JP5553707B2 - 光検出装置 - Google Patents
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Description
本発明の一態様である光検出装置を示す(図1)。図1は光検出装置の断面図である。
透光性基板1は、可視光に対する透光性を有し、その膜厚は10μm乃至200μmが好ましい。例えば可撓性及び可視光に対する透光性を有するプラスチック基板、可視光に対する透光性を有する無機材料基板を用いることができる。プラスチック基板としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)に代表されるポリエステル、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリスルホン(PSF)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリアリレート(PAR)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂などが挙げられる。無機材料基板としては、ガラス、石英基板などが挙げられる。
第1の遮光層2はバックライト12からの光16が第1のフォトダイオード4に入射されるのを防止する。第2の遮光層3はバックライト12からの光16が第2のフォトダイオード5に入射されるのを防止する。第1の遮光層2、第2の遮光層3は島状にすることができる。第1の遮光層2、第2の遮光層3は遮光可能な材料を用いて、スパッタリング法、CVD法または塗布法により形成する。遮光可能な材料としては、例えばクロムを主成分とする材料、カーボンブラックを含有する樹脂または二酸化チタンよりも酸化数が小さい低次酸化チタンなどの黒色顔料を含む樹脂を用いることができる。また反射層とする場合にはアルミニウム等を用いて形成する。
第1のフォトダイオード4、第2のフォトダイオード5は被検出物14からの光15を検出する。第1のフォトダイオード4、第2のフォトダイオード5はpinダイオード又はpnダイオードである。第1のフォトダイオード4、第2のフォトダイオード5は半導体膜を用いて形成される。pinダイオードはp型の導電性を有する領域(p層)と、i型の導電性を有する領域(i層)と、n型の導電性を有する領域(n層)とを有している。pnダイオードはp層とn層とを有している。p層、n層、i層はシリコンなどの半導体膜やZnOなどを含む酸化物半導体膜を用いて形成する。半導体膜は非晶質、微結晶、結晶質、単結晶のいずれでもよい。
第1のカラーフィルター6、第2のカラーフィルター7、第3のカラーフィルター9の色はそれぞれ異なり、赤、青、緑のいずれかを用いることができる。これらはバックライトからの光13をカラー化する。カラー化された光は被検出物14により反射され、光15となる。光15は第1のカラーフィルター6又は第2のカラーフィルター7を通って、第1のフォトダイオード4又は第2のフォトダイオード5により検出される。第1のカラーフィルター6、第2のカラーフィルター7、第3のカラーフィルター9はそれぞれ島状に形成される。第1のカラーフィルター6は第1のフォトダイオード4の上面及び側面を覆い、第2のカラーフィルター7は第2のフォトダイオード5の上面及び側面を覆うように形成される。
第3の遮光層8は被検出物14からの反射光のうちの斜光17、18が第2のフォトダイオード5、第1のフォトダイオード4に検出されるのを防止する。第1のフォトダイオード4と第2のフォトダイオード5との間の第3の遮光層8は上述のように第1のカラーフィルター6と第2のカラーフィルター7とを並列させて作製する。第1のカラーフィルター6及び第2のカラーフィルター7の一方を選択的に形成した後、第1のカラーフィルター6及び第2のカラーフィルター7の他方を、第1のカラーフィルター6と第2のカラーフィルター7とが並列するように選択的に形成する。
第1の透光性絶縁膜10は、透光性基板1に含まれるNaなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が第1のフォトダイオード4及び第2のフォトダイオード5中に拡散し、特性に悪影響を及ぼすのを防ぐ。第1の透光性絶縁膜10は、CVD法やスパッタリング法等を用いて、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等の絶縁性を有する材料を用いて形成する。第2の透光性絶縁膜は、外部よりNaなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が第1のフォトダイオード4及び第2のフォトダイオード5中に拡散し、特性に悪影響を及ぼすのを防ぐ。プラズマCVD法やスパッタリング法等により、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜や、有機樹脂膜等を、単層または積層して形成する。
本発明の一態様である液晶表示装置を示す(図6)。図6は液晶表示装置の断面図である。
透光性基板1は実施の形態1に示したものを用いることができる。また第2の透光性基板56は透光性基板1と同様なものを用いることができる。第2の透光性基板56は機械研磨、化学研磨、エッチングなどによって厚さ70μm以上100μm以下にすることが好ましい。
第1の遮光層2、第2の遮光層3は実施の形態1に示したものを用いることができる。また遮光層31は第1の遮光層2、第2の遮光層3と同様なものを用いることができる。また第1の遮光層2、第2の遮光層3を第1の反射層2、第2の反射層3にする場合も実施の形態1に示したものを用いることができる。
トランジスタ32、121、122は液晶層53の液晶を透過状態又は不透過状態にさせるスイッチである。トランジスタ113、119、120はそれぞれ第2のフォトダイオード5、第1のフォトダイオード4、フォトダイオード123をオン・オフさせるスイッチである。各トランジスタは上述のものを用いることができる。各トランジスタの半導体層はシリコンなどの半導体膜やZnOなどを含む酸化物半導体膜を用いて形成する。半導体膜は非晶質、微結晶、結晶質、単結晶のいずれでもよい。
第1のフォトダイオード4及び第2のフォトダイオード5は実施の形態1に記載のものを用いることができる。またフォトダイオード123は第1のフォトダイオード4及び第2のフォトダイオード5と同じものを用いる。
第1のカラーフィルター6、第2のカラーフィルター7、第3のカラーフィルター9は実施の形態1に記載のものを用いることができる。
第3の遮光層8は実施の形態1に記載のものを用いることができる。
第1の透光性絶縁膜10は、実施の形態1に記載のものを用いることができる。透光性絶縁膜42はゲート絶縁膜である。透光性絶縁膜42は酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等の絶縁性を有する材料を用いて形成する。透光性絶縁膜42はCVD法やスパッタリング法、熱酸化、熱窒化、プラズマ酸化、プラズマ窒化、塗布法等によって形成する。透光性絶縁膜44、透光性絶縁膜49は平坦性を有する絶縁膜であることが好ましい。酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜や、有機樹脂膜などを、単層または積層して形成する。CVD法やスパッタリング法、塗布法等によって形成する。
透光性の電極であればよく、インジウム錫酸化物(ITO、Indium Tin Oxide)酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)酸化インジウム酸化亜鉛(IZO、Indium Zinc Oxide)などの材料を用いて形成する。
配向膜52、54は液晶層53の液晶分子を一方向に配向させる。塗布、熱処理等を行って形成し、ラビング処理を行って形成する。配向膜52、54はポリイミド等を用いて形成する。他の手段により液晶を一方向に配向させることができるのであれば配向膜52、54を設けなくてもよい。
液晶層53は、図示しない偏光板との組合せにより、バックライト12の光13及び被検出物14からの反射光15を透過、非透過させるスイッチである。液晶層53はTN(Twisted Nematic)型の他、VA(Virtical Alignment)型、OCB(optically compensated Birefringence)型、IPS(In−Plane Switching)型等であっても良い。
スペーサ57は液晶層53の厚さを均一に保つ。スペーサ57は有機樹脂やガラスビーズ等を用いて形成する。
第1の走査線114はトランジスタ113、119、120のゲートに接続され、駆動回路からの信号をゲートに印加し、トランジスタ113、119、120のオン・オフを制御する。第1−3の信号線はそれぞれトランジスタ113、119、120のソース又はドレインに接続され、第2のフォトダイオード5、第1のフォトダイオード4、フォトダイオード123が検出した信号を外部回路へ送る。第2の走査線115はトランジスタ32、121、122のゲートに接続され、駆動回路からの信号をゲートに印加し、トランジスタ32、121、122のオン・オフを制御する。第4−6の信号線はそれぞれトランジスタ32、121、122のソース又はドレインに接続され、別の駆動回路からのデータ信号をトランジスタ32、121、122のソース又はドレインへ印加する。第1の走査線114、第2の走査線115、第1−6の信号線は公知の材料で形成する。
本発明の一態様である発光装置を示す(図10)。図10は発光装置の断面図である。実施形態2に記載の液晶表示装置は、液晶層を有し、第1の遮光層2、第2の遮光層3及び遮光層31を有するのに対し、実施形態3に記載の発光装置はエレクトロルミネッセンス(EL)層を有し、第1の遮光層2、第2の遮光層3及び遮光層31を有しなくてもよい点で異なる。また光検出方法においても、実施の形態2に記載の表示装置はバックライトを用いるのに対し、実施の形態3に記載の発光装置はEL層がバックライトの代わりになる。
本実施の形態では、光検出装置、液晶表示装置及び発光装置の電子機器への応用例について説明する(図13)。
フォトダイオードを有する液晶表示装置又は発光装置を用いたライティングボード(黒板、ホワイトボード等)の例を示す。
2 第1の遮光層
3 第2の遮光層
4 第1のフォトダイオード
5 第2のフォトダイオード
6 第1のカラーフィルター
7 第2のカラーフィルター
8 第3の遮光層
9 第3のカラーフィルター
10 第1の透光性絶縁膜
11 第2の透光性絶縁膜
12 バックライト
13 光
14 被検出物
15 光
16 光
17 光
18 光
21 p層
22 i層
23 n層
25 間隔
31 遮光層
32 トランジスタ
33 p層
34 i層
35 n層
36 p層
37 i層
38 n層
39 ソース領域
40 チャネル形成領域
41 ドレイン領域
42 絶縁膜
43 ゲート電極
44 絶縁膜
45 電極
46 電極
47 電極
48 電極
49 絶縁膜
51 画素電極
52 配向膜
53 液晶層
54 配向膜
55 対向電極
56 第2の透光性基板
61 隔壁
62 発光層
63 透光性電極
101 光検出部
102 表示部
103 半導体層
104 半導体層
105 半導体層
106 ソース電極
107 ドレイン電極
111 画素部
112 画素
113 トランジスタ
114 第1の走査線
115 第2の走査線
117 画素
118 画素
119 トランジスタ
120 トランジスタ
121 トランジスタ
122 トランジスタ
123 フォトダイオード
201 光検出部
202 表示部
9101 表示部
9201 表示部
9202 入力ペン
9301 表示部
9302 表示部
9401 表示部
9501 表示部
9601 表示部
9602 入力ペン
9696 パネル
Claims (3)
- 透光性基板上の、第1の遮光層と、第2の遮光層と、
前記透光性基板、前記第1の遮光層及び前記第2の遮光層上に接して設けられた第1の透光性絶縁膜と、
前記第1の遮光層上に、前記第1の透光性絶縁膜を介して設けられた第1のフォトダイオードと、
前記第2の遮光層上に、前記第1の透光性絶縁膜を介して設けられた第2のフォトダイオードと、
前記第1のフォトダイオードを覆う第2の透光性絶縁膜と、
前記第2の透光性絶縁膜の上面及び側面を覆う第1のカラーフィルターと、
前記第2のフォトダイオードを覆う第3の透光性絶縁膜と、
前記第3の透光性絶縁膜の上面及び側面を覆う第2のカラーフィルターと、を有し、
前記第1のフォトダイオードと前記第2のフォトダイオードとの間には、前記第1のカラーフィルター及び前記第2のカラーフィルターからなる第3の遮光層を有し、
前記第3の遮光層は前記第1の透光性絶縁膜上に接して設けられ、
前記第3の遮光層は、前記第2の透光性絶縁膜の側面と前記第3の透光性絶縁膜の側面との間に形成されていることを特徴とする光検出装置。 - 透光性基板上の、第1の遮光層及び第2の遮光層と、
前記透光性基板、前記第1の遮光層及び前記第2の遮光層上に接して設けられた第1の透光性絶縁膜と、
前記第1の遮光層上に、前記第1の透光性絶縁膜を介して設けられた第1のフォトダイオードと、
前記第2の遮光層上に、前記第1の透光性絶縁膜を介して設けられた第2のフォトダイオードと、
前記第1のフォトダイオードを覆う第2の透光性絶縁膜と、
前記第2の透光性絶縁膜の上面及び側面を覆う第1のカラーフィルターと、
前記第2のフォトダイオードを覆う第3の透光性絶縁膜と、
前記第3の透光性絶縁膜の上面及び側面を覆う第2のカラーフィルターと、を有し、
前記第1のフォトダイオードと前記第2のフォトダイオードとの間では、前記第1のカラーフィルターと前記第2のカラーフィルターとが並列して第3の遮光層が形成され、
前記第3の遮光層は前記第1の透光性絶縁膜上に接して設けられ、
前記第3の遮光層は、前記第2の透光性絶縁膜の側面と前記第3の透光性絶縁膜の側面との間に形成されていることを特徴とする光検出装置。 - 請求項1又は2において、前記第1の遮光層及び前記第2の遮光層の代わりに第1の反射層及び第2の反射層を有することを特徴とする光検出装置。
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