JP2019190892A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 光子の検出に応じて信号を生成するように構成された受光素子をそれぞれ含む複数の画素を有する画素アレイ部を備え、
   複数の画素は、第１の光子を検出する第１感度を有する第１の画素、及び、第２の光子を検出する第２感度を有する第２の画素を含み、
   第２の感度は第１の感度よりも低い
   受光装置。
2. 第１の画素の受光面積は、第２の画素の受光面積よりも広い
   請求項１に記載の受光装置。
3. 第１の画素および第２の画素は、画素アレイ部の同じ行に存在する
   請求項２に記載の受光装置。
4. 第１の画素および第２の画素は、画素アレイ部の同じ列に存在する
   請求項２に記載の受光装置。
5. 複数の画素は、第３の光子を検出する第３の感度を有する第３の画素をさらに含み、
   第３の感度は、第１の感度よりも低い、
   請求項２に記載の受光装置。
6. 第１の画素は、第２の画素と第３の画素との間に設けられている
   請求項５に記載の受光装置。
7. 第１の画素の動作または第２の画素の動作は、周囲光の強度に応じて切り替わるように構成される
   請求項２に記載の受光装置。
8. 第１の画素における受光素子の半導体層の厚さは、第２の画素における受光素子の半導体層の厚さよりも厚い
   請求項１に記載の受光装置。
9. 少なくとも１つの電圧源をさらに備え、
   電圧源は、第１のエクセスバイアス電圧を第１の画素に供給すると共に第２のエクセスバイアス電圧を第２の画素に供給するように構成され、
   第１のエクセスバイアス電圧は第２のエクセスバイアス電圧よりも高い
   請求項１に記載の受光装置。
10. 第１のエクセスバイアス電圧は、第１の画素内の受光素子のアノード電極に印加するアノード電圧によって設定される
    請求項９に記載の受光装置。
11. 外乱光の強度を検出するように構成された外乱光検出部をさらに備え、
    アノード電圧は、外乱光の光量に応じて設定される
    請求項１０に記載の受光装置。
12. 受光素子は、単一光子アバランシェダイオードを含む
    請求項１に記載の受光装置。
13. 受光素子は、車両に搭載される
    請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の受光装置。
14. 測定対象物に対して光を照射する光源と、
    測定対象物によって反射された光を受信する受光装置と
    を備え、
    受光装置は、少なくとも１つの光子の受光に応じて信号を発生する受光素子をそれぞれ含む複数の画素を有する画素アレイ部を備え、
    画素アレイ部は、第１の光子を検出する第１の感度を有する第１の画素、及び、第２の光子を検出する第２感度を有する第２の画素を含み、
    第２の感度は第１の感度よりも低い
    測距装置。
15. 第１の画素の受光面積は、第２の画素の受光面積よりも広い
    請求項１４に記載の測距装置。
16. 第１の画素および第２の画素は、画素アレイ部の同じ行に存在する
    請求項１５に記載の測距装置。
17. 複数の画素は、第３の光子を検出する第３の感度を有する第３の画素をさらに含み、
    第３の感度は、第１の感度よりも低い、
    請求項１５に記載の測距装置。
18. 第１の画素は、第２の画素と第３の画素との間に設けられている
    請求項１７に記載の測距装置。
19. 第１の画素における受光素子の半導体層の厚さは、第２の画素における受光素子の半導体層の厚さよりも厚い
    請求項１４に記載の測距装置。
20. 少なくとも１つの電圧源をさらに備え、
    電圧源は、第１のエクセスバイアス電圧を第１の画素に供給すると共に第２のエクセスバイアス電圧を第２の画素に供給するように構成され、
    第１のエクセスバイアス電圧は第２のエクセスバイアス電圧よりも高い
    請求項１４に記載の測距装置。