JP5655974B2 - 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 - Google Patents
不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5655974B2 JP5655974B2 JP2014500611A JP2014500611A JP5655974B2 JP 5655974 B2 JP5655974 B2 JP 5655974B2 JP 2014500611 A JP2014500611 A JP 2014500611A JP 2014500611 A JP2014500611 A JP 2014500611A JP 5655974 B2 JP5655974 B2 JP 5655974B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion layer
- impurity diffusion
- forming composition
- layer forming
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims description 450
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title claims description 290
- 239000011254 layer-forming composition Substances 0.000 title claims description 259
- 239000010410 layer Substances 0.000 title claims description 211
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 110
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 78
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 45
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 136
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 121
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 117
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 53
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 52
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 49
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims description 44
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims description 44
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims description 44
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 claims description 43
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 30
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 26
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 25
- LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N octadecanamide Chemical group CCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 19
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical group N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 8
- FTQWRYSLUYAIRQ-UHFFFAOYSA-N n-[(octadecanoylamino)methyl]octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCNC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC FTQWRYSLUYAIRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DODQEFGJUYDKEX-UHFFFAOYSA-N dimethylamino octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)ON(C)C DODQEFGJUYDKEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QLNJFJADRCOGBJ-UHFFFAOYSA-N propionamide Chemical compound CCC(N)=O QLNJFJADRCOGBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- -1 phosphorus compound Chemical class 0.000 description 84
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 51
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 42
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 38
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 28
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 22
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 22
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 22
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- UODXCYZDMHPIJE-UHFFFAOYSA-N menthanol Chemical compound CC1CCC(C(C)(C)O)CC1 UODXCYZDMHPIJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 17
- 238000013461 design Methods 0.000 description 16
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 12
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 11
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical class CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 11
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 11
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 11
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 10
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 10
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 9
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 9
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 9
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 8
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 8
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 8
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 229940037312 stearamide Drugs 0.000 description 7
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 6
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 6
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 230000005068 transpiration Effects 0.000 description 6
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910002016 Aerosil® 200 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N oxazine, 1 Chemical compound C([C@@H]1[C@H](C(C[C@]2(C)[C@@H]([C@H](C)N(C)C)[C@H](O)C[C@]21C)=O)CC1=CC2)C[C@H]1[C@@]1(C)[C@H]2N=C(C(C)C)OC1 AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N 0.000 description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 5
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 5
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 5
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 5
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 5
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 5
- GRWFGVWFFZKLTI-IUCAKERBSA-N (-)-α-pinene Chemical compound CC1=CC[C@@H]2C(C)(C)[C@H]1C2 GRWFGVWFFZKLTI-IUCAKERBSA-N 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 4
- LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N ammonium dihydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].OP(O)([O-])=O LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000387 ammonium dihydrogen phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 4
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 4
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- 235000019837 monoammonium phosphate Nutrition 0.000 description 4
- WWVIUVHFPSALDO-UHFFFAOYSA-N n-[3-(dimethylamino)propyl]octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCCCN(C)C WWVIUVHFPSALDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 4
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N Linoleic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical class CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 description 3
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 3
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 3
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 3
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N dimethylaminopropylamine Chemical compound CN(C)CCCN IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 235000020778 linoleic acid Nutrition 0.000 description 3
- OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N linoleic acid Natural products CCCCC\C=C/C\C=C\CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N 0.000 description 3
- 229910001960 metal nitrate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 3
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 3
- 150000008301 phosphite esters Chemical class 0.000 description 3
- XRBCRPZXSCBRTK-UHFFFAOYSA-N phosphonous acid Chemical compound OPO XRBCRPZXSCBRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 3
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- WBHHMMIMDMUBKC-XLNAKTSKSA-N ricinelaidic acid Chemical compound CCCCCC[C@@H](O)C\C=C\CCCCCCCC(O)=O WBHHMMIMDMUBKC-XLNAKTSKSA-N 0.000 description 3
- 229960003656 ricinoleic acid Drugs 0.000 description 3
- FEUQNCSVHBHROZ-UHFFFAOYSA-N ricinoleic acid Natural products CCCCCCC(O[Si](C)(C)C)CC=CCCCCCCCC(=O)OC FEUQNCSVHBHROZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- GQKZRWSUJHVIPE-UHFFFAOYSA-N sec-amyl acetate Natural products CCCC(C)OC(C)=O GQKZRWSUJHVIPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YHQGMYUVUMAZJR-UHFFFAOYSA-N α-terpinene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)CC1 YHQGMYUVUMAZJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCCC KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MQGIBEAIDUOVOH-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOCCOCCCC MQGIBEAIDUOVOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVMKCHOJVQIXQN-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propoxy]propoxy]butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)OCC(C)OCC(C)OCCCC JVMKCHOJVQIXQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXPNQXFRVYWDDI-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2,4-dioxo-1,3-diazinane-5-carboximidamide Chemical compound CN1CC(C(N)=N)C(=O)NC1=O IXPNQXFRVYWDDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYGFTTWEWBXNMP-UHFFFAOYSA-N 10-amino-10-oxodecanoic acid Chemical compound NC(=O)CCCCCCCCC(O)=O FYGFTTWEWBXNMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 2,5-hexanedione Chemical compound CC(=O)CCC(C)=O OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)CO YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyacetonitrile Chemical compound COCC#N QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-1-ol Chemical compound CCC(C)CO QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylbutan-2-one Chemical compound CC(C)C(C)=O SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 4-heptanone Chemical compound CCCC(=O)CCC HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 5-valerolactone Chemical compound O=C1CCCCO1 OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-WFGJKAKNSA-N Dimethyl sulfoxide Chemical group [2H]C([2H])([2H])S(=O)C([2H])([2H])[2H] IAZDPXIOMUYVGZ-WFGJKAKNSA-N 0.000 description 2
- JJHHIJFTHRNPIK-UHFFFAOYSA-N Diphenyl sulfoxide Chemical group C=1C=CC=CC=1S(=O)C1=CC=CC=C1 JJHHIJFTHRNPIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010010803 Gelatin Chemical class 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSTYNZDAOAEEKG-UHFFFAOYSA-N Mayol Natural products CC1=C(O)C(=O)C=C2C(CCC3(C4CC(C(CC4(CCC33C)C)=O)C)C)(C)C3=CC=C21 WSTYNZDAOAEEKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 150000001346 alkyl aryl ethers Chemical class 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVNCAPSFBDBCGF-UHFFFAOYSA-N alpha-pinene Natural products CC1=CCC23C1CC2C3(C)C MVNCAPSFBDBCGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAHWPYUMFXYFJY-UHFFFAOYSA-N beta-myrcene Chemical compound CC(C)=CCCC(=C)C=C UAHWPYUMFXYFJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000480 butynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000001506 calcium phosphate Substances 0.000 description 2
- 229910000389 calcium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011010 calcium phosphates Nutrition 0.000 description 2
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N caprylic alcohol Natural products CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006297 carbonyl amino group Chemical group [H]N([*:2])C([*:1])=O 0.000 description 2
- ULDHMXUKGWMISQ-UHFFFAOYSA-N carvone Chemical compound CC(=C)C1CC=C(C)C(=O)C1 ULDHMXUKGWMISQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 125000002603 chloroethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])Cl 0.000 description 2
- 125000000068 chlorophenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001983 dialkylethers Chemical class 0.000 description 2
- CCAFPWNGIUBUSD-UHFFFAOYSA-N diethyl sulfoxide Chemical group CCS(=O)CC CCAFPWNGIUBUSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229960001760 dimethyl sulfoxide Drugs 0.000 description 2
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000002016 disaccharides Chemical class 0.000 description 2
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005469 ethylenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 125000003784 fluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(F)C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000005816 fluoropropyl group Chemical group [H]C([H])(F)C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000008273 gelatin Chemical class 0.000 description 2
- 229920000159 gelatin Chemical class 0.000 description 2
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 2
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 2
- ZTOMUSMDRMJOTH-UHFFFAOYSA-N glutaronitrile Chemical compound N#CCCCC#N ZTOMUSMDRMJOTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N hexan-2-ol Chemical compound CCCCC(C)O QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- XAOGXQMKWQFZEM-UHFFFAOYSA-N isoamyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OCCC(C)C XAOGXQMKWQFZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- CRNJBCMSTRNIOX-UHFFFAOYSA-N methanolate silicon(4+) Chemical compound [Si+4].[O-]C.[O-]C.[O-]C.[O-]C CRNJBCMSTRNIOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 150000002772 monosaccharides Chemical class 0.000 description 2
- UDGSVBYJWHOHNN-UHFFFAOYSA-N n',n'-diethylethane-1,2-diamine Chemical compound CCN(CC)CCN UDGSVBYJWHOHNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N n',n'-diethylpropane-1,3-diamine Chemical compound CCN(CC)CCCN QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKBOOQDFOWZSDC-UHFFFAOYSA-N n-[2-(diethylamino)ethyl]octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCCN(CC)CC KKBOOQDFOWZSDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJVRJBAUJYZFIX-UHFFFAOYSA-N nitric acid;oxozirconium Chemical compound [Zr]=O.O[N+]([O-])=O.O[N+]([O-])=O UJVRJBAUJYZFIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N nonan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCO ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N octan-2-ol Chemical compound CCCCCCC(C)O SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N pentan-2-ol Chemical compound CCCC(C)O JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 2
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 2
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 2
- FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N propionitrile Chemical compound CCC#N FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002568 propynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])[H] 0.000 description 2
- GRWFGVWFFZKLTI-UHFFFAOYSA-N rac-alpha-Pinene Natural products CC1=CCC2C(C)(C)C1C2 GRWFGVWFFZKLTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 2
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H tricalcium bis(phosphate) Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DQWPFSLDHJDLRL-UHFFFAOYSA-N triethyl phosphate Chemical compound CCOP(=O)(OCC)OCC DQWPFSLDHJDLRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 2
- WTARULDDTDQWMU-RKDXNWHRSA-N (+)-β-pinene Chemical compound C1[C@H]2C(C)(C)[C@@H]1CCC2=C WTARULDDTDQWMU-RKDXNWHRSA-N 0.000 description 1
- WTARULDDTDQWMU-IUCAKERBSA-N (-)-Nopinene Natural products C1[C@@H]2C(C)(C)[C@H]1CCC2=C WTARULDDTDQWMU-IUCAKERBSA-N 0.000 description 1
- KWFKYDVHKVXRHZ-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropylamino)methanol Chemical compound NCCCNCO KWFKYDVHKVXRHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GQVMHMFBVWSSPF-SOYUKNQTSA-N (4E,6E)-2,6-dimethylocta-2,4,6-triene Chemical compound C\C=C(/C)\C=C\C=C(C)C GQVMHMFBVWSSPF-SOYUKNQTSA-N 0.000 description 1
- WCSBDRIEINNXNW-YPKPFQOOSA-N (z)-n-[2-(diethylamino)ethyl]octadec-9-enamide Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)NCCN(CC)CC WCSBDRIEINNXNW-YPKPFQOOSA-N 0.000 description 1
- OXDXXMDEEFOVHR-CLFAGFIQSA-N (z)-n-[2-[[(z)-octadec-9-enoyl]amino]ethyl]octadec-9-enamide Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)NCCNC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC OXDXXMDEEFOVHR-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- UCWYGNTYSWIDSW-QXMHVHEDSA-N (z)-n-[3-(dimethylamino)propyl]octadec-9-enamide Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)NCCCN(C)C UCWYGNTYSWIDSW-QXMHVHEDSA-N 0.000 description 1
- QRIKMBDKRJXWBV-CLFAGFIQSA-N (z)-n-[6-[[(z)-octadec-9-enoyl]amino]hexyl]octadec-9-enamide Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)NCCCCCCNC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC QRIKMBDKRJXWBV-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxypropane Chemical compound CCOCC(C)OCC VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVMMVWNXKOSPRB-UHFFFAOYSA-N 1,2-dipropoxypropane Chemical compound CCCOCC(C)OCCC PVMMVWNXKOSPRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZJTUOGZUKFLQT-UHFFFAOYSA-N 1,3,5,7-tetramethylcyclooctane Chemical group CC1CC(C)CC(C)CC(C)C1 BZJTUOGZUKFLQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058015 1,3-butylene glycol Drugs 0.000 description 1
- GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOCCCC GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMGJMGFZLXYHCR-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxypropoxy)butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCCCC QMGJMGFZLXYHCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxypropoxy)propan-2-ol Chemical compound CCOC(C)COCC(C)O QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 1-Ethyl-2-pyrrolidinone Chemical compound CCN1CCCC1=O ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOWSVNMPHMJCBZ-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)OCCCC UOWSVNMPHMJCBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRRDISHSXWGFRF-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]-2-methoxyethane Chemical compound CCOCCOCCOCCOC JRRDISHSXWGFRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOGFHOWTVGAYFK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-propoxyethoxy)ethoxy]propane Chemical compound CCCOCCOCCOCCC BOGFHOWTVGAYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTSVVTQTKRGWGU-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOCCCC KTSVVTQTKRGWGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHRSSDYDJRJIMN-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propoxy]butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)OCC(C)OCCCC OHRSSDYDJRJIMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZWVMKLQNYGKLJ-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]-2-methoxyethane Chemical compound CCOCCOCCOCCOCCOC YZWVMKLQNYGKLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAQINZKMQFYFV-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOC SNAQINZKMQFYFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVAPDRAWQSCTPE-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propoxy]propoxy]butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)OCC(C)OCC(C)OC FVAPDRAWQSCTPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNXZHVUCNYMNOS-UHFFFAOYSA-N 1-butylpyrrolidin-2-one Chemical compound CCCCN1CCCC1=O BNXZHVUCNYMNOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIKLJUUTSQYGQI-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxypropoxy)propane Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)OCC ZIKLJUUTSQYGQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-methoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOC CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXFITNNCZLPZNX-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-methoxypropoxy)propane Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)OC JXFITNNCZLPZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIAMPLQEZAMORJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethane Chemical compound CCOCCOCCOCCOCC KIAMPLQEZAMORJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORRRIJVZQZKAKQ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-[2-(2-ethoxypropoxy)propoxy]propane Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)OCC(C)OCC ORRRIJVZQZKAKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFXVPXODAPMPMQ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propane Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)OCC(C)OC SFXVPXODAPMPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXAFMVDJGZBDEP-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-[2-[2-(2-ethoxypropoxy)propoxy]propoxy]propane Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)OCC(C)OCC(C)OCC FXAFMVDJGZBDEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCSTUOMMIRPEMK-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-[2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propoxy]propane Chemical compound C(C)OCC(OCC(OCC(OCC(C)OC)C)C)C MCSTUOMMIRPEMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAWUFGWWCWMUNU-UHFFFAOYSA-N 1-hexylpyrrolidin-2-one Chemical compound CCCCCCN1CCCC1=O BAWUFGWWCWMUNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RERATEUBWLKDFE-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propane Chemical compound COCC(C)OCC(C)OCC(C)OC RERATEUBWLKDFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROSYHLFNMZTEKZ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-[2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propoxy]propane Chemical compound COCC(C)OCC(C)OCC(C)OCC(C)OC ROSYHLFNMZTEKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical group CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOERQAIRIDZWHX-UHFFFAOYSA-N 1-propoxy-2-(2-propoxypropoxy)propane Chemical compound CCCOCC(C)OCC(C)OCCC JOERQAIRIDZWHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCALJVULAGICIX-UHFFFAOYSA-N 1-propylpyrrolidin-2-one Chemical compound CCCN1CCCC1=O DCALJVULAGICIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWEGMIWEEQEYGQ-UHFFFAOYSA-N 100676-05-9 Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC1C(O)C(O)C(O)C(OC2C(OC(O)C(O)C2O)CO)O1 OWEGMIWEEQEYGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940114072 12-hydroxystearic acid Drugs 0.000 description 1
- XDJWZONZDVNKDU-UHFFFAOYSA-N 1314-24-5 Chemical compound O=POP=O XDJWZONZDVNKDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWBIJARKDOFDAN-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethyl-1,4-dioxane Chemical compound CC1COC(C)CO1 AWBIJARKDOFDAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKQVUWHSUOGDEI-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butan-2-yloxyethoxy)ethanol Chemical compound CCC(C)OCCOCCO KKQVUWHSUOGDEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHGDAJBKEFQCBH-UHFFFAOYSA-N 2-(2-heptan-2-yloxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCC(C)OCCOCCO GHGDAJBKEFQCBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCGHAVKVTFDDJU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-heptan-2-yloxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CC(CCCCC)OC(C)COC(C)CO CCGHAVKVTFDDJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIIFPAUBZGVKCI-UHFFFAOYSA-N 2-(2-pentan-2-yloxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCC(C)OCCOCCO FIIFPAUBZGVKCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQLKZWRSOHTERR-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylbutyl acetate Chemical compound CCC(CC)COC(C)=O HQLKZWRSOHTERR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNVRIHYSUZMSGM-LURJTMIESA-N 2-Hexanol Natural products CCCC[C@H](C)O QNVRIHYSUZMSGM-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNPUIIGTWSZCHE-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-heptan-2-yloxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(CCCCC)OC(C)COC(C)COC(C)CO NNPUIIGTWSZCHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDHQGBWMLCBNSM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethyl acetate Chemical compound COCCOCCOCCOC(C)=O SDHQGBWMLCBNSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIXPMXHWOUQTBS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-pentan-2-yloxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(CCC)OC(C)COC(C)COC(C)CO YIXPMXHWOUQTBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKAIVSMFSUHTGS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-heptan-2-yloxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCCC(C)OCCOCCOCCOCCO LKAIVSMFSUHTGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPKNIKSLAPWTRU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-pentan-2-yloxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethanol Chemical compound CCCC(C)OCCOCCOCCOCCO JPKNIKSLAPWTRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYVKCQBOHJQWIO-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl propanoate Chemical compound CCOCCOC(=O)CC BYVKCQBOHJQWIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZYRSLHNPKPEFV-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1-butanol Chemical compound CCC(CC)CO TZYRSLHNPKPEFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl acetate Chemical compound CCCCC(CC)COC(C)=O WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 2-heptanol Chemical compound CCCCCC(C)O CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAHNPAMCADTGIO-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OCCOC VAHNPAMCADTGIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFNHSEQQEPMLNI-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-pentanol Chemical compound CCCC(C)CO PFNHSEQQEPMLNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-2-ol Chemical compound CCC(C)(C)O MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 2-methyltetrahydrofuran Chemical compound CC1CCCO1 JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trimethylnonan-2-one Chemical compound CCCCC(C)C(C)C(C)C(C)=O PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYDWALOBQJFOMS-UHFFFAOYSA-N 3,6,9,12,15-pentaoxaheptadecane Chemical compound CCOCCOCCOCCOCCOCC HYDWALOBQJFOMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVUKYCZRWSQGAS-UHFFFAOYSA-N 3-carbamoylbenzoic acid Chemical compound NC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 FVUKYCZRWSQGAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 3-methoxybutyl acetate Chemical compound COC(C)CCOC(C)=O QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWIIJDNADIEEDB-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-1,3-oxazolidin-2-one Chemical compound CN1CCOC1=O VWIIJDNADIEEDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMHSCWJIDIKGNZ-UHFFFAOYSA-N 4-carbamoylbenzoic acid Chemical compound NC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 JMHSCWJIDIKGNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-ol Chemical compound CC1CCC(O)CC1 MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- GVNWZKBFMFUVNX-UHFFFAOYSA-N Adipamide Chemical compound NC(=O)CCCCC(N)=O GVNWZKBFMFUVNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPXIZQIURGMADS-UHFFFAOYSA-N C(C)N(CC)CCCNC(C(CCCCCCCCCCCCCCCC)O)=O Chemical compound C(C)N(CC)CCCNC(C(CCCCCCCCCCCCCCCC)O)=O UPXIZQIURGMADS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUXRYKMRQTUYTI-UHFFFAOYSA-N C(C)N(CC)CCNC(C(CCCCCCCCCCCCCCCC)O)=O Chemical compound C(C)N(CC)CCNC(C(CCCCCCCCCCCCCCCC)O)=O UUXRYKMRQTUYTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIURCIMZEPBPPG-UHFFFAOYSA-N CC(CCC)OC(C)COC(C)CO Chemical compound CC(CCC)OC(C)COC(C)CO CIURCIMZEPBPPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWWOYDIVTDEHAL-UHFFFAOYSA-N CN(C)CCCNC(C(CCCCCCCCCCCCCCCC)O)=O Chemical compound CN(C)CCCNC(C(CCCCCCCCCCCCCCCC)O)=O BWWOYDIVTDEHAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005973 Carvone Substances 0.000 description 1
- YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N Cyclohexyl acetate Chemical compound CC(=O)OC1CCCCC1 YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004375 Dextrin Substances 0.000 description 1
- 229920001353 Dextrin Polymers 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005682 EO-PO block copolymer Polymers 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930091371 Fructose Natural products 0.000 description 1
- RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N Fructose Chemical compound OC[C@H]1O[C@](O)(CO)[C@@H](O)[C@@H]1O RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N 0.000 description 1
- 239000005715 Fructose Substances 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 1
- GUBGYTABKSRVRQ-PICCSMPSSA-N Maltose Natural products O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@H]1O[C@@H]1[C@@H](CO)OC(O)[C@H](O)[C@H]1O GUBGYTABKSRVRQ-PICCSMPSSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N Methoxyethane Chemical compound CCOC XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N Methylacetoacetic acid Chemical compound COC(=O)CC(C)=O WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000881 Modified starch Polymers 0.000 description 1
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid dibutyl ester Chemical compound CCCCOC(=O)C(=O)OCCCC JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WTARULDDTDQWMU-UHFFFAOYSA-N Pseudopinene Natural products C1C2C(C)(C)C1CCC2=C WTARULDDTDQWMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910004852 P—O—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N Sucrose Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@]1(CO)O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N 0.000 description 1
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- CVTZKFWZDBJAHE-UHFFFAOYSA-N [N].N Chemical compound [N].N CVTZKFWZDBJAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDJROVMRGKXECW-UHFFFAOYSA-N [Si+4].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-] Chemical compound [Si+4].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-] IDJROVMRGKXECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940022663 acetate Drugs 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUECIDVNGAUMGJ-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CC(O)=O.CCCCOCCOCCO FUECIDVNGAUMGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTYLEVMOSBBKCQ-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-(2-ethoxyethoxy)ethanol Chemical compound CC(O)=O.CCOCCOCCO GTYLEVMOSBBKCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFCMOYFVPNBWTE-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-(2-ethoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CC(O)=O.CCOC(C)COC(C)CO JFCMOYFVPNBWTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQICEOPIRHDDER-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound CC(O)=O.COCCOCCO JQICEOPIRHDDER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIMPAYYJPMENLQ-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-(2-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CC(O)=O.COC(C)COC(C)CO JIMPAYYJPMENLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M acetoacetate Chemical compound CC(=O)CC([O-])=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 125000005234 alkyl aluminium group Chemical group 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-PHYPRBDBSA-N alpha-D-galactose Chemical compound OC[C@H]1O[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-PHYPRBDBSA-N 0.000 description 1
- XCPQUQHBVVXMRQ-UHFFFAOYSA-N alpha-Fenchene Natural products C1CC2C(=C)CC1C2(C)C XCPQUQHBVVXMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYBREYKSZAROCT-UHFFFAOYSA-N alpha-myrcene Natural products CC(=C)CCCC(=C)C=C VYBREYKSZAROCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001595 alpha-terpinene group Chemical group 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H aluminium sulfate (anhydrous) Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008359 benzonitriles Chemical class 0.000 description 1
- 229940007550 benzyl acetate Drugs 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 1
- GUBGYTABKSRVRQ-QUYVBRFLSA-N beta-maltose Chemical compound OC[C@H]1O[C@H](O[C@H]2[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)O[C@@H]2CO)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O GUBGYTABKSRVRQ-QUYVBRFLSA-N 0.000 description 1
- 229930006722 beta-pinene Natural products 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019437 butane-1,3-diol Nutrition 0.000 description 1
- BTMVHUNTONAYDX-UHFFFAOYSA-N butyl propionate Chemical compound CCCCOC(=O)CC BTMVHUNTONAYDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- GQVMHMFBVWSSPF-UHFFFAOYSA-N cis-alloocimene Natural products CC=C(C)C=CC=C(C)C GQVMHMFBVWSSPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002734 clay mineral Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004210 cyclohexylmethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 235000019425 dextrin Nutrition 0.000 description 1
- GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dioxosilane;oxygen(2-);hydrate Chemical compound O.[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N diethyl oxalate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)OCC WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- ILRSCQWREDREME-UHFFFAOYSA-N dodecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(N)=O ILRSCQWREDREME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- UAUDZVJPLUQNMU-KTKRTIGZSA-N erucamide Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCCCCC(N)=O UAUDZVJPLUQNMU-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006203 ethylation Effects 0.000 description 1
- 238000006200 ethylation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 125000005313 fatty acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930182830 galactose Natural products 0.000 description 1
- LCWMKIHBLJLORW-UHFFFAOYSA-N gamma-carene Natural products C1CC(=C)CC2C(C)(C)C21 LCWMKIHBLJLORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- HSEMFIZWXHQJAE-UHFFFAOYSA-N hexadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O HSEMFIZWXHQJAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910052900 illite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N iso-butyl acetate Natural products CC(C)COC(C)=O GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M isocaproate Chemical compound CC(C)CCC([O-])=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M isovalerate Chemical compound CC(C)CC([O-])=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid methyl ester Natural products COC(=O)CC(C)C OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052622 kaolinite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 235000001510 limonene Nutrition 0.000 description 1
- 229940087305 limonene Drugs 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000001906 matrix-assisted laser desorption--ionisation mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- GBMDVOWEEQVZKZ-UHFFFAOYSA-N methanol;hydrate Chemical compound O.OC GBMDVOWEEQVZKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNKYTQGIUYNRMY-UHFFFAOYSA-N methoxypropane Chemical compound CCCOC VNKYTQGIUYNRMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N methyl 2-cyclohexylacetate Chemical compound COC(=O)CC1CCCCC1 IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 235000019426 modified starch Nutrition 0.000 description 1
- 229910052901 montmorillonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- RVRFYZGKUZFYAH-UHFFFAOYSA-N n',n'-dimethylpropane-1,3-diamine;octadecanoic acid Chemical group CN(C)CCCN.CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O RVRFYZGKUZFYAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N n-Octanol Natural products CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSNKSAVZJAQITI-UHFFFAOYSA-N n-[2-(diethylamino)ethyl]-16-methylheptadecanamide Chemical compound CCN(CC)CCNC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC(C)C DSNKSAVZJAQITI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPAAXRLVYMUHU-UHFFFAOYSA-N n-[2-(diethylamino)ethyl]docosanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCCN(CC)CC KHPAAXRLVYMUHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCLXSYIZWFJVDV-UHFFFAOYSA-N n-[2-(diethylamino)ethyl]hexadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCCN(CC)CC KCLXSYIZWFJVDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAQKRCTXJZAGIE-UHFFFAOYSA-N n-[2-(diethylamino)ethyl]tetradecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC(=O)NCCN(CC)CC MAQKRCTXJZAGIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNCFYFLYHFIWIL-UHFFFAOYSA-N n-[2-(docosanoylamino)ethyl]docosanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCCNC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC WNCFYFLYHFIWIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HETBCUMLBCUVKC-UHFFFAOYSA-N n-[2-(dodecanoylamino)ethyl]dodecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)NCCNC(=O)CCCCCCCCCCC HETBCUMLBCUVKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKISUIUJZGSLEV-UHFFFAOYSA-N n-[2-(octadecanoylamino)ethyl]octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCCNC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC RKISUIUJZGSLEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHYGWQJRECSLKU-UHFFFAOYSA-N n-[3-(diethylamino)propyl]-16-methylheptadecanamide Chemical compound CCN(CC)CCCNC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC(C)C CHYGWQJRECSLKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOBFTIKZRAXOQX-UHFFFAOYSA-N n-[3-(diethylamino)propyl]docosanamide Chemical class CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCCCN(CC)CC GOBFTIKZRAXOQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMZTZTSBZWUIKG-UHFFFAOYSA-N n-[3-(diethylamino)propyl]dodecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)NCCCN(CC)CC BMZTZTSBZWUIKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYAVLIWAWOZKBI-UHFFFAOYSA-N n-[3-(diethylamino)propyl]hexadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCCCN(CC)CC DYAVLIWAWOZKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUIOQEAUQATWEY-UHFFFAOYSA-N n-[3-(diethylamino)propyl]octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCCCN(CC)CC KUIOQEAUQATWEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGBYJQDXDMGQAZ-UHFFFAOYSA-N n-[3-(diethylamino)propyl]tetradecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC(=O)NCCCN(CC)CC GGBYJQDXDMGQAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZXVYLJKFYSEPO-UHFFFAOYSA-N n-[3-(dimethylamino)propyl]-16-methylheptadecanamide Chemical compound CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCCCN(C)C NZXVYLJKFYSEPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNAZHGAWPCLLGX-UHFFFAOYSA-N n-[3-(dimethylamino)propyl]docosanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCCCN(C)C MNAZHGAWPCLLGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWMFGCHRALXDAR-UHFFFAOYSA-N n-[3-(dimethylamino)propyl]dodecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)NCCCN(C)C TWMFGCHRALXDAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFYDWYVPVAMGRO-UHFFFAOYSA-N n-[3-(dimethylamino)propyl]tetradecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC(=O)NCCCN(C)C IFYDWYVPVAMGRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLZWSYPJQQIDJB-UHFFFAOYSA-N n-[6-(octadecanoylamino)hexyl]octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCCCCCCNC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC SLZWSYPJQQIDJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSJJOWRIYDWQPO-UHFFFAOYSA-N n-[[2-[(octadecanoylamino)methyl]phenyl]methyl]octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCC1=CC=CC=C1CNC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC OSJJOWRIYDWQPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940017144 n-butyl lactate Drugs 0.000 description 1
- PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N n-cyclohexyl-2-pyrrolidone Chemical compound O=C1CCCN1C1CCCCC1 PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- VGIBGUSAECPPNB-UHFFFAOYSA-L nonaaluminum;magnesium;tripotassium;1,3-dioxido-2,4,5-trioxa-1,3-disilabicyclo[1.1.1]pentane;iron(2+);oxygen(2-);fluoride;hydroxide Chemical compound [OH-].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[F-].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[K+].[K+].[K+].[Fe+2].O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2.O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2.O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2.O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2.O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2.O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2.O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2 VGIBGUSAECPPNB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GJQIMXVRFNLMTB-UHFFFAOYSA-N nonyl acetate Chemical group CCCCCCCCCOC(C)=O GJQIMXVRFNLMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FATBGEAMYMYZAF-KTKRTIGZSA-N oleamide Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(N)=O FATBGEAMYMYZAF-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002897 organic nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002903 organophosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- CMOAHYOGLLEOGO-UHFFFAOYSA-N oxozirconium;dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.[Zr]=O CMOAHYOGLLEOGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L oxygen(2-);titanium(4+);sulfate Chemical compound [O-2].[Ti+4].[O-]S([O-])(=O)=O DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- GXOHBWLPQHTYPF-UHFFFAOYSA-N pentyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCCCCOC(=O)C(C)O GXOHBWLPQHTYPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- ZOGYOOUMDVKYLM-UHFFFAOYSA-N phosphane phosphorous acid Chemical compound P.OP(O)O ZOGYOOUMDVKYLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQSJGOWTSHOLKH-UHFFFAOYSA-N phosphite(3-) Chemical class [O-]P([O-])[O-] AQSJGOWTSHOLKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003008 phosphonic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000014786 phosphorus Nutrition 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N platinum rhodium Chemical compound [Rh].[Pt] PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 229910021647 smectite Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010413 sodium alginate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000661 sodium alginate Substances 0.000 description 1
- 229940005550 sodium alginate Drugs 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRGJIIMZXMWMCC-UHFFFAOYSA-N tetradecan-2-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCC(C)O BRGJIIMZXMWMCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 229910000348 titanium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- LGQXXHMEBUOXRP-UHFFFAOYSA-N tributyl borate Chemical compound CCCCOB(OCCCC)OCCCC LGQXXHMEBUOXRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N tributyl phosphate Chemical compound CCCCOP(=O)(OCCCC)OCCCC STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLCLHFYFMCKBRP-UHFFFAOYSA-N tricalcium;diborate Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] VLCLHFYFMCKBRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJSTXXYNEIHPMD-UHFFFAOYSA-N triethyl borate Chemical compound CCOB(OCC)OCC AJSTXXYNEIHPMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N trimethyl borate Chemical compound COB(OC)OC WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphate Chemical compound COP(=O)(OC)OC WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHDIQVFFNDKAQU-UHFFFAOYSA-N tripropan-2-yl borate Chemical compound CC(C)OB(OC(C)C)OC(C)C NHDIQVFFNDKAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTEHWCSSIHAVOQ-UHFFFAOYSA-N tripropyl borate Chemical compound CCCOB(OCCC)OCCC LTEHWCSSIHAVOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXPQRKFMDQNODS-UHFFFAOYSA-N tripropyl phosphate Chemical compound CCCOP(=O)(OCCC)OCCC RXPQRKFMDQNODS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N trisodium borate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]B([O-])[O-] BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
- 229940057402 undecyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001285 xanthan gum Polymers 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- IHPKGUQCSIINRJ-UHFFFAOYSA-N β-ocimene Natural products CC(C)=CCC=C(C)C=C IHPKGUQCSIINRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
- H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
- H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
- H01L21/2255—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/2225—Diffusion sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
本発明は、不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法に関するものであり、更に詳しくは、半導体基板の特定の部分に不純物拡散層を形成することを可能とする技術に関するものである。
従来のシリコン太陽電池素子(太陽電池セル)の製造工程について説明する。
まず、光閉じ込め効果を促して高効率化を図るよう、受光面側にテクスチャー構造を形成したp型半導体基板を準備し、続いてオキシ塩化リン(POCl3)、窒素及び酸素の混合ガス雰囲気において800℃〜900℃で数十分の熱処理を行って一様にn型の不純物拡散層(n型拡散層)を形成する(気相反応法)。この従来の方法では、混合ガスを用いてリンの拡散を行うため、受光面である表面のみならず、側面及び裏面にもn型拡散層が形成される。そのため、側面のn型拡散層を除去するためのサイドエッチング工程が必要であった。また、裏面に形成されたn型拡散層は、p+型拡散層へ変換する必要がある。そのため裏面のn型拡散層の上に第13族元素であるアルミニウムを含むアルミニウムペーストを付与した後、熱処理して、アルミニウムの拡散によってn型拡散層からp+型拡散層に変換するのと同時に、オーミックコンタクトを得ていた。
まず、光閉じ込め効果を促して高効率化を図るよう、受光面側にテクスチャー構造を形成したp型半導体基板を準備し、続いてオキシ塩化リン(POCl3)、窒素及び酸素の混合ガス雰囲気において800℃〜900℃で数十分の熱処理を行って一様にn型の不純物拡散層(n型拡散層)を形成する(気相反応法)。この従来の方法では、混合ガスを用いてリンの拡散を行うため、受光面である表面のみならず、側面及び裏面にもn型拡散層が形成される。そのため、側面のn型拡散層を除去するためのサイドエッチング工程が必要であった。また、裏面に形成されたn型拡散層は、p+型拡散層へ変換する必要がある。そのため裏面のn型拡散層の上に第13族元素であるアルミニウムを含むアルミニウムペーストを付与した後、熱処理して、アルミニウムの拡散によってn型拡散層からp+型拡散層に変換するのと同時に、オーミックコンタクトを得ていた。
上記に関連して、気相反応法の代わりにリン酸二水素アンモニウム(NH4H2PO4)等のリン酸塩を含有する溶液の塗布によってn型拡散層を形成する方法も提案されている(例えば、特開2002−75894号公報参照)。
また、ドナー元素を含むガラス粉末と分散媒とを含有するn型拡散層形成組成物を半導体基板に塗布し、熱拡散処理を行なうことにより、半導体基板の側面又は裏面に不要な不純物拡散層を形成させることなく、特定の領域にn型拡散層を形成する太陽電池素子の製造方法が提案されている(例えば、国際公開第2011/090216号パンフレット参照)。
一方、変換効率を高めることを目的とした太陽電池素子の構造として、電極直下の領域のドナー元素の拡散濃度(以下、単に「拡散濃度」ともいう)に比べて、電極直下以外の領域における拡散濃度を低くした選択エミッタ構造が知られている(例えば、L.Debarge, M.Schott, J.C.Muller, R.Monna, Solar Energy Materials & Solar Cells 74 (2002) 71-75.参照)。
選択エミッタ構造では、電極直下に拡散濃度が高い領域(以下、この領域を「選択エミッタ」ともいう)が形成されているため、電極と半導体基板との接触抵抗を低減できる。更に電極が形成された領域以外では拡散濃度が相対的に低くなっているため、太陽電池素子の変換効率を向上することができる。このような選択エミッタ構造を構築するためには、数百μm幅内(約50μm〜200μm)で細線状に不純物拡散層を形成することが求められる。
また、バックコンタクト型の太陽電池素子では、裏面にn型拡散部位及びp+型拡散部位の両方を形成しpn接合構造とする必要があるため、特定の部位に所望の範囲で不純物拡散層を形成することが求められる。
しかしながら、特開2002−75894号公報に記載の方法では、気相反応法と同様にリン化合物が拡散時に揮散するため、ドナー元素の拡散は選択的な領域で行われず、全面に一様にn型拡散層を形成してしまう。
また、国際公開第2011/090216号パンフレットに記載のn型拡散層形成組成物を用いた場合、例えば、半導体基板上にn型拡散層形成組成物を細線状に塗布してn型拡散層形成組成物層を形成しても、n型拡散層形成組成物層の線幅が広がり、所望の細線幅が得られない傾向があった。この課題を解決するために分散媒の含有量を変え、粘度を高くしようとすると、取り扱い性が悪く、塗布そのものができなくなる傾向があった。
本発明は、以上の従来技術の課題に鑑みなされたものであり、半導体基板上の一部領域に付与して不純物拡散層形成組成物層を形成したときに、半導体基板上の面方向で不純物拡散層形成組成物層の接触面積が拡大するのを抑えることが可能な不純物拡散層形成組成物、これを用いた不純物拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法を提供することを目的とする。
前記課題を解決する手段は以下の通りである。
<1> ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物と、分散媒と、脂肪酸アミドと、を含有する不純物拡散層形成組成物である。
<1> ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物と、分散媒と、脂肪酸アミドと、を含有する不純物拡散層形成組成物である。
<2> 前記脂肪酸アミドが、下記一般式(1)、(2)、(3)及び(4)で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種を含有する前記<1>に記載の不純物拡散層形成組成物である。
R1CONH2・・・・(1)
R1CONH−R2−NHCOR1・・・・(2)
R1NHCO−R2−CONHR1・・・・(3)
R1CONH−R2−N(R3)2・・・・(4)
R1CONH−R2−NHCOR1・・・・(2)
R1NHCO−R2−CONHR1・・・・(3)
R1CONH−R2−N(R3)2・・・・(4)
一般式(1)、(2)、(3)及び(4)中、R1及びR3は各々独立に炭素数1〜30のアルキル基又はアルケニル基を示し、R2は炭素数1〜10のアルキレン基を示す。R1及びR3は同一であっても異なっていてもよい。
<3> 前記脂肪酸アミドが、ステアリン酸アミド、N,N’−メチレンビスステアリン酸アミド、及びステアリン酸ジメチルアミノプロピルアミドからなる群より選択される少なくとも1種を含有する前記<1>又は<2>に記載の不純物拡散層形成組成物である。
<4> 前記脂肪酸アミドの分解温度が、400℃以下である、前記<1>〜<3>のいずれか1つに記載の不純物拡散層形成組成物である。
<5> 更に無機フィラーを含む、前記<1>〜<4>のいずれか1つに記載の不純物拡散層形成組成物である。
<6> 前記無機フィラーはフュームドシリカである前記<5>に記載の不純物拡散層形成組成物である。
<7> 前記フュームドシリカは表面が疎水化処理されている前記<6>に記載の不純物拡散層形成組成物。
<8> 前記ドナー元素を含む化合物が、P(リン)を含有する化合物である前記<1>〜<7>のいずれか1つに記載の不純物拡散層形成組成物である。
<9> 前記ドナー元素を含む化合物が、ガラス粒子の形態である前記<1>〜<8>のいずれか1つに記載の不純物拡散層形成組成物である。
<10> 前記ガラス粒子が、P2O3及びP2O5からなる群より選択される1種以上のドナー元素含有物質と、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2及びMoO3からなる群より選択される1種以上のガラス成分物質と、を含有する前記<9>に記載の不純物拡散層形成組成物である。
<11> 前記ガラス粒子中のP2O3及びP2O5の含有率が、15質量%以上、80
質量%以下である前記<10>に記載の不純物拡散層形成組成物である。
質量%以下である前記<10>に記載の不純物拡散層形成組成物である。
<12> 前記アクセプタ元素を含む化合物が、B(ホウ素)又はAl(アルミニウム)を含有する前記<1>〜<7>のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物である。
<13> 前記アクセプタ元素を含む化合物が、ガラス粒子の形態である前記<12>に記載の不純物拡散層形成組成物である。
<14> 前記ガラス粒子が、B2O3及びAl2O3からなる群より選択される1種以上のアクセプタ元素含有物質と、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、MoO3、GeO2、Y2O3、CsO2及びTiO2からなる群より選択される少なくとも1種のガラス成分物質と、を含有する前記<13>に記載の不純物拡散層形成組成物である。
<15> 前記ガラス粒子中のB2O3及びAl2O3の含有率が、15質量%以上、80質量%以下である前記<14>に記載の不純物拡散層形成組成物である。
<16> 前記アクセプタ元素を含む化合物はBN(窒化ホウ素)である前記<1>〜<7>のいずれか1つに記載の不純物拡散層形成組成物である。
<17> 前記ガラス粒子の含有率が、1質量%以上、80質量%以下である前記<9>〜<11>、<13>〜<15>のいずれか1つに記載の不純物拡散層形成組成物である。
<18> 前記脂肪酸アミドを1質量%以上、30質量%以下含有する前記<1>〜<17>のいずれか1つに記載の不純物拡散層形成組成物である。
<19> 無機フィラーを含み、前記無機フィラーを0.01質量%以上、20質量%以
下含有する前記<5>〜<18>のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物である。
下含有する前記<5>〜<18>のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物である。
<20> せん断速度が0.01[s−1]のときのせん断粘度(25℃)をη0.01とし、せん断速度が10[s−1]のときのせん断粘度(25℃)をη10としたとき、[log10(η0.01)−log10(η10)]で示されるTI値が0.5〜3.0である前記<1>〜<19>のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物である。
<21> 半導体基板上の全部又は一部に、前記<1>〜<20>のいずれか1つに記載の不純物拡散層形成組成物を付与して不純物拡散層形成組成物層を形成する工程と、前記不純物拡散層形成組成物層が形成された前記半導体基板に熱処理を施す工程と、を有する不純物拡散層付き半導体基板の製造方法である。
<22> 半導体基板上の全部又は一部に、前記<1>〜<20>のいずれか1つに記載の不純物拡散層形成組成物を付与して不純物拡散層形成組成物層を形成する工程と、前記不純物拡散層形成組成物層が形成された前記半導体基板に熱処理を施して不純物拡散層を形成する工程と、形成された前記不純物拡散層上に電極を形成する工程と、を有する太陽電池素子の製造方法である。
本発明によれば、半導体基板上の一部領域に塗布して不純物拡散層形成組成物層を形成したときに、半導体基板上の面方向で不純物拡散層形成組成物層の接触面積が拡大するのを抑えることが可能な不純物拡散層形成組成物、それを用いた不純物拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法を提供することが可能となる。
まず、本発明の不純物拡散層形成組成物について説明し、次に不純物拡散層形成組成物を用いる不純物拡散層付き半導体基板及び太陽電池素子の製造方法について説明する。
なお、本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。また「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。更に組成物中の各成分の量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。また、本明細書において、「含有率」とは、特に記載がなければ、不純物拡散層形成組成物100質量%に対する、成分の質量%を表す。
なお、本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。また「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。更に組成物中の各成分の量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。また、本明細書において、「含有率」とは、特に記載がなければ、不純物拡散層形成組成物100質量%に対する、成分の質量%を表す。
また、本明細書において、n型の不純物拡散層形成組成物をn型拡散層形成組成物と称する。p型の不純物拡散層形成組成物をp型拡散層形成組成物と称する。n型の不純物拡散層をn型拡散層と称する。p型の不純物拡散層をp型拡散層と称する。更に、n型拡散層形成組成物及びp型拡散層形成組成物を合わせて不純物拡散層形成組成物と称する。n型拡散層及びp型拡散層を合わせて不純物拡散層と称する。
<不純物拡散層形成組成物>
本発明の不純物拡散層形成組成物は、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物と、分散媒と、脂肪酸アミドとを含有する。更に付与性等を考慮してその他の添加剤を必要に応じて含有してもよい。
本発明の不純物拡散層形成組成物は、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物と、分散媒と、脂肪酸アミドとを含有する。更に付与性等を考慮してその他の添加剤を必要に応じて含有してもよい。
ここで、不純物拡散層形成組成物とは、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物を含有し、半導体基板に塗布した後にドナー元素を含む化合物中のドナー元素又はアクセプタ元素を含む化合物中のアクセプタ元素を半導体基板へ熱拡散することで半導体基板に不純物拡散層を形成することが可能な材料をいう。
本発明の不純物拡散層形成組成物は脂肪酸アミドを含有することから、スクリーン印刷機にて半導体基板に印刷する際に応力が加えられると低粘度化して流動性を示し、スクリーン版のメッシュをすり抜けて半導体基板上に印刷物として、スクリーンのパターンに応じたパターン状の不純物拡散層形成組成物層を形成する。一方で、一旦、半導体基板上に印刷物として形成された不純物拡散層形成組成物層は、応力が加えられない限り低粘度化することなく、その形状を維持できる状態となる。したがって、本発明の不純物拡散層形成組成物を半導体基板上にパターン状に付与してパターン状の不純物拡散層形成組成物層を形成したとき、不純物拡散層形成組成物層が液だれを起こして半導体基板上の面方向で不純物拡散層形成組成物層の接触面積が拡大するのが抑えられる。
また、本発明の不純物拡散層形成組成物を用いることで、不純物拡散層形成組成物層のパターン形状が維持されるため、半導体基板において不純物拡散層形成組成物層に対応した領域に不純物拡散層が形成される。
特に、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物がガラス粒子の形態の場合には、ドナー成分又はアクセプタ成分が熱処理(焼成)中でも揮散しにくいため、揮散ガスの発生によって所望の特定領域以外に不純物拡散層が形成されるということがより効果的に抑制される。したがって、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物がガラス粒子の形態の場合には、半導体基板の特定領域に、他の領域よりも不純物濃度の高い不純物拡散層を形成することが可能となる。
したがって、本発明の不純物拡散層形成組成物を適用すれば、選択エミッタ構造の太陽電池素子の製造において、電極位置に対応する領域に容易に不純物拡散層を形成することも可能である。
また、ガラス粒子の形態のドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物を用いた不純物拡散層形成組成物を適用することで、従来の気相反応法とは異なり、所望の部位にのみ不純物拡散層が形成され、不要な部位に不純物拡散層が形成されるのが抑制される。したがって、本発明の不純物拡散層形成組成物を適用すれば、従来の気相反応法を用いた太陽電池素子の製造で必須のサイドエッチング工程が不要となり、工程が簡易化される。
また、ガラス粒子の形態のドナー元素を含む化合物を用いた不純物拡散層形成組成物を適用することで、裏面に形成されるn型拡散層をp+型拡散層へ変換するという気相反応法における工程も不要となる。そのため、裏面のp+型拡散層の形成方法、裏面電極の材質、形状及び厚さが制限されず、適用する製造方法、材質及び形状の選択肢が広がる。また詳細は後述するが、裏面電極の厚さに起因した半導体基板内の内部応力の発生が抑えられ、半導体基板の反りも抑えられる。
(ドナー元素を含む化合物)
ドナー元素とは、半導体基板中に拡散することによってn型拡散層を形成することが可能な元素である。ドナー元素としては第15族の元素が使用でき、P(リン)、Sb(アンチモン)、As(ヒ素)等が挙げられる。安全性等の観点から、ドナー元素を含む化合物はP及びSbの少なくとも一方を含有することが好適であり、P(リン)がより好適である。
ドナー元素とは、半導体基板中に拡散することによってn型拡散層を形成することが可能な元素である。ドナー元素としては第15族の元素が使用でき、P(リン)、Sb(アンチモン)、As(ヒ素)等が挙げられる。安全性等の観点から、ドナー元素を含む化合物はP及びSbの少なくとも一方を含有することが好適であり、P(リン)がより好適である。
ドナー元素を含む化合物としては特に制限はなく、例えば、ドナー元素を含む酸化物が挙げられる。ドナー元素を含む酸化物として、P2O5、P2O3等のドナー元素単独の酸化物;P2O5、P2O3等のドナー元素含有物質の他にガラス成分物質を構成成分とするガラス粒子(ドナー元素を含むガラス粒子);リン含有酸化ケイ素化合物、リンシリサイド、リンをドープしたシリコン粒子、リン酸カルシウム、リン酸、リン酸二水素アンモニウム等のリンを含有する無機リン化合物;ホスホン酸、亜ホスホン酸、ホスフィン酸、亜ホスフィン酸、ホスフィン、ホスフィンオキシド、リン酸エステル、亜リン酸エステル等の有機リン化合物を例示することができる。
これらの中でもP2O3、P2O5等のドナー元素単独の酸化物;ドナー元素を含むガラス粒子;リン含有酸化ケイ素化合物;及び半導体基板へのドナー元素の熱拡散時の熱処理温度(例えば、800℃以上)においてP2O5を含む化合物へ変化し得る化合物(リン酸二水素アンモニウム、リン酸、亜ホスホン酸、ホスフィン酸、亜ホスフィン酸、ホスフィン、ホスフィンオキシド、リン酸エステル、亜リン酸エステル等)からなる群より選ばれる1種以上を用いることが好ましく、これらの中でも、融点(熱拡散時の熱処理温度によりP2O5を含む化合物へ変化しうる化合物の場合には、生成したP2O5を含む化合物の融点)が1000℃以下である化合物を用いることがより好ましい。融点が1000℃以下の化合物は、半導体基板へ熱拡散する際に溶融状態となりやすく、半導体基板へより均一にドナー元素を拡散することができるためである。また、融点が1000℃を超える化合物であっても、融点が1000℃未満の化合物を更に添加することで、ドナー元素を含む化合物から、融点が1000℃未満の化合物を介して半導体基板へドナー元素が拡散することができる。
また、半導体基板において、不純物拡散層形成組成物を塗布した領域以外の領域で不純物濃度を低く抑える観点からは、ドナー元素を含む化合物として、ドナー元素を含むガラス粒子又はリン含有酸化ケイ素化合物を用いることが好ましく、ドナー元素を含むガラス粒子を用いることがより好ましい。
ドナー元素を含む化合物がガラス粒子である場合、その粒子の形態としては、固体の粒子が分散媒に分散した状態であっても、分散媒に一部溶解した状態であってもよい。粒子形状としては、略球状、扁平状、ブロック状、板状、鱗片状等が挙げられる。不純物拡散層形成組成物とした場合の基板への付与性及び均一拡散性の点から、粒子形状は、略球状、扁平状又は板状であることが望ましい。
ドナー元素を含む化合物が固体の粒子状である場合、粒子の粒径は、100μm以下であることが好ましい。100μm以下の粒径を有する粒子を用いた場合には、平滑な不純物拡散層形成組成物層が得られやすい。更に、粒子の粒径は50μm以下であることがより望ましい。なお、前記粒子の粒径の下限は特に制限されないが、0.01μm以上であることが好ましく、0.1μm以上であることがより好ましい。
ここで、ドナー元素を含む化合物が固体の粒子状である場合の粒子の粒径は体積平均粒子径を表し、レーザー散乱回折法粒度分布測定装置等により測定することができる。
ここで、ドナー元素を含む化合物が固体の粒子状である場合の粒子の粒径は体積平均粒子径を表し、レーザー散乱回折法粒度分布測定装置等により測定することができる。
ここで、体積平均粒子径は、粒子に照射したレーザー光の散乱光強度と角度の関係を検出し、Mie散乱理論に基づいて算出することができる。測定する際の分散媒に特に制限はないが、測定対象とする粒子が溶解しない分散媒を用いることが好ましい。
ドナー元素を含む化合物は分散媒に溶解した状態であってもよく、その場合は、不純物拡散層形成組成物の調製に用いるドナー元素を含む化合物の形状には特に制限はない。
ドナー元素を含む化合物は分散媒に溶解した状態であってもよく、その場合は、不純物拡散層形成組成物の調製に用いるドナー元素を含む化合物の形状には特に制限はない。
前記ドナー元素を含む化合物は、ドナー元素を含むガラス粒子の形態であるものを用いることが好ましい。ここで、ガラスとはその原子配列にX線回折スペクトルにおいて明確な結晶状態が認められず、不規則な網目構造をもち、かつ、ガラス転移現象を示す物質を指す。ドナー元素を含むガラス粒子を用いることで、不純物拡散層形成組成物を付与した領域以外へのドナー元素の拡散(アウトディフュージョンという)をより効果的に抑制できる傾向にあり、裏面又は側面に不要なn型拡散層が形成されることが抑制できる。つまり、本発明の不純物拡散層形成組成物がドナー元素を含むガラス粒子を含有することで、より選択的な領域にn型拡散層を形成することができる。
ドナー元素を含むガラス粒子について、詳細に説明する。なお、不純物拡散層形成組成物に含有されるガラス粒子は、熱拡散時の熱処理(焼成)温度(約800℃〜2000℃)で溶融して、n型拡散層の上にガラス層を形成する。そのためアウトディフュージョンをより抑制できる。n型拡散層の形成後、n型拡散層の上に形成されたガラス層は、エッチング(例えば、フッ酸水溶液)により除去することができる。
ドナー元素を含むガラス粒子は、例えばドナー元素含有物質とガラス成分物質とを含んで形成できる。ドナー元素をガラス粒子に導入するために用いるドナー元素含有物質としては、P(リン)及びSb(アンチモン)の少なくとも一方を含有する化合物であることが好ましく、P(リン)を含有する化合物であることがより好ましく、P2O3及びP2O5からなる群より選ばれる1種以上であることが更に好ましく、P2O5であることが特に好ましい。
ドナー元素を含むガラス粒子中におけるドナー元素含有物質の含有率は特に制限されない。例えば、ドナー元素の拡散性の観点から、0.5質量%以上、100質量%以下であることが好ましく、2質量%以上、80質量%以下であることがより好ましい。
更に、前記ドナー元素を含むガラス粒子は、ドナー元素の拡散性の観点から、ドナー元素含有物質としてP2O3及びP2O5からなる群より選ばれる1種以上を、0.5質量%以上、100質量%以下で含むことが好ましく、5質量%以上、99質量%以下で含むことがより好ましく、15質量%以上、80質量%以下で含むことが特に好ましい。
更に、前記ドナー元素を含むガラス粒子は、ドナー元素の拡散性の観点から、ドナー元素含有物質としてP2O3及びP2O5からなる群より選ばれる1種以上を、0.5質量%以上、100質量%以下で含むことが好ましく、5質量%以上、99質量%以下で含むことがより好ましく、15質量%以上、80質量%以下で含むことが特に好ましい。
また、ドナー元素を含むガラス粒子は、必要に応じてその成分比率を調整することによって、溶融温度、軟化温度、ガラス転移温度、化学的耐久性等を制御することが可能である。ドナー元素を含むガラス粒子は、以下に記すガラス成分物質の1種以上を含むことが好ましい。
ガラス成分物質としては、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、WO3、MoO3、MnO、La2O3、Nb2O5、Ta2O5、Y2O3、CsO2、TiO2、GeO2、TeO2、Lu2O3等が挙げられる。中でもSiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、MoO3、GeO2、Y2O3、CsO2及びTiO2からなる群より選択される1種以上を用いることが好ましく、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2及びMoO3からなる群より選択される1種以上を用いることがより好ましい。
ドナー元素を含むガラス粒子の具体例としては、前記ドナー元素含有物質と前記ガラス成分物質の双方を含む系が挙げられる。具体的には、P2O5−SiO2系(ドナー元素含有物質−ガラス成分物質の順で記載、以下同様)、P2O5−K2O系、P2O5−Na2O系、P2O5−Li2O系、P2O5−BaO系、P2O5−SrO系、P2O5−CaO系、P2O5−MgO系、P2O5−BeO系、P2O5−ZnO系、P2O5−CdO系、P2O5−PbO系、P2O5−V2O5系、P2O5−SnO系、P2O5−GeO2系、P2O5−TeO2系等のドナー元素含有物質としてP2O5を含む系のガラス粒子、前記P2O5の代わりにP2O3を含む系又はSb2O3を含む系のガラス粒子等が挙げられる。
なお、P2O5−Sb2O3系、P2O5−As2O3系等のように、2種類以上のドナー元素含有物質を含むガラス粒子でもよい。
上記では2成分を含む複合ガラスを例示したが、P2O5−SiO2−V2O5、P2O5−SiO2−CaO等、3成分以上の物質を含むガラス粒子でもよい。
なお、P2O5−Sb2O3系、P2O5−As2O3系等のように、2種類以上のドナー元素含有物質を含むガラス粒子でもよい。
上記では2成分を含む複合ガラスを例示したが、P2O5−SiO2−V2O5、P2O5−SiO2−CaO等、3成分以上の物質を含むガラス粒子でもよい。
前記ガラス粒子は、P2O3、P2O5及びSb2O3からなる群より選択される1種以上のドナー元素含有物質と、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、MoO3、GeO2、Y2O3、CsO2及びTiO2からなる群より選択される1種以上のガラス成分物質と、を含有することが好ましく、P2O3及びP2O5からなる群より選択される1種以上のドナー元素含有物質と、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2及びMoO3からなる群より選択される1種以上のガラス成分物質と、を含有することがより好ましく、P2O5であるドナー元素含有物質と、SiO2、ZnO、CaO、Na2O、Li2O及びBaOからなる群より選択される1種以上のガラス成分物質とを含有することが更に好ましい。これにより、形成されるn型拡散層のシート抵抗をより低くすることが可能となる。
ガラス粒子がSiO2及びGeO2からなる群より選択されるガラス成分物質(以下、「特定ガラス成分物質」ともいう)を含む場合、ガラス粒子中の特定ガラス成分物質の含有比率は、溶融温度、軟化温度、ガラス転移温度、化学的耐久性を考慮して適宜設定することが望ましい。一般には特定ガラス成分物質が、ガラス粒子100質量%中に、0.01質量%以上、80質量%以下であることが好ましく、0.1質量%以上、50質量%以下であることがより好ましい。0.01質量%以上であると、n型拡散層を効率よく形成することができる。また80質量%以下であると、不純物拡散層形成組成物を付与していない部分へのn型拡散層の形成をより効果的に抑制できる。
ガラス粒子は、特定ガラス成分物質以外に網目修飾酸化物(例えばアルカリ酸化物、アルカリ土類酸化物)及び単独ではガラス化しない中間酸化物の少なくとも1種を含んでいてもよい。具体的には、P2O5−SiO2−CaO系ガラスの場合には、網目修飾酸化物であるCaOの含有比率は、1質量%以上、30質量%以下であることが好ましく、5質量%以上、20質量%以下であることがより好ましい。
ガラス粒子の軟化点は、拡散処理時の拡散性、液だれの観点から、200℃〜1000℃であることが好ましく、300℃〜900℃であることがより好ましい。なお、ガラス粒子の軟化点は示差熱・熱重量同時測定装置を用いて、示差熱(DTA)曲線により求められる。具体的には、DTA曲線の低温から第3番目のピークの値を軟化点とすることができる。
ドナー元素を含むガラス粒子は、以下の手順で作製される。
最初に原料、例えば、前記ドナー元素含有物質と前記ガラス成分物質を秤量し、るつぼに充填する。るつぼの材質としては白金、白金−ロジウム、イリジウム、アルミナ、石英、炭素等が挙げられ、溶融温度、雰囲気、溶融物質との反応性等を考慮して適宜選ばれる。
次に、電気炉でガラス組成に応じた温度で加熱して融液とする。このとき融液が均一となるよう攪拌することが望ましい。続いて得られた融液をジルコニア基板、カーボン基板等の上に流し出して融液をガラス化する。最後にガラスを粉砕し粉末状とする。粉砕にはジェットミル、ビーズミル、ボールミル等公知の方法が適用できる。
最初に原料、例えば、前記ドナー元素含有物質と前記ガラス成分物質を秤量し、るつぼに充填する。るつぼの材質としては白金、白金−ロジウム、イリジウム、アルミナ、石英、炭素等が挙げられ、溶融温度、雰囲気、溶融物質との反応性等を考慮して適宜選ばれる。
次に、電気炉でガラス組成に応じた温度で加熱して融液とする。このとき融液が均一となるよう攪拌することが望ましい。続いて得られた融液をジルコニア基板、カーボン基板等の上に流し出して融液をガラス化する。最後にガラスを粉砕し粉末状とする。粉砕にはジェットミル、ビーズミル、ボールミル等公知の方法が適用できる。
また、ドナー元素を含む化合物は、リン含有酸化ケイ素化合物であってもよい。ここで、リン含有酸化ケイ素化合物について、詳細に説明する。リン含有酸化ケイ素化合物はゾル−ゲル反応に基づいてリン化合物と酸化ケイ素前駆体とを出発原料として合成された化合物を意味し、上記ガラス粒子とは合成方法が異なることを区別できるようにリン含有酸化ケイ素化合物と表記することとする。ここでいうゾル−ゲル反応とは、酸化ケイ素前駆体であるシリケートの加水分解とシラノール基の縮合反応であり、結果としてケイ素−酸素結合を構造単位とする三次元架橋したシリカゲルマトリックスを形成する反応である。
酸化ケイ素前駆体とリン化合物とを反応させて得られるリン含有酸化ケイ素化合物は、リン化合物が酸化ケイ素(シロキサン)のネットワーク中に分散した構造となるため、リン化合物単独での性質と大きく異なる、例えば、リン化合物の揮散性が抑制されるため、シリコン基板等の半導体基板へn型拡散層を形成する高温においてアウトディフュージョンが抑制される。
リン含有酸化ケイ素化合物はn型拡散層形成組成物中に添加される前に予め水洗することで、酸化ケイ素(シロキサン)のネットワークに包含されていないリン化合物を除去してもよい。このようにすることで、アウトディフュージョンを更に抑制できる。
上記リン含有酸化ケイ素化合物の合成方法としては、酸化ケイ素前駆体としてのシリコンアルコキシドと、リン化合物と、ゾル−ゲル反応に用いる溶媒と、水と、酸又はアルカリ触媒とを混合し、所定の温度でアルコール、水を除去することでシリコンアルコキシドの加水分解反応と脱水縮合反応が生じ、シロキサンのネットワーク中にリン化合物を含んだ酸化ケイ素化合物を合成できる。また、吸湿性も抑えることができるため、分散媒との反応及び水分との反応が抑制され、不純物拡散層形成組成物中での化学的安定性を向上させることができる。
シリコンアルコキシドとしては、シリコンメトキシド、シリコンエトキシド、シリコンプロポキシド、シリコンブトキシド等を例示することができ、入手の容易さからシリコンメトキシド及びシリコンエトキシドからなる群より選択される少なくとも1種を用いることが好ましい。
ゾル−ゲル反応に用いる溶媒は、酸化ケイ素前駆体の重合体を溶解するものであれば特に制限はなく、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類;アセトニトリル、グルタロジニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル化合物;ジオキサン、テトラヒドロフラン等の環状エーテル類;などを用いることが好ましい。
これらの溶媒は1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。溶媒の量は酸化ケイ素前駆体に対して100等量以下が好ましく、より好ましくは1等量〜10等量である。溶媒の量が多くなりすぎると酸化ケイ素前駆体のゾル−ゲル反応が遅くなる傾向がある。
これらの溶媒は1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。溶媒の量は酸化ケイ素前駆体に対して100等量以下が好ましく、より好ましくは1等量〜10等量である。溶媒の量が多くなりすぎると酸化ケイ素前駆体のゾル−ゲル反応が遅くなる傾向がある。
更に、加水分解及び脱水縮重合を調節する触媒として、酸又はアルカリを用いることが好ましい。アルカリ触媒としては、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属の水酸化物、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウムなどが一般的である。酸触媒としては無機プロトン酸又は有機プロトン酸を用いることができる。無機プロトン酸としては、塩酸、硫酸、硼酸、硝酸、過塩素酸、テトラフルオロ硼酸、ヘキサフルオロ砒素酸、臭化水素酸等が挙げられる。有機プロトン酸としては、酢酸、シュウ酸、メタンスルホン酸等が挙げられる。
触媒の量によりゾルの溶媒への溶解度が変化するため、ゾルが可溶な溶解度になるように触媒の使用量を調節すればよく、具体的には、触媒は酸化ケイ素前駆体に対して0.0001等量〜1等量で用いることが好ましい。
触媒の量によりゾルの溶媒への溶解度が変化するため、ゾルが可溶な溶解度になるように触媒の使用量を調節すればよく、具体的には、触媒は酸化ケイ素前駆体に対して0.0001等量〜1等量で用いることが好ましい。
また、金属の硝酸塩、アンモニウム塩、塩化物塩、硫酸塩等の塩を含む溶液を、酸化ケイ素前駆体のゾル溶液へ添加し、次いでゾル−ゲル反応を進行させることによりリン含有酸化ケイ素化合物を調製してもよい。塩としては、特には限定されず、硝酸アルミニウム、硝酸鉄、オキシ硝酸ジルコニウム、塩化チタン、塩化アルミニウム、オキシ塩化ジルコニウム、オキシ硝酸ジルコニウム、硫酸チタン、硫酸アルミニウム等が挙げられる。溶媒としては、塩を溶解するものであれば特に制限はなく、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート化合物;3−メチル−2−オキサゾリジノン、N−メチルピロリドン等の複素環化合物;ジオキサン、テトラヒドロフラン等の環状エーテル化合物;ジエチルエーテル、エチレングリコールジアルキルエーテル、プロピレングリコールジアルキルエーテル、ポリエチレングリコールジアルキルエーテル、ポリプロピレングリコールジアルキルエーテル等の鎖状エーテル化合物;メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、ポリエチレングリコールモノアルキルエーテル、ポリプロピレングリコールモノアルキルエーテル等のアルコール化合物;エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、グリセリン等の多価アルコール類;アセトニトリル、グルタロジニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル化合物;カルボン酸エステル、リン酸エステル、ホスホン酸エステル等のエステル化合物;ジメチルスルホキシド、スルホラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等の非プロトン極性物質;トルエン、キシレン等の低極性溶剤;メチレンクロリド、エチレンクロリド等の塩素系溶剤;水などを用いること
ができる
ができる
ゾル−ゲル反応に用いるリン化合物としては、リン酸、リン酸水素アンモニウム塩、五酸化二リン、三酸化二リン、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸、ホスフィン酸、ホスフィン、リン酸エステル及び亜リン酸エステルから選ばれる少なくとも1種を用いることが好ましい。これらの中でもリン酸エステル又は亜リン酸エステルを用いることが好ましい。エステル化合物を用いることで、シリコンアルコキシドと混合した状態でゾル−ゲル反応が進行する際に、P−O−Si結合を形成しやすくなり、アウトディフュージョンが抑制される傾向がある。
上記リン酸エステルとしては一般式(I)で表される化合物が、亜リン酸エステルとしては一般式(II)で表される化合物が挙げられる。ここで、一般式(I)又は一般式(II)において、R1〜R6は各々独立に、炭素数1〜12の1価の有機基である。
一般式(I)及び一般式(II)におけるR1〜R6で表される1価の有機基としては特に制限はなく、各々独立に、アルキル基、官能基を有する有機基、ヘテロ原子を有する有機基、及び不飽和結合を有する有機基が挙げられる。
R1〜R6で表されるアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれであってもよく、直鎖状又は分岐状であることが好ましい。また、R1〜R6で表されるアルキル基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、炭素数が1〜6であることがより好ましく、炭素数が1〜3であることが更に好ましい。R1〜R6で表されるアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。
R1〜R6で表される官能基を有する有機基において、前記官能基としては、クロロ基、ブロモ基、フルオロ基等が挙げられる。また、R1〜R6で表される官能基を有する有機基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、炭素数が1〜6であることがより好ましく、炭素数が1〜3であることが更に好ましい。R1〜R6で表される官能基を有する有機基としては、具体的には、クロロエチル基、フルオロエチル基、クロロプロピル基、ジクロロプロピル基、フルオロプロピル基、ジフルオロプロピル基、クロロフェニル基、フルオロフェニル基等が挙げられる。
R1〜R6で表されるヘテロ原子を有する有機基において、ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子が挙げられる。また、R1〜R6で表されるヘテロ原子を有する有機基は、炭素数が1〜12であることが好ましく、炭素数が1〜6であることがより好ましく、炭素数が1〜3であることが更に好ましい。R1〜R6で表されるヘテロ原子を有する有機基としては、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、メチルスルホキシド基、エチルスルホキシド基、フェニルスルホキシド基等が挙げられる。
R1〜R6で表される不飽和結合を有する有機基は、炭素数が2〜10であることが好ましく、炭素数が2〜8であることがより好ましく、炭素数が2〜4であることが更に好ましい。R1〜R6で表される不飽和結合を有する有機基は、具体的には、エチレニル基、エチニル基、プロペニル基、プロピニル基、ブテニル基、ブチニル基、フェニル基等が挙げられる。
このなかでも、R1〜R6の1価の有機基は、アルキル基であることが好ましく、炭素数1〜10のアルキル基であることがより好ましい。
ゾル−ゲル反応に用いるリン化合物としては、リン酸トリメチル、リン酸トリエチル、リン酸トリプロピル、及びリン酸トリブチルから選択される少なくとも1種を用いることが好ましい。
ゾル−ゲル反応に用いるリン化合物としては、リン酸トリメチル、リン酸トリエチル、リン酸トリプロピル、及びリン酸トリブチルから選択される少なくとも1種を用いることが好ましい。
リン含有酸化ケイ素化合物中におけるリン化合物の含有率は特に制限されない。例えば、ドナー元素の拡散性の観点から0.5質量%以上99質量%以下であることが好ましく、5質量%以上95質量%以下であることがより好ましい。
(アクセプタ元素を含む化合物)
アクセプタ元素とは、半導体基板中に拡散することによってp型拡散層を形成することが可能な元素である。アクセプタ元素としては第13族の元素が使用でき、安全性等の観点から、B(ホウ素)及びAl(アルミニウム)の少なくとも一方を含有することが好適である。
アクセプタ元素を含む化合物としては特に制限はない。アクセプタ元素を含む金属酸化物として、B2O3、Al2O3等のアクセプタ元素単独の酸化物;B2O3、Al2O3等のアクセプタ元素含有物質の他にガラス成分物質を構成成分とするガラス粒子(アクセプタ元素を含むガラス粒子);ホウ素又はアルミニウムをドープしたシリコン粒子、窒化ホウ素(BN)、ホウ酸カルシウム、ホウ酸等の無機ホウ素化合物;ホウ素含有酸化ケイ素化合物;アルミニウムアルコキシド、アルキルアルミニウム等の有機アルミニウム化合物;などを例示することができる。
アクセプタ元素とは、半導体基板中に拡散することによってp型拡散層を形成することが可能な元素である。アクセプタ元素としては第13族の元素が使用でき、安全性等の観点から、B(ホウ素)及びAl(アルミニウム)の少なくとも一方を含有することが好適である。
アクセプタ元素を含む化合物としては特に制限はない。アクセプタ元素を含む金属酸化物として、B2O3、Al2O3等のアクセプタ元素単独の酸化物;B2O3、Al2O3等のアクセプタ元素含有物質の他にガラス成分物質を構成成分とするガラス粒子(アクセプタ元素を含むガラス粒子);ホウ素又はアルミニウムをドープしたシリコン粒子、窒化ホウ素(BN)、ホウ酸カルシウム、ホウ酸等の無機ホウ素化合物;ホウ素含有酸化ケイ素化合物;アルミニウムアルコキシド、アルキルアルミニウム等の有機アルミニウム化合物;などを例示することができる。
これらの中でもBN、B2O3、アクセプタ元素を含むガラス粒子、ホウ素含有酸化ケイ素化合物、及び半導体基板へホウ素が熱拡散する温度領域(例えば800℃以上)においてB2O3を含む化合物へ変化し得る化合物(例えば、ホウ酸)からなる群より選ばれる1種以上を用いることが好ましい。
また、アクセプタ元素を含む化合物は、BN粒子、アクセプタ元素を含むガラス粒子又はホウ素含有酸化ケイ素化合物粒子であることが好ましく、BN粒子又はアクセプタ元素を含むガラス粒子であることがより好ましい。アクセプタ元素を含むガラス粒子又はBN粒子を用いることで、アウトディフュージョンをより効果的に抑制できる傾向にあり、p型拡散層形成組成物を付与した領域以外に不要なp型拡散層が形成されることが抑制できる。つまり、アクセプタ元素を含むガラス粒子又はBN粒子を含むことで、より選択的な領域にp型拡散層を形成することができる。
アクセプタ元素を含むガラス粒子は、例えばアクセプタ元素含有物質とガラス成分物質とを含んで形成できる。アクセプタ元素をガラス粒子に導入するために用いるアクセプタ元素含有物質としては、B2O3及びAl2O3からなる群より選ばれる1種以上を含有する化合物であることが好ましい。
アクセプタ元素を含むガラス粒子中におけるアクセプタ元素含有物質の含有率は特に制限されない。例えば、アクセプタ元素の拡散性の観点から、0.5質量%以上、100質量%以下であることが好ましく、2質量%以上、80質量%以下であることがより好ましい。
更に、アクセプタ元素の拡散性の観点から、不純物拡散層形成組成物中に、アクセプタ元素含有物質としてB2O3及びAl2O3からなる群より選ばれる1種以上を、0.5質量%以上100質量%以下で含むことが好ましく、5質量%以上99質量%以下で含むことがより好ましく、15質量%以上80質量%以下で含むことがさらに好ましく、30質量%以上80質量%以下で含むことが特に好ましい。
アクセプタ元素を含む化合物がガラス粒子である場合、ガラス成分物質としては、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、WO3、MoO3、Y2O3、CsO2、TiO2、TeO2、La2O3、Nb2O5、Ta2O5、GeO2、Lu2O3及びMnOからなる群より選択される少なくとも1種を用いることが好ましく、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、MoO3、GeO2、Y2O3、CsO2及びTiO2からなる群より選択される少なくとも1種を用いることがより好ましく、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2及びMoO3からなる群より選択される少なくとも1種を用いることが、軟化点を上記規定の範囲内とし、また半導体基板の熱膨張係数との差を小さくする観点から更に好ましい。
ガラス粒子の具体例としては、アクセプタ元素含有物質と前記ガラス成分物質の双方を含むガラス粒子が挙げられ、B2O3−SiO2系(アクセプタ元素含有物質−ガラス成分物質の順で記載、以下同様)、B2O3−ZnO系、B2O3−PbO系、B2O3単独系等のアクセプタ元素含有物質としてB2O3を含む系、Al2O3−SiO2系等のアクセプタ元素含有物質としてAl2O3を含む系などのガラス粒子が挙げられる。
上記では1成分又は2成分を含むガラス粒子を例示したが、B2O3−SiO2−CaO等、3成分以上を含むガラス粒子でもよい。
また、Al2O3−B2O3系等のように、2種類以上のアクセプタ元素含有物質を含むガラス粒子でもよい。
上記では1成分又は2成分を含むガラス粒子を例示したが、B2O3−SiO2−CaO等、3成分以上を含むガラス粒子でもよい。
また、Al2O3−B2O3系等のように、2種類以上のアクセプタ元素含有物質を含むガラス粒子でもよい。
前記アクセプタ元素を含むガラス粒子(ガラス粒子の形態であるアクセプタ元素を含む化合物)は、B2O3及びAl2O3からなる群より選択される少なくとも1種のアクセプタ元素含有物質と、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、WO3、MoO3、Y2O3、CsO2、TiO2、TeO2、La2O3、Nb2O5、Ta2O5、GeO2、Lu2O3及びMnOからなる群より選択される少なくとも1種のガラス成分物質と、を含有することが好ましく、B2O3及びAl2O3からなる群より選択される少なくとも1種のアクセプタ元素含有物質と、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、MoO3、GeO2、Y2O3、CsO2及びTiO2からなる群より選択される少なくとも1種のガラス成分物質と、を含有することがより好ましく、B2O3及びAl2O3からなる群より選択される少なくとも1種のアクセプタ元素含有物質と、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2及びMoO3からなる群より選択される少なくとも1種のガラス成分物質と、を含有することが更に好ましく、B2O3及びAl2O3からなる群より選択される少なくとも1種のアクセプタ元素含有物質と、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO及びZrO2からなる群より選択される少なくとも1種のガラス成分物質と、を含有することが特に好ましい。
更に、ガラス粒子が、アクセプタ元素含有物質としてAl2O3を含み、且つガラス成分物質としてSiO2、ZnO、CaO、Na2O、Li2O及びBaOからなる群より選択される少なくとも1種を含むことが好ましい。アクセプタ元素含有物質であるB2O3を単独で使用するよりも、これらの成分物質が併存する場合には、形成された不純物拡散層のシート抵抗がより低くなり、またアウトディフュージョンをより抑制することが可能となる。
更に、ガラス粒子が、アクセプタ元素含有物質としてAl2O3を含み、且つガラス成分物質としてSiO2、ZnO、CaO、Na2O、Li2O及びBaOからなる群より選択される少なくとも1種を含むことが好ましい。アクセプタ元素含有物質であるB2O3を単独で使用するよりも、これらの成分物質が併存する場合には、形成された不純物拡散層のシート抵抗がより低くなり、またアウトディフュージョンをより抑制することが可能となる。
アクセプタ元素を含む化合物がガラス粒子である場合、その粒子の形態及び体積平均粒子径としては、上記ドナー元素を含むガラス粒子と同様のものが挙げられる。アクセプタ元素を含む化合物は分散媒に溶解した状態であってもよく、その場合は、ガラス粒子の形状には特に制限はない。
アクセプタ元素を含むガラス粒子は、上記ドナー元素を含むガラス粒子と同様の手順で、但しドナー元素含有物質をアクセプタ元素含有物質に代えて作製される。
アクセプタ元素を含む化合物として窒化ホウ素(BN)を用いる場合、BNの結晶形は、六方晶(hexagonal)、立方晶(cubic)、菱面体晶(rhombohedral)のいずれであってもよく、粒子径を容易に制御できることから六方晶が好ましい。
BNの調製方法は特に制限されず、通常の方法で調製することができる。具体的には、ホウ素粉末を窒素気流中で1500℃以上に加熱する方法、融解した無水ホウ酸と窒素あるいはアンモニアをリン酸カルシウム存在下で反応させる方法、ホウ酸又はホウ化アルカリと、尿素、グアニジン、メラミン等の有機窒素化合物を高温の窒素−アンモニア雰囲気中で反応させる方法、融解ホウ酸ナトリウムと塩化アンモニウムをアンモニア雰囲気中で反応させる方法、三塩化ホウ素とアンモニアを高温で反応させる方法などを例示することができる。上記以外の製造方法でもなんら問題ない。上記製造方法の中では、高純度のBNを得ることができることから、三塩化ホウ素とアンモニアを高温で反応させる方法を用いることが好ましい。
BNの調製方法は特に制限されず、通常の方法で調製することができる。具体的には、ホウ素粉末を窒素気流中で1500℃以上に加熱する方法、融解した無水ホウ酸と窒素あるいはアンモニアをリン酸カルシウム存在下で反応させる方法、ホウ酸又はホウ化アルカリと、尿素、グアニジン、メラミン等の有機窒素化合物を高温の窒素−アンモニア雰囲気中で反応させる方法、融解ホウ酸ナトリウムと塩化アンモニウムをアンモニア雰囲気中で反応させる方法、三塩化ホウ素とアンモニアを高温で反応させる方法などを例示することができる。上記以外の製造方法でもなんら問題ない。上記製造方法の中では、高純度のBNを得ることができることから、三塩化ホウ素とアンモニアを高温で反応させる方法を用いることが好ましい。
また、アクセプタ元素を含む化合物は、ホウ素含有酸化ケイ素化合物であってもよい。ここでホウ素含有酸化ケイ素化合物について、詳細に説明する。ホウ素含有酸化ケイ素化合物はゾル−ゲル反応に基づいてホウ素化合物と酸化ケイ素前駆体を反応させて合成された化合物を意味し、上記ガラス粒子とは、合成方法が異なることを区別できるように、ホウ素含有酸化ケイ素化合物と表記することとする。
酸化ケイ素前駆体とホウ素化合物とを反応させて得られるホウ素含有酸化ケイ素化合物は、ホウ素化合物が酸化ケイ素(シロキサン)のネットワーク中に分散した構造となるため、ホウ素化合物の揮発性が抑制され、シリコン基板等の半導体基板へp型拡散層を形成する高温においてアウトディフュージョンが抑制される。
ホウ素含有酸化ケイ素化合物はp型拡散層形成組成物に添加される前に予め水洗することで、酸化ケイ素(シロキサン)のネットワークに包含されていないホウ素化合物を除去してもよい。このようにすることで、アウトディフュージョンを更に効果的に抑制できる。
上記ホウ素含有酸化ケイ素化合物の合成方法としては、リン化合物をホウ素化合物に置き換えた以外は、上述のリン含有酸化ケイ素化合物の合成方法と同様の方法が挙げられる。また、シリコンアルコキシド、ゾル−ゲル反応に用いる溶媒、加水分解及び脱水縮重合を調節する触媒として用いる酸及びアルカリとしては、上記リン含有酸化ケイ素化合物の合成方法で挙げたものと同様のものが挙げられる。
また、金属の硝酸塩、アンモニウム塩、塩化物塩、硫酸塩等の塩を含む溶液を、酸化ケイ素前駆体のゾル溶液へ添加し、次いでゾル−ゲル反応を進行させることによりホウ素含有酸化ケイ素化合物を調製してもよい。ここで用いることが可能な金属の硝酸塩、アンモニウム塩、塩化物塩、硫酸塩、及び塩の溶媒としては、上記リン含有酸化ケイ素化合物の合成方法で挙げたものと同様のものが挙げられる。
ゾル−ゲル反応に用いるホウ素化合物としては、酸化ホウ素、ホウ酸等が挙げられる。酸化ホウ素とはB2O3で表される化合物であり、結晶化物であっても、ガラス質であってもどちらでもよい。ホウ酸とはH3BO3又はB(OH)3で表される化合物である。これらの化合物は水に溶解してH3BO3の状態で存在する。酸化ホウ素及びホウ酸以外にも、水に溶解してH3BO3となる化合物であれば、副原料として用いるホウ素化合物の種類に制限されない。水に溶解してH3BO3となる化合物としては、例えばホウ酸エステルが挙げられる。
上記ホウ酸エステルとしては、下記一般式(III)で表される化合物が挙げられる。ここで、一般式(III)におけるR7〜R9は各々独立に、炭素数1〜12の有機基又は水素原子であり、R7〜R9のうち少なくとも1つは有機基である。
一般式(III)におけるR7〜R9で表される有機基としては特に制限はなく、各々独立に、アルキル基、官能基を有する有機基、ヘテロ原子を有する有機基、及び不飽和結合を有する有機基が挙げられる。
R7〜R9で表されるアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれであってもよく、直鎖状又は分岐状であることが好ましい。また、R7〜R9で表されるアルキル基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、炭素数が1〜6であることがより好ましく、炭素数が1〜3であることが更に好ましい。R7〜R9で表されるアルキル基は、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。
R7〜R9で表される官能基を有する有機基において、前記官能基としては、クロロ基、ブロモ基、フルオロ基等が挙げられる。また、R7〜R9で表される官能基を有する有機基としては、炭素数が1〜10であることが好ましく、炭素数が1〜6であることがより好ましく、炭素数が1〜3であることが更に好ましい。R7〜R9で表される官能基を有する有機基としては、具体的には、クロロエチル基、フルオロエチル基、クロロプロピル基、ジクロロプロピル基、フルオロプロピル基、ジフルオロプロピル基、クロロフェニル基、フルオロフェニル基等が挙げられる。
R7〜R9で表されるヘテロ原子を有する有機基において、ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子が挙げられる。また、R7〜R9で表されるヘテロ原子を有する有機基は、炭素数が1〜12であることが好ましく、炭素数が1〜6であることがより好ましく、炭素数が1〜3であることが更に好ましい。R7〜R9で表されるヘテロ原子を有する有機基としては、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、メチルスルホキシド基、エチルスルホキシド基、フェニルスルホキシド基等が挙げられる。
R7〜R9で表される不飽和結合を有する有機基は、炭素数が2〜10であることが好ましく、炭素数が2〜8であることがより好ましく、炭素数が2〜4であることが更に好ましい。R7〜R9で表される不飽和結合を有する有機基としては、具体的には、エチレニル基、エチニル基、プロペニル基、プロピニル基、ブテニル基、ブチニル基、フェニル基等が挙げられる。
このなかでも、R7〜R9の1価の有機基は、アルキル基であることが好ましく、炭素数1〜10のアルキル基であることがより好ましい。
ゾル−ゲル反応に用いるホウ酸エステルとしては、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリエチル、ホウ酸トリプロピル、及びホウ酸トリブチルからなる群より選択される少なくとも1種を用いることが好ましい。
ゾル−ゲル反応に用いるホウ酸エステルとしては、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリエチル、ホウ酸トリプロピル、及びホウ酸トリブチルからなる群より選択される少なくとも1種を用いることが好ましい。
不純物拡散層形成組成物中のドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物の含有率は、塗布性、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物の拡散性等を考慮して決定される。一般には、不純物拡散層形成組成物中のドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物の含有率は、不純物拡散層形成組成物中に、0.1質量%以上95質量%以下であることが好ましく、1質量%以上90質量%以下であることがより好ましく、1質量%以上80質量%以下であることが更に好ましく、2質量%以上50質量%以下であることが特に好ましく、5質量%以上20質量%以下であることが極めて好ましい。
不純物拡散層形成組成物中のドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物の含有率が、0.1質量%以上であると、不純物拡散層を十分に形成することができ、95質量%以下であると、不純物拡散層形成組成物中のドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物の分散性が良好になり、半導体基板への塗布性が向上する。
不純物拡散層形成組成物中のドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物の含有率が、0.1質量%以上であると、不純物拡散層を十分に形成することができ、95質量%以下であると、不純物拡散層形成組成物中のドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物の分散性が良好になり、半導体基板への塗布性が向上する。
(分散媒)
本発明の不純物拡散層形成組成物は、分散媒を含有する。
分散媒とは、組成物中において前記ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物及び脂肪酸アミドを分散又は溶解させる媒体である。具体的に分散媒は、少なくとも溶剤又は水を含むことが好ましい。また分散媒としては、溶剤又は水に加え、後述する有機バインダを含有するものであってもよい。
本発明の不純物拡散層形成組成物は、分散媒を含有する。
分散媒とは、組成物中において前記ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物及び脂肪酸アミドを分散又は溶解させる媒体である。具体的に分散媒は、少なくとも溶剤又は水を含むことが好ましい。また分散媒としては、溶剤又は水に加え、後述する有機バインダを含有するものであってもよい。
溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチル−n−ブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル−n−ペンチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジイソブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4−ペンタンジオン、アセトニルアセトン等のケトン系溶剤;ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチル−n−プロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ−n−プロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチル−n−プロピルエーテル、ジエチレングリコールメチル−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコールメチル−n−ヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールメチル−n−ブチルエーテル、トリエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、トリエチレングリコールメチル−n−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル−n−ブチルエーテル、テトラエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル−n−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ−n−プロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル−n−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ−n−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールジ−n−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル−n−ヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル−n−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールジ−n−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル−n−ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールジエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチルエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル−n−ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールジ−n−ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル−n−ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジ−n−ブチルエーテル等のエーテル系溶剤;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸n−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸2−ブチル、酢酸n−ペンチル、酢酸2−ペンチル、酢酸3−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2−エチルブチル、酢酸2−エチルヘキシル、酢酸2−(2−ブトキシエトキシ)エチル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸ジエチレングリコールメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸イソアミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−n−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル、乳酸n−アミル、エチレングリコールメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン等のエステル系溶剤;アセトニトリル、N−メチルピロリジノン、N−エチルピロリジノン、N−プロピルピロリジノン、N−ブチルピロリジノン、N−ヘキシルピロリジノン、N−シクロヘキシルピロリジノン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶剤;メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、イソブタノール、2−ブタノール、t−ブタノール、n−ペンタノール、イソペンタノール、2−メチルブタノール、2−ペンタノール、t−ペンタノール、3−メトキシブタノール、n−ヘキサノール、2−メチルペンタノール、2−ヘキサノール、2−エチルブタノール、sec−ヘプタノール、n−オクタノール、2−エチルヘキサノール、2−オクタノール、n−ノニルアルコール、n−デカノール、2−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、2−テトラデシルアルコール、2−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−ブチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等のアルコール系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールモノエーテル系溶剤;α−テルピネオール(α−ターピネオール)、ジヒドロテルピネオール(ジヒドロターピネオール)等のテルピネオール(ターピネオール)、α−テルピネン、ミルセン、アロオシメン、リモネン、ジペンテン、α−ピネン、β−ピネン、カルボン、オシメン、フェランドレン等のテルペン系溶剤;水などが挙げられる。
これら溶剤のなかでも、ケトン系溶剤としてはアセトン、エーテル系溶剤としてはジエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、エステル系溶剤としては酢酸2−(2−ブトキシエトキシ)エチル、非プロトン性極性溶剤としてはN−メチルピロリジノン又はN,N−ジメチルホルムアミド、テルピネオール(ターピネオール)としてはα−テルピネオール(α−ターピネオール)又はジヒドロテルピネオール(ジヒドロターピネオール)、テルペン系溶剤としてはα−テルピネン又はα−ピネンが好ましく用いられる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。
これら溶剤のなかでも、ケトン系溶剤としてはアセトン、エーテル系溶剤としてはジエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、エステル系溶剤としては酢酸2−(2−ブトキシエトキシ)エチル、非プロトン性極性溶剤としてはN−メチルピロリジノン又はN,N−ジメチルホルムアミド、テルピネオール(ターピネオール)としてはα−テルピネオール(α−ターピネオール)又はジヒドロテルピネオール(ジヒドロターピネオール)、テルペン系溶剤としてはα−テルピネン又はα−ピネンが好ましく用いられる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。
なお、不純物拡散層形成組成物とした場合、基板への塗布性の観点からは、α−テルピネオール、ジヒドロターピネオール、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、(ブチルカルビトール)、酢酸ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル(ブチルカルビトールアセテート)及び酢酸2−(2−ブトキシエトキシ)エチルからなる群より選択される少なくとも1種が好ましく、α−テルピネオール、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル及び酢酸2−(2−ブトキシエトキシ)エチルからなる群より選択される少なくとも1種がより好ましく、α−テルピネオール及びジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテルからなる群より選択される少なくとも1種が更に好ましい。
不純物拡散層形成組成物中の分散媒の含有率は、塗布性、ドナー元素又はアクセプタ元素の濃度を考慮し決定される。例えば不純物拡散層形成組成物中、分散媒の含有率は、5質量%以上99質量%以下であることが好ましく、20質量%以上95質量%以下であることがより好ましく、40質量%以上90質量%以下であることが更に好ましい。
(脂肪酸アミド)
本発明の不純物拡散層形成組成物は、脂肪酸アミドを含有する。脂肪酸アミドは、不純物拡散層形成組成物に揺変性を与え、温度一定下で応力を加えるとゾル状になり、これを放置すると再びゲル状に戻る性質を付与する。具体的には、スクリーン印刷機にて対象物に不純物拡散層形成組成物を印刷する際に、スクレッパ又はスキージの稼動により、接する不純物拡散層形成組成物に応力が加えられると、不純物拡散層形成組成物が低粘度化して流動性を示し、スクリーン版のメッシュをすり抜けて対象物上に印刷物を形成する。また、一度対象物上に印刷物として形成された不純物拡散層形成組成物は、応力が加えられない限り低粘度化することなく、その形状を維持する。
本発明の不純物拡散層形成組成物は、脂肪酸アミドを含有する。脂肪酸アミドは、不純物拡散層形成組成物に揺変性を与え、温度一定下で応力を加えるとゾル状になり、これを放置すると再びゲル状に戻る性質を付与する。具体的には、スクリーン印刷機にて対象物に不純物拡散層形成組成物を印刷する際に、スクレッパ又はスキージの稼動により、接する不純物拡散層形成組成物に応力が加えられると、不純物拡散層形成組成物が低粘度化して流動性を示し、スクリーン版のメッシュをすり抜けて対象物上に印刷物を形成する。また、一度対象物上に印刷物として形成された不純物拡散層形成組成物は、応力が加えられない限り低粘度化することなく、その形状を維持する。
脂肪酸アミドを用いることで、不純物拡散層形成組成物に適度なせん断粘度を付与することができ、良好な付与適性を与えることができる。具体的には、後述のチクソトロピック特性(チキソ性)の値を適切に調整することができる。
つまり、不純物拡散層形成組成物に脂肪酸アミドを用いることで、半導体基板上の一部領域に付与して不純物拡散層形成組成物層を形成したときに、半導体基板上の面方向で不純物拡散層形成組成物層の接触面積が拡がるのが抑えられる。また、半導体基板の特定部位に他の領域よりも不純物濃度の高い不純物拡散層を形成することが可能となる。
また、脂肪酸アミドは、熱処理時に残渣が発生するのを抑制することができる。これは、脂肪酸アミドの熱分解性が良く(約400℃以下で分解する)、脂肪酸アミド由来の残渣が発生しにくいためと考えられる。なお、半導体基板上の面方向で不純物拡散層形成組成物層の接触面積の拡がりを抑制するために無機材料を使用した場合には、乾燥及び脱脂を経て有機成分を取り除いた後も残存し、拡散処理時にドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物の組成を変えてしまい、結果としてドナー元素又はアクセプタ元素のドーピングに影響を及ぼす可能性がある。
脂肪酸アミドとしては、一般式(1)で示される脂肪酸モノアミド、一般式(2)又は(3)で示されるN−置換脂肪酸アミド、一般式(4)で示されるN−置換脂肪酸アミドアミン等が挙げられる。
R1CONH2・・・・(1)
R1CONH−R2−NHCOR1・・・・(2)
R1NHCO−R2−CONHR1・・・・(3)
R1CONH−R2−N(R3)2・・・・(4)
R1CONH−R2−NHCOR1・・・・(2)
R1NHCO−R2−CONHR1・・・・(3)
R1CONH−R2−N(R3)2・・・・(4)
一般式(1)、(2)、(3)及び(4)中、R1及びR3は各々独立に炭素数1〜30のアルキル基又はアルケニル基を示し、R2は炭素数1〜10のアルキレン基を示す。R1及びR3は同一であっても異なっていてもよい。
一般式(1)、(2)、(3)及び(4)中、R1及びR3で表されるアルキル基及びアルケニル基は、各々独立に、炭素数1〜30である。R1で表されるアルキル基及びアルケニル基は、各々独立に、炭素数5〜25であることが好ましく、炭素数10〜20であることがより好ましく、炭素数15〜18であることが更に好ましい。R3で表されるアルキル基及びアルケニル基は、各々独立に、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜6であることがより好ましく、炭素数1〜3であることが更に好ましい。R3は炭素数1〜30のアルキル基であることが好ましく、炭素数1〜10のアルキル基であることがより好ましく、炭素数1〜6のアルキル基であることがさらに好ましく、炭素数1〜3のアルキル基であることが特に好ましい。
R1及びR3で表される炭素数1〜30のアルキル基及びアルケニル基は、各々独立に、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、直鎖状又は分岐状であることが好ましい。
R1及びR3で表される炭素数1〜30のアルキル基及びアルケニル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、ヘキサデセニル基、ヘンイコセニル基等が挙げられる。
また、R1及びR3で表される炭素数1〜30のアルキル基及びアルケニル基は、無置換であっても置換基を有していてもよい。このような置換基としては、水酸基、クロロ基、ブロモ基、フルオロ基、アルデヒド基、アシル基、ニトロ基、アミノ基、スルホン酸基、アルコキシ基、アシルオキシ基等が挙げられる。
また、R1及びR3で表される炭素数1〜30のアルキル基及びアルケニル基は、無置換であっても置換基を有していてもよい。このような置換基としては、水酸基、クロロ基、ブロモ基、フルオロ基、アルデヒド基、アシル基、ニトロ基、アミノ基、スルホン酸基、アルコキシ基、アシルオキシ基等が挙げられる。
一般式(2)、(3)及び(4)中、R2で表されるアルキレン基は、各々独立に、炭素数1〜10であり、炭素数1〜8であることが好ましく、炭素数1〜6であることがより好ましく、炭素数1〜4であることが更に好ましい。
R2で表される炭素数1〜10のアルキレン基は、具体的には、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、オクチレン基等が挙げられる。
R2で表される炭素数1〜10のアルキレン基は、具体的には、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、オクチレン基等が挙げられる。
一般式(1)で示される脂肪酸モノアミドの具体例としては、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド、オレイン酸アミド、エルカ酸アミド等が挙げられる。
また、一般式(2)で示されるN−置換脂肪酸アミドの具体例としては、N,N’−エチレンビスラウリン酸アミド、N,N’−メチレンビスステアリン酸アミド、N,N’−エチレンビスステアリン酸アミド、N,N’−エチレンビスオレイン酸アミド、N,N’−エチレンビスベヘン酸アミド、N,N’−エチレンビス−12−ヒドロキシステアリン酸アミド、N,N’−ブチレンビスステアリン酸アミド、N,N’−ヘキサメチレンビスステアリン酸アミド、N,N’−ヘキサメチレンビスオレイン酸アミド、N,N’−キシリレンビスステアリン酸アミド等が挙げられる。
また、一般式(3)で示されるN−置換脂肪酸アミドの具体例としては、N,N’−ジオレイルアジピン酸アミド、N,N’−ジステアリルアジピン酸アミド、N,N’−ジオレイルセバシン酸アミド、N,N’−ジステアリルセバシン酸アミド、N,N’−ジステアリルテレフタル酸アミド、N,N’−ジステアリルイソフタル酸アミド等が挙げられる。
また、一般式(4)で示されるN−置換脂肪酸アミドアミンの具体例としては、ステアリン酸ジメチルアミノプロピルアミド、ステアリン酸ジエチルアミノエチルアミド、ラウリン酸ジメチルアミノプロピルアミド、ミリスチン酸ジメチルアミノプロピルアミド、パルミチン酸ジメチルアミノプロピルアミド、ステアリン酸ジメチルアミノプロピルアミド、ベヘン酸ジメチルアミノプロピルアミド、オレイン酸ジメチルアミノプロピルアミド、イソステアリン酸ジメチルアミノプロピルアミド、リノール酸ジメチルアミノプロピルアミド、リシノレイン酸ジメチルアミノプロピルアミド、ヒドロキシステアリン酸ジメチルアミノプロピルアミド、ステアリン酸N,N−ビス(ヒドロキシメチル)アミノプロピルアミド、ラウリン酸ジエチルアミノエチルアミド、ミリスチン酸ジエチルアミノエチルアミド、パルミチン酸ジエチルアミノエチルアミド、ステアリン酸ジエチルアミノエチルアミド、ベヘン酸ジエチルアミノエチルアミド、オレイン酸ジエチルアミノエチルアミド、リノール酸ジエチルアミノエチルアミド、リシノレイン酸ジエチルアミノエチルアミド、イソステアリン酸ジエチルアミノエチルアミド、ヒドロキシステアリン酸ジエチルアミノエチルアミド、ステアリン酸N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノエチルアミド、ラウリン酸ジエチルアミノプロピルアミド、ミリスチン酸ジエチルアミノプロピルアミド、パルミチン酸ジエチルアミノプロピルアミド、ステアリン酸ジエチルアミノプロピルアミド、ベヘン酸ジエチルアミノプロピルアミド、オレイン酸ジエチルアミノプロピルアミド、リノール酸ジエチルアミノプロピルアミド、リシノレイン酸ジエチルアミノプロピルアミド、イソステアリン酸ジエチルアミノプロピルアミド、ヒドロキシステアリン酸ジエチルアミノプロピルアミド、ステアリン酸N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノプロピルアミド等が挙げられる。
これらの脂肪酸アミドの中でも、分散媒への溶解性の観点から、ステアリン酸アミド、N,N’−メチレンビスステアリン酸アミド、及びステアリン酸ジメチルアミノプロピルアミドからなる群より選択される少なくとも1種を用いることが好ましく、ステアリン酸アミド及びN,N’−メチレンビスステアリン酸アミドから選択される少なくとも1種を用いることがより好ましい。
脂肪酸アミドは、400℃以下で蒸散又は分解することが好ましく、300℃以下で蒸散又は分解することがより好ましく、250℃以下で蒸散又は分解することが更に好ましい。
脂肪酸アミドの蒸散又は分解する温度の下限値は特に制限は無い。不純物拡散層形成組成物を付与して形成したパターン状の不純物拡散層形成組成物層の形状を焼成時にある程度維持させる観点からは、脂肪酸アミドの蒸散又は分解は、80℃以上であることが好ましく、100℃以上であることがより好ましく、150℃以上であることが更に好ましい。
脂肪酸アミドの蒸散又は分解する温度の下限値は特に制限は無い。不純物拡散層形成組成物を付与して形成したパターン状の不純物拡散層形成組成物層の形状を焼成時にある程度維持させる観点からは、脂肪酸アミドの蒸散又は分解は、80℃以上であることが好ましく、100℃以上であることがより好ましく、150℃以上であることが更に好ましい。
脂肪酸アミドの蒸散又は分解温度は、熱重量分析装置を用い、重量保持率が20%以下となる温度を調べることによって測定される。
脂肪酸アミドは1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。
脂肪酸アミドの含有率は、不純物拡散層形成組成物100質量%に対して、1質量%以上30質量%以下であることが好ましく、3質量%以上25質量%以下であることがより好ましく、5質量%以上20質量%以下であることが更に好ましい。1質量%以上30質量%以下とすることで不純物拡散層形成組成物のチクソトロピック特性を適切に付与しやすい傾向がある。
脂肪酸アミドの含有率は、不純物拡散層形成組成物100質量%に対して、1質量%以上30質量%以下であることが好ましく、3質量%以上25質量%以下であることがより好ましく、5質量%以上20質量%以下であることが更に好ましい。1質量%以上30質量%以下とすることで不純物拡散層形成組成物のチクソトロピック特性を適切に付与しやすい傾向がある。
本発明の不純物拡散層形成組成物では、残渣をより抑制する観点から、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物が450℃〜900℃の軟化点を有し、かつ、脂肪酸アミドが40℃〜400℃の蒸散又は分解温度を有することが好ましく、より好ましくは、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物が450℃〜850℃の軟化点を有し、かつ、脂肪酸アミドが60℃〜380℃の蒸散又は分解温度を有する場合であり、更に好ましくは、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物が500℃〜800℃の軟化点を有し、かつ、脂肪酸アミドが150℃〜350℃の蒸散又は分解温度を有する場合である。
(その他添加剤)
本発明の不純物拡散層形成組成物は、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物、脂肪酸アミド、及び分散媒の他に、必要に応じて、有機バインダ、界面活性剤、無機粉末(無機フィラー)、アルコキシシラン、シリコーン樹脂、還元性化合物等を含有することができる。
本発明の不純物拡散層形成組成物は、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物、脂肪酸アミド、及び分散媒の他に、必要に応じて、有機バインダ、界面活性剤、無機粉末(無機フィラー)、アルコキシシラン、シリコーン樹脂、還元性化合物等を含有することができる。
−有機バインダ−
本発明の不純物拡散層形成組成物は、有機バインダの1種以上を更に含有してもよい。
有機バインダを含むことで、不純物拡散層形成組成物としての粘度を調整したり、チキソ性を付与したりすることができ、半導体基板への付与性がより向上する。有機バインダとしては、例えば、アルキド樹脂;ポリビニルブチラール樹脂;ポリビニルアルコール樹脂;ポリアクリルアミド樹脂;ポリビニルアミド樹脂;ポリビニルピロリドン樹脂;ポリエチレンオキサイド樹脂;ポリスルホン樹脂;アクリルアミドアルキルスルホン樹脂;セルロースエーテル、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルセルロース等のセルロース誘導体;ゼラチン、ゼラチン誘導体;澱粉、澱粉誘導体;アルギン酸ナトリウム、アルギン酸ナトリウム誘導体;キサンタン、キサンタン誘導体;グア、グア誘導体;スクレログルカン、スクレログルカン誘導体;トラガカント、トラガカント誘導体;デキストリン、デキストリン誘導体;(メタ)アクリル酸樹脂;アルキル(メタ)アクリレート樹脂、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート樹脂等の(メタ)アクリル酸エステル樹脂;ブタジエン樹脂;スチレン樹脂;及びこれらの共重合体を適宜選択しうる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。有機バインダを用いる場合は、分解性、取り扱いの簡便性の観点から、セルロース誘導体、(メタ)アクリル酸樹脂、(メタ)アクリル酸エステル樹脂又はポリエチレンオキサイド樹脂を用いることが好ましい。
本発明の不純物拡散層形成組成物は、有機バインダの1種以上を更に含有してもよい。
有機バインダを含むことで、不純物拡散層形成組成物としての粘度を調整したり、チキソ性を付与したりすることができ、半導体基板への付与性がより向上する。有機バインダとしては、例えば、アルキド樹脂;ポリビニルブチラール樹脂;ポリビニルアルコール樹脂;ポリアクリルアミド樹脂;ポリビニルアミド樹脂;ポリビニルピロリドン樹脂;ポリエチレンオキサイド樹脂;ポリスルホン樹脂;アクリルアミドアルキルスルホン樹脂;セルロースエーテル、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルセルロース等のセルロース誘導体;ゼラチン、ゼラチン誘導体;澱粉、澱粉誘導体;アルギン酸ナトリウム、アルギン酸ナトリウム誘導体;キサンタン、キサンタン誘導体;グア、グア誘導体;スクレログルカン、スクレログルカン誘導体;トラガカント、トラガカント誘導体;デキストリン、デキストリン誘導体;(メタ)アクリル酸樹脂;アルキル(メタ)アクリレート樹脂、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート樹脂等の(メタ)アクリル酸エステル樹脂;ブタジエン樹脂;スチレン樹脂;及びこれらの共重合体を適宜選択しうる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。有機バインダを用いる場合は、分解性、取り扱いの簡便性の観点から、セルロース誘導体、(メタ)アクリル酸樹脂、(メタ)アクリル酸エステル樹脂又はポリエチレンオキサイド樹脂を用いることが好ましい。
有機バインダの分子量は、特に制限されず、組成物としての所望の粘度を鑑みて適宜調整することが好ましい。なお、有機バインダを含有する場合の含有量は、不純物拡散層形成組成物中に、0.5質量%以上30質量%以下であることが好ましく、3質量%以上25質量%以下であることがより好ましく、3質量%以上20質量%以下であることが更に好ましい。
−界面活性剤−
本発明の不純物拡散層形成組成物は、界面活性剤の1種以上を更に含有してもよい。
界面活性剤としては、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤等が挙げられる。中でも、半導体基板への重金属等の不純物の持ち込みが少ないことからノニオン系界面活性剤又はカチオン系界面活性剤が好ましい。
ノニオン系界面活性剤としては、シリコン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、炭化水素系界面活性剤等が例示される。中でも拡散等の加熱時に速やかに除去されることから、炭化水素系界面活性剤が好ましい。
本発明の不純物拡散層形成組成物は、界面活性剤の1種以上を更に含有してもよい。
界面活性剤としては、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤等が挙げられる。中でも、半導体基板への重金属等の不純物の持ち込みが少ないことからノニオン系界面活性剤又はカチオン系界面活性剤が好ましい。
ノニオン系界面活性剤としては、シリコン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、炭化水素系界面活性剤等が例示される。中でも拡散等の加熱時に速やかに除去されることから、炭化水素系界面活性剤が好ましい。
炭化水素系界面活性剤としては、エチレンオキサイド−プロピレンオキサイドのブロック共重合体、アセチレングリコール化合物等が例示される。半導体基板のシート抵抗値のバラツキをより低減する観点から、アセチレングリコール化合物が好ましい。
−無機フィラー−
本発明の不純物拡散層形成組成物は、無機フィラーの1種以上を更に含有してもよい。
無機フィラーとしてはシリカ(酸化ケイ素)、クレイ、炭化ケイ素、窒化ケイ素等を例示することができるが、これらの中でもシリカを成分として含むフィラーを用いることが好ましい。ここで、クレイとは層状粘土鉱物を示し、具体的にはカオリナイト、イモゴライト、モンモリロナイト、スメクタイト、セリサイト、イライト、タルク、スチーブンサイト、ゼオライト等が挙げられる。
本発明の不純物拡散層形成組成物は、無機フィラーの1種以上を更に含有してもよい。
無機フィラーとしてはシリカ(酸化ケイ素)、クレイ、炭化ケイ素、窒化ケイ素等を例示することができるが、これらの中でもシリカを成分として含むフィラーを用いることが好ましい。ここで、クレイとは層状粘土鉱物を示し、具体的にはカオリナイト、イモゴライト、モンモリロナイト、スメクタイト、セリサイト、イライト、タルク、スチーブンサイト、ゼオライト等が挙げられる。
無機フィラーを添加することで、不純物拡散層形成組成物を塗布、乾燥する工程における不純物拡散層形成組成物層の滲み及び熱だれ発生によるパターンの半導体基板上での接触面積の拡大をより効果的に抑制することができる。塗布時に発生する滲みについては、分散媒と無機フィラーが相互作用することによって分散媒の滲みが抑制されるものと考えられる。また、乾燥時の滲み及び熱だれは、分散媒を分解、揮発させる100℃〜500℃程度の温度において、例えば、後述のポリエチレングリコール等の還元性化合物が融解するために発生すると考えられるが、融解したポリエチレングリコールと無機フィラーとの間で相互作用することによって、滲み及び熱だれが抑制されるものと考えられる。
無機フィラーのBET比表面積は1m2/g〜300m2/gであることが好ましく、10m2/g〜200m2/gであることがより好ましい。
無機フィラーの中でもフュームドシリカ(Fumed Silica)を用いることが好ましい。ここでいうフュームドシリカとは、超微粒子(BET比表面積30m2/g〜500m2/g)状無水シリカをいい、四塩化ケイ素等のシラン類を、酸素と水素の炎中で加水分解して製造される。気相法で合成されるため、一次粒子径が小さく、BET比表面積が大きくなる。高BET比表面積の無機フィラーを用いることで、乾燥工程において低粘度化した分散媒(溶剤)との間の物理的、ファンデルワールス力による相互作用によって、不純物拡散層形成組成物の粘度の低下を抑制しやすくなる傾向にある。BET比表面積は−196℃における窒素の吸着等温線から算出できる。例えば、BELSORP(日本ベル株式会社製)を用いて測定することができる。
無機フィラーの中でもフュームドシリカ(Fumed Silica)を用いることが好ましい。ここでいうフュームドシリカとは、超微粒子(BET比表面積30m2/g〜500m2/g)状無水シリカをいい、四塩化ケイ素等のシラン類を、酸素と水素の炎中で加水分解して製造される。気相法で合成されるため、一次粒子径が小さく、BET比表面積が大きくなる。高BET比表面積の無機フィラーを用いることで、乾燥工程において低粘度化した分散媒(溶剤)との間の物理的、ファンデルワールス力による相互作用によって、不純物拡散層形成組成物の粘度の低下を抑制しやすくなる傾向にある。BET比表面積は−196℃における窒素の吸着等温線から算出できる。例えば、BELSORP(日本ベル株式会社製)を用いて測定することができる。
前記フュームドシリカは親水性であっても疎水性であってもどちらでもよいが、疎水化処理により疎水性とされたフュームドシリカを用いることが好ましい。疎水性とする方法としては、無水シリカ粒子の表面を、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基等の有機官能基を有するシランカップリング剤などで、ディップ、スプレー等により表面処理する方法を挙げることができる。ここでフュームドシリカが疎水性であるとは、水−メタノールの比を変えて該溶液に対する粒子の浮遊割合を測定する方法によって求められる疎水化度において、浮遊量0%となるメタノール濃度が30容量%以上である場合をいう。
無機フィラーを用いる場合において、不純物拡散層形成組成物中の無機フィラーの含有率は0.01質量%〜20質量%であることが好ましく、0.1質量%〜10質量%であることがより好ましく、更に好ましくは0.5質量%〜3質量%である。0.01質量以上とすることで、乾燥工程における熱だれの発生をより効果的に抑制する効果が得られ、20質量%以下とすることで不純物拡散層形成組成物の塗布特性(細線形成性、印刷時のにじみ抑制、熱乾燥時の熱だれ抑制)をより効果的に確保することができる。
無機フィラーを用いる場合において、前記脂肪酸アミドと前記無機フィラーとの比(質量基準)は、10:90〜99:1が好ましく、30:70〜95:5が更に好ましい。
前記不純物拡散層形成組成物が無機フィラーを含む場合、無機フィラーは不純物拡散層形成組成物中で分散していることが好ましい。無機フィラーの分散方法に特に制限はなく、無機フィラーが不純物拡散層形成組成物に含まれる分散媒に溶解する場合は特に分散する必要はない。無機フィラーが前記分散媒に溶解しない場合、超音波分散、ビーズミル、ボールミル、ホモジナイザー、サンドミル、ロール、ニーダー、ディゾルバー、攪拌羽根を用いて分散することが好ましい。
−アルコキシシラン−
本発明の不純物拡散層形成組成物は、アルコキシシランの1種以上を更に含んでいてもよい。アルコキシシランを含むことで、不純物拡散層形成組成物の乾燥時における不純物拡散層形成組成物の粘度を保持しやすい傾向にある。アルコキシシランを構成するアルコキシ基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルコキシ基であることが好ましく、より好ましくは炭素数1〜24の直鎖状又は分岐鎖状のアルコキシ基であり、更に好ましくは炭素数1〜10の直鎖状又は分岐鎖状のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数1〜4の直鎖状又は分岐鎖状のアルコキシ基である。
本発明の不純物拡散層形成組成物は、アルコキシシランの1種以上を更に含んでいてもよい。アルコキシシランを含むことで、不純物拡散層形成組成物の乾燥時における不純物拡散層形成組成物の粘度を保持しやすい傾向にある。アルコキシシランを構成するアルコキシ基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルコキシ基であることが好ましく、より好ましくは炭素数1〜24の直鎖状又は分岐鎖状のアルコキシ基であり、更に好ましくは炭素数1〜10の直鎖状又は分岐鎖状のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数1〜4の直鎖状又は分岐鎖状のアルコキシ基である。
前記アルコキシ基におけるアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、t−オクチル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、2−ヘキシルデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、シクロヘキシルメチル基、オクチルシクロヘキシル基等を挙げることができる。
これらの中でもテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、又はテトライソプロポキシシランを用いることが好ましい。
これらの中でもテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、又はテトライソプロポキシシランを用いることが好ましい。
本発明の不純物拡散層形成組成物がアルコキシシランを含有する場合のアルコキシシランの含有率に特に制限は無く、0.1質量%〜30質量%であることが好ましく、1質量%〜20質量%であることがより好ましく、2質量%〜10質量%であることが更に好ましい。
−シリコーン樹脂−
本発明の不純物拡散層形成組成物は、シリコーン樹脂の1種以上を更に含んでいてもよい。シリコーン樹脂を含むことで、不純物拡散層形成組成物の印刷物の膜厚の均一性を向上できる傾向にある。シリコーン樹脂としては、オルガノポリシロキサン、変性シリコーン樹脂等を例示することができる。
本発明の不純物拡散層形成組成物は、シリコーン樹脂の1種以上を更に含んでいてもよい。シリコーン樹脂を含むことで、不純物拡散層形成組成物の印刷物の膜厚の均一性を向上できる傾向にある。シリコーン樹脂としては、オルガノポリシロキサン、変性シリコーン樹脂等を例示することができる。
−還元性化合物−
前記不純物拡散層形成組成物は、還元性化合物の1種以上を更に含有してもよい。還元性化合物としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のポリアルキレングリコール及びポリアルキレングリコールの末端アルキル化物;グルコース、フルクトース、ガラクトース等の単糖類及び単糖類の誘導体;スクロース、マルトース等の二糖類及び二糖類の誘導体;並びに多糖類及び多糖類の誘導体;などを挙げることができる。これらの有機化合物の中でも、ポリアルキレングリコールが好ましく、ポリプロピレングリコールが更に好ましい。還元性化合物を更に加えることで、ドナー元素又はアクセプタ元素の半導体基板への拡散が容易になる場合がある。
前記不純物拡散層形成組成物は、還元性化合物の1種以上を更に含有してもよい。還元性化合物としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のポリアルキレングリコール及びポリアルキレングリコールの末端アルキル化物;グルコース、フルクトース、ガラクトース等の単糖類及び単糖類の誘導体;スクロース、マルトース等の二糖類及び二糖類の誘導体;並びに多糖類及び多糖類の誘導体;などを挙げることができる。これらの有機化合物の中でも、ポリアルキレングリコールが好ましく、ポリプロピレングリコールが更に好ましい。還元性化合物を更に加えることで、ドナー元素又はアクセプタ元素の半導体基板への拡散が容易になる場合がある。
−その他の含有物−
本発明の不純物拡散層形成組成物は、電極形成用組成物と区別されることから、導電物質である金属を主成分とせず、金属の含有率は50質量%未満であり、30質量%以下であることが好ましく、10質量%以下であることがより好ましく、5質量%以下であることが更に好ましい。そして、本発明の不純物拡散層形成組成物は、ドナー元素含有化合物中及びアクセプタ元素含有化合物中以外に、金属を実質的に含有しないこと(0.5質量%以下)が好ましく、金属を含有しないこと(0質量%)がより好ましい。
本発明の不純物拡散層形成組成物は、電極形成用組成物と区別されることから、導電物質である金属を主成分とせず、金属の含有率は50質量%未満であり、30質量%以下であることが好ましく、10質量%以下であることがより好ましく、5質量%以下であることが更に好ましい。そして、本発明の不純物拡散層形成組成物は、ドナー元素含有化合物中及びアクセプタ元素含有化合物中以外に、金属を実質的に含有しないこと(0.5質量%以下)が好ましく、金属を含有しないこと(0質量%)がより好ましい。
(不純物拡散層形成組成物の製造方法)
本発明の不純物拡散層形成組成物の製造方法は特に制限されない。例えばドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物、脂肪酸アミド、分散媒及び必要に応じて加えられる成分をブレンダー、ミキサ、乳鉢、ローター等を用いて混合することで得ることができる。また、混合する際は、必要に応じて熱を加えてもよい。混合に際して加熱する場合、その温度は例えば30℃〜100℃とすることができる。
本発明の不純物拡散層形成組成物の製造方法は特に制限されない。例えばドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物、脂肪酸アミド、分散媒及び必要に応じて加えられる成分をブレンダー、ミキサ、乳鉢、ローター等を用いて混合することで得ることができる。また、混合する際は、必要に応じて熱を加えてもよい。混合に際して加熱する場合、その温度は例えば30℃〜100℃とすることができる。
(不純物拡散層形成組成物の物性値等の測定方法)
なお、前記不純物拡散層形成組成物中に含まれる成分、及び各成分の含有量はTG/DTA等の熱分析、NMR、HPLC、GPC、GC−MS、IR、MALDI−MSなどを用いて確認することができる。
なお、前記不純物拡散層形成組成物中に含まれる成分、及び各成分の含有量はTG/DTA等の熱分析、NMR、HPLC、GPC、GC−MS、IR、MALDI−MSなどを用いて確認することができる。
本発明の不純物拡散層形成組成物の粘弾性に特に制限はないが、付与性を考慮して、せん断速度0.01s−1のときのせん断粘度(25℃)が、50Pa・s以上、10000Pa・s以下であることが好ましく、100Pa・s以上、6000Pa・s以下であることがより好ましい。せん断速度0.01s−1のときのせん断粘度(25℃)が50Pa・s以上であると、スクリーン印刷における塗膜の厚みが均一になる傾向にあり、10000Pa・s以下であると、スクリーンマスク版の目詰まりが起き難くなる傾向にある。
不純物拡散層形成組成物のチクソトロピック特性(以下、チキソ性と記す)に特に制限は無いが、25℃でせん断速度がx[s−1]のときのせん断粘度ηxの対数をlog10(ηx)と表記し、チキソ性を示すTI値を[log10(η0.01)−log10(η10)]としたときに、TI値は0.5以上、6.0以下であることが好ましく、0.5以上、4.0以下であることがより好ましく、0.5以上、3.0以下であることが更に好ましい。TI値が0.5以上であると、スクリーン印刷後の不純物拡散層形成組成物層の液だれが起き難く、6.0以下であると、連続印刷時の付与量が安定する傾向にある。また、このことは他の付与方法、例えばインクジェット法においても同様の効果が得られる。
また、せん断粘度は、粘弾性測定装置(Anton Paar社製レオメーターMCR301)を用いて測定することができる。
また、せん断粘度は、粘弾性測定装置(Anton Paar社製レオメーターMCR301)を用いて測定することができる。
<不純物拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法>
本発明の不純物拡散層付き半導体基板の製造方法は、半導体基板上の全部又は一部に、本発明の不純物拡散層形成組成物を付与して不純物拡散層形成組成物層を形成する工程と、前記不純物拡散層形成組成物層が形成された前記半導体基板に熱処理を施す工程と、を有する。また、本発明の太陽電池素子の製造方法は、半導体基板上の全部又は一部に、本発明の不純物拡散層形成組成物を付与して不純物拡散層形成組成物層を形成する工程と、前記不純物拡散層形成組成物層が形成された前記半導体基板に熱処理を施して不純物拡散層を形成する工程と、形成された前記不純物拡散層上に電極を形成する工程と、を有する。本発明の不純物拡散層付き半導体基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法は、必要に応じてその他の工程を更に有していてもよい。
本発明の不純物拡散層付き半導体基板の製造方法は、半導体基板上の全部又は一部に、本発明の不純物拡散層形成組成物を付与して不純物拡散層形成組成物層を形成する工程と、前記不純物拡散層形成組成物層が形成された前記半導体基板に熱処理を施す工程と、を有する。また、本発明の太陽電池素子の製造方法は、半導体基板上の全部又は一部に、本発明の不純物拡散層形成組成物を付与して不純物拡散層形成組成物層を形成する工程と、前記不純物拡散層形成組成物層が形成された前記半導体基板に熱処理を施して不純物拡散層を形成する工程と、形成された前記不純物拡散層上に電極を形成する工程と、を有する。本発明の不純物拡散層付き半導体基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法は、必要に応じてその他の工程を更に有していてもよい。
以下に、本発明の不純物拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法について、図1を参照しながら説明する。図1は、本発明の太陽電池素子の製造方法の一例を概念的に表す模式断面図である。以降の図面においては、共通する構成要素に同じ符号を付す。また、各構成要素の大きさは一例であり、各構成要素間の大きさの相対的な関係を制限するものではない。なお、図1ではn型の不純物拡散層(n型拡散層)の製造工程を示すが、本発明の不純物拡散層形成組成物はp型の不純物拡散層(p型拡散層)の製造工程においても同様に用いることができる。
図1(1)では、p型半導体基板10であるシリコン基板にアルカリ溶液を付与してダメージ層を除去し、テクスチャー構造をエッチングにて得る。
詳細には、インゴットからスライスした際に発生するシリコン基板表面のダメージ層を20質量%苛性ソーダで除去する。次いで1質量%苛性ソーダと10質量%イソプロピルアルコールの混合液によりエッチングを行い、受光面(表面)側にテクスチャー構造を形成する(図中ではテクスチャー構造の記載を省略する)。太陽電池素子は、受光面(表面)側にテクスチャー構造を形成することにより、光閉じ込め効果が促され、高効率化が図られる。
詳細には、インゴットからスライスした際に発生するシリコン基板表面のダメージ層を20質量%苛性ソーダで除去する。次いで1質量%苛性ソーダと10質量%イソプロピルアルコールの混合液によりエッチングを行い、受光面(表面)側にテクスチャー構造を形成する(図中ではテクスチャー構造の記載を省略する)。太陽電池素子は、受光面(表面)側にテクスチャー構造を形成することにより、光閉じ込め効果が促され、高効率化が図られる。
図1(2)では、p型半導体基板10の表面すなわち受光面となる面に、上記n型拡散層形成組成物を付与して、n型拡散層形成組成物層11を形成する。なお、本発明に係るn型拡散層形成組成物を用いれば、半導体基板上に細線状に付与した場合であってもパターンの幅太りを抑えることが可能である。本発明では、付与方法には制限がないが、スクリーン印刷等の印刷法、スピン法、刷毛塗り、スプレー法、ドクターブレード法、ロールコーター法、インクジェット法などが挙げられる。
上記n型拡散層形成組成物の塗布量としては特に制限は無いが、例えば、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物の量として、0.01g/m2〜100g/m2とすることが好ましく、0.1g/m2〜10g/m2であることがより好ましい。
上記n型拡散層形成組成物の塗布量としては特に制限は無いが、例えば、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物の量として、0.01g/m2〜100g/m2とすることが好ましく、0.1g/m2〜10g/m2であることがより好ましい。
また、線幅の設計値に対する線太りの比率(形成されたn型拡散層形成組成物層の線幅/設計値×100)は、200%以内であることが好ましく、180%以内であることがより好ましく、150%以内であることがさらに好ましく、120%以内であることが特に好ましい。
なお、不純物拡散層形成組成物の組成によっては、塗布後に、不純物拡散層形成組成物中に含まれる溶剤を分解又は揮発させるための乾燥工程が必要な場合がある。この場合には、80℃〜300℃程度の温度で、ホットプレートを使用する場合は1分〜10分、乾燥機等を用いる場合は10分〜30分程度で乾燥させる。この乾燥条件は、不純物拡散層形成組成物の溶剤組成に依存しており、本発明では特に上記条件に限定されない。
図1(3)では、上記n型拡散層形成組成物11を塗布した半導体基板10を、熱処理(熱拡散処理)する。熱処理の温度は特に制限はないが、600℃〜1200℃であることが好ましく、750℃〜1050℃であることがより好ましい。また、熱処理の時間は特に制限はないが、1分〜30分間で行なうことが好ましい。この熱処理により半導体基板中へドナー元素が拡散し、n型拡散層12が形成される。熱処理には公知の連続炉、バッチ炉等が適用できる。また、熱処理時の炉内雰囲気は、空気、酸素、窒素等に適宜調整することもできる。
n型拡散層12の表面には、リン酸ガラス等のガラス層(不図示)が形成されているため、このリン酸ガラスをエッチングにより除去する。エッチングとしては、ふっ酸等の酸に浸漬する方法、苛性ソーダ等のアルカリに浸漬する方法など公知の方法が適用できる。
なお、選択エミッタ構造の太陽電池素子の製造では、図1(4)に示すように、電極位置にn型拡散層12を形成し、その他の受光面領域には、n型拡散層12よりもドナー元素の拡散濃度が低いn型拡散層13を形成する。n型拡散層13の形成方法としては特に制限はなく、ドナー元素の含有率が低い不純物拡散層形成組成物を用いる方法、オキシ塩化リンによる気相反応法等が挙げられる。
図1(2)及び(3)に示される、本発明のn型拡散層形成組成物層11を用いてn型拡散層12を形成する本発明の不純物拡散層(n型拡散層)付き半導体基板の形成方法では、所望の部位にのみn型拡散層12が形成され、n型拡散層形成組成物層が形成された領域以外の領域、裏面及び側面には不要なn型拡散層が形成されない。
したがって、従来広く採用されている気相反応法によりn型拡散層を形成する方法では、側面に形成された不要なn型拡散層を除去するためのサイドエッチ工程が必須であったが、本発明の製造方法によれば、サイドエッチ工程が不要となり、工程が簡易化される。ただし、n型拡散層13の形成において気相反応法を用いた場合にはサイドエッチング工程が必要となる。
したがって、従来広く採用されている気相反応法によりn型拡散層を形成する方法では、側面に形成された不要なn型拡散層を除去するためのサイドエッチ工程が必須であったが、本発明の製造方法によれば、サイドエッチ工程が不要となり、工程が簡易化される。ただし、n型拡散層13の形成において気相反応法を用いた場合にはサイドエッチング工程が必要となる。
図1(5)では、n型拡散層12の上に反射防止膜14を形成する。反射防止膜14は公知の技術を適用して形成される。例えば、反射防止膜14がシリコン窒化膜の場合には、SiH4とNH3の混合ガスを原料とするプラズマCVD法により形成する。このとき、水素が結晶中に拡散し、シリコン原子の結合に寄与しない軌道、即ちダングリングボンドと水素が結合し、欠陥を不活性化(水素パッシベーション)する。
より具体的には、上記混合ガス流量比NH3/SiH4が0.05〜1.0、反応室の圧力が13.3Pa(0.1Torr)〜266.6Pa(2Torr)、成膜時の温度が300℃〜550℃、プラズマの放電のための周波数が100kHz以上の条件下で形成される。反射防止膜の膜厚に特に制限は無いが、10nm〜300nmとすることが好ましく、30nm〜150nmとすることがより好ましい。
より具体的には、上記混合ガス流量比NH3/SiH4が0.05〜1.0、反応室の圧力が13.3Pa(0.1Torr)〜266.6Pa(2Torr)、成膜時の温度が300℃〜550℃、プラズマの放電のための周波数が100kHz以上の条件下で形成される。反射防止膜の膜厚に特に制限は無いが、10nm〜300nmとすることが好ましく、30nm〜150nmとすることがより好ましい。
図1(6)では、表面(受光面)の反射防止膜14上に、表面電極用金属ペーストをスクリーン印刷法で印刷付与し、乾燥させ、表面電極用金属ペースト層15’を形成する。表面電極用金属ペーストは、(1)金属粒子と(2)ガラス粒子とを必須成分とし、必要に応じて(3)樹脂バインダ、(4)その他の添加剤等を含む。
次いで、上記裏面の高濃度電界層16及び裏面電極17を形成する。一般的にはアルミニウムを含む裏面電極用金属ペーストを用いて、裏面電極用金属ペースト層を形成し、これを焼成処理することで裏面電極17を形成すると同時に裏面にp+型拡散層(高濃度電界層)16を形成する。このとき裏面に、モジュール工程における太陽電池素子間の接続のために、一部に銀電極形成用銀ペーストを付与してもよい。
従来の製造方法では、上記のようにアルミニウム等を用いて裏面に形成されたn型拡散層をp型拡散層へ変換する必要があった。この方法においてp型拡散層への変換を充分なものとし、更にp+拡散層の高濃度電界層を形成するためには、ある程度以上のアルミニウム量が必要であることから、アルミニウム層を厚く形成する必要があった。しかしながら、アルミニウムの熱膨張率は、基板として用いるシリコンの熱膨張率と大きく異なることから、焼成及び冷却の過程で半導体基板中に大きな内部応力が発生し、半導体基板であるシリコン基板の反りの原因となっていた。
この内部応力は、結晶の結晶粒界に損傷を与え、電力損失が大きくなるという課題があった。また、反りは、モジュール工程における太陽電池素子の搬送時、タブ線と呼ばれる銅線との接続時等において、セルを破損させ易くしていた。近年では、スライス加工技術の向上から、半導体基板の厚みが薄型化されつつあり、更に太陽電池素子が割れ易い傾向にある。
この内部応力は、結晶の結晶粒界に損傷を与え、電力損失が大きくなるという課題があった。また、反りは、モジュール工程における太陽電池素子の搬送時、タブ線と呼ばれる銅線との接続時等において、セルを破損させ易くしていた。近年では、スライス加工技術の向上から、半導体基板の厚みが薄型化されつつあり、更に太陽電池素子が割れ易い傾向にある。
しかしながら、図1(2)及び(3)のn型拡散層の形成において、本発明のn型拡散層形成組成物を用いれば、裏面に不要なn型拡散層が形成されないことから、n型拡散層からp型拡散層への変換を行う必要がなくなり、アルミニウム層を厚くする必然性がなくなる。その結果、半導体基板内における内部応力の発生及び半導体基板の反りを抑えることができる。結果として、電力損失の増大を抑制でき、太陽電池素子の破損を抑えることが可能となる。
また、本発明のn型拡散層形成組成物を用いる場合、裏面のp+型拡散層(高濃度電界層)16の製造方法はアルミニウムを含む裏面電極用金属ペーストによる方法に限定されることなく、従来公知のいずれの方法も採用でき、製造方法の選択肢が広がる。例えば、B(ボロン)などの第13族の元素を含むp型拡散層形成組成物を付与し、p+型拡散層(高濃度電界層)16を形成することができる。このp型拡散層形成組成物として、本発明のp型拡散層形成組成物を用いることができる。
また、本発明の製造方法において、裏面電極17に用いる材料は第13族のアルミニウムに限定されず、Ag(銀)、Cu(銅)等を適用することができ、裏面の表面電極17の厚さも従来のものよりも薄く形成することが可能となる。裏面電極17の材質及び形成方法は特に限定されないが、例えば、アルミニウム、銀、銅等の金属を含む裏面電極用ペーストを塗布し、乾燥させて、裏面電極17を形成してもよい。
図1(7)では、電極を焼成して、太陽電池素子を完成させる。600℃〜900℃の範囲で数秒〜数分間焼成することができる。このとき表面側では電極用金属ペーストに含まれるガラス粒子によって絶縁膜である反射防止膜14が溶融し、更に半導体基板10表面も一部溶融して、電極用金属ペースト中の金属粒子(例えば、銀粒子)が半導体基板10と接触部を形成し凝固する。これにより、形成した表面電極15と半導体基板10とが導通される。これはファイアースルーと称されている。
表面電極15の形状について図2に基づき説明する。表面電極15は、バスバー電極30、及び該バスバー電極30と交差しているフィンガー電極32で構成される。図2(A)は、表面電極15を、バスバー電極30、及び該バスバー電極30と交差しているフィンガー電極32からなる構成とした太陽電池素子を表面から見た平面図であり、図2(B)は、図2(A)の一部を拡大して示す斜視図である。
このような表面電極15は、例えば、前述したように金属ペーストをスクリーン印刷等で付与し、これを焼成処理することで形成することができる。また電極材料のメッキ、高真空中における電子ビーム加熱による電極材料の蒸着等の手段により形成することができる。バスバー電極30とフィンガー電極32とからなる表面電極15は受光面側の電極として一般的に用いられていて周知であり、受光面側のバスバー電極及びフィンガー電極の公知の形成手段を適用することができる。
上記では、表面にn型拡散層、裏面にp+型拡散層を形成し、更にそれぞれの層の上に表面電極及び裏面電極を設けた太陽電池素子について説明したが、本発明の不純物拡散層形成組成物を用いればバックコンタクト型の太陽電池素子を作製することも可能である。
バックコンタクト型の太陽電池素子は、電極を全て裏面に設けて受光面の面積を大きくするものである。つまりバックコンタクト型の太陽電池素子では、裏面にn型拡散部位及びp+型拡散部位の両方を形成しpn接合構造とする必要がある。本発明の不純物拡散層形成組成物は、特定の部位にのみ不純物拡散部位を形成することが可能であり、よってバックコンタクト型の太陽電池素子の製造に好適に適用することができる。
前記太陽電池素子の製造方法で製造される太陽電池素子の形状及び大きさに制限はないが、一辺が125mm〜156mmの正方形であることが好ましい。
バックコンタクト型の太陽電池素子は、電極を全て裏面に設けて受光面の面積を大きくするものである。つまりバックコンタクト型の太陽電池素子では、裏面にn型拡散部位及びp+型拡散部位の両方を形成しpn接合構造とする必要がある。本発明の不純物拡散層形成組成物は、特定の部位にのみ不純物拡散部位を形成することが可能であり、よってバックコンタクト型の太陽電池素子の製造に好適に適用することができる。
前記太陽電池素子の製造方法で製造される太陽電池素子の形状及び大きさに制限はないが、一辺が125mm〜156mmの正方形であることが好ましい。
<太陽電池>
前記製造方法で製造された太陽電池素子は、太陽電池の製造に用いられる。太陽電池は、前記製造方法で製造された太陽電池素子の1種以上を含み、太陽電池素子の電極上に配線材料が配置されて構成される。太陽電池は更に必要に応じて、配線材料を介して複数の太陽電池素子が連結され、更に封止材で封止されて構成されていてもよい。
前記配線材料及び封止材としては特に制限されず、当業界で通常用いられているものから適宜選択することができる。
太陽電池の形状及び大きさに特に制限はないが、0.5m2〜3m2であることが好ましい。
前記製造方法で製造された太陽電池素子は、太陽電池の製造に用いられる。太陽電池は、前記製造方法で製造された太陽電池素子の1種以上を含み、太陽電池素子の電極上に配線材料が配置されて構成される。太陽電池は更に必要に応じて、配線材料を介して複数の太陽電池素子が連結され、更に封止材で封止されて構成されていてもよい。
前記配線材料及び封止材としては特に制限されず、当業界で通常用いられているものから適宜選択することができる。
太陽電池の形状及び大きさに特に制限はないが、0.5m2〜3m2であることが好ましい。
以下、本発明の実施例を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限するものではない。なお、特に記述が無い限り、薬品は全て試薬を使用した。また「%」は断りがない限り「質量%」を意味する。
また、各実施例及び比較例で使用したドーパント源化合物の成分を表1にまとめて示す。なお、実施例において、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物をドーパント源化合物と表記する。
また、各実施例及び比較例で使用したドーパント源化合物の成分を表1にまとめて示す。なお、実施例において、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物をドーパント源化合物と表記する。
[実施例1]
<合成例1>
(ドーパント源化合物1の合成)
SiO2(和光純薬工業株式会社製)、P2O5(和光純薬工業株式会社製)、CaCO3(和光純薬工業株式会社製)を原料として用い、それぞれのモル比がSiO2:P2O5:CaO=30:60:10となるように混合し、アルミナ坩堝に入れて、1400℃まで400℃/hで昇温後、1時間保持し、次いで急冷した。これを自動乳鉢混練装置を用いて粉砕して、ドナー元素を含むガラス(P2O5−SiO2−CaO系ガラス)粒子を得た。
<合成例1>
(ドーパント源化合物1の合成)
SiO2(和光純薬工業株式会社製)、P2O5(和光純薬工業株式会社製)、CaCO3(和光純薬工業株式会社製)を原料として用い、それぞれのモル比がSiO2:P2O5:CaO=30:60:10となるように混合し、アルミナ坩堝に入れて、1400℃まで400℃/hで昇温後、1時間保持し、次いで急冷した。これを自動乳鉢混練装置を用いて粉砕して、ドナー元素を含むガラス(P2O5−SiO2−CaO系ガラス)粒子を得た。
得られたガラス粒子の粉末X線回折(XRD)パターンをNiフィルターを用いたCu−Kα線を用いて、X線回折装置(株式会社リガク製、RINT−2000)により測定したところ、得られたガラス粒子は非晶質であることが確認された。
得られたガラス粒子を30g、分散媒としてテルピネオール(日本テルペン化学株式会社)を、遊星ボールミル(フリッチュ社製)を用い、1mmのイットリア安定化ジルコニアビーズを用いて粉砕し、30%ガラス粒子分散テルピネオール溶液を調製した。ガラス粒子の体積平均粒子径をレーザー回折式粒度分布測定装置により測定したところ、0.3μmであった。得られた30%ガラス粒子分散テルピネオール溶液中のガラス粒子をドーパント源化合物1とする。
(不純物拡散層形成組成物1の調製)
エチルセルロース(日進化成株式会社製エトセルSTD200、エチル化率50%)2.8g、及びステアリン酸アミド(分解温度:285℃、融点:98℃〜102℃、和光純薬工業社製)10gをテルピネオール(日本テルペン化学株式会社、ターピネオール−LW)53.9gに加え、160℃で30分間かけて溶解した。次いで、100℃まで降温したあと、この溶液に合成例1で得られた30%ガラス粒子分散テルピネオール溶液33.3gを加え、100℃のままで30分間攪拌した後、室温まで冷却してペースト化し、不純物拡散層形成組成物1を調製した。
エチルセルロース(日進化成株式会社製エトセルSTD200、エチル化率50%)2.8g、及びステアリン酸アミド(分解温度:285℃、融点:98℃〜102℃、和光純薬工業社製)10gをテルピネオール(日本テルペン化学株式会社、ターピネオール−LW)53.9gに加え、160℃で30分間かけて溶解した。次いで、100℃まで降温したあと、この溶液に合成例1で得られた30%ガラス粒子分散テルピネオール溶液33.3gを加え、100℃のままで30分間攪拌した後、室温まで冷却してペースト化し、不純物拡散層形成組成物1を調製した。
(せん断粘度の測定)
なお、不純物拡散層形成組成物1のせん断粘度は、粘弾性測定装置(Anton Paar社製レオメーターMCR301)を用いて、せん断速度0.01s−1〜10s−1の範囲内で、室温(25℃)における値を測定した。
なお、せん断粘度は、コーンプレート(直径50mm、コーン角1°)を装着した回転式のせん断粘度計を用いて、温度25℃で測定される。
不純物拡散層形成組成物1は、せん断速度0.01s−1におけるせん断粘度が、378Pa.s、一方、せん断速度10s−1におけるせん断粘度が23Pa・sを示し、せん断粘度の対数値の差(TI値)が1.22であった。
なお、不純物拡散層形成組成物1のせん断粘度は、粘弾性測定装置(Anton Paar社製レオメーターMCR301)を用いて、せん断速度0.01s−1〜10s−1の範囲内で、室温(25℃)における値を測定した。
なお、せん断粘度は、コーンプレート(直径50mm、コーン角1°)を装着した回転式のせん断粘度計を用いて、温度25℃で測定される。
不純物拡散層形成組成物1は、せん断速度0.01s−1におけるせん断粘度が、378Pa.s、一方、せん断速度10s−1におけるせん断粘度が23Pa・sを示し、せん断粘度の対数値の差(TI値)が1.22であった。
(線太りの測定)
次に、上述の不純物拡散層形成組成物1をスクリーン印刷によって、p型シリコンウエハ表面に細線状に塗布し、150℃のホットプレート上で1分間乾燥させた。なお、不純物拡散層形成組成物1は、乾燥後に3mg/cm2となる量で付与した。スクリーン印刷版は150μm幅の細線を得るよう設計されたものを使用し、スキージ速度とスクレッパ速度はいずれも200mm/secとした。細線の太さをオリンパス株式会社製光学顕微鏡にて測長したところ、180μmであり、設計値からの線太りは35μm以内であった。
次に、上述の不純物拡散層形成組成物1をスクリーン印刷によって、p型シリコンウエハ表面に細線状に塗布し、150℃のホットプレート上で1分間乾燥させた。なお、不純物拡散層形成組成物1は、乾燥後に3mg/cm2となる量で付与した。スクリーン印刷版は150μm幅の細線を得るよう設計されたものを使用し、スキージ速度とスクレッパ速度はいずれも200mm/secとした。細線の太さをオリンパス株式会社製光学顕微鏡にて測長したところ、180μmであり、設計値からの線太りは35μm以内であった。
(シート抵抗の測定)
別途、上述の不純物拡散層形成組成物1をp型シリコンウエハ表面にベタ状に塗布し、150℃のホットプレート上で1分間乾燥させた後、空気を5L/min.で流した900℃のトンネル炉(横型チューブ拡散炉 ACCURON CQ−1200、株式会社国際電気製)で10分間、熱処理(熱拡散処理)を行った。その後、p型シリコン基板表面上に形成されたガラス層を除去するため、基板を、2.5質量%HF水溶液に5分間浸漬し、次いで流水洗浄、超音波洗浄、乾燥を行って、n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。
別途、上述の不純物拡散層形成組成物1をp型シリコンウエハ表面にベタ状に塗布し、150℃のホットプレート上で1分間乾燥させた後、空気を5L/min.で流した900℃のトンネル炉(横型チューブ拡散炉 ACCURON CQ−1200、株式会社国際電気製)で10分間、熱処理(熱拡散処理)を行った。その後、p型シリコン基板表面上に形成されたガラス層を除去するため、基板を、2.5質量%HF水溶液に5分間浸漬し、次いで流水洗浄、超音波洗浄、乾燥を行って、n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。
不純物拡散層形成組成物1をベタ状に塗布した側の表面のシート抵抗は40Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。裏面のシート抵抗は1000Ω/□以上で測定不能であり、n型拡散層は形成されていなかった。
なお、シート抵抗は三菱化学株式会社製Loresta−EP MCP−T360型低抵抗率計を用いて四探針法により測定した。
なお、シート抵抗は三菱化学株式会社製Loresta−EP MCP−T360型低抵抗率計を用いて四探針法により測定した。
[実施例2]
エチルセルロース1g、ステアリン酸アミド10gをテルピネオール55.7gに加え、160℃で30分間かけて溶解した。次いで、100℃まで降温したあと、この溶液に合成例1で得られた30%ガラス粒子分散テルピネオール溶液33.3gを加え、30分間攪拌した後、室温まで冷却してペースト化し、不純物拡散層形成組成物2を調製した。
エチルセルロース1g、ステアリン酸アミド10gをテルピネオール55.7gに加え、160℃で30分間かけて溶解した。次いで、100℃まで降温したあと、この溶液に合成例1で得られた30%ガラス粒子分散テルピネオール溶液33.3gを加え、30分間攪拌した後、室温まで冷却してペースト化し、不純物拡散層形成組成物2を調製した。
実施例1と同法にて不純物拡散層形成組成物2のせん断粘度(25℃)を調べたところ、せん断速度0.01s−1におけるせん断粘度が50Pa.s、一方、せん断速度10s−1におけるせん断粘度が1.36Pa・sを示し、せん断粘度の対数値の差(TI値)が1.57であった。
次に、上述の不純物拡散層形成組成物2をスクリーン印刷によってp型シリコンウエハ表面に細線状に塗布し、150℃のホットプレート上で1分間乾燥させた。スクリーン印刷版は150μm幅の細線を得るよう設計されたものを使用し、スキージ速度とスクレッパ速度はいずれも300mm/secとした。細線の太さをオリンパス株式会社製光学顕微鏡にて測長したところ、185μmであり、設計値からの線太りは35μm以内であった。
別途、上述の不純物拡散層形成組成物2をp型シリコンウエハ表面にベタ状に塗布し、150℃のホットプレート上で1分間乾燥させた後、空気を5L/min.で流した900℃のトンネル炉(横型チューブ拡散炉 ACCURON CQ−1200、株式会社国際電気製)で10分間、熱処理(熱拡散処理)を行った。その後、p型シリコン基板表面上に形成されたガラス層を除去するため、基板を2.5質量%HF水溶液に5分間浸漬し、次いで流水洗浄、超音波洗浄、乾燥を行って、n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。
不純物拡散層形成組成物2を塗布した側の表面のシート抵抗は40Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。裏面のシート抵抗は1000Ω/□以上で測定不能であり、n型拡散層は形成されていなかった。
[実施例3]
実施例1のステアリン酸アミドをN,N’−メチレンビスステアリン酸アミドに代えた以外は、実施例1と同様に実施し、不純物拡散層形成組成物3を得た。
実施例1のステアリン酸アミドをN,N’−メチレンビスステアリン酸アミドに代えた以外は、実施例1と同様に実施し、不純物拡散層形成組成物3を得た。
実施例1と同法にて不純物拡散層形成組成物3のせん断粘度を調べたところ、せん断速度0.01s−1におけるせん断粘度が390Pa.s(25℃)、一方、せん断速度10s−1におけるせん断粘度が27Pa・sを示し、せん断粘度の対数値の差(TI値)が1.16であった。
次に、上述の不純物拡散層形成組成物3をスクリーン印刷によってp型シリコンウエハ表面に細線状に塗布し、150℃のホットプレート上で1分間乾燥させた。スクリーン印刷版は150μm幅の細線を得るよう設計されたものを使用し、スキージ速度とスクレッパ速度はいずれも300mm/secとした。細線の太さをオリンパス株式会社製光学顕微鏡にて測長したところ、175μmであり、設計値からの線太りは35μm以内であった。
別途、上述の不純物拡散層形成組成物3をp型シリコンウエハ表面にベタ状に塗布し、150℃のホットプレート上で1分間乾燥させた後、空気を5L/min.で流した900℃のトンネル炉(横型チューブ拡散炉 ACCURON CQ−1200、株式会社国際電気製)で10分間、熱処理(熱拡散処理)を行った。その後、p型シリコン基板表面上に形成されたガラス層を除去するため、基板を、2.5質量%HF水溶液に5分間浸漬し、次いで流水洗浄、超音波洗浄、乾燥を行って、n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。
不純物拡散層形成組成物3を塗布した側の表面のシート抵抗は40Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。裏面のシート抵抗は1000Ω/□以上で測定不能であり、n型拡散層は形成されていなかった。
[実施例4]
実施例1のステアリン酸アミドをステアリン酸ジメチルアミノプロピルアミド(Croda社製)に代えた以外は、実施例1と同様に実施し、不純物拡散層形成組成物4を得た。
実施例1のステアリン酸アミドをステアリン酸ジメチルアミノプロピルアミド(Croda社製)に代えた以外は、実施例1と同様に実施し、不純物拡散層形成組成物4を得た。
実施例1と同様の方法で不純物拡散層形成組成物4のせん断粘度を調べたところ、せん断速度0.01s−1におけるせん断粘度が280Pa.s(25℃)、一方、せん断速度10s−1におけるせん断粘度が25Pa・sを示し、せん断粘度の対数値の差(TI値)が1.05であった。
次に、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物4に代えて、細線の太さを測長したところ、170μmであり、設計値からの線太りは35μm以内であった。
別途、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物4に代えて、n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。不純物拡散層形成組成物4を塗布した側の表面のシート抵抗は40Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。裏面のシート抵抗は1000Ω/□以上で測定不能であり、n型拡散層は形成されていなかった。
[実施例5]
実施例1と同様にして、但しテルピネオールをジヒドロテルピネオールに代えて、30%ガラス粒子分散ジヒドロテルピネオール溶液を調製した。
エチルセルロース3.0g、ステアリン酸アミド10gをジヒロドテルピネオール(日本テルペン化学株式会社製)53.7gに加え、160℃で30分間かけて溶解した。次いで、100℃まで降温したあと、この溶液に30%ガラス粒子分散ジヒドロテルピネオール溶液33.3gを加え、30分間攪拌した後、室温まで冷却してペースト化し、不純物拡散層形成組成物5を調製した。
実施例1と同様にして、但しテルピネオールをジヒドロテルピネオールに代えて、30%ガラス粒子分散ジヒドロテルピネオール溶液を調製した。
エチルセルロース3.0g、ステアリン酸アミド10gをジヒロドテルピネオール(日本テルペン化学株式会社製)53.7gに加え、160℃で30分間かけて溶解した。次いで、100℃まで降温したあと、この溶液に30%ガラス粒子分散ジヒドロテルピネオール溶液33.3gを加え、30分間攪拌した後、室温まで冷却してペースト化し、不純物拡散層形成組成物5を調製した。
実施例1と同様の方法で不純物拡散層形成組成物5のせん断粘度を調べたところ、せん断速度0.01s−1におけるせん断粘度が378Pa.s(25℃)、一方、せん断速度10s−1におけるせん断粘度が30Pa・sを示し、せん断粘度の対数値の差(TI値)が1.10であった。
次に、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物5に代えて、細線の太さを測長したところ、170μmであり、設計値からの線太りは35μm以内であった。
別途、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物5に代えて、n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。不純物拡散層形成組成物5を塗布した側の表面のシート抵抗は40Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。裏面のシート抵抗は1000Ω/□以上で測定不能であり、n型拡散層は形成されていなかった。
[実施例6]
エチルセルロース3.0g、ステアリン酸アミド10g、アエロジル200(フュームドシリカ、日本アエロジ株式会社ル製)1gをジヒロドテルピネオール52.7gに加え、160℃で30分間攪拌した。次いで、100℃まで降温したあと、この溶液に合成例1で得られた30%ガラス粒子分散ジヒドロテルピネオール溶液33.3gを加え、30分間攪拌した後、室温まで冷却してペースト化し、不純物拡散層形成組成物6を調製した。
エチルセルロース3.0g、ステアリン酸アミド10g、アエロジル200(フュームドシリカ、日本アエロジ株式会社ル製)1gをジヒロドテルピネオール52.7gに加え、160℃で30分間攪拌した。次いで、100℃まで降温したあと、この溶液に合成例1で得られた30%ガラス粒子分散ジヒドロテルピネオール溶液33.3gを加え、30分間攪拌した後、室温まで冷却してペースト化し、不純物拡散層形成組成物6を調製した。
実施例1と同様の方法で不純物拡散層形成組成物6のせん断粘度を調べたところ、せん断速度0.01s−1におけるせん断粘度が380Pa.s(25℃)、一方、せん断速度10s−1におけるせん断粘度が18Pa・sを示し、せん断粘度の対数値の差(TI値)が1.32であった。
次に、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物6に代えて、細線の太さを測長したところ、175μmであり、設計値からの線太りは35μm以内であった。
別途、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物6に代えて、n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。不純物拡散層形成組成物6を塗布した側の表面のシート抵抗は40Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。裏面のシート抵抗は1000Ω/□以上で測定不能であり、n型拡散層は形成されていなかった。
[実施例7]
アエロジル200の代わりにアエロジル90G(フュームドシリカ、日本アエロジル株式会社製)を用いた以外は実施例6と同様にして不純物拡散層形成組成物7を調製した。
アエロジル200の代わりにアエロジル90G(フュームドシリカ、日本アエロジル株式会社製)を用いた以外は実施例6と同様にして不純物拡散層形成組成物7を調製した。
実施例1と同様の方法で不純物拡散層形成組成物7のせん断粘度を調べたところ、せん断速度0.01s−1におけるせん断粘度が350Pa.s(25℃)、一方、せん断速度10s−1におけるせん断粘度が25Pa・sを示し、せん断粘度の対数値の差(TI値)が1.15であった。
次に、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物7に代えて、細線の太さを測長したところ、175μmであり、設計値からの線太りは35μm以内であった。
別途、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物7に代えて、n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。不純物拡散層形成組成物7を塗布した側の表面のシート抵抗は40Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。裏面のシート抵抗は1000Ω/□以上で測定不能であり、n型拡散層は形成されていなかった。
[実施例8]
アエロジル200の代わりにアエロジルRY200(フュームドシリカ、日本アエロジル株式会社製)を用いた以外は実施例6と同様にして不純物拡散層形成組成物8を調製した。
アエロジル200の代わりにアエロジルRY200(フュームドシリカ、日本アエロジル株式会社製)を用いた以外は実施例6と同様にして不純物拡散層形成組成物8を調製した。
実施例1と同様の方法で不純物拡散層形成組成物8のせん断粘度を調べたところ、せん断速度0.01s−1におけるせん断粘度が405Pa.s(25℃)、一方、せん断速度10s−1におけるせん断粘度が22Pa・sを示し、せん断粘度の対数値の差(TI値)が1.27であった。
次に、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物8に代えて、細線の太さを測長したところ、170μmであり、設計値からの線太りは35μm以内であった。
別途、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物8に代えて、n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。不純物拡散層形成組成物8を塗布した側の表面のシート抵抗は40Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。裏面のシート抵抗は1000Ω/□以上で測定不能であり、n型拡散層は形成されていなかった。
[実施例9]
合成例1と同様の方法で、但しガラス粒子の濃度が40%となるように配合して、40%ガラス粒子分散テルピネオール溶液を調製した。次いで、エチルセルロース3.0g、ステアリン酸アミド10gをテルピネオール37.0gに加え、160℃で30分間かけて溶解した。次いで、100℃まで降温したあと、この溶液に40%ガラス粒子分散テルピネオール溶液50.0gを加え、30分間攪拌した後、室温まで冷却してペースト化し、不純物拡散層形成組成物9を調製した。
合成例1と同様の方法で、但しガラス粒子の濃度が40%となるように配合して、40%ガラス粒子分散テルピネオール溶液を調製した。次いで、エチルセルロース3.0g、ステアリン酸アミド10gをテルピネオール37.0gに加え、160℃で30分間かけて溶解した。次いで、100℃まで降温したあと、この溶液に40%ガラス粒子分散テルピネオール溶液50.0gを加え、30分間攪拌した後、室温まで冷却してペースト化し、不純物拡散層形成組成物9を調製した。
実施例1と同様の方法で不純物拡散層形成組成物9のせん断粘度を調べたところ、せん断速度0.01s−1におけるせん断粘度が430Pa.s(25℃)、一方、せん断速度10s−1におけるせん断粘度が25Pa・sを示し、せん断粘度の対数値の差(TI値)が1.23であった。
次に、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物9に代えて、細線の太さを測長したところ、170μmであり、設計値からの線太りは35μm以内であった。
別途、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物9に代えて、n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。不純物拡散層形成組成物9を塗布した側の表面のシート抵抗は40Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。裏面のシート抵抗は1000Ω/□以上で測定不能であり、n型拡散層は形成されていなかった。
[実施例10]
<合成例2>
(ドーパント源化合物2の合成)
テトラエトキシシラン(和光純薬工業製)10gをエタノール40gに溶解した。これに10%硝酸水溶液を10g加えた。次いで、リン酸トリエチル(東京化成工業製)7.0gを加え、1時間25℃にて撹拌した。次いで、60℃にて蒸発乾固した。ついで、100℃にて1時間乾燥した。得られた粉末をメノウ乳鉢で粉砕して、ドーパント源化合物2を得た。レーザー回折法で測定した平均二次粒子径は6μmであった。
<合成例2>
(ドーパント源化合物2の合成)
テトラエトキシシラン(和光純薬工業製)10gをエタノール40gに溶解した。これに10%硝酸水溶液を10g加えた。次いで、リン酸トリエチル(東京化成工業製)7.0gを加え、1時間25℃にて撹拌した。次いで、60℃にて蒸発乾固した。ついで、100℃にて1時間乾燥した。得られた粉末をメノウ乳鉢で粉砕して、ドーパント源化合物2を得た。レーザー回折法で測定した平均二次粒子径は6μmであった。
(不純物拡散層形成組成物の調製)
ドーパント源化合物1の代わりにドーパント源化合物2を用いた以外は、実施例1と同様にして、不純物拡散層形成組成物10を得た。
ドーパント源化合物1の代わりにドーパント源化合物2を用いた以外は、実施例1と同様にして、不純物拡散層形成組成物10を得た。
(せん断粘度の測定)
実施例1と同様の方法で不純物拡散層形成組成物10のせん断粘度を調べたところ、せん断速度0.01s−1におけるせん断粘度が368Pa.s(25℃)、一方、せん断速度10s−1におけるせん断粘度が28Pa・sを示し、せん断粘度の対数値の差(TI値)が1.12であった。
実施例1と同様の方法で不純物拡散層形成組成物10のせん断粘度を調べたところ、せん断速度0.01s−1におけるせん断粘度が368Pa.s(25℃)、一方、せん断速度10s−1におけるせん断粘度が28Pa・sを示し、せん断粘度の対数値の差(TI値)が1.12であった。
(線太りの測定)
次に、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物10に代えて、細線の太さを測長したところ、180μmであり、設計値からの線太りは35μm以内であった。
次に、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物10に代えて、細線の太さを測長したところ、180μmであり、設計値からの線太りは35μm以内であった。
(シート抵抗の測定)
別途、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物10に代えて、n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。不純物拡散層形成組成物10を塗布した側の表面のシート抵抗は45Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。裏面のシート抵抗は450Ω/□であった。
別途、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物10に代えて、n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。不純物拡散層形成組成物10を塗布した側の表面のシート抵抗は45Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。裏面のシート抵抗は450Ω/□であった。
[実施例11]
ドーパント源化合物3としてリン酸二水素アンモニウム(和光純薬工業製)をそのまま用いた。5質量%の濃度となるようにアエロジル(RY200、日本アエロジル製)とテルピネオールを混合し、遊星ボールミルを用い、3mmのイットリア安定化ジルコニアビーズを用いて粉砕して、5%アエロジル/テルピネオール分散液を調製した。ドーパント源化合物1の代わりにドーパント源化合物3を用いた以外は、実施例1と同様にして、不純物拡散層形成組成物11を調製した。なお、ドーパント源化合物3/ステアリン酸アミド/エチルセルロース/テルピネオール/テトラエトキシシラン(和光純薬工業製)/アエロジルRY200=15/6/2/74/2/1(質量比)となるように乳鉢で混合して、不純物拡散層形成組成物11を調製した。
ドーパント源化合物3としてリン酸二水素アンモニウム(和光純薬工業製)をそのまま用いた。5質量%の濃度となるようにアエロジル(RY200、日本アエロジル製)とテルピネオールを混合し、遊星ボールミルを用い、3mmのイットリア安定化ジルコニアビーズを用いて粉砕して、5%アエロジル/テルピネオール分散液を調製した。ドーパント源化合物1の代わりにドーパント源化合物3を用いた以外は、実施例1と同様にして、不純物拡散層形成組成物11を調製した。なお、ドーパント源化合物3/ステアリン酸アミド/エチルセルロース/テルピネオール/テトラエトキシシラン(和光純薬工業製)/アエロジルRY200=15/6/2/74/2/1(質量比)となるように乳鉢で混合して、不純物拡散層形成組成物11を調製した。
実施例1と同様の方法で不純物拡散層形成組成物11のせん断粘度を調べたところ、せん断速度0.01s−1におけるせん断粘度が282Pa.s(25℃)、一方、せん断速度10s−1におけるせん断粘度が25Pa・sを示し、せん断粘度の対数値の差(TI値)が1.05であった。
次に、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物11に代えて、細線の太さを測長したところ、175μmであり、設計値からの線太りは35μm以内であった。
別途、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物11に代えて、n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。不純物拡散層形成組成物11を塗布した側の表面のシート抵抗は40Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。
裏面のシート抵抗は300Ω/□であった。
裏面のシート抵抗は300Ω/□であった。
[実施例12]
<合成例3>
(ドーパント源化合物4の合成)
SiO2(和光純薬工業株式会社製)、B2O3(和光純薬工業株式会社製)、ZnO(和光純薬工業株式会社製)を原料として用い、それぞれのモル比がSiO2:B2O3:ZnO=10:40:50となるように混合し、アルミナ坩堝に入れて、1400℃まで400℃/hで昇温後、1時間保持し、次いで急冷した。これを自動乳鉢混練装置を用いて粉砕して、ドナー元素を含むガラス粒子を得た。得られたガラス粒子は非晶質であることが確認された。
<合成例3>
(ドーパント源化合物4の合成)
SiO2(和光純薬工業株式会社製)、B2O3(和光純薬工業株式会社製)、ZnO(和光純薬工業株式会社製)を原料として用い、それぞれのモル比がSiO2:B2O3:ZnO=10:40:50となるように混合し、アルミナ坩堝に入れて、1400℃まで400℃/hで昇温後、1時間保持し、次いで急冷した。これを自動乳鉢混練装置を用いて粉砕して、ドナー元素を含むガラス粒子を得た。得られたガラス粒子は非晶質であることが確認された。
ドーパント源化合物1の代わりにドーパント源化合物4を用いた以外は、実施例1と同様にして、不純物拡散層形成組成物12を調製した。なお、ドーパント源化合物4/ステアリン酸アミド/エチルセルロース/テルピネオール/アエロジル200=10/6/2/81/1(質量比)となるように乳鉢で混合して、不純物拡散層形成組成物12を調製した。
(せん断粘度の測定)
実施例1と同様の方法で不純物拡散層形成組成物12のせん断粘度を調べたところ、せん断速度0.01s−1におけるせん断粘度が286Pa.s(25℃)、一方、せん断速度10s−1におけるせん断粘度が29Pa・sを示し、せん断粘度の対数値の差(TI値)が0.98であった。
実施例1と同様の方法で不純物拡散層形成組成物12のせん断粘度を調べたところ、せん断速度0.01s−1におけるせん断粘度が286Pa.s(25℃)、一方、せん断速度10s−1におけるせん断粘度が29Pa・sを示し、せん断粘度の対数値の差(TI値)が0.98であった。
(線太りの測定)
次に、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物12に代えて、細線の太さを測長したところ、170μmであり、設計値からの線太りは35μm以内であった。
次に、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物12に代えて、細線の太さを測長したところ、170μmであり、設計値からの線太りは35μm以内であった。
(シート抵抗の測定)
別途、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物12に代えて、n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。不純物拡散層形成組成物12を塗布した側の表面のシート抵抗は40Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。裏面のシート抵抗は800Ω/□であった。
別途、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物12に代えて、n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。不純物拡散層形成組成物12を塗布した側の表面のシート抵抗は40Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。裏面のシート抵抗は800Ω/□であった。
[実施例13]
<合成例4>
(ドーパント源化合物5の合成)
トリイソプロピルボレート(東京化成工業製)1.0gをエタノール3gに溶解し、次いでテトラエトキシシラン(和光純薬工業製)1.1gを加えた。これに10%硝酸水溶液を1.0gを加えた。これを、40℃にて還流しながら1時間攪拌後、100℃にて攪拌しながら蒸発乾固した。得られた粉末をメノウ乳鉢で粉砕した。レーザー回折法で測定した平均二次粒子径は6μmであった。
<合成例4>
(ドーパント源化合物5の合成)
トリイソプロピルボレート(東京化成工業製)1.0gをエタノール3gに溶解し、次いでテトラエトキシシラン(和光純薬工業製)1.1gを加えた。これに10%硝酸水溶液を1.0gを加えた。これを、40℃にて還流しながら1時間攪拌後、100℃にて攪拌しながら蒸発乾固した。得られた粉末をメノウ乳鉢で粉砕した。レーザー回折法で測定した平均二次粒子径は6μmであった。
ドーパント源1の代わりにドーパント源化合物5を用いた以外は、実施例1と同様にして、不純物拡散層形成組成物13を調製した。なお、ドーパント源化合物5/ステアリン酸アミド/エチルセルロース/テルピネオール=10/6/2/82(質量比)となるように乳鉢で混合して、不純物拡散層形成組成物13を調製した。
(せん断粘度の測定)
実施例1と同様の方法で不純物拡散層形成組成物13のせん断粘度を調べたところ、せん断速度0.01s−1におけるせん断粘度が260Pa.s(25℃)、一方、せん断速度10s−1におけるせん断粘度が20Pa・sを示し、せん断粘度の対数値の差(TI値)が1.11となり、高いチキソ性が得られた。
実施例1と同様の方法で不純物拡散層形成組成物13のせん断粘度を調べたところ、せん断速度0.01s−1におけるせん断粘度が260Pa.s(25℃)、一方、せん断速度10s−1におけるせん断粘度が20Pa・sを示し、せん断粘度の対数値の差(TI値)が1.11となり、高いチキソ性が得られた。
(線太りの測定)
次に、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物13に代えて、細線の太さを測長したところ、170μmであり、設計値からの線太りは35μm以内であった。
次に、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物13に代えて、細線の太さを測長したところ、170μmであり、設計値からの線太りは35μm以内であった。
(シート抵抗の測定)
別途、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物13に代えて、n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。不純物拡散層形成組成物13を塗布した側の表面のシート抵抗は40Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。裏面のシート抵抗は200Ω/□であった。
別途、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物13に代えて、n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。不純物拡散層形成組成物13を塗布した側の表面のシート抵抗は40Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。裏面のシート抵抗は200Ω/□であった。
<実施例14>
ドーパント源化合物6として酸化ホウ素(和光純薬工業製)をそのまま用いた。ドーパント源化合物1の代わりにドーパント源化合物6を用いた以外は、実施例1と同様にして、不純物拡散層形成組成物14を調製した。ドーパント源化合物6/ステアリン酸アミド/エチルセルロース/テルピネオール/テトラエトキシシラン/アエロジル200=15/6/2/74/2/1(質量比)となるように乳鉢で混合して、不純物拡散層形成組成物14を調製した。
ドーパント源化合物6として酸化ホウ素(和光純薬工業製)をそのまま用いた。ドーパント源化合物1の代わりにドーパント源化合物6を用いた以外は、実施例1と同様にして、不純物拡散層形成組成物14を調製した。ドーパント源化合物6/ステアリン酸アミド/エチルセルロース/テルピネオール/テトラエトキシシラン/アエロジル200=15/6/2/74/2/1(質量比)となるように乳鉢で混合して、不純物拡散層形成組成物14を調製した。
実施例1と同様の方法で不純物拡散層形成組成物14のせん断粘度を調べたところ、せん断速度0.01s−1におけるせん断粘度が385Pa.s(25℃)、一方、せん断速度10s−1におけるせん断粘度が18Pa・sを示し、せん断粘度の対数値の差(TI値)が1.33となり、高いチキソ性が得られた。
(線太りの測定)
次に、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物14に代えて、細線の太さを測長したところ、175μmであり、設計値からの線太りは35μm以内であった。
次に、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物14に代えて、細線の太さを測長したところ、175μmであり、設計値からの線太りは35μm以内であった。
(シート抵抗の測定)
別途、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物14に代えて、n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。不純物拡散層形成組成物14を塗布した側の表面のシート抵抗は45Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。裏面のシート抵抗は150Ω/□であった。
別途、実施例1と同様の方法で、但し不純物拡散層形成組成物14に代えて、n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。不純物拡散層形成組成物14を塗布した側の表面のシート抵抗は45Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。裏面のシート抵抗は150Ω/□であった。
[比較例1]
P2O5−SiO2−CaOガラス(P2O5:50%、SiO2:43%、CaO:7%)粉末10質量%、エチルセルロース6.8質量%、テルピネオール83.2質量%、を混合してペースト化し、脂肪酸アミドを含まない不純物拡散層形成組成物1’を調製した。
P2O5−SiO2−CaOガラス(P2O5:50%、SiO2:43%、CaO:7%)粉末10質量%、エチルセルロース6.8質量%、テルピネオール83.2質量%、を混合してペースト化し、脂肪酸アミドを含まない不純物拡散層形成組成物1’を調製した。
不純物拡散層形成組成物1’について、実施例1と同様にしてせん断粘度を調べたところ、せん断速度0.01s−1におけるせん断粘度が176Pa.s(25℃)、一方、せん断速度10s−1におけるせん断粘度が68Pa・sを示し、せん断粘度の対数値(TI値)の差が0.41となり、十分なチキソ性が得られなかった。
この不純物拡散層形成組成物1’を用いて、実施例1と同様に、スキージ速度とスクレッパ速度をいずれも300mm/secとしたスクリーン印刷を行い、p型シリコンウエハ表面に細線状に塗布したところ、不純物拡散層形成組成物1’が細線状に印刷されず、所々に断線が見られた。
以上の結果を纏めて表2、表3及び表4に示した。なお、表2〜表4中の「−」は未配号又は未評価であることを示す。
以上の結果を纏めて表2、表3及び表4に示した。なお、表2〜表4中の「−」は未配号又は未評価であることを示す。
上記表に示すように、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物と、分散媒、及び脂肪酸アミドと、を含有する不純物拡散層形成組成物を用いることで、細線状のパターンで不純物拡散層形成組成物を半導体基板上に塗布したときに線太りを抑えることが可能であり、更に所望の特定領域に、特定のサイズで不純物拡散層を形成することができる。本発明では、脂肪酸アミドを用いることで、不純物拡散層形成組成物に適度なせん断粘度を付与することができ、良好な印刷性を与えることができ、所望の特定領域に不純物拡散層を形成することができる。
[実施例15]
p型シリコン基板(5cm×5cm)の表面の全面ではなく半面に塗布すること以外は実施例1と同様にn型拡散層形成を行った。
不純物拡散層形成組成物1を塗布した部分の表面のシート抵抗は38Ω/□であり、Pが拡散しn型拡散層が形成されていた。他方、不純物拡散層形成組成物1を塗布しなかった部分の表面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は形成されておらず、n型拡散層形成組成物を塗布した部分に選択的にn型拡散層が形成された。また、裏面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
p型シリコン基板(5cm×5cm)の表面の全面ではなく半面に塗布すること以外は実施例1と同様にn型拡散層形成を行った。
不純物拡散層形成組成物1を塗布した部分の表面のシート抵抗は38Ω/□であり、Pが拡散しn型拡散層が形成されていた。他方、不純物拡散層形成組成物1を塗布しなかった部分の表面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は形成されておらず、n型拡散層形成組成物を塗布した部分に選択的にn型拡散層が形成された。また、裏面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
[実施例16]
実施例15と同様にして、但し不純物拡散層形成組成物1の代わりに実施例10の不純物拡散層形成組成物10を用いてn型拡散層形成を行った。
不純物拡散層形成組成物1を塗布した部分の表面のシート抵抗は45Ω/□であり、Pが拡散しn型拡散層が形成されていた。他方、不純物拡散層形成組成物1を塗布しなかった部分の表面のシート抵抗は450Ω/□であった。
実施例15と同様にして、但し不純物拡散層形成組成物1の代わりに実施例10の不純物拡散層形成組成物10を用いてn型拡散層形成を行った。
不純物拡散層形成組成物1を塗布した部分の表面のシート抵抗は45Ω/□であり、Pが拡散しn型拡散層が形成されていた。他方、不純物拡散層形成組成物1を塗布しなかった部分の表面のシート抵抗は450Ω/□であった。
日本特許出願2012−037385号、日本特許出願2012−107517号及び日本特許出願2012−239146号の開示はその全体が参照により本明細書に取り込まれる。本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書に参照により取り込まれる。
Claims (20)
- ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物と、分散媒と、脂肪酸アミドと、を含有し、前記脂肪酸アミドが、ステアリン酸アミド、N,N’−メチレンビスステアリン酸アミド、及びステアリン酸ジメチルアミノプロピルアミドからなる群より選択される少なくとも1種を含有する不純物拡散層形成組成物。
- 前記脂肪酸アミドの分解温度が、400℃以下である請求項1に記載の不純物拡散層形成組成物。
- 更に無機フィラーを含む請求項1又は請求項2に記載の不純物拡散層形成組成物。
- 前記無機フィラーはフュームドシリカである請求項3に記載の不純物拡散層形成組成物。
- 前記フュームドシリカは表面が疎水化処理されている、請求項4に記載の不純物拡散層形成組成物。
- 前記ドナー元素を含む化合物が、P(リン)を含有する化合物である請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物。
- 前記ドナー元素を含む化合物が、ガラス粒子の形態である請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物。
- 前記ガラス粒子が、P2O3及びP2O5からなる群より選択される1種以上のドナー元素含有物質と、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2及びMoO3からなる群より選択される1種以上のガラス成分物質と、を含有する請求項7に記載の不純物拡散層形成組成物。
- 前記ガラス粒子中のP2O3及びP2O5の含有率が、15質量%以上80質量%以下である請求項8に記載の不純物拡散層形成組成物。
- 前記アクセプタ元素を含む化合物が、B(ホウ素)又はAl(アルミニウム)を含有する請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物。
- 前記アクセプタ元素を含む化合物が、ガラス粒子の形態である請求項10に記載の不純物拡散層形成組成物。
- 前記ガラス粒子が、B2O3及びAl2O3からなる群より選択される1種以上のアクセプタ元素含有物質と、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、MoO3、GeO2、Y2O3、CsO2及びTiO2からなる群より選択される少なくとも1種のガラス成分物質と、を含有する請求項11に記載の不純物拡散層形成組成物。
- 前記ガラス粒子中のB2O3及びAl2O3の含有率が、15質量%以上80質量%以下である請求項12に記載の不純物拡散層形成組成物。
- 前記アクセプタ元素を含む化合物はBN(窒化ホウ素)である請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物。
- 前記ガラス粒子の含有率が、1質量%以上80質量%以下である請求項9〜請求項11、請求項11〜請求項13のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物。
- 前記脂肪酸アミドを1質量%以上30質量%以下含有する請求項1〜請求項15のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物。
- 無機フィラーを含み、前記無機フィラーを0.01質量%以上、20質量%以下含有する請求項3〜請求項5のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物。
- せん断速度が0.01[s−1]のときのせん断粘度(25℃)をη0.01とし、せん断速度が10[s−1]のときのせん断粘度(25℃)をη10としたとき、[log10(η0.01)−log10(η10)]で示されるTI値が0.5〜3.0である請求項1〜請求項17のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物。
- 半導体基板上の全部又は一部に、請求項1〜請求項18のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物を付与して不純物拡散層形成組成物層を形成する工程と、前記不純物拡散層形成組成物層が形成された前記半導体基板に熱処理を施す工程と、を有する不純物拡散層付き半導体基板の製造方法。
- 半導体基板上の全部又は一部に、請求項1〜請求項18のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物を付与して不純物拡散層形成組成物層を形成する工程と、前記不純物拡散層形成組成物層が形成された前記半導体基板に熱処理を施して不純物拡散層を形成する工程と、形成された前記不純物拡散層上に電極を形成する工程と、を有する太陽電池素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014500611A JP5655974B2 (ja) | 2012-02-23 | 2013-01-10 | 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012037385 | 2012-02-23 | ||
JP2012037385 | 2012-02-23 | ||
JP2012107517 | 2012-05-09 | ||
JP2012107517 | 2012-05-09 | ||
JP2012239146 | 2012-10-30 | ||
JP2012239146 | 2012-10-30 | ||
JP2014500611A JP5655974B2 (ja) | 2012-02-23 | 2013-01-10 | 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
PCT/JP2013/050307 WO2013125254A1 (ja) | 2012-02-23 | 2013-01-10 | 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014131799A Division JP2014220511A (ja) | 2012-02-23 | 2014-06-26 | 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5655974B2 true JP5655974B2 (ja) | 2015-01-21 |
JPWO2013125254A1 JPWO2013125254A1 (ja) | 2015-07-30 |
Family
ID=49005448
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014500611A Expired - Fee Related JP5655974B2 (ja) | 2012-02-23 | 2013-01-10 | 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
JP2014131799A Pending JP2014220511A (ja) | 2012-02-23 | 2014-06-26 | 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014131799A Pending JP2014220511A (ja) | 2012-02-23 | 2014-06-26 | 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5655974B2 (ja) |
TW (1) | TW201335119A (ja) |
WO (1) | WO2013125254A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6232993B2 (ja) * | 2013-12-12 | 2017-11-22 | 日立化成株式会社 | 半導体基板の製造方法、半導体基板、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子 |
TW201528531A (zh) * | 2013-12-20 | 2015-07-16 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導體基板的製造方法、半導體基板、太陽電池元件的製造方法及太陽電池元件 |
WO2016121641A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | 東レ株式会社 | 不純物拡散組成物、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池 |
WO2018186295A1 (ja) * | 2017-04-07 | 2018-10-11 | ハリマ化成株式会社 | 無機粒子分散体 |
CN115559000A (zh) * | 2022-09-27 | 2023-01-03 | 北京化学试剂研究所有限责任公司 | 一种硼扩散源组合物、硼扩散源及其制备方法和应用 |
CN115573038A (zh) * | 2022-10-13 | 2023-01-06 | 北京化学试剂研究所有限责任公司 | 一种磷扩散源及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002539615A (ja) * | 1999-03-11 | 2002-11-19 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 半導体にp、p+およびn、n+領域を形成するためのドーパント・ペースト |
JP2010541282A (ja) * | 2007-10-05 | 2010-12-24 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池の製造に用いられるドーパント材料 |
WO2011046176A1 (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-21 | 日立化成工業株式会社 | 導電性接着剤、太陽電池及びその製造方法、並びに太陽電池モジュール |
WO2011090216A1 (ja) * | 2010-01-25 | 2011-07-28 | 日立化成工業株式会社 | n型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 |
WO2011096301A1 (ja) * | 2010-02-03 | 2011-08-11 | 日立化成工業株式会社 | p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010205965A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP6467214B2 (ja) * | 2014-12-16 | 2019-02-06 | 花王株式会社 | パンツ型吸収性物品 |
-
2013
- 2013-01-10 JP JP2014500611A patent/JP5655974B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-01-10 WO PCT/JP2013/050307 patent/WO2013125254A1/ja active Application Filing
- 2013-01-10 TW TW102100928A patent/TW201335119A/zh unknown
-
2014
- 2014-06-26 JP JP2014131799A patent/JP2014220511A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002539615A (ja) * | 1999-03-11 | 2002-11-19 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 半導体にp、p+およびn、n+領域を形成するためのドーパント・ペースト |
JP2010541282A (ja) * | 2007-10-05 | 2010-12-24 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池の製造に用いられるドーパント材料 |
WO2011046176A1 (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-21 | 日立化成工業株式会社 | 導電性接着剤、太陽電池及びその製造方法、並びに太陽電池モジュール |
WO2011090216A1 (ja) * | 2010-01-25 | 2011-07-28 | 日立化成工業株式会社 | n型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 |
WO2011096301A1 (ja) * | 2010-02-03 | 2011-08-11 | 日立化成工業株式会社 | p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201335119A (zh) | 2013-09-01 |
WO2013125254A1 (ja) | 2013-08-29 |
JPWO2013125254A1 (ja) | 2015-07-30 |
JP2014220511A (ja) | 2014-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5655974B2 (ja) | 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 | |
WO2013125252A1 (ja) | 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層付き半導体基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 | |
JP5866840B2 (ja) | p型拡散層形成組成物、p型拡散層形成組成物の製造方法、p型拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池の製造方法 | |
JP2013235942A (ja) | 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池 | |
JP5935255B2 (ja) | インクジェット用不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池の製造方法 | |
JP2016189485A (ja) | n型拡散層形成組成物、n型拡散層を有する半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 | |
JP5339014B1 (ja) | バリア層形成用組成物、太陽電池用基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 | |
KR20140032492A (ko) | n 형 확산층 형성 조성물, n 형 확산층의 제조 방법, 및 태양 전지 소자의 제조 방법 | |
JP2016213229A (ja) | p型拡散層を有するシリコン基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 | |
JP5541138B2 (ja) | p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池セルの製造方法 | |
JP5610100B2 (ja) | n型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 | |
JP5892178B2 (ja) | n型拡散層形成組成物セット、n型拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 | |
JP2013026473A (ja) | 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法および太陽電池 | |
JP5935256B2 (ja) | p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 | |
TWI482302B (zh) | 形成n型擴散層的組成物、n型擴散層的製造方法及太陽電池元件的製造方法 | |
JP2018174276A (ja) | p型拡散層付き半導体基板の製造方法、p型拡散層付き半導体基板、太陽電池素子、及び太陽電池素子の製造方法 | |
JP2017059835A (ja) | 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池 | |
JP5541139B2 (ja) | n型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 | |
WO2018012547A1 (ja) | p型拡散層付き半導体基板の製造方法、p型拡散層付き半導体基板、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池素子 | |
WO2016068315A1 (ja) | n型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141028 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141110 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |