JP2016027661A - 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層付き半導体基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体基板上の一部領域に付与して不純物拡散層形成組成物層を形成したときに、半導体基板上の面方向で不純物拡散層形成組成物層の接触面積が拡大するのを抑えることが可能な不純物拡散層形成組成物の提供。【解決手段】ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物と、分散媒と、下記一般式（Ｉ）で示される化合物と、を含有する不純物拡散層形成組成物。一般式（Ｉ）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表し、Ｒ３はアルキレン基を表す。ｎは１以上の任意の整数を示す。【選択図】なし

Description

本発明は、不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層付き半導体基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法に関するものであり、更に詳しくは、半導体基板であるシリコン基板の特定の部分に不純物拡散層を形成することを可能とする技術に関するものである。

従来のシリコン太陽電池素子（太陽電池素子）の製造工程について説明する。
まず、光閉じ込め効果を促して高効率化を図るよう、受光面側にテクスチャー構造を形成したｐ型半導体基板を準備し、続いてオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ_３）、窒素、酸素の混合ガス雰囲気において８００℃〜９００℃で数十分の熱処理を行って一様にｎ型の不純物拡散層（以下、「ｎ型拡散層」ともいう）を形成する（気相反応法）。この従来の方法では、混合ガスを用いてリンの拡散を行うため、受光面のみならず、側面及び裏面にもｎ型拡散層が形成される。そのため、側面のｎ型拡散層を除去するためのサイドエッチング工程が必要であった。また、裏面のｎ型拡散層は、ｐ^＋型拡散層へ変換する必要がある。そのため裏面のｎ型拡散層の上に第１３族元素であるアルミニウムを含むアルミニウムペーストを付与した後、熱処理して、アルミニウムの拡散によってｎ型拡散層からｐ^＋型拡散層に変換するのと同時に、オーミックコンタクトを得ていた。
また、リン酸二水素アンモニウム（ＮＨ_４Ｈ_２ＰＯ_４）等のリン酸塩を含有する溶液の塗布によってｎ型拡散層を形成する方法も提案されている（例えば、特許文献１参照）。

上記に関連して、ドナー元素を含むガラス粉末と分散媒とを含有するｎ型拡散層形成組成物を半導体基板に塗布し、熱拡散処理を行なうことにより、半導体基板の側面及び裏面に不要な不純物拡散層を形成させることなく、特定の領域にｎ型拡散層を形成する太陽電池素子の製造方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。

一方、変換効率を高めることを目的とした太陽電池素子の構造として、電極直下の領域のドナー元素の拡散濃度（以下、単に「拡散濃度」ともいう）に比べて、電極直下以外の領域における拡散濃度を低くした選択エミッタ構造が知られている（例えば、非特許文献１参照）。

特開２００２−７５８９４号公報 国際公開第２０１１／０９０２１６号パンフレット

L.Debarge, M.Schott, J.C.Muller, R.Monna、Solar Energy Materials & Solar Cells 74 (2002) 71-75．

選択エミッタ構造では、電極直下に拡散濃度が高い領域（以下、この領域を「選択エミッタ」ともいう）が形成されているため、電極とシリコンとの接触抵抗を低減できる。更に電極が形成された領域以外では拡散濃度が相対的に低くなっているため、太陽電池素子の変換効率を向上することができる。このような選択エミッタ構造を構築するためには、数百μｍ幅内（約５０μｍ〜２００μｍ）で細線状に不純物拡散層を形成することが求められる。
また、バックコンタクト型の太陽電池素子では、裏面にｎ型拡散部位及びｐ^＋型拡散部位の両方を形成してｐｎ接合構造とする必要があるため、特定の部位に所望の範囲で不純物拡散層を形成することが求められる。

しかしながら、特許文献１に記載の方法は、気相反応法と同様にリン化合物が拡散時に揮散するため、ドナー元素の拡散は選択的に行われず、全面に一様にｎ型拡散層を形成してしまう。
また、特許文献２に記載の不純物拡散層形成組成物を用いた場合、例えば、半導体基板上に不純物拡散層形成組成物を細線状に付与して不純物拡散層形成組成物層を形成しても、不純物拡散層形成組成物層の線幅が広がり、所望の細線幅が得られない傾向があった。この問題を解決するために分散媒の含有量を変え、粘度を高くしようとすると、取り扱い性が悪く、塗布そのものができなくなる傾向があった。

本発明は、以上の従来の課題に鑑みなされたものであり、半導体基板上の一部領域に付与して不純物拡散層形成組成物層を形成したときに、半導体基板上の面方向で不純物拡散層形成組成物層の接触面積が拡大するのを抑えることが可能な不純物拡散層形成組成物及びこれを用いた不純物拡散層付き半導体基板の製造方法並びに太陽電池素子の製造方法を提供することを目的とする。

前記課題を解決する手段は以下の通りである。
＜１＞ ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物と、分散媒と、下記一般式（Ｉ）で示される化合物と、を含有する不純物拡散層形成組成物である。

（一般式（Ｉ）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表し、Ｒ^３はアルキレン基を表す。ｎは１以上の任意の整数を示す。）

＜２＞ 前記一般式（Ｉ）で示される化合物の数平均分子量が、１０００〜５００万である前記＜１＞に記載の不純物拡散層形成組成物である。

＜３＞ 前記分散媒が、ターピネオール、ジヒドロターピネオール、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及びジエチレングリコールブチルエーテルアセテートからなる群より選択される少なくとも１種を含有する前記＜１＞又は＜２＞に記載の不純物拡散層形成組成物である。

＜４＞ 前記ドナー元素を含む化合物が、リン（Ｐ）及びアンチモン（Ｓｂ）の少なくとも一方を含有する前記＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載の不純物拡散層形成組成物である。

＜５＞ 前記ドナー元素を含む化合物が、ガラス粒子の形態である前記＜１＞〜＜４＞のいずれか１つに記載の不純物拡散層形成組成物である。

＜６＞ ガラス粒子の形態である前記ドナー元素を含む化合物は、Ｐ_２Ｏ_３、Ｐ_２Ｏ_５及びＳｂ_２Ｏ_３からなる群より選択される少なくとも１種のドナー元素含有物質と、ＳｉＯ_２、Ｋ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｖ_２Ｏ_５、ＳｎＯ、ＺｒＯ_２、ＭｏＯ_３、ＧｅＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｓＯ_２及びＴｉＯ_２からなる群より選択される少なくとも１種のガラス成分物質と、を含有する前記＜５＞に記載の不純物拡散層形成組成物。

＜７＞ 前記アクセプタ元素を含む化合物が、ホウ素（Ｂ）及びアルミニウム（Ａｌ）の少なくとも一方を含有する前記＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載の不純物拡散層形成組成物である。

＜８＞ 前記アクセプタ元素を含む化合物が、ガラス粒子の形態である前記＜１＞〜＜３＞又は＜７＞のいずれか１つに記載の不純物拡散層形成組成物である。

＜９＞ ガラス粒子の形態である前記アクセプタ元素を含む化合物は、Ｂ_２Ｏ_３及びＡｌ_２Ｏ_３からなる群より選択される少なくとも１種のアクセプタ元素含有物質と、ＳｉＯ_２、Ｋ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｖ_２Ｏ_５、ＳｎＯ、ＺｒＯ_２、ＭｏＯ_３、ＧｅＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｓＯ_２、ＴｉＯ_２、ＷＯ_３、ＴｅＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｌｕ_２Ｏ_３及びＭｎＯからなる群より選択される少なくとも１種のガラス成分物質と、を含有する前記＜８＞に記載の不純物拡散層形成組成物である。

＜１０＞ 前記アクセプタ元素を含む化合物は、窒化ホウ素（ＢＮ）である前記＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載の不純物拡散層形成組成物である。

＜１１＞ 更に、セルロース誘導体、アクリル樹脂及びアルキド樹脂から選択される少なくとも１種を含有する前記＜１＞〜＜１０＞のいずれか１つに記載の不純物拡散層形成組成物。

＜１２＞ １質量％〜８０質量％の前記ドナー元素を含む化合物又は前記アクセプタ元素を含む化合物と、０．１質量％〜３０質量％の前記一般式（Ｉ）で示される化合物とを含有する前記＜１＞〜＜１１＞のいずれか１つに記載の不純物拡散層形成組成物である。

＜１３＞ 更に、無機フィラーを含む前記＜１＞〜＜１２＞のいずれか１つに記載の不純物拡散層形成組成物である。

＜１４＞ 前記無機フィラーは、フュームドシリカである前記＜１３＞に記載の不純物拡散層形成組成物である。

＜１５＞ 前記フュームドシリカは、表面が疎水化処理されているフュームドシリカである前記＜１４＞に記載の不純物拡散層形成組成物である。

＜１６＞ 前記無機フィラーを、０．０１質量％〜２０質量％含有する前記＜１３＞〜＜１５＞のいずれか１つに記載の不純物拡散層形成組成物である。

＜１７＞ 前記ドナー元素を含む化合物又は前記アクセプタ元素を含む化合物が、ガラス粒子の形態であり、前記ガラス粒子の体積平均粒子径が、０．０１μｍ〜１００μｍである前記＜５＞、＜６＞、＜８＞、＜９＞及び＜１１＞〜＜１６＞のいずれか１つに記載の不純物拡散層形成組成物である。

＜１８＞ 更に、アルコキシシランを含む前記＜１＞〜＜１７＞のいずれか１つに記載の不純物拡散層形成組成物である。

＜１９＞ ２５℃におけるせん断速度が０．０１[ｓ^−１]の場合のせん断粘度をη^０．０１とし、せん断速度が１０[ｓ^−１]の場合のせん断粘度をη^１０とした場合、[ｌｏｇ_１０(η^０．０１)−ｌｏｇ_１０(η^１０)]で表されるＴＩ値が０．５〜２．０である前記＜１＞〜＜１８＞のいずれか１つに記載の不純物拡散層形成組成物。

＜２０＞ 半導体基板上に、前記＜１＞〜＜１９＞のいずれか１つに記載の不純物拡散層形成組成物を付与する工程と、記不純物拡散層形成組成物が付与された半導体基板を熱処理する工程と、を有する不純物拡散層付き半導体基板の製造方法である。

＜２１＞ 半導体基板上に、前記＜１＞〜＜１９＞のいずれか１つに記載の不純物拡散層形成組成物を付与する工程と、前記不純物拡散層形成組成物が付与された半導体基板を熱処理して、不純物拡散層を形成する工程と、形成された前記不純物拡散層上に電極を形成する工程と、を有する太陽電池素子の製造方法。

本発明によれば、半導体基板上の一部領域に付与して不純物拡散層形成組成物層を形成したときに、半導体基板上の面方向で不純物拡散層形成組成物層の接触面積が拡大するのを抑えることが可能な不純物拡散層形成組成物及びこれを用いた不純物拡散層付き半導体基板の製造方法並びに太陽電池素子の製造方法を提供することが可能となる。

本発明の太陽電池素子の製造工程の一例を概念的に示す断面図である。 太陽電池素子を受光面から見た場合の電極の配置を概念的に示す平面図である。 図２Ａの一部を拡大して示す斜視図である。 本発明に係る太陽電池素子の製造工程の一例を概念的に示す断面図である。

まず、本発明の不純物拡散層形成組成物について説明し、次に不純物拡散層形成組成物を用いた不純物拡散層付き半導体基板及び太陽電池素子の製造方法について説明する。
なお、本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。また「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。更に組成物中の各成分の量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。
また、本明細書において、「含有率」とは、特に記載がなければ、不純物拡散層形成組成物１００質量％に対する成分の質量％を表す。
また、本明細書において、ｎ型の不純物拡散層形成組成物をｎ型拡散層形成組成物と、ｐ型の不純物拡散層形成組成物をｐ型拡散層形成組成物と、ｎ型の不純物拡散層をｎ型拡散層と、ｐ型の不純物拡散層をｐ型拡散層という。更に、ｎ型拡散層形成組成物及びｐ型拡散層形成組成物を合わせて不純物拡散層形成組成物と称する。

＜不純物拡散層形成組成物＞
本発明の不純物拡散層形成組成物は、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物と、分散媒と、下記一般式（Ｉ）で示される化合物（以下、特定化合物と称することがある）と、を含有する。本発明の不純物拡散層形成組成物は、更に付与性等を考慮してその他の添加剤を必要に応じて含有してもよい。

一般式（Ｉ）中、Ｒ^１及びＲ^２は、水素原子又はアルキル基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^３はアルキレン基を表す。ｎは１以上の任意の整数を示す。

本発明の不純物拡散層形成組成物は特定化合物を含有することから、例えばスクリーン印刷機にて半導体基板に印刷する際に応力が加えられると低粘度化して流動性を示し、スクリーン版のメッシュをすり抜けて半導体基板上に印刷物として、スクリーンのパターンに応じたパターン状の不純物拡散層形成組成物層を形成する。一方で、一旦、半導体基板上に印刷物として形成された不純物拡散層形成組成物層は、応力が加えられない限り低粘度化することなく、その形状を維持できる状態となる。したがって、本発明の不純物拡散層形成組成物を用いることで、半導体基板上にパターン状に付与してパターン状の不純物拡散層形成組成物層を形成したときに、不純物拡散層形成組成物層が液だれを起こして半導体基板上の面方向で不純物拡散層形成組成物層と半導体基板との接触面積が拡大することが抑えられる。
また、本発明の不純物拡散層形成組成物を用いて形成された不純物拡散層形成組成物層は、そのパターン形状が維持されるため、半導体基板において不純物拡散層形成組成物層に対応した領域に不純物拡散層が形成される。

本発明の不純物拡散層形成組成物に含有されるドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物は、ガラス粉末のようなガラス粒子の形態であってもよい。以下、ガラス粒子の態様をガラス粉末と称することがある。
例えば、本発明の不純物拡散層形成組成物をｎ型拡散層形成組成物に構成するため、ガラス粒子の形態のドナー元素を含む化合物を用いた場合、本発明のｎ型拡散層形成組成物に含有されるガラス粉末は焼成により溶融し、ｎ型拡散層の上にガラス層を形成する。しかし、従来の気相反応法又はリン酸塩含有の溶液若しくはペーストを塗布する方法においてもｎ型拡散層の上にガラス層が形成されており、よって本発明において生成したガラス層は、従来の方法と同様に、エッチングにより除去することができる。したがって本発明のｎ型拡散層形成組成物は、従来の方法と比べても不要な生成物を発生させず、工程を増やすこともない。

また、ガラス粉末中のドナー成分は焼成中でも揮散しにくいため、揮散ガスの発生によって、ｎ型拡散層形成組成物層を形成した領域以外の領域にまでｎ型拡散層が形成されるということが抑制される。

このように、本発明に係るｎ型拡散層形成組成物は、所望の部位にのみ所望の濃度のｎ型拡散層を形成することが可能であることから、ドナー元素の拡散濃度（ｎ型ドーパント濃度）の高い選択的な領域を形成することが可能となる。特に、本発明のｎ型拡散層形成組成物を用いて、電極直下の位置にドナー元素の拡散濃度の高い選択的な領域（選択エミッタ）を形成してｎ^＋層又はｎ^＋＋層とすることで、ｎ型拡散層と電極との接触抵抗を低下させることが可能となる。
なお、選択エミッタは、選択的な領域のみでドナー元素の拡散濃度を高くするものであるため、ｎ型拡散層の一般的な方法である気相反応法又はリン酸塩含有溶液を用いる方法によって形成することは困難である。
また、本発明の不純物拡散層形成組成物をｐ型拡散層形成組成物として構成した場合にも、ｎ型拡散層形成組成物の場合と同様の効果が得られる。

（ドナー元素を含む化合物）
ドナー元素を含む化合物について、詳細に説明する。
ドナー元素とは、半導体基板中に拡散することによってｎ型拡散層を形成することが可能な元素である。ドナー元素としては第１５族の元素が使用でき、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）、ヒ素（Ａｓ）等が挙げられる。安全性、ガラス化の容易さ等の観点から、ドナー元素を含む化合物はリン（Ｐ）及びアンチモン（Ｓｂ）の少なくとも一方を含有することが好適であり、リン（Ｐ）がより好適である。

ドナー元素を含む化合物としては特に制限はなく、例えば、ドナー元素を含む酸化物が挙げられる。ドナー元素を含む酸化物として、Ｐ_２Ｏ_５、Ｐ_２Ｏ_３等のドナー元素単独の酸化物；Ｐ_２Ｏ_５、Ｐ_２Ｏ_３等のドナー元素含有物質の他にガラス成分物質を構成成分とするガラス粒子（ドナー元素を含むガラス粒子）；リン含有酸化ケイ素化合物、リンシリサイド、リンをドープしたシリコン粒子、リン酸カルシウム、リン酸二水素アンモニウム、リン酸等の、リンを含有する無機リン化合物；ホスホン酸、亜ホスホン酸、ホスフィン酸、亜ホスフィン酸、ホスフィン、ホスフィンオキシド、リン酸エステル、亜リン酸エステル等の有機リン化合物を例示することができる。
これらの化合物のうち、リン酸二水素アンモニウム、リン酸等の無機リン化合物及び有機リン化合物は、ドナー元素の半導体基板へ熱拡散時の処理温度（例えば８００℃以上）においてＰ_２Ｏ_５を含む化合物へ変化し得る化合物である。

これらの中でもＰ_２Ｏ_３、Ｐ_２Ｏ_５等のドナー元素単独の酸化物；ドナー元素を含むガラス粒子；リン含有酸化ケイ素化合物；及びドナー元素の半導体基板へ熱拡散時の処理温度（例えば８００℃以上）においてＰ_２Ｏ_５を含む化合物へ変化し得る化合物（リン酸二水素アンモニウム、リン酸、亜ホスホン酸、ホスフィン酸、亜ホスフィン酸、ホスフィン、ホスフィンオキシド、リン酸エステル、亜リン酸エステル等）からなる群より選ばれる１種以上を用いることが好ましく、これらの中でも、融点（熱拡散時の処理温度においてＰ_２Ｏ_５を含む化合物へ変化しうる化合物の場合には、生成したＰ_２Ｏ_５を含む化合物の融点）が１０００℃以下である化合物を用いることがより好ましい。融点が１０００℃以下の化合物は、半導体基板へ熱拡散する際に溶融状態となりやすく、半導体基板へより均一にドナー元素を熱拡散することができるためである。また、融点が１０００℃を超える化合物であっても、融点が１０００℃未満の化合物を更に添加することで、ドナー元素を含む化合物から、融点が１０００℃未満の化合物を介して半導体基板へドナー元素が熱拡散するようにしてもよい。

また、半導体基板において、不純物拡散層形成組成物を付与した領域以外の領域で不純物濃度をより低く抑える観点からは、ドナー元素を含むガラス粒子又はリン含有酸化ケイ素化合物を用いることが好ましく、ドナー元素を含むガラス粒子を用いることがより好ましい。

ドナー元素をガラス粉末に導入するために用いるドナー元素含有物質としては、Ｐ_２Ｏ_３、Ｐ_２Ｏ_５、Ｓｂ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_５、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｂｉ_２Ｏ_５、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ａｓ_２Ｏ_３及びＡｓ_２Ｏ_５が挙げられ、Ｐ_２Ｏ_３、Ｐ_２Ｏ_５及びＳｂ_２Ｏ_３からなる群より選択される少なくとも１種を用いることが好ましい。

また、ドナー元素を含むガラス粉末は、必要に応じて成分比率を調整することによって、溶融温度、軟化点、ガラス転移点、化学的耐久性等を制御することが可能である。更に以下に記す、ガラス成分物質を含むことが好ましい。
ガラス成分物質としては、ＳｉＯ_２、Ｋ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｖ_２Ｏ_５、ＳｎＯ、ＺｒＯ_２、ＷＯ_３、ＭｏＯ_３、ＭｎＯ、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｓＯ_２、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＧｅＯ_２、ＴｅＯ_２、Ｌｕ_２Ｏ_３等が挙げられ、ＳｉＯ_２、Ｋ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｖ_２Ｏ_５、ＳｎＯ、ＺｒＯ_２、ＭｏＯ_３、ＧｅＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｓＯ_２及びＴｉＯ_２からなる群より選択される少なくとも１種を用いることが好ましく、ＳｉＯ_２、Ｋ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｖ_２Ｏ_５、ＳｎＯ、ＺｒＯ_２及びＭｏＯ_３からなる群より選択される少なくとも１種を用いることがより好ましい。

ドナー元素を含むガラス粉末の具体例としては、前記ドナー元素含有物質と前記ガラス成分物質の双方を含む系が挙げられ、Ｐ_２Ｏ_５−ＳｉＯ_２系（ドナー元素含有物質−ガラス成分物質の順で記載、以下同様）、Ｐ_２Ｏ_５−Ｋ_２Ｏ系、Ｐ_２Ｏ_５−Ｎａ_２Ｏ系、Ｐ_２Ｏ_５−Ｌｉ_２Ｏ系、Ｐ_２Ｏ_５−ＢａＯ系、Ｐ_２Ｏ_５−ＳｒＯ系、Ｐ_２Ｏ_５−ＣａＯ系、Ｐ_２Ｏ_５−ＭｇＯ系、Ｐ_２Ｏ_５−ＢｅＯ系、Ｐ_２Ｏ_５−ＺｎＯ系、Ｐ_２Ｏ_５−ＣｄＯ系、Ｐ_２Ｏ_５−ＰｂＯ系、Ｐ_２Ｏ_５−Ｖ_２Ｏ_５系、Ｐ_２Ｏ_５−ＳｎＯ系、Ｐ_２Ｏ_５−ＧｅＯ_２系、Ｐ_２Ｏ_５−ＴｅＯ_２系等のドナー元素含有物質としてＰ_２Ｏ_５を含む系、前記のＰ_２Ｏ_５を含む系のＰ_２Ｏ_５の代わりにドナー元素含有物質としてＳｂ_２Ｏ_３を含む系等のガラス粉末が挙げられる。
なお、Ｐ_２Ｏ_５−Ｓｂ_２Ｏ_３系、Ｐ_２Ｏ_５−Ａｓ_２Ｏ_３系等のように、２種類以上のドナー元素含有物質を含むガラス粉末でもよい。
上記では２成分を含む複合ガラスを例示したが、Ｐ_２Ｏ_５−ＳｉＯ_２−Ｖ_２Ｏ_５、Ｐ_２Ｏ_５−ＳｉＯ_２−ＣａＯ等の３成分以上の物質を含むガラス粉末でもよい。

前記ガラス粉末は、Ｐ_２Ｏ_３、Ｐ_２Ｏ_５及びＳｂ_２Ｏ_３からなる群より選択される少なくとも１種のドナー元素含有物質と、ＳｉＯ_２、Ｋ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｖ_２Ｏ_５、ＳｎＯ、ＺｒＯ_２、ＭｏＯ_３、ＧｅＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｓＯ_２及びＴｉＯ_２からなる群より選択される少なくとも１種のガラス成分物質と、を含有することが好ましく、Ｐ_２Ｏ_３及びＰ_２Ｏ_５からなる群より選択される少なくとも１種のドナー元素含有物質と、ＳｉＯ_２、Ｋ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｖ_２Ｏ_５、ＳｎＯ、ＺｒＯ_２及びＭｏＯ_３からなる群より選択される少なくとも１種のガラス成分物質と、を含有することがより好ましく、Ｐ_２Ｏ_５であるドナー元素含有物質と、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＣａＯ、Ｎａ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏ及びＢａＯからなる群より選択される少なくとも１種のガラス成分物質と、を含有することが更に好ましい。これにより、形成されるｎ型拡散層のシート抵抗をより低くすることが可能となる。

ガラス粉末中のガラス成分物質の含有比率は、溶融温度、軟化点、ガラス転移点、化学的耐久性等を考慮して適宜設定することが望ましく、一般には、０．０１質量％以上、８０質量％以下であることが好ましく、０．１質量％以上、５０質量％以下であることがより好ましい。０．０１質量％以上であると、ｎ型拡散層を効率よく形成することができる。また８０質量％以下であると、ｎ型拡散層形成組成物を付与していない部分へのｎ型拡散層の形成をより効果的に抑制できる。

ガラス粉末の形状としては、略球状、扁平状、ブロック状、板状、鱗片状等が挙げられ、不純物拡散層形成組成物とした場合の基板への付与性及び均一拡散性の点から、略球状、扁平状又は板状であることが好ましい。ガラス粉末の粒径は、１００μｍ以下であることが好ましい。１００μｍ以下の粒径を有するガラス粉末を用いた場合には、平滑な塗膜が得られやすい。ガラス粉末の粒径は５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは１０μｍ以下である。なお、下限は特に制限されないが、０．０１μｍ以上であることが好ましく、０．１μｍ以上であることがより好ましい。
ここで、ガラス粉末の粒径は体積平均粒子径を表し、レーザー散乱回折法粒度分布測定装置等により測定することができる。

ドナー元素を含むガラス粉末は、以下の手順で作製される。
最初に原料、例えば、前記ドナー元素含有物質とガラス成分物質を秤量し、るつぼに充填する。るつぼの材質としては白金、白金−ロジウム、イリジウム、アルミナ、石英、炭素等が挙げられ、溶融温度、雰囲気、溶融物質との反応性等を考慮して適宜選ばれる。
次に、電気炉でガラス組成に応じた温度で加熱し融液とする。このとき融液が均一となるよう攪拌することが好ましい。続いて均一になった融液をジルコニア基板、カーボン基板等の上に流し出して融液をガラス化する。最後にガラスを粉砕し粉末状とする。粉砕にはジェットミル、ビーズミル、ボールミル等公知の方法が適用できる。

また、ドナー元素を含む化合物は、リン含有酸化ケイ素化合物であってもよい。ここで、リン含有酸化ケイ素化合物について、詳細に説明する。リン含有酸化ケイ素化合物はゾル−ゲル反応に基づいてリン化合物と酸化ケイ素前駆体とを出発原料として合成された化合物を意味し、上記ガラス粒子とは、合成方法が異なり、構造が異なる化合物であることを区別できるようにリン含有酸化ケイ素化合物と表記することとする。リン含有酸化ケイ素化合物は、酸化ケイ素前駆体とリン化合物とを反応させて得られる。リン含有酸化ケイ素化合物は、リン化合物が酸化ケイ素（シロキサン）のネットワーク中に分散した構造となるため、リン化合物単独での性質と大きく異なる。例えば、リン化合物の揮発性が抑制される為、シリコン基板等の半導体基板へｎ型拡散層を形成する高温において、リン化合物が揮発して所望の領域以外の領域にｎ型拡散層が形成されるアウトディフュージョンを抑制できる。その結果として、不純物拡散層形成組成物が付与された半導体基板の領域以外の領域にｎ型拡散層の形成されることがより効果的に抑制される。

リン含有酸化ケイ素化合物をあらかじめ水洗することで、酸化ケイ素（シロキサン）のネットワークに包含されていないリン化合物を除去してもよい。このようにすることで、アウトディフュージョンを更に効果的に抑制できる。

上記リン含有酸化ケイ素化合物の合成方法としては、アルコキシシラン等の酸化ケイ素前駆体と、リン化合物と、ゾル−ゲル反応に用いる溶媒と、水と、酸触媒又はアルカリ触媒とを混合し、所定の温度でアルコール、水を除去することで酸化ケイ素前駆体の加水分解反応が生じ、シロキサンのネットワーク中にリン化合物を含んだ酸化ケイ素化合物を合成できる。また、吸湿性も抑えることができるため、分散媒との反応又は水分との反応を抑制でき、不純物拡散層形成組成物中での化学的安定性をより向上することができる。

酸化ケイ素前駆体としては、シリコンメトキシド、シリコンエトキシド、シリコンプロポキシド、シリコンブトキシド等のアルコキシシランを例示することができる。酸化ケイ素前駆体は、入手の容易さからシリコンメトキシド及びシリコンエトキシドからなる群より選択される少なくとも１種を用いることが好ましい。酸化ケイ素前駆体はゾル−ゲル反応の原料であり、ここでいうゾル−ゲル反応とは、酸化ケイ素前駆体の加水分解反応とシラノール基の縮合反応とを含む反応であり、結果としてケイ素−酸素結合を構造単位として有する三次元架橋したシリカゲルマトリックスを形成する反応である。

ゾル−ゲル反応に用いる溶媒は、酸化ケイ素前駆体の重合体を溶解するものであれば特に制限はないが、エタノール、イソプロパノール等のアルコール溶剤；アセトニトリル、グルタロジニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル溶剤；ジオキサン、テトラヒドロフラン等の環状エーテル溶剤などを用いることが好ましい。これらは１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。溶媒の使用量は酸化ケイ素前駆体に対して１００等量以下が好ましく、より好ましくは１等量以上１０等量以下である。溶媒の量が多くなりすぎると酸化ケイ素前駆体のゾル−ゲル反応が遅くなる傾向がある。

更に、加水分解及び脱水縮重合を調節する触媒として酸又はアルカリを用いることが好ましい。アルカリ触媒としては、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属の水酸化物、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウムなどが一般的である。酸触媒としては無機プロトン酸又は有機プロトン酸を用いることができる。無機プロトン酸としては、塩酸、硫酸、硼酸、硝酸、過塩素酸、テトラフルオロ硼酸、ヘキサフルオロ砒素酸、臭化水素酸等が挙げられる。有機プロトン酸としては、酢酸、シュウ酸、メタンスルホン酸等が挙げられる。酸の量によりゾルの溶媒への溶解度が変化するため、ゾルが可溶な溶解度になるように調節すればよく、酸化ケイ素前駆体に対して０．０００１等量〜１等量が好ましい。

また、金属の硝酸塩、アンモニウム塩、塩化物塩、硫酸塩等を含む溶液を、酸化ケイ素前駆体のゾル溶液へ添加し、次いでゾル−ゲル反応を進行させることによりリン含有酸化ケイ素化合物を調製してもよい。塩としては、特には限定されないが、硝酸アルミニウム、硝酸鉄、オキシ硝酸ジルコニウム、塩化チタン、塩化アルミニウム、オキシ塩化ジルコニウム、オキシ硝酸ジルコニウム、硫酸チタン、硫酸アルミニウム等が挙げられる。塩の溶媒としては、塩を溶解するものであれば特に制限はないが、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート溶剤；３−メチル−２−オキサゾリジノン、Ｎ−メチルピロリドン等の複素環溶剤；ジオキサン、テトラヒドロフラン等の環状エーテル溶剤；ジエチルエーテル、エチレングリコールジアルキルエーテル、プロピレングリコールジアルキルエーテル、ポリエチレングリコールジアルキルエーテル、ポリプロピレングリコールジアルキルエーテル等の鎖状エーテル溶剤；メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、ポリエチレングリコールモノアルキルエーテル、ポリプロピレングリコールモノアルキルエーテル等のアルコール溶剤；エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、グリセリン等の多価アルコール溶剤；アセトニトリル、グルタロジニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル溶剤；カルボン酸エステル、リン酸エステル、ホスホン酸エステル等のエステル溶剤；ジメチルスルホキシド、スルホラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等の非プロトン極性溶剤；トルエン、キシレン等の炭化水素溶剤；メチレンクロリド、エチレンクロリド等の塩素系溶剤；水などを用いることができる。

ゾル−ゲル反応に用いるリン化合物としては、リン酸、リン酸水素アンモニウム塩、五酸化二リン、三酸化二リン、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸、ホスフィン酸、ホスフィン、リン酸エステル及び亜リン酸エステルからなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましい。これらの中でもリン酸エステル又は亜リン酸エステルを用いることがより好ましい。エステル化合物を用いることで、酸化ケイ素前駆体と混合した状態でゾル−ゲル反応が進行する際に、Ｐ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成しやすくなり、アウトディフュージョンがより効果的に抑制される傾向になる。その結果として、不純物拡散層形成組成物が付与された半導体基板上の領域以外の領域にｎ型拡散層の形成されるのが抑制される傾向になる。

上記リン酸エステルとしては、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物が、亜リン酸エステルとしては、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物が挙げられる。ここで、一般式（ＩＩ）又は一般式（ＩＩＩ）におけるＲ^２１〜Ｒ^２６はそれぞれ独立に、炭素数１〜１０の１価の有機基を表す。

一般式（ＩＩ）又は一般式（ＩＩＩ）におけるＲ^２１〜Ｒ^２６で表される１価の有機基としては特に制限はなく、各々独立に、アルキル基、官能基を有する有機基、ヘテロ原子を有する有機基及び不飽和結合を有する有機基が挙げられる。

Ｒ^２１〜Ｒ^２６で表されるアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれであってもよく、直鎖状又は分岐状であることが好ましい。また、Ｒ^２１〜Ｒ^２６で表されるアルキル基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数が１〜６であることがより好ましく、炭素数が１〜３であることが更に好ましい。Ｒ^２１〜Ｒ^２６で表されるアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。

Ｒ^２１〜Ｒ^２６で表される官能基を有する有機基において、前記官能基としては、クロロ基、ブロモ基、フルオロ基等が挙げられる。また、Ｒ^２１〜Ｒ^２６で表される官能基を有する有機基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数が１〜６であることがより好ましく、炭素数が１〜３であることが更に好ましい。Ｒ^２１〜Ｒ^２６で表される官能基を有する有機基として具体的には、クロロエチル基、フルオロエチル基、クロロプロピル基、ジクロロプロピル基、フルオロプロピル基、ジフルオロプロピル基、クロロフェニル基、フルオロフェニル基等が挙げられる。

Ｒ^２１〜Ｒ^２６で表されるヘテロ原子を有する有機基において、ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子が挙げられる。また、Ｒ^２１〜Ｒ^２６で表されるヘテロ原子を有する有機基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数が１〜６であることがより好ましく、炭素数が１〜３であることが更に好ましい。Ｒ^２１〜Ｒ^２６で表されるヘテロ原子を有する有機基として具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、メチルスルホキシド基、エチルスルホキシド基、フェニルスルホキシド基等が挙げられる。

Ｒ^２１〜Ｒ^２６で表される不飽和結合を有する有機基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数が１〜６であることがより好ましく、炭素数が１〜３であることが更に好ましい。Ｒ^２１〜Ｒ^２６で表される不飽和結合を有する有機基として具体的には、エチレニル基、エチニル基、プロペニル基、プロピニル基、ブテニル基、ブチニル基、フェニル基等が挙げられる。

このなかでも、Ｒ^２１〜Ｒ^２６で表される１価の有機基は、アルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基であることがより好ましい。

ゾル−ゲル反応に用いるリン化合物としては、リン酸トリメチル、リン酸トリエチル、リン酸トリプロピル及びリン酸トリブチルからなる群より選択される少なくとも１種を用いることが好ましい。

リン含有酸化ケイ素化合物中におけるリン化合物の含有率は特に制限されない。例えば、ドナー元素の拡散性の観点から０．５質量％以上、９９質量％以下であることが好ましく、５質量％以上、９５質量％以下であることがより好ましい。

（アクセプタ元素を含む化合物）
アクセプタ元素とは、半導体基板中に拡散することによってｐ型拡散層を形成することが可能な元素である。アクセプタ元素としては第１３族の元素が使用できる。安全性等の観点から、アクセプタ元素を含む化合物がホウ素（Ｂ）及びアルミニウム（Ａｌ）の少なくとも一方を含有することが好適である。
アクセプタ元素を含む化合物としては特に制限はない。アクセプタ元素を含む金属酸化物として、Ｂ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３等の単独金属酸化物；ホウ素又はアルミニウムをドープしたシリコン粒子；窒化ホウ素（ＢＮ）；ホウ酸カルシウム、ホウ酸等の無機ホウ素化合物；アルミニウム、ホウ素等のアクセプタ元素を含むガラス粒子；ホウ素含有酸化ケイ素化合物；アルミニウムアルコキシド、アルキルアルミニウム等の有機アルミニウム化合物などを例示することができる。

これらの中でもＢＮ、Ｂ_２Ｏ_３、ホウ素含有酸化ケイ素化合物及びアクセプタ元素を半導体基板へ熱拡散する高温（例えば８００℃以上）においてＢ_２Ｏ_３を含む化合物へ変化し得る化合物（ホウ酸等）からなる群より選ばれる１種以上を用いることが好ましい。

アクセプタ元素を含む化合物は、ＢＮ粒子又はアクセプタ元素を含むガラス粒子（ガラス粉末）であることが好ましい。ＢＮ粒子又はアクセプタ元素を含むガラス粒子を用いることで、ｐ型拡散層形成組成物を付与した領域以外へのアクセプタ元素の拡散（アウトディフュージョン）をより効果的に抑制できる傾向にあり、裏面及び側面等の不純物拡散層形成組成物が付与された半導体基板の領域以外の領域に不要なｐ型拡散層が形成されることが抑制できる。つまり、ＢＮ粒子又はアクセプタ元素を含むガラス粒子を含むことで、より選択的にｐ型拡散層を形成することができる。

アクセプタ元素を含むガラス粒子は、例えばアクセプタ元素含有物質とガラス成分物質とを含んで形成できる。アクセプタ元素をガラス粒子に導入するために用いるアクセプタ元素含有物質としては、Ｂ_２Ｏ_３及びＡｌ_２Ｏ_３からなる群より選ばれる１種を含有する化合物であることが好ましい。

アクセプタ元素を含むガラス粒子中におけるアクセプタ元素含有物質の含有率は特に制限されない。例えば、アクセプタ元素の拡散性の観点から、０．５質量％以上、１００質量％以下であることが好ましく、２質量％以上、８０質量％以下であることがより好ましい。

更に、アクセプタ元素の拡散性の観点から、不純物拡散層形成組成物中に、アクセプタ元素含有物質としてＢ_２Ｏ_３及びＡｌ_２Ｏ_３からなる群より選ばれる１種以上を、０．０１質量％以上、１００質量％以下で含むことが好ましく、０．０１質量％以上、１０質量％以下で含むことがより好ましく、２質量％以上、１０質量％以下で含むことが更に好ましい。

アクセプタ元素を含む化合物がガラス粒子である場合、ガラス成分物質としては、ＳｉＯ_２、Ｋ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｖ_２Ｏ_５、ＳｎＯ、ＺｒＯ_２、ＭｏＯ_３、ＧｅＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、Ｃｓ_２Ｏ、ＴｉＯ_２、ＷＯ_３、ＴｅＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｌｕ_２Ｏ_３及びＭｎＯから選択される少なくとも１種を用いることが好ましく、ＳｉＯ_２、Ｋ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｖ_２Ｏ_５、ＳｎＯ、ＺｒＯ_２及びＭｏＯ_３から選択される少なくとも１種を用いることが、軟化点及び熱膨張係数を規定の範囲内とする観点からより好ましい。

ガラス粒子の具体例としては、アクセプタ元素含有物質と前記ガラス成分物質の双方を含む系が挙げられ、Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系（アクセプタ元素含有物質−ガラス成分物質の順で記載、以下同様）、Ｂ_２Ｏ_３−ＺｎＯ系、Ｂ_２Ｏ_３−ＰｂＯ系、Ｂ_２Ｏ_３単独系等のアクセプタ元素含有物質としてＢ_２Ｏ_３を含む系、Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系等のアクセプタ元素含有物質としてＡｌ_２Ｏ_３を含む系などのガラス粒子が挙げられる。
上記では１成分又は２成分を含むガラス粒子を例示したが、Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−ＣａＯ等の３成分以上を含むガラス粒子でもよい。
また、Ａｌ_２Ｏ_３−Ｂ_２Ｏ_３系等のように、２種類以上のアクセプタ元素含有物質を含むガラス粒子でもよい。

前記アクセプタ元素を含むガラス粒子（ガラス粒子の形態であるアクセプタ元素を含む化合物）は、Ｂ_２Ｏ_３及びＡｌ_２Ｏ_３からなる群より選択される少なくとも１種のアクセプタ元素含有物質と、ＳｉＯ_２、Ｋ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｖ_２Ｏ_５、ＳｎＯ、ＺｒＯ_２、ＭｏＯ_３、ＧｅＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｓＯ_２、ＴｉＯ_２、ＷＯ_３、ＴｅＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｌｕ_２Ｏ_３及びＭｎＯからなる群より選択される少なくとも１種のガラス成分物質と、を含有することが好ましく、Ｂ_２Ｏ_３及びＡｌ_２Ｏ_３からなる群より選択される少なくとも１種のアクセプタ元素含有物質と、ＳｉＯ_２、Ｋ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｖ_２Ｏ_５、ＳｎＯ、ＺｒＯ_２及びＭｏＯ_３からなる群より選択される少なくとも１種のガラス成分物質とを含有することがより好ましい。これにより、形成されるｐ型拡散層のシート抵抗をより低くすることが可能となる。
なお、ガラス粒子はＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＣａＯ、Ｎａ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏ及びＢａＯからなる群より選択される少なくとも１種を含むものであってもよい。アクセプタ元素含有物質であるＢ_２Ｏ_３を単独で使用するよりも、これらのガラス成分物質を併用した場合には、不純物拡散層の抵抗が低くなり、また所望の領域以外の部位に不純物拡散層を形成すること（アウトディフュージョン）をより効果的に抑制することが可能となる。

アクセプタ元素を含む化合物がガラス粒子である場合、その粒子の形態及び体積平均粒子径としては、上記ドナー元素を含むガラス粒子（ガラス粉末）と同様のものが挙げられる。アクセプタ元素を含む化合物は分散媒に溶解した状態であってもよく、その場合は、アクセプタ元素を含む化合物の形状には特に制限はない。

アクセプタ元素を含むガラス粒子は、ドナー元素含有物質をアクセプタ元素含有物質に替えた以外は上記ドナー元素を含むガラス粒子と同様の手順で作製される。

アクセプタ元素を含む化合物として窒化ホウ素（ＢＮ）を用いる場合、ＢＮの結晶形は、六方晶（hexagonal)、立方晶(cubic)又は菱面体晶（rhombohedral）のいずれであってもよいが、粒子径を容易に制御できることから六方晶が好ましい。
ＢＮの調製方法は特に制限されず、通常の方法で調製することができる。ホウ素粉末を窒素気流中で１５００℃以上に加熱する方法、融解した無水ホウ酸と窒素あるいはアンモニアをリン酸カルシウム存在下で反応させる方法、ホウ酸又はホウ化アルカリと、尿素、グアニジン、メラミン等の有機窒素化合物を高温の窒素−アンモニア雰囲気中で反応させる方法、融解ホウ酸ナトリウムと塩化アンモニウムをアンモニア雰囲気中で反応させる方法、三塩化ホウ素とアンモニアを高温で反応させる方法などを挙げることができるが、上記以外の製造方法でもなんら問題ない。上記製造方法の中では、高純度のＢＮを得ることができることから、三塩化ホウ素とアンモニアとを高温で反応させる方法を用いることが好ましい。
ＢＮ粒子の形態及び体積平均粒子径としては、上記ドナー元素を含むガラス粒子（ガラス粉末）と同様のものが挙げられる。

また、アクセプタ元素を含む化合物は、ホウ素含有酸化ケイ素化合物であってもよい。ここでホウ素含有酸化ケイ素化合物について、詳細に説明する。ホウ素含有酸化ケイ素化合物はゾル−ゲル反応に基づいてホウ素化合物と酸化ケイ素前駆体を反応させて合成された化合物を意味し、上記ガラス粒子とは、合成方法が異なり、構造が異なる化合物であることを区別できるように、ホウ素含有酸化ケイ素化合物と表記することとする。ホウ素含有酸化ケイ素化合物は、酸化ケイ素前駆体と、ホウ素化合物とを反応させて得られる。ホウ素含有酸化ケイ素化合物は、ホウ素化合物が酸化ケイ素（シロキサン）のネットワーク中に分散した構造となるため、シリコン基板等の半導体基板へｐ型拡散層を形成する高温においてホウ素化合物のアウトディフュージョンをより効果的に抑制できる。その結果として、不純物拡散層形成組成物が付与された半導体基板上の領域以外の領域にｐ型拡散層の形成されることがより効果的に抑制される。

ホウ素含有酸化ケイ素化合物をあらかじめ水洗することで、酸化ケイ素（シロキサン）のネットワークに包含されていないホウ素化合物を除去してもよい。このようにすることで、アウトディフュージョンを更に効果的に抑制できる。

上記ホウ素含有酸化ケイ素化合物の合成方法としては、リン化合物をホウ素化合物に置き換えた以外は、上述のリン含有酸化ケイ素化合物の合成方法と同様の方法が挙げられる。また、酸化ケイ素前駆体、ゾル−ゲル反応に用いる溶媒、加水分解及び脱水縮重合を調節する触媒として用いる酸又はアルカリとしては、上記リン含有酸化ケイ素化合物の合成方法で挙げたものと同様のものが挙げられる。

また、金属の硝酸塩、アンモニウム塩、塩化物塩、硫酸塩等を含む溶液を、酸化ケイ素前駆体のゾル溶液へ添加し、次いでゾル−ゲル反応を進行させることによりホウ素含有酸化ケイ素化合物を調製してもよい。複合酸化物を調製するために用いられる金属の硝酸塩、アンモニウム塩、塩化物塩、硫酸塩及び塩の溶媒としては、上記リン含有酸化ケイ素化合物の合成方法で挙げたものと同様のものが挙げられる。

ゾル−ゲル反応に用いるホウ素化合物としては、酸化ホウ素及びホウ酸エステルからなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましい。これらの中でもホウ酸エステルを用いることがより好ましい。エステル化合物を用いることで、酸化ケイ素前駆体と混合した状態でゾル−ゲル反応が進行する際に、Ｂ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成しやすくなり、アウトディフュージョンがより効果的に抑制される傾向になる。

酸化ホウ素とはＢ_２Ｏ_３で表される化合物であり、結晶化物であっても、ガラス質であってもどちらでもよい。ホウ酸とはＨ_３ＢＯ_３又はＢ（ＯＨ）_３で表される化合物である。これらの化合物は水に溶解してＨ_３ＢＯ_３の状態で存在する。酸化ホウ素、ホウ酸以外にも、水に溶解してＨ_３ＢＯ_３となる化合物であれば、副原料として用いるホウ素化合物の種類に制限されない。

ホウ素化合物の１種であるホウ酸エステルとしては、下記一般式（ＩＶ）で表される化合物が挙げられる。ここで、一般式（ＩＶ）におけるＲ^７〜Ｒ^９は各々独立に、炭素数１〜１０の有機基又は水素原子である。

一般式（ＩＶ）におけるＲ^２７〜Ｒ^２９の有機基としては特に制限はなく、各々独立に、アルキル基、官能基を有する有機基、ヘテロ原子を有する有機基及び不飽和結合を有する有機基が挙げられる。

Ｒ^２７〜Ｒ^２９で表されるアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれであってもよく、直鎖状又は分岐状であることが好ましい。また、Ｒ^２７〜Ｒ^２９で表されるアルキル基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数が１〜６であることがより好ましく、炭素数が１〜３であることが更に好ましい。Ｒ^２７〜Ｒ^２９で表されるアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。

Ｒ^２７〜Ｒ^２９で表される官能基を有する有機基において、前記官能基として具体的には、クロロ基、ブロモ基、フルオロ基等が挙げられる。また、Ｒ^２７〜Ｒ^２９で表される官能基を有する有機基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数が１〜６であることがより好ましく、炭素数が１〜３であることが更に好ましい。Ｒ^２７〜Ｒ^２９で表される官能基を有する有機基として具体的には、クロロエチル基、フルオロエチル基、クロロプロピル基、ジクロロプロピル基、フルオロプロピル基、ジフルオロプロピル基、クロロフェニル基、フルオロフェニル基等が挙げられる。

Ｒ^２７〜Ｒ^２９で表されるヘテロ原子を有する有機基において、ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。また、Ｒ^２７〜Ｒ^２９で表されるヘテロ原子を有する有機基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数が１〜６であることがより好ましく、炭素数が１〜３であることが更に好ましい。Ｒ^２７〜Ｒ^２９で表されるヘテロ原子を有する有機基として具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、メチルスルホキシド基、エチルスルホキシド基、フェニルスルホキシド基等が挙げられる。

Ｒ^２７〜Ｒ^２９で表される不飽和結合を有する有機基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数が１〜６であることがより好ましく、炭素数が１〜３であることが更に好ましい。Ｒ^７〜Ｒ^９で表される不飽和結合を有する有機基として具体的には、エチレニル基、エチニル基、プロペニル基、プロピニル基、ブテニル基、ブチニル基、フェニル基等が挙げられる。

このなかでも、Ｒ^２７〜Ｒ^２９で表される１価の有機基は、アルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基であることがより好ましい。

ゾル−ゲル反応に用いるホウ酸エステルとしては、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリエチル、ホウ酸トリプロピル及びホウ酸トリブチルからなる群より選択される少なくとも１種を用いることが好ましい。

ホウ素含有酸化ケイ素化合物中におけるホウ素化合物の含有率は特に制限されない。例えば、アクセプタ元素の拡散性の観点から０．５質量％以上、９９質量％以下であることが好ましく、５質量％以上、９５質量％以下であることがより好ましい。

不純物拡散層形成組成物中のドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物の含有率は、付与性、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物の拡散性等を考慮して決定される。一般には、不純物拡散層形成組成物中のドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物の含有率は、不純物拡散層形成組成物中に、０．１質量％以上、９５質量％以下であることが好ましく、１質量％以上、９０質量％以下であることがより好ましく、１質量％以上、８０質量％以下であることが更に好ましく、２質量％以上、５０質量％以下であることが特に好ましく、５質量％以上、２０質量％以下であることが極めて好ましい。
ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物の含有率が、０．１質量％以上であると、不純物拡散層を十分に形成することができる。９５質量％以下であると、不純物拡散層形成組成物中のドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物の分散性が良好になり、半導体基板への付与性が向上する。

（特定化合物）
前記不純物拡散層形成組成物は、下記一般式（Ｉ）で示される化合物を含む。

一般式（Ｉ）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表し、Ｒ^３はアルキレン基を表す。ｎは１以上の任意の整数を示す。

Ｒ^１及びＲ^２で表されるアルキル基としては、各々独立に、炭素数１〜１０が好ましく、炭素数１〜５がより好ましい。またアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状であってもよい。Ｒ^１及びＲ^２で表されるアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、デシル基、ドデカニル基等が挙げられる。Ｒ^１及びＲ^２の組み合わせに特に制限はないが、少なくとも一方が水素原子であることが好ましく、Ｒ^１及びＲ^２共に水素原子であることが好ましい。Ｒ^１及びＲ^２共に水素原子である場合、分散媒への溶解性を制御しやすい傾向にある。そのため、不純物拡散層形成組成物を用いて、細線状のパターン形状を形成した場合に、パターン形状が半導体基板の面方向に広がるのを抑制しながら半導体基板上に付与することが可能となる。更に所望の特定領域に、特定のサイズで不純物拡散層を形成することが可能となる。

Ｒ^３で表されるアルキレン基としては、炭素数１〜１０が好ましく、炭素数１〜４がより好ましい。アルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状であってもよい。Ｒ^３で表されるアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基等が挙げられる。これらの中でも、エチレン基が好ましい。Ｒ^３で表されるアルキレン基は、１種単独であっても種類の異なる２種以上のアルキレン基が併用されてもよい。
ｎは１以上の任意の整数である。ｎの上限に制限はないが、１０万以下であることが好ましい。ｎの下限については、１０以上であることが好ましい。

特定化合物は、具体的には、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、これらの共重合体等を含むことが好ましい。これらの中でもポリエチレングリコールが更に好ましい。
ポリエチレングリコールを用いることで、不純物拡散層形成組成物の付与性、特に印刷性が向上しやすい傾向にあり、また、入手も容易である。また、構造の異なる２種以上の特定化合物を混合して使用してもよい。２種以上の特定化合物の組み合わせとしては、ポリエチレングリコールとポリプロピレングリコールとの組み合わせ、ポリエチレングリコールとポリエチレングリコールモノアルキルエーテルとの組み合わせ等が挙げられる。

特定化合物の形態としては、特に制限されないが、少なくとも常温（１０℃〜３０℃）で固形物として存在することが好ましい。固形物として存在することで、フィラーとしての役割を果たし、付与性向上の効果が得られやすい。
特定化合物のガラス転移温度としては、−１００℃〜１００℃の範囲が好ましく、−５０℃〜２５℃の範囲が更に好ましい。
なお、特定化合物のガラス転移温度は、示差走査熱量分析装置を用いて測定されるＤＳＣ曲線の変異点を調べることで求めることができる。
特定化合物の融点としては、２０℃〜２００℃の範囲が好ましく、４０℃〜１００℃の範囲がより好ましい。
なお、特定化合物の融点は、示差走査熱量分析装置を用いて測定される融解ピークを調べることで求めることができる。

特定化合物が固形状である場合、その体積平均粒子径は、２０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましい。２０μｍ以下の体積平均粒子径を有する特定化合物を用いた場合には、ガラス粒子等のドナー元素含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物と均一に混合しやすく、生産性が向上する。
なお、体積平均粒子径の下限は特に制限されないが、１０ｎｍ以上であることが好ましい。１０ｎｍ以上であると、ペースト中での分散性がより良好になる。

特定化合物の数平均分子量は、１０００〜５００万であることが好ましく、２０００〜５０万であることがより好ましい。数平均分子量が１０００以上であると、フィラーとしての機能性が充分に得られ、５００万以下であると、粘度が高くなりすぎるのを抑制することができるため、付与性がより良好となる。また、２０００以上であると、付与性を更に良好とすることができる。数平均分子量はゲル浸透クロマトグラフ法（ＧＰＣ法）を用いて測定することができる。
なお、ＧＰＣ法による数平均分子量の測定条件は例えば以下のとおりである。
測定装置：Ｓｈｏｄｅｘ ＧＰＣ ＳＹＳＴＥＭ−１１（昭和電工株式会社製）
溶離液：ＣＦ₃ＣＯＯＮａ ５ｍｍｏｌ／ヘキサフルオロイソプロピルアルコール（ＨＦＩＰ）（１リットル）
カラム：サンプルカラム ＨＦＩＰ−８００Ｐ、ＨＦＩＰ−８０Ｍ×２本、リファレンスカラム ＨＦＩＰ−８００Ｒ×２本
カラム温度：４０℃
流量：１.０ｍｌ／分
検出器：Ｓｈｏｄｅｘ ＲＩ ＳＴＤ：ＰＭＭＡ（Ｓｈｏｄｅｘ ＳＴＡＮＤＡＲＤ Ｍ−７５）

特定化合物の含有率は、不純物拡散層形成組成物中に、０．０５質量％〜４０質量％であることが好ましく、０．１質量％〜３０質量％であることがより好ましく、０．１質量％〜２５質量％であることが更に好ましく、１質量％〜１５質量％であることが特に好ましく、２質量％〜１２質量％であることが極めて好ましい。０．０５質量％以上であることで、充分な付与性向上効果が得られる。また４０質量％以下であると、粘度が高くなりすぎず、付与方法の作業性が向上する。特に付与をスクリーン印刷で行う場合、その作業性が向上する。

不純物拡散層形成組成物中における、前記ドナー元素を含む化合物又は前記アクセプタ元素を含む化合物の含有率及び特定化合物の含有率の好ましい組み合わせとしては、前記ドナー元素を含む化合物又は前記アクセプタ元素を含む化合物の含有率及び特定化合物の含有率として、それぞれ１質量％〜８０質量％及び０．１質量％〜３０質量％が好ましく、３質量％〜６０質量％及び０．２質量％〜１５質量％がより好ましく、５質量％〜３０質量％及び０．４質量％〜５質量％が更に好ましい。
また、前記ドナー元素を含む化合物又は前記アクセプタ元素を含む化合物の含有量に対する特定化合物の含有量の質量比率は、０．０１〜１００が好ましく、０．０２〜１０がより好ましく、０．０５〜５が更に好ましい。

特定化合物の分解温度は７００℃以下であることが好ましく、４００℃以下であることがより好ましい。７００℃以下であることで、熱処理後に残渣が発生することを抑制することができる。特定化合物が残渣として残ると、太陽電池の発電性能を低下させる要因となる場合がある。

（分散媒）
次に、分散媒について説明する。
分散媒とは、本発明の不純物拡散層形成組成物中において、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物と特定化合物とを分散させる媒体である。具体的に分散媒は、少なくとも溶剤及び水の少なくとも１種を含み、必要に応じて有機バインダを含んで構成される。

溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジイソブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン等のケトン系溶剤；ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチル−ｎ−プロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチル−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールメチル−ｎ−ヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールメチル−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル、テトラエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル−ｎ−ヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールジエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチルエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル等のエーテル系溶剤；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸２−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸２−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸２−（２−ブトキシエトキシ）エチル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸ジエチレングリコールメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸イソアミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル、エチレングリコールメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン等のエステル系溶剤；アセトニトリル、Ｎ−メチルピロリジノン、Ｎ−エチルピロリジノン、Ｎ−プロピルピロリジノン、Ｎ−ブチルピロリジノン、Ｎ−ヘキシルピロリジノン、Ｎ−シクロヘキシルピロリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶剤；メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、イソペンタノール、２−メチルブタノール、２−ペンタノール、ｔｅｒｔ−ペンタノール、３−メトキシブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、２−ヘキサノール、２−エチルブタノール、２−ヘプタノール、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサノール、２−オクタノール、ｎ−ノニルアルコール、ｎ−デカノール、２−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、２−テトラデシルアルコール、２−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等のアルコール系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールモノエーテル系溶剤；α−テルピネン等のテルピネン、α−ターピネオール、β―ターピネオール、γ−ターピネオール、ジヒドロターピネオール等のターピネオール類、α−ピネン、β−ピネン等のピネン類、ミルセン、アロオシメン、リモネン、ジペンテン、カルボン、オシメン、フェランドレンなどのテルペン系溶剤；などが挙げられる。これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。なお、本発明において、α−ターピネオール（α−テルピネオール）、β−ターピネオール（β−テルピネオール）及びγ−ターピネオール（γ−テルピネオール）の混合物を、単にターピネオール（テルピネオール）と称することがある。
不純物拡散層形成組成物とした場合、基板への付与性の観点から、ターピネオール、ジヒドロターピネオール、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル（ブチルカルビトール）及び酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル（ブチルカルビトールアセテート）から選択される少なくとも１種が好ましく、ターピネオール及びジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルがより好ましい溶剤として挙げられる。これらの分散媒を用いた場合、特定化合物を高温で溶解し、室温（例えば２５℃程度）で特定化合物を析出させることが出来やすい傾向にある。

不純物拡散層形成組成物中の分散媒の含有率は、付与性、ドナー元素又はアクセプタ元素の濃度を考慮し決定される。例えば不純物拡散層形成組成物中、分散媒の含有率は、５質量％以上、９９質量％以下であることが好ましく、２０質量％以上、９５質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以上、９０質量％以下であることが更に好ましい。

（その他の添加剤）
−増粘剤−
不純物拡散層形成組成物は増粘剤を含むことが好ましい。
増粘剤としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド類、ポリビニルアミド類、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキサイド類、ポリスルホン酸、アクリルアミドアルキルスルホン酸、セルロースエーテル類、セルロース誘導体、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルセルロース、ゼラチン、澱粉及び澱粉誘導体、アルギン酸ナトリウム類、キサンタン及びキサンタン誘導体、グア及びグア誘導体、スクレログルカン及びスクレログルカン誘導体、トラガカント及びトラガカント誘導体、デキストリン及びデキストリン誘導体、（メタ）アクリル酸樹脂、アルキル（メタ）アクリレート樹脂、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート樹脂等の（メタ）アクリル酸エステル樹脂、ブタジエン樹脂、スチレン樹脂、これらの共重合体等から適宜選択しうる。これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。これらの中でもセルロース誘導体、アクリル樹脂及びアルキド樹脂から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。

増粘剤の分子量は特に制限されず、組成物としての所望の粘度を鑑みて適宜調整することが好ましい。なお、増粘剤を含有する場合の含有量は、不純物拡散層形成組成物中に、０．５質量％以上、３０質量％以下であることが好ましく、３質量％以上、２５質量％以下であることがより好ましく、３質量％以上、２０質量％以下であることが更に好ましい。

−界面活性剤−
本発明の不純物拡散層形成組成物は、界面活性剤の少なくとも１種を更に含有してもよい。
界面活性剤としては、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤等が挙げられる。中でも、半導体基板への重金属等の不純物の持ち込みが少ないことからノニオン系界面活性剤又はカチオン系界面活性剤が好ましい。
ノニオン系界面活性剤としては、シリコン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、炭化水素系界面活性剤等が挙げられる。中でも熱拡散等の加熱時に速やかに焼成されることから、炭化水素系界面活性剤が好ましい。

炭化水素系界面活性剤としては、エチレンオキサイド−プロピレンオキサイドのブロック共重合体、アセチレングリコール化合物等が例示される。半導体基板のシート抵抗のバラツキをより低減する観点から、アセチレングリコール化合物が好ましい。

−無機フィラー−
不純物拡散層形成組成物は更に無機フィラーの少なくとも１種を含むことが好ましい。無機フィラーとしてはシリカ（酸化ケイ素）、クレイ、炭化ケイ素、窒化ケイ素等を挙げることができる。これらの中でもシリカを成分として含む無機フィラーを用いることが好ましい。ここで、クレイとは層状粘土鉱物を示し、具体的にはカオリナイト、イモゴライト、モンモリロナイト、スメクタイト、セリサイト、イライト、タルク、スチーブンサイト、ゼオライト等が挙げられる。
無機フィラーを添加することで、不純物拡散層形成組成物を付与、乾燥する工程におけるペーストの滲み及び熱ダレ発生によるパターン形状の肥大をより効果的に抑制することができる。付与時に発生する滲みについては、分散媒と無機フィラーが相互作用することによって分散媒の滲みを抑制できると考えられる。また、乾燥時の滲み及び熱ダレは、分散媒を分解、揮発させる１００℃〜５００℃程度の温度において、ポリエチレングリコール等の特定化合物が融解するために発生すると考えられる。従って、融解した特定化合物と無機フィラーとの間で相互作用させることで、滲み及び熱ダレを抑制できると考えられる。

無機フィラーのＢＥＴ比表面積は、１ｍ^２／ｇ〜５００ｍ^２／ｇであることが好ましく、１０ｍ^２／ｇ〜２００ｍ^２／ｇであることが更に好ましい。
無機フィラーの中でもフュームドシリカ（Ｆｕｍｅｄ Ｓｉｌｉｃａ）を用いることが好ましい。ここでいうフュームドシリカとは、超微粒子（ＢＥＴ比表面積３０ｍ^２／ｇ〜５００ｍ^２／ｇ）状無水シリカをいい、四塩化ケイ素等シラン類を、酸素と水素の炎中で加水分解して製造される。気相法で合成されるため、一次粒子径が小さく、ＢＥＴ比表面積が大きくなる。高ＢＥＴ比表面積の無機フィラーを用いることで、乾燥工程において低粘度化した溶剤との間の物理的、ファンデルワールス力による相互作用によって粘度の低下を抑制しやすくなる傾向にある。ＢＥＴ比表面積は−１９６℃における窒素の吸着等温線から算出できる。例えば、ＢＥＬＳＯＲＰ（日本ベル株式会社製）を用いて測定することができる。

前記フュームドシリカは親水性であっても疎水性であってもどちらでもよいが、表面が疎水化処理されることにより疎水性とされたフュームドシリカを用いることが好ましい。疎水性とする方法としては、無水シリカの表面を、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基等の有機官能基を有するシランカップリング剤などで、ディップ、スプレー等の手法により表面処理することで疎水性とすることができる。ここでフュームドシリカが疎水性であるとは、水−メタノールの比を変えて該溶液に対する粉体の浮遊割合を測定する方法によって求められる疎水化度において、浮遊量０％となるメタノール濃度が３０容量％以上である場合をいう。

不純物拡散層形成組成物中に無機フィラーを含有させる場合の無機フィラーの含有量は０．０１質量％〜２０質量％であることが好ましく、０．１質量％〜１０質量％であることがより好ましく、更に好ましくは０．５質量％〜３質量％である。０．０１質量以上とすることで、乾燥工程における熱ダレの発生を抑制する効果が得られ、２０質量％以下とすることで不純物拡散層形成組成物の付与特性（細線形成性、印刷時のにじみ抑制、熱乾燥時の熱ダレ抑制）を確保することができる。

無機フィラーを用いる場合において、特定化合物（２種以上の特定化合物を併用する場合には特定化合物の合計量）と無機フィラーとの比（質量基準）は、１：９９〜９９：１が好ましく、１０：９０〜９０：１０がより好ましい。

前記不純物拡散層形成組成物が無機フィラーを含む場合、無機フィラーは分散していることが好ましい。無機フィラーの分散方法に特に制限はなく、無機フィラーが不純物拡散層形成組成物に含まれる分散媒に溶解する場合は特に分散する必要はない。無機フィラーが前記分散媒に溶解しない場合、超音波分散、ビーズミル、ボールミル、ホモジナイザー、サンドミル、ロール、ニーダー、ディゾルバー、攪拌羽根等を用いて分散することが好ましい。

−アルコキシシラン−
本発明の不純物拡散層形成組成物は更にアルコキシシランを含んでいてもよい。アルコキシシランを含むことで、不純物拡散層形成組成物の乾燥時における不純物拡散層形成組成物の粘度を保持できる傾向にある。アルコキシシランを構成するアルキルオキシ基（アルコキシ基）としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキルオキシ基であることが好ましく、より好ましくは炭素数１〜２４の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルオキシ基であり、更に好ましくは炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルオキシ基であり、特に好ましくは炭素数１〜４の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルオキシ基である。
前記アルキルオキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｔ−オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、２−ヘキシルデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、シクロヘキシルメトキシ基、オクチルシクロヘキシルキシ基等を挙げることができる。
これらの中でもテトラアルコキシシランを用いることが好ましく、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン又はテトライソプロポキシシランを用いることがより好ましい。
本発明の不純物拡散層形成組成物がアルコキシシランを含有する場合のアルコキシシランの含有量に特に制限は無いが、０．１質量％〜３０質量％であることが好ましく、１質量％〜２０質量％であることがより好ましく、２質量％〜１０質量％であることが更に好ましい。

−不純物拡散層形成組成物の製造方法−
本発明の不純物拡散層形成組成物の製造方法は特に制限されない。例えばドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物、特定化合物、分散媒及び必要に応じて加えられる成分をブレンダー、ミキサ、乳鉢、ローター等を用いて混合することで得ることができる。また、混合する際は、必要に応じて熱を加えてもよい。混合に際して加熱する場合、その温度は例えば３０℃〜１００℃とすることができる。

−不純物拡散層形成組成物の物性値等の測定方法−
なお、前記不純物拡散層形成組成物中に含まれる成分及び各成分の含有量はＴＧ／ＤＴＡ等の熱分析；ＮＭＲ、ＨＰＬＣ、ＧＰＣ、ＧＣ−ＭＳ、ＩＲ、ＭＡＬＤＩ−ＭＳ等のスペクトル分析などを用いて確認することができる。

不純物拡散層形成組成物の粘度に特に制限は無いが、例えば２５℃におけるせん断速度が１０[ｓｅｃ^−１]のときのせん断粘度が１Ｐａ・ｓ〜１５０Ｐａ・ｓであることが好ましく、５Ｐａ・ｓ〜１００Ｐａ・ｓであることがより好ましく、更に好ましくは７Ｐａ・ｓ〜８０Ｐａ・ｓである。１Ｐａ・ｓ以上であると、スクリーン印刷時におけるコートが均一になる傾向にあり、１５０Ｐａ・ｓ以下であると、スクリーンマスク版の目詰まりが起き難くなる傾向にある。

不純物拡散層形成組成物中のチキソ性に特に制限は無いが、２５℃におけるせん断速度がｘ[ｓ^−１]のときのせん断粘度をη^ｘと表記し、その常用対数をｌｏｇ_１０(η^ｘ)と表記し、チキソ性を示すＴＩ値を[ｌｏｇ_１０(η^０．０１)−ｌｏｇ_１０(η^１０)]としたときに、ＴＩ値は０．５〜２．０であることが好ましく、０．８〜１．８であることがより好ましく、１．０〜１．６であることが更に好ましい。ＴＩ値が０．５以上であると、不純物拡散層形成組成物の半導体基板への付与後（特にスクリーン印刷後）の不純物拡散層形成組成物層の液ダレ、すなわち面方向への接触面積の拡大が起き難く、２．０以下であると、付与量が安定する傾向にある。付与量の安定化は、特にスクリーン印刷の連続印刷時に顕著であるが、他の付与方法、例えばインクジェット法においても同様の効果が得られる。
また、せん断粘度は、粘弾性測定装置（Ａｎｔｏｎ Ｐａａｒ社製レオメーターＭＣＲ３０１）を用いて測定することができる。

本発明の不純物拡散層形成組成物は、ドナー元素を含む化合物に含有される金属及びアクセプタ元素を含む化合物に含有される金属以外に、他の金属を実質的に含有しないこと（０．５質量%以下）が好ましく、金属を含有しないこと（０質量％）がより好ましい。

＜不純物拡散層付き半導体基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法＞
本発明の不純物拡散層付き半導体基板の製造方法は、半導体基板上に、本発明の不純物拡散層形成組成物を付与する工程と、不純物拡散層形成組成物が付与された半導体基板を熱処理する工程と、を有する。本発明の不純物拡散層付き半導体基板の製造方法においては、半導体基板上の全部又は一部に、本発明の不純物拡散層形成組成物が付与される。
また、本発明の太陽電池素子の製造方法は、半導体基板上に、本発明の不純物拡散層形成組成物を付与する工程と、不純物拡散層形成組成物が付与された半導体基板を熱処理して、不純物拡散層を形成する工程と、形成された前記不純物拡散層上に電極を形成する工程と、を有する。本発明の太陽電池素子の製造方法においては、半導体基板上の全部又は一部に、本発明の不純物拡散層形成組成物が付与される。

以下に、本発明の不純物拡散層付き半導体基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法について、図１を参照しながら説明する。図１は、本発明の太陽電池素子の製造方法の一例を概念的に表す模式断面図である。以降の図面においては、共通する構成要素に同じ符号を付す。また、図面に示される各構成要素の大きさは一例であり、各構成要素間における大きさの相対的な関係を制限するものではない。なお、図１ではｎ型の不純物拡散層（ｎ型拡散層）の製造工程を示すが、本発明の不純物拡散層形成組成物はｐ型の不純物拡散層（ｐ型拡散層）の製造工程においても用いることができる。

図１（１）では、ｐ型半導体基板１０である結晶シリコン基板にアルカリ溶液を付与してダメージ層を除去し、テクスチャー構造をエッチングにて得る。
詳細には、インゴットからスライスした際に発生するシリコン基板表面のダメージ層を２０質量％苛性ソーダで除去する。次いで１質量％苛性ソーダと１０質量％イソプロピルアルコールの混合液によりエッチングを行い、テクスチャー構造を形成する（図中ではテクスチャー構造の記載を省略する）。太陽電池素子においては、受光面（表面）側にテクスチャー構造を形成することにより、光閉じ込め効果が促され、高効率化が図られる。

図１（２）では、ｐ型半導体基板１０の表面すなわち受光面となる面に、上記ｎ型拡散層形成組成物を付与して、ｎ型拡散層形成組成物層１１を形成する。なお、本発明に係るｎ型拡散層形成組成物を用いれば、半導体基板上に細線状にｎ型拡散層形成組成物を付与した場合であってもパターンの幅太りを抑えることが可能である。本発明では、付与方法には制限がないが、スクリーン印刷等の印刷法、スピン法、刷毛塗り、スプレー法、ドクターブレード法、ロールコーター法、インクジェット法などが挙げられる。
上記ｎ型拡散層形成組成物の付与量としては特に制限は無いが、例えば、ドナー元素を含む化合物（例えばガラス粉末）の量として０．０１ｇ／ｍ^２〜１００ｇ／ｍ^２とすることができ、０．１ｇ／ｍ^２〜１０ｇ／ｍ^２であることが好ましい。

なお、不純物拡散層形成組成物の組成によっては、付与後に、組成物中に含まれる溶剤を分解又は揮発させるための乾燥工程が必要な場合がある。この場合には、８０℃〜３００℃程度の温度で、ホットプレートを使用する場合は１分〜１０分、乾燥機等を用いる場合は１０分〜３０分程度で乾燥させる。この乾燥条件は、不純物拡散層形成組成物の溶剤組成に依存しており、本発明では特に上記条件に限定されない。

また、本発明の製造方法を用いる場合には、裏面のｐ^＋型拡散層（高濃度電界層）１４の製造方法はアルミニウムによるｎ型拡散層からｐ^＋型拡散層への変換による方法に限定されることなく、従来公知のいずれの方法も採用でき、製造方法の選択肢が広がる。例えば、Ｂ（ホウ素）等の第１３族の元素を含む組成物１３を付与した後、熱処理することで、ｐ^＋型拡散層（高濃度電界層）１４を形成することができる。

次いで、上記ｎ型拡散層形成組成物層１１を形成した半導体基板１０を、６００℃〜１２００℃で熱処理（以下、「熱拡散処理」ともいう）する。この熱拡散処理により、図１（３）に示すように半導体基板中へドナー元素が拡散し、ｎ型拡散層１２が形成される。熱拡散処理には公知の連続炉、バッチ炉等が適用できる。また、熱拡散処理時の炉内雰囲気は、空気、酸素、窒素等に適宜調整することもできる。
熱拡散処理時間は、ｎ型拡散層形成組成物に含まれるドナー元素の含有率等に応じて適宜選択することができる。例えば、１分〜６０分とすることができ、２分〜３０分であることがより好ましい。

形成されたｎ型拡散層１２の表面には、リン酸ガラス等のガラス層（不図示）が形成されているため、このリン酸ガラスをエッチングにより除去する。エッチングとしては、フッ酸等の酸に浸漬する方法、苛性ソーダ等のアルカリに浸漬する方法などの公知の方法が適用できる。

図１（２）及び（３）に示される、本発明のｎ型拡散層形成組成物層１１を用いてｎ型拡散層１２を形成する本発明の不純物拡散層（ｎ型拡散層）付き半導体基板の製造方法では、所望の部位にのみｎ型拡散層１２が形成され、裏面又は側面等のｎ型拡散層形成組成物層が形成された半導体基板の領域以外の領域には不要なｎ型拡散層が形成されない。
したがって、従来広く採用されている気相反応法によりｎ型拡散層を形成する方法では、側面に形成された不要なｎ型拡散層を除去するためのサイドエッチング工程が必須であったが、本発明の製造方法によれば、サイドエッチング工程が不要となり、工程が簡易化される。

また、従来の製造方法では、裏面に形成された不要なｎ型拡散層をｐ^＋型拡散層へ変換する必要があり、この変換方法としては、裏面のｎ型拡散層に、第１３族元素であるアルミニウムのペーストを付与した後、焼成処理してアルミニウム層を形成するとともに、ｎ型拡散層にアルミニウムを拡散させてｐ型拡散層へ変換する方法が採用されている。この方法においてｐ型拡散層への変換を充分なものとし、更にｐ^＋型の高濃度電界層を形成するためには、ある程度以上のアルミニウム量が必要である。そのためアルミニウム層を厚く形成する必要があった。しかしながら、アルミニウムの熱膨張率は、基板として用いるシリコンの熱膨張率と大きく異なることから、焼成及び冷却の過程でシリコン基板中に大きな内部応力を発生させ、半導体基板であるシリコン基板の反りの原因となっていた。
この内部応力は、結晶の結晶粒界に損傷を与え、電力損失が大きくなるという課題があった。また、反りは、モジュール工程における太陽電池素子の搬送や、タブ線と呼ばれる配線材料である銅線との接続において、素子を破損させ易くしていた。近年では、スライス加工技術の向上から、結晶シリコン基板の厚みが薄型化されつつあり、更に素子が割れ易い傾向にある。

しかし、本発明の製造方法によれば、裏面に不要なｎ型拡散層が形成されないことから、ｎ型拡散層からｐ型拡散層への変換を行う必要がなくなり、アルミニウム層を厚くする必然性がなくなる。その結果、シリコン基板内の内部応力の発生及び反りの発生を抑えることができる。結果として、電力損失の増大及び素子の破損を抑えることが可能となる。

また、本発明の製造方法を用いる場合には、裏面のｐ^＋型拡散層（高濃度電界層）１４の製造方法はアルミニウムによるｎ型拡散層からｐ型拡散層への変換による方法に限定されることなく、いずれの方法も採用でき、製造方法の選択肢が広がる。
また後述するように、裏面の表面電極（裏面電極）２０に用いる材料は第１３族のアルミニウムに限定されず、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等を適用することができ、裏面の表面電極２０の厚さも従来のものよりも薄く形成することが可能となる。

図１（４）では、ｎ型拡散層１２の上に反射防止膜１６を形成する。反射防止膜１６は公知の技術を適用して形成される。例えば、反射防止膜１６が窒化ケイ素膜の場合には、ＳｉＨ_４とＮＨ_３の混合ガスを原料とするプラズマＣＶＤ法により形成する。このとき、水素が結晶中に拡散し、ケイ素原子の結合に寄与しない軌道、即ちダングリングボンドと水素が結合し、欠陥を不活性化（水素パッシベーション）する。
より具体的には、上記混合ガス流量比ＮＨ_３／ＳｉＨ_４が、０．０５〜１．０、反応室の圧力が０．１Ｔｏｒｒ（１３．３Ｐａ）〜２Ｔｏｒｒ（２６６．６Ｐａ）、成膜時の温度が３００℃〜５５０℃、プラズマの放電のための周波数が１００ｋＨｚ以上の条件下で形成される。

図１（５）では、表面（受光面）の反射防止膜１６上に、表面電極用金属ペーストを、例えばスクリーン印刷法で印刷して乾燥させ、表面電極用金属ペースト層１８Ａを形成する。表面電極用金属ペーストは、（１）金属粒子と（２）ガラス粒子とを必須成分とし、必要に応じて（３）樹脂バインダ、（４）その他の添加剤等を含む。

次いで、上記裏面の高濃度電界層１４上にも裏面電極２０を形成する。前述のように、本発明では裏面電極２０の材質及び形成方法は特に限定されない。アルミニウム、銀、銅等の金属を含む裏面電極用ペーストを付与し、乾燥させて、裏面電極用ペースト層２０Ａを形成し、これを熱処理して裏面電極２０を形成してもよい。このとき、裏面にも、モジュール工程における素子間の接続のために、一部に銀電極形成用銀ペーストを設けてもよい。

図１（６）では、電極を焼成して、太陽電池素子を完成させる。６００℃〜９００℃の範囲で数秒〜数分間焼成すると、表面側では電極用金属ペースト層１８Ａに含まれるガラス粒子によって絶縁膜である反射防止膜１６が溶融し、更にｐ型半導体基板１０の表面も一部溶融して、ペースト中の金属粒子（例えば銀粒子）がｐ型半導体基板１０と接触部を形成し凝固する。これにより、形成された表面電極１８とシリコン基板１０とが導通される。これはファイヤースルーと称されている。

表面電極１８の形状について図２Ａ及び図２Ｂに基づき説明する。表面電極１８は、バスバー電極３０及び該バスバー電極３０と交差しているフィンガー電極３２で構成される。図２Ａは、表面電極１８を、バスバー電極３０及び該バスバー電極３０と交差しているフィンガー電極３２からなる構成とした太陽電池素子を表面から見た平面図であり、図２Ｂは、図２Ａの一部を拡大して示す斜視図である。

このような表面電極１８は、上述の金属ペーストのスクリーン印刷、電極材料のメッキ、高真空中における電子ビーム加熱による電極材料の蒸着等の手段により形成することができる。バスバー電極３０とフィンガー電極３２とからなる表面電極１８は受光面側の電極として一般的に用いられていて周知であり、受光面側のバスバー電極及びフィンガー電極の公知の形成手段を適用することができる。

上記では、表面にｎ型拡散層、裏面にｐ^＋型拡散層を形成し、更にそれぞれの層の上に表面電極及び裏面電極を設けた太陽電池素子について説明したが、本発明の不純物拡散層形成組成物を用いればバックコンタクト型の太陽電池素子を作製することも可能である。
バックコンタクト型の太陽電池素子は、電極を全て裏面に設けて受光面の面積を大きくするものである。つまりバックコンタクト型の太陽電池素子では、裏面に不純物拡散部位及びｐ^＋型拡散部位の両方を形成しｐｎ接合構造とする必要がある。本発明の不純物拡散層形成組成物は、特定の部位にのみｎ型拡散部位を形成することが可能であり、よってバックコンタクト型の太陽電池素子の製造に好適に適用することができる。

具体的には、例えば図３にその一例の概略を示すような製造工程を含む製造方法で、バックコンタクト型の太陽電池素子の製造をすることができる。

ｐ型半導体基板１の表面にｐ型拡散層形成組成物及びｎ型拡散層形成組成物を、それぞれ部分的に付与し、これを熱処理することで、ｐ^＋型拡散層３及びｎ型拡散層６を、それぞれ特定の領域に形成することができる。ペーストの付与はインクジェット法又はスクリーン印刷等のパターン印刷法を用いることができる。
これにより図３（ａ）に示すように、ｐ型半導体基板１のｐ^＋型拡散層３の上にはｐ型拡散層形成組成物の熱処理物層２が形成され、ｎ型拡散層６の上にはｎ型拡散層形成組成物の熱処理物層５が形成される。

次いで、ｐ^＋型拡散層３の上に形成されたｐ型拡散層形成組成物の熱処理物層２及びｎ型拡散層６の上に形成されたｎ型拡散層形成組成物の熱処理物層５をエッチング等により除去する。
これにより図３（ｂ）に示すように、図３（ａ）におけるｐ型拡散層形成組成物の熱処理物層２及びｎ型拡散層形成組成物の熱処理物層５がエッチング除去され、表面近傍にｐ^＋型拡散層３とｎ型拡散層６とが選択的に形成されたｐ型半導体基板１が得られる。

次いでｐ型半導体基板１の上に反射膜又は表面保護膜７を常法により形成する。このとき図３（ｃ１）に示すように、ｐ^＋型拡散層３とｎ型拡散層６とが表面に露出するように部分的に反射膜又は表面保護膜７を形成してもよい。
また、図３（ｃ２）に示すように、ｐ型半導体基板１の全面に反射膜又は表面保護膜７を形成してもよい。

次いでｐ^＋型拡散層３及びｎ型拡散層６の上に、電極ペーストを選択的に付与し熱処理することで、図３（ｄ）に示すようにｐ^＋型拡散層３及びｎ型拡散層６の上に、電極４及び電極８をそれぞれ形成することができる。
なお、図３（ｃ２）に示すようにｐ型半導体基板１の全面に反射膜又は表面保護膜７を形成した場合は、電極ペーストとしてファイヤースルー性を有するガラス粉末を含むものを用いることで、図３（ｄ）に示すようにｐ^＋型拡散層３及びｎ型拡散層６の上に、電極４及び電極８をそれぞれ形成することができる。

図３に示す製造工程を含む製造方法で製造される太陽電池素子では、受光面に電極が存在しないため、太陽光を有効に取り込むことができる。

＜太陽電池＞
前記製造方法で製造された太陽電池素子は、太陽電池の製造に用いられる。太陽電池は、前記製造方法で製造された太陽電池素子の１種以上を含み、太陽電池素子の電極上に配線材料が配置されて構成される。太陽電池は更に必要に応じて、配線材料を介して複数の太陽電池素子が連結され、更に封止材で封止されて構成されていてもよい。
前記配線材料及び封止材としては特に制限されず、当業界で通常用いられているものから適宜選択することができる。
太陽電池の形状及び大きさに特に制限はないが、０．５ｍ^２〜３ｍ^２であることが好ましい。

以下、本発明の実施例を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限するものではない。なお、特に記述が無い限り、薬品は全て試薬を使用した。また「％」は断りがない限り「質量％」を意味する。
また、各実施例及び比較例で使用されたドナー元素を含む化合物及びアクセプタ元素を含む化合物の成分を表１にまとめて示す。

［実施例１］
（ドナー元素を含む化合物１の合成）
ＳｉＯ_２（和光純薬工業株式会社製）、Ｐ_２Ｏ_５（和光純薬工業株式会社製）、ＣａＣＯ_３（和光純薬工業株式会社製）を原料として用い、それぞれのモル比がＳｉＯ_２：Ｐ_２Ｏ_５：ＣａＯ＝３０：６０：１０となるように混合し、アルミナ坩堝に入れて、１４００℃まで４００℃／ｈで昇温後、１時間保持し、次いで急冷した。これを自動乳鉢混練装置を用いて粉砕して、ドナー元素を含む化合物１のガラス粉末を得た。
得られたガラス粉末の粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）パターンをＮｉフィルターを用いたＣｕ−Ｋα線を用いて、Ｘ線回折装置（株式会社リガク製、ＲＩＮＴ−２０００）により測定したところ、得られたガラス粉末は非晶質であることが確認された。

ドナー元素を含むガラス粉末３０ｇ及び分散媒としてターピネオール−ＬＷ（日本テルペン化学株式会社製、α、β、γ−ターピネオール異性体混合物）７０ｇを、遊星ボールミル（フリッチュ社製）を用い、１ｍｍのイットリア安定化ジルコニアビーズを用いて粉砕し、３０％ガラス粉末分散ターピネオール溶液を調製した。ガラス粉末の体積平均粒子径をレーザー回折式粒度分布測定装置により、測定したところ、０．３μｍであった。得られた３０％ガラス粉末分散ターピネオール溶液中のガラス粉末をドナー元素を含む化合物１とした。

（不純物拡散層形成組成物１の調製）
エチルセルロース（日進化成株式会社製エトセルＳＴＤ２００、エチル化率５０％）２ｇ、ポリエチレングリコール（数平均分子量２万、ガラス転移温度−１４℃、融点６５℃、和光純薬工業株式会社製）８ｇをターピネオール−ＬＷ（日本テルペン化学株式会社）５６．７ｇに加え、１６０℃で１時間かけて溶解した。その後、１００℃まで冷却後、３０％ガラス粉末分散ターピネオール溶液３３．３ｇを加え、１００℃のままで３０分間攪拌後、室温まで放冷して不純物拡散層形成組成物１（以下、単に「ペースト」ともいう）を調製した。

（不純物拡散層の形成）
−熱拡散及びエッチング工程−
スライスしたｐ型シリコン基板（以下、「ｐ型スライスシリコン基板」ともいう）表面上に、得られたペーストをスクリーン印刷によって付与した。印刷パターンは４５ｍｍ×４５ｍｍの矩形のベタパターンと１５０μｍの細線パターンの２種のマスクで印刷した。付与後、１５０℃のホットプレート上で５分間乾燥させた。続いて、空気を５Ｌ／ｍｉｎ．で流した９００℃のトンネル炉（横型チューブ拡散炉 ＡＣＣＵＲＯＮ ＣＱ−１２００、株式会社国際電気製）で１０分間、熱拡散処理を行った。その後、ｐ型スライスシリコン基板表面上に形成されたガラス層を除去するため、基板を、２．５％ＨＦ水溶液に６分間浸漬し、次いで流水洗浄、超音波洗浄、乾燥を行って、ｎ型拡散層が形成されたｐ型スライスシリコン基板を得た。

［評価］
（不純物拡散層形成組成物１のチキソ性の評価）
不純物拡散層形成組成物１のチキソ性は粘弾性測定装置（Ａｎｔｏｎ−Ｐａｒｒ（アントンパール）社製、ＭＣＲ−３０１）を用い、せん断速度０．０１[ｓ^−１]〜１０[ｓ^−１]の範囲のせん断粘度を２５℃にて測定した。結果を表２に示した。また、せん断速度がｘ[ｓ^−１]のときのせん断粘度をη^ｘとし、その常用対数をｌｏｇ_１０（η^ｘ)と表記する場合のチキソ性を示すＴＩ値を[ｌｏｇ_１０(η^０．０１)−ｌｏｇ_１０(η^１０)]として計算した。得られた結果を表２に示す。

（印刷幅の測定）
不純物拡散層形成組成物１をｐ型スライスシリコン基板上に付与し、１５０℃で乾燥した後の印刷幅を光学顕微鏡（オリンパス株式会社製、ＭＸ−５１）で観察した。印刷幅は１８０μｍであり、マスクの設定幅１５０μｍに対する増加率は１２０％であった。得られた結果を表２に示す。

（シート抵抗の測定）
別途、上述の不純物拡散層形成組成物１をｐ型スライスシリコン基板表面の半分にベタ状に付与し、１５０℃のホットプレート上で１分間乾燥させた後、空気を５Ｌ／ｍｉｎ．で流した９００℃のトンネル炉（横型チューブ拡散炉 ＡＣＣＵＲＯＮ ＣＱ−１２００、株式会社国際電気製）で１０分間、熱拡散処理を行った。その後、ｐ型スライスシリコン基板表面上に形成されたガラス層を除去するため、基板を、２．５％ＨＦ水溶液に５分間浸漬し、次いで流水洗浄、超音波洗浄、乾燥を行って、ｎ型拡散層が基板表面の半分に形成されたｐ型シリコン基板を得た。

上記ｐ型シリコン基板の不純物拡散層形成組成物１を付与した部分（付与部）の表面のシート抵抗は４０Ω／□であり、Ｐ（リン）が拡散しｎ型拡散層が形成されていた。一方、上記ｐ型シリコン基板の不純物拡散層形成組成物１を付与していない部分（非付与部）の表面のシート抵抗は１０００Ω／□以上で測定不能であり、ｎ型拡散層は形成されていなかった。
なお、シート抵抗は三菱化学株式会社製Ｌｏｒｅｓｔａ−ＥＰ ＭＣＰ−Ｔ３６０型低抵抗率計を用いて四探針法により測定した。

［実施例２］
（ドナー元素を含む化合物２の合成）
テトラエトキシシラン（和光純薬工業製）１０ｇをエタノール４０gに溶解した。これに１０％硝酸水溶液を１０g加えた。次いで、リン酸トリエチル（東京化成工業製）７．０gを加え、１時間２５℃にて撹拌した。次いで、６０℃にて蒸発乾固した。ついで、１００℃にて１時間乾燥した。得られた粉末をメノウ乳鉢で粉砕して、ドナー元素を含む化合物２を得た。レーザー回折法で測定した平均二次粒子径は６μｍであった。

（不純物拡散層形成組成物２の調製）
エチルセルロース（日進化成株式会社製エトセルＳＴＤ２００、エチル化率５０％）を１５％含むターピネオール−ＬＷ（日本テルペン化学株式会社）溶液を１６０℃で２時間かけて溶解し、２５℃に冷却して溶液を調製した。また、ポリエチレングリコール（数平均分子量２万、ガラス転移温度−１４℃、融点６５℃、和光純薬工業株式会社製）を１５％含むターピネオール溶液を１００℃で溶解後、２５℃で冷却し、ポリエチレングリコールが析出した溶液を調製した。ドナー元素を含む化合物２/ポリエチレングリコール（固形分として）/エチルセルロース（固形分として）/ターピネオール−ＬＷ＝１０/４/２/８４（質量比）となるように乳鉢で混合して、不純物拡散層形成組成物２を調製した。次に、実施例１と同様の方法で、各評価を行なった。結果を表２に示した。

［実施例３］
（ドナー元素を含む化合物３の合成）
ドナー元素を含む化合物３としてリン酸二水素アンモニウム（和光純薬工業製）をそのまま用いた。５％の濃度となるようにアエロジル（ＲＹ２００、日本アエロジル製）とターピネオール−ＬＷを混合し、遊星ボールミルを用い、３ｍｍのイットリア安定化ジルコニアビーズを用いて粉砕して、５％アエロジル/ターピネオール分散液を調製した。ドナー元素を含む化合物１の替わりにドナー元素を含む化合物３を用いた以外は、実施例１と同様にして不純物拡散層形成組成物３を調製した。なお、ドナー元素を含む化合物３/ポリエチレングリコール（固形分として）/エチルセルロース（固形分として）/ターピネオール−ＬＷ/テトラエトキシシラン（和光純薬工業製）/アエロジル（固形分として）＝１５/２/２/７８/２/１（質量比）となるように乳鉢で混合して、不純物拡散層形成組成物３を調製した。次に、実施例１と同様の方法で、各評価を行なった。結果を表２に示した。
なお、アエロジルＲＹ２００は体積平均粒子径が１２ｎｍのフュームドシリカであり、表面が疎水化処理されている。

［実施例４］
（アクセプタ元素を含む化合物４の合成）
ＳｉＯ_２（和光純薬工業株式会社製）、Ｂ_２Ｏ_３（和光純薬工業株式会社製）、ＺｎＯ（和光純薬工業株式会社製）を原料として用い、それぞれのモル比がＳｉＯ_２：Ｂ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝１０：４０：５０となるように混合し、アルミナ坩堝に入れて、１４００℃まで４００℃／ｈで昇温後、１時間保持し、次いで急冷した。これを自動乳鉢混練装置を用いて粉砕して、アクセプタ元素を含むガラス粉末を得た。
アクセプタ元素を含むガラス粉末３０ｇ及び分散媒としてターピネオール−ＬＷ（日本テルペン化学株式会社）７０ｇを、遊星ボールミル（フリッチュ社製）を用い、１ｍｍのイットリア安定化ジルコニアビーズを用いて粉砕し、３０％ガラス粉末分散ターピネオール溶液を調製した。ガラス粉末の体積平均粒子径をレーザー回折式粒度分布測定装置により測定したところ、０．３μｍであった。得られた３０％ガラス粉末分散ターピネオール溶液中のガラス粉末をアクセプタ元素を含む化合物４とした。
実施例１と同様の方法により、得られたガラス粉末は非晶質であることが確認された。

ドナー元素を含む化合物１の替わりにアクセプタ元素を含む化合物４を用いた以外は、実施例１と同様にして、不純物拡散層形成組成物４を調製した。なお、アクセプタ元素を含む化合物４（固形分として）/ポリエチレングリコール（固形分として）/エチルセルロース（固形分として）/ターピネオール−ＬＷ/アエロジル（２００、日本アエロジル製）＝１０/２/２/８５/１（質量比）となるように乳鉢で混合して、不純物拡散層形成組成物４を調製した。なお、アクセプタ元素を含む化合物４は、３０％ガラス粉末分散ターピネオール溶液としては３３．３ｇ添加した。次に、実施例１と同様の方法で、各評価を行なった。結果を表２に示した。
なお、アエロジル２００は体積平均粒子径が１２ｎｍのフュームドシリカであり、表面が処理されていないため、親水性である。

［実施例５］
（アクセプタ元素を含む化合物５の合成）
トリイソプロピルボレート（東京化成工業製）１．０ｇをエタノール３ｇに溶解し、次いでテトラエトキシシラン（和光純薬工業製）１.１ｇを加えた。これに１０％硝酸水溶液を１.０gを加えた。これを、４０℃にて還流しながら1時間攪拌後、１００℃にて攪拌しながら蒸発乾固した。得られた粉末をメノウ乳鉢で粉砕してアクセプタ元素を含む化合物５を得た。レーザー回折法で測定した平均二次粒子径は６μｍであった。

ドナー元素を含む化合物１の替わりにアクセプタ元素を含む化合物５を用いた以外は、実施例１と同様にして不純物拡散層形成組成物５を調製した。なお、アクセプタ元素を含む化合物５/ポリエチレングリコール（固形分として）/エチルセルロース（固形分として）/ターピネオール−ＬＷ＝１０/４/２/８６（質量比）となるように乳鉢で混合して、不純物拡散層形成組成物５を調製した。次に、実施例１と同様の方法で、各評価を行なった。結果を表２に示した。

［実施例６］
アクセプタ元素を含む化合物６として酸化ホウ素（和光純薬工業製）をそのまま用いた。ドナー元素を含む化合物１の替わりにアクセプタ元素を含む化合物６を用いた以外は、実施例１と同様にして不純物拡散層形成組成物６を調製した。なお、アクセプタ元素を含む化合物６/ポリエチレングリコール（固形分として）/エチルセルロース（固形分として）/ターピネオール−ＬＷ/テトラエトキシシラン/アエロジル２００＝１５/２/２/７８/２/１（質量比）となるように乳鉢で混合して、不純物拡散層形成組成物６を調製した。次に、実施例１と同様の方法で、各評価を行なった。結果を表２に示した。

［比較例１］
エチルセルロース（日進化成株式会社製エトセルＳＴＤ２００、エチル化率５０％）４ｇをターピネオール−ＬＷ（日本テルペン化学株式会社）８６ｇに加え、１６０℃で１時間かけて溶解した。その後、１００℃まで冷却後、実施例１の３０％ガラス粉末分散ターピネオール溶液１０ｇを加え、１００℃のままで３０分間攪拌後、室温まで放冷して比較不純物拡散層形成組成物１を調製した。次に、実施例１と同様の方法で、各評価を行なった。結果を表２に示した。

[実施例７]
エチルセルロース４ｇ、ポリエチレングリコール（数平均分子量２万、ガラス転移温度−１４℃、融点６５℃、和光純薬工業株式会社製）８ｇをターピネオール−ＬＷ５４．７ｇに加え、１６０℃で１時間かけて溶解した。その後、１００℃まで冷却後、実施例１で用いた３０％ガラス粉末分散ターピネオール溶液３３．３ｇを加え、１００℃のままで３０分間攪拌後、室温まで放冷して不純物拡散層形成組成物７を調製した。次に、実施例１と同様の方法で、各評価を行なった。結果を表３に示した。

[実施例８]
エチルセルロース６ｇ、ポリエチレングリコール（数平均分子量２万、ガラス転移温度−１４℃、融点６５℃、和光純薬工業株式会社製）０．３ｇをターピネオール−ＬＷ４３．７ｇに加え、１６０℃で１時間かけて溶解した。その後、１００℃まで冷却後、実施例１で用いた３０％ガラス粉末分散ターピネオール溶液５０ｇを加え、１００℃のままで３０分間攪拌後、室温まで放冷して不純物拡散層形成組成物８を調製した。次に、実施例１と同様の方法で、各評価を行なった。結果を表３に示した。

[実施例９]
エチルセルロース２ｇ、ポリエチレングリコール（数平均分子量４０００、ガラス転移温度−９℃、融点６５℃、和光純薬工業株式会社製）８ｇをターピネオール−ＬＷ５６．７ｇに加え、１６０℃で１時間かけて溶解した。その後、１００℃まで冷却後、実施例１で用いた３０％ガラス粉末分散ターピネオール溶液３３．３ｇを加え、１００℃のままで３０分間攪拌後、室温まで放冷して不純物拡散層形成組成物９を調製した。次に、実施例１と同様の方法で、各評価を行なった。結果を表３に示した。

[実施例１０]
エチルセルロース３．３ｇ、ポリエチレングリコール（数平均分子量２万、ガラス転移温度−１４℃、融点６５℃、和光純薬工業株式会社製）７ｇ、アエロジル２００（フュームドシリカ、日本アエロジル株式会社製）１．５ｇをターピネオール−ＬＷ５４．９ｇに加え、１６０℃で１時間かけて溶解した。その後、１００℃まで冷却後、実施例１で用いた３０％ガラス粉末分散ターピネオール溶液３３．３ｇを加え、１００℃のままで３０分間攪拌後、室温まで放冷して不純物拡散層形成組成物１０を調製した。次に、実施例１と同様の方法で、各評価を行なった。結果を表３に示した。

[実施例１１]
実施例１０において、アエロジル２００の替わりにアエロジルＲＹ２００（フュームドシリカ、日本アエロジル株式会社製）を用いた以外は同様にして不純物拡散層形成組成物１１を調製した。次に、実施例１と同様の方法で、各評価を行なった。結果を表３に示した。

[実施例１２]
エチルセルロース３．３ｇ、ポリエチレングリコール（数平均分子量２万、ガラス転移温度−１４℃、融点６５℃、和光純薬工業株式会社製）７ｇ、アエロジルＲＹ２００、１．０ｇをターピネオール−ＬＷ５５．４gに加え、１６０℃で１時間かけて溶解した。その後、１００℃まで冷却後、実施例１で用いた３０％ガラス粉末分散ターピネオール溶液３３．３ｇを加え、１００℃のままで３０分間攪拌後、室温まで放冷して不純物拡散層形成組成物１２を調製した。次に、実施例１と同様の方法で、各評価を行なった。結果を表３に示した。

[実施例１３]
実施例１と同様にして４０％ガラス粉末分散ターピネオール溶液を調製した。エチルセルロース３．０ｇ、ポリエチレングリコール（数平均分子量２万、ガラス転移温度−１４℃、融点６５℃、和光純薬工業株式会社製）７ｇ、アエロジルＲＹ２００、１．０ｇをターピネオール−ＬＷ４９．０ｇに加え、１６０℃で１時間かけて溶解した。その後、１００℃まで冷却後、４０％ガラス粉末分散ターピネオール溶液５０ｇを加え、１００℃のままで３０分間攪拌後、室温まで放冷して不純物拡散層形成組成物１３を調製した。次に、実施例１と同様の方法で、各評価を行なった。結果を表３に示した。

[実施例１４]
エチルセルロース４．０ｇ、プロノン（プロノン＃２０８、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール−ポリエチレングリコール、ブロックコポリマー、数平均分子量１００００、ガラス転移温度−１１℃、融点５２℃、日油株式会社製）４ｇ、アエロジルＲＹ２００、１．０ｇをターピネオール−ＬＷ５７．７ｇに加え、１６０℃で１時間かけて溶解した。その後、１００℃まで冷却後、実施例１で用いた３０％ガラス粉末分散ターピネオール溶液３３．３ｇを加え、１００℃のままで３０分間攪拌後、室温まで放冷して不純物拡散層形成組成物１４を調製した。次に、実施例１と同様の方法で、各評価を行なった。結果を表４に示した。

[実施例１５]
プロノンの替わりにユニオックス（ユニオックス＃２００００、ポリオキシエチレン−モノメチルエーテル、数平均分子量２００００、ガラス転移温度−５℃、融点６８℃、日油株式会社製）を用いた以外は実施例１４と同様にして不純物拡散層形成組成物１５を調製した。次に、実施例１と同様の方法で、各評価を行なった。結果を表４に示した。

実施例１〜１５に記載のように、特定化合物を有する不純物拡散層形成組成物を用いた場合、印刷後のパターン形状が広がるのを抑制することができた。また良好なシート抵抗及びＴＩ値を与えた。一方、ポリエチレングリコールを含まない不純物拡散層形成組成物を用いた比較例１では、印刷幅増加率が大きく、パターン形状が広がるのを抑制することはできなかった。

以上より、ポリエチレングリコール等の特定化合物を不純物拡散層形成組成物に添加することで、印刷幅増加率が１００％に近くなる。つまり、パターン形状が広がるのを抑制することができる。

１ ｐ型半導体基板
２、５ 熱処理物層
３ ｐ^＋型拡散層
４、８ 電極
６ ｎ型拡散層
７ 反射膜又は表面保護膜
１０ ｐ型半導体基板
１１ ｎ型拡散層形成組成物層
１２ ｎ型拡散層
１３ 第１３族の元素を含む組成物
１４ 高濃度電界層
１６ 反射防止膜
１８ 表面電極
１８Ａ 表面電極用金属ペースト層
２０ 裏面電極
２０Ａ 裏面電極用ペースト層
３０ バスバー電極
３２ フィンガー電極

Claims (21)

1. ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物と、分散媒と、下記一般式（Ｉ）で示される化合物と、を含有する不純物拡散層形成組成物。
   
   
   （一般式（Ｉ）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表し、Ｒ^３はアルキレン基を表す。ｎは１以上の任意の整数を示す。）
2. 前記一般式（Ｉ）で示される化合物の数平均分子量が、１０００〜５００万である請求項１に記載の不純物拡散層形成組成物。
3. 前記分散媒が、ターピネオール、ジヒドロターピネオール、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及び酢酸ジエチレングリコールブチルエーテルからなる群より選択される少なくとも１種を含有する請求項１又は請求項２に記載の不純物拡散層形成組成物。
4. 前記ドナー元素を含む化合物が、リン（Ｐ）及びアンチモン（Ｓｂ）の少なくとも一方を含有する請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の不純物拡散層形成組成物。
5. 前記ドナー元素を含む化合物が、ガラス粒子の形態である請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の不純物拡散層形成組成物。
6. ガラス粒子の形態である前記ドナー元素を含む化合物は、Ｐ_２Ｏ_３、Ｐ_２Ｏ_５及びＳｂ_２Ｏ_３からなる群より選択される少なくとも１種のドナー元素含有物質と、ＳｉＯ_２、Ｋ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｖ_２Ｏ_５、ＳｎＯ、ＺｒＯ_２、ＭｏＯ_３、ＧｅＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｓＯ_２及びＴｉＯ_２からなる群より選択される少なくとも１種のガラス成分物質と、を含有する請求項５に記載の不純物拡散層形成組成物。
7. 前記アクセプタ元素を含む化合物が、ホウ素（Ｂ）及びアルミニウム（Ａｌ）の少なくとも一方を含有する請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の不純物拡散層形成組成物。
8. 前記アクセプタ元素を含む化合物が、ガラス粒子の形態である請求項１〜請求項３及び請求項７のいずれか１項に記載の不純物拡散層形成組成物。
9. ガラス粒子の形態である前記アクセプタ元素を含む化合物は、Ｂ_２Ｏ_３及びＡｌ_２Ｏ_３からなる群より選択される少なくとも１種のアクセプタ元素含有物質と、ＳｉＯ_２、Ｋ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｖ_２Ｏ_５、ＳｎＯ、ＺｒＯ_２、ＭｏＯ_３、ＧｅＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｓＯ_２、ＴｉＯ_２、ＷＯ_３、ＴｅＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｌｕ_２Ｏ_３及びＭｎＯからなる群より選択される少なくとも１種のガラス成分物質と、を含有する請求項８に記載の不純物拡散層形成組成物。
10. 前記アクセプタ元素を含む化合物は、窒化ホウ素（ＢＮ）である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の不純物拡散層形成組成物。
11. 更に、セルロース誘導体、アクリル樹脂及びアルキド樹脂からなる群より選択される少なくとも１種を含有する請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の不純物拡散層形成組成物。
12. １質量％〜８０質量％の前記ドナー元素を含む化合物又は前記アクセプタ元素を含む化合物と、０．１質量％〜３０質量％の前記一般式（Ｉ）で示される化合物とを含有する請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の不純物拡散層形成組成物。
13. 更に、無機フィラーを含む請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の不純物拡散層形成組成物。
14. 前記無機フィラーは、フュームドシリカである請求項１３に記載の不純物拡散層形成組成物。
15. 前記フュームドシリカは、表面が疎水化処理されているフュームドシリカである請求項１４に記載の不純物拡散層形成組成物。
16. 前記無機フィラーを、０．０１質量％〜２０質量％の範囲で含有する請求項１３〜請求項１５のいずれか１項に記載の不純物拡散層形成組成物。
17. 前記ドナー元素を含む化合物又は前記アクセプタ元素を含む化合物が、ガラス粒子の形態であり、前記ガラス粒子の体積平均粒子径が、０．０１μｍ〜１００μｍである請求項５、請求項６、請求項８、請求項９及び請求項１１〜請求項１６のいずれか１項に記載の不純物拡散層形成組成物。
18. 更に、アルコキシシランを含む請求項１〜請求項１７のいずれか１項に記載の不純物拡散層形成組成物。
19. ２５℃におけるせん断速度が０．０１[ｓ^−１]の場合のせん断粘度をη^０．０１とし、せん断速度が１０[ｓ^−１]の場合のせん断粘度をη^１０とした場合、[ｌｏｇ_１０(η^０．０１)−ｌｏｇ_１０(η^１０)]で表されるＴＩ値が０．５〜２．０である請求項１〜請求項１８のいずれか１項に記載の不純物拡散層形成組成物。
20. 半導体基板上に、請求項１〜請求項１９のいずれか１項に記載の不純物拡散層形成組成物を付与する工程と、前記不純物拡散層形成組成物が付与された半導体基板を熱処理する工程と、を有する不純物拡散層付き半導体基板の製造方法。
21. 半導体基板上に、請求項１〜請求項１９のいずれか１項に記載の不純物拡散層形成組成物を付与する工程と、前記不純物拡散層形成組成物が付与された半導体基板を熱処理して、不純物拡散層を形成する工程と、形成された前記不純物拡散層上に電極を形成する工程と、を有する太陽電池素子の製造方法。