JP2002182839A

JP2002182839A - 情報装置

Info

Publication number: JP2002182839A
Application number: JP2000376766A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; Jun Koyama; 潤小山
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2000-12-12
Filing date: 2000-12-12
Publication date: 2002-06-28
Anticipated expiration: 2020-12-12
Also published as: JP4671494B2

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の抵抗膜式や光学式のペン入力機能を有
する情報装置では、画像の視認性、装置の耐久性、精度
や小型化、消費電力等の問題があった。【解決手段】本発明のペン入力機能を有する情報装置
は、表示装置の画素に、ＥＬ素子と光電変換素子の両方
を配置し、ペン先が発光するペンによって、光電変換素
子に光を入力することによって情報入力を行う。これに
よって、表示画像の輝度を損なわず、また鮮明な画像を
表示し、耐久性に優れ、小型化可能で、精度の良い、ペ
ン入力機能を有する情報装置が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ペン等によって情
報を入力する機能を有する情報装置に関する。特に、表
示装置の画面上でペン入力の操作を行う情報装置に関す
る。表示装置としては、特にＥＬ素子を用いたＥＬ表示
装置に関する。また、この情報装置を有する携帯情報装
置に関する。

【０００２】なお、本明細書において、ＥＬ素子とは、
一重項励起子からの発光（蛍光）及び三重項励起子から
の発光（燐光）の両方を利用するものを示すとする。

【０００３】

【従来の技術】携帯情報装置において、小型化及び操作
性の面から、ペン入力方式の携帯情報装置の需要が高ま
っている。ペン入力方式は、専用の、もしくは任意のペ
ン等を用い、表示画面にペン先を接触させる、もしくは
近付けることによって、情報の入力を行う方式のことで
ある。

【０００４】つまり、表示画面上のペン先が指し示した
位置に対応する情報の入力を行う。表示画面は、ペン入
力画面も兼ねる。このペン入力方式では、ペン入力画面
上で、ペンが指し示した位置を特定する必要がある。ペ
ン入力方式の手法には、抵抗膜式や光学式等がある。

【０００５】始めに、抵抗膜式について説明する。

【０００６】図７は、抵抗膜式のペン入力装置の構造を
示す模式図である。なお、ペン入力装置７７１１は、表
示装置７７０８の上部に形成されている。表示装置７７
０８は、表示部７７０９と周辺回路７７１０を有する。

【０００７】ペン入力装置７７１１において、可動電極
７７０１と固定電極７７０２は、ドットスペーサ７７０
４を挟んで、貼り合わせ材７７０３によって約１００〜
３００μｍの間隔で互いに平行に接続されている。ここ
で、ペン入力装置７７１１を介して、表示装置７７０８
の表示部７７０９に映し出される画像を見ることができ
るように、可動電極７７０１及び固定電極７７０２は、
透光性を有する導電材料で形成されている。透光性を有
する導電材料としては、一般に、酸化インジウム・スズ
（ＩＴＯ）膜が用いられる。

【０００８】抵抗膜式では、ペン入力装置７７１１上の
入力ペン７７０５で指し示した位置（図７中、入力点
Ａ）において、可動電極７７０１と固定電極７７０２は
接する。このとき、入力点Ａの位置を、２つの位置検出
用の電極７７０６及び７７０７からの抵抗Ｒ１及びＲ２
の比として読み取る方式である。

【０００９】具体的に、位置の読み取りを行う際の例を
図８に示す。入力ペン８０７によって、入力点Ａにおい
て、可動電極８０１側より圧力を加えて、固定電極８０
２と接触させる。ここで、可動電極８０１の２つの電極
８０３と８０４間に電圧をかけ、可動電極８０１内部に
電位の勾配を発生させる。このときの入力点Ａの電位Ｖ
_Aを測定することによって、電極８０３と電極８０４か
ら入力点Ａまでの抵抗値Ｒ_x1及びＲ_x2を知ることができ
る。ここで、可動電極８０１の膜質が均一であるとする
と、この抵抗値Ｒ_x1及びＲ_x2は、電極８０３と８０４そ
れぞれから入力点Ａまでの距離に比例する。

【００１０】同様に今度は、固定電極８０２の２つの電
極８０５と８０６間に電圧を加えて、固定電極８０２内
部に電位の勾配が発生する。このときの入力点Ａの電位
Ｖ_Aを知ることで、電極８０５と電極８０６から入力点
Ａまでの抵抗値Ｒ_y1及びＲ_y2を知ることができる。ここ
で、固定電極８０２の膜質が均一であるとすると、この
抵抗値Ｒ_y1及びＲ_y2は、電極８０５と８０６それぞれか
らＡ点までの距離に比例する。こうして、入力点Ａの位
置を知ることができる。

【００１１】なお、入力点Ａの位置を測定するための、
入力点Ａの電位の測定方法は、上記構成に限らず、いろ
いろな方法を用いることができる。

【００１２】次に、光学式のペン入力装置について説明
する。図９（Ａ）に、この方式のペン入力装置の上面模
式図を示す。

【００１３】入力部９０２に、入力用ペン９０１のペン
先が触れると、触れた位置を検出する。この位置検出の
動作について説明する。

【００１４】入力部９０２の周りには、右辺部に、ｘ−
１個の発光ダイオード（以下、ＬＥＤという）２₁〜２_x
が配置され、左辺部に、ｘ−１個のフォトトランジスタ
（以下、ＰＴという）３₁〜３_xが、ＬＥＤ２₁〜２_xと対
向するように配置され、枠４に埋設されている。

【００１５】一方、下辺部に、ｙ−１個のＬＥＤ５₁〜
５_yが配置され、上辺部に、ｙ−１個のＰＴ６₁〜６
_yが、ＬＥＤ５₁〜５_yと対向するように配置され、枠４
に埋設されている。

【００１６】そして、ＬＥＤ２₁〜２_xとＰＴ３₁〜３
_xは、ｘ−１本の水平方向のタッチ入力ラインを形成
し、ＬＥＤ５₁〜５_yとＰＴ６₁〜６_yは、ｙ−１本の垂直
方向のタッチ入力ラインを形成する。

【００１７】ここで、タッチ入力ラインとは、向かい合
う一対のＬＥＤとＰＴにおいて、ＬＥＤから発した光が
ＰＴに入力される時に通過する経路のことである。

【００１８】なお、３₁〜３_x及び６₁〜６_yとして、ＰＴ
を用いたが、ＰＴに限らず、光を電気信号に変換する、
光電変換素子であれば自由に用いることができる。

【００１９】ＬＥＤ２₁〜２_x及び５₁〜５_yそれぞれから
放射され、ＰＴ３₁〜３_x及び６₁〜６_yにそれぞれ入射さ
れる光の指向性を高めるため、各素子が埋設された枠４
の前方に、円孔状のスリット７がそれぞれ形成されてい
る。

【００２０】図９（Ｂ）は、図９（Ａ）のａ〜ａ'の断
面図である。表示装置９１０がペン入力装置の下部に形
成されている。表示装置９１０は、表示部９１１及び周
辺回路９１２によって構成されている。抵抗膜式とは異
なり、表示部９１１に映し出される画像を直接見ること
が可能である。

【００２１】再び、図９（Ａ）を参照する。

【００２２】上記構成のペン入力装置において、水平方
光のタッチ入力ライン及び垂直方向のタッチ入力ライン
それぞれを同時に、対向するＬＥＤとＰＴの対について
一対ずつ端から順に発光及び受光を行わせる（以下、ス
キャンという）。

【００２３】ここで、入力ペン９０１で入力部９０２内
の一点を指し示す。今、図９（Ａ）中の入力点Ａを指し
示したとする。このとき、入力点Ａに対応する２本のタ
ッチ入力ライン２_n〜３_n及び５_m〜６_mの間で光が遮断さ
れ、入力ペン９０１が触れた位置Ａが認識される。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】抵抗膜式は、情報入力
の度に、可動電極を機械的に変形させる必要がある。こ
のため、繰り返しの変形により、可動電極が疲労し、破
壊する可能性がある。これは耐久性の上で問題となる。

【００２５】また、破壊にまで至らないとしても、繰り
返しの変形や、作製上の過程で、マイクロメートルオー
ダーの微小なクラックが形成された場合において、ＩＴ
Ｏ膜の導電性が均一でなくなるため、ペン入力の位置の
検出精度に問題が発生する。

【００２６】加えて、可動電極及び固定電極の、２枚の
電極を介して、表示装置の画像を読み取ることになる。
このとき、透明電極の透過率は１００％ではないため、
表示装置からの光が減衰し画像の輝度が落ちるといった
画面の視認性の問題が発生する。そのため、画像の輝度
を上げようとして表示装置の発光を強くしなくてはなら
ず、装置の消費電力の増加が問題となる。

【００２７】また、外部から応力がかかり、可動電極及
び固定電極の、２つの電極間の距離が４０μｍ以下にな
ると、２つの電極間での反射光の干渉の効果により、ニ
ュートンリングが現れるといった問題もある。

【００２８】さらに、２枚の電極を平行に配置したコン
デンサ構造のため、バッテリー電源使用の際、消耗が大
きいという問題がある。これは、低消費電力が望まれる
携帯情報機器において重大な問題である。

【００２９】一方、光学式のペン入力装置では、抵抗膜
式のように薄膜を繰り返し変形させる必要は無く、機械
的な耐久性の問題は無い。また、透明電極を介して、表
示装置を見ることにならず、画面の視認性の上で問題も
少ない。

【００３０】しかし、発光素子が発した光が、その対と
なる受光素子にまっすぐに受光されない場合、たとえ、
入力ペン等である位置を指し示したとしても、認識され
ない可能性がある。

【００３１】また、表示装置上に、発光素子と受光素子
の列やスリット等を形成する必要があるため、小型化が
難しいという問題がある。

【００３２】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明のペン入
力機能を有する情報装置では、表示装置の画素に、ＥＬ
（エレクトロルミネッセンス）素子と光電変換素子の両
方を配置し、ペン先が発光するペンによって情報入力を
行う。

【００３３】ＥＬ素子は、自発光型素子であり、主にＥ
Ｌ表示装置に用いられている。ＥＬ表示装置とは、有機
ＥＬ表示装置（ＯＥＬＤ：Organic EL Display）又は有
機ライトエミッティングダイオード（ＯＬＥＤ：Organi
c Light Emitting Diode）ともいう。

【００３４】ＥＬ素子は、一対の電極（陽極と陰極）の
間にＥＬ層が挟まった構造となっている。ＥＬ層は通
常、積層構造となっている。代表的には、コダック・イ
ーストマンカンパニーのTangらが提案した「正孔輸送層
／発光層／電子輸送層」という積層構造が挙げられる。
この構造は発光効率が極めて高いことが知られている。

【００３５】また他にも、電極上に、「正孔注入層／正
孔輸送層／発光層／電子輸送層」と積層したものや、
「正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子
注入層」と積層した構造のものでも良い。また、発光層
に蛍光性色素等をドーピングしても良い。

【００３６】本明細書において、一対の電極間に設けら
れる全ての層を指してＥＬ層と呼ぶ。よって上述した正
孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入
層等は、すべてＥＬ層に含まれる。上記構成のＥＬ層に
一対の電極から所定の電圧を印加する。それによって、
発光層においてキャリアの再結合が起こって発光する。

【００３７】光電変換素子としては、フォトダイオード
等を用いることができる。本明細書においてフォトダイ
オードとは、カソード電極と、アノード電極と、カソー
ド電極とアノード電極の間に光電変換層を有している。

【００３８】なお、フォトダイオードはこの構成に限ら
ず、ｐ型半導体層とｎ型半導体層の間に、ｉ型（真性）
半導体層からなる光電変換層を有する、ＰＩＮ構造のも
のであっても良い。また、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体
層からなるＰＮ型のフォトダイオードであっても良い。

【００３９】また、光電変換素子として、有機物から構
成される光電変換層等を有するものを用いても良い。

【００４０】フォトダイオードは、カソード電極とアノ
ード電極の間（フォトダイオードの電極間と呼ぶことに
する）に逆バイアス電圧を印加した後、光を照射する
と、光によって生じたキャリアによって、電極間の電圧
が低下する。このとき、照射された光の強度が高いほ
ど、この電圧が低下する量も大きい。これを利用して、
フォトダイオードに光が照射された場合の電圧と、照射
されなかった場合の電圧を比較することで、光を電気信
号として検出する。

【００４１】ＥＬ素子とフォトダイオードとは、同一基
板上にマトリクス状に形成され、そして同じくマトリク
ス状に設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）にを用い
て、ＥＬ素子とフォトダイオードのそれぞれの動作を制
御する。

【００４２】これによって、表示画像の輝度を損なわ
ず、また鮮明な画像を表示し、耐久性に優れ、小型化可
能で、精度の良い、低消費電力のペン入力機能を有する
情報装置が得られる。

【００４３】以下に、本発明の情報装置の構成について
記載する。

【００４４】本発明によって、複数の画素を有する情報
装置において、入力用ペンを有し、前記複数の画素はそ
れぞれＥＬ素子と光電変換素子とを有し、前記入力ペン
は、光線を発し、前記光線が、前記光電変換素子に入力
されることにより情報入力を行うことを特徴とする情報
装置が提供される。

【００４５】前記ＥＬ素子と前記光電変換素子とは、同
一基板上に形成されていることを特徴とする情報装置で
あってもよい。

【００４６】前記光電変換素子は、フォトダイオードで
あることを特徴とする情報装置であってもよい。

【００４７】本発明によって、複数の画素を有する情報
装置において、ＥＬ表示用ソース信号線駆動回路と、Ｅ
Ｌ表示用ゲート信号線駆動回路と、複数のＥＬ表示用ソ
ース信号線と、複数のＥＬ表示用ゲート信号線と、複数
の電源供給線と、入力ペンとを有し、前記ＥＬ表示用ソ
ース信号線駆動回路は、前記複数のＥＬ表示用ソース信
号線に信号を出力し、前記ＥＬ表示用ゲート信号線駆動
回路は、前記複数のＥＬ表示用ゲート信号線に信号を出
力し、前記複数の画素は、それぞれＥＬ表示部とセンサ
部とを有し、前記ＥＬ表示部と前記センサ部とは、同一
基板上に形成され、前記ＥＬ表示部は、スイッチング用
ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、ＥＬ素子とを有し、前
記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は、前記複数のＥ
Ｌ表示用ゲート信号線のうちの一本に接続され、前記ス
イッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域とは、
一方は、前記複数のＥＬ表示用ソース信号線のうちの一
本と接続され、もう一方は、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲ
ート電極に接続され、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領
域とドレイン領域とは、一方は、前記複数の電源供給線
のうちの一本に接続され、もう一方は、前記ＥＬ素子に
接続され、前記センサ部は、フォトダイオードを有し、
前記入力ペンは、光線を発し、前記光線が前記フォトダ
イオードに入力されることにより情報入力を行うことを
特徴とする情報装置が提供される。

【００４８】本発明によって、複数の画素を有する情報
装置において、センサ用ソース信号線駆動回路と、セン
サ用ゲート信号先駆回路と、複数のセンサ用出力配線
と、複数のセンサ用ゲート信号線と、複数のリセット用
ゲート信号線と、複数のセンサ用電源線と、入力ペンと
を有し、前記センサ用ソース信号線駆動回路は、前記複
数のセンサ用出力配線から信号を読み取り、前記センサ
用ゲート信号線駆動回路は、前記複数のセンサ用ゲート
信号線と、複数のリセット用ゲート信号線に信号を出力
し、前記複数の画素は、それぞれＥＬ表示部とセンサ部
とを有し、前記ＥＬ表示部と前記センサ部とは、同一基
板上に形成され、前記センサ部は、選択用ＴＦＴと、バ
ッファ用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、フォトダイオ
ードとを有し、前記選択用ＴＦＴのゲート電極は、前記
複数のセンサ用ゲート信号線のうちの１本に接続され、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域とは、一
方は、前記複数のセンサ用出力配線のうちの１つに接続
され、もう一方は、前記バッファ用ＴＦＴのソース領域
もしくはドレイン領域のどちらか一方に接続され、前記
バッファ用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域とで、前
記選択用ＴＦＴと接続されていない側は、前記複数のセ
ンサ用電源線のうちの１つに接続され、前記バッファ用
ＴＦＴのゲート電極は、前記フォトダイオード及び前記
リセット用ＴＦＴのソース領域もしくはドレイン領域に
接続され、前記リセット用ＴＦＴのソース領域もしくは
ドレイン領域で、前記バッファ用ＴＦＴと接続されてい
ない側は、前記複数のセンサ用電源線のうちの１つに接
続され、前記リセット用ＴＦＴのゲート電極は、前記複
数のリセット用ゲート信号線のうちの１つに接続され、
前記ＥＬ表示部は、ＥＬ素子を有し、前記入力ペンは光
線を発し、前記光線が前記フォトダイオードに入力され
ることにより情報入力を行うことを特徴とする情報装置
が提供される。

【００４９】本発明によって、複数の画素を有する情報
装置において、ＥＬ表示用ソース信号線駆動回路と、Ｅ
Ｌ表示用ゲート信号線駆動回路と、センサ用ソース信号
線駆動回路と、センサ用ゲート信号先駆回路と、複数の
ＥＬ表示用ソース信号線と、複数のＥＬ表示用ゲート信
号線と、複数の電源供給線と、複数のセンサ用出力配線
と、複数のセンサ用ゲート信号線と、複数のリセット用
ゲート信号線と、複数のセンサ用電源線と、入力ペンと
を有し、前記ＥＬ表示用ソース信号線駆動回路は、前記
複数のＥＬ表示用ソース信号線に信号を出力し、前記Ｅ
Ｌ表示用ゲート信号線駆動回路は、前記複数のＥＬ表示
用ゲート信号線に信号を出力し、前記センサ用ソース信
号線駆動回路は、前記複数のセンサ用出力配線から信号
を読み取り、前記センサ用ゲート信号線駆動回路は、前
記複数のセンサ用ゲート信号線と、複数のリセット用ゲ
ート信号線に信号を出力し、前記複数の画素は、ＥＬ表
示部とセンサ部とを有し、前記ＥＬ表示部と前記センサ
部とは、同一基板上に形成され、前記ＥＬ表示部は、ス
イッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、ＥＬ素子
とを有し、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は、
前記複数のＥＬ表示用ゲート信号線のうちの一本に接続
され、前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイ
ン領域とは、一方は、前記複数のＥＬ表示用ソース信号
線のうちの一本と接続され、もう一方は、前記ＥＬ駆動
用ＴＦＴのゲート電極に接続され、前記ＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔのソース領域とドレイン領域とは、一方は、前記複数
の電源供給線のうちの一本に接続され、もう一方は、前
記ＥＬ素子に接続され、前記センサ部は、選択用ＴＦＴ
とバッファ用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴとフォトダイ
オードとを有し、前記選択用ＴＦＴのゲート電極は、前
記複数のセンサ用ゲート信号線のうちの１本に接続さ
れ、前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域と
は、一方は、前記複数のセンサ用出力配線のうちの１つ
に接続され、もう一方は、前記バッファ用ＴＦＴのソー
ス領域もしくはドレイン領域のどちらか一方に接続さ
れ、前記バッファ用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域
とで、前記選択用ＴＦＴと接続されていない側は、前記
複数のセンサ用電源線のうちの１つに接続され、前記バ
ッファ用ＴＦＴのゲート電極は、前記フォトダイオード
及び前記リセット用ＴＦＴのソース領域もしくはドレイ
ン領域に接続され、前記リセット用ＴＦＴのソース領域
もしくはドレイン領域で、前記バッファ用ＴＦＴと接続
されていない側は、前記複数のセンサ用電源線のうちの
１つに接続され、前記リセット用ＴＦＴのゲート電極
は、前記複数のリセット用ゲート信号線のうちの１つに
接続され、前記入力ペンは、光線を発し、前記光線が前
記フォトダイオードに入力されることにより情報入力を
行うことを特徴とする情報装置が提供される。

【００５０】前記光線は、レーザー光であることを特徴
とする情報装置であってもよい。

【００５１】前記光線は、紫外光または近紫外光である
ことを特徴とする情報装置であってもよい。

【００５２】前記ＥＬ表示用ソース信号線駆動回路とＥ
Ｌ表示用ゲート信号駆動回路とは、前記ＥＬ表示部及び
前記センサ部が形成された基板と同一基板上に形成され
ていることを特徴とする情報装置であってもよい。

【００５３】前記センサ用ソース信号線駆動回路とセン
サ用ゲート信号駆動回路とは、前記ＥＬ表示部及び前記
センサ部が形成された基板と同一基板上に形成されてい
ることを特徴とする情報装置であってもよい。

【００５４】前記ＥＬ表示用ソース信号線駆動回路と、
ＥＬ表示用ゲート信号駆動回路と、前記センサ用ソース
信号線駆動回路と、センサ用ゲート信号駆動回路とは、
前記ＥＬ表示部及び前記センサ部が形成された基板と同
一基板上に形成されていることを特徴とする情報装置で
あってもよい。

【００５５】前記フォトダイオードは、アノード電極
と、カソード電極と、前記アノード電極と前記カソード
電極との間に挟まれた光電変換層とを有することを特徴
とする情報装置であってもよい。

【００５６】前記光電変換層は、有機材料によって構成
されていることを特徴とする情報装置であってもよい。

【００５７】前記フォトダイオードは、ｐ型半導体層
と、ｎ型半導体層と、前記ｐ型半導体層と前記ｎ型半導
体層の間に挟まれた光電変換層とを有することを特徴と
する情報装置であってもよい。

【００５８】前記光電変換層は、非晶質半導体によって
構成されることを特徴とする情報装置であってもよい。

【００５９】前記ＥＬ素子が発した光は、被写体の表面
に照射され、前記被写体の表面に照射された光が、前記
被写体の表面によって反射され、前記被写体の表面によ
って反射された光が、前記光電変換素子に入力されるこ
とにより、前記被写体の表面の情報が、画像として入力
されることを特徴とする情報装置であってもよい。

【００６０】前記被写体の表面の情報は、生体情報であ
ることを特徴とする情報装置であってもよい。

【００６１】前記生体情報は、掌紋であることを特徴と
する情報装置であってもよい。

【００６２】前記生体情報は、指紋であることを特徴と
する情報装置であってもよい。

【００６３】前記情報装置は、携帯情報端末、ＰＤＡで
あってもよい。

【００６４】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
する。

【００６５】図１に本発明のペン入力機能を有する情報
装置の模式図を示す。

【００６６】本実施の形態では、ペン先が発光する入力
ペンによって、表示部兼入力部内部を示すことによって
情報を入力する手法について説明する。ここで、表示部
兼入力部において各画素は、ＥＬ素子を有するＥＬ表示
部と、光電変換素子を有するセンサ部とにより構成され
ている。これらのＥＬ表示部とセンサ部は、表示部兼入
力部の周囲に配置された、ＥＬ表示用ソース信号線駆動
回路、ＥＬ表示用ゲート信号線駆動回路、センサ用ソー
ス信号線駆動回路、センサ用ゲート信号線駆動回路から
の信号によって駆動される。

【００６７】ここで、表示部兼入力部が形成された基板
と同じ基板上に、各駆動回路（ＥＬ表示用ソース信号線
駆動回路、ＥＬ駆動用ゲート信号線駆動回路、センサ用
ソース信号線駆動回路、センサ用ゲート信号線駆動回
路）が形成されている。

【００６８】ＥＬ表示用ソース信号線駆動回路からの信
号は、ＥＬ表示用ソース信号線Ｓによって各画素のＥＬ
表示部に伝達され、ＥＬ表示用ゲート信号線駆動回路か
らの信号は、ＥＬ表示用ゲート信号線Ｇによって各画素
のＥＬ表示部に伝達される。

【００６９】センサ用ソース信号線駆動回路は、センサ
用出力配線ＳＳによって各画素のセンサ部の信号を読み
取り、センサ用ゲート信号線駆動回路は、センサ用ゲー
ト信号線ＳＧによって各画素のセンサ部に信号を伝達す
る。

【００７０】なお、図１において、各画素に配線される
ＥＬ素子用の電源線（電源供給線）や、センサ用の電源
線やリセット用信号線（リセット用ゲート信号線）等は
図示していない。

【００７１】表示部兼入力部において各画素は、ＥＬ表
示部において表示を行う。

【００７２】同時に、入力ペンのペン先が発光し光線が
発し、ペン先が指し示した付近のセンサ部（光入力領
域）に、光が入力される。こうして、入力ペンが指し示
した位置が認識される。

【００７３】次に、表示部兼入力部の具体的な回路構成
について説明する。

【００７４】図２は、表示部兼入力部の回路構成の例を
示した図である。

【００７５】表示部兼入力部２２０１は、ＥＬ表示用ソ
ース信号線Ｓ１〜Ｓｘと、ＥＬ表示用ゲート信号線Ｇ１
〜Ｇｙと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘと、センサ用出力配線
ＳＳ１〜ＳＳｘと、センサ用ゲート信号線ＳＧ１〜ＳＧ
ｙと、リセット用ゲート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙと、セン
サ用電源線ＶＢを有する。

【００７６】表示部兼入力部２２０１は、複数の画素２
２０２を有している。複数の画素２２０２はそれぞれ、
ＥＬ表示用ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘのうちの一本と、Ｅ
Ｌ表示用ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙのうちの一本と、電源
供給線Ｖ１〜Ｖｘのうちの一本と、センサ用出力配線Ｓ
Ｓ１〜ＳＳｘのうちの一本と、センサ用ゲート信号線Ｓ
Ｇ１〜ＳＧｙのうちの一本と、リセット用ゲート信号線
ＲＧ１〜ＲＧｙのうちの一本と、センサ用電源線ＶＢを
有する。

【００７７】センサ用出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘはそれぞ
れ、定電流源２２０３−１〜２２０３−ｘに接続されて
いる。

【００７８】図３に、図２の画素２２０２の詳しい構成
を示す。なお、ＥＬ表示用ソース信号線Ｓは、ＥＬ表示
用ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘのうちいずれか１つを示す。
ＥＬ表示用ゲート信号線Ｇは、ＥＬ駆動用ゲート信号線
Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つを示す。電源供給線Ｖは、電
源供給線Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１つを示す。センサ用出
力配線ＳＳは、センサ用出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘのうち
いずれか１つを示す。センサ用ゲート信号線ＳＧは、セ
ンサ用ゲート信号線ＳＧ１〜ＳＧｙのうちいずれか１つ
を示す。

【００７９】画素は、ＥＬ表示部３３１１とセンサ部３
３１２を有している。

【００８０】ＥＬ表示部３３１１は、ＥＬ素子３３０
１、スイッチング用ＴＦＴ３３０２、ＥＬ駆動用ＴＦＴ
３３０３、コンデンサ３３０４によって構成されてい
る。なお、コンデンサ３３０４は、必ずしも設ける必要
はない。

【００８１】スイッチング用ＴＦＴ３３０２のゲート電
極は、ＥＬ表示用ゲート信号線Ｇに接続され、ソース領
域とドレイン領域とは、一方はＥＬ表示用ソース信号線
Ｓに接続され、もう一方は、コンデンサ３３０４の一方
の電極及びＥＬ駆動用ＴＦＴ３３０３のゲート電極に接
続されている。コンデンサ３３０４のもう一方の電極
は、電源供給線Ｖに接続されている。ＥＬ駆動用ＴＦＴ
３３０３のソース領域とドレイン領域とは、一方は電源
供給線Ｖに接続され、もう一方はＥＬ素子３３０１に接
続されている。

【００８２】ＥＬ素子３３０１の陽極と陰極で、ＥＬ駆
動用ＴＦＴ３３０３のソース領域もしくはドレイン領域
と接続されている側が画素電極となり、ＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔ３３０３のソース領域もしくはドレイン領域と接続さ
れていない側が対向電極となる。

【００８３】センサ部３３１２は、フォトダイオード３
３０５、選択用ＴＦＴ３３０６、バッファ用ＴＦＴ３３
０７、リセット用ＴＦＴ３３０８によって構成されてい
る。

【００８４】フォトダイオード３３０５の構成として
は、本実施の形態では、アノード電極とカソード電極の
間に光電変換層を挟んだショットキー型のものを用い
る。

【００８５】フォトダイオードに入射した光は、光電変
換層に吸収されキャリアを形成する。この光によって形
成されたキャリアの量は、光電変換層に吸収された光の
量に依存する。

【００８６】ここでは光を電気信号に変換する光電変換
素子として、上記構成のフォトダイオードを用いたが、
これに限らず、ＰＩＮ型や、ＰＮ型のフォトダイオード
や、アバランシェダイオード等を用いることもできる。

【００８７】なお、ＰＩＮ型のフォトダイオードは、ｐ
型半導体層と、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層とｎ型半
導体層の間に挟まれたｉ型（真性）半導体層によって構
成される。ここで、ｉ型半導体層は、光電変換層とも呼
ばれる。

【００８８】またこれらのフォトダイオードが有する光
電変換層として、非晶質シリコン膜（アモルファスシリ
コン膜）等の非晶質半導体を用いることで、光電変換層
での光の吸収率を高くすることができる。

【００８９】また、光電変換素子として、有機物から構
成される光電変換層等を有するものを用いても良い。

【００９０】選択用ＴＦＴ３３０６のゲート電極は、セ
ンサ用ゲート信号線ＳＧに接続され、ソース領域とドレ
イン領域とは、一方はセンサ用出力配線ＳＳと接続さ
れ、もう一方は、バッファ用ＴＦＴ３３０７のソース領
域もしくはドレイン領域と接続されている。バッファ用
ＴＦＴ３３０７のソース領域とドレイン領域で、選択用
ＴＦＴ３３０６と接続されていない側は、センサ用電源
線ＶＢと接続されている。リセット用ＴＦＴ３３０８の
ゲート電極はリセット用ゲート信号線ＲＧに接続され、
ソース領域とドレイン領域とは、一方はセンサ用電源線
ＶＢと接続され、もう一方は、バッファ用ＴＦＴ３３０
７のゲート電極及びフォトダイオード３３０５に接続さ
れている。

【００９１】センサ用電源線ＶＢは、一定電位（基準電
位）に保たれている。センサ用出力配線ＳＳは、定電流
源に接続されている。

【００９２】なお、ＥＬ表示用ソース信号線駆動回路、
センサ用のソース信号線駆動回路、ＥＬ表示用ゲート信
号線駆動回路、センサ用ゲート信号線駆動回路は、公知
の構成の回路を用いればよい。

【００９３】上記構成の表示部兼画素部の動作方法につ
いて、図２及び図３の回路図と、図１７及び図１８のタ
イミングチャートを用いて説明する。

【００９４】まず、ＥＬ表示部の動作方法について、図
２及び図３と、図１７を用いて説明する。

【００９５】なお、ここでは、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘ
にアナログの信号を入力し、表示を行う方式（以下、ア
ナログ方式と呼ぶ）について説明する。

【００９６】ここで、スイッチング用ＴＦＴ３３０２及
びＥＬ駆動用ＴＦＴ３３０３は、ｎチャネル型ＴＦＴで
あるとするが、スイッチング用ＴＦＴ３３０２及びＥＬ
駆動用ＴＦＴ３３０３は、それぞれｎチャネル型ＴＦＴ
でもｐチャネル型ＴＦＴでもどちらでも良い。ただし、
ＥＬ素子３３０１の陽極が画素電極となる場合、ＥＬ駆
動用ＴＦＴ３３０３は、ｐチャネル型ＴＦＴであること
が望ましく、逆に、ＥＬ素子３３０１の陰極が画素電極
となる場合には、ＥＬ駆動用ＴＦＴ３３０３は、ｎチャ
ネル型ＴＦＴであることが望ましい。

【００９７】はじめ、ＥＬ表示用ゲート信号線Ｇ１に入
力された信号により、ＥＬ表示用ゲート信号線Ｇ１に接
続された全てのスイッチング用ＴＦＴ３３０２が、導通
状態になる。

【００９８】ある一本のＥＬ表示用ゲート信号線が選択
されている期間を、１ライン期間と呼び、特に、ＥＬ表
示用ゲート信号線Ｇ１が選択されている期間を第１のラ
イン期間Ｌ１と呼ぶ。このライン期間Ｌ１の間に、ＥＬ
表示用ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘに順にアナログ信号が入
力される。ＥＬ表示用ソース信号線に入力されたアナロ
グ信号電圧は、コンデンサ３３０４及びＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔ３３０３のゲート電極に印加される。ＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔ３３０３は、そのゲート電極に印加されたこのアナロ
グ信号電圧に対応するソース・ドレイン間電流を、電源
供給線ＶよりＥＬ素子３３０１に流す。この電流に応じ
た輝度でＥＬ素子３３０１は発光する。

【００９９】次に、ＥＬ表示用ゲート信号線Ｇ２が選択
され、ＥＬ表示用ゲート信号線Ｇ２に接続された全ての
スイッチング用ＴＦＴ３３０２が導通状態になる。こう
して、第２のライン期間Ｌ２が始まる。この後、ＥＬ表
示用ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘに順に信号電圧が入力され
る。この信号電圧が、ＥＬ駆動用ＴＦＴ３３０３のゲー
ト電極に印加され、そのゲート電極に印加されたこのア
ナログ信号電圧に対応するソース・ドレイン間電流を、
電源供給線ＶよりＥＬ素子３３０１に流す。この電流に
応じた輝度でＥＬ素子３３０１は発光する。

【０１００】上記動作を、すべてのＥＬ表示用ゲート信
号線Ｇ１〜Ｇｙについて繰り返し、１フレーム期間Ｆ１
が終了する。その後、第２のフレーム期間Ｆ２が始ま
る。この動作を繰り返すことによって、画像を表示す
る。

【０１０１】次に、センサ部の動作方法について、図２
及び図３、図１８を用いて説明する。

【０１０２】ここで、リセット用ＴＦＴ３３０８はｎチ
ャネル型ＴＦＴとし、バッファ用ＴＦＴ３３０７はｐチ
ャネル型ＴＦＴとし、選択用ＴＦＴ３３０６はｎチャネ
ル型ＴＦＴとしたが、リセット用ＴＦＴ３３０８、バッ
ファ用ＴＦＴ３３０７及び選択用ＴＦＴ３３０６はそれ
ぞれ、ｎチャネル型ＴＦＴでもｐチャネル型ＴＦＴでも
どちらでも良い。なお、リセット用ＴＦＴ３３０８とバ
ッファ用ＴＦＴ３３０７の極性は逆の方が望ましい。

【０１０３】始め、リセット用ゲート信号線ＲＧ１の信
号により、リセット用ゲート信号線ＲＧ１に接続された
全てのリセット用ＴＦＴ３３０８は、導通状態にある。
このとき、リセット用ゲート信号線は、選択されている
ということにする。なお、他のリセット用ゲート信号線
ＲＧ２〜ＲＧｙに接続されたすべてのりセット用ＴＦＴ
３３０８は、すべて非導通状態にある。このとき、セン
サ用電源線ＶＢの電位は、リセット用ＴＦＴ３３０８を
介して、バッファ用ＴＦＴ３３０７のゲート電極に印加
される。こうして、バッファ用ＴＦＴ３３０７のソース
領域は、センサ用電源線ＶＢの電位（基準電位）から、
バッファ用ＴＦＴ３３０７のソース領域とゲート領域の
電位差を差し引いた電位に保たれている。こうしてフォ
トダイオード３３０５の電極間には、逆バイアスの電圧
が印加される。

【０１０４】このとき、センサ用ゲート信号線ＳＧ１の
信号によって、センサ用ゲート信号線ＳＧ１に接続され
た全ての選択用ＴＦＴ３３０６は、非導通状態にある。
本明細書において、リセット用ゲート信号線が選択され
ている期間をリセット期間ＲＳと呼ぶことにする。

【０１０５】次に、リセット用ゲート信号線ＲＧ１の信
号が変化し、リセット用ゲート信号線ＲＧ１に接続され
た全てのリセット用ＴＦＴ３３０８が非導通状態にな
る。このときリセット用ゲート信号線は、非選択である
ということにする。すると、フォトダイオード３３０５
に光が照射されていると、フォトダイオード３３０５の
電極間に電流が流れ、リセット期間中に印加された電極
間の逆バイアス電圧が、低くなる。この後、センサ用ゲ
ート信号線ＳＧ１に入力される信号によって、センサ用
ゲート信号線ＳＧ１に接続された全ての選択用ＴＦＴ３
３０６が導通状態になる。

【０１０６】リセット用ゲート信号線が非選択の状態に
なり、同じラインの画素に対応する選択用ＴＦＴが選択
されるまでの期間をサンプリング期間ＳＴと呼ぶことに
する。特に、リセット用ゲート信号線ＲＧ１が非選択に
なり、選択用ゲート信号線ＳＧ１が選択されるまでの期
間を第１のサンプリング期間ＳＴ１と呼ぶことにする。

【０１０７】サンプリング期間ＳＴ１において、時間の
経過と共に、フォトダイオード３３０５の電極間の逆バ
イアス電圧が小さくなる。この逆バイアス電圧の低下す
る度合は、フォトダイオード３３０５の光電変換層に照
射された光の強度に依存する。ここで、フォトダイオー
ド３３０５のバッファ用ＴＦＴ３３０７のゲート電極と
接続されていない側の電極は、一定の電位に保たれてい
る。よって、フォトダイオード３３０５のバッファ用Ｔ
ＦＴ３３０７のゲート電極に接続されている側の電位が
低下する。

【０１０８】この電位の低下は、バッファ用ＴＦＴ３３
０７のゲート電極の電位を低下させる。

【０１０９】ここで、バッファ用ＴＦＴ３３０７のソー
ス領域は、それぞれ、選択用ＴＦＴ３３０６のドレイン
・ソース間を介して定電流源２２０３−１〜２２０３−
ｘに接続されているので、バッファ用ＴＦＴ３３０７
は、ソースフォロワとして働く。そのため、バッファ用
ＴＦＴ３３０７のゲート・ソース間電圧は、常に等しく
保たれる。そのため、フォトダイオード３３０５の電極
間の電位の変化によって、バッファ用ＴＦＴ３３０７の
ゲート電極の電位が変化すると、同じ分の電位だけ、バ
ッファ用ＴＦＴ３３０７のソース領域の電位も変化す
る。サンプリング期間ＳＴ１の後、センサ用ゲート信号
線ＳＧ１が選択され、このソース領域の電位の変化は、
センサ用出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘに出力される。

【０１１０】その後、センサ用ゲート信号線ＳＧ１は、
非選択の状態になる。

【０１１１】一方、リセット用ゲート信号線ＲＧ１が非
選択の状態になると、リセット用ゲート信号線ＲＧ２が
選択される。リセット用ゲート信号線ＲＧ２に接続され
た全てのリセット用ＴＦＴ３３０８が導通状態となり、
第２ライン目のリセット期間ＲＳが始まる。この後、リ
セット用ゲート信号線ＲＧ２が非選択の状態になり、第
２ライン目のサンプリング期間ＳＴ２が始まる。なお、
第１のサンプリング期間ＳＴ１と第２のサンプリング期
間ＳＴ２は、始まる時間は異なるが、長さは同じであ
る。

【０１１２】第２のサンプリング期間ＳＴ２でも同様
に、各画素のセンサ部において、入力された光の強度に
応じて、フォトダイオードの電極間の逆バイアス電圧が
低下する。第２のサンプリング期間ＳＴ２の後、センサ
用ゲート信号線ＳＧ２の信号によって、センサ用ゲート
信号線ＳＧ２に接続された全ての選択用ＴＦＴ３３０６
が導通状態となり、フォトダイオード３３０５の電極間
の電位の変化は、バッファ用ＴＦＴ３３０７のゲート電
極に入力され、バッファ用ＴＦＴ３３０７のソース領域
の電位の変化となって、センサ用出力配線ＳＳ１〜ＳＳ
ｘに出力される。

【０１１３】その後、センサ用ゲート信号線ＳＧ２が非
選択の状態となる。

【０１１４】上記動作を、全てのセンサ用ゲート信号線
ＳＧ１〜ＳＧｙについて繰り返し、表示部兼入力部２２
０１の画素全部のセンサ部３３１２に入力された信号の
情報を読み取る。

【０１１５】この様に、ＥＬ表示部は、画像の表示を行
う。また同時に、センサ部において、入力ペンのペン先
から発した光を検出し、入力ペンのペン先が指し示した
位置を特定することができる。

【０１１６】

【実施例】以下に本発明の実施例について記述する。

【０１１７】[実施例１]本実施例では、実施の形態にお
いて述べた構造の情報装置を実際に作製した場合につい
て説明する。

【０１１８】本実施例では、本発明の情報装置の断面図
について、図１５を用いて説明する。

【０１１９】６０１はスイッチング用ＴＦＴ、６０２は
ＥＬ駆動用ＴＦＴ、６０３はリセット用ＴＦＴ、６０４
はバッファ用ＴＦＴ、６０５は選択用ＴＦＴである。

【０１２０】また、６０６はアノード電極、６０７は光
電変換層、６０８はカソード電極である。アノード電極
６０６、光電変換層６０７、カソード電極６０８とによ
って、フォトダイオード６２１が形成される。６１４は
センサ用配線であり、カソード電極６０８と外部の電源
とを電気的に接続している。また、フォトダイオード６
２１のアノード電極６０６とリセット用ＴＦＴ６０３の
ドレイン領域とは電気的に接続されている。

【０１２１】ここで、フォトダイオード６２１のアノー
ド電極６０６は、透光性を有する材料で形成されてい
る。

【０１２２】また６０９は画素電極（陽極）、６１０は
ＥＬ層、６１１は対向電極（陰極）である。画素電極
（陽極）６０９と、ＥＬ層６１０と、対向電極（陰極）
６１１とでＥＬ素子６２２が形成される。なお６１２は
バンクであり、隣り合う画素同士のＥＬ層６１０を区切
っている。

【０１２３】ここで、ＥＬ素子６２２の画素電極６０９
は、透光性を有する材料で形成されている。

【０１２４】図１５に示した構成の情報装置において、
ＥＬ素子６２２は、基板６３０の方向に光を放射する。

【０１２５】６２４は入力ペンであり、入力ペン６２４
のペン先発光部６２３から発した光は、フォトダイオー
ド６２１に入射する。本実施例では、入力ペン６２４に
よる入力を基板６３０のＴＦＴが形成されていない側か
ら行う。なお、このペン入力を行う側は、ＥＬ素子６２
２の光の放射側にあたり、ＥＬ素子６２２によって表示
される画像を視認しながら情報の入力を行う。

【０１２６】なお、入力ペン６２４のペン先発光部６２
３から発する光は、指向性が高いものが好ましい。その
ため、ペン先発光部６２３からレーザー光を発するよう
な入力ペン６２４を用いるのが好ましい。

【０１２７】また、入力ペン６２４のペン先発光部６２
３から発する光として、波長の短い光、つまりエネルギ
ーの高い光を用いるのが好ましい。例えば、紫外や近紫
外の光を用いるのが好ましい。なお、本明細書中で、近
紫外の光とは、紫色及び青色の可視光も含むものとす
る。よって、紫外発光ダイオードや近紫外発光ダイオー
ド等を有し、ペン先発光部６２３からそれらの発光ダイ
オードの光が照射される構造の入力ペン６２４を用いる
のが好ましい。

【０１２８】この様なエネルギーの高い光を用いること
で、入力ペン６２４によってフォトダイオード等の光電
変換素子に入力され電気信号に変換された信号を、外光
等のノイズの信号と比較して大きくすることができる。
そのため、より信頼性の高いペン入力操作を行うことが
できる。

【０１２９】本実施例において、スイッチング用ＴＦＴ
６０１、リセット用ＴＦＴ６０３、選択用ＴＦＴ６０５
は全てｎチャネル型ＴＦＴである。またＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔ６０２、バッファ用ＴＦＴ６０４はｐチャネル型ＴＦ
Ｔである。なお、本発明はこの構成に限定されない。よ
ってスイッチング用ＴＦＴ６０１、ＥＬ駆動用ＴＦＴ６
０２、バッファ用ＴＦＴ６０４、選択用ＴＦＴ６０５、
リセット用ＴＦＴ６０３は、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチ
ャネル型ＴＦＴのどちらでも良い。

【０１３０】ただし本実施例のように、ＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔ６０２のソース領域またはドレイン領域がＥＬ素子６
２２の陽極６０９と電気的に接続されている場合、ＥＬ
駆動用ＴＦＴ６０２はｐチャネル型ＴＦＴであることが
望ましい。また逆に、ＥＬ駆動用ＴＦＴ６０２のソース
領域またはドレイン領域がＥＬ素子６２２の陰極と電気
的に接続されている場合、ＥＬ駆動用ＴＦＴ６０２はｎ
チャネル型ＴＦＴであることが望ましい。

【０１３１】また、本実施例のように、フォトダイオー
ド６２１のアノード電極６０６がリセット用ＴＦＴ６０
３と電気的に接続されている場合、リセット用ＴＦＴ６
０３はｎチャネル型ＴＦＴ、バッファ用ＴＦＴ６０４は
ｐチャネル型ＴＦＴであることが望ましい。逆にフォト
ダイオード６２１のカソード電極がリセット用ＴＦＴ６
０３と接続され、センサ用配線６１６がアノード電極と
接続されている場合、リセット用ＴＦＴ３０３はｐチャ
ネル型ＴＦＴ、バッファ用ＴＦＴ３０４はｎチャネル型
ＴＦＴであることが望ましい。

【０１３２】[実施例２]本実施例では、実施例１におい
て述べた構造の情報装置において、ＥＬ素子の発光の方
向が異なる例について図１６を用いて説明する。

【０１３３】図１６に本実施例の情報装置の断面図を示
す。７０１はスイッチング用ＴＦＴ、７０２はＥＬ駆動
用ＴＦＴ、７０３はリセット用ＴＦＴ、７０４はバッフ
ァ用ＴＦＴ、７０５は選択用ＴＦＴである。

【０１３４】また、７０６はカソード電極、７０７は光
電変換層、７０８はアノード電極である。カソード電極
７０６、光電変換層７０７、アノード電極７０８とによ
って、フォトダイオード７２１が形成される。７１４は
センサ用配線であり電気的に、アノード電極７０８と外
部の電源とを接続している。また、フォトダイオード７
２１のカソード電極７０６とリセット用ＴＦＴ７０３の
ドレイン領域とは電気的に接続されている。

【０１３５】ここで、フォトダイオード７２１のアノー
ド電極７０８は、透光性を有する材料で形成されてい
る。

【０１３６】また７０９は画素電極（陰極）、７１０は
ＥＬ層、７１２は対向電極（陽極）である。画素電極
（陰極）７０９と、ＥＬ層７１０と、対向電極（陽極）
７１２とでＥＬ素子７２２が形成される。なお７１３は
バンクであり、隣り合う画素同士のＥＬ層７１０を区切
っている。

【０１３７】ここで、ＥＬ素子７２２の対向電極７１２
は、透光性を有する材料で形成されている。

【０１３８】図１６に示した構成の情報装置において、
ＥＬ素子７２２は、基板７３０とは逆の方向に光を放射
する。

【０１３９】７２４は入力ペンであり、入力ペン７２４
のペン先発光部７２３から発した光は、フォトダイオー
ド７２１に入射する。本実施例では、入力ペン７２４に
よる情報の入力を、基板７３０のＴＦＴが形成されてい
る側から行う。なお、このペン入力を行う側は、ＥＬ素
子７２２の光の放射側にあたり、ＥＬ素子７２２によっ
て表示される画像を視認しながら情報の入力を行う。

【０１４０】なお、入力ペン７２４のペン先発光部７２
３から発する光は、指向性が高いものが好ましい。その
ため、ペン先発光部７２３からレーザー光を発するよう
な入力ペン７２４を用いるのが好ましい。

【０１４１】また、入力ペン６２４のペン先発光部６２
３から発する光として、波長の短い光、つまりエネルギ
ーの高い光を用いるのが好ましい。例えば、紫外や近紫
外の光を用いるのが好ましい。なお、本明細書中で、近
紫外の光とは、紫色及び青色の可視光も含むものとす
る。よって、紫外発光ダイオードや近紫外発光ダイオー
ド等を有し、ペン先発光部６２３からそれらの発光ダイ
オードの光が照射される構造の入力ペン６２４を用いる
のが好ましい。

【０１４２】この様なエネルギーの高い光を用いること
で、入力ペン６２４によってフォトダイオード等の光電
変換素子に入力され電気信号に変換された信号を、外光
等のノイズの信号と比較して大きくすることができる。
そのため、より信頼性の高いペン入力操作を行うことが
できる。

【０１４３】本実施例において、スイッチング用ＴＦＴ
７０１、ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０２、バッファ用ＴＦＴ７
０４、選択用ＴＦＴ７０５は全てｎチャネル型ＴＦＴで
ある。またリセット用ＴＦＴ７０３はｐチャネル型ＴＦ
Ｔである。なお本発明はこの構成に限定されない。よっ
てスイッチング用ＴＦＴ７０１、ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０
２、バッファ用ＴＦＴ７０４、選択用ＴＦＴ７０５、リ
セット用ＴＦＴ７０３は、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャ
ネル型ＴＦＴのどちらでも良い。

【０１４４】ただし本実施例のように、ＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔ７０２のソース領域またはドレイン領域がＥＬ素子７
２２の陰極７０９と電気的に接続されている場合、ＥＬ
駆動用ＴＦＴ７０２はｎチャネル型ＴＦＴであることが
望ましい。また逆に、ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０２のソース
領域またはドレイン領域がＥＬ素子７２２の陽極７１２
と電気的に接続されている場合、ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０
２はｐチャネル型ＴＦＴであることが望ましい。

【０１４５】また、本実施例のように、フォトダイオー
ド７２１のカソード電極７０６がリセット用ＴＦＴ７０
３と電気的に接続されている場合、リセット用ＴＦＴ７
０３はｐチャネル型ＴＦＴ、バッファ用ＴＦＴ７０４は
ｎチャネル型ＴＦＴであることが望ましい。逆にフォト
ダイオード７２１のアノード電極がリセット用ＴＦＴ７
０３と接続され、センサ用配線７１４がカソード電極と
接続されている場合、リセット用ＴＦＴ７０３はｎチャ
ネル型ＴＦＴ、バッファ用ＴＦＴ７０４はｐチャネル型
ＴＦＴであることが望ましい。

【０１４６】[実施例３]本実施例では、実施の形態で示
したのとは異なる、表示部兼入力部の動作方法について
説明する。なお、画素部兼入力部の構成は、実施の形態
で示したものと同じであり図２及び図３を参照し説明は
省略する。また、本実施例のセンサ部の動作方法も実施
の形態で示したものと同じであり、図１８を参照する。
本実施例のＥＬ表示部の動作方法を示すタイミングチャ
ートを図５に示す。

【０１４７】まず、１フレーム期間（Ｆ）をＮ個のサブ
フレーム期間（ＳＦ１〜ＳＦＮ）に分割する。階調数が
多くなるにつれて１フレーム期間におけるサブフレーム
期間の数も増える。なおエリアセンサのセンサ部が画像
を表示する場合、１フレーム期間（Ｆ）とは、表示部兼
入力部の全ての画素のＥＬ表示部が１つの画像を表示す
る期間を指す。

【０１４８】本実施例の場合、フレーム期間は１秒間に
６０以上設けることが好ましい。１秒間に表示される画
像の数を６０以上にすることで、視覚的にフリッカ等の
画像のちらつきを抑えることが可能になる。

【０１４９】サブフレーム期間はアドレス期間（Ｔａ）
とサステイン期間（Ｔｓ）とに分けられる。アドレス期
間とは、１サブフレーム期間中、全ての画素にデジタル
ビデオ信号を入力する期間である。なおデジタルビデオ
信号とは、画像情報を有するデジタルの信号である。サ
ステイン期間（点灯期間とも呼ぶ）とは、アドレス期間
において画素に入力されたデジタルビデオ信号によっ
て、ＥＬ素子を発光又は非発光の状態にし、表示を行う
期間を示している。なおデジタルビデオ信号とは、画像
情報を有するデジタルの信号を意味する。

【０１５０】ＳＦ１〜ＳＦＮが有するアドレス期間（Ｔ
ａ）をそれぞれＴａ１〜ＴａＮとする。ＳＦ１〜ＳＦＮ
が有するサステイン期間（Ｔｓ）をそれぞれＴｓ１〜Ｔ
ｓＮとする。

【０１５１】電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）の電位は所定の
電位（電源電位）に保たれている。

【０１５２】まずアドレス期間Ｔａにおいて、ＥＬ素子
３３０１対向電極の電位は、電源電位と同じ高さに保た
れている。

【０１５３】次にＥＬ表示用ゲート信号線Ｇ１に入力さ
れる信号によって、ＥＬ表示用ゲート信号線Ｇ１に接続
されている全てのスイッチング用ＴＦＴ３３０２が導通
状態になる。次に、ＥＬ表示用ソース信号線（Ｓ１〜Ｓ
ｘ）にデジタルビデオ信号が入力される。デジタルビデ
オ信号は「０」または「１」の情報を有しており、
「０」と「１」のデジタルビデオ信号は、一方がＨｉ、
一方がＬｏの電圧を有する信号である。

【０１５４】そしてＥＬ表示用ソース信号線（Ｓ１〜Ｓ
ｘ）に入力されたデジタルビデオ信号は、導通状態のス
イッチング用ＴＦＴ３３０２を介して、ＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔ３３０３のゲート電極に入力される。

【０１５５】次にＥＬ表示用ゲート信号線Ｇ１に接続さ
れている全てのスイッチング用ＴＦＴ３３０２が非導通
状態になり、ＥＬ表示用ゲート信号線Ｇ２に入力される
ゲート信号によって、ＥＬ表示用ゲート信号線Ｇ２に接
続されている全てのスイッチング用ＴＦＴ３３０２が導
通状態になる。次に、ＥＬ表示用ソース信号線（Ｓ１〜
Ｓｘ）にデジタルビデオ信号が入力される。ＥＬ表示用
ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）に入力されたデジタルビデ
オ信号は、導通状態のスイッチング用ＴＦＴ３３０２を
介して、ＥＬ駆動用ＴＦＴ３３０３のゲート電極に入力
される。

【０１５６】上述した動作をＥＬ表示用ゲート信号線Ｇ
ｙまで繰り返し、全ての画素のＥＬ駆動用ＴＦＴ３３０
３のゲート電極にデジタルビデオ信号が入力され、アド
レス期間が終了する。

【０１５７】アドレス期間Ｔａが終了すると同時にサス
テイン期間Ｔｓとなる。サステイン期間において、全て
のスイッチング用ＴＦＴ３３０２はオフの状態になる。
サステイン期間において、全てのＥＬ素子３３０１の対
向電極の電位は、電源電位が画素電極に与えられたとき
にＥＬ素子３３０１が発光する程度に、電源電位との間
に電位差を有する高さになる。

【０１５８】本実施例では、デジタルビデオ信号が
「０」の情報を有していた場合、ＥＬ駆動用ＴＦＴ３３
０３は非導通状態になる。よってＥＬ素子３３０１の画
素電極は対向電極の電位に保たれたままである。その結
果、「０」の情報を有するデジタルビデオ信号が入力さ
れた画素において、ＥＬ素子３３０１は発光しない。

【０１５９】逆にデジタルビデオ信号が「１」の情報を
有していた場合、ＥＬ駆動用ＴＦＴ３３０３は導通状態
になる。よって電源電位がＥＬ素子３３０１の画素電極
に与えられる。その結果、「１」の情報を有するデジタ
ルビデオ信号が入力された画素が有するＥＬ素子３３０
１は発光する。

【０１６０】このように、画素に入力されるデジタルビ
デオ信号の有する情報によって、ＥＬ素子が発光または
非発光の状態になり、画素は表示を行う。

【０１６１】サステイン期間が終了すると同時に、１つ
のサブフレーム期間が終了する。そして次のサブフレー
ム期間が出現し、再びアドレス期間に入り、全画素にデ
ジタルビデオ信号を入力したら、再びサステイン期間に
入る。なお、サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦＮの出現す
る順序は任意である。

【０１６２】以下、残りのサブフレーム期間においても
同様の動作を繰り返し、表示を行う。Ｎ個のサブフレー
ム期間が全て終了したら、１つの画像が表示され、１フ
レーム期間が終了する。１フレーム期間が終了すると次
のフレーム期間のサブフレーム期間が出現し、上述した
動作を繰り返す。

【０１６３】本発明において、Ｎ個のサブフレーム期間
がそれぞれ有するアドレス期間（Ｔａ１〜ＴａＮ）の長
さは全て同じである。またＮ個のサステイン期間Ｔｓ
１、…、ＴｓＮの長さの比は、Ｔｓ１：Ｔｓ２：Ｔｓ
３：…：Ｔｓ（Ｎ−１）：ＴｓＮ＝２⁰：２^-1：２^-2：
…：２^-(N-2)：２^-(N-1)で表される。

【０１６４】各画素の階調は、１フレーム期間において
どのサブフレーム期間を発光させるかによって決まる。
例えば、Ｎ＝８のとき、全部のサステイン期間で発光し
た場合の画素の輝度を１００％とすると、Ｔｓ１とＴｓ
２において画素が発光した場合には７５％の輝度が表現
でき、Ｔｓ３とＴｓ５とＴｓ８を選択した場合には１６
％の輝度が表現できる。

【０１６５】上記のように画素のＥＬ素子を発光させ
て、画像表示を行う手法をデジタル方式とよぶことにす
る。

【０１６６】次に、センサ部の動作方法について、図２
及び図３、図１８を用いて説明する。

【０１６７】ここで、リセット用ＴＦＴ３３０８はｎチ
ャネル型ＴＦＴとし、バッファ用ＴＦＴ３３０７はｐチ
ャネル型ＴＦＴとし、選択用ＴＦＴ３３０６はｎチャネ
ル型ＴＦＴとしたが、リセット用ＴＦＴ３３０８、バッ
ファ用ＴＦＴ３３０７及び選択用ＴＦＴ３３０６はそれ
ぞれ、ｎチャネル型ＴＦＴでもｐチャネル型ＴＦＴでも
どちらでも良い。なお、リセット用ＴＦＴ３３０８とバ
ッファ用ＴＦＴ３３０７の極性は逆の方が望ましい。

【０１６８】始め、リセット用ゲート信号線ＲＧ１の信
号により、リセット用ゲート信号線ＲＧ１に接続された
全てのリセット用ＴＦＴ３３０８は、導通状態にある。
このとき、リセット用ゲート信号線は、選択されている
ということにする。なお、他のリセット用ゲート信号線
ＲＧ２〜ＲＧｙに接続されたすべてのりセット用ＴＦＴ
３３０８は、すべて非導通状態にある。このとき、セン
サ用電源線ＶＢの電位は、リセット用ＴＦＴ３３０８を
介して、バッファ用ＴＦＴ３３０７のゲート電極に印加
される。こうして、バッファ用ＴＦＴ３３０７のソース
領域は、センサ用電源線ＶＢの電位（基準電位）から、
バッファ用ＴＦＴ３３０７のソース領域とゲート領域の
電位差を差し引いた電位に保たれている。こうしてフォ
トダイオード３３０５の電極間には、逆バイアスの電圧
が印加される。

【０１６９】このとき、センサ用ゲート信号線ＳＧ１の
信号によって、センサ用ゲート信号線ＳＧ１に接続され
た全ての選択用ＴＦＴ３３０６は、非導通状態にある。
本明細書において、リセット用ゲート信号線が選択され
ている期間をリセット期間ＲＳと呼ぶことにする。

【０１７０】次に、リセット用ゲート信号線ＲＧ１の信
号が変化し、リセット用ゲート信号線ＲＧ１に接続され
た全てのリセット用ＴＦＴ３３０８が非導通状態にな
る。このときリセット用ゲート信号線は、非選択である
ということにする。すると、フォトダイオード３３０５
に光が照射されていると、フォトダイオード３３０５の
電極間に電流が流れ、リセット期間中に印加された電極
間の逆バイアス電圧が、低くなる。この後、センサ用ゲ
ート信号線ＳＧ１に入力される信号によって、センサ用
ゲート信号線ＳＧ１に接続された全ての選択用ＴＦＴ３
３０６が導通状態になる。

【０１７１】リセット用ゲート信号線が非選択の状態に
なり、同じラインの画素に対応する選択用ＴＦＴが選択
されるまでの期間をサンプリング期間ＳＴと呼ぶことに
する。特に、リセット用ゲート信号線ＲＧ１が非選択に
なり、選択用ゲート信号線ＳＧ１が選択されるまでの期
間を第１のサンプリング期間ＳＴ１と呼ぶことにする。

【０１７２】サンプリング期間ＳＴ１において、時間の
経過と共に、フォトダイオード３３０５の電極間の逆バ
イアス電圧が小さくなる。この逆バイアス電圧の低下す
る度合は、フォトダイオード３３０５の光電変換層に照
射された光の強度に依存する。ここで、フォトダイオー
ド３３０５のバッファ用ＴＦＴ３３０７のゲート電極と
接続されていない側の電極は、一定の電位に保たれてい
る。よって、フォトダイオード３３０５のバッファ用Ｔ
ＦＴ３３０７のゲート電極に接続されている側の電位が
低下する。

【０１７３】この電位の低下は、バッファ用ＴＦＴ３３
０７のゲート電極の電位を低下させる。

【０１７４】ここで、バッファ用ＴＦＴ３３０７のソー
ス領域は、それぞれ、選択用ＴＦＴ３３０６のドレイン
・ソース間を介して定電流源２２０３−１〜２２０３−
ｘに接続されているので、バッファ用ＴＦＴ３３０７
は、ソースフォロワとして働く。そのため、バッファ用
ＴＦＴ３３０７のゲート・ソース間電圧は、常に等しく
保たれる。そのため、フォトダイオード３３０５の電極
間の電位の変化によって、バッファ用ＴＦＴ３３０７の
ゲート電極の電位が変化すると、同じ分の電位だけ、バ
ッファ用ＴＦＴ３３０７のソース領域の電位も変化す
る。サンプリング期間ＳＴ１の後、センサ用ゲート信号
線ＳＧ１が選択され、このソース領域の電位の変化は、
センサ用出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘに出力される。

【０１７５】その後、センサ用ゲート信号線ＳＧ１は、
非選択の状態になる。

【０１７６】一方、リセット用ゲート信号線ＲＧ１が非
選択の状態になると、リセット用ゲート信号線ＲＧ２が
選択される。リセット用ゲート信号線ＲＧ２に接続され
た全てのリセット用ＴＦＴ３３０８が導通状態となり、
第２ライン目のリセット期間ＲＳが始まる。この後、リ
セット用ゲート信号線ＲＧ２が非選択の状態になり、第
２ライン目のサンプリング期間ＳＴ２が始まる。なお、
第１のサンプリング期間ＳＴ１と第２のサンプリング期
間ＳＴ２は、始まる時間は異なるが、長さは同じであ
る。

【０１７７】第２のサンプリング期間ＳＴ２でも同様
に、各画素のセンサ部において、入力された光の強度に
応じて、フォトダイオードの電極間の逆バイアス電圧が
低下する。第２のサンプリング期間ＳＴ２の後、センサ
用ゲート信号線ＳＧ２の信号によって、センサ用ゲート
信号線ＳＧ２に接続された全ての選択用ＴＦＴ３３０６
が導通状態となり、フォトダイオード３３０５の電極間
の電位の変化は、バッファ用ＴＦＴ３３０７のゲート電
極に入力され、バッファ用ＴＦＴ３３０７のソース領域
の電位の変化となって、センサ用出力配線ＳＳ１〜ＳＳ
ｘに出力される。

【０１７８】その後、センサ用ゲート信号線ＳＧ２が非
選択の状態となる。

【０１７９】上記動作を、全てのセンサ用ゲート信号線
ＳＧ１〜ＳＧｙについて繰り返し、表示部兼入力部２２
０１の画素全部のセンサ部３３１２に入力された信号の
情報を読み取る。

【０１８０】こうして、入力ペンのペン先の位置を特定
することができる。

【０１８１】なお本実施例は、実施例１〜実施例２と自
由に組み合わせることが可能である。

【０１８２】[実施例４]本発明の情報装置において、入
力ペンによって情報の入力を行うだけではなく、イメー
ジセンサとしても用いることができる。

【０１８３】図２０は、本発明の情報装置をイメージセ
ンサとして用いた場合の模式図である。

【０１８４】情報装置の表示部兼入力部の回路構成は、
実施の形態と同様であるので、説明はここでは省略す
る。また、図２０の模式図において、図１５と同様の部
分は、同じ符号を用いて示し説明は省略する。

【０１８５】また、表示部兼入力部を駆動する方法は、
実施の形態や、実施例３で示した手法と同様の手法を用
いることができるので、説明は、ここでは省略する。

【０１８６】本発明の情報装置の表示部兼入力部の、ペ
ン入力を行う側に、読みとりたい物体（読みとり対象物
体：６２５）を近づける。ここで、実施の形態や、実施
例３等で示したのと同様の手法で、各画素のＥＬ素子６
２２を発光させる。このＥＬ素子６２２の発光を用い
て、読みとり対象物体６２５に光を照射する。つまり、
各画素のＥＬ素子６２２は、読みとり対象物体６２５の
情報を読みとるための照明装置として用いられる。

【０１８７】そのため、本発明の情報装置をイメージセ
ンサとして用いる際は、各画素のＥＬ素子の発光輝度
は、全て同じにするのが望ましい。

【０１８８】つまり、実施の形態において示したよう
な、アナログ方式によって各画素のＥＬ素子を駆動する
場合は、全ての画素に、ＥＬ用ソース信号線より入力さ
れるアナログの信号を、等しくする。

【０１８９】一方、実施例３に示したような、デジタル
方式によって、各画素のＥＬ素子を駆動させる場合は、
全ての画素が、１フレーム期間内に同じ長さの時間だけ
発光するようにする。なお、できる限り連続的に光を照
射するために、全ての画素のＥＬ素子が、１フレーム期
間内の全てのサスティン期間において発光するように設
定するのが望ましい。

【０１９０】こうして、読みとり対象物体６２５に照射
された光は、読みとり対象物体６２５表面で反射され、
各画素のセンサ部のフォトダイオード６２１に入力され
る。この入力された光が電気信号に変換され、センサ用
駆動回路（センサ用ソース信号線駆動回路、センサ用ゲ
ート信号線駆動回路）によって読み出され、読みとり対
象物体６２５の表面の情報が、画像として得られる。

【０１９１】ここで、本実施例では、実施例１に示した
構成の情報装置を用いて説明を行ったが、実施例２にお
いて図１６で示した構成の情報装置を用い、表示部兼画
素部の形成された基板の、ＴＦＴが形成された側から、
読み取り対象物体を近づけて、読み取り対象物体表面の
情報を読み取ることもできる。

【０１９２】なお、本実施例は、実施例１〜実施例３と
自由に組み合わせて実施することが可能である。

【０１９３】[実施例５]本発明の情報装置の表示部兼入
力部の作製方法について、図１０〜図１４を用いて説明
する。

【０１９４】まず、図１０（Ａ）において、本実施例で
はコーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラス
などに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはア
ルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる基板２０
０を用いる。なお、基板２００としては、透光性を有す
る基板であれば限定されず、石英基板を用いてもよく、
また、ガラス基板、セラミック基板等を用いてもよい。
また、本実施例の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプ
ラスチック基板を用いてもよい。

【０１９５】また基板２００としては、ステンレス基板
を用いてもよい。しかし、ステンレス基板は、透明では
ないため、ＥＬ素子が発する光が基板２００とは反対側
に放射される場合のみ有効である。

【０１９６】次に基板２００を覆うように、基板２００
上に酸化珪素からなる絶縁膜を形成する。絶縁膜は、酸
化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜を用いるこ
とができる。例えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ₄、Ｎ
Ｈ₃、Ｎ₂Ｏから作製される酸化窒化珪素膜を２５０〜８
００ｎｍ（好ましくは３００〜５００ｎｍ）、同様にＳ
ｉＨ₄、Ｎ₂Ｏから作製される酸化窒化水素化珪素膜を２
５０〜８００ｎｍ（好ましくは３００〜５００ｎｍ）の
厚さに積層して形成しても良い。ここでは酸化珪素から
なる絶縁膜を単層構造とし、０．５〜１．５μmの厚さ
に形成した。なお絶縁膜の材料は酸化珪素に限定されな
い。

【０１９７】次にＣＭＰ法で該絶縁膜を研磨することで
平坦化絶縁膜２０１が形成される。ＣＭＰ法は公知の方
法で行うことが可能である。酸化膜の研磨では、一般的
に１００〜１０００ｎｍφの研磨剤を、ＰＨ調整剤等の
試薬を含む水溶液に分散させた固液分散系のスラリーが
用いられる。本実施例では、水酸化カリウムが添加され
た水溶液に、塩化珪素ガスを熱分解して得られるフュー
ムドシリカ粒子を２０ｗｔ％分散したシリカスラリー
（ＰＨ＝１０〜１１）を用いる。

【０１９８】平坦化絶縁膜２０１形成後、平坦化絶縁膜
２０１上に半導体層２０２〜２０６を形成する。半導体
層２０２〜２０６は、非晶質構造を有する半導体膜を公
知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマ
ＣＶＤ法等）により成膜した後、公知の結晶化処理（レ
ーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの触
媒を用いた熱結晶化法等）を行って得られた結晶質半導
体膜を所望の形状にパターニングして形成する。この半
導体層２０２〜２０６の厚さは２５〜８０ｎｍ（好まし
くは３０〜６０ｎｍ）の厚さで形成する。結晶質半導体
膜の材料に限定はないが、好ましくは珪素またはシリコ
ンゲルマニウム（Ｓｉ_XＧｅ_1-X（Ｘ＝０．０００１〜
０．０２））合金などで形成すると良い。本実施例で
は、プラズマＣＶＤ法を用い、５５ｎｍの非晶質珪素膜
を成膜した後、ニッケルを含む溶液を非晶質珪素膜上に
保持させた。この非晶質珪素膜に脱水素化（５００℃、
１時間）を行った後、熱結晶化（５５０℃、４時間）を
行い、さらに結晶化を改善するためのレーザーアニ―ル
処理を行って結晶質珪素膜を形成した。そして、この結
晶質珪素膜をフォトリソグラフィ法を用いたパターニン
グ処理によって、半導体層２０２〜２０６を形成した。

【０１９９】また、半導体層２０２〜２０６を形成した
後、ＴＦＴのしきい値を制御するために微量な不純物元
素（ボロンまたはリン）のドーピングを行ってもよい。

【０２００】また、レーザー結晶化法で結晶質半導体膜
を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型の
エキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ₄レーザー
を用いることができる。これらのレーザーを用いる場合
には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学
系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良
い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものである
が、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数
３００Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を１００〜４
００mJ/cm²(代表的には２００〜３００mJ/cm²)とする。
また、ＹＡＧレーザーを用いる場合にはその第２高調波
を用いパルス発振周波数３０〜３００ｋＨｚとし、レー
ザーエネルギー密度を３００〜６００mJ/cm²(代表的に
は３５０〜５００mJ/cm²)とすると良い。そして幅１０
０〜１０００μｍ、例えば４００μｍで線状に集光した
レーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レ
ーザー光の重ね合わせ率（オーバーラップ率）を５０〜
９８％として行えばよい。

【０２０１】次いで、半導体層２０２〜２０６を覆うゲ
ート絶縁膜２０９を形成する。ゲート絶縁膜２０９はプ
ラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜
１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施
例では、プラズマＣＶＤ法により１１０ｎｍの厚さで酸
化窒化珪素膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝
７％、Ｈ＝２％）で形成した。勿論、ゲート絶縁膜は酸
化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む
絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。

【０２０２】また、酸化珪素膜を用いる場合には、プラ
ズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicate）
とＯ₂とを混合し、反応圧力４０Ｐa、基板温度３００〜
４００℃とし、高周波（１３．５６MHz）電力密度０．
５〜０．８W/cm²で放電させて形成することができる。
このようにして作製される酸化珪素膜は、その後４００
〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好
な特性を得ることができる。

【０２０３】次いで、図１０（Ａ）に示すように、ゲー
ト絶縁膜２０９上に膜厚２０〜１００ｎｍの第１の導電
膜２１０ａと、膜厚１００〜４００ｎｍの第２の導電膜
２１０ｂとを積層形成する。本実施例では、膜厚３０ｎ
ｍのＴａＮ膜からなる第１の導電膜２１０ａと、膜厚３
７０ｎｍのＷ膜からなる第２の導電膜２１０ｂを積層形
成した。ＴａＮ膜はスパッタ法で形成し、Ｔａのターゲ
ットを用い、窒素を含む雰囲気内でスパッタした。ま
た、Ｗ膜は、Ｗのターゲットを用いたスパッタ法で形成
した。その他に６フッ化タングステン（ＷＦ₆）を用い
る熱ＣＶＤ法で形成することもできる。いずれにしても
ゲート電極として使用するためには低抵抗化を図る必要
があり、Ｗ膜の抵抗率は２０μΩｃｍ以下にすることが
望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化
を図ることができるが、Ｗ膜中に酸素などの不純物元素
が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化する。従っ
て、本実施例では、高純度のＷ（純度９９．９９９９
％）のターゲットを用いたスパッタ法で、さらに成膜時
に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮して
Ｗ膜を形成することにより、抵抗率９〜２０μΩｃｍを
実現することができた。

【０２０４】なお、本実施例では、第１の導電膜２１０
ａをＴａＮ、第２の導電膜２１０ｂをＷとしたが、特に
限定されず、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃ
ｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた元素、または前記元素を主
成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよ
い。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶
珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、Ａ
ｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。また、第１の導電膜を
タンタル（Ｔａ）膜で形成し、第２の導電膜をＷ膜とす
る組み合わせ、第１の導電膜を窒化チタン（ＴｉＮ）膜
で形成し、第２の導電膜をＷ膜とする組み合わせ、第１
の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）膜で形成し、第２の
導電膜をＡｌ膜とする組み合わせ、第１の導電膜を窒化
タンタル（ＴａＮ）膜で形成し、第２の導電膜をＣｕ膜
とする組み合わせとしてもよい。

【０２０５】次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジ
ストからなるマスク２１１を形成し、電極及び配線を形
成するための第１のエッチング処理を行う（図１０
（Ｂ））。第１のエッチング処理では第１及び第２のエ
ッチング条件で行う。本実施例では第１のエッチング条
件として、ＩＣＰ（Inductively Coupled Ｐlasma：誘
導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング用
ガスにＣＦ₄とＣｌ₂とＯ₂とを用い、それぞれのガス流
量比を２５／２５／１０（ｓｃｃｍ）とし、１Ｐaの圧
力でコイル型の電極に５００WのＲＦ（13.56MHz）電力
を投入してプラズマを生成してエッチングを行った。こ
こでは、松下電器産業（株）製のＩＣＰを用いたドライ
エッチング装置（Model Ｅ６４５−□ＩＣＰ）を用い
た。基板側（試料ステージ）にも１５０WのＲＦ（13.56
MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を
印加する。この第１のエッチング条件によりＷ膜をエッ
チングして第１の導電層の端部をテーパー形状とする。
第１のエッチング条件でのＷに対するエッチング速度は
２００．３９ｎｍ／ｍｉｎ、ＴａＮに対するエッチング
速度は８０．３２ｎｍ／ｍｉｎであり、ＴａＮに対する
Ｗの選択比は約２．５である。また、この第１のエッチ
ング条件によって、Ｗのテーパー角は、約２６°とな
る。

【０２０６】上記第１のエッチング処理では、レジスト
からなるマスク２１１の形状を適したものとすることに
より、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第１
の導電層及び第２の導電層の端部がテーパー形状とな
る。このテーパー部の角度は１５〜４５°とすればよ
い。こうして、第１のエッチング処理により第１の導電
層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層２１２〜
２１６（第１の導電層２１２ａ〜２１６ａと第２の導電
層２１２ｂ〜２１６ｂ）を形成する。２１７はゲート絶
縁膜であり、第１の形状の導電層２１２〜２１６で覆わ
れない領域は２０〜５０ｎｍ程度エッチングされ薄くな
った領域が形成される。

【０２０７】次いで、レジストからなるマスクを除去せ
ずに第２のエッチング処理を行う（図１０（Ｃ））。こ
こでは、エッチング用ガスにＣＦ₄とＣｌ₂とＯ₂とを用
い、それぞれのガス流量比を２５／２５／１０（ｓｃｃ
ｍ）とし、１Ｐaの圧力でコイル型の電極に５００WのＲ
Ｆ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成してエッ
チングを行った。基板側（試料ステージ）にも２０Wの
ＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイ
アス電圧を印加する。第２のエッチング処理でのＷに対
するエッチング速度は１２４.６２ｎｍ／ｍｉｎ、Ｔａ
Ｎに対するエッチング速度は２０．６７ｎｍ／ｍｉｎで
あり、ＴａＮに対するＷの選択比は６.０５である。従
って、Ｗ膜が選択的にエッチングされる。この第２のエ
ッチングによりＷのテーパー角は７０°となった。この
第２のエッチング処理により第２の導電層２１８ｂ〜２
２２ｂを形成する。一方、第１の導電層２１８ａ〜２２
２ａは、ほとんどエッチングされず、第１の導電層２１
８ａ〜２２２ａが形成される。２２３はゲート絶縁膜で
あり、第２の形状の導電層２１８〜２２２で覆われない
領域は２０〜５０ｎｍ程度エッチングされ薄くなった領
域が形成される。

【０２０８】第１の導電層２１８ａと第２の導電層２１
８ｂとで形成された電極は、後の工程で形成されるｎチ
ャネル型のバッファ用ＴＦＴとなり、第１の導電層２１
９ａと第２の導電層２１９ｂとで形成された電極は、後
の工程で形成されるｎチャネル型の選択用ＴＦＴとな
る。同様に、第１の導電層２２０ａと第２の導電層２２
０ｂとで形成された電極は、後の工程で形成されるｐチ
ャネル型のリセット用ＴＦＴとなり、第１の導電層２２
１ａと第２の導電層２２１ｂとで形成された電極は、後
の工程で形成されるｎチャネル型のスイッチング用ＴＦ
Ｔとなり、第１の導電層２２２ａと第２の導電層２２２
ｂとで形成された電極は、後の工程で形成されるｐチャ
ネル型のＥＬ駆動用ＴＦＴとなる。

【０２０９】次いで、第１のドーピング処理を行って図
１１（Ａ）の状態を得る。ドーピングは第２の導電層２
１８ｂ〜２２２ｂを不純物元素に対するマスクとして用
い、第１の導電層２１８ａ〜２２２ａのテーパー部下方
の半導体層に不純物元素が添加されるようにドーピング
する。本実施例では、不純物元素としてＰ（リン）を用
い、ドーズ量３．５×１０¹²atoms/cm³、加速電圧９０
ｋｅＶにてプラズマドーピングを行った。こうして第１
の導電層と重ならない低濃度不純物領域２２４ａ〜２２
８ａと、第１の導電層と重なる低濃度不純物領域２２４
ｂ〜２２８ｂを自己整合的に形成する。低濃度不純物領
域２２４ｂ〜２２８ｂへ添加されたリン（Ｐ）の濃度
は、１×１０¹⁷〜１×１０¹⁸atoms/cm³であり、且つ、
第１の導電層２１８ａ〜２２２ａのテーパー部の膜厚に
従って緩やかな濃度勾配を有している。なお、第１の導
電層２１８ａ〜２２２ａのテーパー部と重なる半導体層
において、第１の導電層２１８ａ〜２２２ａのテーパー
部の端部から内側に向かって、若干不純物濃度が低くな
っているものの、ほぼ同程度の濃度である。

【０２１０】そして、レジストからなるマスク２３１を
形成し、第２のドーピング処理を行い、半導体層にｎ型
を付与する不純物元素を添加する（図１１（Ｂ））。ド
ーピング処理はイオンドープ法、若しくはイオン注入法
で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×
１０¹³〜５×１０¹⁵atoms/cm³とし、加速電圧を６０〜
１００ｋｅＶとして行う。本実施例ではドーズ量を１.
５×１０¹⁵atoms/cm³とし、加速電圧を８０ｋｅＶとし
て行った。ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属
する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を
用いるが、ここではリン（Ｐ）を用いた。この場合、導
電層２１８〜２２２がｎ型を付与する不純物元素に対す
るマスクとなり、自己整合的に高濃度不純物領域２３２
ａ〜２３６ａ、第１の導電層と重ならない低濃度不純物
領域２３２ｂ〜２３６ｂ、第１の導電層と重なる低濃度
不純物領域２３２ｃ〜２３６ｃが形成される。高濃度不
純物領域２３２ａ〜２３６ａには１×１０²⁰〜１×１０
²¹atoms/cm³の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を
添加する。

【０２１１】なおｐチャネル型の半導体膜が形成される
半導体膜には、図１１（Ｂ）に示した第２のドーピング
処理によりｎ型の不純物をドーピングする必要はないた
め、マスク２３１を半導体層２０４、２０６上に完全に
覆うように形成し、ｎ型の不純物がドーピングされない
ようにしても良い。逆にマスク２３１を半導体層２０
４、２０６上に設けず、第３のドーピング処理において
半導体層の極性をｐ型に反転させても良い。

【０２１２】次いで、レジストからなるマスク２３１を
除去した後、新たにレジストからなるマスク２３９を形
成して第３のドーピング処理を行う。この第３のドーピ
ング処理により、ｐチャネル型ＴＦＴの活性層となる半
導体層に前記一導電型（ｎ型）とは逆の導電型（ｐ型）
を付与する不純物元素が添加された不純物領域２４０ａ
〜２４０ｃ、２４１a〜２４１ｃを形成する（図１１
（Ｃ））。第１の導電層２２０ｂ、２２２ｂを不純物元
素に対するマスクとして用い、ｐ型を付与する不純物元
素を添加して自己整合的に不純物領域を形成する。本実
施例では、不純物領域２４０ａ〜２４０ｃ、２４１ａ〜
２４１ｃはジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）を用いたイオンドープ法
で形成する。なお、この第３のドーピング処理の際に
は、ｎチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層はレジスト
からなるマスク２３９で覆われている。第１のドーピン
グ処理及び第２のドーピング処理によって、不純物領域
２４０a、２４０ｂ、２４０ｃにはそれぞれ異なる濃度
でリンが添加されているが、そのいずれの領域において
もｐ型を付与する不純物元素の濃度が２×１０²⁰〜２×
１０²¹atoms/cm³となるようにドーピング処理すること
により、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域およびドレイ
ン領域として機能するために何ら問題は生じない。

【０２１３】次いで、それぞれの半導体層に添加された
不純物元素を活性化処理する工程を行う。この活性化工
程は、ファーネスアニール炉を用いる熱アニール炉で行
う。熱アニール法としては、酸素濃度が１ＰＰｍ以下、
好ましくは０．１ＰＰｍ以下の窒素雰囲気中で４００〜
７００℃、代表的には５００〜５５０℃で行えばよく、
本実施例では５５０℃、４時間の熱処理で活性化処理を
行った。なお、熱アニール法の他に、レーザーアニール
法、またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）な
どを適用することができる。

【０２１４】また、第１の層間絶縁膜を形成した後に活
性化処理を行ってもよい。ただし、配線に用いた配線材
料が熱に弱い場合には、本実施例のように配線等を保護
するため層間絶縁膜（シリコンを主成分とする絶縁膜、
例えば窒化珪素膜）を形成した後で活性化処理を行うこ
とが好ましい。

【０２１５】さらに、３〜１００％の水素を含む雰囲気
中で、３００〜５５０℃で１〜１２時間の熱処理を行
い、半導体層を水素化する工程を行う。本実施例では、
水素を約３％含む窒素雰囲気中で４１０℃、１時間の熱
処理を行った。この工程は熱的に励起された水素により
半導体膜の不対結合手を水素終端する工程である。水素
化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより
励起された水素を用いる。）を用いることもできる。

【０２１６】また、パッシベーション膜を形成した後に
水素化する工程を行ってもよい。

【０２１７】以上までの工程でそれぞれの半導体層に不
純物領域が形成される。

【０２１８】次いで、レジストからなるマスク２３９を
除去し、第３のエッチング処理を行う。本実施例では導
電層２１８〜２２２をマスクとして用いて、ゲート絶縁
膜をエッチング処理する。

【０２１９】第３のエッチング処理により、ゲート絶縁
膜２４３ｃ〜２４７ｃが、第２の導電層２４３ｂ〜２４
７ｂの下方に形成される（図１２（Ａ））。

【０２２０】次いで、基板２００を覆うように、パッシ
ベーション膜２９１を形成する（図１２（Ｂ））。パッ
シベーション膜２９１は、酸化珪素膜、窒化珪素膜また
は酸化窒化珪素膜を用いることができる。例えば、プラ
ズマＣＶＤ法でＳｉＨ₄、ＮＨ₃、Ｎ₂Oから作製される酸
化窒化珪素膜を２５０〜８００ｎｍ（好ましくは３００
〜５００ｎｍ）、同様にＳｉＨ₄、Ｎ₂Oから作製される
酸化窒化水素化珪素膜を２５０〜８００ｎｍ（好ましく
は３００〜５００ｎｍ）の厚さに積層して形成してもよ
い。本実施例では酸化窒素からなるパッシベーション膜
２９１を、単層構造とし、０．５〜１．５μｍの厚さで
形成した。

【０２２１】次いで、第１層間絶縁膜２４９を形成す
る。プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを
１００〜２００ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成す
る。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により膜厚１５０
ｎｍの酸化窒化珪素膜を形成した。勿論、第１層間絶縁
膜２４９は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他
の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いて
も良い。次いで、各不純物領域２３２ａ、２３３ａ、２
３５a、２３８、２４０ａ、２４１ａ、２４２に達する
コンタクトホールを形成するためのパターニングを行
う。

【０２２２】次いで、ソース配線２５１〜２５５、ドレ
イン配線２５７〜２６１を形成する（図１２（Ｃ））。
なお、本実施例では、この配線の材料としては、Ａｌま
たはＡｇを主成分とする膜、またはそれらの積層膜等の
反射性の優れた材料を用いることが望ましい。

【０２２３】次に、図１３（Ａ）に示すように５０〜５
００ｎｍ（代表的には２００〜３００ｎｍ）の厚さで第
２パッシベーション膜２６８を形成する。本実施例では
第２パッシベーション膜２６８として３００ｎｍ厚の窒
化酸化珪素膜を用いる。これは窒化珪素膜で代用しても
良い。なお、窒化酸化珪素膜の形成に先立ってＨ₂、Ｎ
Ｈ₃等水素を含むガスを用いてプラズマ処理を行うこと
は有効である。

【０２２４】次に、有機樹脂からなる第２層間絶縁膜２
６９を形成する。有機樹脂としてはポリイミド、ポリア
ミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を使
用することができる。特に、第２層間絶縁膜２６９は平
坦化の意味合いが強いので、平坦性に優れたアクリルが
好ましい。本実施例ではＴＦＴによって形成される段差
を十分に平坦化しうる膜厚でアクリル膜を形成する。好
ましくは１〜５μm（さらに好ましくは２〜４μm）とす
れば良い。

【０２２５】次に、第２層間絶縁膜２６９及び第２パッ
シベーション膜２６８にドレイン配線２５９に達するコ
ンタクトホールを形成し、ドレイン配線２５９に接する
ようにフォトダイオードのカソード電極２７０を形成す
る。本実施例では、カソード電極２７０としてスパッタ
法によって形成したアルミニウム膜を用いたが、その他
の金属、例えばチタン、タンタル、タングステン、銅を
用いることができる。また、チタン、アルミニウム、チ
タンでなる積層膜を用いてもよい。

【０２２６】次に、水素を含有する非晶質珪素膜を基板
全面に成膜した後にパターニングし、光電変換層２７１
を形成する。次に、基板全面に透明導電膜を形成する。
本実施例では透明導電膜として厚さ２００ｎｍのＩＴＯ
をスパッタ法で成膜する。透明導電膜をパターニング
し、アノード電極２７２を形成する。（図１３（Ｂ））

【０２２７】次に、図１４（Ａ）に示すように第３層間
絶縁膜２７３を形成する。第３層間絶縁膜２７３とし
て、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アク
リル等の樹脂を用いることで、平坦な表面を得ることが
できる。本実施例では、第３層間絶縁膜２７３として厚
さ０．７μｍのポリイミド膜を基板全面に形成した。

【０２２８】次に、第３層間絶縁膜２７３、第２層間絶
縁膜２６９及び第２パッシベーション膜２６８にドレイ
ン配線２６１に達するコンタクトホールを形成し、画素
電極２７５を形成する。また第３層間絶縁膜２７３に、
アノード電極２７２に達するコンタクトホールを形成
し、センサ用配線２７４を形成する。本実施例ではアル
ミニウム合金膜（１wt%のチタンを含有したアルミニウ
ム膜）を３００ｎｍの厚さに形成し、パターニングを行
ってセンサ用配線２７４及び画素電極２７５を同時に形
成する。

【０２２９】次に、図１４（Ｂ）に示すように、樹脂材
料でなるバンク２７６を形成する。バンク２７６は１〜
２μm厚のアクリル膜またはポリイミド膜をパターニン
グして形成すれば良い。バンク２７６はソース配線２５
４上に沿って形成しても良いし、ゲート配線（図示せ
ず）上に沿って形成しても良い。なおバンク２７６を形
成している樹脂材料に顔料等を混ぜ、バンク２７６を遮
蔽膜として用いても良い。

【０２３０】次に、発光層２７７を形成する。具体的に
は、発光層２７７となる有機ＥＬ材料をクロロフォル
ム、ジクロロメタン、キシレン、トルエン、テトラヒド
ロフラン等の溶媒に溶かして塗布し、その後、熱処理を
行うことにより溶媒を揮発させる。こうして有機ＥＬ材
料でなる被膜（発光層）が形成される。

【０２３１】なお、本実施例では一画素しか図示されて
いないが、カラー表示を行う情報装置を作製する場合
は、このとき同時に赤色に発光する発光層、緑色に発光
する発光層及び青色に発光する発光層が形成される。本
実施例では、赤色に発光する発光層としてシアノポリフ
ェニレンビニレン、緑色に発光する発光層としてポリフ
ェニレンビニレン、青色に発光する発光層としてポリア
ルキルフェニレンを各々５０ｎｍの厚さに形成する。ま
た、溶媒としては１，２−ジクロロメタンを用い、８０
〜１５０℃のホットプレートで１〜５分の熱処理を行っ
て揮発させる。

【０２３２】本実施例ではＥＬ層を発光層でなる１層構
造とするが、その他に正孔注入層、正孔輸送層、電子注
入層、電子輸送層等を設けても構わない。このように組
み合わせは既に様々な例が報告されており、そのいずれ
の構成を用いても構わない。

【０２３３】発光層２７７を形成したら、対向電極とし
て透明導電膜でなる陽極２７９を１２０ｎｍの厚さに形
成する。本実施例では、酸化インジウムに１０〜２０ｗ
ｔ％の酸化亜鉛を添加した透明導電膜を用いる。成膜方
法は、発光層２７７を劣化させないように室温で蒸着法
により形成することが好ましい。

【０２３４】陽極２７９を形成したら、図１４（Ｂ）に
示すように第４層間絶縁膜２８０を形成する。第４層間
絶縁膜２８０として、ポリイミド、ポリアミド、ポリイ
ミドアミド、アクリル等の樹脂を用いることで、平坦な
表面を得ることができる。本実施例では、第４層間絶縁
膜２８０として厚さ０．７μｍのポリイミド膜を基板全
面に形成した。

【０２３５】こうして図１４（Ｂ）に示すような構造の
センサ基板が完成する。なお、バンク２７６を形成した
後、第４層間絶縁膜２８０を形成するまでの工程をマル
チチャンバー方式（またはインライン方式）の薄膜形成
装置を用いて、大気解放せずに連続的に処理することは
有効である。

【０２３６】以上の様にして、バッファ用ＴＦＴ３０
４、選択用ＴＦＴ３０５、リセット用ＴＦＴ３０３、フ
ォトダイオード３０６、スイッチング用ＴＦＴ３０１、
ＥＬ駆動用ＴＦＴ３０２及びＥＬ素子２６９を同一基板
上に形成することができる。

【０２３７】なお、各駆動回路（ＥＬ表示用ソース信号
線駆動回路、ＥＬ表示用ゲート信号線駆動回路、センサ
用ソース信号線駆動回路、センサ用ゲート信号線駆動回
路）を構成するＴＦＴも、上記作製工程によって同様に
作製することができる。こうして、表示部兼入力部と同
一基板上に各駆動回路を形成することができる。

【０２３８】なお本実施例は、実施例１〜実施例４と自
由に組み合わせることが可能である。

【０２３９】[実施例６]本実施例では、本発明を用いて
情報装置を作製した例について、図６を用いて説明す
る。

【０２４０】図６（Ａ）は、ＴＦＴ基板をシーリング材
によって封止することによって形成された情報装置の上
面図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）のＡ−Ａ’にお
ける断面図、図６（Ｃ）は図６（Ａ）のＢ−Ｂ’におけ
る断面図である。

【０２４１】同一基板４００１上に設けられた表示部兼
入力部４００２と、センサ用およびＥＬ素子用のソース
信号線駆動回路４００３ａ、ｂと、センサ用およびＥＬ
素子用のゲート信号線駆動回路４００４ａ、ｂとを囲む
ようにして、シール材４００９が設けられている。また
表示部兼入力部４００２と、センサ用およびＥＬ素子用
のソース信号線駆動回路４００３ａ、ｂと、センサ用お
よびＥＬ素子用のゲート信号線駆動回路４００４ａ、ｂ
との上にシーリング材４００８が設けられている。よっ
て表示部兼入力部４００２と、センサ用およびＥＬ素子
用のソース信号線駆動回路４００３ａ、ｂと、センサ用
およびＥＬ素子用の第１及び第２のゲート信号線駆動回
路４００４ａ、ｂとは、基板４００１とシール材４００
９とシーリング材４００８とによって、充填材４２１０
で密封されている。

【０２４２】また基板４００１上に設けられた表示部兼
入力部４００２と、センサ用およびＥＬ素子用のソース
信号線駆動回路４００３ａ、ｂと、センサ用およびＥＬ
素子用のゲート信号線駆動回路４００４ａ、ｂとは、複
数のＴＦＴを有している。図６（Ｂ）では代表的に、下
地膜４０１０上に形成された、画素部兼入力部４００２
に含まれるリセット用ＴＦＴ（フォトダイオードに逆バ
イアス電圧をかけるためのＴＦＴ）４２０１及びＥＬ駆
動用ＴＦＴ（ＥＬ素子への電流を制御するＴＦＴ）４２
０２、フォトダイオード４２１１を図示した。

【０２４３】本実施例では、リセット用ＴＦＴ４２０１
には公知の方法で作製されたｎチャネル型ＴＦＴが用い
られ、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２には公知の方法で作製
されたｐチャネル型ＴＦＴが用いられる。また、表示部
兼入力部４００２にはＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２のゲー
トに接続された保持容量（図示せず）が設けられる。

【０２４４】リセット用ＴＦＴ４２０１、ＥＬ駆動用Ｔ
ＦＴ４２０２上には第１層間絶縁膜（平坦化膜）４３１
１が形成される。次に第２層間絶縁膜（平坦化膜）４３
０２が形成され、その上にフォトダイオード４２１１が
形成される。次に第３層間絶縁膜４４０３が形成され、
その上にＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２のドレインと電気的
に接続する画素電極（陽極）４２０３が形成される。画
素電極４２０３としては仕事関数の大きい透明導電膜が
用いられる。透明導電膜としては、酸化インジウムと酸
化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合
物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを用いる
ことができる。また、前記透明導電膜にガリウムを添加
したものを用いても良い。

【０２４５】そして、画素電極４２０３の上には絶縁膜
４４０４が形成され、絶縁膜４４０４は画素電極４２０
３の上に開口部が形成されている。この開口部におい
て、画素電極４２０３の上にはＥＬ（エレクトロルミネ
ッセンス）層４２０４が形成される。ＥＬ層４２０４は
公知の有機ＥＬ材料または無機ＥＬ材料を用いることが
できる。また、有機ＥＬ材料には低分子系（モノマー
系）材料と高分子系（ポリマー系）材料があるがどちら
を用いても良い。

【０２４６】ＥＬ層４２０４の形成方法は公知の蒸着技
術もしくは塗布法技術を用いれば良い。また、ＥＬ層の
構造は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層ま
たは電子注入層を自由に組み合わせて積層構造または単
層構造とすれば良い。

【０２４７】ＥＬ層４２０４の上には遮光性を有する導
電膜（代表的にはアルミニウム、銅もしくは銀を主成分
とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層膜）か
らなる陰極４２０５が形成される。また、陰極４２０５
とＥＬ層４２０４の界面に存在する水分や酸素は極力排
除しておくことが望ましい。従って、ＥＬ層４２０４を
窒素または希ガス雰囲気で形成し、酸素や水分に触れさ
せないまま陰極４２０５を形成するといった工夫が必要
である。本実施例ではマルチチャンバー方式（クラスタ
ーツール方式）の成膜装置を用いることで上述のような
成膜を可能とする。そして陰極４２０５は所定の電圧が
与えられている。

【０２４８】以上のようにして、画素電極（陽極）４２
０３、ＥＬ層４２０４及び陰極４２０５からなるＥＬ素
子４３０３が形成される。そしてＥＬ素子４３０３を覆
うように、絶縁膜４３０２上に保護膜４２０９が形成さ
れている。保護膜４２０９は、ＥＬ素子４３０３に酸素
や水分等が入り込むのを防ぐのに効果的である。

【０２４９】４００５は電源供給線に接続された引き回
し配線であり、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２のソース領域
に電気的に接続されている。引き回し配線４００５はシ
ール材４００９と基板４００１との間を通り、異方導電
性フィルム４３００を介してＦＰＣ４００６が有するＦ
ＰＣ用配線４３０１に電気的に接続される。

【０２５０】シーリング材４００８としては、ガラス
材、金属材（代表的にはステンレス材）、セラミックス
材、プラスチック材（プラスチックフィルムも含む）を
用いることができる。プラスチック材としては、ＦＲＰ
（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−ＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄＰｌ
ａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）
フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムま
たはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。ま
た、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフ
ィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。

【０２５１】但し、ＥＬ素子からの光の放射方向がカバ
ー材側に向かう場合にはカバー材は透明でなければなら
ない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリ
エステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透明
物質を用いる。

【０２５２】また、充填材４１０３としては窒素やアル
ゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または
熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルク
ロライド）、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シ
リコン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶ
Ａ（エチレンビニルアセテート）を用いることができ
る。本実施例では充填材として窒素を用いた。

【０２５３】また充填材４２１０を吸湿性物質（好まし
くは酸化バリウム）もしくは酸素を吸着しうる物質にさ
らしておくために、シーリング材４００８の基板４００
１側の面に凹部４００７を設けて吸湿性物質または酸素
を吸着しうる物質４２０７を配置する。そして、吸湿性
物質または酸素を吸着しうる物質４２０７が飛び散らな
いように、凹部カバー材４２０８によって吸湿性物質ま
たは酸素を吸着しうる物質４２０７は凹部４００７に保
持されている。なお凹部カバー材４２０８は目の細かい
メッシュ状になっており、空気や水分は通し、吸湿性物
質または酸素を吸着しうる物質４２０７は通さない構成
になっている。吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質
４２０７を設けることで、ＥＬ素子４３０３の劣化を抑
制できる。

【０２５４】図６（Ｃ）に示すように、画素電極４２０
３が形成されると同時に、引き回し配線４００５上に接
するように導電性膜４２０３ａが形成される。

【０２５５】また、異方導電性フィルム４３００は導電
性フィラー４３００ａを有している。基板４００１とＦ
ＰＣ４００６とを熱圧着することで、基板４００１上の
導電性膜４２０３ａとＦＰＣ４００６上のＦＰＣ用配線
４３０１とが、導電性フィラー４３００ａによって電気
的に接続される。

【０２５６】なお、本実施例は、実施例１〜実施例５と
自由に組み合わせて実施することが可能である。

【０２５７】[実施例７]本実施例では、本発明の情報装
置の光電変換素子を、有機物を用いて作製した例につい
て説明する。

【０２５８】光電変換素子として、フォトダイオードを
例に説明する。

【０２５９】フォトダイオードの光電変換層として、有
機物を用いる。具体的には、アゾ顔料、ペリレンのよう
な多環式化合物、フタロシアニン顔料、イオン性色素な
どを用いることができる。なお、ここでは光電変換層
を、電荷発生層と呼ぶ事にする。

【０２６０】また、電荷発生層のほかに、電荷注入障壁
層や、電荷輸送層等を設けることもできる。

【０２６１】電荷輸送層としては、ヒドラゾン誘導体、
スチルベンゼン誘導体、トリファニルアミン誘導体等の
低分子化合物、ポリシラン誘導体等の高分子材料を利用
することができる。

【０２６２】この様な電荷輸送層を設けることで、フォ
トダイオードの光応答特性を向上させることができる。

【０２６３】また、電荷注入障壁層としては、共重合ナ
イロン等を用いることができる。

【０２６４】この様な、電荷注入障壁層と電荷発生層と
電荷輸送層の積層構造を有するフォトダイオードを作製
する手法について図１９を用いて説明する。

【０２６５】ＩＴＯ膜のアノード電極９９１を形成し、
その上に電荷注入障壁層９９２、電荷発生層９９３、電
荷輸送層９９４、カソード電極９９６の順に形成する。

【０２６６】ここでは、電荷注入障壁層９９２として
は、共重合ナイロン層を塗布する。

【０２６７】その後、アゾ顔料をバインダ樹脂に分散し
塗布することで、電荷発生層９９３を形成する。

【０２６８】次に、ヒドラゾン誘導体をバインダ樹脂に
分散し、塗布することで、電荷輸送層９９４を形成す
る。

【０２６９】最後に、アルミニウムでカソード電極９９
６を形成し、フォトダイオード９９７が完成する。

【０２７０】なお、フォトダイオードの構成はこれに限
定されない。電荷注入障壁層や電荷輸送層は必ずしも設
定する必要はない。

【０２７１】また、アノード電極、カソード電極、電荷
注入障壁層、電荷発生層、電荷輸送層等は、上記材料に
限らず、公知の材料を自由に用いる事ができる。

【０２７２】半導体等の無機物を用いたフォトダイオー
ドに比べて、有機物を用いたものは、大面積のフォトダ
イオードが作製可能であり、また柔軟性に富み、加工性
に優れるといった利点がある。

【０２７３】なお、本実施例は、実施例１〜実施例６と
自由に組み合あわせて実施する事が可能である。

【０２７４】[実施例８]本実施例では、本発明の情報装
置を応用した電子機器について説明する。本発明の情報
装置を応用する例として、携帯情報端末（ＰＤＡ、携帯
電話または電子書籍等）などが挙げられる。

【０２７５】図４（Ａ）は、ＰＤＡの模式図である。表
示部兼入力部１９０１と入力ペン１９０２、操作キー１
９０３、外部接続ポート１９０４及び電源スイッチ１９
０５を有する。本発明の情報装置はＰＤＡの表示部兼入
力部１９０１に用いることができる。

【０２７６】図４（Ｂ）は、電子書籍の模式図である。
表示部兼入力部１９１１と入力ペン１９１２、操作キー
１９１３及び記録媒体１９１４を有する。本発明の情報
装置は電子書籍の表示部兼入力部１９１１に用いること
ができる。

【０２７７】図２１（Ａ）及び図２１（Ｂ）は、本発明
の情報装置を、本人認証作業の機能を有する携帯情報端
末に応用した例である。

【０２７８】ここで、本人認証作業とは、予め登録され
ている情報と、その後入力された情報とを比較して、こ
の２つの情報が、同じ人物を指し示すものかどうかを判
断する機能のことをいうとする。

【０２７９】図２１（Ａ）に携帯情報端末２１８３を示
す。この携帯情報端末２１８３は、入力ペン２１８１、
表示部兼入力部２１８４、操作キー２１８５、外部接続
ポート２１８６、電源スイッチ２１８７等を有する。

【０２８０】実施例４において示した、表示部兼入力部
２１８４をイメージセンサとして用いる手法を用い、手
２１８８を、表示部兼入力部２１８４上に置いて、掌紋
を読み取る。

【０２８１】この読み取った掌紋を、個人を識別する情
報（個人情報）として用いて、認証作業を行うことがで
きる。

【０２８２】なお、認証作業に用いる個人情報は、掌紋
のみに限らず、指紋等の生体情報を自由に用いることが
できる。

【０２８３】また、これらの、認証のための個人情報
は、自由に組み合わせて用いることができる。

【０２８４】また、図２１（Ｂ）は、図２１（Ａ）で示
したのと同じ構成の携帯情報装置であるが、異なる方法
で本人認証作業を行う場合について説明する。

【０２８５】ここでは、入力ペン２１８１によって、表
示部兼入力部２１８４に入力した筆跡２１９１の情報
を、認証作業に用いる。

【０２８６】なお、ペン入力によって入力された、筆跡
などの個人情報と、イメージセンサによって入力され
た、掌紋、指紋などの個人情報を、自由に組み合わせ
て、本人認証の作業を行う携帯情報端末に応用すること
もできる。

【０２８７】本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる
分野の電子機器に適用することが可能である。また、本
実施例の電子機器は実施例１〜７のどのような組み合わ
せからなる構成を用いても実現することができる。

【発明の効果】従来の抵抗膜式や光学式のペン入力機能
を有する情報装置では、画像の視認性、装置の耐久性、
精度や小型化、消費電力等の問題があった。

【０２８８】本発明のペン入力機能を有する情報装置
は、表示装置の画素に、ＥＬ素子と光電変換素子の両方
を配置し、ペン先が発光するペンによって、光電変換素
子に光を入力することによって情報入力を行う。これに
よって、表示画像の輝度を損なわず、また鮮明な画像を
表示し、耐久性に優れ、小型化可能で、精度の良い、ペ
ン入力機能を有する情報装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の情報装置の模式図。

【図２】本発明の光センサの上面及び断面の模式
図。

【図３】本発明の情報装置のイメージセンサ付表示
パネルの画素部の回路図。

【図４】本発明の情報装置を応用した電子機器の
図。

【図５】本発明の情報装置の駆動のタイミングチャ
ートを示す図。

【図６】本発明の情報装置の上面図及び断面図。

【図７】従来の抵抗膜式ペン入力装置の構造を示す
図。

【図８】従来の抵抗膜式ペン入力装置の構造を示す
図。

【図９】従来の光学式ペン入力装置の構造を示す
図。

【図１０】本発明の情報装置の作製工程を示す図。

【図１１】本発明の情報装置の作製工程を示す図。

【図１２】本発明の情報装置の作製工程を示す図。

【図１３】本発明の情報装置の作製工程を示す図。

【図１４】本発明の情報装置の作製工程を示す図。

【図１５】本発明の情報装置の断面図。

【図１６】本発明の情報装置の断面図。

【図１７】本発明の情報装置の駆動のタイミングチャ
ートを示す図。

【図１８】本発明の情報装置の駆動のタイミングチャ
ートを示す図。

【図１９】本発明の情報装置の光電変換素子の構成を
示す図。

【図２０】本発明の情報装置の断面図。

【図２１】本発明の情報装置を応用した電子機器の
図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｈ 35/00 Ｈ０１Ｈ 35/00 ＫＣＦターム(参考） 5B068 AA01 AA11 BB18 BC03 BD09 BE08 CD06 5B087 AA02 AA04 AE09 CC01 CC12 CC26 CC33 5C094 AA01 AA15 AA37 AA56 BA03 BA14 BA27 CA19 DA09 DA13 DB01 DB02 DB04 DB10 EA04 EA05 EA10 EB02 ED11 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB14 FB15 GA10 GB10 HA10 5G055 AA01 AA04 AA08 AA10 AB01 AB02 AC03 AD01 AD04 AD08 AD12 AE07 AG03 AG08 BD02 BD29 5G435 AA01 AA14 AA18 BB05 CC09 EE03 EE12 EE37 EE49 FF11 KK05 LL07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の画素を有する情報装置において、入力用ペンを有し、前記複数の画素はそれぞれＥＬ素子と光電変換素子とを
有し、前記入力ペンは、光線を発し、前記光線が、前記光電変換素子に入力されることにより
情報入力を行うことを特徴とする情報装置。
【請求項２】請求項１において、前記ＥＬ素子と前記光電変換素子とは、同一基板上に形
成されていることを特徴とする情報装置。
【請求項３】請求項１もしくは請求項２のいずれか一項
において、前記光電変換素子は、フォトダイオードであることを特
徴とする情報装置。
【請求項４】複数の画素を有する情報装置において、ＥＬ表示用ソース信号線駆動回路と、ＥＬ表示用ゲート
信号線駆動回路と、複数のＥＬ表示用ソース信号線と、
複数のＥＬ表示用ゲート信号線と、複数の電源供給線
と、入力ペンとを有し、前記ＥＬ表示用ソース信号線駆動回路は、前記複数のＥ
Ｌ表示用ソース信号線に信号を出力し、前記ＥＬ表示用ゲート信号線駆動回路は、前記複数のＥ
Ｌ表示用ゲート信号線に信号を出力し、前記複数の画素は、それぞれＥＬ表示部とセンサ部とを
有し、前記ＥＬ表示部と前記センサ部とは、同一基板上に形成
され、前記ＥＬ表示部は、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動
用ＴＦＴと、ＥＬ素子とを有し、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は、前記複数の
ＥＬ表示用ゲート信号線のうちの一本に接続され、前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域
とは、一方は、前記複数のＥＬ表示用ソース信号線のう
ちの一本と接続され、もう一方は、前記ＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔのゲート電極に接続され、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域と
は、一方は、前記複数の電源供給線のうちの一本に接続
され、もう一方は、前記ＥＬ素子に接続され、前記セン
サ部は、フォトダイオードを有し、前記入力ペンは、光線を発し、前記光線が前記フォトダイオードに入力されることによ
り情報入力を行うことを特徴とする情報装置。
【請求項５】複数の画素を有する情報装置において、センサ用ソース信号線駆動回路と、センサ用ゲート信号
先駆回路と、複数のセンサ用出力配線と、複数のセンサ
用ゲート信号線と、複数のリセット用ゲート信号線と、
複数のセンサ用電源線と、入力ペンとを有し、前記センサ用ソース信号線駆動回路は、前記複数のセン
サ用出力配線から信号を読み取り、前記センサ用ゲート信号線駆動回路は、前記複数のセン
サ用ゲート信号線と、複数のリセット用ゲート信号線に
信号を出力し、前記複数の画素は、それぞれＥＬ表示部とセンサ部とを
有し、前記ＥＬ表示部と前記センサ部とは、同一基板上に形成
され、前記センサ部は、選択用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴ
と、リセット用ＴＦＴと、フォトダイオードとを有し、前記選択用ＴＦＴのゲート電極は、前記複数のセンサ用
ゲート信号線のうちの１本に接続され、前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域とは、一
方は、前記複数のセンサ用出力配線のうちの１つに接続
され、もう一方は、前記バッファ用ＴＦＴのソース領域
もしくはドレイン領域のどちらか一方に接続され、前記バッファ用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域と
で、前記選択用ＴＦＴと接続されていない側は、前記複
数のセンサ用電源線のうちの１つに接続され、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極は、前記フォトダイ
オード及び前記リセット用ＴＦＴのソース領域もしくは
ドレイン領域に接続され、前記リセット用ＴＦＴのソース領域もしくはドレイン領
域で、前記バッファ用ＴＦＴと接続されていない側は、
前記複数のセンサ用電源線のうちの１つに接続され、前記リセット用ＴＦＴのゲート電極は、前記複数のリセ
ット用ゲート信号線のうちの１つに接続され、前記ＥＬ表示部は、ＥＬ素子を有し、前記入力ペンは光線を発し、前記光線が前記フォトダイオードに入力されることによ
り情報入力を行うことを特徴とする情報装置。
【請求項６】複数の画素を有する情報装置において、ＥＬ表示用ソース信号線駆動回路と、ＥＬ表示用ゲート
信号線駆動回路と、センサ用ソース信号線駆動回路と、
センサ用ゲート信号先駆回路と、複数のＥＬ表示用ソー
ス信号線と、複数のＥＬ表示用ゲート信号線と、複数の
電源供給線と、複数のセンサ用出力配線と、複数のセン
サ用ゲート信号線と、複数のリセット用ゲート信号線
と、複数のセンサ用電源線と、入力ペンとを有し、前記ＥＬ表示用ソース信号線駆動回路は、前記複数のＥ
Ｌ表示用ソース信号線に信号を出力し、前記ＥＬ表示用ゲート信号線駆動回路は、前記複数のＥ
Ｌ表示用ゲート信号線に信号を出力し、前記センサ用ソース信号線駆動回路は、前記複数のセン
サ用出力配線から信号を読み取り、前記センサ用ゲート信号線駆動回路は、前記複数のセン
サ用ゲート信号線と、複数のリセット用ゲート信号線に
信号を出力し、前記複数の画素は、ＥＬ表示部とセンサ部とを有し、前記ＥＬ表示部と前記センサ部とは、同一基板上に形成
され、前記ＥＬ表示部は、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動
用ＴＦＴと、ＥＬ素子とを有し、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は、前記複数の
ＥＬ表示用ゲート信号線のうちの一本に接続され、前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域
とは、一方は、前記複数のＥＬ表示用ソース信号線のう
ちの一本と接続され、もう一方は、前記ＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔのゲート電極に接続され、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域と
は、一方は、前記複数の電源供給線のうちの一本に接続
され、もう一方は、前記ＥＬ素子に接続され、前記セン
サ部は、選択用ＴＦＴとバッファ用ＴＦＴと、リセット
用ＴＦＴとフォトダイオードとを有し、前記選択用ＴＦＴのゲート電極は、前記複数のセンサ用
ゲート信号線のうちの１本に接続され、前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域とは、一
方は、前記複数のセンサ用出力配線のうちの１つに接続
され、もう一方は、前記バッファ用ＴＦＴのソース領域
もしくはドレイン領域のどちらか一方に接続され、前記バッファ用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域と
で、前記選択用ＴＦＴと接続されていない側は、前記複
数のセンサ用電源線のうちの１つに接続され、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極は、前記フォトダイ
オード及び前記リセット用ＴＦＴのソース領域もしくは
ドレイン領域に接続され、前記リセット用ＴＦＴのソース領域もしくはドレイン領
域で、前記バッファ用ＴＦＴと接続されていない側は、
前記複数のセンサ用電源線のうちの１つに接続され、前記リセット用ＴＦＴのゲート電極は、前記複数のリセ
ット用ゲート信号線のうちの１つに接続され、前記入力ペンは、光線を発し、前記光線が前記フォトダイオードに入力されることによ
り情報入力を行うことを特徴とする情報装置。
【請求項７】請求項１乃至請求項６のいずれか一項にお
いて、前記光線は、レーザー光であることを特徴とする情報装
置。
【請求項８】請求項１乃至請求項６のいずれか一項にお
いて、前記光線は、紫外光または近紫外光であることを特徴と
する情報装置。
【請求項９】請求項４もしくは請求項６のいずれか一項
において、前記ＥＬ表示用ソース信号線駆動回路とＥＬ表示用ゲー
ト信号駆動回路とは、前記ＥＬ表示部及び前記センサ部
が形成された基板と同一基板上に形成されていることを
特徴とする情報装置。
【請求項１０】請求項５もしくは請求項６のいずれか一
項において、前記センサ用ソース信号線駆動回路とセンサ用ゲート信
号駆動回路とは、前記ＥＬ表示部及び前記センサ部が形
成された基板と同一基板上に形成されていることを特徴
とする情報装置。
【請求項１１】請求項６において、前記ＥＬ表示用ソース信号線駆動回路と、ＥＬ表示用ゲ
ート信号駆動回路と、前記センサ用ソース信号線駆動回
路と、センサ用ゲート信号駆動回路とは、前記ＥＬ表示
部及び前記センサ部が形成された基板と同一基板上に形
成されていることを特徴とする情報装置。
【請求項１２】請求項３乃至請求項６のいずれか一項に
おいて、前記フォトダイオードは、アノード電極と、カソード電
極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に挟
まれた光電変換層とを有することを特徴とする情報装
置。
【請求項１３】請求項１２において、前記光電変換層は、有機材料によって構成されているこ
とを特徴とする情報装置。
【請求項１４】請求項３乃至請求項６のいずれか一項に
おいて、前記フォトダイオードは、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体
層と、前記ｐ型半導体層と前記ｎ型半導体層の間に挟ま
れた光電変換層とを有することを特徴とする情報装置。
【請求項１５】請求項１２もしくは請求項１４のいずれ
か一項において、前記光電変換層は、非晶質半導体によって構成されるこ
とを特徴とする情報装置。
【請求項１６】請求項１乃至請求項１５のいずれか一項
において、前記ＥＬ素子が発した光は、被写体の表面に照射され、前記被写体の表面に照射された光が、前記被写体の表面
によって反射され、前記被写体の表面によって反射された光が、前記光電変
換素子に入力されることにより、前記被写体の表面の情
報が、画像として入力されることを特徴とする情報装
置。
【請求項１７】請求項１６において、前記被写体の表面の情報は、生体情報であることを特徴
とする情報装置。
【請求項１８】請求項１７において、前記生体情報は、掌紋であることを特徴とする情報装
置。
【請求項１９】請求項１７において、前記生体情報は、指紋であることを特徴とする情報装
置。
【請求項２０】請求項１乃至請求項１９のいずれか一項
において、前記情報装置は、携帯情報端末であることを特徴とする
情報装置。
【請求項２１】請求項１乃至請求項１９のいずれか一項
において、前記情報装置は、ＰＤＡであることを特徴とする情報装
置。