JP7246863B2 - 受光装置、車両制御システム及び測距装置 - Google Patents
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Description
光子の受光に応じて信号を発生する受光部をそれぞれ含む複数の画素を有する画素アレイ部を備え、
画素アレイ部は、第1感度の画素、及び、第1感度の画素よりも感度が低い第2感度の画素を有する構成となっている。
測定対象物に対して光を照射する光源、及び、
測定対象物で反射された光を受光する受光装置を備える。
そして、受光装置は、
光子の受光に応じて信号を発生する受光部をそれぞれ含む複数の画素を有する画素アレイ部を備え、
画素アレイ部は、第1感度の画素、及び、第1感度の画素よりも感度が低い第2感度の画素を有する構成となっている。
1.本開示の受光装置及び測距装置、全般に関する説明
2.実施形態に係る測距装置
2-1.SPAD素子を用いた受光装置の基本構成
2-2.SPAD素子のデッドタイムDTについて
3.実施形態に係る受光装置
3-1.実施例1(受光面積を変える例)
3-2.実施例2(半導体層の厚みを変える例)
3-3.実施例3(エクセスバイアス電圧を変える例)
3-4.実施例4(実施例3の変形例:エクセスバイアス電圧を調整する例)
4.本開示に係る技術の適用例(移動体の例)
5.本開示がとることができる構成
本開示の受光装置及び測距装置にあっては、第1感度について、所定の光強度よりも弱い入射光を検出できる感度とすることができるし、第2感度について、所定の光量以下で飽和しない感度とすることができる。
図1は、本開示の一実施形態に係る測距装置を示す概略構成図である。本実施形態に係る測距装置1は、測定対象物である被写体10までの距離を測定する測定法として、被写体10に向けて照射した光(例えば、レーザ光)が、当該被写体10で反射されて戻ってくるまでの時間を測定するTOF(time of flight:飛行時間)法を採用している。TOF法による距離測定を実現するために、本実施形態に係る測距装置1は、光源20及び受光装置30を備えている。そして、受光装置30として、後述する本開示の一実施形態に係る受光装置を用いる。
SPAD素子を用いた受光装置30の基本的な画素回路の第1例を図3Aに示し、第2例を図3Bに示す。ここでは、1画素分の基本構成を図示している。
ここで、SPAD素子51の光子に反応できないデッドタイムDTについて、図5の波形図を用いてより具体的に説明する。上述したように、SPAD素子51には、カソード電圧VCAが電源電圧VDDまで回復する時間に起因して、光入射があっても反応できないデッドタイムDTが存在する。例えば、領域aでは、アバランシェ増倍が2回発生し、これに伴ってSPAD出力として2つのパルス信号が生成されるが、領域bでは、アバランシェ増倍が2回発生しているが、パルス信号の生成は1つである。
m=n・exp(-n・tdead)
デッドタイムDTの時間tdeadが長く、入射光量に対する理想応答回数nが多いほど、理論式との乖離が大きくなる。
そこで、本実施形態では、ダイナミックレンジの拡大を図るために、SPAD素子51をそれぞれ含む複数の画素を有する画素アレイ部を備える受光装置30において、画素アレイ部について、第1感度の画素(所謂、高感度画素)、及び、第1感度の画素よりも感度が低い第2感度の画素(所謂、低感度画素)を有する構成とする。これにより、弱い入射光に対して高感度画素が反応し、且つ、強い入射光に対して低感度画素が反応することになるため、ダイナミックレンジの拡大を図ることができる。
実施例1は、画素アレイ部内の画素のサイズを変えることによってダイナミックレンジの拡大を図る例である。実施例1に係る画素アレイ部の構成の概略を図8に示す。
実施例1については、以下の応用例とすることができる。
・応用例1
第1の画素61及び第2の画素62の各出力に対して、画素サイズに応じた重み付けを行い、その和を求めて光量判定を行うようすることができる。自動車などの移動体に搭載される測距装置、例えばLIDAR(Light Detection and Ranging、Laser Imaging Detection and Ranging)装置では、レーザ光が物体で反射して戻ってくるまでの時間を観測して、物体までの距離を計算する機能の他に、反射光の光量を把握して物体を認識する機能(例えば、道路の白線を認識する機能など)がある。このような機能では、反射光の光量の判定が必要になるため、その判定結果を用いて、第1の画素61及び第2の画素62の各出力に対して、画素サイズ(受光面積)によって重み付けを行い、その和で反射光の光量を判定するようにすることができる。
外乱光の大きさ(光量)によって、どちらかの画素サイズの画素のみ(第1の画素61/第2の画素62)を動作させるようにすることができる。自動車などの移動体に搭載される測距装置、例えばLIDAR装置では、レーザ光の発光を行う前に、非発光の状態で外乱光がどの程度あるのかを判定する準備モードがある。この準備モードでの判定結果を用いて、外乱光の大きさによって、画素サイズの大きい第1の画素61、及び、画素サイズの小さい第2の画素62のどちらを使用するか決めるようにすることができる。
画素サイズが相対的に大きい第1の画素61、及び、画素サイズが相対的に小さい第2の画素62を時系列で使い分けるようにすることができる。例えば、画素サイズの大きい第1の画素61、及び、画素サイズの小さい第2の画素62を交互に動作させたり、前回の評価結果に基づいて、画素サイズの大きい第1の画素61、及び、画素サイズの小さい第2の画素62のどちらを使用するか決めて使用するようにしたりすることができる。
実施例2は、画素の受光部の半導体層の厚みを変えることによってダイナミックレンジの拡大を図る例である。実施例2に係る画素アレイ部の構成の概略を図9Aに示し、受光部の断面構造を図9Bに示す。
実施例2については、実施例1との組み合わせで用いることもできる。すなわち、画素アレイ部60内に、n-ウェル72の厚みtが相対的に厚い第1の画素63、及び、n-ウェル72の厚みtが相対的に薄い第2の画素64に加えて、画素サイズが相対的に大きい第1の画素61、及び、画素サイズが相対的に小さい第2の画素62を有する受光装置30とすることもできる。
・応用例1
第1の画素63及び第2の画素64の各出力に対して、n-ウェル72の厚みtに応じた重み付けを行い、その和を求めて光量判定を行うようすることができる。具体例については、実施例1の応用例1と同じである。
.応用例2
外乱光の大きさ(光量)によって、どちらかのn-ウェル72の厚みtの画素のみ(第1の画素63/第2の画素64)を動作させるようにすることができる。具体例については、実施例1の応用例2と同じである。
・応用例3
n-ウェル72の厚みtが相対的に厚い第1の画素63、及び、n-ウェル72の厚みtが相対的に薄い第2の画素64を時系列で使い分けるようにすることができる。具体例については、実施例1の応用例3と同じである。
実施例3は、画素の受光部、即ち、SPAD素子のエクセスバイアス電圧VEXを変えることによってダイナミックレンジの拡大を図る例である。エクセスバイアス電圧VEXは、SPAD素子に印加するブレークダウン電圧VBD以上の過剰電圧である。実施例3に係る画素アレイ部の構成の概略を図10Aに示し、エクセスバイアス電圧VEXと、感度の指標となる確率PDEとの関係を図10Bに示す。
実施例3については、実施例1との組み合わせ、実施例2との組み合わせ、あるいは、実施例1及び実施例2との組み合わせで用いることもできる。すなわち、画素アレイ部60内に、エクセスバイアス電圧VEXが相対的に高い第1の画素65、及び、エクセスバイアス電圧VEXが相対的に低い第2の画素66に加えて、画素サイズが相対的に大きい第1の画素61、及び、画素サイズが相対的に小さい第2の画素62を有する受光装置30とすることもできる。
・応用例1
第1の画素65及び第2の画素66の各出力に対して、エクセスバイアス電圧VEXに応じた重み付けを行い、その和を求めて光量判定を行うようすることができる。具体例については、実施例1の応用例1と同じである。
.応用例2
外乱光の大きさ(光量)によって、どちらかのエクセスバイアス電圧VEXの画素のみ(第1の画素65/第2の画素66)を動作させるようにすることができる。具体例については、実施例1の応用例2と同じである。
・応用例3
エクセスバイアス電圧VEXが相対的に高い第1の画素65、及び、エクセスバイアス電圧VEXが相対的に低い第2の画素66を時系列で使い分けるようにすることができる。具体例については、実施例1の応用例3と同じである。
実施例4は、実施例3の変形例であり、外乱光の大きさ(光量)に応じてエクセスバイアス電圧VEXの電圧値の大きさを調整する例である。実施例4に係る受光装置の構成の概略を図12に示す。
本開示に係る技術は、様々な製品に適用することができる。以下に、より具体的な適用例について説明する。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット、建設機械、農業機械(トラクター)などのいずれかの種類の移動体に搭載される測距装置として実現されてもよい。
図13は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システム7000の概略的な構成例を示すブロック図である。車両制御システム7000は、通信ネットワーク7010を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図13に示した例では、車両制御システム7000は、駆動系制御ユニット7100、ボディ系制御ユニット7200、バッテリ制御ユニット7300、車外情報検出ユニット7400、車内情報検出ユニット7500、及び統合制御ユニット7600を備える。これらの複数の制御ユニットを接続する通信ネットワーク7010は、例えば、CAN(Controller Area Network)、LIN(Local Interconnect Network)、LAN(Local Area Network)又はFlexRay(登録商標)等の任意の規格に準拠した車載通信ネットワークであってよい。
本開示は、以下のような構成をとることもできる。
[A-1]光子の受光に応じて信号を発生する受光部をそれぞれ含む複数の画素を有する画素アレイ部を備え、
画素アレイ部は、第1感度の画素、及び、第1感度の画素よりも感度が低い第2感度の画素を有する、
受光装置。
[A-2]第1感度は、所定の光強度よりも弱い入射光を検出できる感度であり、
第2感度は、所定の光量以下で飽和しない感度である、
上記[A-1]に記載の受光装置。
[A-3]第1感度の画素は、第2感度の画素よりも受光面積が広い、
上記[A-2]に記載の受光装置。
[A-4]第1感度の画素は、第2感度の画素よりも受光部の半導体層の厚みが厚い、
上記[A-2]に記載の受光装置。
[A-5]第1感度の画素は、第2感度の画素よりもエクセスバイアス電圧の電圧値が高い、
上記[A-2]に記載の受光装置。
[A-6]エクセスバイアス電圧の電圧値は、受光部のアノード電極に印加するアノード電圧の電圧値によって設定される、
上記[A-5]に記載の受光装置。
[A-7]外乱光の大きさに応じて、アノード電圧の電圧値を設定する、
上記[A-6]に記載の受光装置。
[A-8]受光部は、単一光子アバランシェダイオードから成る、
上記[A-1]乃至上記[A-7]のいずれかに記載の受光装置。
[B-1]測定対象物に対して光を照射する光源、及び、
測定対象物で反射された光を受光する受光装置を備え、
受光装置は、
光子の受光に応じて信号を発生する受光部をそれぞれ含む複数の画素を有する画素アレイ部を備え、
画素アレイ部は、第1感度の画素、及び、第1感度の画素よりも感度が低い第2感度の画素を有する、
測距装置。
[B-2]第1感度は、所定の光強度よりも弱い入射光を検出できる感度であり、
第2感度は、所定の光量以下で飽和しない感度である、
上記[B-1]に記載の測距装置。
[B-3]第1感度の画素は、第2感度の画素よりも受光面積が広い、
上記[B-2]に記載の測距装置。
[B-4]第1感度の画素は、第2感度の画素よりも受光部の半導体層の厚みが厚い、
上記[B-2]に記載の測距装置。
[B-5]第1感度の画素は、第2感度の画素よりもエクセスバイアス電圧の電圧値が高い、
上記[B-2]に記載の測距装置。
[B-6]エクセスバイアス電圧の電圧値は、受光部のアノード電極に印加するアノード電圧の電圧値によって設定される、
上記[B-5]に記載の測距装置。
[B-7]外乱光の大きさに応じて、アノード電圧の電圧値を設定する、
上記[B-6]に記載の測距装置。
[B-8]受光部は、単一光子アバランシェダイオードから成る、
上記[B-1]乃至上記[B-7]のいずれかに記載の測距装置。
Claims (11)
- 光子の検出に応じて信号を生成するように構成された単一の受光素子をそれぞれ含む複数の画素を有する画素アレイ部を備え、
複数の画素は、第1の光子を検出する第1感度を有する第1の画素、第2の光子を検出する第2感度を有する第2の画素、第3の光子を検出する第3の感度を有する第3の画素、及び第4の光子を検出する第4の感度を有すると共に第n行のうち第1の画素の列の隣の列に配置された第4の画素、を含み、
第1の画素の受光面積は、第2の画素の受光面積および第3の画素の受光面積の各々よりも広く、
第2の感度、第3の感度及び第4の感度の各々は第1の感度よりも低く、
第1の画素、第2の画素、および第3の画素は、画素アレイ部の同じ列に配置され、
第1の画素は第n行目、第2の画素は第n+1行目、第3の画素は第n-1行目に配置されている
受光装置。 - 第1の画素の動作または第2の画素の動作は、周囲光の強度に応じて切り替わるように構成される
請求項1に記載の受光装置。 - 第1の画素における受光素子の半導体層の厚さは、第2の画素における受光素子の半導体層の厚さよりも厚い
請求項1に記載の受光装置。 - 少なくとも1つの電圧源をさらに備え、
電圧源は、第1のエクセスバイアス電圧を第1の画素に供給すると共に第2のエクセスバイアス電圧を第2の画素に供給するように構成され、
第1のエクセスバイアス電圧は第2のエクセスバイアス電圧よりも高い
請求項1に記載の受光装置。 - 第1のエクセスバイアス電圧は、第1の画素内の受光素子のアノード電極に印加するアノード電圧によって設定される
請求項4に記載の受光装置。 - 外乱光の強度を検出するように構成された外乱光検出部をさらに備え、
アノード電圧は、外乱光の光量に応じて設定される
請求項5に記載の受光装置。 - 受光素子は、単一光子アバランシェダイオードを含む
請求項1に記載の受光装置。 - 請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の受光装置を備える車両制御システム。
- 測定対象物に対して光を照射する光源と、
測定対象物によって反射された光を受信する受光装置と
を備え、
受光装置は、少なくとも1つの光子の受光に応じて信号を発生する単一の受光素子をそれぞれ含む複数の画素を有する画素アレイ部を備え、
画素アレイ部は、第1の光子を検出する第1の感度を有する第1の画素、第2の光子を検出する第2感度を有する第2の画素、第3の光子を検出する第3の感度を有する第3の画素、及び第4の光子を検出する第4の感度を有すると共に第n行のうち第1の画素の列の隣の列に配置された第4の画素、を含み、
第1の画素の受光面積は、第2の画素の受光面積および第3の画素の受光面積の各々よりも広く、
第2の感度、第3の感度及び第4の感度の各々は第1の感度よりも低く、
第1の画素、第2の画素、および第3の画素は、画素アレイ部の同じ列に配置され、
第1の画素は第n行目、第2の画素は第n+1行目、第3の画素は第n-1行目に配置されている
測距装置。 - 第1の画素における受光素子の半導体層の厚さは、第2の画素における受光素子の半導体層の厚さよりも厚い
請求項9に記載の測距装置。 - 少なくとも1つの電圧源をさらに備え、
電圧源は、第1のエクセスバイアス電圧を第1の画素に供給すると共に第2のエクセスバイアス電圧を第2の画素に供給するように構成され、
第1のエクセスバイアス電圧は第2のエクセスバイアス電圧よりも高い
請求項9に記載の測距装置。
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JP2021089962A (ja) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光装置及び受光装置の制御方法、並びに、測距装置 |
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WO2021246107A1 (ja) * | 2020-06-05 | 2021-12-09 | ソニーグループ株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法および移動体 |
JP2022015925A (ja) * | 2020-07-10 | 2022-01-21 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びその駆動方法 |
CN114167431A (zh) * | 2020-08-21 | 2022-03-11 | 上海禾赛科技有限公司 | 利用激光雷达探测的方法以及激光雷达 |
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WO2022124019A1 (ja) * | 2020-12-10 | 2022-06-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | フォトディテクタ、フォトディテクタアレイおよび距離測定システム |
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JP2022168740A (ja) * | 2021-04-26 | 2022-11-08 | キヤノン株式会社 | 投光ユニットおよびそれを用いた測距装置 |
JP2022168739A (ja) | 2021-04-26 | 2022-11-08 | キヤノン株式会社 | 測距装置および計測ユニット |
JP2022168741A (ja) * | 2021-04-26 | 2022-11-08 | キヤノン株式会社 | 受光装置および測距装置 |
US11784196B2 (en) * | 2021-05-04 | 2023-10-10 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Trenchless single-photon avalanche diodes |
KR20230103524A (ko) * | 2021-12-31 | 2023-07-07 | 한국과학기술연구원 | 단일 광자 검출 픽셀 및 이를 포함하는 단일 광자 검출 픽셀 어레이 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006253876A (ja) | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Sony Corp | 物理量分布検知装置および物理量分布検知装置の駆動方法 |
JP2007288522A (ja) | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Fujifilm Corp | 撮像装置及び固体撮像素子駆動方法 |
JP2008084962A (ja) | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US20110164132A1 (en) | 2010-01-06 | 2011-07-07 | Mesa Imaging Ag | Demodulation Sensor with Separate Pixel and Storage Arrays |
US20120249998A1 (en) | 2009-09-11 | 2012-10-04 | Robert Bosch Gmbh | Optical Distance Measuring Device |
JP2014081254A (ja) | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Toyota Central R&D Labs Inc | 光学的測距装置 |
US20150357360A1 (en) | 2014-06-10 | 2015-12-10 | Hui Tian | Layout and operation of pixels for image sensors |
JP2017108380A (ja) | 2015-12-03 | 2017-06-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
WO2017138370A1 (ja) | 2016-02-09 | 2017-08-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
US20170366726A1 (en) | 2016-06-17 | 2017-12-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging apparatus including light source that emits pulsed light, image sensor, and control circuit |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7674648B2 (en) * | 2007-03-21 | 2010-03-09 | Eastman Kodak Company | Extended dynamic range using variable sensitivity pixels |
JP5553707B2 (ja) * | 2009-08-21 | 2014-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光検出装置 |
JP2016103708A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 株式会社ソシオネクスト | 撮像装置および撮像方法 |
WO2018181978A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 株式会社デンソー | 光検出器 |
CN107607960A (zh) * | 2017-10-19 | 2018-01-19 | 深圳市欢创科技有限公司 | 一种光学测距的方法及装置 |
CN114942454A (zh) * | 2019-03-08 | 2022-08-26 | 欧司朗股份有限公司 | 用于lidar传感器系统的光学封装以及lidar传感器系统 |
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006253876A (ja) | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Sony Corp | 物理量分布検知装置および物理量分布検知装置の駆動方法 |
JP2007288522A (ja) | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Fujifilm Corp | 撮像装置及び固体撮像素子駆動方法 |
JP2008084962A (ja) | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US20120249998A1 (en) | 2009-09-11 | 2012-10-04 | Robert Bosch Gmbh | Optical Distance Measuring Device |
US20110164132A1 (en) | 2010-01-06 | 2011-07-07 | Mesa Imaging Ag | Demodulation Sensor with Separate Pixel and Storage Arrays |
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WO2017138370A1 (ja) | 2016-02-09 | 2017-08-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
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