０、ゲート信号線駆動回路６３２を
含む。

【０１３０】なお本実施例は実施例１または実施例２と
自由に組み合わせて実施することが可能である。

【０１３１】（実施例５）本実施例では、実施例２〜４
とは異なる構成を有するＥＬ表示装置について説明す
る。

【０１３２】図１１に本発明のＥＬ表示装置のブロック
図の一例を示す。図１１のＥＬ表示装置は、基板上に形
成されたＴＦＴによって表示部７００、表示部７００の
周辺に配置されたソース信号線駆動回路７０２、書き込
み用ゲート信号線駆動回路（第１のゲート信号線駆動回
路）７０３、消去用ゲート信号線駆動回路（第２のゲー
ト信号線駆動回路）７０４を有している。なお、本実施
例でＥＬ表示装置はソース信号側駆動回路を１つ有して
いるが、本実施例においてソース信号側駆動回路は２つ
あってもよい。

【０１３３】ソース信号線駆動回路７０２は少なくとも
シフトレジスタ７０２ａ、ラッチ（Ａ）７０２ｂ、ラッ
チ（Ｂ）７０２ｃを有している。

【０１３４】ソース信号線駆動回路７０２において、シ
フトレジスタ７０２ａにクロック信号（ＣＬＫ）および
スタートパルス（ＳＰ）が入力される。シフトレジスタ
７０２ａは、これらのクロック信号（ＣＬＫ）およびス
タートパルス（ＳＰ）に基づきタイミング信号を順に発
生させ、バッファ等（図示せず）を通して後段の回路へ
タイミング信号を順次供給する。

【０１３５】シフトレジスタ７０２ａからのタイミング
信号は、バッファ等によって緩衝増幅しても良い。タイ
ミング信号が供給される配線には、多くの回路あるいは
素子が接続されているために負荷容量（寄生容量）が大
きい。この負荷容量が大きいために生ずるタイミング信
号の立ち上がりまたは立ち下がりの”鈍り”を防ぐため
に、このバッファが設けられる。

【０１３６】シフトレジスタ７０２ａからのタイミング
信号は、ラッチ（Ａ）７０２ｂに供給される。ラッチ
（Ａ）７０２ｂは、画像情報を有するｎビットのデジタ
ル信号（n bit digital signals）を処理する複数のス
テージのラッチを有している。ラッチ（Ａ）７０２ｂ
は、前記タイミング信号が入力されると、ＥＬ表示装置
の外部から供給されるｎビットデジタル信号を順次取り
込み、保持する。

【０１３７】なお、ラッチ（Ａ）７０２ｂにデジタル信
号を取り込む際に、ラッチ（Ａ）７０２ｂが有する複数
のステージのラッチに、順にデジタル信号を入力しても
良い。しかし本発明はこの構成に限定されない。ラッチ
（Ａ）７０２ｂが有する複数のステージのラッチをいく
つかのグループに分け、各グループごとに並行して同時
にデジタル信号を入力する、いわゆる分割駆動を行って
も良い。なおこのときのグループの数を分割数と呼ぶ。
例えば４つのステージごとにラッチをグループに分けた
場合、４分割で分割駆動すると言う。

【０１３８】ラッチ（Ａ）７０２ｂの全てのステージの
ラッチにデジタル信号の書き込みが一通り終了するまで
の時間を、ライン期間と呼ぶ。すなわち、ラッチ（Ａ）
７０２ｂ中で一番左側のステージのラッチにデジタル信
号の書き込みが開始される時点から、一番右側のステー
ジのラッチにデジタル信号の書き込みが終了する時点ま
での時間間隔がライン期間である。実際には、上記ライ
ン期間に水平帰線期間が加えられた期間をライン期間に
含むことがある。

【０１３９】１ライン期間が終了すると、ラッチ（Ｂ）
７０２ｃにラッチシグナル（LatchSignal）が供給され
る。この瞬間、ラッチ（Ａ）７０２ｂに書き込まれ保持
されているデジタル信号は、ラッチ（Ｂ）７０２ｃに一
斉に送出され、ラッチ（Ｂ）７０２ｃの全ステージのラ
ッチに書き込まれ、保持される。

【０１４０】デジタル信号をラッチ（Ｂ）７０２ｃに送
出し終えたラッチ（Ａ）７０２ｂには、シフトレジスタ
７０２ａからのタイミング信号に基づき、再びＥＬ表示
装置の外部から供給されるデジタル信号の書き込みが順
次行われる。

【０１４１】この２順目の１ライン期間中には、ラッチ
（Ｂ）７０２ｂに書き込まれ保持されているデジタル信
号が、ソース信号線に入力される。

【０１４２】一方、書き込み用ゲート信号線駆動回路７
０３及び消去用ゲート信号線駆動回路７０４は、それぞ
れシフトレジスタ、バッファ（いずれも図示せず）を有
している。また場合によっては、書き込み用ゲート信号
線駆動回路７０３及び消去用ゲート信号線駆動回路７０
４が、シフトレジスタ、バッファの他にレベルシフトを
有していても良い。

【０１４３】書き込み用ゲート信号線駆動回路７０３及
び消去用ゲート信号線駆動回路７０４において、シフト
レジスタ（図示せず）からのタイミング信号がバッファ
（図示せず）に供給され、対応するゲート信号線（走査
線とも呼ぶ）に供給される。ゲート信号線には、１ライ
ン分の画素ＴＦＴのゲート電極が接続されており、１ラ
イン分全ての画素ＴＦＴを同時にＯＮにしなくてはなら
ないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なも
のが用いられる。

【０１４４】本実施例において、ソース信号線駆動回路
７０２、書き込み用ゲート信号線駆動回路７０３、消去
用ゲート信号線駆動回路７０４は表示部７００を有する
基板上に形成しても良いし、ＩＣチップ等を用いて表示
部７００を有する基板に実装しても良い。ＩＣチップ等
を用いて表示部７００を有する基板に実装する場合、そ
のＩＣチップ上のソース信号線駆動回路７０２、書き込
み用ゲート信号線駆動回路７０３、消去用ゲート信号線
駆動回路７０４は、ＦＰＣやＴＡＢ等を介して表示部７
００に接続される構成となる。この場合、ＥＬ表示装置
はＩＣチップ上のソース信号線駆動回路７０２、書き込
み用ゲート信号線駆動回路７０３及び消去用ゲート信号
線駆動回路７０４を含む。

【０１４５】表示部７００の拡大図を図１２に示す。ソ
ース信号線駆動回路７０２のラッチ（Ｂ）７０２ｃに接
続されたソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）、ＥＬ表示装置の
外部の電源に接続された電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）、書
き込み用ゲート信号線駆動回路７０３に接続された書き
込み用ゲート信号線（第１のゲート信号線）（Ｇａ１〜
Ｇａｙ）、消去用ゲート信号線駆動回路７０４に接続さ
れた消去用ゲート信号線（第２のゲート信号線）（Ｇｅ
１〜Ｇｅｙ）が表示部７００に設けられている。

【０１４６】ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）と、電源供給
線（Ｖ１〜Ｖｘ）と、書き込み用ゲート信号線（Ｇａ１
〜Ｇａｙ）と、消去用ゲート信号線（Ｇｅ１〜Ｇｅｙ）
とをそれぞれ１つづつ備えた領域が画素７０５である。
表示部７００にはマトリクス状に複数の画素７０５が配
列されることになる。

【０１４７】画素７０５内において、７０７はスイッチ
ング用ＴＦＴである。スイッチング用ＴＦＴ７０７のゲ
ート電極は、書き込み用ゲート信号線（Ｇａ１〜Ｇａ
ｙ）のいずれか１つに接続されている。スイッチング用
ＴＦＴ７０７のソース領域とドレイン領域は、一方がソ
ース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）のいずれか１つに、もう一方
がＥＬ駆動用ＴＦＴ７０８のゲート電極及び保持容量７
１２にそれぞれ接続されている。また保持容量７１２は
電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）のいずれか１つは接続されて
いる。

【０１４８】保持容量７１２はスイッチング用ＴＦＴ７
０７が非選択状態（オフ状態）にある時、ＥＬ駆動用Ｔ
ＦＴ７０８のゲート電圧を保持するために設けられてい
る。なお本実施例では保持容量７１２を設ける構成を示
したが、本発明はこの構成に限定されず、保持容量７１
２を設けない構成にしても良い。

【０１４９】また、ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０８のソース領
域は電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）のいずれか１つに接続さ
れ、ドレイン領域はＥＬ素子７１０の陽極もしくは陰極
に接続される。

【０１５０】消去用ＴＦＴ７０９のソース領域とドレイ
ン領域は、一方はＥＬ駆動用ＴＦＴ７０８のゲート電極
に、もう一方は電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）のいずれか１
つに接続されている。そして消去用ＴＦＴ７０９のゲー
ト電極は、消去用ゲート信号線（Ｇｅ１〜Ｇｅｙ）のい
ずれか１つに接続されている。

【０１５１】ＥＬ素子７１０は陽極と陰極と、陽極と陰
極との間に設けられたＥＬ層とからなる。陽極がＥＬ駆
動用ＴＦＴ７０８のドレイン領域と接続している場合、
陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。逆に陰極がＥ
Ｌ駆動用ＴＦＴ７０８のドレイン領域と接続している場
合、陰極が画素電極、陽極が対向電極となる。

【０１５２】ＥＬ素子７１０の対向電極には対向電位が
与えられている。また電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）は電源
電位が与えられている。そして本実施例では対向電位と
電源電位の電位差は、電源電位が画素電極に与えられた
ときにＥＬ素子が発光する程度の電位差に常に保たれて
いる。電源電位と対向電位は、本発明のＥＬ表示装置
に、外付けのＩＣ等により設けられた電源によって与え
られる。

【０１５３】現在の典型的なＥＬ表示装置には、画素の
発光する面積あたりの発光量が２００ｃｄ／ｍ²の場
合、表示部の面積あたりの電流が数ｍＡ／ｃｍ²程度必
要となる。そのため特に画面サイズが大きくなると、Ｉ
Ｃに設けられた電源から与えられる電位の高さをスイッ
チで制御することが難しくなっていく。本実施例におい
ては、電源電位と対向電位は常に一定に保たれており、
ＩＣに設けられた電源から与えられる電位の高さをスイ
ッチで制御する必要がないので、より大きな画面サイズ
のパネルの実現に有用である。

【０１５４】スイッチング用ＴＦＴ７０７、ＥＬ駆動用
ＴＦＴ７０８、消去用ＴＦＴ７０９は、ｎチャネル型Ｔ
ＦＴでもｐチャネル型ＴＦＴでもどちらでも用いること
ができる。またスイッチング用ＴＦＴ７０７、ＥＬ駆動
用ＴＦＴ７０８、消去用ＴＦＴ７０９は、シングルゲー
ト構造ではなく、ダブルゲート構造、やトリプルゲート
構造などのマルチゲート構造を有していても良い。

【０１５５】ただし、ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０８のドレイ
ン領域がＥＬ素子７１０の陽極に接続されている場合、
ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０８はｐチャネル型ＴＦＴであるこ
とが望ましい。また逆に、ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０８のド
レイン領域がＥＬ素子７１０の陰極に接続されている場
合、ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０８はｎチャネル型ＴＦＴであ
ることが望ましい。

【０１５６】次に、本実施例のＥＬ表示装置で、時分割
駆動法の１つである並行消去走査駆動法（Simultaneous
-erasing-scan driving）により２⁶階調の表示を行う場
合のタイミングチャートを図１３に示す。なお本実施例
で２⁶階調の表示を行う例について説明するが本実施例
は２⁶階調に限定されず、デジタル信号のビット数は実
施する者が適宜設定することが可能である。

【０１５７】図１３のタイミングチャートにおいて、横
軸は時間を示し、縦軸はゲート信号線の位置を示してい
る。

【０１５８】はじめに書き込み用ゲート信号線Ｇａ１
に、書き込み用ゲート信号線駆動回路７０３から入力さ
れる書き込み用ゲート信号によって、書き込み用ゲート
信号線Ｇａ１に接続されている全ての画素（１ライン目
の画素）のスイッチング用ＴＦＴ７０７がオンの状態に
なる。

【０１５９】そして同時に、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓ
ｘ）にソース信号線駆動回路７０２のラッチ（Ｂ）７０
２ｃから、１ビット目のデジタル信号が入力される。デ
ジタル信号はスイッチング用ＴＦＴ７０７を介してＥＬ
駆動用ＴＦＴ７０８のゲート電極に入力される。デジタ
ル信号は「０」または「１」の情報を有しており、
「０」と「１」のデジタル信号は、一方がＨｉ、一方が
Ｌｏの電圧を有する信号である。

【０１６０】本実施例では、デジタル信号が「０」の情
報を有していた場合、ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０８はオフの
状態となる。よってＥＬ素子７１０の画素電極には電源
電位は与えられない。その結果、「０」の情報を有する
デジタル信号が入力された画素が有するＥＬ素子７１０
は発光しない。

【０１６１】逆に、「１」の情報を有していた場合、Ｅ
Ｌ駆動用ＴＦＴ７０８はオン状態となる。よってＥＬ素
子７１０の画素電極には電源電位が与えられる。その結
果、「１」の情報を有するデジタル信号が入力された画
素が有するＥＬ素子７１０は発光する。

【０１６２】なお本実施例では、デジタル信号が「０」
の情報を有していた場合ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０８がオフ
状態となり、デジタル信号が「１」の情報を有していた
場合ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０８がオン状態となるが、本発
明はこの構成に限定されない。デジタル信号が「０」の
情報を有していた場合ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０８がオン状
態となり、デジタル信号が「１」の情報を有していた場
合ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０８がオフ状態となるようにして
も良い。

【０１６３】このように、１ライン目の画素にデジタル
信号が入力されると同時に、ＥＬ素子７１０が発光状
態、または非発光状態になり、１ライン目の画素は表示
を行う。画素が表示を行っている期間を表示期間Ｔｒと
呼ぶ。特に１ビット目のデジタル信号が画素に入力され
たことで開始する表示期間をＴｒ１と呼ぶ。そして各ラ
インの表示期間が開始されるタイミングはそれぞれ時間
差を有している。

【０１６４】次にＧａ１の選択が終了すると同時に、書
き込み用ゲート信号線Ｇａ２に入力される書き込み用ゲ
ート信号によって書き込み用ゲート信号線Ｇａ２に接続
されている全ての画素のスイッチング用ＴＦＴ７０７が
オンの状態になる。そして２ライン目の画素にソース信
号線（Ｓ１〜Ｓｘ）から１ビット目のデジタル信号が入
力される。

【０１６５】なお本明細書において画素に信号が入力さ
れるとは、画素が有するスイッチング用ＴＦＴを介して
ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に信号が入力されること
を意味する。

【０１６６】そして順に、全ての書き込み用ゲート信号
線（Ｇａ１〜Ｇａｘ）に入力される書き込み用ゲート信
号によって全ての書き込み用ゲート信号線（Ｇａ１〜Ｇ
ａｘ）が選択される。そして全てのラインの画素に１ビ
ット目のデジタル信号が入力される。全てのラインの画
素に１ビット目のデジタル信号が入力されるまでの期間
が書き込み期間Ｔａ１である。

【０１６７】一方、全てのラインの画素に１ビット目の
デジタル信号が入力される前、言い換えると書き込み期
間Ｔａ１が終了する前に、画素への１ビット目のデジタ
ル信号の入力と並行して、消去用ゲート信号線駆動回路
７０４から入力される消去用ゲート信号によって消去用
ゲート信号線Ｇｅ１が選択される。

【０１６８】消去用ゲート信号線Ｇｅ１に入力される消
去用ゲート信号によって、消去用ゲート信号線Ｇｅ１に
接続されている全ての画素（１ライン目の画素）の消去
用ＴＦＴ７０９がオンの状態になる。そして電源供給線
（Ｖ１〜Ｖｘ）の電源電位が消去用ＴＦＴ７０９を介し
てＥＬ駆動用ＴＦＴ７０８のゲート電極に与えられる。

【０１６９】電源電位がＥＬ駆動用ＴＦＴ７０８のゲー
ト電極に与えられると、ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０８のゲー
ト電極とソース領域は同じ高さの電位に保たれるため、
ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０８はオフの状態となる。よって電
源電位はＥＬ素子７１０の画素電極に与えられなくな
り、１ライン目の画素が有するＥＬ素子は全て非発光の
状態になり、１ライン目の画素が表示を行わなくなる。
つまり、書き込み用ゲート信号線Ｇａ１が書き込み用ゲ
ート信号によって選択されたときからＥＬ駆動用ＴＦＴ
７０８のゲート電極が保持していたデジタル信号は、Ｅ
Ｌ駆動用ＴＦＴ７０８のゲート電極に電源電位が与えら
れることで消去される。よって１ライン目の画素が表示
を行わなくなる。

【０１７０】画素が表示を行わない期間を非表示期間Ｔ
ｄと呼ぶ。１ライン目の画素は、消去用ゲート信号線Ｇ
ｅ１に消去用ゲート信号が入力されると同時に表示期間
Ｔｒ１が終了し、非表示期間Ｔｄ１となる。そして表示
期間Ｔｒと同様に、各ラインの非表示期間Ｔｄが開始さ
れるタイミングはそれぞれ時間差を有している。

【０１７１】そしてＧｅ１の選択が終了すると同時に、
消去用ゲート信号線Ｇｅ２に入力される消去用ゲート信
号によって、消去用ゲート信号線Ｇｅ２に接続されてい
る全ての画素（２ライン目の画素）の消去用ＴＦＴ７０
９がオンの状態になる。そして電源供給線（Ｖ１〜Ｖ
ｘ）の電源電位が消去用ＴＦＴ７０９を介してＥＬ駆動
用ＴＦＴ７０８のゲート電極に与えられる。電源電位が
ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０８のゲート電極に与えられると、
ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０８はオフの状態となる。よって電
源電位はＥＬ素子７１０の画素電極に与えられなくな
る。その結果２ライン目の画素が有するＥＬ素子は全て
非発光の状態になり、２ライン目の画素が表示を行わな
くなり、非表示の状態となる。

【０１７２】そして順に、全ての消去用ゲート信号線に
消去用ゲート信号が入力されていく。全ての消去用ゲー
ト信号線（Ｇａ１〜Ｇａｘ）が選択され、全てのライン
の画素が保持している１ビット目のデジタル信号が消去
されるまでの期間が消去期間Ｔｅ１である。

【０１７３】一方、全てのラインの画素が保持している
１ビット目のデジタル信号が消去される前、言い換える
と消去期間Ｔｅ１が終了する前に、画素への１ビット目
のデジタル信号の消去と並行して、再び書き込み用ゲー
ト信号線駆動回路７０４から入力される書き込み用ゲー
ト信号によって書き込み用ゲート信号線Ｇａ１が選択さ
れる。その結果、１ライン目の画素は再び表示を行うの
で、非表示期間Ｔｄ１が終了して表示期間Ｔｒ２とな
る。

【０１７４】そして同様に、順に全ての書き込み用ゲー
ト信号線が選択され、２ビット目のデジタル信号が全て
の画素に入力される。全てのラインの画素に２ビット目
のデジタル信号が入力し終わるまでの期間を、書き込み
期間Ｔａ２と呼ぶ。

【０１７５】そして一方、全てのラインの画素に２ビッ
ト目のデジタル信号が入力される前、言い換えると書き
込み期間Ｔａ２が終了する前に、画素への２ビット目の
デジタル信号の入力と並行して、消去用ゲート信号線駆
動回路７０４から入力される消去用ゲート信号によって
消去用ゲート信号線Ｇｅ２が選択される。よって１ライ
ン目の画素が有するＥＬ素子は全て非発光の状態にな
り、１ライン目の画素が表示を行わなくなる。よって１
ライン目の画素において表示期間Ｔｒ２は終了し、非表
示期間Ｔｄ２となる。

【０１７６】そして順に、全ての消去用ゲート信号線に
消去用ゲート信号が入力されていく。全ての消去用ゲー
ト信号線（Ｇａ１〜Ｇａｘ）が選択され、全てのライン
の画素が保持している２ビット目のデジタル信号が消去
されるまでの期間が消去期間Ｔｅ２である。

【０１７７】上述した動作は４ビット目のデジタル信号
が画素に入力されるまで繰り返し行われ、表示期間Ｔｒ
と非表示期間Ｔｄとが繰り返し出現する。表示期間Ｔｒ
１は、書き込み期間Ｔａ１が開始されてから消去期間Ｔ
ｅ１が開始されるまでの期間である。また非表示期間Ｔ
ｄ１は、消去期間Ｔｅ１が開始されてから表示期間Ｔｒ
２が開始されるまでの期間である。そして表示期間Ｔｒ
２、Ｔｒ３と非表示期間Ｔｄ２、Ｔｄ３も、表示期間Ｔ
ｒ１と非表示期間Ｔｄ１と同様に、それぞれ書き込み期
間Ｔａ１、Ｔａ２、…、Ｔａ４と消去期間Ｔｅ１、Ｔｅ
２、Ｔｅ３とによって、その期間が定められる。

【０１７８】そしてｍビット目のデジタル信号が１ライ
ン目の画素に入力された後は、消去用ゲート信号によっ
て消去用ゲート信号線Ｇｅ１〜Ｇｅｙは選択されない。
説明を簡便にするために、本実施例では４ビット目デジ
タル信号が入力されるときに消去用ゲート信号線Ｇｅ１
〜Ｇｅｙが選択されない場合を例にとって説明するが、
本発明はこれに限定されない。本発明において何ビット
目のデジタル信号の画素への入力時において、消去用ゲ
ート信号線Ｇｅ１〜Ｇｅｙが選択されなくなるかは任意
に選択することができる。

【０１７９】４ビット目のデジタル信号が１ライン目の
画素に入力されると、１ライン目の画素は表示期間Ｔｒ
４となり表示を行う。そして次のビットのデジタル信号
が入力されるまで、４ビット目のデジタル信号は画素に
保持される。

【０１８０】そして次に５ビット目のデジタル信号が１
ライン目の画素に入力されると、画素に保持されていた
４ビット目のデジタル信号は、５ビット目のデジタル信
号に書き換えられる。そして１ライン目の画素は表示期
間Ｔｒ５となり、表示を行う。５ビット目のデジタル信
号は、次のビットのデジタル信号が入力されるまで画素
に保持される。

【０１８１】そして次に６ビット目のデジタル信号が１
ライン目の画素に入力されると、画素に保持されていた
５ビット目のデジタル信号は、６ビット目のデジタル信
号に書き換えられる。そして１ライン目の画素は表示期
間Ｔｒ６となり、表示を行う。６ビット目のデジタル信
号は、次のフレーム期間の１ビット目のデジタル信号が
入力されるまで画素に保持される。

【０１８２】表示期間Ｔｒ４は、書き込み期間Ｔａ４が
開始されてから、書き込み期間Ｔａ５が開始されるまで
の期間である。そして表示期間Ｔｒ５、Ｔｒ６も表示期
間Ｔｒ４と同様に、書き込み期間Ｔａ５、Ｔａ６と次の
フレーム期間の最初の書込期間であるＴａ１によって、
その期間が定められる。

【０１８３】なお本実施例では、全ての書き込み期間の
長さの和が１フレーム期間よりも短く、なおかつ表示期
間の長さをＴｒ１：Ｔｒ２：Ｔｒ３：…：Ｔｒ６＝
２⁰：２¹：２²：…：２⁵とすることが必要である。また
書込期間どうしは重ならないことが重要である。

【０１８４】全ての画素において表示期間（Ｔｒ１〜Ｔ
ｒ６）が終了すると、１つの画像を表示することができ
る。本発明の駆動方法において、１つの画像を表示する
期間を１フレーム期間（Ｆ）と呼ぶ。

【０１８５】そして１フレーム期間終了後は、再び書き
込み用ゲート信号線Ｇａ１に、書き込み用ゲート信号線
駆動回路７０３から書き込み用ゲート信号が入力され
る。その結果１ビット目のデジタル信号が画素に入力さ
れ、１ライン目の画素が再び表示期間Ｔｒ１となる。そ
して再び上述した動作を繰り返す。

【０１８６】通常のＥＬ表示装置では１秒間に６０以上
のフレーム期間を設けることが好ましい。１秒間に表示
される画像の数が６０より少なくなると、視覚的に画像
のちらつきが目立ち始めることがある。

【０１８７】１フレーム期間中にＥＬ素子が発光した表
示期間の長さの総和を求めることによって、当該フレー
ム期間におけるその画素の表示した階調がきまる。

【０１８８】４ビット目のデジタル信号が画素に書き込
まれる書き込み期間Ｔａ４は、表示期間Ｔｒ４の長さよ
りも短いことが肝要である。

【０１８９】また表示期間（Ｔｒ１〜Ｔｒ６）は、どの
ような順序で出現させても良い。例えば１フレーム期間
中において、Ｔｒ１の次にＴｒ３、Ｔｒ５、Ｔｒ２、…
という順序で表示期間を出現させることも可能である。
ただし、消去期間（Ｔｅ１〜Ｔｅ６）が互いに重ならな
い順序の方がより好ましい。

【０１９０】本実施例では、表示を行わない非発光期間
を設けることができる。従来のアナログ駆動の場合、Ｅ
Ｌ表示装置に全白の画像を表示させると、常にＥＬ素子
が発光することになり、ＥＬ層の劣化を早める原因とな
ってしまう。本発明は非発光期間を設けることができる
ので、ＥＬ層の劣化をある程度抑えることができる。

【０１９１】なお本実施例においては、表示期間Ｔｒと
書き込み期間Ｔａとが一部重なっている。言い換えると
書き込み期間Ｔａにおいても画素を表示させることが可
能である。そのため、１フレーム期間における表示期間
Ｔｒの長さの総和の割合（デューティー比）が、書き込
み期間Ｔａの長さによってのみ決定されない。

【０１９２】なお本実施例は実施例１と自由に組み合わ
せて実施することが可能である。

【０１９３】（実施例６）本実施例では、同一基板上に
ＥＬ表示装置を有する表示部と、表示部の周辺に設ける
駆動回路のＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル
型ＴＦＴ）を同時に作製する方法について詳細に説明す
る。

【０１９４】まず、図１４（Ａ）に示すように、コーニ
ング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代
表されるバリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ
酸ガラスなどのガラス、または石英基板から成る基板４
００上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒
化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜４０１を形成
する。例えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ₄、ＮＨ₃、Ｎ
₂Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜を１０〜２００n
m（好ましくは５０〜１００nm）形成し、同様にＳｉ
Ｈ₄、Ｎ₂Ｏから作製される酸化窒化水素化シリコン膜を
５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０nm）の厚
さに積層形成する。なお図１４（Ａ）では下地膜を１つ
の層で示した。本実施例では下地膜４０１を２層構造と
して示したが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層
させた構造として形成しても良い。

【０１９５】半導体層４０２〜４０５は、非晶質構造を
有する半導体膜をレーザー結晶化法や公知の熱結晶化法
を用いて作製した結晶質半導体膜で形成する。この半導
体層４０２〜４０５の厚さは２５〜８０ｎｍ（好ましく
は３０〜６０ｎｍ）の厚さで形成する。結晶質半導体膜
の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリ
コンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金などで形成すると良
い。

【０１９６】公知の結晶化方法としては、電熱炉を使用
した熱結晶化方法、レーザー光を用いたレーザーアニー
ル結晶化法、赤外光を用いたランプアニール結晶化法、
触媒金属を用いた結晶化法がある。

【０１９７】レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製
するには、パルス発振型または連続発光型のエキシマレ
ーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ₄レーザーを用いる。
これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器か
ら放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体
膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施
者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用
いる場合はパルス発振周波数３００Ｈｚとし、レーザー
エネルギー密度を１００〜４００mJ/cm²(代表的には２
００〜３００mJ/cm²)とする。また、ＹＡＧレーザーを
用いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周波数
３０〜３００ｋＨｚとし、レーザーエネルギー密度を３
００〜６００mJ/cm²(代表的には３５０〜５００mJ/cm²)
とすると良い。そして幅１００〜１０００μｍ、例えば
４００μｍで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡
って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率
（オーバーラップ率）を５０〜９８％として行う。

【０１９８】次いで、半導体層４０２〜４０５を覆うゲ
ート絶縁膜４０６を形成する。ゲート絶縁膜４０６はプ
ラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜
１５０ｎｍとしてシリコンを含む絶縁膜で形成する。本
実施例では、１２０ｎｍの厚さで酸化窒化シリコン膜で
形成する。勿論、ゲート絶縁膜４０６はこのような酸化
窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコン
を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良
い。例えば、酸化シリコン膜を用いる場合には、プラズ
マＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicate）と
Ｏ₂とを混合し、反応圧力４０Pa、基板温度３００〜４
００℃とし、高周波（１３．５６MHz）電力密度０．５
〜０．８W/cm²で放電させて形成することができる。こ
のようにして作製される酸化シリコン膜は、その後４０
０〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜として良
好な特性を得ることができる。

【０１９９】そして、ゲート絶縁膜４０６上にゲート電
極を形成するための第１の導電膜４０７と第２の導電膜
４０８とを形成する。本実施例では、第１の導電膜４０
７をＴａで５０〜１００ｎｍの厚さに形成し、第２の導
電膜４０８をＷで１００〜３００ｎｍの厚さに形成す
る。

【０２００】Ｔａ膜はスパッタ法で形成し、Ｔａのター
ゲットをＡｒでスパッタする。この場合、Ａｒに適量の
ＸｅやＫｒを加えると、Ｔａ膜の内部応力を緩和して膜
の剥離を防止することができる。また、α相のＴａ膜の
抵抗率は２０μΩcm程度でありゲート電極に使用するこ
とができるが、β相のＴａ膜の抵抗率は１８０μΩcm程
度でありゲート電極とするには不向きである。α相のＴ
ａ膜を形成するために、Ｔａのα相に近い結晶構造をも
つ窒化タンタルを１０〜５０ｎｍ程度の厚さでＴａの下
地に形成しておくとα相のＴａ膜を容易に得ることがで
きる。

【０２０１】Ｗ膜を形成する場合には、Ｗをターゲット
としたスパッタ法で形成する。その他に６フッ化タング
ステン（ＷＦ₆）を用いる熱ＣＶＤ法で形成することも
できる。いずれにしてもゲート電極として使用するため
には低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０μ
Ωｃｍ以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大き
くすることで低抵抗率化を図ることができるが、Ｗ中に
酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され
高抵抗化する。このことより、スパッタ法による場合、
純度９９．９９％または純度９９．９９９９％のＷター
ゲットを用い、さらに成膜時に気相中からの不純物の混
入がないように十分配慮してＷ膜を形成することによ
り、抵抗率９〜２０μΩｃｍを実現することができる。

【０２０２】なお、本実施例では、第１の導電膜４０７
をＴａ、第２の導電膜４０８をＷとしたが、特に限定さ
れず、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから
選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料
若しくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の
不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表さ
れる半導体膜を用いてもよい。本実施例以外の他の組み
合わせの一例は、第１の導電膜を窒化タンタル（Ｔａ
Ｎ）で形成し、第２の導電膜をＷとする組み合わせ、第
１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の
導電膜をＡｌとする組み合わせ、第１の導電膜を窒化タ
ンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜をＣｕとする
組み合わせで形成することが好ましい。（図１４
（Ｂ））

【０２０３】次に、レジストによるマスク４０９〜４１
２を形成し、電極及び配線を形成するための第１のエッ
チング処理を行う。本実施例ではＩＣＰ（Inductively
Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を
用い、エッチング用ガスにＣＦ₄とＣｌ₂を混合し、１Pa
の圧力でコイル型の電極に５００WのＲＦ（13.56MHz）
電力を投入してプラズマを生成して行う。基板側（試料
ステージ）にも１００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入
し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ₄
とＣｌ₂を混合した場合にはＷ膜及びＴａ膜とも同程度
にエッチングされる。

【０２０４】なお図１４（Ｃ）では図示しなかったが、
上記エッチング条件では、レジストによるマスクの形状
を適したものとすることにより、基板側に印加するバイ
アス電圧の効果により第１の導電層及び第２の導電層の
端部がテーパー形状となる。テーパー部の角度は１５〜
４５°となる。ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエ
ッチングするためには、１０〜２０％程度の割合でエッ
チング時間を増加させると良い。Ｗ膜に対する酸化窒化
シリコン膜の選択比は２〜４（代表的には３）であるの
で、オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン
膜が露出した面は２０〜５０nm程度エッチングされるこ
とになる。また図１４（Ｃ）では図示しなかったが、ゲ
ート絶縁膜４０６は、上記エッチングによって第１の形
状の導電層４１４〜４１７で覆われない領域が２０〜５
０nm程度エッチングされ薄くなった。

【０２０５】こうして、第１のエッチング処理により第
１の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層
４１４〜４１７（第１の導電層４１４ａ〜４１７ａと第
２の導電層４１４ｂ〜４１７ｂ）を形成する。

【０２０６】次に、図１４（Ｄ）に示すように第２のエ
ッチング処理を行う。同様にＩＣＰエッチング法を用
い、エッチングガスにＣＦ₄とＣｌ₂とＯ₂を混合して、
１Paの圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ電力(13.
56MHz)を供給し、プラズマを生成して行う。基板側（試
料ステージ）には５０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入
し、第１のエッチング処理に比べ低い自己バイアス電圧
を印加する。このような条件によりＷ膜を異方性エッチ
ングし、かつ、それより遅いエッチング速度で第１の導
電層であるＴａを異方性エッチングして第２の形状の導
電層４１９〜４２２（第１の導電層４１９ａ〜４２２ａ
と第２の導電層４１９ｂ〜４２２ｂ）を形成する。また
図１４（Ｄ）では図示しなかったが、ゲート絶縁膜４０
６は、上記エッチングによって第２の形状の導電層４１
９〜４２２で覆われない領域がさらに２０〜５０nm程度
エッチングされ薄くなった。また、第２のエッチング処
理により、マスク４０９〜４１２もエッチングされ、マ
スク４０９ａ〜４１２ａとなった。

【０２０７】Ｗ膜やＴａ膜のＣＦ₄とＣｌ₂の混合ガスに
よるエッチング反応は、生成されるラジカルまたはイオ
ン種と反応生成物の蒸気圧から推測することができる。
ＷとＴａのフッ化物と塩化物の蒸気圧を比較すると、Ｗ
のフッ化物であるＷＦ₆が極端に高く、その他のＷＣ
ｌ₅、ＴａＦ₅、ＴａＣｌ₅は同程度である。従って、Ｃ
Ｆ₄とＣｌ₂の混合ガスではＷ膜及びＴａ膜共にエッチン
グされる。しかし、この混合ガスに適量のＯ₂を添加す
るとＣＦ₄とＯ₂が反応してＣＯとＦになり、Ｆラジカル
またはＦイオンが多量に発生する。その結果、フッ化物
の蒸気圧が高いＷ膜のエッチング速度が増大する。一
方、ＴａはＦが増大しても相対的にエッチング速度の増
加は少ない。また、ＴａはＷに比較して酸化されやすい
ので、Ｏ₂を添加することでＴａの表面が酸化される。
Ｔａの酸化物はフッ素や塩素と反応しないためさらにＴ
ａ膜のエッチング速度は低下する。従って、Ｗ膜とＴａ
膜とのエッチング速度に差を作ることが可能となりＷ膜
のエッチング速度をＴａ膜よりも大きくすることが可能
となる。

【０２０８】そして、マスク４０９ａ〜マスク４１２ａ
を除去し、図１５（Ａ）に示すように第１のドーピング
処理を行い、ｎ型を付与する不純物元素を添加する。例
えば、加速電圧を７０〜１２０ｋｅＶとし、１×１０¹³
/cm²のドーズ量で行う。ドーピングは、第２の形状の導
電層４１９〜４２２を不純物元素に対するマスクとして
用い、第２の導電層４１９ａ〜４２２ａの下側の領域に
も不純物元素が添加されるようにドーピングする。こう
して、第２の導電層４１９ａ〜４２２ａと重なる第１の
不純物領域４２５〜４２８と、第１の不純物領域よりも
不純物の濃度が高い第２の不純物領域４２９〜４３２と
が形成される。なお本実施例ではマスク４０９ａ〜４１
２ａを除去してからｎ型を付与する不純物元素を添加し
たが、本発明はこれに限定されない。図１５（Ａ）の工
程においてｎ型を付与する不純物元素を添加してからマ
スク４０９ａ〜マスク４１２ａを除去しても良い。

【０２０９】次に第２の導電層４２１ａ、４２１ｂを覆
うように半導体層４０４上にレジストからなるマスク４
３３を形成する。マスク４３３はゲート絶縁膜４０６を
間に挟んで第２の不純物領域４３１と一部重なってい
る。そして第２のドーピング処理を行いｎ型を付与する
不純物元素を添加する。この場合、第１のドーピング処
理よりもドーズ量を上げて低い加速電圧の条件としてｎ
型を付与する不純物元素をドーピングする。（図１５
（Ｂ））ドーピングの方法はイオンドープ法若しくはイ
オン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドー
ズ量を１×１０¹³〜５×１０¹⁴atoms/cm²とし、加速電
圧を６０〜１００ｋｅＶとして行う。ｎ型を付与する不
純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン
（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここではリン
（Ｐ）を用いる。この場合、第２の形状の導電層４１９
〜４２２がｎ型を付与する不純物元素に対するマスクと
なり、自己整合的にソース領域４３４〜４３７、ドレイ
ン領域４３８〜４４１、Ｌｏｖ領域４４２〜４４５が形
成される。またマスク４３３によってＬｏｆｆ領域４４
６が形成される。ソース領域４３４〜４３７、ドレイン
領域４３８〜４４１には１×１０²⁰〜１×１０²¹atomic
/cm³の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加す
る。

【０２１０】本実施例はマスク４３３のサイズを制御す
ることで、Ｌｏｆｆ領域４４６の長さを自由に設定する
ことが可能である。

【０２１１】なお本明細書において、ゲート絶縁膜を介
してゲート電極と重なるＬＤＤ領域をＬｏｖ領域と呼
ぶ。またゲート絶縁膜を介してゲート電極と重ならない
ＬＤＤ領域をＬｏｆｆ領域と呼ぶ。

【０２１２】ｎ型を付与する不純物元素は、Ｌｏｆｆ領
域で１×１０¹⁷〜１×１０¹⁹atoms/cm ³の濃度となるよ
うにし、Ｌｏｖ領域で１×１０¹⁶〜１×１０¹⁸atoms/cm
³の濃度となるようにする。

【０２１３】なお図１５（Ｂ）において、上述したよう
な条件でｎ型を付与する不純物元素をドーピングする前
または後に、半導体層４０４上にマスク４３３を形成し
た状態で加速電圧を７０〜１２０ｋｅＶとしｎ型を付与
する不純物元素をドーピングしても良い。上記工程によ
って、スイッチング用ＴＦＴのＬｏｆｆ領域となる部分
４４６のｎ型を付与する不純物元素の濃度を抑えつつ、
駆動回路に用いられるＴＦＴのＬｏｖ領域となる部分４
４２、４４３のｎ型を付与する不純物元素の濃度を高め
ることができる。スイッチング用ＴＦＴのＬｏｆｆ領域
となる部分４４６のｎ型を付与する不純物元素の濃度を
抑えることで、スイッチング用ＴＦＴのオフ電流を低減
することが可能である。また駆動回路に用いられるｎチ
ャネル型ＴＦＴのＬｏｖ領域となる部分４４３のｎ型を
付与する不純物元素の濃度を高めることで、ホットキャ
リア効果による、ドレイン近傍の高電界によって発生し
たホットキャリアが劣化現象を引き起こすのを防ぐこと
ができる。

【０２１４】そして、マスク４３３を除去した後、図１
５（Ｃ）に示すように、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する
半導体層４０２、４０５に一導電型とは逆の導電型のソ
ース領域４４７、４４８と、ドレイン領域４４９、４５
０と、Ｌｏｖ領域４５１、４５２を形成する。第２の形
状を有する導電層４１９、４２２を不純物元素に対する
マスクとして用い、自己整合的に不純物領域を形成す
る。このとき、ｎチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層
４０３、４０４はレジストマスク４５３で全面を被覆し
ておく。ソース領域４４７、４４８及びドレイン領域４
４９、４５０と、Ｌｏｖ領域４５１、４５２とにはそれ
ぞれ異なる濃度でリンが添加されているが、ジボラン
（Ｂ₂Ｈ₆）を用いたイオンドープ法で形成し、そのいず
れの領域においても不純物濃度を２×１０²⁰〜２×１０
²¹atoms/cm³となるようにする。

【０２１５】以上までの工程でそれぞれの半導体層４０
２〜４０５に不純物領域（ソース領域、ドレイン領域、
Ｌｏｖ領域、Ｌｏｆｆ領域）が形成される。半導体層と
重なる第２の導電層４１９〜４２２がゲート電極として
機能する。

【０２１６】こうして導電型の制御を目的として、それ
ぞれの半導体層に添加された不純物元素を活性化する工
程を行う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱
アニール法で行う。その他に、レーザーアニール法、ま
たはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用す
ることができる。熱アニール法では酸素濃度が１ｐｐｍ
以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で４
００〜７００℃、代表的には５００〜６００℃で行うも
のであり、本実施例では５００℃で４時間の熱処理を行
う。ただし、４１９〜４２２に用いた配線材料が熱に弱
い場合には、配線等を保護するため層間絶縁膜（シリコ
ンを主成分とする）を形成した後で活性化を行うことが
好ましい。

【０２１７】さらに、３〜１００％の水素を含む雰囲気
中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行
い、半導体層を水素化する工程を行う。この工程は熱的
に励起された水素により半導体層のダングリングボンド
を終端する工程である。水素化の他の手段として、プラ
ズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）
を行っても良い。

【０２１８】次いで、第１の層間絶縁膜４５５は酸化窒
化シリコン膜から１００〜２００ｎｍの厚さで形成す
る。（図１６（Ａ））その上に有機絶縁物材料から成る
第２の層間絶縁膜４５８を形成する。

【０２１９】そして、ゲート絶縁膜４０６、第１の層間
絶縁膜４５５、第２の層間絶縁膜４５８にコンタクトホ
ールを形成し、該コンタクトホールを介して、ソース領
域４４７、４３５、４３６、４４８と接するようにソー
ス配線４５９〜４６２を形成した。また同様に、ドレイ
ン領域４４９、４３９、４４０、４５０と接するドレイ
ン配線４６３〜４６５を形成する（図１６（Ｂ））。

【０２２０】なお、ゲート絶縁膜４０６、第１の層間絶
縁膜４５５、第２の層間絶縁膜４５８がＳｉＯ₂膜また
はＳｉＯＮ膜の場合、ＣＦ⁴とＯ²とを用いたドライエッ
チングでコンタクトホールを形成するのが好ましい。ま
たゲート絶縁膜４０６、第１の層間絶縁膜４５５、第２
の層間絶縁膜４５８が有機樹脂膜の場合、ＣＨＦ³を用
いたドライエッチング、またはＢＨＦ（緩衝フッ酸：Ｈ
Ｆ＋ＮＨ₄Ｆ）でコンタクトホールを形成するのが好ま
しい。またゲート絶縁膜４０６、第１の層間絶縁膜４５
５、第２の層間絶縁膜４５８が異なる材料で形成されて
いる場合、膜ごとにエッチングの方法及び用いるエッチ
ャントやエッチングガスの種類を変えることが好ましい
が、エッチングの方法及び用いるエッチャントやエッチ
ングガスを全て同じにしてコンタクトホールを形成して
も良い。

【０２２１】次に、有機樹脂からなる第３層間絶縁膜４
６７を形成する。有機樹脂としてはポリイミド、ポリア
ミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を使
用することができる。特に、第３層間絶縁膜４６７は平
坦化の意味合いが強いので、平坦性に優れたアクリルが
好ましい。本実施例ではＴＦＴによって形成される段差
を十分に平坦化しうる膜厚でアクリル膜を形成する。好
ましくは１〜５μm（さらに好ましくは２〜４μm）とす
れば良い。

【０２２２】次に第３層間絶縁膜４６７に、ドレイン配
線４６５に達するコンタクトホールを形成し、画素電極
４６８を形成する。本実施例では酸化インジウム・スズ
（ＩＴＯ）膜を１１０ｎｍの厚さに形成し、パターニン
グを行って画素電極４６８を形成する。また、酸化イン
ジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透
明導電膜を用いても良い。この画素電極４６８がＥＬ素
子の陽極となる。（図１６（Ｃ））

【０２２３】次に、樹脂材料でなる第１バンク４６９及
び第２バンク４７０を形成する。第１バンク４６９及び
第２バンク４７０は後に形成されるＥＬ層及び陰極を隣
り合う画素間で分離するために設けられる。よって第１
バンク４６９よりも第２バンク４７０の方が横に張り出
している構成にすることが望ましい。なお第１バンク４
６９と第２バンク４７０とを合わせた厚さは１〜２μm
程度であることが好ましいが、後に形成されるＥＬ層及
び陰極を隣り合う画素間で分離することができるならこ
の厚さに限られない。また第１バンク４６９及び第２バ
ンク４７０は絶縁膜で形成されており、例えば酸化物、
樹脂等で形成することが可能である。そして第１バンク
４６９と第２バンク４７０は互いに同じ材料で形成され
ていても、異なる材料で形成されていてもどちらでも良
い。第１バンク４６９及び第２バンク４７０は画素と画
素との間にストライプ状に形成される。第１バンク４６
９及び第２バンク４７０はソース配線（ソース信号線）
上に沿って形成しても良いし、ゲート配線（ゲート信号
線）上に沿って形成しても良い。なお第１バンク４６９
及び第２バンク４７０を樹脂に顔料等を混ぜたもので形
成しても良い。（図１７（Ａ））

【０２２４】次に、ＥＬ層４７１及び陰極（ＭｇＡｇ電
極）４７２を、真空蒸着法を用いて大気解放しないで連
続形成する。なお、ＥＬ層４７１の膜厚は８０〜２００
ｎｍ（典型的には１００〜１２０ｎｍ）、陰極４７２の
厚さは１８０〜３００ｎｍ（典型的には２００〜２５０
ｎｍ）とすれば良い。なお、本実施例では一画素しか図
示されていないが、このとき同時に赤色に発光するＥＬ
層、緑色に発光するＥＬ層及び青色に発光するＥＬ層が
形成される。なおバンク４７０上にＥＬ層と陰極を形成
する材料が一部積層されるが、本明細書ではこれらをＥ
Ｌ層４７１と陰極４７２に含めない。

【０２２５】この工程では、赤色に対応する画素、緑色
に対応する画素及び青色に対応する画素に対して順次Ｅ
Ｌ層４７１を形成する。但し、ＥＬ層４７１は溶液に対
する耐性に乏しいためフォトリソグラフィ技術を用いず
に各色個別に形成しなくてはならない。そこでメタルマ
スクを用いて所望の画素以外を隠し、必要箇所だけ選択
的にＥＬ層４７１を形成するのが好ましい。

【０２２６】即ち、まず赤色に対応する画素以外を全て
隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて赤色発光の
ＥＬ層を選択的に形成する。次いで、緑色に対応する画
素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用い
て緑色発光のＥＬ層を選択的に形成する。次いで、同様
に青色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセット
し、そのマスクを用いて青色発光のＥＬ層を選択的に形
成する。なお、ここでは全て異なるマスクを用いるよう
に記載しているが、同じマスクを使いまわしても構わな
い。また、全画素にＥＬ層を形成するまで真空を破らず
に処理することが好ましい。

【０２２７】なお、本実施例ではＥＬ層４７１を発光層
のみからなる単層構造とするが、ＥＬ層は発光層の他に
正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等を
有していても構わない。このように組み合わせは既に様
々な例が報告されており、そのいずれの構成を用いても
構わない。ＥＬ層４７１としては公知の材料を用いるこ
とができる。公知の材料としては、ＥＬ素子の駆動電圧
を考慮すると有機材料を用いるのが好ましい。

【０２２８】次に陰極４７２を蒸着法により形成する。
本実施例ではＥＬ素子の陰極としてＭｇＡｇ電極を用い
た例を示すが、公知の他の材料を用いることが可能であ
る。

【０２２９】こうして図１７（Ｂ）に示すような構造の
ＴＦＴ基板が完成する。なお、第１バンク４６９と第２
バンク４７０を形成した後、陰極４７２を形成するまで
の工程をマルチチャンバー方式（またはインライン方
式）の薄膜形成装置を用いて、大気解放せずに連続的に
処理することは有効である。

【０２３０】本実施例において、スイッチング用ＴＦＴ
５０１の半導体層は、ソース領域５０４、ドレイン領域
５０５、Ｌｏｆｆ領域５０６、Ｌｏｖ領域５０７、チャ
ネル形成領域５０８を含んでいる。Ｌｏｆｆ領域５０６
はゲート絶縁膜４０６を介してゲート電極４２１と重な
らないように設けられている。またＬｏｖ領域５０７は
ゲート絶縁膜４０６を介してゲート電極４２１と重なる
ように設けられている。このような構造はオフ電流を低
減する上で非常に効果的である。

【０２３１】また、本実施例ではスイッチング用ＴＦＴ
５０１はシングルゲート構造としているが、本発明では
スイッチング用ＴＦＴはダブルゲート構造やその他のマ
ルチゲート構造を有していても良い。ダブルゲート構造
とすることで実質的に二つのＴＦＴが直列された構造と
なり、オフ電流をさらに低減することができるという利
点がある。

【０２３２】また本実施例ではスイッチング用ＴＦＴ５
０１はｎチャネル型ＴＦＴであるが、ｐチャネル型ＴＦ
Ｔであってもかまわない。

【０２３３】ＥＬ駆動用ＴＦＴ５０２の半導体層は、ソ
ース領域５１０、ドレイン領域５１１、Ｌｏｖ領域５１
２、チャネル形成領域５１３を含んでいる。Ｌｏｖ領域
５１２はゲート絶縁膜４０６を介してゲート電極４２２
と重なるように設けられている。なお本実施例において
ＥＬ駆動用ＴＦＴ５０２はＬｏｆｆ領域を有していない
が、Ｌｏｆｆ領域を有する構成にしても良い。

【０２３４】また本実施例ではＥＬ駆動用ＴＦＴ５０２
はｐチャネル型ＴＦＴであるが、ｎチャネル型ＴＦＴで
あってもかまわない。

【０２３５】なお、本実施例のアクティブマトリクス基
板は、表示部だけでなく駆動回路部にも最適な構造のＴ
ＦＴを配置することにより、非常に高い信頼性を示し、
動作特性も向上しうる。

【０２３６】まず、極力動作速度を落とさないようにホ
ットキャリア注入を低減させる構造を有するＴＦＴを、
駆動回路部を形成するＣＭＯＳ回路のｎチャネル型ＴＦ
Ｔ５０３として用いる。なお、ここでいう駆動回路とし
ては、シフトレジスタ、バッファ、レベルシフタ、サン
プリング回路（サンプル及びホールド回路）などが含ま
れる。デジタル駆動を行う場合には、Ｄ／Ａコンバータ
などの信号変換回路も含まれ得る。

【０２３７】本実施例の場合、ＣＭＯＳ回路のｎチャネ
ル型ＴＦＴ５０３の半導体層は、ソース領域５２１、ド
レイン領域５２２、Ｌｏｖ領域５２３及びチャネル形成
領域５２４を含んでいる。

【０２３８】また本実施例の場合、ＣＭＯＳ回路のｐチ
ャネル型ＴＦＴ５０４の半導体層は、ソース領域５３
１、ドレイン領域５３２、Ｌｏｖ領域５３３及びチャネ
ル形成領域５３４を含んでいる。

【０２３９】なお、実際には図１７（Ｂ）まで完成した
ら、さらに外気に曝されないように気密性が高く、脱ガ
スの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線
硬化樹脂フィルム等）や透光性のシーリング材でパッケ
ージング（封入）することが好ましい。その際、シーリ
ング材の内部を不活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材
料（例えば酸化バリウム）を配置したりするとＥＬ素子
の信頼性が向上する。

【０２４０】また、パッケージング等の処理により気密
性を高めたら、基板上に形成された素子又は回路から引
き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネ
クター（フレキシブルプリントサーキット：ＦＰＣ）を
取り付けて製品として完成する。このような出荷できる
までした状態を本明細書中ではＥＬ表示装置という。

【０２４１】上述したように本実施例の作製行程では、
ゲート電極のチャネル長方向の長さ（以下単にゲート電
極の幅と呼ぶ）が異なっているため、ゲート電極をマス
クとしてイオン注入を行うことにより、ゲート電極の厚
さが異なることによるイオンの侵入深さの違いを利用し
て、第１のゲート電極の下に位置する半導体層中のイオ
ン濃度を、第１のゲート電極の下に位置しない半導体層
中のイオン濃度より低くすることが可能である。

【０２４２】またマスクを用いてＬｏｆｆ領域を形成す
るために、エッチングで制御しなくてはならないのはＬ
ｏｖ領域の幅のみであり、Ｌｏｆｆ領域とＬｏｖ領域の
位置の制御が容易である。

【０２４３】なお本実施例ではＥＬ層から発せられる光
が基板側に向いている例について説明したが、本発明は
これに限定されず、ＥＬ層から発せられる光が基板の上
に向いているような構成であっても良い。この場合ＥＬ
素子の陰極が画素電極となり、ＥＬ駆動用ＴＦＴはｎチ
ャネル型ＴＦＴであることが望ましい。

【０２４４】本発明のＥＬ表示装置の作製方法は、本実
施例において示した作製方法に限定されることはなく、
他のあらゆる作製方法を用いることが可能である。

【０２４５】なお本実施例は実施例１〜５と自由に組み
合わせることが可能である。

【０２４６】（実施例７）本実施例では、本発明の携帯
情報端末がタッチパネルを有している例について説明す
る。

【０２４７】図１８（Ａ）において、１７０１は本発明
の携帯情報端末の表示部であり、１７０２はタッチパネ
ル、１７０３はタッチペンである。タッチパネル１７０
２は透光性を有しており、表示部１７０１から発せられ
る光及び、表示部１７０１に入射する光を透過すること
ができ、表示部１７０１に画像が表示されている場合に
も、タッチパネル１７０２を通して、利用者が表示部１
７０１上の画像を見ることが可能である。

【０２４８】図１８（Ｂ）にタッチパネル１７０２の詳
しい構成を示す。タッチパネル１７０２は複数の列方向
に並べられた短冊形の第１抵抗膜１７０４と、行方向に
並べられた短冊形の第２抵抗膜１７０５とが所定のギャ
ップを持って重なるように設けられている。第１抵抗膜
１７０４と第２抵抗膜１７０５は、それぞれＩＴＯで形
成されている。

【０２４９】列方向に並べられた第１抵抗膜１７０４の
両端に異なる電圧が印加されており、第１抵抗膜１７０
４内部に列方向に電圧勾配が形成されている。行方向に
並べられた第２抵抗膜１７０５の両端に異なる電圧が印
加されており、第２抵抗膜１７０５内部に行方向に電圧
勾配が形成されている。

【０２５０】そしてタッチペン等でタッチパネル１７０
２の表面に圧力をかけることで、第１抵抗膜１７０４の
１つと第２抵抗膜１７０５の１つとが接触する。そして
接触する位置に応じた電圧が発生し、電圧の大きさを測
定することで、第１抵抗膜１７０４と第２抵抗膜１７０
５とが接した位置の情報を、電子データとして携帯情報
端末に取り込むことができる。

【０２５１】上記構成を有する本発明の携帯情報端末
は、表示部１７０１に書き込まれた画像を表示し、取り
込んだ画像にタッチペン１７０３で書き込みを行うこと
ができる。

【０２５２】なお本実施例は、実施例１〜実施例６と自
由に組み合わせることが可能である。

【０２５３】（実施例８）本実施例では、本発明の携帯
情報端末の表示部がエリアセンサとして機能する例を示
す。以下に、本実施例の表示部の構成を詳しく説明す
る。図１９に本実施例の表示部の回路図を示す。

【０２５４】表示部９０１はソース信号線Ｓ１〜Ｓｘ、
電源供給線Ｖ１〜Ｖｘ、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙ、リセ
ット用ゲート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙ、センサ用ゲート信
号線ＳＧ１〜ＳＧｙ、センサ出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘ、
センサ用電源線ＶＢが設けられている。

【０２５５】表示部９０１は複数の画素９０２を有して
いる。画素９０２は、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘのいずれ
か１つと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１つと、ゲ
ート信号線Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つと、リセット用ゲ
ート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙのいずれか１つと、センサ用
ゲート信号線ＳＧ１〜ＳＧｙのいずれか１つと、センサ
出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘのいずれか１つと、センサ用電
源線ＶＢとを有している。

【０２５６】センサ出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘはそれぞれ
定電流電源９０３＿１〜９０３＿ｘに接続されている。

【０２５７】図２０に画素９０２の詳しい構成を示す。
点線で囲まれた領域が画素９０２である。なおお、ソー
ス信号線Ｓは、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘのいずれか１つ
を意味する。また電源供給線Ｖは電源供給線Ｖ１〜Ｖｘ
のいずれか１つを意味する。またゲート信号線Ｇはゲー
ト信号線Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つを意味する。またリ
セット用ゲート信号線ＲＧはリセット用ゲート信号線Ｒ
Ｇ１〜ＲＧｙのいずれか１つを意味する。またセンサ用
ゲート信号線ＳＧは、センサ用ゲート信号線ＳＧ１〜Ｓ
Ｇｙのいずれか１つを意味する。またセンサ出力配線Ｓ
Ｓはセンサ出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘのいずれか１つを意
味する。

【０２５８】画素９０２はスイッチング用ＴＦＴ９０
４、ＥＬ駆動用ＴＦＴ９０５、ＥＬ素子９０６を有して
いる。また図２０では画素９０２に保持容量９０７が設
けられているが、保持容量９０７を設けなくとも良い。

【０２５９】スイッチング用ＴＦＴ９０４のゲート電極
はゲート信号線Ｇに接続されている。そしてスイッチン
グ用ＴＦＴ９０４のソース領域とドレイン領域は、一方
がソース信号線Ｓに、もう一方がＥＬ駆動用ＴＦＴ９０
５のゲート電極に接続されている。

【０２６０】ＥＬ駆動用ＴＦＴ９０５のソース領域は電
源供給線Ｖに、ドレイン領域がＥＬ素子９０６に接続さ
れている。保持容量９０７はＥＬ駆動用ＴＦＴ９０５の
ゲート電極と電源供給線Ｖとに接続して設けられてい
る。

【０２６１】ＥＬ素子９０６は陽極と陰極と、陽極と陰
極との間に設けられたＥＬ層とからなる。陽極がＥＬ駆
動用ＴＦＴ９０５のドレイン領域と接続している場合、
陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。逆に陰極がＥ
Ｌ駆動用ＴＦＴ９０５のドレイン領域と接続している場
合、陽極が対向電極、陰極が画素電極である。

【０２６２】さらに画素９０２は、リセット用ＴＦＴ９
１０、バッファ用ＴＦＴ９１１、選択用ＴＦＴ９１２、
フォトダイオード９１３を有している。

【０２６３】リセット用ＴＦＴ９１０のゲート電極はリ
セット用ゲート信号線ＲＧに接続されている。リセット
用ＴＦＴ９１０のソース領域はセンサ用電源線ＶＢに接
続されている。センサ用電源線ＶＢは常に一定の電位
（基準電位）に保たれている。またリセット用ＴＦＴ９
１０のドレイン領域はフォトダイオード９１３及びバッ
ファ用ＴＦＴ９１１のゲート電極に接続されている。

【０２６４】図示しないが、フォトダイオード９１３は
カソード電極と、アノード電極と、カソード電極とアノ
ード電極の間に設けられた光電変換層とを有している。
リセット用ＴＦＴ９１０のドレイン領域は、具体的には
フォトダイオード９１３のアノード電極又はカソード電
極に接続されている。

【０２６５】バッファ用ＴＦＴ９１１のドレイン領域は
センサ用電源線ＶＢに接続されており、常に一定の基準
電位に保たれている。そしてバッファ用ＴＦＴ９１１の
ソース領域は選択用ＴＦＴ９１２のソース領域又はドレ
イン領域に接続されている。

【０２６６】選択用ＴＦＴ９１２のゲート電極はセンサ
用ゲート信号線ＳＧに接続されている。そして選択用Ｔ
ＦＴ９１２のソース領域とドレイン領域は、一方は上述
したとおりバッファ用ＴＦＴ９１１のソース領域に接続
されており、もう一方はセンサ出力配線ＳＳに接続され
ている。センサ出力配線ＳＳは定電流電源９０３（定電
流電源９０３＿１〜９０３＿ｘのいずれか１つ）に接続
されており、常に一定の電流が流れている。

【０２６７】次に本実施例の表示部の駆動の仕方につい
て、図１９及び図２０を用いて説明する。

【０２６８】画素９０２が有するＥＬ素子９０６はエリ
アセンサの光源として機能しており、スイッチング用Ｔ
ＦＴ９０４、ＥＬ駆動用ＴＦＴ９０５は、光源としての
ＥＬ素子９０６の動作を制御している。

【０２６９】ＥＬ素子から発せられる光は被写体上で反
射し、画素９０２が有するフォトダイオード９１３に照
射される。フォトダイオード９１３は、照射された光
を、画像情報を有する電気信号に変換する。そしてフォ
トダイオード９１３で発生した画像情報を有する電気信
号は、リセット用ＴＦＴ９１０、バッファ用ＴＦＴ９１
１及び選択用ＴＦＴ９１２により画像信号として携帯情
報端末内に取り込まれる。

【０２７０】本実施例においてリセット用ＴＦＴ９１
０、バッファ用ＴＦＴ９１１及び選択用ＴＦＴ９１２
は、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴのどちら
でも良い。ただし、リセット用ＴＦＴ９１０とバッファ
用ＴＦＴ９１１の極性は逆の方が好ましい。

【０２７１】まずリセット用ゲート信号線ＲＧ１に入力
されているリセット信号によって、ＲＧ１に接続されて
いる１ライン目の画素のリセット用ＴＦＴ９１０はオン
の状態にある。よってセンサ用電源線ＶＢの基準電位が
バッファ用ＴＦＴ９１１のゲート電極に与えられる。

【０２７２】またセンサ用ゲート信号線ＳＧ１に入力さ
れているセンサ信号によって、センサ用ゲート信号線Ｓ
Ｇ１に接続されている１ライン目の画素の選択用ＴＦＴ
９１２がオフの状態にある。よってバッファ用ＴＦＴ９
１１のソース領域は、基準電位からバッファ用ＴＦＴ９
１１のソース領域とゲート電極の電位差Ｖ_GSを差し引い
た電位に保たれている。なお本実施例では、リセット用
ＴＦＴ９１０がオンの状態である期間をリセット期間と
呼ぶ。

【０２７３】そしてリセット用ゲート信号線ＲＧ１に入
力されたリセット信号の電位が変化して、１ライン目の
画素のリセット用ＴＦＴ９１０が全てオフの状態にな
る。よってセンサ用電源線ＶＢの基準電位は、１ライン
目の画素のバッファ用ＴＦＴ９１１のゲート電極に与え
られなくなる。なお、リセット用ＴＦＴ９１０がオフの
状態にある期間を、本実施例ではサンプル期間ＳＴと呼
ぶ。特に１ライン目の画素のリセット用ＴＦＴ９１０が
オフの状態にある期間をサンプル期間ＳＴ１と呼ぶ。

【０２７４】サンプル期間ＳＴ１では、センサ用ゲート
信号線ＳＧ１に入力されたセンサ信号の電位が変化し
て、１ライン目の画素の選択用ＴＦＴ９１２がオンの状
態になる。よって１ライン目の画素のバッファ用ＴＦＴ
９１１のソース領域は、選択用ＴＦＴ９１２を介してセ
ンサ出力配線ＳＳ１に電気的に接続される。センサ出力
配線ＳＳ１は定電流電源９０３＿１に接続されており、
そのためバッファ用ＴＦＴ９１１はソースフォロワ（ｓ
ｏｕｒｃｅｆｏｌｌｏｗｅｒ）として機能し、ソース
領域とゲート電極の電位差Ｖ_GSは一定となる。

【０２７５】サンプル期間ＳＴ１において、ＥＬ素子９
０６からの光が被写体上で反射してフォトダイオード９
１３に照射されると、フォトダイオード９１３に電流が
流れる。そのため、リセット期間において基準電位に保
たれていたバッファ用ＴＦＴ９１１のゲート電極の電位
は、フォトダイオード９１３で発生する電流の大きさに
応じて変化する。

【０２７６】フォトダイオード９１３に流れる電流は、
フォトダイオード９１３に照射される光の強さに比例す
るため、被写体上の画像は、フォトダイオード９１３に
おいてそのまま電気信号に変換される。フォトダイオー
ド９１３において生成された電気信号は、バッファ用Ｔ
ＦＴ９１１のゲート電極に入力される。

【０２７７】バッファ用ＴＦＴ９１１のソース領域とゲ
ート電極の電位差Ｖ_GSは常に一定であるので、バッファ
用ＴＦＴ９１１のソース領域は、バッファ用ＴＦＴ９１
１のゲート電極の電位からＶ_GSを差し引いた電位に保た
れている。そのためバッファ用ＴＦＴ９１１のゲート電
極の電位が変化すると、それに伴ってバッファ用ＴＦＴ
９１１のソース領域の電位も変化する。

【０２７８】バッファ用ＴＦＴ９１１のソース領域の電
位は、画像信号として選択用ＴＦＴ９１２を介しセンサ
出力配線ＳＳ１に入力される。

【０２７９】次に、リセット用ゲート信号線ＲＧ１に入
力されているリセット信号によって、ＲＧ１に接続され
ている１ライン目の画素のリセット用ＴＦＴ９１０はオ
ンの状態になり、再びリセット期間になる。それと同時
にリセット用ゲート信号線ＲＧ２に入力されているリセ
ット信号によって、ＲＧ２に接続されている２ライン目
の画素のリセット用ＴＦＴ９１０はオフの状態になり、
サンプリング期間ＳＴ２が開始する。

【０２８０】サンプリング期間ＳＴ２では、サンプリン
グ期間ＳＴ１と同様に、フォトダイオードにおいて画像
情報を有する電気信号が生成し、画像信号がセンサ出力
配線ＳＳ２に入力される。

【０２８１】上記動作を繰り返し、サンプリング期間Ｓ
Ｔｙが終了すると、１つの画像を画像信号として読み込
むことができる。なお本明細書では、サンプリング期間
ＳＴ１〜ＳＴｙの全てが出現するまでの期間をセンサフ
レーム期間ＳＦと呼ぶ。

【０２８２】また各サンプリング期間において、各画素
が有するＥＬ素子を常に発光させておく必要がある。例
えば１ライン目の画素が有するＥＬ素子は、最低でもサ
ンプリング期間ＳＴ１の間発光していることが重要であ
る。なお全ての画素がセンサフレーム期間ＳＦの間、常
に発光していても良い。

【０２８３】なおカラー画像を読み込むエリアセンサの
場合、表示部はＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に
対応した画素を有している。ＲＧＢの各色に対応した画
素は、ＲＧＢに対応した三種類のＥＬ素子を有している
か、または白色発光のＥＬ素子とＲＧＢの三種類のカラ
ーフィルターを有しているか、または青色又は青緑発光
のＥＬ素子と蛍光体（蛍光性の色変換層：ＣＣＭ）とを
有している。

【０２８４】ＲＧＢの各色に対応した画素から発せられ
るＲＧＢの各色の光は、被写体に順に照射される。そし
て被写体上で反射されたＲＧＢの各色の光が、画素の有
するフォトダイオードに照射され、ＲＧＢ各色に対応す
る画像信号が携帯情報端末に取り込まれる。

【０２８５】本実施例の携帯情報端末は、表示部をエリ
アセンサとして機能させることが可能である。そのた
め、表示部で読み込んだ画像を表示部に表示させること
が可能であり、その場で読み込んだ画像を確認し、他者
にデータとして送ることが可能である。

【０２８６】なお本実施例は実施例１〜７と自由に組み
合わせることが可能である。

【０２８７】（実施例９）本実施例では、本発明を用い
てＥＬ表示装置を作製した例について説明する。なお、
図２１（Ａ）は本発明のＥＬ表示装置の上面図であり、
図２１（Ｂ）はその断面図である。

【０２８８】図２１（Ａ）、（Ｂ）において、４００１
は基板、４００２は表示部、４００３はソース信号線駆
動回路、４００４はゲート信号線駆動回路であり、それ
ぞれの駆動回路は配線４００５を経てＦＰＣ（フレキシ
ブルプリントサーキット）４００６に至り、外部機器へ
と接続される。

【０２８９】このとき、表示部４００２、ソース信号線
駆動回路４００３及びゲート信号線駆動回路４００４を
囲むようにして第１シール材４１０１、カバー材４１０
２、充填材４１０３及び第２シール材４１０４が設けら
れている。

【０２９０】図２１（Ｂ）は図２１（Ａ）をＡ−Ａ’で
切断した断面図に相当し、基板４００１の上にソース信
号線駆動回路４００３に含まれる駆動ＴＦＴ（但し、こ
こではｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴを図示
している。）４２０１及び表示部４００２に含まれるＥ
Ｌ駆動用ＴＦＴ（ＥＬ素子への電流を制御するＴＦＴ）
４２０２が形成されている。

【０２９１】本実施例では、駆動ＴＦＴ４２０１には公
知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴまたはｎチャ
ネル型ＴＦＴが用いられ、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２に
は公知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴが用いら
れる。また、表示部４００２にＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０
２のゲート電極に接続された保持容量（図示せず）が設
けられる。

【０２９２】駆動ＴＦＴ４２０１及び画素ＴＦＴ４２０
２の上には樹脂材料でなる層間絶縁膜（平坦化膜）４３
０１が形成され、その上に画素ＴＦＴ４２０２のドレイ
ン領域と電気的に接続する画素電極（陽極）４３０２が
形成される。画素電極４３０２としては仕事関数の大き
い透明導電膜が用いられる。透明導電膜としては、酸化
インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸
化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化イン
ジウムを用いることができる。また、前記透明導電膜に
ガリウムを添加したものを用いても良い。

【０２９３】そして、画素電極４３０２の上には絶縁膜
４３０３が形成され、絶縁膜４３０３は画素電極４３０
２の上に開口部が形成されている。この開口部におい
て、画素電極４３０２の上にはＥＬ（エレクトロルミネ
ッセンス）層４３０４が形成される。ＥＬ層４３０４は
公知の有機ＥＬ材料または無機ＥＬ材料を用いることが
できる。また、有機ＥＬ材料には低分子系（モノマー
系）材料と高分子系（ポリマー系）材料があるがどちら
を用いても良い。

【０２９４】ＥＬ層４３０４の形成方法は公知の蒸着技
術もしくは塗布法技術を用いれば良い。また、ＥＬ層の
構造は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層ま
たは電子注入層を自由に組み合わせて積層構造または単
層構造とすれば良い。

【０２９５】ＥＬ層４３０４の上には遮光性を有する導
電膜（代表的にはアルミニウム、銅もしくは銀を主成分
とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層膜）か
らなる陰極４３０５が形成される。また、陰極４３０５
とＥＬ層４３０４の界面に存在する水分や酸素は極力排
除しておくことが望ましい。従って、真空中で両者を連
続成膜するか、ＥＬ層４３０４を窒素または希ガス雰囲
気で形成し、酸素や水分に触れさせないまま陰極４３０
５を形成するといった工夫が必要である。本実施例では
マルチチャンバー方式（クラスターツール方式）の成膜
装置を用いることで上述のような成膜を可能とする。

【０２９６】そして陰極４３０５は４３０６で示される
領域において配線４００５に電気的に接続される。配線
４００５は陰極４３０５に所定の電圧を与えるための配
線であり、異方導電性フィルム４３０７を介してＦＰＣ
４００６に電気的に接続される。

【０２９７】以上のようにして、画素電極（陽極）４３
０２、ＥＬ層４３０４及び陰極４３０５からなるＥＬ素
子が形成される。このＥＬ素子は、第１シール材４１０
１及び第２シール材４１０４によって基板４００１に貼
り合わされたカバー材４１０２で囲まれ、充填材４１０
３により封入されている。

【０２９８】カバー材４１０２としては、ガラス材、金
属材（代表的にはステンレス材）、セラミックス材、プ
ラスチック材（プラスチックフィルムも含む）を用いる
ことができる。プラスチック材としては、ＦＲＰ（Ｆｉ
ｂｅｒｇｌａｓｓ−ＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄＰｌａｓｔ
ｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィル
ム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはア
クリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アル
ミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフィルムで
挟んだ構造のシートを用いることもできる。

【０２９９】但し、ＥＬ素子からの光の放射方向がカバ
ー材側に向かう場合にはカバー材は透明でなければなら
ない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリ
エステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透明
物質を用いる。

【０３００】また、充填材４１０３としては紫外線硬化
樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポ
リビニルクロライド）、アクリル、ポリイミド、エポキ
シ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラ
ル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用い
ることができる。この充填材４１０３の内部に吸湿性物
質（好ましくは酸化バリウム）もしくは酸素を吸着しう
る物質を設けておくとＥＬ素子の劣化を抑制できる。

【０３０１】また、充填材４１０３の中にスペーサを含
有させてもよい。このとき、スペーサを酸化バリウムで
形成すればスペーサ自体に吸湿性をもたせることが可能
である。また、スペーサを設けた場合、スペーサからの
圧力を緩和するバッファ層として陰極４３０５上に樹脂
膜を設けることも有効である。

【０３０２】また、配線４００５は異方導電性フィルム
４３０７を介してＦＰＣ４００６に電気的に接続され
る。配線４００５は表示部４００２、ソース信号線駆動
回路４００３及びゲート信号線駆動回路４００４に送ら
れる信号をＦＰＣ４００６に伝え、ＦＰＣ４００６によ
り外部機器と電気的に接続される。

【０３０３】また、本実施例では第１シール材４１０１
の露呈部及びＦＰＣ４００６の一部を覆うように第２シ
ール材４１０４を設け、ＥＬ素子を徹底的に外気から遮
断する構造となっている。こうして図２１（Ｂ）の断面
構造を有するＥＬ表示装置となる。

【０３０４】ここで表示部のさらに詳細な断面構造を図
２２に、上面構造を図２３（Ａ）に、回路図を図２３
（Ｂ）に示す。図２２、図２３（Ａ）及び図２３（Ｂ）
では共通の符号を用いるので互いに参照すれば良い。

【０３０５】図２２において、基板４４０１上に設けら
れたスイッチング用ＴＦＴ４４０２は公知の方法を用い
て形成されたｎチャネル型ＴＦＴである。また、４４０
３で示される配線は、スイッチング用ＴＦＴ４４０２の
ゲート電極４４０４a、４４０４bを電気的に接続するゲ
ート配線である。

【０３０６】なお、本実施例ではチャネル形成領域が二
つ形成されるダブルゲート構造としているが、チャネル
形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは
三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。

【０３０７】また、スイッチング用ＴＦＴ４４０２のド
レイン配線４４０５はＥＬ駆動用ＴＦＴ４４０６のゲー
ト電極４４０７に電気的に接続されている。なお、ＥＬ
駆動用ＴＦＴ４４０６は公知の方法を用いて形成された
ｐチャネル型ＴＦＴである。なお、本実施例ではシング
ルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もしくは
トリプルゲート構造であっても良い。

【０３０８】スイッチング用ＴＦＴ４４０２及びＥＬ駆
動用ＴＦＴ４４０６の上には第１パッシベーション膜４
４０８が設けられ、その上に樹脂からなる平坦化膜４４
０９が形成される。平坦化膜４４０９を用いてＴＦＴに
よる段差を平坦化することは非常に重要である。後に形
成されるＥＬ層は非常に薄いため、段差が存在すること
によって発光不良を起こす場合がある。従って、ＥＬ層
をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成
する前に平坦化しておくことが望ましい。

【０３０９】また、４４１０は透明導電膜からなる画素
電極（ＥＬ素子の陽極）であり、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４４
０６のドレイン配線４４１７に電気的に接続される。透
明導電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合
物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、
酸化スズまたは酸化インジウムを用いることができる。
また、前記透明導電膜にガリウムを添加したものを用い
ても良い。

【０３１０】画素電極４４１０の上にはＥＬ層４４１１
が形成される。なお、図２２では一画素しか図示してい
ないが、本実施例ではＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の
各色に対応したＥＬ層を作り分けている。また、本実施
例では蒸着法により低分子系有機ＥＬ材料を形成してい
る。具体的には、正孔注入層として２０ｎｍ厚の銅フタ
ロシアニン（ＣｕＰｃ）膜を設け、その上に発光層とし
て７０ｎｍ厚のトリス−８−キノリノラトアルミニウム
錯体（Ａｌｑ₃）膜を設けた積層構造としている。Ａｌ
ｑ₃にキナクリドン、ペリレンもしくはＤＣＭ１といっ
た蛍光色素を添加することで発光色を制御することがで
きる。

【０３１１】但し、以上の例はＥＬ層として用いること
のできる有機ＥＬ材料の一例であって、これに限定する
必要はまったくない。発光層、電荷輸送層または電荷注
入層を自由に組み合わせてＥＬ層（発光及びそのための
キャリアの移動を行わせるための層）を形成すれば良
い。例えば、本実施例では低分子系有機ＥＬ材料をＥＬ
層として用いる例を示したが、高分子系有機ＥＬ材料を
用いても良い。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭
化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これら
の有機ＥＬ材料や無機材料は公知の材料を用いることが
できる。

【０３１２】次に、ＥＬ層４４１１の上には導電膜から
なる陰極４４１２が設けられる。本実施例の場合、導電
膜としてアルミニウムとリチウムとの合金膜を用いる。
勿論、公知のＭｇＡｇ膜（マグネシウムと銀との合金
膜）を用いても良い。陰極材料としては、周期表の１族
もしくは２族に属する元素からなる導電膜もしくはそれ
らの元素を添加した導電膜を用いれば良い。

【０３１３】この陰極４４１２まで形成された時点でＥ
Ｌ素子４４１３が完成する。なお、ここでいうＥＬ素子
４４１３は、画素電極（陽極）４４１０、ＥＬ層４４１
１及び陰極４４１２で形成されたコンデンサを指す。

【０３１４】次に、本実施例における画素の上面構造を
図２３（Ａ）を用いて説明する。スイッチング用ＴＦＴ
４４０２のソース領域はソース配線を含むソース信号線
４４１５に接続され、ドレイン領域はドレイン配線４４
０５に接続される。また、ドレイン配線４４０５はＥＬ
駆動用ＴＦＴ４４０６のゲート電極４４０７に電気的に
接続される。また、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４４０６のソース
領域は電源供給線４４１６に電気的に接続され、ドレイ
ン領域はドレイン配線４４１７に電気的に接続される。
また、ドレイン配線４４１７は点線で示される画素電極
（陽極）４４１８に電気的に接続される。

【０３１５】このとき、４４１９で示される領域には保
持容量が形成される。保持容量４４１９は、電源供給線
４４１６と電気的に接続された半導体膜４４２０、ゲー
ト絶縁膜と同一層の絶縁膜（図示せず）及びゲート電極
４４０７との間で形成される。また、ゲート電極４４０
７、第１層間絶縁膜と同一の層（図示せず）及び電源供
給線４４１６で形成される容量も保持容量として用いる
ことが可能である。

【０３１６】（実施例１０）本実施例では、実施例９と
は異なる画素構造を有したＥＬ表示装置について説明す
る。説明には図２４を用いる。なお、図２２と同一の符
号が付してある部分については実施例９の説明を参照す
れば良い。

【０３１７】図２４ではＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０１とし
て公知の方法を用いて形成されたｎチャネル型ＴＦＴを
用いる。勿論、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０１のゲート電極
４５０２はスイッチング用ＴＦＴ４４０２のドレイン配
線４４０５に電気的に接続されている。また、ＥＬ駆動
用ＴＦＴ４５０１のドレイン配線４５０３は画素電極４
５０４に電気的に接続されている。

【０３１８】本実施例では、導電膜からなる画素電極４
５０４がＥＬ素子の陰極として機能する。具体的には、
アルミニウムとリチウムとの合金膜を用いるが、周期表
の１族もしくは２族に属する元素からなる導電膜もしく
はそれらの元素を添加した導電膜を用いれば良い。

【０３１９】画素電極４５０４の上にはＥＬ層４５０５
が形成される。なお、図２４では一画素しか図示してい
ないが、本実施例ではＧ（緑）に対応したＥＬ層を蒸着
法及び塗布法（好ましくはスピンコーティング法）によ
り形成している。具体的には、電子注入層として２０ｎ
ｍ厚のフッ化リチウム（ＬｉＦ）膜を設け、その上に発
光層として７０ｎｍ厚のＰＰＶ（ポリパラフェニレンビ
ニレン）膜を設けた積層構造としている。

【０３２０】次に、ＥＬ層４５０５の上には透明導電膜
からなる陽極４５０６が設けられる。本実施例の場合、
透明導電膜として酸化インジウムと酸化スズとの化合物
もしくは酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物からなる
導電膜を用いる。

【０３２１】この陽極４５０６まで形成された時点でＥ
Ｌ素子４５０７が完成する。なお、ここでいうＥＬ素子
４５０７は、画素電極（陰極）４５０４、ＥＬ層４５０
５及び陽極４５０６で形成されたコンデンサを指す。

【０３２２】ＥＬ素子に加える電圧が１０Ｖ以上といっ
た高電圧の場合には、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０１におい
てホットキャリア効果による劣化が顕在化してくる。こ
のような場合に、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０１として、ド
レイン領域側のＬＤＤ領域４５０９がゲート絶縁膜４５
１０を介してゲート電極４５０２と重なっている構成を
有するｎチャネル型ＴＦＴを用いることは有効である。

【０３２３】また、本実施例のＥＬ駆動用ＴＦＴ４５０
１はゲート電極４５０２とＬＤＤ領域４５０９との間に
ゲート容量と呼ばれる寄生容量を形成する。このゲート
容量を調節することで図２３（Ａ）、（Ｂ）に示した保
持容量４４１８と同等の機能を持たせることも可能であ
る。特に、ＥＬ表示装置をデジタル駆動方式で動作させ
る場合においては、保持容量のキャパシタンスがアナロ
グ駆動方式で動作させる場合よりも小さくて済むため、
ゲート容量で保持容量を代用しうる。

【０３２４】なお、ＥＬ素子に加える電圧が１０Ｖ以
下、好ましくは５Ｖ以下となった場合、上記ホットキャ
リア効果による劣化はさほど問題とならなくなるため、
図２４においてＬＤＤ領域４５０９を省略した構造のｎ
チャネル型ＴＦＴを用いても良い。

【０３２５】（実施例１１）本発明の携帯情報端末の表
示部が有するＥＬ表示装置は、画素内にいくつのＴＦＴ
を設けた構造としても良い。例えば、四つ乃至六つまた
はそれ以上のＴＦＴを設けても構わない。本発明はＥＬ
表示装置の画素構造に限定されずに実施することが可能
である。

【０３２６】（実施例１２）本発明の携帯情報端末の表
示部に用いられるＥＬ表示装置はアクティブマトリクス
型に限定されることはなく、パッシブ型であっても良
い。図２６に本実施例で用いられるＥＬ表示装置の表示
部の断面図を示す。

【０３２７】基板２６０１上に陽極２６０２が短冊状に
並べられて形成されている。そして基板２６０１上と陽
極２６０２を覆ってマトリクス状に絶縁膜２６０３が形
成されている。そして隣接するＥＬ層及び陰極を分離す
るためのバンク２６０４が絶縁膜２６０３上に設けられ
ている。

【０３２８】バンク２６０４は隣接するＥＬ層及び陰極
を電気的に分離するためにも絶縁性の材料を用いて形成
することが好ましい。

【０３２９】そして基板２６０１、陽極２６０２、絶縁
膜２６０３及びバンク２６０４を有するパッシブ基板上
に、ＥＬ層２６０５と陰極２６０７とが順に積層して形
成される。バンク２６０４を挟んで隣り合うＥＬ層２６
０５と陰極２６０６とは、バンク２６０４によって分離
されている。

【０３３０】パッシブ型のＥＬ表示装置はアクティブマ
トリクス型のＥＬ表示装置に比べて、作製方法が簡便で
あり、コストも低い。そのためパッシブ型のＥＬ表示装
置を本発明の携帯情報端末の表示部に用いることで、携
帯情報端末自体のコストを低くすることが可能である。

【０３３１】なお本発明の携帯情報端末の表示部に用い
られるパッシブ型のＥＬ表示装置は、本実施例で示した
構成に限定されない。本発明の携帯情報端末の表示部に
用いられるパッシブ型のＥＬ表示装置は、どのような構
成を有していても良い。

【０３３２】本実施例は、実施例１または実施例７と自
由に組み合わせて実施することが可能である。

【０３３３】（実施例１３）本実施例では、本発明の携
帯情報端末の表示部が有する液晶表示装置の構成につい
て説明する。図２７に本実施例の液晶表示装置の概略図
を一例として示す。

【０３３４】ソース信号線駆動回路１３０１とゲート信
号線駆動回路１３０２は、駆動回路の一部である。表示
部１３０８では、ソース信号線駆動回路１３０１に接続
されたソース信号線１３０３と、ゲート信号線駆動回路
１３０２に接続されたゲート信号線１３０４とが交差し
ている。そのソース信号線１３０３とゲート信号線１３
０４を備えた領域に、画素の薄膜トランジスタ（画素Ｔ
ＦＴ）１３０５と、対向電極と画素電極の間に液晶を挟
んだ液晶セル１３０６と、保持容量１３０７が設けられ
ている。

【０３３５】ソース信号線１３０３に入力されたアナロ
グのビデオ信号（画像情報を有するアナログの信号）
は、画素ＴＦＴ１３０５により選択され、所定の画素電
極に書き込まれる。

【０３３６】ソース信号線駆動回路１３０１から出力さ
れたタイミング信号によりサンプリングされたアナログ
のビデオ信号が、ソース信号線１３０３に供給される。

【０３３７】ゲート側駆動回路１３０２から出力される
ゲート信号によって、対応する画素ＴＦＴ１３０５のス
イッチングが行われ、ソース信号線１３０３からの画像
情報を有するアナログ信号によって液晶セル１３０６の
有する液晶が駆動され、表示部に画像が表示される。

【０３３８】なお本発明の携帯情報端末の表示部に用い
られる液晶表示装置は、本実施例で示した構成に限定さ
れない。本発明の携帯情報端末の表示部に用いられる液
晶表示装置は、どのような構成を有していても良い。

【０３３９】本実施例は、実施例１または実施例７と自
由に組み合わせて実施することが可能である。

【０３４０】（実施例１４）本発明の携帯情報端末の表
示部が有するＥＬ表示装置において、ＥＬ素子が有する
ＥＬ層を形成するＥＬについて説明する。

【０３４１】本発明の携帯情報端末の表示部が有するＥ
Ｌ表示装置において、ＥＬ素子が有するＥＬ層に用いら
れるＥＬは、公知のものであればいずれも用いることが
可能である。しかし、公知のもののなかでも、特に発光
効率がより高いＥＬを用いることで、携帯情報端末自体
の消費電力を抑えることが可能になる。

【０３４２】一重項項励起子のエネルギー失活による発
光（蛍光）のみではなく三重項励起子のエネルギー失活
による発光（燐光）も利用することで、外部量子効率の
上限を高くすることができる。具体的には、蛍光のみを
利用した場合約５％だった外部量子効率の上限を、蛍光
のみではなく燐光も利用した場合約１０％以上、代表的
には２０％まで高くすることが可能である。そして発光
強度の最大値は、蛍光のみを利用した場合は約２０ｌｍ
／Ｗであるのに対し、蛍光のみではなく燐光も利用する
ことで、２５ｌｍ／Ｗ以上、代表的には約４０ｌｍ／Ｗ
とすることができる。

【０３４３】蛍光のみではなく燐光も利用することがで
きるＥＬとしては、PtOEP〔2,3,7,8,12,13,17,18-octae
thyl 21H,23H-porphine platinum(II)〕、Ir(ppy)₃〔tr
is(2-phenylpyridine)iridium〕等が挙げられる。

【０３４４】上述したように、蛍光のみではなく燐光も
利用したＥＬを有するＥＬ素子は、蛍光のみを利用した
ＥＬを有するＥＬ素子に比べて発光効率が高いので、携
帯情報端末自体の消費電力を抑えることができる。その
ため携帯情報端末は利用者が持ち運んで使用するため、
消費電力を抑えることで携帯情報端末の使い勝手がより
良くなる。

【０３４５】本実施例は、実施例１〜１２と自由に組み
合わせて実施することが可能である。

【０３４６】（実施例１５）本実施例では、本発明の携
帯情報端末において、表示部に表示される画像の方向、
または操作キーに表示される文字、数字、記号等の画像
の方向を、接続部における表示用パネルと操作用パネル
の間の角度θによって自動的に切り替える場合について
詳しく説明する。

【０３４７】図２８に、本実施例の携帯情報端末の接続
部８０１の断面図を示す。８０２は表示用パネル、８０
３は操作用パネルであり、両パネルは接続部８０１にお
いて接続されている。なお、本実施例では８０２を表示
用パネル、８０３を操作用パネルとしたが、本発明はこ
の構成に限定されない。逆に、８０２を操作用パネル、
８０３を表示用パネルとしても良い。

【０３４８】表示用パネル８０２は、接続部８０１にお
いて回転軸８０４に接続されている。回転軸８０４の断
面は、円の一部が欠けたような形状をしている。本実施
例では円弧状になっている。

【０３４９】また操作用パネル８０３は、接続部８０１
において回転部８０５に接続されている。回転部８０５
は回転軸８０４を主軸として回転させることが可能であ
り、回転部８０５の回転する角度によって、表示用パネ
ル８０２と操作用パネル８０３の角度θが定まる。

【０３５０】回転部８０５には、表示用パネル８０２と
操作用パネル８０３の角度θを認識するためのボタン８
０６が設けられている。ボタン８０６が回転軸８０４の
円弧の部分に接触しているかいないかで、角度θを認識
することが可能である。

【０３５１】図２８（Ａ）ではθ＝０°、図２８（Ｂ）
ではθ＝３０°、図２８（Ｃ）ではθ＝１２０°の場合
の、接続部８０１の断面図が示されている。

【０３５２】例えば本実施例では、図２８（Ａ）のθ＝
０°のときと、図２８（Ｂ）のθ＝３０°のときに、ボ
タン８０６に回転軸８０４が接触している。そして、図
２８（Ｃ）のθ＝１２０°のときに、ボタン８０６が回
転軸８０４から離れている。

【０３５３】そして、ボタン８０６が回転軸８０４と接
触しているときと、していないときとで、表示部に表示
される画像の方向または操作キーに表示される文字、数
字、記号等の画像の方向を切り替える。上記構成によっ
て、接続部における表示用パネルと操作用パネルとの間
の角度θによって、自動的に表示部に表示される画像の
方向または操作キーに表示される文字、数字、記号等の
画像の方向を切り替えることが可能になる。

【０３５４】なお、画像の向きが切り替わる角度θの具
体的な値は、回転軸８０４の形状を変える事で、設計者
が適宜設定することが可能である。

【０３５５】本実施例は、実施例１〜１４と自由に組み
合わせて実施することが可能である。

【０３５６】

【発明の効果】本発明の携帯情報端末は、文字、記号、
数字等を入力するための操作キーがそれぞれＬＥＤ（Li
ght Emitting Diode）、ＥＬ表示装置または液晶表示装
置等を有しており、該ＬＥＤ（Light Emitting Diod
e）、ＥＬ表示装置または液晶表示装置等によって表示
される文字、記号、数字等の画像で、利用者が操作キー
を識別できるようにした。上記構成によって、暗所にお
いても利用者が操作キーを識別できる。

【０３５７】そして表示部に用いられているＥＬ表示装
置の表示の向きと、操作キーに表示される文字、記号、
数字等の画像の向きを、携帯情報端末を用いる用途によ
って、利用者が適宜変えることができるようにした。上
記構成によって、携帯情報端末の使い勝手を良くするこ
とができる。

【０３５８】また本発明の携帯情報端末は、ＣＣＤカメ
ラを有する構成としても良い。ＣＣＤカメラを有するこ
とで、ＣＣＤカメラで携帯情報端末に電子データとして
取り込んだ画像情報を、その場で他者に送ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の携帯情報端末の外観図。

【図２】本発明の携帯情報端末の操作パネルの拡大
図。

【図３】本発明の携帯情報端末の上面図。

【図４】本発明の携帯情報端末の外観図。

【図５】本発明の携帯情報端末の操作キーの拡大図及
びその駆動回路。

【図６】本発明の携帯情報端末の表示部に用いられる
ＥＬ表示装置の回路図。

【図７】本発明の携帯情報端末の表示部に用いられる
ＥＬ表示装置の上面図。

【図８】本発明の携帯情報端末の表示部に用いられる
ＥＬ表示装置の駆動方法を示すタイミングチャート図。

【図９】本発明の携帯情報端末の表示部に用いられる
ＥＬ表示装置の上面図。

【図１０】本発明の携帯情報端末の表示部に用いられ
るＥＬ表示装置の駆動方法を示すタイミングチャート
図。

【図１１】本発明の携帯情報端末の表示部に用いられ
るＥＬ表示装置の上面図。

【図１２】本発明の携帯情報端末の表示部に用いられ
るＥＬ表示装置の回路図。

【図１３】本発明の携帯情報端末の表示部に用いられ
るＥＬ表示装置の駆動方法を示すタイミングチャート
図。

【図１４】本発明の携帯情報端末の表示部に用いられ
るＥＬ表示装置の作製方法を示す図。

【図１５】本発明の携帯情報端末の表示部に用いられ
るＥＬ表示装置の作製方法を示す図。

【図１６】本発明の携帯情報端末の表示部に用いられ
るＥＬ表示装置の作製方法を示す図。

【図１７】本発明の携帯情報端末の表示部に用いられ
るＥＬ表示装置の作製方法を示す図。

【図１８】タッチパネルの実装位置及びタッチパネル
の構成を示す図。

【図１９】本発明の携帯情報端末の表示部に用いられ
るＥＬ表示装置の回路図。

【図２０】本発明の携帯情報端末の表示部に用いられ
るＥＬ表示装置の画素の回路図。

【図２１】本発明の携帯情報端末の表示部に用いられ
るＥＬ表示装置の外観図。

【図２２】本発明の携帯情報端末の表示部に用いられ
るＥＬ表示装置の断面図。

【図２３】本発明の携帯情報端末の表示部に用いられ
るＥＬ表示装置の画素の上面図及び回路図。

【図２４】本発明の携帯情報端末の表示部に用いられ
るＥＬ表示装置の断面図。

【図２５】従来の携帯電話の図。

【図２６】パッシブ型のＥＬ表示装置の断面図。

【図２７】液晶表示装置の回路図。

【図２８】接続部の断面図。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０６Ｆ 3/14 ３６０Ｇ０６Ｆ 3/14 ３６０Ａ 3/16 ３４０ 3/16 ３４０Ａ３４０ＮＧ０９Ｆ 9/00 ３６６Ｇ０９Ｆ 9/00 ３６６Ａ 9/30 ３３８ 9/30 ３３８ 9/40 ３０１ 9/40 ３０１Ｇ０９Ｇ 3/20 ６６０Ｇ０９Ｇ 3/20 ６６０Ｆ６８０６８０Ｔ６８０Ｓ６８０Ｄ６９１６９１Ｃ６９１Ｄ６９１Ｅ 3/30 3/30 Ｊ 3/32 3/32 Ａ 3/36 3/36 Ｈ０４Ｍ 1/23 Ｈ０４Ｍ 1/23 Ｚ 1/73 1/73

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表示部と、音声入力部と、音声出力部と、
操作キーとを有し、電話として機能する電子機器であっ
て、前記表示部は能動素子を有しており、前記操作キーはＬＥＤを有しており、前記ＬＥＤによって表示される画像は、向きが切り替わ
ることを特徴とする電子機器。
【請求項２】請求項１において、前記能動素子はＥＬも
しくは液晶を有することを特徴とする電子機器。
【請求項３】表示部と、音声入力部と、音声出力部と、
操作キーとを有し、電話として機能する電子機器であっ
て、前記表示部はＥＬ素子を有しており、前記操作キーは液晶を有しており、前記液晶によって表示される画像は、向きが切り替わる
ことを特徴とする電子機器。
【請求項４】音声入力部と音声出力部のいずれか一方
と、表示部とを有する第１のパネルと、音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能する電子機器であって、前記第１のパネルと前記第２のパネルは接続されてお
り、前記第１のパネルと前記第２のパネルの間の角度は任意
に変えることができ、前記表示部はＥＬ素子を有しており、前記操作キーはＬＥＤを有しており、前記ＬＥＤによって表示される画像は、向きが切り替わ
ることを特徴とする電子機器。
【請求項５】音声入力部と音声出力部のいずれか一方
と、表示部とを有する第１のパネルと、音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能する電子機器であって、前記第１のパネルと前記第２のパネルは接続されてお
り、前記第１のパネルと前記第２のパネルの間の角度は任意
に変えることができ、前記表示部はＥＬ素子を有しており、前記操作キーは液晶を有しており、前記液晶によって表示される画像は、向きが切り替わる
ことを特徴とする電子機器。
【請求項６】音声入力部と音声出力部のいずれか一方
と、表示部とを有する第１のパネルと、音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能
する電子機器であって、前記表示部はＥＬ素子を有しており、前記操作キーはＬＥＤを有しており、前記第１のパネルと前記第２のパネルは接続されてお
り、前記第１のパネルと前記第２のパネルの間の角度は任意
に変えることができ、前記ＬＥＤによって表示される画像は、前記角度によっ
て向きが切り替わることを特徴とする電子機器。
【請求項７】音声入力部と音声出力部のいずれか一方
と、表示部とを有する第１のパネルと、音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能
する電子機器であって、前記表示部はＥＬ素子を有しており、前記操作キーは液晶を有しており、前記第１のパネルと前記第２のパネルは接続されてお
り、前記第１のパネルと前記第２のパネルの間の角度は任意
に変えることができ、前記液晶によって表示される画像は、前記角度によって
向きが切り替わることを特徴とする電子機器。
【請求項８】音声入力部と音声出力部のいずれか一方
と、表示部とを有する第１のパネルと、音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能する電子機器であって、前記第１のパネルと前記第２のパネルは接続されてお
り、前記第１のパネルと前記第２のパネルの間の角度は任意
に変えることができ、前記表示部は複数の画素を有しており、前記複数の画素は、フォトダイオードと、ＥＬ素子と、
スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセッ
ト用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴとを
それぞれ有しており、前記スイッチング用ＴＦＴ及び前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ
は、前記ＥＬ素子の発光を制御しており、前記ＥＬ素子から発せられた光は、被写体上で反射して
前記フォトダイオードに照射され、前記フォトダイオード、前記リセット用ＴＦＴ、前記バ
ッファ用ＴＦＴ及び選択用ＴＦＴは、前記フォトダイオ
ードに照射された光から画像信号を生成し、前記操作キーはＬＥＤを有しており、前記ＬＥＤによって表示される画像は、向きが切り替わ
ることを特徴とする電子機器。
【請求項９】音声入力部と音声出力部のいずれか一方
と、表示部とを有する第１のパネルと、音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能
する電子機器であって、前記第１のパネルと前記第２のパネルは接続されてお
り、前記第１のパネルと前記第２のパネルの間の角度は任意
に変えることができ、前記表示部は複数の画素を有しており、前記複数の画素は、フォトダイオードと、ＥＬ素子と、
スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセッ
ト用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴとを
それぞれ有しており、前記スイッチング用ＴＦＴ及び前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ
は、前記ＥＬ素子の発光を制御しており、前記ＥＬ素子から発せられた光は、被写体上で反射して
前記フォトダイオードに照射され、前記フォトダイオード、前記リセット用ＴＦＴ、前記バ
ッファ用ＴＦＴ及び選択用ＴＦＴは、前記フォトダイオ
ードに照射された光から画像信号を生成し、前記操作キーは液晶を有しており、前記液晶によって表示される画像は、向きが切り替わる
ことを特徴とする電子機器。
【請求項１０】請求項１乃至請求項９のいずれか１項に
おいて、前記ＥＬ素子は陽極と、陰極と、前記陽極と前
記陰極の間に設けられたＥＬ層とを有しており、前記Ｅ
Ｌ層の外部量子効率は１０％以上であることを特徴とす
る電子機器。
【請求項１１】請求項１乃至請求項１０のいずれか１項
において、前記ＥＬ素子の発光強度の最大値が２５ｌｍ
／Ｗ以上であることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】表示部と、音声入力部と、音声出力部
と、操作キーとを有し、電話として機能する電子機器で
あって、前記表示部は第１のＥＬ素子を有しており、前記操作キーは第２のＥＬ素子を有しており、前記第２のＥＬ素子によって表示される画像は、向きが
切り替わることを特徴とする電子機器。
【請求項１３】音声入力部と音声出力部のいずれか一方
と、表示部とを有する第１のパネルと、音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能
する電子機器であって、前記第１のパネルと前記第２のパネルは接続されてお
り、前記第１のパネルと前記第２のパネルの間の角度は任意
に変えることができ、前記表示部は第１のＥＬ素子を有しており、前記操作キーは第２のＥＬ素子を有しており、前記第２のＥＬ素子によって表示される画像は、向きが
切り替わることを特徴とする電子機器。
【請求項１４】音声入力部と音声出力部のいずれか一方
と、表示部とを有する第１のパネルと、音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能
する電子機器であって、前記表示部は第１のＥＬ素子を有しており、前記操作キーは第２のＥＬ素子を有しており、前記第１のパネルと前記第２のパネルは接続されてお
り、前記第１のパネルと前記第２のパネルの間の角度は任意
に変えることができ、前記第２のＥＬ素子によって表示される画像は、前記角
度によって向きが切り替わることを特徴とする電子機
器。
【請求項１５】音声入力部と音声出力部のいずれか一方
と、表示部とを有する第１のパネルと、音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能
する電子機器であって、前記第１のパネルと前記第２のパネルは接続されてお
り、前記第１のパネルと前記第２のパネルの間の角度は任意
に変えることができ、前記表示部は複数の画素を有しており、前記複数の画素は、フォトダイオードと、第１のＥＬ素
子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、
リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦ
Ｔとをそれぞれ有しており、前記スイッチング用ＴＦＴ及び前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ
は、前記第１のＥＬ素子の発光を制御しており、前記第１のＥＬ素子から発せられた光は、被写体上で反
射して前記フォトダイオードに照射され、前記フォトダイオード、前記リセット用ＴＦＴ、前記バ
ッファ用ＴＦＴ及び選択用ＴＦＴは、前記フォトダイオ
ードに照射された光から画像信号を生成し、前記操作キーは第２のＥＬ素子を有しており、前記第２のＥＬ素子によって表示される画像は、向きが
切り替わることを特徴とする電子機器。
【請求項１６】請求項１２乃至請求項１５のいずれか１
項において、前記第１のＥＬ素子は陽極と、陰極と、前
記陽極と前記陰極の間に設けられたＥＬ層とを有してお
り、前記ＥＬ層の外部量子効率は１０％以上であること
を特徴とする電子機器。
【請求項１７】請求項１２乃至請求項１６のいずれか１
項において、前記第１のＥＬ素子の発光強度の最大値が
２５ｌｍ／Ｗ以上であることを特徴とする電子機器。
【請求項１８】請求項１２乃至請求項１７のいずれか１
項において、前記第２のＥＬ素子は陽極と、陰極と、前
記陽極と前記陰極の間に設けられたＥＬ層とを有してお
り、前記ＥＬ層の外部量子効率は１０％以上であること
を特徴とする電子機器。
【請求項１９】請求項１２乃至請求項１８のいずれか１
項において、前記第２のＥＬ素子の発光強度の最大値が
２５ｌｍ／Ｗ以上であることを特徴とする電子機器。
【請求項２０】音声入力部と音声出力部のいずれか一方
と、表示部とを有する第１のパネルと、音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能
する電子機器であって、前記第１のパネルと前記第２のパネルは接続されてお
り、前記第１のパネルと前記第２のパネルの間の角度は任意
に変えることができ、前記表示部はＥＬ素子を有しており、前記操作キーはＬＥＤを有しており、前記ＬＥＤによって表示される画像は、向きが切り替わ
り、前記ＥＬ素子によって表示される画像と、前記ＬＥＤに
よって表示される画像は、常に向きが同じであることを
特徴とする電子機器。
【請求項２１】音声入力部と音声出力部のいずれか一方
と、表示部とを有する第１のパネルと、音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能
する電子機器であって、前記第１のパネルと前記第２のパネルは接続されてお
り、前記第１のパネルと前記第２のパネルの間の角度は任意
に変えることができ、前記表示部はＥＬ素子を有しており、前記操作キーは液晶を有しており、前記液晶によって表示される画像は、向きが切り替わ
り、前記ＥＬ素子によって表示される画像と、前記液晶によ
って表示される画像は、常に向きが同じであることを特
徴とする電子機器。
【請求項２２】音声入力部と音声出力部のいずれか一方
と、表示部とを有する第１のパネルと、音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能
する電子機器であって、前記表示部はＥＬ素子を有しており、前記操作キーはＬＥＤを有しており、前記第１のパネルと前記第２のパネルは接続されてお
り、前記第１のパネルと前記第２のパネルの間の角度は任意
に変えることができ、前記ＬＥＤによって表示される画像は、前記角度によっ
て向きが切り替わり、前記ＥＬ素子によって表示される画像と、前記ＬＥＤに
よって表示される画像は、常に向きが同じであることを
特徴とする電子機器。
【請求項２３】音声入力部と音声出力部のいずれか一方
と、表示部とを有する第１のパネルと、音声入力部と音声出力部のいずれかもう一方と、操作キ
ーとを有する第２のパネルと、を有し、電話として機能
する電子機器であって、前記表示部はＥＬ素子を有しており、前記操作キーは液晶を有しており、前記第１のパネルと前記第２のパネルは接続されてお
り、前記第１のパネルと前記第２のパネルの間の角度は任意
に変えることができ、前記液晶によって表示される画像は、前記角度によって
向きが切り替わり、前記ＥＬ素子によって表示される画像と、前記液晶によ
って表示される画像は、常に向きが同じであることを特
徴とする電子機器。
【請求項２４】表示部を有する第１のパネルと、操作キ
ーを有する第２のパネルと、前記第１のパネルと前記第
２のパネルの角度を感知する手段とを有する電子機器で
あって、前記第１のパネルと前記第２のパネルは接続されてお
り、前記角度は任意に変えることができ、前記表示部はＥＬ素子を有しており、前記操作キーはＬＥＤを有しており、前記ＥＬ素子によって表示される画像と、前記ＬＥＤに
よって表示される画像は、前記角度によって向きが切り
替わることを特徴とする電子機器。
【請求項２５】表示部を有する第１のパネルと、操作キ
ーを有する第２のパネルと、前記第１のパネルと前記第
２のパネルの角度を感知する手段とを有する電子機器で
あって、前記第１のパネルと前記第２のパネルは接続されてお
り、前記角度は任意に変えることができ、前記表示部はＥＬ素子を有しており、前記操作キーはＬＥＤを有しており、前記ＥＬ素子によって表示される画像と、前記ＬＥＤに
よって表示される画像は、前記角度によって向きが切り
替わり、前記ＥＬ素子によって表示される画像と、前記ＬＥＤに
よって表示される画像は、常に向きが同じであることを
特徴とする電子機器。
【請求項２６】表示部を有する第１のパネルと、操作キ
ーを有する第２のパネルと、前記第１のパネルと前記第
２のパネルの角度を感知する手段とを有する電子機器で
あって、前記第１のパネルと前記第２のパネルは接続されてお
り、前記角度は任意に変えることができ、前記表示部はＥＬ素子を有しており、前記操作キーは液晶を有しており、前記ＥＬ素子によって表示される画像と、前記液晶によ
って表示される画像は、前記角度によって向きが切り替
わることを特徴とする電子機器。
【請求項２７】表示部を有する第１のパネルと、操作キ
ーを有する第２のパネルと、前記第１のパネルと前記第
２のパネルの角度を感知する手段とを有する電子機器で
あって、前記第１のパネルと前記第２のパネルは接続されてお
り、前記角度は任意に変えることができ、前記表示部はＥＬ素子を有しており、前記操作キーは液晶を有しており、前記ＥＬ素子によって表示される画像と、前記液晶によ
って表示される画像は、前記角度によって向きが切り替
わり、前記ＥＬ素子によって表示される画像と、前記液晶によ
って表示される画像は、常に向きが同じであることを特
徴とする電子機器。
【請求項２８】請求項２０乃至請求項２７のいずれか１
項において、前記第１のＥＬ素子は陽極と、陰極と、前
記陽極と前記陰極の間に設けられたＥＬ層とを有してお
り、前記ＥＬ層の外部量子効率は１０％以上であること
を特徴とする電子機器。
【請求項２９】請求項２０乃至請求項２８のいずれか１
項において、前記第１のＥＬ素子の発光強度の最大値が
２５ｌｍ／Ｗ以上であることを特徴とする電子機器。
【請求項３０】請求項１乃至請求項２９のいずれか１項
において、ＣＣＤ受光部を有することを特徴とする電子
機器。
【請求項３１】前記ＣＣＤ受光部において画像を電子デ
ータとして取り込むことを特徴とする請求項３０に記載
の電子機器。
【請求項３２】前記表示部においてタッチパネルを有
し、前記タッチパネルに書き込まれた画像を電子データ
として読み込むことを特徴とする請求項１乃至請求項３
１のいずれか１項に記載の電子機器。