JP2017050853A5 - イベント基盤センサ - Google Patents

Description

本発明は、イベント基盤センサに関する。

本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、動的視覚センサ（ＤＶＳ：Ｄｙｎａｍｉｃ Ｖｉｓｉｏｎ Ｓｅｎｓｏｒ）を用いることでピクセルサイズを減少させるイベント基盤センサを提供することにある。

Claims (20)

1. 複数のピクセルを含むピクセルアレイと、
   前記複数のピクセルのうちの一部を選択する選択モジュールと、
   前記選択されたピクセルの一部の出力信号に基づいて、前記選択されたピクセルのうちのイベントを検出した活性ピクセルを示すイベント信号を生成するイベントモジュールと、
   前記イベント信号に基づいて、前記活性ピクセルを示す情報を出力する出力モジュールと、を備えることを特徴とするイベント基盤センサ。
2. 前記イベントは、光の強度が変化するイベントを含むことを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
3. 前記イベント信号は、前記活性ピクセルのアドレスを含むことを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
4. 前記複数のピクセルのそれぞれは、前記選択モジュールの選択信号に反応して光の強度の変化量を示す出力信号を出力することを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
5. 前記イベント信号に基づいて、前記活性ピクセルをリセットするリセットモジュールを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
6. 前記リセットモジュールは、前記イベント信号に反応して前記活性ピクセルにリセット信号を印加することを特徴とする請求項５に記載のイベント基盤センサ。
7. 前記ピクセルアレイは、２次元行列の構造を有し、
   前記選択モジュールは、予め設定された周期に応じて前記２次元行列の構造に含まれる複数の行を順次選択することを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
8. 前記イベントモジュールは
   前記イベント信号を生成するために前記出力信号のうちの１つの出力信号と基準信号とを比較する比較器と、
   前記出力信号の大きさを測定するアナログ・デジタルコンバータと、を含むことを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
9. 前記イベントモジュールは、
   前記イベント信号を生成するために複数の基準信号と前記出力信号のうちの１つの出力信号とを比較する低解像度アナログ・デジタルコンバータと、
   前記出力信号の大きさを測定する高解像度アナログ・デジタルコンバータと、を含むことを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
10. 前記ピクセルアレイは、２次元行列の構造を有し、
    前記イベントモジュールは、前記２次元行列の構造に含まれる複数の列に対応する複数のサブイベントモジュールを含むことを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
11. 前記出力モジュールは、複数のサブ出力モジュールを含み、
    前記複数のサブ出力モジュールのそれぞれは、前記複数のサブイベントモジュールに対応するそれぞれのサブイベントモジュールに接続されることを特徴とする請求項１０に記載のイベント基盤センサ。
12. 前記イベントモジュールは、
    前記活性ピクセルが光の強度が増加する第１類型のイベントを検出した場合、第１イベント信号を生成し、
    前記活性ピクセルが光の強度が減少する第２類型のイベントを検出した場合、第２イベント信号を生成することを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
13. 前記複数のピクセルのそれぞれは、
    光の強度を検出して前記検出された光の強度を示す第１電圧を生成する検出回路と、
    前記第１電圧に基づいて、前記光の強度の変化量を示す第２電圧を生成する時変回路と、
    前記複数のピクセルのうちの１つに対応するピクセルを選択する前記選択モジュールの選択信号に反応して前記第２電圧の大きさと同一の大きさの第３電圧を出力するバッファ回路と、を含むことを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
14. 前記検出回路は、
    前記複数のピクセルのうちの１つに対応して入射される光の強度を検出するフォトダイオードと、
    前記第１電圧の大きさが前記検出された光の強度に線形に比例するように前記フォトダイオードの出力を増幅する増幅器と、を含むことを特徴とする請求項１３に記載のイベント基盤センサ。
15. 前記時変回路は、前記検出回路に直列に接続されたキャパシタを含むことを特徴とする請求項１３に記載のイベント基盤センサ。
16. 前記時変回路は、前記第１電圧の変化によって前記キャパシタに充電された電荷量を予め設定された比率で増幅する第２増幅器を更に含むことを特徴とする請求項１５に記載のイベント基盤センサ。
17. 前記時変回路は、前記複数のピクセルのうちの１つに対応するピクセルを選択する前記選択モジュールの選択信号と前記イベント信号に反応して生成されたリセット信号とに基づいて、前記キャパシタに充電された電荷量をリセットするスイッチを更に含むことを特徴とする請求項１５に記載のイベント基盤センサ。
18. 前記バッファ回路は、
    前記第２電圧に基づいて前記第３電圧を生成するソースフォロアーと、
    前記複数のピクセルのうちの１つに対応するピクセルを選択する前記選択モジュールの選択信号に反応して前記第３電圧を出力するトランジスタと、を含むことを特徴とする請求項１３に記載のイベント基盤センサ。
19. 電圧降下を補償した基準信号を前記イベントモジュールに提供する基準信号提供モジュールを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
20. 前記ピクセルアレイは、２次元行列の構造を有し、
    前記基準信号提供モジュールは、前記２次元行列の構造に含まれる複数の行に対応する複数の複製ピクセルを含み、
    前記複数の複製ピクセルのそれぞれは、前記複数の複製ピクセルのうちの１つに対応する複製ピクセルを選択する前記選択モジュールの選択信号に反応して基準信号を出力することを特徴とする請求項１９に記載のイベント基盤センサ。