JP5988735B2 - 放射線撮像装置の制御方法、放射線撮像装置、及び、放射線撮像システム - Google Patents
放射線撮像装置の制御方法、放射線撮像装置、及び、放射線撮像システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5988735B2 JP5988735B2 JP2012152392A JP2012152392A JP5988735B2 JP 5988735 B2 JP5988735 B2 JP 5988735B2 JP 2012152392 A JP2012152392 A JP 2012152392A JP 2012152392 A JP2012152392 A JP 2012152392A JP 5988735 B2 JP5988735 B2 JP 5988735B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- signal
- pixels
- unit
- drive circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 286
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 166
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 35
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 claims 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 60
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/17—Circuit arrangements not adapted to a particular type of detector
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/32—Transforming X-rays
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/42—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis
- A61B6/4208—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis characterised by using a particular type of detector
- A61B6/4258—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis characterised by using a particular type of detector for detecting non x-ray radiation, e.g. gamma radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/74—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/779—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
まず、図1(a)を用いて、放射線撮像システム及び放射線撮像装置について説明する。図1(a)は、放射線撮像装置及び放射線撮像システムを説明するための模式的等価回路図である。
次に、図6(a)及び図6(b)を用いて、第2の実施形態における放射線の曝射の検知とそれに基づく動作及び制御を説明する。ここで、図6(a)は、第2の実施形態に係る放射線撮像装置及び放射線撮像システムの動作を説明するためのフローチャートであり、図6(b)は、終了閾値Sth’を算出するための更なる動作を説明するためのタイミングチャートである。なお、第1の実施形態で説明した構成及び工程と同じものは同じ番号を付与してあり、詳細な説明は割愛する。
101 画素アレイ
102 駆動回路
103 読出回路
104 A/D変換器
105 デジタル信号処理部
106 信号処理部
107 電源部
108 制御部
110 検知回路
120 演算部
P 画素
S 変換素子
T スイッチ素子
G 制御配線
Sig 信号配線
Vs バイアス配線
Claims (20)
- 各々が変換素子とスイッチ素子とを含んで放射線発生装置から出射された放射線を電気信号に変換する複数の画素が行列状に配置された画素アレイと、前記スイッチ素子の導通状態と非導通状態とを制御する駆動信号を前記複数の画素の前記スイッチ素子に供給する駆動回路と、前記電気信号に基づく画像信号を読み出す読出回路と、前記画素アレイへの放射線の照射を検知するために前記画素アレイへの放射線の照射の強度に応じて変動する信号である検知信号を出力する検知部と、を含む放射線撮像装置の制御方法であって、
前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって行単位で順次に前記導通状態とされている前記画素アレイへ放射線が照射されていない期間に前記検知部から出力される前記検知信号と、前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって行単位で順次に前記導通状態とされている前記画素アレイに放射線が照射されている期間に前記検知部から出力される前記検知信号と、に基づいて、前記画素アレイへの放射線の照射の開始を検知するための閾値である開始閾値を算出する第1モードと、
前記第1モードの後に、前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって行単位で順次に前記導通状態とされている期間に前記検知部から出力される前記検知信号の値と前記開始閾値とを比較して前記検知信号の値が前記開始閾値を上回った場合に、前記複数の画素の前記スイッチ素子を前記駆動回路が前記非導通状態とする第2モードと、
を含む放射線撮像装置の制御方法。 - 前記放射線撮像装置は、前記開始閾値を記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶された前記開始閾値と前記検知信号の値とを比較する比較部と、を含み、
前記第1モードは、前記記憶部が前記開始閾値を記憶する第1工程を含み、
前記第2モードは、の比較により、前記第1モードの後に前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって行単位で順次に前記導通状態とされている期間に前記検知部から出力される前記検知信号の値と前記記憶部に記憶された前記開始閾値とを前記比較部が比較して前記検知信号の値が前記開始閾値を上回った場合に、前記比較部が前記放射線の照射の開始を規定する信号を生成する第2工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像装置の制御方法。 - 前記開始閾値は、前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって行単位で順次に前記導通状態とされている前記画素アレイへ放射線が照射されていない期間に前記検知部から出力される前記検知信号の最大値と、前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって行単位で順次に前記導通状態とされている前記画素アレイに放射線が照射されている期間に前記検知部から出力される前記検知信号の最小値と、の間の値であることを特徴とする請求項2に記載の放射線撮像装置の制御方法。
- 前記開始閾値は、前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって行単位で順次に前記導通状態とされている前記画素アレイへ放射線が照射されていない期間に前記検知部から出力される前記検知信号を、前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって行単位で順次に前記導通状態とされている前記画素アレイに放射線が照射されている期間に前記検知部から出力される前記検知信号と位相を合わせて差分処理することにより得られる信号の最大値又は変曲点と、前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって行単位で順次に前記導通状態とされている前記画素アレイへ放射線が照射されていない期間に前記検知部から出力される前記検知信号の最大値と、の間の値であることを特徴とする請求項2に記載の放射線撮像装置の制御方法。
- 前記複数の画素の前記スイッチ素子を前記駆動回路が前記非導通状態としている前記画素アレイへ放射線が照射されている期間に前記検知部から出力される前記検知信号に基づいて前記画素アレイへの放射線の照射の終了を検知するための閾値である終了閾値を更に算出し、
前記記憶部が前記終了閾値を更に記憶し、
前記第2工程において、前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって行単位で順次に前記導通状態とされている期間に前記検知部から出力される前記検知信号の値と前記記憶部に記憶された前記終了閾値とを前記比較部が比較して前記検知信号の値が前記終了閾値を下回った場合に、前記比較部が前記放射線の照射の終了を規定する信号を生成することを特徴とする請求項2から4のいずれか1項に記載の放射線撮像装置の制御方法。 - 前記第2工程において放射線の照射の終了が規定されてから所定の時間を経過した後に、前記駆動回路が前記複数の画素の前記スイッチ素子を行単位で順次に前記導通状態し、
前記所定の時間は、前記第1モードの前記検知信号に基づいて算出されることを特徴とする請求項5に記載の放射線撮像装置の制御方法。 - 前記終了閾値が、前記開始閾値よりも小さいことを特徴とする請求項5又は6に記載の放射線撮像装置の制御方法。
- 前記放射線発生装置は、前記第1モードにおいて、複数の照射条件で放射線を出射し、
前記第1工程は、前記複数の照射条件に応じて算出した複数の前記開始閾値を、前記記憶部が前記複数の照射条件と関連づけて記憶し、
前記第2工程は、前記比較部が、前記複数の前記開始閾値から前記第2モードにおいて前記画素アレイへ照射される放射線の照射条件に応じた開始閾値を選定し、当該選定された開始閾値に基づいて放射線の照射の開始を規定する信号を生成することを特徴とする請求項2から7のいずれか1項に記載の放射線撮像装置の制御方法。 - 前記第1工程は、複数の前記放射線発生装置に応じて算出した複数の前記開始閾値を、前記記憶部が前記複数の前記放射線発生装置と関連づけて記憶し、
前記第2工程は、前記比較部が、前記複数の前記開始閾値から前記複数の前記放射線発生装置のうち前記第2モードにおいて使用された放射線発生装置に応じた開始閾値を選定し、当該選定された開始閾値に基づいて放射線の照射の開始を規定する信号を生成することを特徴とする請求項2から8のいずれか1項に記載の放射線撮像装置の制御方法。 - 各々が変換素子とスイッチ素子とを含んで放射線発生装置から出射された放射線を電気信号に変換する複数の画素が行列状に配置された画素アレイと、
前記スイッチ素子の導通状態と非導通状態とを制御する駆動信号を前記複数の画素の前記スイッチ素子に供給する駆動回路と、
前記画素アレイへの放射線の照射を検知するために前記画素アレイへの放射線の照射の強度に応じて変動する信号である検知信号を出力する検知部と、
前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって行単位で順次に前記導通状態とされている前記画素アレイへ放射線が照射されていない期間に前記検知部から出力される前記検知信号と、前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって行単位で順次に前記導通状態とされている前記画素アレイへ放射線が照射されている期間に前記検知部から出力される前記検知信号と、に基づいて、放射線の照射の開始を検知するための閾値である開始閾値を算出するための演算処理を行う演算部と、
を含むことを特徴とする放射線撮像装置。 - 前記電気信号に基づく画像信号を読み出す読出回路と、
前記駆動回路、前記読出回路、及び、前記演算部を制御する制御部と、を更に有し、
前記制御部は、前記算出部が前記開始閾値を算出する第1モードと、放射線が照射された前記画素アレイの前記複数の画素の前記スイッチ素子を前記駆動回路が行単位で順次に前記導通状態とすることによって前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記電気信号を転送し、当該転送された前記電気信号に基づく前記画像信号を前記読出回路が読み出す第2モードと、を切り替えるように、前記駆動回路、前記読出回路、及び、前記演算部を制御することを特徴とする請求項10に記載の放射線撮像装置。 - 前記演算部は、前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって行単位で順次に前記導通状態とされている前記画素アレイへ放射線が照射されていない期間に前記検知部から出力される前記検知信号と、前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって行単位で順次に前記導通状態とされている前記画素アレイに放射線が照射されている期間に前記検知部から出力された前記検知信号と、に基づいて、放射線の照射の開始を検知するための閾値である開始閾値を算出する算出部と、前記算出部から出力された前記開始閾値を記憶する記憶部と、前記第2モードにおいて前記検知部から出力される前記検知信号の値と前記記憶部に記憶された前記開始閾値とを比較して、前記制御部に前記放射線の照射の開始を規定する信号を出力する比較部と、を含むことを特徴とする請求項11に記載の放射線撮像装置。
- 前記算出部は、前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって行単位で順次に前記導通状態とされている前記画素アレイへ放射線が照射されていない期間に前記検知部から出力される前記検知信号の最大値と、前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって行単位で順次に前記導通状態とされている前記画素アレイに放射線が照射されている期間に前記検知部から出力される前記検知信号の最小値と、の間に設定された前記開始閾値を算出することを特徴とする請求項12に記載の放射線撮像装置。
- 前記算出部は、前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって行単位で順次に前記導通状態とされている前記画素アレイへ放射線が照射されていない期間に前記検知部から出力される前記検知信号を、前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって行単位で順次に前記導通状態とされている前記画素アレイに放射線が照射されている期間に前記検知部から出力される前記検知信号と位相を合わせて差分処理することにより得られる信号の最大値又は変曲点と、前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって行単位で順次に前記導通状態とされている前記画素アレイへ放射線が照射されていない期間に前記検知部から出力される前記検知信号の最大値と、の間に設定された前記開始閾値を算出することを特徴とする請求項12に記載の放射線撮像装置。
- 前記比較部は、前記検知部から出力される前記検知信号の値が前記開始閾値を上回った場合に前記制御部に放射線の照射の開始を規定する信号を出力し、
前記制御部は、前記第2モードにおいて、放射線の照射の開始を規定する信号を前記比較部から受けて、前記複数の画素の前記スイッチ素子を行単位で順次に前記導通状態としている前記駆動回路が、前記複数の画素の前記スイッチ素子を非導通状態に維持するように、前記駆動回路を制御することを特徴とする請求項12から14のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。 - 前記演算部は、前記複数の画素の前記スイッチ素子が前記駆動回路によって前記非導通状態とされている前記画素アレイへ放射線が照射されている期間に前記検知部から出力される前記検知信号に基づいて、放射線の照射の終了を検知するための閾値である終了閾値を更に算出するための演算処理を行うことを特徴とする請求項10から15のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
- 前記終了閾値が、前記開始閾値よりも小さいことを特徴とする請求項16に記載の放射線撮像装置。
- 前記放射線発生装置は、複数の照射条件で放射線を出射することが可能であり、
前記算出部は、前記第1モードにおいて前記複数の照射条件に応じて複数の前記開始閾値を算出し、
前記記憶部は、前記複数の照射条件と関連づけて前記複数の前記開始閾値を記憶し、
前記比較部は、前記第2モードにおいて設定された照射条件に応じて前記記憶部に記憶された前記複数の前記開始閾値から選定された開始閾値に基づいて、放射線の照射の開始を規定することを特徴とする請求項12から17のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。 - 前記算出部は、前記第1モードにおいて複数の前記放射線発生装置に応じて複数の前記開始閾値を算出し、
前記記憶部は、前記複数の前記放射線発生装置と関連づけて前記複数の前記開始閾値を記憶し、
前記比較部は、前記複数の前記放射線発生装置のうち前記第2モードにおいて使用された放射線発生装置に応じて前記記憶部に記憶された前記複数の前記開始閾値から選定された開始閾値に基づいて、放射線の照射の開始を規定することを特徴とする請求項12から18のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。 - 請求項10から19のいずれか1項に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線発生装置と、
を含む放射線撮像システム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012152392A JP5988735B2 (ja) | 2012-07-06 | 2012-07-06 | 放射線撮像装置の制御方法、放射線撮像装置、及び、放射線撮像システム |
US13/934,430 US9329280B2 (en) | 2012-07-06 | 2013-07-03 | Method for controlling radiation image pickup apparatus, radiation image pickup apparatus, and radiation image pickup system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012152392A JP5988735B2 (ja) | 2012-07-06 | 2012-07-06 | 放射線撮像装置の制御方法、放射線撮像装置、及び、放射線撮像システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014017593A JP2014017593A (ja) | 2014-01-30 |
JP5988735B2 true JP5988735B2 (ja) | 2016-09-07 |
Family
ID=49877815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012152392A Active JP5988735B2 (ja) | 2012-07-06 | 2012-07-06 | 放射線撮像装置の制御方法、放射線撮像装置、及び、放射線撮像システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9329280B2 (ja) |
JP (1) | JP5988735B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5933847B2 (ja) * | 2012-10-26 | 2016-06-15 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | Mriシステムおよび非mrイメージング・システムを有する複合システムにおける干渉削減 |
TWI682632B (zh) | 2014-12-26 | 2020-01-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
CN112640305B (zh) * | 2018-09-04 | 2024-07-26 | 索尼半导体解决方案公司 | 可变电容电路和无线通信装置 |
JP6600403B2 (ja) * | 2018-11-02 | 2019-10-30 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、その制御方法、放射線撮影装置、およびプログラム |
JP7319809B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-08-02 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、その制御方法及び放射線撮像システム |
JP7319825B2 (ja) * | 2019-05-17 | 2023-08-02 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU7944394A (en) * | 1993-10-20 | 1995-05-08 | Cambridge Imaging Limited | Improved imaging method and apparatus |
GB9515762D0 (en) * | 1995-08-01 | 1995-10-04 | Eev Ltd | Imaging apparatus |
JP2007151761A (ja) | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Canon Inc | 放射線撮像装置、システム及び方法、並びにプログラム |
WO2011086826A1 (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-21 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
JP2011185622A (ja) | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像撮影装置 |
JP2011196689A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像撮影装置 |
JP5737286B2 (ja) * | 2010-04-30 | 2015-06-17 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
JP5508340B2 (ja) * | 2011-05-30 | 2014-05-28 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出装置及び放射線画像検出装置の制御方法 |
US9239391B2 (en) * | 2011-08-12 | 2016-01-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for distinguishing energy bands of photons in multi-energy radiation |
-
2012
- 2012-07-06 JP JP2012152392A patent/JP5988735B2/ja active Active
-
2013
- 2013-07-03 US US13/934,430 patent/US9329280B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140008544A1 (en) | 2014-01-09 |
US9329280B2 (en) | 2016-05-03 |
JP2014017593A (ja) | 2014-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6391388B2 (ja) | 放射線撮像装置 | |
RU2627929C2 (ru) | Устройство визуализации излучения и система обнаружения излучения | |
JP6525579B2 (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
US10009990B2 (en) | Imaging apparatus, control method therefor, and imaging system | |
JP5950840B2 (ja) | 放射線撮像装置及び撮像システム | |
JP5721405B2 (ja) | 撮像システム、その制御方法及びプログラム | |
JP6572025B2 (ja) | 放射線撮像装置及びその制御方法 | |
JP6555909B2 (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
JP5988735B2 (ja) | 放射線撮像装置の制御方法、放射線撮像装置、及び、放射線撮像システム | |
CN103654807B (zh) | 放射线成像装置和放射线成像系统 | |
US20140361189A1 (en) | Radiation imaging system | |
US9360562B2 (en) | Radiation imaging apparatus and radiation imaging system | |
JP5460276B2 (ja) | 撮像装置及び撮像システム | |
WO2019022017A1 (ja) | 放射線撮像装置 | |
JP6164798B2 (ja) | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、及び、放射線撮像装置の制御方法 | |
US20140320685A1 (en) | Imaging apparatus and imaging system | |
JP2013219408A (ja) | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、及び、放射線撮像装置の制御方法 | |
US20110128359A1 (en) | Imaging apparatus, imaging system, method of controlling the apparatus and the system, and program | |
JP5988736B2 (ja) | 放射線撮像装置の制御方法、放射線撮像装置、及び、放射線撮像システム | |
US20140061494A1 (en) | Radiation imaging apparatus and radiation imaging system | |
JP2013219405A (ja) | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、及び、放射線撮像装置の制御方法 | |
JP6494387B2 (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
JP2019216875A (ja) | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法、および、プログラム | |
JP6202840B2 (ja) | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法及びプログラム | |
JP2015019155A (ja) | 放射線撮像システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150706 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160627 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160712 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160809 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5988735 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |