JP2015222836A - インプリント方法およびインプリントモールドの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】メサ構造を有するモールドおよび／または転写基板を用いてパターン構造体を高い精度で形成するためのインプリント方法と、このインプリント方法を用いたインプリントモールドの製造方法を提供する。【解決手段】メサ構造を有するモールドおよび／または転写基板を使用するインプリント方法であり、樹脂供給工程、接触工程、硬化工程、離型工程、エッチング工程と、を有し、樹脂供給工程では、パターン構造体を形成する予定の転写基板のパターン形成領域の外側の領域にも被成形樹脂を供給してバランス層を形成する。【選択図】 図３

Description

本発明は、インプリント方法と、このインプリント方法を用いたインプリントモールドの製造方法に関する。

近年、フォトリソグラフィ技術に代わる微細なパターン形成技術として、インプリント方法を用いたパターン形成技術が注目されている。インプリント方法は、微細な凹凸構造を備えた型部材（モールド）を用い、凹凸構造を被成形樹脂に転写することで微細構造を等倍転写するパターン形成技術である。例えば、被成形樹脂として光硬化性樹脂を用いたインプリント方法では、転写基板の表面に光硬化性樹脂の液滴を供給し、所望の凹凸構造を有するモールドと転写基板とを所定の距離まで近接させて凹凸構造内に光硬化性樹脂を充填し、この状態でモールド側から光を照射して光硬化性樹脂を硬化させ、その後、モールドを樹脂層から引き離すことにより、モールドが備える凹凸が反転した凹凸構造（凹凸パターン）を有するパターン構造体を形成する。さらに、このパターン構造体をエッチングマスクとして転写基板をエッチングするインプリントリソグラフィが行われている。このインプリントリソグラフィでは、転写基板として、ハードマスク用の材料層を表面に備えた転写基板を使用することもある。この場合、インプリント方法によって形成した樹脂層をエッチングマスクとしてハードマスク用の材料層をエッチングしてハードマスクを形成し、このハードマスクをエッチングマスクとして、転写基板のエッチングが行われる。

このようなインプリント方法に使用するモールドは、通常、モールド用の基材に電子線感応型のレジストを塗布し、このレジストに電子線描画を行ってレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをエッチングマスクとして基材をエッチングして凹凸パターンを形成することにより製造される。しかし、電子線描画を用いる電子線リソグラフィは、高価な描画装置を使用し、描画に長時間を要するため、モールドの製造コストが上昇するという問題があった。また、インプリントにおいて、モールドと転写基板との間に異物が混入すると、両者が大きな損傷を受け、損傷を受けたモールドは再使用が困難となるので、電子線リソグラフィで製造した高価なモールドを損失してしまうという問題があった。
そこで、電子線リソグラフィで製造したモールドをマスターモールドとし、このマスターモールドからインプリント方法を用いたインプリントリソグラフィにより、複製モールド（以下、レプリカモールドと記す）を製造することが行われている（特許文献１等）。

特表２０１２−５０４３３６号公報

しかし、レプリカモールド用の転写基板が、パターン構造体が形成される領域が周囲の領域よりも突出した状態であるメサ構造を有し、このメサ構造の表面に凹凸構造が形成される場合、製造されたレプリカモールドにおいて、メサ構造の周辺側に位置する凹凸構造の寸法精度と、それよりも中央部寄りに位置する凹凸構造の寸法精度との間に相違がみられるという問題があった。このような凹凸構造の寸法精度のバラツキは、ハードマスク形成時のエッチング条件、ハードマスクをエッチングマスクとした転写基板のエッチング条件を種々調整しても解消されないものであった。
一方、転写基板のメサ構造表面の使用範囲を中央部寄りに限定することにより、上記のような凹凸構造の寸法精度のバラツキを回避することが考えられる。しかし、メサ構造表面の周辺側の使用を制限し、メサ構造表面の周辺側に凹凸構造を設けないことにより、製造したレプリカモールドは、メサ構造表面の凹凸構造の疎密に大きな差が存在し、高い精度で安定したインプリントが行えないという問題があった。

上記のような問題は、メサ構造を有するモールドを使用して、平坦な転写基板の表面においてモールドのメサ構造部位に対応した領域に凹凸構造が形成される場合にも、同様にみられた。
また、被成形樹脂の硬化物であるパターン構造体には、モールドの凸部と転写基板との間隙に起因した残膜が存在するが、パターン構造体が形成される領域の外縁部においては、被成形樹脂の滲み出しや揮発、インプリント装置の機械的な精度の制約によって、この残膜厚の均一性、再現性が悪いという問題もみられる。このような残膜厚が不均一なパターン構造体を介してハードマスクをエッチングした場合、上記のような周辺側と中央部寄りの寸法精度のバラツキに加えて、更にエッチング精度の低下が生じ、レプリカモールドを高い精度で製造することが難しいという問題があった。
さらに、ウエハの一方の面を多面付けに区画し、このように区画した複数の面付けにモールドを用いたステップ／リピートによりインプリントを行い、被成形樹脂の硬化物であるパターン構造体を形成し、その後、ウエハにエッチング処理を行う場合においても、ウエハ周辺側の面付けにおけるパターン寸法と、それよりも中央寄りの面付けにおけるパターン寸法との間に相違が生じるという問題がみられた。

また、ウエハ上に異物や凸形状の欠陥が存在すると、ウエハに近接したモールドの凹凸構造を破壊することになる。これを避けるためにウエハの欠陥検査を事前に行い、欠陥が検出された区画にはインプリントを行わないようにすることができるが、その場合、インプリントを行わない区画に隣接する区画において、上記のような周辺側と中央部寄りの寸法精度のバラツキにより、形成されるパターン構造体の凹凸構造の寸法精度が低下するという問題があった。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、メサ構造を有するモールドおよび／または転写基板を用いてパターン構造体を高い精度で形成するためのインプリント方法と、このインプリント方法を用いたインプリントモールドの製造方法を提供することを目的とする。

このような目的を達成するために、発明１のインプリント方法は、転写基板の一方の主面に被成形樹脂を供給する樹脂供給工程と、凹凸構造を有するモールドと前記転写基板を近接させて、前記モールドと前記転写基板との間に前記被成形樹脂を展開して被成形樹脂層を形成する接触工程と、前記被成形樹脂層を硬化させて転写樹脂層とする硬化工程と、
前記転写樹脂層と前記モールドを引き離して、前記転写樹脂層であるパターン構造体を前記転写基板上に位置させた状態とする離型工程と、前記パターン構造体をエッチングマスクとして前記転写基板をエッチングするエッチング工程と、有し、前記樹脂供給工程では、前記パターン構造体を形成する予定の転写基板のパターン形成領域の外側の領域にも被成形樹脂を供給してバランス層を形成し、前記エッチング工程では、前樹硬化工程で硬化させた前記バランス層を前記パターン構造体とともにエッチングマスクとして前記転写基板をエッチングするような構成とした。

また、発明２のインプリント方法は、転写基板の一方の主面に被成形樹脂を供給する樹脂供給工程と、凹凸構造を有するモールドと前記転写基板を近接させて、前記モールドと前記転写基板との間に前記被成形樹脂を展開して被成形樹脂層を形成する接触工程と、前記被成形樹脂層を硬化させて転写樹脂層とする硬化工程と、前記転写樹脂層と前記モールドを引き離して、前記転写樹脂層であるパターン構造体を前記転写基板上に位置させた状態とする離型工程と、前記パターン構造体を形成した転写基板のパターン形成領域の外側の領域に被成形樹脂を供給し硬化してバランス層を形成するバランス層形成工程と、前記パターン構造体および前記バランス層をエッチングマスクとして前記転写基板をエッチングするエッチング工程と、を有するような構成とした。

発明３のインプリント方法は、発明１または発明２において、転写基板として一方の主面にハードマスク材料層を有する転写基板を使用し、前記エッチング工程では、前記パターン構造体および前記バランス層をエッチングマスクとして前記ハードマスク材料層をエッチングしてハードマスクを形成し、該ハードマスクをエッチングマスクとして前記転写基板をエッチングするような構成とした。
発明４のインプリント方法は、発明３において、前記パターン形成領域と前記バランス層とが離間する場合、離間距離が３００μｍ以下となるように前記バランス層を形成するような構成とした。
発明５のインプリント方法は、発明３〜発明４のいずれかにおいて、前記パターン形成領域の外縁から前記バランス層の外縁までの最短距離が８００μｍ以上となるように前記バランス層を形成するような構成とした。
発明６のインプリント方法は、発明３〜発明５のいずれかにおいて、パターン形成領域が周囲の領域よりも突出した凸構造部をなすメサ構造の転写基板を使用し、前記凸構造部の外側の前記転写基板に前記バランス層を形成するような構成とした。

発明７のインプリント方法は、発明３〜発明５のいずれかにおいて、凹凸構造を有する領域が周囲の領域よりも突出した凸構造部をなすメサ構造のモールドを使用し、前記転写基板の表面の前記モールドの前記凸構造部に対応する領域の外側に位置するように前記バランス層を形成するような構成とした。
発明８のインプリント方法は、発明３〜発明７のいずれかにおいて、前記パターン形成領域に形成されるパターン構造体の残膜厚が小さい部分の近傍に位置するバランス層から前記パターン形成領域までの距離をＬ１、当該バランス層の外縁から前記パターン形成領域までの距離をＬ２とし、前記パターン形成領域に形成されるパターン構造体の残膜厚が大きい部分の近傍に位置するバランス層から前記パターン形成領域までの距離をＬ１′、当該バランス層の外縁から前記パターン形成領域までの距離をＬ２′としたときに、Ｌ２′＜Ｌ２またはＬ１＜Ｌ１′の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するように前記バランス層を形成するような構成とした。

発明９のインプリント方法は、発明３〜発明７のいずれかにおいて、前記パターン形成領域に形成されるパターン構造体の残膜厚が小さい部分の近傍に位置するバランス層の被覆率が、前記パターン形成領域に形成されるパターン構造体の残膜厚が大きい部分の近傍に位置するバランス層の被覆率よりも大きくなるように前記バランス層を形成するような構成とした。
発明１０のインプリント方法は、発明８または発明９において、前記離型工程後に、前記パターン形成領域に形成されたパターン構造体の残膜厚分布を計測した結果から、前記バランス層を形成する領域を決定するような構成とした。
発明１１のインプリント方法は、発明８または発明９において、複数回の事前のインプリントにて前記パターン形成領域に形成されたパターン構造体の残膜厚分布を予め計測した結果から、前記バランス層を形成する領域を決定するような構成とした。

発明１２のインプリント方法は、発明３〜発明７のいずれかにおいて、複数回の事前のインプリントにて、前記パターン形成領域に形成したパターン構造体をエッチングマスクとして前記ハードマスク材料層をエッチングしてハードマスクを形成し、該ハードマスクをエッチングマスクとして前記転写基板をエッチングして前記パターン形成領域に凹凸構造を形成し、前記パターン形成領域内の外縁部の中で、前記凹凸構造の凸部の幅寸法が前記モールドの該当する凹部の開口寸法よりも小さくなる傾向にある縮小傾向部位、および、前記凹凸構造の凸部の幅寸法が前記モールドの該当する凹部の開口寸法よりも大きくなる傾向にある拡大傾向部位を特定し、前記縮小傾向部位の近傍に位置するバランス層から前記パターン形成領域までの距離Ｌ１、当該バランス層の外縁から前記パターン形成領域までの距離Ｌ２とし、前記拡大傾向部位の近傍に位置するバランス層から前記パターン形成領域までの距離Ｌ１′、当該バランス層の外縁から前記パターン形成領域までの距離Ｌ２′としたときに、Ｌ２′＜Ｌ２またはＬ１＜Ｌ１′の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するように前記バランス層を形成するような構成とした。

発明１３のインプリント方法は、発明３〜発明７のいずれかにおいて、複数回の事前のインプリントにて、前記パターン形成領域に形成したパターン構造体をエッチングマスクとして前記ハードマスク材料層をエッチングしてハードマスクを形成し、該ハードマスクをエッチングマスクとして前記転写基板をエッチングして前記パターン形成領域に凹凸構造を形成し、前記パターン形成領域内の外縁部の中で、前記凹凸構造の凸部の幅寸法が前記モールドの該当する凹部の開口寸法よりも小さくなる傾向にある縮小傾向部位、および、前記凹凸構造の凸部の幅寸法が前記モールドの該当する凹部の開口寸法よりも大きくなる傾向にある拡大傾向部位を特定し、前記縮小傾向部位の近傍に位置するバランス層の被覆率が、前記拡大傾向部位の近傍に位置するバランス層の被覆率よりも大きくなるように、前記バランス層を形成するような構成とした。

発明１４のインプリント方法は、発明３〜発明７のいずれかにおいて、前記モールドが有する前記凹凸構造の凹部の開口の寸法分布を特定し、前記転写基板の前記パターン形成領域内の外縁部のうち、前記モールドの前記凹部の開口寸法が小さい部位に対応する部位の近傍に位置するバランス層から前記パターン形成領域までの距離をＬ１、当該バランス層の外縁から前記パターン形成領域までの距離をＬ２とし、前記転写基板の前記パターン形成領域内の外縁部のうち、前記モールドの前記凹部の開口寸法が大きい部位に対応する部位の近傍に位置するバランス層から前記パターン形成領域までの距離をＬ１′、当該バランス層の外縁から前記パターン形成領域までの距離をＬ２′としたときに、Ｌ２′＜Ｌ２またはＬ１＜Ｌ１′の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するように前記バランス層を形成するような構成とした。

発明１５のインプリント方法は、発明３〜発明７のいずれかにおいて、前記モールドが有する前記凹凸構造の凹部の開口の寸法分布を特定し、前記転写基板の前記パターン形成領域内の外縁部のうち、前記モールドの前記凹部の開口寸法が小さい部位に対応する部位の近傍に位置するバランス層の被覆率が、前記転写基板の前記パターン形成領域内の外縁部のうち、前記モールドの前記凹部の開口寸法が大きい部位に対応する部位の近傍に位置するバランス層の被覆率よりも大きくなるように前記バランス層を形成するような構成とした。
発明１６のインプリント方法は、発明１〜発明２のいずれかにおいて、転写基板としてシリコンウエハを使用し、該シリコンウエハの一方の面にパターン構造体を形成する複数のパターン形成領域を多面付けで設定し、ステップ／リピート方式で複数のパターン形成領域にパターン構造体を形成する段階で、あるいは、ステップ／リピート方式で複数のパターン形成領域にパターン構造体を形成した後に、前記シリコンウエハの複数のパターン形成領域が集合した領域の外側の領域に被成形樹脂を供給してバランス層を形成するような構成とした。

発明１７のインプリント方法は、発明１〜発明２のいずれかにおいて、転写基板として欠陥検査が行われたシリコンウエハを使用し、該シリコンウエハの一方の面にパターン構造体を形成する複数のパターン形成領域を多面付けで設定するとともに、該パターン形成領域の中で所定のサイズの欠陥が存在する欠陥領域は、パターン構造体を形成する領域から除外し、ステップ／リピート方式で複数のパターン形成領域にパターン構造体を形成する段階で、あるいは、ステップ／リピート方式で複数のパターン形成領域にパターン構造体を形成した後に、前記シリコンウエハの複数のパターン形成領域が集合した領域の外側の領域、および、前記欠陥領域に被成形樹脂を供給してバランス層を形成するような構成とした。
発明１８のインプリント方法は、発明１６〜発明１７において、前記パターン形成領域と前記バランス層とが離間する場合、離間距離が３００μｍ以下となるように前記バランス層を形成するような構成とした。
発明１９のインプリント方法は、発明１６〜発明１８のいずれかにおいて、前記パターン形成領域の外縁から前記バランス層の外縁までの最短距離が８００μｍ以上となるように前記バランス層を形成するような構成とした。
発明２０のインプリント方法は、発明１６〜発明１９のいずれかにおいて、パターン形成領域が周囲の領域よりも突出した凸構造部をなすメサ構造の転写基板を使用し、前記凸構造部の外側の前記転写基板に前記バランス層を形成するような構成とした。
発明２１のインプリント方法は、発明１６〜発明１９のいずれかにおいて、凹凸構造を有する領域が周囲の領域よりも突出した凸構造部をなすメサ構造のモールドを使用し、前記転写基板の表面の前記モールドの前記凸構造部に対応する領域の外側に位置するように前記バランス層を形成するような構成とした。

発明２２は、マスターモールドを使用してレプリカモールドを製造するインプリントモールドの製造方法であって、一方の主面にハードマスク材料層を有するレプリカモールド用の転写基板を準備し、所望のマスターモールドを使用し、発明３〜発明１５のいずれかのインプリント方法で、前記転写基板の前記ハードマスク材料層上にパターン構造体およびバランス層を形成する工程、該パターン構造体および該バランス層をエッチングマスクとして前記ハードマスク材料層をエッチングしてハードマスクを形成する工程、該ハードマスクをエッチングマスクとして前記転写基板をエッチングする工程、を有するような構成とした。

本発明によれば、メサ構造を有するモールドおよび／または転写基板を用いて、高い精度でパターン構造体を安定して作製することができ、また、マスターモールドを使用して高精度のレプリカモールドを製造することができるという効果が奏される。

図１は、本発明のインプリント方法、モールドの製造方法の一実施形態を説明するための工程図である。 図２は、本発明のインプリント方法、モールドの製造方法の一実施形態を説明するための工程図である。 図３は、本発明のインプリント方法におけるバランス層形成を説明するための平面図である。 図４は、本発明のインプリント方法、モールドの製造方法の他の実施形態を説明するための工程図である。 図５は、本発明のインプリント方法、モールドの製造方法の他の実施形態を説明するための工程図である。 図６は、本発明のインプリント方法におけるバランス層形成を説明するための平面図である。 図７は、本発明のインプリント方法、モールドの製造方法の他の実施形態を説明するための工程図である。 図８は、本発明のインプリント方法、モールドの製造方法の他の実施形態を説明するための工程図である。 図９は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。 図１０は、図９（Ｄ）に示されるようにバランス層が形成された転写基板の平面図である。 図１１は、図９（Ｅ）に示されるようにバランス層が形成された転写基板の平面図である。 図１２は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。 図１３は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。 図１４は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。 図１５は、図１４（Ａ）に示されるようにバランス層が形成された転写基板の平面図である。 図１６は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。 図１７は、図１６（Ａ）に示されるようにバランス層が形成された転写基板の平面図である。 図１８は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。 図１９は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。 図２０は、図１９（Ｄ）に示されるようにバランス層が形成された転写基板の平面図である。 図２１は、バランス層を構成する被覆率の異なる４種の部位における被覆状態の一例を説明するための図である。 図２２は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。 図２３は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。 図２４は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。 図２５は、図２４（Ａ）に示されるようにバランス層が形成された転写基板の平面図である。 図２６は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。 図２７は、事前のインプリントにおいて、パターン形成領域に凹凸構造が形成された転写基板の平面図である。 図２８は、図２７に示される転写基板のVII−VII線における縦断面図である。 図２９は、本発明のインプリント方法の他の実施形態における液滴供給工程を説明するための図である。 図３０は、図２９に示すようにバランス層が形成された転写基板の平面図である。 図３１は、本発明のインプリント方法の他の実施形態における液滴供給工程を説明するための図である。 図３２は、図３１に示すようにバランス層が形成された転写基板の平面図である。 図３３は、事前のインプリントにおいて、パターン形成領域に凹凸構造が形成された転写基板の平面図である。 図３４は、図３３に示される転写基板のＸ−Ｘ線における縦断面図である。 図３５は、本発明のインプリント方法の他の実施形態における液滴供給工程を説明するための図である。 図３６は、図３５に示すようにバランス層が形成された転写基板の平面図である。 図３７は、インプリントに使用するモールドの凹凸構造が形成されている面の平面図である。 図３８は、図３７に示される転写基板のXII−XII線における縦断面図である。 図３９は、本発明のインプリント方法の他の実施形態における液滴供給工程を説明するための図である。 図４０は、図３９に示すようにバランス層が形成された転写基板の平面図である。 図４１は、本発明のインプリント方法の他の実施形態における液滴供給工程を説明するための図である。 図４２は、図４１に示すようにバランス層が形成された転写基板の平面図である。 図４３は、インプリントに使用するモールドの凹凸構造が形成されている面の平面図である。 図４４は、図４３に示される転写基板のXV−XV線における縦断面図である。 図４５は、本発明のインプリント方法の他の実施形態における液滴供給工程を説明するための図である。 図４６は、図４５に示すようにバランス層が形成された転写基板の平面図である。 図４７は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための平面図である。 図４８は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための平面図である。 図４９は、実施例においてパターン構造体の残膜厚みを測定した箇所、および、バランス層の外形を示す平面図である。 図５０は、実施例においてパターン構造体の残膜厚みを測定した箇所、および、バランス層の外形を示す平面図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
尚、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らず、また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。

（第１の実施形態）
図１および図２は、本発明のインプリント方法の一実施形態を説明するための工程図である。
本実施形態では、パターン構造体が形成される領域が周囲の領域よりも突出した状態であるメサ構造を有する転写基板を使用する。図示例では、転写基板１１は、基部１２の一方の面１２ａに位置する凸構造部１３を有しており、この凸構造部１３の表面１３ａはパターン構造体が形成される領域であり、周囲の領域１２ａよりも突出した状態であるメサ構造となっており、また、面１２ａ、面１３ａを被覆するようにハードマスク材料層１５を備えている（図１（Ａ））。
この転写基板１１の材質は、例えば、石英やソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス等のガラス、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂基板、あるいは、これらの材料の任意の組み合わせからなる複合材料基板であってよい。また、シリコンやニッケル、チタン、アルミニウム等の金属およびこれらの合金、酸化物、窒化物、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。但し、後述する硬化工程において、転写基板１１側から光照射を行う場合、転写基板１１は硬化処理が可能であるような光透過性を具備していることが必要である。このような転写基板１１が有する凸構造部１３は、パターン構造体が形成されるパターン形成領域であり、凸構造部１３の平面視形状、平面視寸法、周囲の領域１２ａからの突出高さは、適宜設定することができる。

ハードマスク材料層１５は、転写基板１１とのエッチング選択性を利用したドライエッチングが可能な金属、金属化合物を用いて、スパッタリング法等の真空成膜法により形成することができる。上記の金属、金属化合物としては、例えば、クロム、タンタル、アルミニウム、モリブデン、チタン、ジルコニウム、タングステン等の金属、これらの金属の合金、酸化クロム、酸化チタン等の金属酸化物、窒化クロム、窒化チタン等の金属窒化物、ガリウム砒素等の金属間化合物等を挙げることができる。このようなハードマスク材料層１５の厚みは、後述するパターン構造体とバランス層を介したハードマスク材料層１５のドライエッチング時のエッチング選択比（ハードマスク材料層のエッチング速度／パターン構造体やバランス層のエッチング速度）、後述するハードマスクを介した転写基板１１のドライエッチング時のエッチング選択比（転写基板のエッチング速度／ハードマスク（ハードマスク材料層１５）のエッチング速度）、パターン構造体の開口面積や開口率によるエッチング速度の相違等を考慮して設定することができ、一概に厚み範囲を設定することはできないが、例えば、１〜１００ｎｍ、好ましくは３〜１５ｎｍの範囲で適宜設定することができる。

本実施形態では、まず、樹脂供給工程にて、転写基板１１の凸構造部１３のハードマスク材料層１５上の所望の領域に、インクジェット方式により、被成形樹脂３１の液滴を吐出して供給し、また、パターン形成領域である凸構造部１３の外側の領域の面１２ａのハードマスク材料層１５上の所望の領域に、インクジェット方式により、バランス層３５を形成する（図１（Ｂ））。転写基板１１の凸構造部１３のハードマスク材料層１５上に供給する被成形樹脂３１の液滴の個数、隣接する液滴の距離は、個々の液滴の滴下量、必要とされる被成形樹脂の総量、後工程である接触工程におけるモールド２１と転写基板１１との間隙等から適宜設定することができる。また、バランス層３５は、基部１２の面１２ａのハードマスク材料層１５上に供給された被成形樹脂３１の液滴が濡れ広がり相互に接触して形成されるものであり、バランス層３５を形成するために供給する被成形樹脂３１の液滴の個数、隣接する液滴の距離は、形成するバランス層３５の平面視形状、平面視寸法、厚みを考慮して適宜設定することができる。バランス層３５の厚みは、例えば、バランス層３５を硬化させた後述のバランス層３７の厚みが、後述する離型工程後に得られるパターン構造体４１の厚みと同等以上となるように設定することができる。尚、バランス層３５は、上記の例では、凸構造部１３上に供給される被成形樹脂３１を用いて形成しているが、被成形樹脂３１と異なる樹脂材料を用いて形成してもよい。

図３は、凸構造部１３の外側の領域の面１２ａに形成したバランス層３５を示す平面図であり、ハードマスク材料層１５は省略している。図示例では、バランス層３５（斜線を付して示している）は、パターン形成領域である凸構造部１３から離間し、凸構造部１３を囲むように、その外側の面１２ａに環状に形成されている。この場合、パターン形成領域である凸構造部１３とバランス層３５との離間距離Ｌ１を３００μｍ以下、パターン形成領域である凸構造部１３の外縁からバランス層３５の外縁までの最短距離Ｌ２を８００μｍ以上とすることができる。上記の離間距離Ｌ１が３００μｍを超えたり、最短距離Ｌ２が８００μｍ未満となると、バランス層の作用が十分に発現されず、後述するハードマスクの開口寸法、および、このハードマスクを介した転写基板１１のエッチングにより形成されるパターン構造体の寸法精度に、凸構造部１３の周辺側と、これより中央寄りとの間で差が生じ易くなり、本発明の効果が奏されないことがあり好ましくない。上記の例では、バランス層３５は、外形が環状の領域に被成形樹脂がすきまなく存在したベタ状態の層であるが、所望の領域に被成形樹脂が海島状に存在するものであってもよい。この場合、バランス層３５における被成形樹脂の被覆率は、ベタ状態の被覆率１００％に対して低いものとなり、この被覆率は適宜設定することができ、例えば、１７％以上で設定することができる。尚、被覆率は、単位面積に占める被成形樹脂の被覆面積の割合である。

尚、パターン形成領域である凸構造部１３とバランス層３５との離間距離Ｌ１がゼロ、すなわち、バランス層３５が凸構造部１３に接触するものであってもよい。
このように樹脂供給工程においてバランス層３５を形成することにより、バランス層３５からの樹脂成分の揮発によって雰囲気中の蒸気圧が高くなり、これにより、パターン形成領域である凸構造部１３に供給された被成形樹脂３１からの樹脂成分の揮発が抑制され、組成変化を抑制することができる。また、バランス層３５の形成が樹脂供給工程と同一工程であるため、後述するエッチング工程前に工程を増やす必要がなく、異物付着等の影響を受け難いプロセスとなる。

次に、接触工程にて、転写基板１１とモールド２１を近接させて、この転写基板１１とモールド２１との間に被成形樹脂３１の液滴を展開して被成形樹脂層３２を形成する（図１（Ｃ））。使用するモールド２１は、図示例では、基材２２と、基材２２の一方の面２２ａに設定された凹凸形成領域Ａに位置する凹凸構造２４を有している。また、モールド２１の基材２２の材質は、インプリントに使用する被成形樹脂が光硬化性である場合には、これらを硬化させるための照射光が透過可能な材料を用いることができ、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。また、使用する被成形樹脂が光硬化性ではない場合や、転写基板１１側から被成形樹脂を硬化させるための光を照射可能である場合には、基材２２は光透過性を具備しなくてもよく、上記の材料以外に、例えば、シリコンやニッケル、チタン、アルミニウム等の金属およびこれらの合金、酸化物、窒化物、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。

次いで、硬化工程にて、被成形樹脂層３２を硬化させて、モールド２１の凹凸構造２４の凹凸が反転した凹凸構造が形成された転写樹脂層３４とするとともに、バランス層３５を硬化させてバランス層３７とする（図１（Ｄ））。この硬化工程では、使用する被成形樹脂が光硬化性樹脂であれば、モールド２１側から光照射を行うことにより被成形樹脂層３２、バランス層３５を硬化させることができる。また、転写基板１１が光透過性の材料からなる場合、転写基板１１側から光照射を行ってもよく、さらに、転写基板１１とモールド２１の両側から光照射を行ってもよい。一方、使用する被成形樹脂が熱硬化性樹脂であれば、被成形樹脂層３２およびバランス層３５に対して加熱処理を施すことにより硬化させることができる。
次に、離型工程にて、転写樹脂層３４とモールド２１を引き離して、転写樹脂層３４であるパターン構造体４１を、転写基板１１の凸構造部１３のハードマスク材料層１５上に位置させた状態とする（図２（Ａ））。
上記のように、本発明のインプリント方法により、転写基板１１の凸構造部１３のハードマスク材料層１５上に形成したパターン構造体４１と、凸構造部１３の外側の面１２ａのハードマスク材料層１５上に形成したバランス層３７をエッチングマスクとして、ハードマスク材料層１５をエッチングしてハードマスク１７を形成する（図２（Ｂ））。このように形成したハードマスク１７は、凸構造部１３上に位置する微細な開口パターンを有するハードマスク１７ａと、凸構造部１３の外側の領域１２ａに位置するバランス用のハードマスク１７ｂからなる。

このようなパターン構造体４１とバランス層３７をエッチングマスクとしたハードマスク材料層１５のエッチングでは、バランス層３７の存在により、パターン構造体４１を介したエッチングが均一に安定して行われる。すなわち、バランス層３７が存在しない場合、レジストパターンの開口面積や開口率が小さくなるほどエッチング速度が低下するというマイクロローディング効果により、パターン構造体４１をエッチングマスクとしたハードマスク材料層１５のエッチング速度が、転写基板１１の基部１２に位置するハードマスク材料層１５のエッチング速度よりも小さくなる。そして、凸構造部１３におけるハードマスク材料層１５のエッチングに対するマイクロローディング効果の影響は、凸構造部１３の周辺側と中央寄りとで異なり、凸構造部１３の周辺側では、その外側の転写基板１１の基部１２に位置するハードマスク材料層１５のエッチングの影響を受けて、マイクロローディング効果が弱いものとなる。このため、凸構造部１３上に形成されたハードマスクにおいて、凸構造部１３の周辺側の寸法と、これよりも中央部寄りでの寸法との間に差が生じることとなる。しかし、上述の本発明のインプリント方法のように、凸構造部１３の外側の面１２ａのハードマスク材料層１５上にバランス層３５を形成し、硬化してバランス層３７を設けることにより、凸構造部１３におけるハードマスク材料層１５のエッチングに対するマイクロローディング効果の影響を、凸構造部１３の全域において、より均一なものとすることができる。したがって、上記のように、パターン構造体４１とバランス層３７をエッチングマスクとしてハードマスク材料層１５をエッチングして凸構造部１３上に形成したハードマスク１７ａは、その寸法精度のバラツキが抑制され、精度の高いものとなる。

次に、このハードマスク１７ａ、および、バランス用のハードマスク１７ｂをエッチングマスクとして転写基板１１をエッチングすることにより、凸構造部１３に凹凸構造１４が形成されたレプリカモールド１を作製する（図２（Ｃ））。
このようなハードマスク１７ａ、および、バランス用のハードマスク１７ｂをエッチングマスクとした転写基板１１のエッチングでは、バランス用のハードマスク１７ｂの存在により、ハードマスク１７ａを介したエッチングが均一に安定して行われる。すなわち、バランス用のハードマスク１７ｂを設けることにより、凸構造部１３のエッチングに対するマイクロローディング効果の影響を、凸構造部１３の全域において、より均一なものとすることができる。したがって、凸構造部１３に形成した凹凸構造１４は、その寸法精度のバラツキが抑制され、高精度のレプリカモールド１を作製することができる。

（第２の実施形態）
図４および図５は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。
本実施形態では、図４（Ａ）に示されるように、メサ構造を有しておらず平板形状であり、一方の主面６１ａにハードマスク材料層６５を有する転写基板６１を使用する。このような転写基板６１の材質は、上述の転写基板１１と同様とすることができる。また、ハードマスク材料層６５は、上述のハードマスク材料層１５と同様とすることができる。
本実施形態で使用するモールドは、凹凸構造を有する領域が周囲の領域よりも突出した状態であるメサ構造を有するモールドであり、図示例では、モールド７１は、基部７２の一方の面７２ａに位置する凸構造部７３を有しており、この凸構造部７３の表面７３ａは凹凸構造７４を有する領域であり、周囲の領域７２ａよりも突出した状態であるメサ構造となっている。このようなモールド７１の材質は、上述のモールド２１と同様とすることができる。

本実施形態では、まず、転写基板６１のハードマスク材料層６５に、パターン構造体を形成するためのパターン形成領域Ａを確定する。このパターン形成領域Ａは、通常、モールド７１の凸構造部７３に対応するものである。そして、樹脂供給工程にて、ハードマスク材料層６５上のパターン形成領域Ａに、インクジェット方式により、被成形樹脂８１の液滴を吐出して供給し、また、パターン形成領域Ａの外側の領域のハードマスク材料層６５上の所望の領域に、インクジェット方式により、バランス層８５を形成する（図４（Ａ））。転写基板６１に供給する被成形樹脂８１の液滴の個数、隣接する液滴の距離は、個々の液滴の滴下量、必要とされる被成形樹脂の総量、後工程である接触工程におけるモールド７１と転写基板６１との間隙等から適宜設定することができる。また、バランス層８５は、パターン形成領域Ａの外側の領域のハードマスク材料層６５上に供給された被成形樹脂８１の液滴が濡れ広がり相互に接触して形成されるものであり、バランス層８５を形成するために供給する被成形樹脂８１の液滴の個数、隣接する液滴の距離は、形成するバランス層８５の平面視形状、平面視寸法、厚みを考慮して適宜設定することができる。バランス層８５の厚みは、例えば、バランス層８５を硬化させた後述するバランス層８７の厚みが、後述する離型工程後に得られるパターン構造体９１の厚みと同等以上となるように設定することができる。尚、バランス層８５は、上記の例では、パターン形成領域Ａに供給される被成形樹脂８１を用いて形成しているが、被成形樹脂８１と異なる樹脂材料を用いて形成してもよい。

図６は、パターン形成領域Ａの外側の領域に形成したバランス層８５を示す平面図であり、ハードマスク材料層６５は省略している。図示例では、バランス層８５（斜線を付して示している）は、パターン形成領域Ａから離間して囲むように、環状に形成されている。この場合、パターン形成領域Ａとバランス層８５との離間距離Ｌ１を３００μｍ以下、パターン形成領域Ａの外縁からバランス層８５の外縁までの最短距離Ｌ２を８００μｍ以上とすることができる。上記の離間距離Ｌ１が３００μｍを超えたり、最短距離Ｌ２が８００μｍ未満となると、バランス層の作用が十分に発現されず、後述するハードマスクの精度、および、このハードマスクを介した転写基板６１のエッチングにより形成される凹凸構造の寸法精度に、パターン形成領域Ａの周辺側と、これより中央寄りとの間で差が生じ易くなり、本発明の効果が奏されないことがあり好ましくない。上記の例では、バランス層８５は、外形が環状の領域に被成形樹脂がすきまなく存在したベタ状態の層であるが、所望の領域に被成形樹脂が海島状に存在するものであってもよい。この場合、バランス層８５における被成形樹脂の被覆率は、ベタ状態の被覆率１００％に対して低いものとなり、この被覆率は適宜設定することができ、例えば、１７％以上で設定することができる。尚、被覆率は、単位面積に占める被成形樹脂の被覆面積の割合である。
尚、パターン形成領域Ａとバランス層８５との離間距離Ｌ１がゼロ、すなわち、バランス層８５がパターン形成領域Ａに接触するものであってもよい。

このように樹脂供給工程においてバランス層８５を形成することにより、バランス層８５からの樹脂成分の揮発によって雰囲気中の蒸気圧が高くなり、これにより、パターン形成領域Ａに供給された被成形樹脂８１からの樹脂成分の揮発が抑制され、組成変化を抑制することができる。また、バランス層８５の形成が樹脂供給工程と同一工程であるため、後述するエッチング工程前に工程を増やす必要がなく、異物付着等の影響を受け難いプロセスとなる。
次に、接触工程にて、転写基板６１とモールド７１を近接させて、転写基板６１とモールド７１との間に被成形樹脂８１の液滴を展開して被成形樹脂層８２を形成する（図４（Ｂ））。

次いで、硬化工程にて、被成形樹脂層８２を硬化させて、モールド７１の凹凸構造７４の凹凸が反転した凹凸構造が形成された転写樹脂層８４とするとともに、バランス層８５を硬化させてバランス層８７とする（図４（Ｃ））。この硬化工程では、使用する被成形樹脂が光硬化性樹脂であれば、モールド７１側から光照射を行うことにより被成形樹脂層８２、バランス層８５を硬化させることができる。また、転写基板６１が光透過性の材料からなる場合、転写基板６１側から光照射を行ってもよく、さらに、転写基板６１とモールド７１の両側から光照射を行ってもよい。一方、使用する被成形樹脂が熱硬化性樹脂であれば、被成形樹脂層８２およびバランス層８５に対して加熱処理を施すことにより硬化させることができる。

次に、離型工程にて、転写樹脂層８４とモールド７１を引き離して、転写樹脂層８４であるパターン構造体９１を転写基板６１のハードマスク材料層６５上に位置させた状態とする（図５（Ａ））。
上記のように、本発明のインプリント方法により、転写基板６１のパターン形成領域Ａのハードマスク材料層６５上に形成したパターン構造体９１と、パターン形成領域Ａの外側のハードマスク材料層６５上に形成したバランス層８７をエッチングマスクとして、ハードマスク材料層６５をエッチングしてハードマスク６７を形成する（図５（Ｂ））。このように形成したハードマスク６７は、パターン形成領域Ａに位置する微細な開口パターンを有するハードマスク６７ａと、パターン形成領域Ａの外側に位置するバランス用のハードマスク６７ｂからなる。
このようなパターン構造体９１とバランス層８７をエッチングマスクとしたハードマスク材料層６５のエッチングでは、上述のように、バランス層８７の存在により、パターン形成領域Ａにおけるハードマスク材料層６５のエッチングに対するマイクロローディング効果の影響を、パターン形成領域Ａの全域において、より均一なものとすることができる。したがって、上記のように、パターン構造体９１とバランス層８７をエッチングマスクとしてハードマスク材料層６５をエッチングしてパターン形成領域Ａに形成したハードマスク６７ａは、その寸法精度のバラツキが抑制される。

次に、このハードマスク６７ａ、および、バランス用のハードマスク６７ｂをエッチングマスクとして転写基板６１をエッチングすることにより、パターン形成領域Ａに凹凸構造６４が形成されたレプリカモールド５１を作製する（図５（Ｃ））。
このようなハードマスク６７ａ、および、バランス用のハードマスク６７ｂをエッチングマスクとした転写基板６１のエッチングでは、バランス用のハードマスク６７ｂの存在により、ハードマスク６７ａを介したエッチングが均一に安定して行われる。すなわち、バランス用のハードマスク６７ｂを設けることにより、転写基板６１のパターン形成領域Ａのエッチングに対するマイクロローディング効果の影響を、パターン形成領域Ａの全域において、より均一なものとすることができる。したがって、パターン形成領域Ａに形成した凹凸構造６４は、その寸法精度のバラツキが抑制され、高精度のレプリカモールド５１を作製することができる。

（第３の実施形態）
図７は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。
本実施形態では、上述の第１の実施形態と同様に、メサ構造を有している転写基板１１を使用する。
本実施形態では、まず、転写基板１１にハードマスク材料層１５を形成し、凸構造部１３のハードマスク材料層１５上の所望の領域に、インクジェット方式により、被成形樹脂３１の液滴を吐出して供給する（図７（Ａ））。転写基板１１に供給する被成形樹脂３１の液滴の個数、隣接する液滴の距離は、上述の第１の実施形態と同様とすることができる。
次に、接触工程にて、転写基板１１とモールド２１を近接させて、この転写基板１１とモールド２１との間に被成形樹脂３１の液滴を展開して被成形樹脂層を形成し、次いで、硬化工程にて、被成形樹脂層を硬化させて、モールド２１の凹凸構造２４の凹凸が反転した凹凸構造が形成された転写樹脂層３４とする（図７（Ｂ））。使用するモールド２１は、基材２２と、基材２２の一方の面２２ａに設定された凹凸形成領域Ａに位置する凹凸構造２４を有している。

次に、離型工程にて、転写樹脂層３４とモールド２１を引き離して、転写樹脂層３４であるパターン構造体４１を、転写基板１１のパターン形成領域である凸構造部１３のハードマスク材料層１５上に位置させた状態とする。その後、バランス層形成工程にて、パターン形成領域である凸構造部１３の外側のハードマスク材料層１５上の所望の領域に、インクジェット方式により、バランス層３５を形成し、これを硬化してバランス層３７とする（図７（Ｃ））。バランス層３５の形成は、上述の第１の実施形態と同様とすることができる。また、バランス層３５の硬化は、使用する被成形樹脂が光硬化性樹脂であれば、直接バランス層３５に光照射を行うことにより硬化させることができる。また、転写基板１１が光透過性の材料からなる場合、転写基板１１側から光照射を行ってもよく、さらに、直接の光照射と、転写基板１１側からの光照射の両方を行ってもよい。一方、使用する被成形樹脂が熱硬化性樹脂であれば、バランス層３５に対して加熱処理を施すことにより硬化させることができる。

このように離型工程後のバランス層形成工程にてバランス層３５を形成するので、被成形樹脂３１と異なる樹脂材料を使用してバランス層３５を形成することができる。この場合、後述するハードマスク１７の形成においてバランス層３７がエッチングマスクとして機能する範囲内でバランス層３５の厚みを薄くすることができ、例えば、低粘度の樹脂材料、被成形樹脂３１よりもエッチング耐性の高い樹脂材料を使用することができる。これにより、ハードマスク形成後のバランス層３７の剥離洗浄を容易なものとすることができる。また、離型工程後にバランス層３５を形成するので、バランス層３５を形成するための樹脂材料の供給は、上述の接触工程におけるモールド２１等との接触防止を考慮する必要がない。このため、パターン形成領域である凸構造部１３とバランス層３５との離間距離Ｌ１、パターン形成領域である凸構造部１３の外縁からバランス層３５の外縁までの最短距離Ｌ２の設定を含めて、モールド２１の形状等を考慮する必要がなく、したがって、種々のモールド形状にも対応することができる。

上記のように、本発明のインプリント方法により、転写基板１１の凸構造部１３のハードマスク材料層１５上に形成したパターン構造体４１と、凸構造部１３の外側の面１２ａのハードマスク材料層１５上に形成したバランス層３７をエッチングマスクとして、ハードマスク材料層１５をエッチングしてハードマスク１７を形成する（図７（Ｄ））。このように形成したハードマスク１７は、凸構造部１３上に位置する微細な開口パターンを有するハードマスク１７ａと、凸構造部１３の外側の表面１２ａに位置するバランス用のハードマスク１７ｂからなる。
このようなパターン構造体４１とバランス層３７をエッチングマスクとしたハードマスク材料層１５のエッチングでは、上述のように、バランス層３７の存在により、パターン形成領域である凸構造部１３におけるハードマスク材料層１５のエッチングに対するマイクロローディング効果の影響を、凸構造部１３の全域において、より均一なものとすることができる。したがって、上記のように、パターン構造体４１とバランス層３７をエッチングマスクとしてハードマスク材料層１５をエッチングしてパターン形成領域である凸構造部１３に形成したハードマスク１７ａは、その寸法精度のバラツキが抑制される。

次に、このハードマスク１７ａ、および、バランス用のハードマスク１７ｂをエッチングマスクとして転写基板１１をエッチングすることにより、凸構造部１３に凹凸構造１４が形成されたレプリカモールド１を作製する（図７（Ｅ））。
このようなハードマスク１７ａ、および、バランス用のハードマスク１７ｂをエッチングマスクとした転写基板１１のエッチングでは、バランス用のハードマスク１７ｂの存在により、ハードマスク１７ａを介したエッチングが均一に安定して行われる。すなわち、バランス用のハードマスク１７ｂを設けることにより、ハードマスク１７ａを介した凸構造部１３のエッチングに対するマイクロローディング効果の影響を、凸構造部１３の全域において、より均一なものとすることができる。したがって、凸構造部１３に形成した凹凸構造１４は、その寸法精度のバラツキが抑制され、高精度のレプリカモールド１を作製することができる。

（第４の実施形態）
図８は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。
本実施形態では、上述の第２の実施形態と同様に、メサ構造を有しているモールド７１を使用する。
本実施形態では、まず、転写基板６１にハードマスク材料層６５を形成し、このハードマスク材料層６５に、パターン構造体を形成するためのパターン形成領域Ａを確定する。このパターン形成領域Ａは、通常、モールド７１の凸構造部７３に対応するものである。そして、樹脂供給工程にて、ハードマスク材料層６５上のパターン形成領域Ａに、インクジェット方式により、被成形樹脂８１の液滴を吐出して供給する（図８（Ａ））。転写基板６１に供給する被成形樹脂８１の液滴の個数、隣接する液滴の距離は、上述の第２の実施形態と同様とすることができる。

次に、接触工程にて、転写基板６１とモールド７１を近接させて、この転写基板６１とモールド７１との間に被成形樹脂８１の液滴を展開して被成形樹脂層を形成し、次いで、硬化工程にて、被成形樹脂層を硬化させて、モールド７１の凹凸構造７４の凹凸が反転した凹凸構造が形成された転写樹脂層８４とする（図８（Ｂ））。
次に、離型工程にて、転写樹脂層８４とモールド７１を引き離して、転写樹脂層８４であるパターン構造体９１を、転写基板６１のパターン形成領域Ａのハードマスク材料層６５上に位置させた状態とする。次いで、バランス層形成工程にて、パターン形成領域Ａの外側のハードマスク材料層６５上の所望の領域に、インクジェット方式により、バランス層８５を形成し、これを硬化してバランス層８７とする（図８（Ｃ））。バランス層８５の形成は、上述の第２の実施形態と同様とすることができる。また、バランス層８５の硬化は、使用する被成形樹脂が光硬化性樹脂であれば、直接バランス層８５に光照射を行うことにより硬化させることができる。また、転写基板６１が光透過性の材料からなる場合、転写基板６１側から光照射を行ってもよく、さらに、直接の光照射と、転写基板６１側からの光照射の両方を行ってもよい。一方、使用する被成形樹脂が熱硬化性樹脂であれば、バランス層８５に対して加熱処理を施すことにより硬化させることができる。

このように離型工程後のバランス層形成工程にてバランス層８５を形成するので、被成形樹脂８１と異なる樹脂材料を使用してバランス層８５を形成することができる。この場合、後述するハードマスク６７の形成においてバランス層８７がエッチングマスクとして機能する範囲内でバランス層８５の厚みを薄くすることができ、例えば、低粘度の樹脂材料、被成形樹脂８１よりもエッチング耐性の高い樹脂材料を使用することができる。これにより、ハードマスク形成後のバランス層８７の剥離洗浄を容易なものとすることができる。また、離型工程後にバランス層８５を形成するので、バランス層８５を形成するための樹脂材料の供給は、上述の接触工程におけるモールド２１等との接触防止を考慮する必要がない。このため、パターン形成領域Ａとバランス層８５との離間距離Ｌ１、パターン形成領域Ａの外縁からバランス層８５の外縁までの最短距離Ｌ２の設定を含めて、モールド２１の形状等を考慮する必要がなく、したがって、種々のモールド形状にも対応することができる。

上記のように、本発明のインプリント方法により、転写基板６１のパターン形成領域Ａのハードマスク材料層６５上に形成したパターン構造体９１と、パターン形成領域Ａの外側のハードマスク材料層６５上に形成したバランス層８７をエッチングマスクとして、ハードマスク材料層６５をエッチングしてハードマスク６７を形成する（図８（Ｄ））。このように形成したハードマスク６７は、パターン形成領域Ａに位置する微細な開口パターンを有するハードマスク６７ａと、パターン形成領域Ａの外側に位置するバランス用のハードマスク６７ｂからなる。
このようなパターン構造体９１とバランス層８７をエッチングマスクとしたハードマスク材料層６５のエッチングでは、上述のように、バランス層８７の存在により、パターン形成領域Ａにおけるハードマスク材料層６５のエッチングに対するマイクロローディング効果の影響を、パターン形成領域Ａの全域において、より均一なものとすることができる。したがって、上記のように、パターン構造体９１とバランス層８７をエッチングマスクとしてハードマスク材料層６５をエッチングしてパターン形成領域Ａに形成したハードマスク６７ａは、その寸法精度のバラツキが抑制される。

次に、このハードマスク６７ａ、および、バランス用のハードマスク６７ｂをエッチングマスクとして転写基板６１をエッチングすることにより、パターン形成領域Ａに凹凸構造６４が形成されたレプリカモールド５１を作製する（図８（Ｅ））。
このようなハードマスク６７ａ、および、バランス用のハードマスク６７ｂをエッチングマスクとした転写基板６１のエッチングでは、バランス用のハードマスク６７ｂの存在により、ハードマスク６７ａを介したエッチングが均一に安定して行われる。すなわち、バランス用のハードマスク６７ｂを設けることにより、転写基板６１のパターン形成領域Ａのエッチングに対するマイクロローディング効果の影響を、パターン形成領域Ａの全域において、より均一なものとすることができる。したがって、パターン形成領域Ａに形成した凹凸構造６４は、その寸法精度のバラツキが抑制され、高精度のレプリカモールド５１を作製することができる。

（第５の実施形態）
図９は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。
本実施形態は、パターン形成領域に形成されるパターン構造体の残膜厚に応じて、形成するバランス層の位置、寸法を調整するものである。ここで、パターン構造体の残膜とは、モールドの凸部と転写基板との間隙に起因して転写樹脂層に生じる部位のことである。以下の説明においても同様である。
本実施形態では、まず、転写基板１１にハードマスク材料層１５を形成し、樹脂供給工程にて、凸構造部１３のハードマスク材料層１５上の所望の領域に、インクジェット方式により、被成形樹脂３１の液滴を吐出して供給する（図９（Ａ））。転写基板１１に供給する被成形樹脂３１の液滴の個数、隣接する液滴の距離は、上述の第１の実施形態と同様とすることができる。

次に、接触工程にて、転写基板１１とモールド２１を近接させて、この転写基板１１とモールド２１との間に被成形樹脂３１の液滴を展開して被成形樹脂層を形成し、次いで、硬化工程にて、被成形樹脂層を硬化させて、モールド２１の凹凸構造２４の凹凸が反転した凹凸構造が形成された転写樹脂層３４とする（図９（Ｂ））。使用するモールド２１は、基材２２と、基材２２の一方の面２２ａに設定された凹凸形成領域Ａに位置する凹凸構造２４を有している。
次に、離型工程にて、転写樹脂層３４とモールド２１を引き離して、転写樹脂層３４であるパターン構造体４１を、転写基板１１のパターン形成領域である凸構造部１３のハードマスク材料層１５上に位置させた状態とする（図９（Ｃ））。

次いで、バランス層形成工程にて、パターン形成領域である凸構造部１３の外側のハードマスク材料層１５上の所望の領域に、インクジェット方式により、バランス層３５を形成し、これを硬化してバランス層３７とする。バランス層３５の形成では、まず、パターン構造体４１の残膜４２の厚み分布を計測する。そして、パターン構造体４１の残膜４２の厚みが小さい部分４２ｔの近傍に位置するバランス層３５からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離をＬ１、このバランス層３５の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離をＬ２とし、パターン構造体４１の残膜４２の厚みが大きい部分４２Ｔの近傍に位置するバランス層３５からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離をＬ１′、このバランス層３５の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離をＬ２′としたときに、Ｌ２′＜Ｌ２またはＬ１＜Ｌ１′の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するようにバランス層３５を形成する。そして、上記の距離Ｌ１、Ｌ１′は３００μｍ以下、距離Ｌ２、Ｌ２′は８００μｍ以上となるように形成することができる。尚、本発明では、パターン構造体の残膜の厚み測定は、分光反射率計（Nanometrics社製 Atlas-M）を用いて行うことができる。

図９（Ｄ）は、Ｌ２′＜Ｌ２の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するようにバランス層３５を形成した場合を示しており、図９（Ｅ）は、Ｌ１＜Ｌ１′の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するようにバランス層３５を形成した場合を示している。また、図１０は、図９（Ｄ）に示されるようにバランス層３５が形成された転写基板１１の平面図であり、図１１は、図９（Ｅ）に示されるようにバランス層３５が形成された転写基板１１の平面図である。尚、図９（Ｄ）は、図１０のＩ−Ｉ線における縦断面に相当し、図９（Ｅ）は、図１１のII−II線における縦断面に相当する。また、図１０、図１１では、ハードマスク材料層１５、パターン構造体４１の凹凸構造は省略している。
この図１０、図１１に示される例では、パターン構造体４１の残膜４２は、厚みが大きい方から順に残膜４２Ｔ、残膜４２Ｔ′、残膜４２ｔ′、残膜４２ｔの４種に区分することができ、各区分はピッチの異なる斜線を付して示している。

図１０では、各残膜４２Ｔ、残膜４２Ｔ′、残膜４２ｔ′、残膜４２ｔの近傍に位置するバランス層３５の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離が、それぞれＬ２′、Ｌ′２′、Ｌ′２、Ｌ２であり、Ｌ２′＜Ｌ′２′＜Ｌ′２＜Ｌ２の関係が成立している。
また、図１１では、各残膜４２Ｔ、残膜４２Ｔ′、残膜４２ｔ′、残膜４２ｔの近傍に位置するバランス層３５からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離が、それぞれＬ１′、Ｌ′１′、Ｌ′１、Ｌ１であり、Ｌ１′＞Ｌ′１′＞Ｌ′１＞Ｌ１の関係が成立している。
バランス層３５の硬化は、使用する被成形樹脂が光硬化性樹脂であれば、直接バランス層３５に光照射を行うことにより硬化させることができる。また、転写基板１１が光透過性の材料からなる場合、転写基板１１側から光照射を行ってもよく、さらに、直接の光照射と、転写基板１１側からの光照射の両方を行ってもよい。一方、使用する被成形樹脂が熱硬化性樹脂であれば、バランス層３５に対して加熱処理を施すことにより硬化させることができる。

上記のように、バランス層３５を硬化してバランス層３７とした後、このバランス層３７と、転写基板１１の凸構造部１３のハードマスク材料層１５上に形成したパターン構造体４１をエッチングマスクとして、ハードマスク材料層１５をエッチングして、凸構造部１３上に位置する微細な開口パターンを有するハードマスク１７ａと、凸構造部１３の外側の表面１２ａに位置するバランス用のハードマスク１７ｂからなるハードマスク１７を形成する（図７（Ｄ）参照）。このようなパターン構造体４１とバランス層３７をエッチングマスクとしたハードマスク材料層１５のエッチングでは、上述のように、バランス層３７の存在により、パターン形成領域である凸構造部１３におけるハードマスク材料層１５のエッチングに対するマイクロローディング効果の影響を、凸構造部１３の全域において、より均一なものとすることができる。さらに、パターン構造体４１の残膜４２の厚みに対応して、バランス層３７の位置、寸法が調整されているので、残膜４２の厚みが不均一であることによるエッチング精度の低下を抑制することができる。したがって、上記のように、パターン構造体４１とバランス層３７をエッチングマスクとしてハードマスク材料層１５をエッチングしてパターン形成領域である凸構造部１３に形成したハードマスク１７ａは、その寸法精度のバラツキが抑制される。

次に、第３の実施形態と同様に、このハードマスク１７ａ、および、バランス用のハードマスク１７ｂをエッチングマスクとして転写基板１１をエッチングすることにより、凸構造部１３に凹凸構造１４が形成されたレプリカモールド１を作製する（図７（Ｅ）参照）。
上述の図９〜図１１に示される実施形態では、離型工程後のバランス層形成工程においてバランス層３５を形成しているが、樹脂供給工程において、バランス層３５の一部を形成してもよい。図１２は、このような実施形態を説明するための工程図である。
図１２に示される実施形態では、樹脂供給工程にて、インクジェット方式により、凸構造部１３のハードマスク材料層１５上の所望の領域に、被成形樹脂３１の液滴を吐出して供給し、また、パターン形成領域である凸構造部１３の外側の領域の面１２ａのハードマスク材料層１５上の所望の領域に、バランス層３５を形成する（図１２（Ａ））。このようなバランス層３５は、例えば、図３に示されるような環状形状で形成することができる。

次に、接触工程にて、転写基板１１とモールド２１を近接させて、この転写基板１１とモールド２１との間に被成形樹脂３１の液滴を展開して被成形樹脂層を形成し、次いで、硬化工程にて、被成形樹脂層を硬化させて、モールド２１の凹凸構造２４の凹凸が反転した凹凸構造が形成された転写樹脂層３４とするとともに、バランス層３５を硬化させてバランス層３７とする（図１２（Ｂ））。使用するモールド２１は、基材２２と、基材２２の一方の面２２ａに設定された凹凸形成領域Ａに位置する凹凸構造２４を有している。
次に、離型工程にて、転写樹脂層３４とモールド２１を引き離して、転写樹脂層３４であるパターン構造体４１を、転写基板１１のパターン形成領域である凸構造部１３のハードマスク材料層１５上に位置させた状態とする（図１２（Ｃ））。
次いで、バランス層形成工程にて、パターン形成領域である凸構造部１３の外側のハードマスク材料層１５上の所望の領域に、インクジェット方式により、追加のバランス層３５を形成し、これを硬化して、最終的なバランス層３７とする（図１２（Ｄ）、図１２（Ｅ））。追加のバランス層３５の形成では、まず、パターン構造体４１の残膜４２の厚み分布を計測する。そして、パターン構造体４１の残膜４２の厚みが小さい部分４２ｔの近傍に位置する最終的なバランス層３７からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離をＬ１、このバランス層３７の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離をＬ２とし、パターン構造体４１の残膜４２の厚みが大きい部分４２Ｔの近傍に位置する最終的なバランス層３７からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離をＬ１′、このバランス層３７の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離をＬ２′としたときに、Ｌ２′＜Ｌ２またはＬ１＜Ｌ１′の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するように、追加のバランス層３５を形成する。そして、最終的なバランス層３７における上記の距離Ｌ１、Ｌ１′は３００μｍ以下、距離Ｌ２、Ｌ２′は８００μｍ以上となるように形成することができる。

図１２（Ｄ）は、Ｌ２′＜Ｌ２の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するように、既に形成されているバランス層３７の外側に追加のバランス層３５を形成した場合を示している。また、図１２（Ｅ）は、Ｌ１＜Ｌ１′の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するように、既に形成されているバランス層３７の内側に追加のバランス層３５を形成した場合を示している。そして、このように形成した最終的なバランス層３７の外観形状は、図１２（Ｄ）に示される例では上述の図１０に示されるバランス層３７と同様となり、図１２（Ｅ）に示される例では上述の図１１に示されるバランス層３７と同様となる。
上記のように、追加のバランス層３５を形成して、最終的なバランス層３７を形成した後は、上述の第３の実施形態と同様にして、凸構造部１３に凹凸構造１４が形成されたレプリカモールド１を作製することができる（図７（Ｄ）、（Ｅ）参照）。
また、本実施形態では、図１３（Ａ）に示されるように、メサ構造を有しておらず平板形状であり、一方の主面６１ａにハードマスク材料層６５を有する転写基板６１を使用することができる。

この実施形態では、まず、転写基板６１にハードマスク材料層６５を形成し、このハードマスク材料層６５に、パターン構造体を形成するためのパターン形成領域Ａを確定する。このパターン形成領域Ａは、通常、モールド７１の凸構造部７３に対応するものである。そして、樹脂供給工程にて、ハードマスク材料層６５上のパターン形成領域Ａに、インクジェット方式により、被成形樹脂８１の液滴を吐出して供給する（図１３（Ａ））。転写基板６１に供給する被成形樹脂８１の液滴の個数、隣接する液滴の距離は、上述の第２の実施形態と同様とすることができる。
次に、接触工程にて、転写基板６１とモールド７１を近接させて、この転写基板６１とモールド７１との間に被成形樹脂８１の液滴を展開して被成形樹脂層を形成し、次いで、硬化工程にて、被成形樹脂層を硬化させて、モールド７１の凹凸構造７４の凹凸が反転した凹凸構造が形成された転写樹脂層８４とする（図１３（Ｂ））。
次に、離型工程にて、転写樹脂層８４とモールド７１を引き離して、転写樹脂層８４であるパターン構造体９１を、転写基板６１のパターン形成領域Ａのハードマスク材料層６５上に位置させた状態とする（図１３（Ｃ））。

次いで、バランス層形成工程にて、転写基板６１のパターン形成領域Ａの外側のハードマスク材料層６５上の所望の領域に、インクジェット方式により、バランス層８５を形成し、これを硬化してバランス層８７とする（図１３（Ｄ）、図１３（Ｅ））。バランス層８５の形成では、まず、パターン構造体９１の残膜９２の厚み分布を計測する。そして、パターン構造体９１の残膜９２の厚みが小さい部分９２ｔの近傍に位置するバランス層８５からパターン形成領域Ａまでの距離をＬ１、このバランス層８５の外縁からパターン形成領域Ａまでの距離をＬ２とし、パターン構造体９１の残膜９２の厚みが大きい部分９２Ｔの近傍に位置するバランス層８５からパターン形成領域Ａまでの距離をＬ１′、このバランス層８５の外縁からパターン形成領域Ａまでの距離をＬ２′としたときに、Ｌ２′＜Ｌ２またはＬ１＜Ｌ１′の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するようにバランス層３５を形成する。上記の距離Ｌ１、Ｌ１′は３００μｍ以下、距離Ｌ２、Ｌ２′は８００μｍ以上となるように形成することができる。

図１３（Ｄ）は、Ｌ２′＜Ｌ２の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するようにバランス層８５を形成した場合を示しており、図１３（Ｅ）は、Ｌ１＜Ｌ１′の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するようにバランス層８５を形成した場合を示している。そして、このように形成したバランス層８５の外観形状は、上記のように、パターン構造体９１の残膜９２の厚み分布により決定されるものであるが、例えば、図１３（Ｄ）に示される例では上述の図１０に示されるバランス層３７のような外観形状となり、図１３（Ｅ）に示される例では上述の図１１に示されるバランス層３７となる場合がある。
上記のようにバランス層８５を形成し、これを硬化してバランス層８７とした後は、上述の第４の実施形態と同様にして、パターン形成領域Ａに凹凸構造６４が形成されたレプリカモールド５１を作製することができる（図８（Ｄ）、（Ｅ）参照）。

（第６の実施形態）
図１４は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。
本実施形態は、複数回の事前のインプリントにおいて、パターン形成領域に形成されるパターン構造体の残膜厚分布を計測し、この結果に基づいて、形成するバランス層の位置、寸法を調整するものである。
本実施形態では、まず、転写基板１１にハードマスク材料層１５を形成し、樹脂供給工程にて、凸構造部１３のハードマスク材料層１５上の所望の領域に、インクジェット方式により、被成形樹脂３１の液滴を吐出して供給し、また、パターン形成領域である凸構造部１３の外側の領域の面１２ａのハードマスク材料層１５上の所望の領域に、バランス層３５を形成する（図１４（Ａ））。このバランス層３５は、複数回の事前のインプリントにおいてパターン形成領域に形成されるパターン構造体の残膜厚分布を計測し、その結果に基づいて形成される。すなわち、計測された残膜厚分布から決定されたパターン構造体４１の残膜厚に基づいて、パターン構造体４１の残膜４２の厚みが小さい部分４２ｔの近傍に位置するバランス層３５からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離をＬ１、このバランス層３５の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離をＬ２とし、パターン構造体４１の残膜４２の厚みが大きい部分４２Ｔの近傍に位置するバランス層３５からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離をＬ１′、このバランス層３５の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離をＬ２′としたときに、Ｌ２′＜Ｌ２の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するようにバランス層３５を形成する。また、上記の距離Ｌ１、Ｌ１′は３００μｍ以下、距離Ｌ２、Ｌ２′は８００μｍ以上となるように形成することができる。

図１５は、図１４（Ａ）に示されるようにバランス層３５が形成された転写基板１１の平面図である。尚、図１４（Ａ）は、図１５のIII−III線における縦断面に相当し、図１５では、ハードマスク材料層１５、被成形樹脂３１を省略している。図１５に示される例では、複数回の事前のインプリントから決定されたパターン構造体４１の残膜４２が、厚みが大きい方から順に残膜４２Ｔ、残膜４２Ｔ′、残膜４２ｔ′、残膜４２ｔの４種に区分されていることを示している。尚、４種の各区分は、ピッチの異なる斜鎖線を付して示している。そして、図１５では、各残膜４２Ｔ、残膜４２Ｔ′、残膜４２ｔ′、残膜４２ｔの近傍に位置するバランス層３５の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離が、それぞれＬ２′、Ｌ′２′、Ｌ′２、Ｌ２であり、Ｌ２′＜Ｌ′２′＜Ｌ′２＜Ｌ２の関係が成立している。

次に、接触工程にて、転写基板１１とモールド２１を近接させて、この転写基板１１とモールド２１との間に被成形樹脂３１の液滴を展開して被成形樹脂層を形成し、次いで、硬化工程にて、被成形樹脂層を硬化させて、モールド２１の凹凸構造２４の凹凸が反転した凹凸構造が形成された転写樹脂層３４とするとともに、バランス層３５を硬化させてバランス層３７とする（図１４（Ｂ））。

次に、離型工程にて、転写樹脂層３４とモールド２１を引き離して、転写樹脂層３４であるパターン構造体４１を、転写基板１１のパターン形成領域である凸構造部１３のハードマスク材料層１５上に位置させた状態とする（図１４（Ｃ））。
上記のようにパターン構造体４１を形成し、また、パターン形成領域である凸構造部１３の外側の領域の面１２ａのハードマスク材料層１５上にバランス層３７を形成した後は、上述の第１の実施形態と同様にして、凸構造部１３に凹凸構造１４が形成されたレプリカモールド１を作製することができる（図２（Ｂ）、（Ｃ）参照）。
図１６に示すインプリント方法の工程図は、図１４に示すインプリント方法と同様に、複数回の事前のインプリントにおいて、パターン形成領域に形成されるパターン構造体の残膜厚分布を計測し、この結果に基づいて、形成するバランス層の位置、寸法を調整する実施形態である。

この実施形態においても、まず、転写基板１１にハードマスク材料層１５を形成し、樹脂供給工程にて、凸構造部１３のハードマスク材料層１５上の所望の領域に、インクジェット方式により、被成形樹脂３１の液滴を吐出して供給し、また、パターン形成領域である凸構造部１３の外側の領域の面１２ａのハードマスク材料層１５上の所望の領域に、バランス層３５を形成する（図１６（Ａ））。このバランス層３５は、計測された残膜厚分布から決定されたパターン構造体４１の残膜厚に基づいて、パターン構造体４１の残膜４２の厚みが小さい部分４２ｔの近傍に位置するバランス層３５からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離をＬ１、このバランス層３５の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離をＬ２とし、パターン構造体４１の残膜４２の厚みが大きい部分４２Ｔの近傍に位置するバランス層３５からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離をＬ１′、このバランス層３５の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離をＬ２′としたときに、Ｌ１＜Ｌ１′の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するようにバランス層３５を形成する。また、上記の距離Ｌ１、Ｌ１′は３００μｍ以下、距離Ｌ２、Ｌ２′は８００μｍ以上となるように形成することができる。

図１７は、図１６（Ａ）に示されるようにバランス層３５が形成された転写基板１１の平面図である。尚、図１６（Ａ）は、図１７のIV−IV線における縦断面に相当し、図１７では、ハードマスク材料層１５、被成形樹脂３１を省略している。図１７に示される例では、複数回の事前のインプリントから決定されたパターン構造体４１の残膜４２は、厚みが大きい方から順に残膜４２Ｔ、残膜４２Ｔ′、残膜４２ｔ′、残膜４２ｔの４種に区分されていることを示している。尚、４種の各区分は、ピッチの異なる斜鎖線を付して示している。そして、図１７では、各残膜４２Ｔ、残膜４２Ｔ′、残膜４２ｔ′、残膜４２ｔの近傍に位置するバランス層３５からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離が、それぞれＬ１′、Ｌ′１′、Ｌ′１、Ｌ１であり、Ｌ１′＞Ｌ′１′＞Ｌ′１＞Ｌ１の関係が成立している。
次に、接触工程にて、転写基板１１とモールド２１を近接させて、この転写基板１１とモールド２１との間に被成形樹脂３１の液滴を展開して被成形樹脂層を形成し、次いで、硬化工程にて、被成形樹脂層を硬化させて、モールド２１の凹凸構造２４の凹凸が反転した凹凸構造が形成された転写樹脂層３４とするとともに、バランス層３５を硬化させてバランス層３７とする（図１６（Ｂ））。

次に、離型工程にて、転写樹脂層３４とモールド２１を引き離して、転写樹脂層３４であるパターン構造体４１を、転写基板１１のパターン形成領域である凸構造部１３のハードマスク材料層１５上に位置させた状態とする（図１６（Ｃ））。
上記のようにパターン構造体４１を形成し、また、パターン形成領域である凸構造部１３の外側の領域の面１２ａのハードマスク材料層１５上にバランス層３７を形成した後は、上述の第１の実施形態と同様にして、凸構造部１３に凹凸構造１４が形成されたレプリカモールド１を作製することができる（図２（Ｂ）、（Ｃ）参照）。
また、本実施形態では、図１８（Ａ）に示されるように、メサ構造を有しておらず平板形状であり、一方の主面６１ａにハードマスク材料層６５を有する転写基板６１を使用することができる。

この実施形態では、まず、転写基板６１にハードマスク材料層６５を形成し、このハードマスク材料層６５に、パターン構造体を形成するためのパターン形成領域Ａを確定する。このパターン形成領域Ａは、通常、モールド７１の凸構造部７３に対応するものである。そして、樹脂供給工程にて、ハードマスク材料層６５上のパターン形成領域Ａに、インクジェット方式により、被成形樹脂８１の液滴を吐出して供給し、また、パターン形成領域Ａの外側の領域のハードマスク材料層６５上の所望の領域に、バランス層８５を形成する（図１８（Ａ））。このバランス層８５は、複数回の事前のインプリントにおいてパターン形成領域に形成されるパターン構造体の残膜厚分布を計測し、その結果に基づいて形成される。すなわち、計測された残膜厚分布から決定されたパターン構造体９１の残膜厚に基づいて、パターン構造体９１の残膜９２の厚みが小さい部分９２ｔの近傍に位置するバランス層８５からパターン形成領域Ａまでの距離をＬ１、このバランス層８５の外縁からパターン形成領域Ａまでの距離をＬ２とし、パターン構造体９１の残膜９２の厚みが大きい部分９２Ｔの近傍に位置するバランス層８５からパターン形成領域Ａまでの距離をＬ１′、このバランス層８５の外縁からパターン形成領域Ａまでの距離をＬ２′としたときに、Ｌ２′＜Ｌ２またはＬ１＜Ｌ１′の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するようにバランス層８５を形成する。また、上記の距離Ｌ１、Ｌ１′は３００μｍ以下、距離Ｌ２、Ｌ２′は８００μｍ以上となるように形成することができる。図１８（Ａ）では、Ｌ２′＜Ｌ２の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立している状態を示している。

次に、接触工程にて、転写基板６１とモールド７１を近接させて、この転写基板６１とモールド７１との間に被成形樹脂８１の液滴を展開して被成形樹脂層を形成し、次いで、硬化工程にて、被成形樹脂層を硬化させて、モールド７１の凹凸構造７４の凹凸が反転した凹凸構造が形成された転写樹脂層８４とし、また、バランス層８５を硬化させてバランス層８７とする（図１８（Ｂ））。
次に、離型工程にて、転写樹脂層８４とモールド７１を引き離して、転写樹脂層８４であるパターン構造体９１を、転写基板６１のパターン形成領域Ａのハードマスク材料層６５上に位置させた状態とする（図１８（Ｃ））。
上記のようにパターン構造体９１を形成し、また、パターン形成領域Ａの外側の領域のハードマスク材料層６５上にバランス層８７を形成した後は、上述の第２の実施形態と同様にして、パターン形成領域Ａに凹凸構造６４が形成されたレプリカモールド５１を作製することができる（図５（Ｂ）、（Ｃ）参照）。

（第７の実施形態）
図１９は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。
本実施形態は、パターン形成領域に形成されるパターン構造体の残膜厚に応じて、バランス層の被覆率を調整するものである。尚、バランス層の被覆率は、上述のように、バランス層の単位面積に占める被成形樹脂の被覆面積の割合である。
本実施形態では、まず、転写基板１１にハードマスク材料層１５を形成し、樹脂供給工程にて、凸構造部１３のハードマスク材料層１５上の所望の領域に、インクジェット方式により、被成形樹脂３１の液滴を吐出して供給する（図１９（Ａ））。転写基板１１に供給する被成形樹脂３１の液滴の個数、隣接する液滴の距離は、上述の第１の実施形態と同様とすることができる。
次に、接触工程にて、転写基板１１とモールド２１を近接させて、この転写基板１１とモールド２１との間に被成形樹脂３１の液滴を展開して被成形樹脂層を形成し、次いで、硬化工程にて、被成形樹脂層を硬化させて、モールド２１の凹凸構造２４の凹凸が反転した凹凸構造が形成された転写樹脂層３４とする（図１９（Ｂ））。使用するモールド２１は、基材２２と、基材２２の一方の面２２ａに設定された凹凸形成領域Ａに位置する凹凸構造２４を有している。

次に、離型工程にて、転写樹脂層３４とモールド２１を引き離して、転写樹脂層３４であるパターン構造体４１を、転写基板１１のパターン形成領域である凸構造部１３のハードマスク材料層１５上に位置させた状態とする（図１９（Ｃ））。
次いで、バランス層形成工程にて、パターン形成領域である凸構造部１３の外側のハードマスク材料層１５上の所望の領域に、インクジェット方式により、バランス層３５を形成し、これを硬化してバランス層３７とする（図１９（Ｄ））。バランス層３５の形成では、まず、パターン構造体４１の残膜４２の厚み分布を計測する。そして、パターン構造体４１の残膜４２の厚みが小さい部分４２ｔの近傍に位置するバランス層３５の被覆率が、パターン構造体４１の残膜４２の厚みが大きい部分４２Ｔの近傍に位置するバランス層３５の被覆率よりも大きくなるようにバランス層３５を形成する。また、パターン形成領域である凸構造部１３とバランス層３５との離間距離が３００μｍ以下、パターン形成領域である凸構造部１３の外縁からバランス層３５の外縁までの最短距離が８００μｍ以上となるように形成することができる。
図２０は、図１９（Ｄ）に示されるようにバランス層３５が形成された転写基板１１の平面図であり、図１９（Ｄ）は、図２０のＶ−Ｖ線における縦断面に相当する。また、図２０では、ハードマスク材料層１５、パターン構造体４１の凹凸構造は省略している。

この図２０に示される例では、パターン構造体４１の残膜４２は、厚みが大きい方から順に残膜４２Ｔ、残膜４２Ｔ′、残膜４２ｔ′、残膜４２ｔの４種に区分されており、各区分はピッチの異なる斜線を付して示している。パターン形成領域である凸構造部１３の外側のハードマスク材料層１５上に形成されたバランス層３７の外観形状は、凸構造部１３の周囲を囲むような環状となっている。このように各残膜４２Ｔ、残膜４２Ｔ′、残膜４２ｔ′、残膜４２ｔの近傍に位置するバランス層３７は、図２０に示されるように、被覆率の異なる４種の部位３７ｄ、３７ｄ′、３７Ｄ′、３７Ｄで構成されており、各部位の被覆率には３７ｄ＜３７ｄ′＜３７Ｄ′＜３７Ｄの関係が成立している。すなわち、パターン構造体４１の残膜厚みが薄く（４２Ｔ＞４２Ｔ′＞４２ｔ′＞４２ｔ）なるに従って、近傍に位置するバランス層３７による被覆率が高く（３７ｄ＜３７ｄ′＜３７Ｄ′＜３７Ｄ）なっている。尚、バランス層３７の被覆率の異なる各部位にはピッチの異なる斜線を付して示している。

図２１は、バランス層３７を構成する被覆率の異なる４種の部位３７ｄ、３７ｄ′、３７Ｄ′、３７Ｄにおける被覆状態の一例を説明するための図である。図２１では、バランス層３５を形成するために供給された被成形樹脂の１個の液滴を１個の円形状として示している。図２１に示される例では、最も被覆率の高い部位３７Ｄが１００％（ベタ状態）の被覆率であり（図２１（Ａ））、部位３７Ｄ′、３７ｄ′、３７ｄでは被成形樹脂が海島状に存在し、部位３７Ｄ′の被覆率が約８５％（図２１（Ｂ））、部位３７ｄ′の被覆率が３８％（図２１（Ｃ））、最も被覆率の低い部位３７ｄの被覆率が１７％（図２１（Ｄ））となっている。図２１では、供給された被成形樹脂の液滴を便宜的に円形状で示しているが、例えば、図２１（Ａ）、図２１（Ｂ）に示すように、供給された被成形樹脂の液滴同士がつながる場合、液滴が変形するので、供給時の被覆率よりも増大する。これに対して、図２１（Ｃ）、図２１（Ｄ）に示すように、供給された被成形樹脂の液滴が相互に独立している場合、液滴は変形しないので、供給時の被覆率が維持される。

上記のように、バランス層３５を硬化してバランス層３７とした後、このバランス層３７と、転写基板１１の凸構造部１３のハードマスク材料層１５上に形成したパターン構造体４１をエッチングマスクとして、ハードマスク材料層１５をエッチングして、凸構造部１３上に位置する微細な開口パターンを有するハードマスク１７ａと、凸構造部１３の外側の表面１２ａに位置するバランス用のハードマスク１７ｂからなるハードマスク１７を形成する（図７（Ｄ）参照）。このようなパターン構造体４１とバランス層３７をエッチングマスクとしたハードマスク材料層１５のエッチングでは、上述のように、バランス層３７の存在により、パターン形成領域である凸構造部１３におけるハードマスク材料層１５のエッチングに対するマイクロローディング効果の影響を、凸構造部１３の全域において、より均一なものとすることができる。さらに、パターン構造体４１の残膜４２の厚みに対応して、バランス層３７による被覆率が調整されているので、残膜４２の厚みが不均一であることによるエッチング精度の低下を抑制することができる。したがって、上記のように、パターン構造体４１とバランス層３７をエッチングマスクとしてハードマスク材料層１５をエッチングしてパターン形成領域である凸構造部１３に形成したハードマスク１７ａは、その寸法精度のバラツキが抑制される。
次に、このハードマスク１７ａ、および、バランス用のハードマスク１７ｂをエッチングマスクとして転写基板１１をエッチングすることにより、上述の第３の実施形態と同様に、凸構造部１３に凹凸構造１４が形成されたレプリカモールド１を作製することができる（図７（Ｅ）参照）。

上述の図１９〜図２１に示される実施形態では、離型工程後のバランス層形成工程においてバランス層３５を形成しているが、樹脂供給工程において、バランス層３５の一部を形成してもよい。図２２は、このような実施形態を説明するための工程図である。
図２２に示される実施形態では、樹脂供給工程にて、インクジェット方式により、凸構造部１３のハードマスク材料層１５上の所望の領域に、被成形樹脂３１の液滴を吐出して供給し、また、パターン形成領域である凸構造部１３の外側の領域の面１２ａのハードマスク材料層１５上の所望の領域に、バランス層３５を形成する（図２２（Ａ））。このバランス層３５は、バランス層としての機能発現が可能な範囲で低い被覆率となるように形成することができる。例えば、図２１（Ｄ）に示されるような被覆率が１７％の状態でバランス層３５を形成することができる。
次に、接触工程にて、転写基板１１とモールド２１を近接させて、この転写基板１１とモールド２１との間に被成形樹脂３１の液滴を展開して被成形樹脂層を形成し、次いで、硬化工程にて、被成形樹脂層を硬化させて、モールド２１の凹凸構造２４の凹凸が反転した凹凸構造が形成された転写樹脂層３４とするとともに、バランス層３５を硬化させてバランス層３７とする（図２２（Ｂ））。使用するモールド２１は、基材２２と、基材２２の一方の面２２ａに設定された凹凸形成領域Ａに位置する凹凸構造２４を有している。
次に、離型工程にて、転写樹脂層３４とモールド２１を引き離して、転写樹脂層３４であるパターン構造体４１を、転写基板１１のパターン形成領域である凸構造部１３のハードマスク材料層１５上に位置させた状態とする（図２２（Ｃ））。

次いで、バランス層形成工程にて、パターン形成領域である凸構造部１３の外側のハードマスク材料層１５上の所望の領域に、インクジェット方式により、追加のバランス層３５を形成し、これを硬化して、最終的なバランス層３７とする。追加のバランス層３５の形成では、まず、パターン構造体４１の残膜４２の厚み分布を計測する。そして、パターン構造体４１の残膜４２の厚みが小さい部分４２ｔの近傍に位置する最終的なバランス層３７の被覆率が、パターン構造体４１の残膜４２の厚みが大きい部分４２Ｔの近傍に位置する最終的なバランス層３７の被覆率よりも大きくなるように、追加のバランス層３５を形成する。例えば、最初に形成されたバランス層３５による被覆率が１７％であり、最終的なバランス層３７による被覆率が、図２０に示されるような場合、バランス層の部位３７ｄ′、部位３７Ｄ′、部位３７Ｄの被覆率が３８％、約８５％、１００％となるように、被成形樹脂を供給することができる。また、パターン形成領域である凸構造部１３と最終的なバランス層３７との離間距離が３００μｍ以下、パターン形成領域である凸構造部１３の外縁から最終的なバランス層３７の外縁までの最短距離が８００μｍ以上となるように形成することができる。

上記のように、追加のバランス層３５を形成して、最終的なバランス層３７を形成した後は、上述の第３の実施形態と同様にして、凸構造部１３に凹凸構造１４が形成されたレプリカモールド１を作製することができる（図７（Ｄ）、（Ｅ）参照）。
また、本実施形態では、図２３（Ａ）に示されるように、メサ構造を有しておらず平板形状であり、一方の主面６１ａにハードマスク材料層６５を有する転写基板６１を使用することができる。
この実施形態では、まず、転写基板６１にハードマスク材料層６５を形成し、このハードマスク材料層６５に、パターン構造体を形成するためのパターン形成領域Ａを確定する。このパターン形成領域Ａは、通常、モールド７１の凸構造部７３に対応するものである。そして、樹脂供給工程にて、ハードマスク材料層６５上のパターン形成領域Ａに、インクジェット方式により、被成形樹脂８１の液滴を吐出して供給する（図２３（Ａ））。転写基板６１に供給する被成形樹脂８１の液滴の個数、隣接する液滴の距離は、上述の第２の実施形態と同様とすることができる。

次に、接触工程にて、転写基板６１とモールド７１を近接させて、この転写基板６１とモールド７１との間に被成形樹脂８１の液滴を展開して被成形樹脂層を形成し、次いで、硬化工程にて、被成形樹脂層を硬化させて、モールド７１の凹凸構造７４の凹凸が反転した凹凸構造が形成された転写樹脂層８４とする（図２３（Ｂ））。
次に、離型工程にて、転写樹脂層８４とモールド７１を引き離して、転写樹脂層８４であるパターン構造体９１を、転写基板６１のパターン形成領域Ａのハードマスク材料層６５上に位置させた状態とする（図２３（Ｃ））。

次いで、バランス層形成工程にて、転写基板６１のパターン形成領域Ａの外側のハードマスク材料層６５上の所望の領域に、インクジェット方式により、バランス層８５を形成し、これを硬化してバランス層８７とする（図２３（Ｄ））。バランス層８５の形成では、まず、パターン構造体９１の残膜９２の厚み分布を計測する。そして、パターン構造体９１の残膜９２の厚みが小さい部分９２ｔの近傍に位置するバランス層８７の被覆率が、パターン構造体９１の残膜９２の厚みが大きい部分９２Ｔの近傍に位置するバランス層８７の被覆率よりも大きくなるように、バランス層８５を形成する。また、パターン形成領域Ａとバランス層８７との離間距離が３００μｍ以下、パターン形成領域Ａの外縁からバランス層８７の外縁までの最短距離が８００μｍ以上となるように形成することができる。
上記のようにバランス層８５を形成し、これを硬化してバランス層８７とした後は、上述の第４の実施形態と同様にして、パターン形成領域Ａに凹凸構造６４が形成されたレプリカモールド５１を作製することができる（図８（Ｄ）、（Ｅ）参照）。

（第８の実施形態）
図２４は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。
本実施形態は、複数回の事前のインプリントにおいて、パターン形成領域に形成されるパターン構造体の残膜厚分布を計測し、この結果に基づいて、バランス層の被覆率を調整するものである。
本実施形態では、まず、転写基板１１にハードマスク材料層１５を形成し、樹脂供給工程にて、凸構造部１３のハードマスク材料層１５上の所望の領域に、インクジェット方式により、被成形樹脂３１の液滴を吐出して供給し、また、パターン形成領域である凸構造部１３の外側の領域の面１２ａのハードマスク材料層１５上の所望の領域に、バランス層３５を形成する（図２４（Ａ））。このバランス層３５は、複数回の事前のインプリントにおいてパターン形成領域に形成されるパターン構造体の残膜厚分布を計測し、その結果に基づいて形成される。すなわち、計測された残膜厚分布から決定されたパターン構造体４１の残膜厚に基づいて、パターン構造体４１の残膜４２の厚みが小さい部分４２ｔの近傍に位置するバランス層３５の被覆率が、パターン構造体４１の残膜４２の厚みが大きい部分４２Ｔの近傍に位置するバランス層３５の被覆率よりも大きくなるようにバランス層３５を形成する。また、パターン形成領域である凸構造部１３とバランス層３７との離間距離が３００μｍ以下、パターン形成領域である凸構造部１３の外縁からバランス層３７の外縁までの最短距離が８００μｍ以上となるように形成することができる。

図２５は、図２４（Ａ）に示されるようにバランス層３５が形成された転写基板１１の平面図であり、図２４（Ａ）は、図２５のVI−VI線における縦断面に相当する。また、図２５では、ハードマスク材料層１５、被成形樹脂３１を省略している。
この図２５に示される例では、複数回の事前のインプリントから決定されたパターン構造体４１の残膜４２が、厚みが大きい方から順に残膜４２Ｔ、残膜４２Ｔ′、残膜４２ｔ′、残膜４２ｔの４種に区分されている。図示例では、各区分にピッチの異なる斜鎖線を付して示している。パターン形成領域である凸構造部１３の外側のハードマスク材料層１５上に形成されたバランス層３５の外観形状は、凸構造部１３の周囲を囲むような環状となっている。このように各残膜４２Ｔ、残膜４２Ｔ′、残膜４２ｔ′、残膜４２ｔの近傍に位置するバランス層３５は、図２５に示されるように、被覆率の異なる４種の部位３５ｄ、３５ｄ′、３５Ｄ′、３５Ｄで構成されており、各部位の被覆率には３５ｄ＜３５ｄ′＜３５Ｄ′＜３５Ｄの関係が成立している。すなわち、複数回の事前のインプリントから決定されたパターン構造体４１の残膜厚みが薄い（４２Ｔ＞４２Ｔ′＞４２ｔ′＞４２ｔ）ほど、近傍に位置するバランス層３５による被覆率が高く（３５ｄ＜３５ｄ′＜３５Ｄ′＜３５Ｄ）なっている。尚、バランス層３５の被覆率の異なる各部位にはピッチの異なる斜線を付して示している。

このようなバランス層３５を構成する被覆率の異なる４種の部位３５ｄ、３５ｄ′、３５Ｄ′、３５Ｄは、例えば、最も被覆率の高い部位３５Ｄが１００％（ベタ状態）の被覆率であり、部位３５Ｄ′、３５ｄ′、３５ｄでは被成形樹脂が海島状に存在し、部位３５Ｄ′の被覆率が約８５％、部位３５ｄ′の被覆率が３８％、最も被覆率の低い部位３５ｄの被覆率が１７％であってよい。
次に、接触工程にて、転写基板１１とモールド２１を近接させて、この転写基板１１とモールド２１との間に被成形樹脂３１の液滴を展開して被成形樹脂層を形成し、次いで、硬化工程にて、被成形樹脂層を硬化させて、モールド２１の凹凸構造２４の凹凸が反転した凹凸構造が形成された転写樹脂層３４とするとともに、バランス層３５を硬化させてバランス層３７とする（図２４（Ｂ））。
次に、離型工程にて、転写樹脂層３４とモールド２１を引き離して、転写樹脂層３４であるパターン構造体４１を、転写基板１１のパターン形成領域である凸構造部１３のハードマスク材料層１５上に位置させた状態とする（図２４（Ｃ））。
上記のようにパターン構造体４１を形成し、また、パターン形成領域である凸構造部１３の外側の領域のハードマスク材料層１５上にバランス層３７を形成した後は、上述の第１の実施形態と同様にして、凸構造部１３に凹凸構造１４が形成されたレプリカモールド１を作製することができる（図２（Ｂ）、（Ｃ）参照）。

また、本実施形態では、図２６（Ａ）に示されるように、メサ構造を有しておらず平板形状であり、一方の主面６１ａにハードマスク材料層６５を有する転写基板６１を使用することができる。
この実施形態では、まず、転写基板６１にハードマスク材料層６５を形成し、このハードマスク材料層６５に、パターン構造体を形成するためのパターン形成領域Ａを確定する。このパターン形成領域Ａは、通常、モールド７１の凸構造部７３に対応するものである。そして、樹脂供給工程にて、ハードマスク材料層６５上のパターン形成領域Ａに、インクジェット方式により、被成形樹脂８１の液滴を吐出して供給し、また、パターン形成領域Ａの外側の領域のハードマスク材料層６５上の所望の領域に、バランス層８５を形成する（図２６（Ａ））。このバランス層８５は、複数回の事前のインプリントにおいてパターン形成領域に形成されるパターン構造体の残膜厚分布を計測し、その結果に基づいて形成される。すなわち、計測された残膜厚分布から決定されたパターン構造体９１の残膜厚に基づいて、パターン構造体９１の残膜９２の厚みが小さい部分９２ｔの近傍に位置するバランス層８５の被覆率が、パターン構造体９１の残膜９２の厚みが大きい部分９２Ｔの近傍に位置するバランス層８５の被覆率よりも大きくなるようにバランス層８５を形成する。また、パターン形成領域Ａとバランス層８５との離間距離が３００μｍ以下、パターン形成領域Ａの外縁からバランス層８５の外縁までの最短距離が８００μｍ以上となるように形成することができる。

次に、接触工程にて、転写基板６１とモールド７１を近接させて、この転写基板６１とモールド７１との間に被成形樹脂８１の液滴を展開して被成形樹脂層を形成し、次いで、硬化工程にて、被成形樹脂層を硬化させて、モールド７１の凹凸構造７４の凹凸が反転した凹凸構造が形成された転写樹脂層８４とし、また、バランス層８５を硬化させてバランス層８７とする（図２６（Ｂ））。
次に、離型工程にて、転写樹脂層８４とモールド７１を引き離して、転写樹脂層８４であるパターン構造体９１を、転写基板６１のパターン形成領域Ａのハードマスク材料層６５上に位置させた状態とする（図２６（Ｃ））。
上記のようにパターン構造体９１を形成し、また、パターン形成領域Ａの外側の領域のハードマスク材料層６５上にバランス層８７を形成した後は、上述の第２の実施形態と同様にして、パターン形成領域Ａに凹凸構造６４が形成されたレプリカモールド５１を作製することができる（図５（Ｂ）、（Ｃ）参照）。
尚、本実施形態において、第７の実施形態（図２２参照）と同様に、パターン構造体９１を形成した後に追加のバランス層８５の形成することにより、最終的なバランス層８７を形成してもよい。

（第９の実施形態）
本実施形態は、複数回の事前のインプリントにおいて、形成した凹凸構造の凸部の幅寸法が、使用したモールドの凹部の開口寸法に対して変化する状態を特定し、この結果に基づいて、形成するバランス層の位置、寸法を調整するものである。
図２７は、事前のインプリントにおいて、パターン形成領域に凹凸構造が形成された転写基板の平面図であり、図２８は、図２７に示される転写基板のVII−VII線における縦断面図である。図２７、図２８において、転写基板１１は、パターン形成領域である凸構造部１３に形成したパターン構造体をエッチングマスクとしてハードマスク材料層をエッチングしてハードマスクを形成し、このハードマスクをエッチングマスクとして凸構造部１３をエッチングすることにより、凸構造部１３に凹凸構造１４が形成されたものである。尚、図２７においは、凹凸構造の記載を省略している。そして、パターン形成領域である凸構造部１３に形成された凹凸構造１４の凸部１４ａの幅寸法が使用したモールド２１の該当する凹部２４ｂの開口寸法よりも小さくなる傾向にある縮小傾向部位、および、凹凸構造１４の凸部１４ａの幅寸法が使用したモールド２１の該当する凹部２４ｂの開口寸法よりも大きくなる傾向にある拡大傾向部位を特定する。図２７では、凹凸構造１４の中で、部位１４Ｓ、部位１４Ｓ′が縮小傾向部位であり、縮小傾向は部位１４Ｓの方が部位１４Ｓ′よりも強いものとなっている。また、凹凸構造１４の中で、部位１４Ｗ、部位１４Ｗ′が拡大傾向部位であり、拡大傾向は部位１４Ｗの方が部位１４Ｗ′よりも強いものとなっている。このような部位１４Ｓ、部位１４Ｓ′、および、部位１４Ｗ、部位１４Ｗ′には、ピッチの異なる斜線を付して示している。尚、本発明では、凹凸構造の凸部の幅寸法、モールドの凹部の開口寸法の測定は、アドバンテスト（株）製 ＳＥＭ式微小寸法測定装置 Ｅ３６２０を用いて行うことができる。

上記のように、事前に縮小傾向部位および拡大傾向部位を特定した上で、本実施形態では、図２９に示されるように、転写基板１１にハードマスク材料層１５を形成し、樹脂供給工程にて、凸構造部１３のハードマスク材料層１５上の所望の領域に、インクジェット方式により、被成形樹脂３１の液滴を吐出して供給し、また、パターン形成領域である凸構造部１３の外側の領域の面１２ａのハードマスク材料層１５上の所望の領域に、バランス層３５を形成する。このバランス層３５は、上記のように特定された縮小傾向部位（部位１４Ｓ、部位１４Ｓ′）、および、拡大傾向部位（部位１４Ｗ、部位１４Ｗ′）に基づいて形成される。すなわち、図２９に示される例では、上記のように特定した縮小傾向部位（部位１４Ｓ、部位１４Ｓ′）の近傍に位置するバランス層からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ１、このバランス層の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ２とし、拡大傾向部位（部位１４Ｗ、部位１４Ｗ′）の近傍に位置するバランス層からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ１′、このバランス層の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ２′としたときに、Ｌ２′＜Ｌ２の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するようにバランス層を形成する。上記の距離Ｌ１、Ｌ１′は３００μｍ以下、距離Ｌ２、Ｌ２′は８００μｍ以上となるように形成することができる。

図３０は、図２９に示すようにバランス層が形成された転写基板の平面図であり、図２９は、図３０のVIII−VIII線における縦断面に相当し、図３０では、ハードマスク材料層１５、被成形樹脂３１を省略している。図３０に示される例では、事前のインプリントにおいて、縮小傾向部位として特定された部位１４Ｓ、部位１４Ｓ′に相当する部位の近傍に位置するバランス層の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ２、Ｌ′２、および、拡大傾向部位として特定された部位１４Ｗ、部位１４Ｗ′に相当する部位の近傍に位置するバランス層の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ２′、Ｌ′２′において、Ｌ２′＜Ｌ′２′＜Ｌ′２＜Ｌ２の関係が成立している。すなわち、縮小傾向が強い部位ほど、近傍に位置するバランス層の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離が大きくなり、一方、拡大傾向が強い部位ほど、近傍に位置するバランス層の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離が小さくなる。

また、本実施形態では、図３１に示すように、特定した縮小傾向部位（部位１４Ｓ、部位１４Ｓ′）の近傍に位置するバランス層からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ１、このバランス層の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ２とし、拡大傾向部位（部位１４Ｗ、部位１４Ｗ′）の近傍に位置するバランス層からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ１′、このバランス層の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ２′としたときに、Ｌ１＜Ｌ１′の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するようにバランス層を形成することができる。上記の距離Ｌ１、Ｌ１′は３００μｍ以下、距離Ｌ２、Ｌ２′は８００μｍ以上となるように形成することができる。
図３２は、図３１に示すようにバランス層が形成された転写基板の平面図であり、図３１は、図３２のIX−IX線における縦断面に相当し、図３２では、ハードマスク材料層１５、被成形樹脂３１を省略している。図３２に示される例では、事前のインプリントにおいて、縮小傾向部位として特定された部位１４Ｓ、部位１４Ｓ′に相当する部位の近傍に位置するバランス層からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ１、Ｌ′１、および、拡大傾向部位として特定された部位１４Ｗ、部位１４Ｗ′に相当する部位の近傍に位置するバランス層からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ１′、Ｌ′１′において、Ｌ１′＞Ｌ′１′＞Ｌ′１＞Ｌ１の関係が成立している。すなわち、縮小傾向が強い部位ほど、近傍に位置するバランス層からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離が小さくなり、一方、拡大傾向が強い部位ほど、近傍に位置するバランス層からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離が大きくなる。

上述のように凸構造部１３のハードマスク材料層１５上の所望の領域に被成形樹脂３１の液滴を供給し、また、パターン形成領域である凸構造部１３の外側の領域のハードマスク材料層１５上にバランス層３５を形成した後は、例えば、第１の実施形態と同様にして、接触工程、硬化工程、離型工程を経て、転写基板１１のパターン形成領域である凸構造部１３のハードマスク材料層１５上にパターン構造体４１を形成するとともに、凸構造部１３の外側の領域のハードマスク材料層１５上にバランス層３７を形成することができる（図１（Ｃ）〜図２（Ａ）参照）。さらに、このようにパターン構造体４１とバランス層３７を形成した後は、上述の第１の実施形態と同様にして、ハードマスク１７ａを形成し、このハードマスク１７ａを介してエッチングにより、凸構造部１３に凹凸構造１４が形成されたレプリカモールド１を作製することができる（図２（Ｂ）、（Ｃ）参照）。

上記のパターン構造体４１とバランス層３７をエッチングマスクとしたハードマスク材料層１５のエッチングでは、上述のように、バランス層３７の存在により、パターン形成領域である凸構造部１３におけるハードマスク材料層１５のエッチングに対するマイクロローディング効果の影響を、凸構造部１３の全域において、より均一なものとすることができる。さらに、複数回の事前のインプリントにおいて、形成した凹凸構造の凸部の幅寸法が使用したモールドの凹部の開口寸法に対して変化する状態を特定し、この結果に基づいて、バランス層３７の位置、寸法が調整されているので、モールドの凹部の開口寸法に対する形成した凹凸構造の凸部の幅寸法の変動を抑制することができる。したがって、上記のように、パターン構造体４１とバランス層３７をエッチングマスクとしてハードマスク材料層１５をエッチングしてパターン形成領域である凸構造部１３に形成したハードマスク１７ａは、その寸法精度のバラツキが抑制される。
尚、本実施形態において、凸構造部１３の外側の領域のハードマスク材料層１５上へのバランス層３７の形成は、第３の実施形態（図７（Ｃ）参照）のように、パターン構造体４１を形成した後に行ってもよい。
また、本実施形態に使用する転写基板は、凸構造部の存在しない平坦な形状であってもよい。

（第１０の実施形態）
本実施形態は、複数回の事前のインプリントにおいて、形成した凹凸構造の凸部の幅寸法が使用したモールドの凹部の開口寸法に対して変化する状態を特定し、この結果に基づいて、バランス層の被覆率を調整するものである。
図３３は、事前のインプリントにおいて、パターン形成領域に凹凸構造が形成された転写基板の平面図であり、図３４は、図３３に示される転写基板のＸ−Ｘ線における縦断面図である。図３３、図３４において、転写基板６１は、パターン形成領域Ａに形成したパターン構造体をエッチングマスクとしてハードマスク材料層をエッチングしてハードマスクを形成し、このハードマスクをエッチングマスクとして転写基板６１をエッチングすることにより、パターン形成領域Ａに凹凸構造６４が形成されたものである。そして、パターン形成領域Ａに形成された凹凸構造６４の凸部６４ａの幅寸法が、使用したモールド７１の該当する凹部７４ｂの開口寸法よりも小さくなる傾向にある縮小傾向部位、および、凹凸構造６４の凸部６４ａの幅寸法が、使用したモールド７１の該当する凹部７４ｂの開口寸法よりも大きくなる傾向にある拡大傾向部位を特定する。図３３では、凹凸構造６４の中で、部位６４Ｓ、部位６４Ｓ′が縮小傾向部位であり、縮小傾向は部位６４Ｓの方が部位６４Ｓ′よりも強いものとなっている。また、凹凸構造６４の中で、部位６４Ｗ、部位６４Ｗ′が拡大傾向部位であり、拡大傾向は部位６４Ｗの方が部位６４Ｗ′よりも強いものとなっている。このような部位６４Ｓ、部位６４Ｓ′、および、部位６４Ｗ、部位６４Ｗ′には、ピッチの異なる斜線を付して示している。尚、図３３においは、凹凸構造の記載を省略している。

上記のように、事前に縮小傾向部位および拡大傾向部位を特定した上で、本実施形態では、図３５に示されるように、転写基板６１にハードマスク材料層６５を形成し、樹脂供給工程にて、パターン形成領域Ａのハードマスク材料層６５上の所望の領域に、インクジェット方式により、被成形樹脂８１の液滴を吐出して供給し、また、パターン形成領域Ａの外側の領域のハードマスク材料層６５上の所望の領域に、バランス層８５を形成する。このバランス層８５は、上記のように特定された縮小傾向部位（部位６４Ｓ、部位６４Ｓ′）、および、拡大傾向部位（部位６４Ｗ、部位６４Ｗ′）に基づいて形成される。すなわち、上記のように特定した縮小傾向部位（部位６４Ｓ、部位６４Ｓ′）の近傍に位置するバランス層の被覆率が、拡大傾向部位（部位６４Ｗ、部位６４Ｗ′）の近傍に位置するバランス層の被覆率よりも大きくなるようにバランス層を形成する。また、パターン形成領域Ａとバランス層８５との離間距離が３００μｍ以下、パターン形成領域Ａの外縁からバランス層８５の外縁までの最短距離が８００μｍ以上となるように形成することができる。

図３６は、図３５に示すようにバランス層が形成された転写基板の平面図であり、図３５は、図３６のXI−XI線における縦断面に相当する。図３６では、ハードマスク材料層６５、被成形樹脂８１を省略している。図３６に示される例では、事前のインプリントにおいて、縮小傾向部位として特定された部位６４Ｓ、部位６４Ｓ′に相当する部位の近傍に位置するバランス層８５の部位８５Ｄ、部位８５Ｄ′の被覆率と、拡大傾向部位として特定された部位６４Ｗ、部位６４Ｗ′に相当する部位の近傍に位置するバランス層８５の部位８５ｄ、部位８５ｄ′の被覆率に、８５ｄ＜８５ｄ′＜８５Ｄ′＜８５Ｄの関係が成立している。すなわち、縮小傾向が大きい程、バランス層８５による被覆率が高くなり、拡大傾向が大きい程、バランス層８５による被覆率が低くなっている。このようなバランス層８５による被覆率は、上記のような関係が成立する範囲で適宜設定することができ、例えば、部位８５ｄ、部位８５ｄ′、部位８５Ｄ′、部位８５Ｄにおける被覆率を１７％、３８％、約８５％、１００％とすることができる。尚、図３６では、バランス層８５の被覆率の異なる各部位にはピッチの異なる斜線を付して示している。
上述のようにパターン形成領域Ａのハードマスク材料層６５上の所望の領域に被成形樹脂８１の液滴を供給し、また、パターン形成領域Ａの外側の領域のハードマスク材料層６５上にバランス層８５を形成した後は、例えば、第２の実施形態と同様にして、接触工程、硬化工程、離型工程を経て、転写基板６１のパターン形成領域Ａのハードマスク材料層６５上にパターン構造体９１を形成するとともに、パターン形成領域Ａの外側の領域のハードマスク材料層６５上にバランス層８７を形成することができる（図４（Ｂ）〜図５（Ａ）参照）。さらに、このようにパターン構造体９１とバランス層８７を形成した後は、上述の第２の実施形態と同様にして、ハードマスク６７ａを形成し、このハードマスク６７ａを介してエッチングにより、パターン形成領域Ａに凹凸構造６４が形成されたレプリカモールド５１を作製することができる（図５（Ｂ）、（Ｃ）参照）。

上記のように、パターン構造体９１とバランス層８７をエッチングマスクとしたハードマスク材料層６５のエッチングでは、バランス層８７の存在により、パターン形成領域Ａにおけるハードマスク材料層６５のエッチングに対するマイクロローディング効果の影響を、より均一なものとすることができる。さらに、複数回の事前のインプリントにおいて、形成した凹凸構造の凸部の幅寸法が使用したモールドの凹部の開口寸法に対して変化する状態を特定し、この結果に基づいて、バランス層８７の被覆率が調整されているので、モールドの凹部の開口寸法に対する形成した凹凸構造の凸部の幅寸法の変動を抑制することができる。したがって、上記のように、パターン構造体９１とバランス層８７をエッチングマスクとしてハードマスク材料層６５をエッチングしてパターン形成領域Ａに形成したハードマスク６７ａは、その寸法精度のバラツキが抑制される。
尚、本実施形態において、パターン形成領域Ａの外側の領域のハードマスク材料層６５上へのバランス層８７の形成は、第４の実施形態（図８（Ｃ）参照）のように、パターン構造体９１を形成した後に行ってもよい。
また、本実施形態に使用する転写基板は、凸構造部を有するメサ構造であってもよい。

（第１１の実施形態）
本実施形態は、インプリントに使用するモールドが有する凹凸構造の凹部の開口の寸法分布を特定し、この結果に基づいて、形成するバランス層の位置、寸法を調整するものである。
図３７は、インプリントに使用するモールドの凹凸構造が形成されている面の平面図であり、図３８は、図３７に示される転写基板のXII−XII線における縦断面図である。図３７、図３８において、モールド２１の凹凸構造２４は、開口寸法が異なる複数種の凹部２４ｂで構成されている。図３７に示される例では、凹凸構造２４において、部位２４Ｗに存在する凹部２４ｂの開口寸法が最も大きく、部位２４Ｗ′、部位２４Ｓ′、部位２４Ｓの順に、存在する凹部２４ｂの開口寸法が小さいものとなっている。尚、図３７では、部位２４Ｗ、部位２４Ｗ′、部位２４Ｓ′、部位２４Ｓにピッチの異なる斜線を付して示している。

上記のように、インプリントに使用するモールドが有する凹凸構造の凹部の開口の寸法分布を特定した上で、本実施形態では、図３９に示されるように、転写基板１１にハードマスク材料層１５を形成し、樹脂供給工程にて、凸構造部１３のハードマスク材料層１５上の所望の領域に、インクジェット方式により、被成形樹脂３１の液滴を吐出して供給し、また、パターン形成領域である凸構造部１３の外側の領域の面１２ａのハードマスク材料層１５上の所望の領域に、バランス層３５を形成する。このバランス層３５は、上記のように特定されたモールドが有する凹凸構造の凹部の開口の寸法分布に基づいて形成される。すなわち、図３９に示される例では、パターン形成領域である凸構造部１３において、モールド２１の凹凸構造２４を構成する凹部２４ｂの開口寸法が小さい部位に対応する部位の近傍に位置するバランス層からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ１、このバランス層の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ２とし、モールド２１の凹凸構造２４を構成する凹部２４ｂの開口寸法が大きい部位に対応する部位の近傍に位置するバランス層からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ１′、このバランス層の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ２′としたときに、Ｌ２′＜Ｌ２の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するようにバランス層を形成する。そして、上記の距離Ｌ１、Ｌ１′は３００μｍ以下、距離Ｌ２、Ｌ２′は８００μｍ以上となるように形成することができる。

図４０は、図３９に示すようにバランス層が形成された転写基板の平面図であり、図３９は、図４０のXIII−XIII線における縦断面に相当する。また、図４０では、ハードマスク材料層１５、被成形樹脂３１を省略している。図４０に示される例では、凹凸構造２４において、凹部２４ｂの開口寸法が大きい順（部位２４Ｗ＞部位２４Ｗ′＞部位２４Ｓ′＞部位２４Ｓ）に、この部位の近傍に位置するバランス層の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ２′、Ｌ′２′、Ｌ′２、Ｌ２が大きくなり、Ｌ２′＜Ｌ′２′＜Ｌ′２＜Ｌ２の関係が成立している。
また、本実施形態では、図４１に示すように、パターン形成領域である凸構造部１３において、モールド２１の凹凸構造２４を構成する凹部２４ｂの開口寸法が小さい部位に対応する部位の近傍に位置するバランス層からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ１、このバランス層の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ２とし、モールド２１の凹凸構造２４を構成する凹部２４ｂの開口寸法が大きい部位に対応する部位の近傍に位置するバランス層からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ１′、このバランス層の外縁からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ２′としたときに、Ｌ１＜Ｌ１′の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するようにバランス層を形成することができる。そして、上記の距離Ｌ１、Ｌ１′は３００μｍ以下、距離Ｌ２、Ｌ２′は８００μｍ以上となるように形成することができる。

図４２は、図４１に示すようにバランス層が形成された転写基板の平面図であり、図４１は、図４２のXIV−XIV線における縦断面に相当する。また、図４２では、ハードマスク材料層１５、被成形樹脂３１を省略している。図４２に示される例では、凹凸構造２４において、凹部２４ｂの開口寸法が大きい順（部位２４Ｗ＞部位２４Ｗ′＞部位２４Ｓ′＞部位２４Ｓ）に、この部位の近傍に位置するバランス層からパターン形成領域である凸構造部１３までの距離Ｌ１′、Ｌ′１′、Ｌ′１、Ｌ１が小さくなり、Ｌ１′＞Ｌ′１′＞Ｌ′１＞Ｌ１の関係が成立している。
上述のように凸構造部１３のハードマスク材料層１５上の所望の領域に被成形樹脂３１の液滴を供給し、また、パターン形成領域である凸構造部１３の外側の領域のハードマスク材料層１５上にバランス層３５を形成した後は、例えば、第１の実施形態と同様にして、接触工程、硬化工程、離型工程を経て、転写基板１１のパターン形成領域である凸構造部１３のハードマスク材料層１５上にパターン構造体４１を形成するとともに、凸構造部１３の外側の領域のハードマスク材料層１５上にバランス層３７を形成することができる（図１（Ｃ）〜図２（Ａ）参照）。さらに、このようにパターン構造体４１とバランス層３７を形成した後は、上述の第１の実施形態と同様にして、ハードマスク１７ａを形成し、このハードマスク１７ａを介してエッチングにより、凸構造部１３に凹凸構造１４が形成されたレプリカモールド１を作製することができる（図２（Ｂ）、（Ｃ）参照）。

上記のパターン構造体４１とバランス層３７をエッチングマスクとしたハードマスク材料層１５のエッチングでは、上述のように、バランス層３７の存在により、パターン形成領域である凸構造部１３におけるハードマスク材料層１５のエッチングに対するマイクロローディング効果の影響を、凸構造部１３の全域において、より均一なものとすることができる。さらに、インプリントに使用するモールドが有する凹凸構造の凹部の開口の寸法分布を特定し、この結果に基づいて、バランス層３７の位置、寸法が調整されているので、モールドの凹部の開口寸法に対する形成した凹凸構造の凸部の幅寸法の変動を抑制することができる。したがって、上記のように、パターン構造体４１とバランス層３７をエッチングマスクとしてハードマスク材料層１５をエッチングしてパターン形成領域である凸構造部１３に形成したハードマスク１７ａは、その寸法精度のバラツキが抑制される。
尚、本実施形態において、凸構造部１３の外側の領域のハードマスク材料層１５上へのバランス層３７の形成は、第３の実施形態（図７（Ｃ）参照）のように、パターン構造体４１を形成した後に行ってもよい。
また、本実施形態に使用する転写基板は、凸構造部の存在しない平坦な形状であってもよい。

（第１２の実施形態）
本実施形態は、インプリントに使用するモールドが有する凹凸構造の凹部の開口の寸法分布を特定し、この結果に基づいて、バランス層の被覆率を調整するものである。
図４３は、インプリントに使用するモールドの凹凸構造が形成されている面の平面図であり、図４４は、図４３に示される転写基板のXV−XV線における縦断面図である。図４３、図４４において、モールド７１の凹凸構造７４は、開口寸法が異なる複数種の凹部７４ｂで構成されている。図４３に示される例では、凹凸構造７４において、部位７４Ｗに存在する凹部７４ｂの開口寸法が最も大きく、部位７４Ｗ′、部位７４Ｓ′、部位７４Ｓの順に、存在する凹部７４ｂの開口寸法が小さいものとなっている。尚、図４３では、部位７４Ｗ、部位７４Ｗ′、部位７４Ｓ′、部位７４Ｓにピッチの異なる斜線を付して示している。

上記のように、インプリントに使用するモールドが有する凹凸構造の凹部の開口の寸法分布を特定した上で、本実施形態では、図４５に示されるように、転写基板６１にハードマスク材料層６５を形成し、樹脂供給工程にて、パターン形成領域Ａのハードマスク材料層６５上の所望の領域に、インクジェット方式により、被成形樹脂８１の液滴を吐出して供給し、また、パターン形成領域Ａの外側の領域のハードマスク材料層６５上の所望の領域に、バランス層８５を形成する。このバランス層８５は、上記のように特定されたモールドが有する凹凸構造の凹部の開口の寸法分布に基づいて形成される。すなわち、図４５に示される例では、パターン形成領域Ａにおいて、モールド７１の凹凸構造７４を構成する凹部７４ｂの開口寸法が小さい部位に対応する部位の近傍に位置するバランス層の被覆率が、モールド７１の凹凸構造７４を構成する凹部７４ｂの開口寸法が大きい部位に対応する部位の近傍に位置するバランス層の被覆率よりも大きくなるようにバランス層を形成する。また、パターン形成領域Ａとバランス層との離間距離が３００μｍ以下、パターン形成領域Ａの外縁からバランス層の外縁までの最短距離が８００μｍ以上となるように形成することができる。

図４６は、図４５に示すようにバランス層が形成された転写基板の平面図であり、図４５は、図４６のXII−XII線における縦断面に相当する。また、図４６では、ハードマスク材料層６５、被成形樹脂８１を省略している。図４６に示される例では、凹凸構造７４において、凹部７４ｂの開口寸法が大きい順（部位７４Ｗ＞部位７４Ｗ′＞部位７４Ｓ′＞部位７４Ｓ）に、この部位の近傍に位置するバランス層８５の部位８５ｄ、部位８５ｄ′、部位８５Ｄ′、部位８５Ｄの被覆率が大きくなり、被覆率において８５ｄ＜８５ｄ′＜８５Ｄ′＜８５Ｄの関係が成立している。すなわち、凹部７４ｂの開口寸法が小さい程、バランス層８５の被覆率が高くなっている。このようなバランス層８５の被覆率は、上記のような関係が成立する範囲で適宜設定することができ、例えば、部位８５ｄ、部位８５ｄ′、部位８５Ｄ′、部位８５Ｄにおける被覆率を１７％、３８％、約８５％、１００％とすることができる。尚、図４６において、バランス層８５の被覆率の異なる各部位にはピッチの異なる斜線を付して示している。

上述のようにパターン形成領域Ａのハードマスク材料層６５上の所望の領域に被成形樹脂８１の液滴を供給し、また、パターン形成領域Ａの外側の領域のハードマスク材料層６５上にバランス層８５を形成した後は、例えば、第２の実施形態と同様にして、接触工程、硬化工程、離型工程を経て、転写基板６１のパターン形成領域Ａのハードマスク材料層６５上にパターン構造体９１を形成するとともに、パターン形成領域Ａの外側の領域のハードマスク材料層６５上にバランス層８７を形成することができる（図４（Ｂ）〜図５（Ａ）参照）。さらに、このようにパターン構造体９１とバランス層８７を形成した後は、上述の第２の実施形態と同様にして、ハードマスク６７ａを形成し、このハードマスク６７ａを介してエッチングにより、パターン形成領域Ａに凹凸構造６４が形成されたレプリカモールド５１を作製することができる（図５（Ｂ）、（Ｃ）参照）。

上記のように、パターン構造体９１とバランス層８７をエッチングマスクとしたハードマスク材料層６５のエッチングでは、バランス層８７の存在により、パターン形成領域Ａにおけるハードマスク材料層６５のエッチングに対するマイクロローディング効果の影響を、より均一なものとすることができる。さらに、インプリントに使用するモールドが有する凹凸構造の凹部の開口の寸法分布を特定し、この結果に基づいて、バランス層８７による被覆率が調整されているので、モールドの凹部の開口寸法に対する形成した凹凸構造の凸部の幅寸法の変動を抑制することができる。したがって、上記のように、パターン構造体９１とバランス層８７をエッチングマスクとしてハードマスク材料層６５をエッチングしてパターン形成領域Ａに形成したハードマスク６７ａは、その寸法精度のバラツキが抑制される。
尚、本実施形態において、パターン形成領域Ａの外側の領域のハードマスク材料層６５上へのバランス層８７の形成は、第４の実施形態（図８（Ｃ）参照）のように、パターン構造体９１を形成した後に行ってもよい。
また、本実施形態に使用する転写基板は、凸構造部を有するメサ構造であってもよい。

（第１３の実施形態）
図４７は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための図である。
本実施形態では、転写基板としてシリコンウエハを使用する。図示例では、シリコンウエハ１０１は、一方の面にインプリント方法によりパターン構造体を形成する複数のパターン形成領域１０２ａが多面付けで設定されている（図４７（Ａ））。尚、シリコンウエハは、表面に銅箔、シリコン酸化膜等、所望の薄膜が形成されたものであってもよい。
このようなシリコンウエハ１０１の各パターン形成領域１０２ａに対して、上記の第４の実施形態と同様に、樹脂供給工程、接触工程、硬化工程、離型工程を繰り返し、所謂ステップ／リピート方式で、全てのパターン形成領域１０２ａにパターン構造体を形成する。

その後、バランス層形成工程にて、これらのパターン形成領域１０２ａが集合した領域１０２の外側の領域１０３に、インクジェット方式により被成形樹脂を供給してバランス層１１０を形成し、これを硬化してバランス層１１２とする。バランス層１１０の形成は、上述の第２の実施形態と同様とすることができる。また、バランス層１１０の硬化は、使用する被成形樹脂が光硬化性樹脂であれば、バランス層１１０に光照射を行うことにより硬化させることができる。また、使用する被成形樹脂が熱硬化性樹脂であれば、バランス層１１０に対して加熱処理を施すことにより硬化させることができる。図４７（Ｂ）は、このようにバランス層１１２を形成した後の状態を説明する図であり、図４７（Ａ）の破線で囲んだ部位の拡大平面図である。図４７（Ｂ）に示されるように、パターン形成領域１０２ａが集合した領域１０２の外側の領域１０３であって、シリコンウエハ１０１の周縁１０１ａとの間の領域にバランス層１１２（斜線を付して示している）が位置している。そして、パターン形成領域１０２ａが集合した領域１０２とバランス層１１２との離間距離Ｌ１を３００μｍ以下、パターン形成領域１０２ａが集合した領域１０２の外縁からバランス層１１２の外縁までの最短距離Ｌ２を８００μｍ以上とすることができる。上記の離間距離Ｌ１が３００μｍを超えたり、最短距離Ｌ２が８００μｍ未満となると、バランス層の作用が十分に発現されないことがあり好ましくない。
尚、パターン形成領域１０２ａが集合した領域１０２とバランス層１１２との離間距離Ｌ１がゼロ、すなわち、バランス層１１２がパターン形成領域１０２ａが集合した領域１０２に接触するものであってもよい。

このように、パターン形成領域１０２ａが集合した領域１０２の外側の領域１０３にバランス層１１２を形成することにより、各パターン形成領域１０２ａに形成したパターン構造体をエッチングマスクとしてシリコンウエハ１０１、あるいは、シリコンウエハ１０１の表面に位置する所望の薄膜を加工する際に、各パターン形成領域１０２ａにおけるエッチングに対するマイクロローディング効果の影響を、パターン形成領域１０２ａが集合した領域１０２の全域において、より均一なものとすることができる。したがって、シリコンウエハ１０１、あるいは、シリコンウエハ１０１の表面に位置する所望の薄膜の加工を、高い精度で行うことができる。

また、ステップ／リピート方式で、全てのパターン形成領域１０２ａにパターン構造体を形成した後に、バランス層形成工程にてバランス層１１０を形成するので、パターン構造体を形成するための被成形樹脂と異なる樹脂材料を使用してバランス層１１０を形成することができる。この場合、パターン構造体とともにバランス層１１２をエッチングマスクとしてシリコンウエハ１０１、あるいは、シリコンウエハ１０１の表面に位置する所望の薄膜を加工する際に、バランス層１１２がエッチングマスクとして機能する範囲内でバランス層１１０の厚みを薄くすることができ、例えば、低粘度の樹脂材料、パターン構造体を形成するための被成形樹脂よりもエッチング耐性の高い樹脂材料を使用することができる。これにより、所望のエッチング加工後のバランス層１１２の剥離洗浄を容易なものとすることができる。また、バランス層１１０を形成するための樹脂材料の供給は、ステップ／リピート方式によるインプリント時の接触防止を考慮する必要がない。このため、上記の離間距離Ｌ１、最短距離Ｌ２の設定を含めて、使用するモールドの形状等を考慮する必要がなく、したがって、種々のモールド形状にも対応することができる。

また、転写基板としてシリコンウエハを使用する本発明のインプリント方法では、ステップ／リピート方式により各パターン形成領域１０２ａにパターン構造体を形成する段階で、パターン形成領域１０２ａが集合した領域１０２の外側の領域１０３にバランス層１１０を形成してもよい。すなわち、領域１０２の周辺寄りに位置するパターン形成領域１０２ａにおけるパターン構造体の形成において、当該パターン形成領域１０２ａの近傍の領域１０３にバランス層１１０を形成してもよい。したがって、全てのパターン形成領域１０２ａにおけるパターン構造体の形成が完了した時点でパターン形成領域１０２ａが集合した領域１０２の外側の領域１０３に位置するバランス層１１０は、形成された時期が異なる複数のバランス層で構成されたものとなる。尚、上記のように、領域１０２の周辺寄りに位置するパターン形成領域１０２ａにおけるパターン構造体の形成において、近傍の領域１０３にバランス層１１０を形成する場合、当該パターン形成領域１０２ａにおける離型工程の後に、バランス層形成工程にて、近傍の領域１０３にバランス層１１０を形成してもよく、また、当該パターン形成領域１０２ａにおける樹脂供給工程にて、近傍の領域１０３にも被成形樹脂を供給することによりバランス層を形成してもよい。

さらに、転写基板としてシリコンウエハを使用する本発明のインプリント方法では、予め欠陥検査が行われたシリコンウエハを使用してもよい。この場合、例えば、図４８（Ａ）に示されるように、複数のパターン形成領域１０２ａが多面付けで設定されたシリコンウエハ１０１のパターン形成領域の中で、所定のサイズの欠陥が存在する欠陥領域１０２ｄ（斜線を付して示している）を、パターン構造体を形成する領域から除外する。そして、欠陥領域１０２ｄを除く各パターン形成領域１０２ａに対して、上述のように、ステップ／リピート方式でパターン構造体を形成する。その後、バランス層形成工程にて、これらのパターン形成領域１０２ａが集合した領域１０２の外側の領域１０３、および、欠陥領域１０２ｄに、インクジェット方式により、バランス層１１０を形成し、これを硬化してバランス層１１２とする。
図４８（Ｂ）は、欠陥領域１０２ｄにバランス層１１２を形成した後の状態を説明する図であり、図４８（Ａ）の破線で囲んだ部位の拡大平面図である。図４８（Ｂ）に示されるように、欠陥領域１０２ｄへのバランス層１１２（斜線を付して示している）の形成では、上記と同様に、隣接するパターン形成領域１０２ａとバランス層１１２との離間距離Ｌ１を３００μｍ以下、隣接するパターン形成領域１０２ａの外縁からバランス層１１２の外縁までの最短距離Ｌ２を８００μｍ以上とするように行うことができる。

このようなパターン形成領域１０２ａが集合した領域１０２の外側の領域１０３、および、欠陥領域１０２ｄへのバランス層１１２の形成は、ステップ／リピート方式で、全てのパターン形成領域１０２ａにパターン構造体を形成した後に行ってもよく、また、ステップ／リピート方式により各パターン形成領域１０２ａにパターン構造体を形成する段階で、パターン形成領域１０２ａが集合した領域１０２の外側の領域１０３にバランス層１１０を形成してもよい。後者の場合、欠陥領域１０２ｄへのバランス層１１２の形成は、欠陥領域１０２ｄに隣接するパターン形成領域１０２ａにおけるパターン構造体の形成の際に行うことができる。
上述のインプリント方法、モールドの製造方法の実施形態は例示であり、本発明のインプリント方法、モールドの製造方法はこれらの実施形態に限定されるものではない。

［実施例１］
＜マスターモールドの作製＞
厚み６．３５ｍｍの石英ガラス（１５２ｍｍ角）を光インプリント用モールド用基材として準備した。この基材の表面にスパッタリング法によりクロム薄膜（厚み１５ｎｍ）を成膜し、その後、このクロム薄膜上に市販の電子線官能型のレジストを塗布した。
次いで、市販の電子線描画装置内のステージ上に、基材の裏面がステージと対向するように基材を配置し、レジストに電子線を照射して、所望のパターン潜像を形成した。
次に、レジストを現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッチングマスクとしてドライエッチングによりクロムのハードマスクを形成し、さらに、このハードマスクをエッチングマスクとしてドライエッチングにより基材に凹凸パターンを形成して、マスターモールドを作製した。

形成した凹凸パターンは、基材の中央に位置する３５ｍｍ角の凹凸形成領域に位置し、ライン／スペースの設計値は３３ｎｍ／３３ｎｍであった。このライン／スペースの凹凸パターンのスペースの幅寸法の平均値を下記の表１に示した。また、３５ｍｍ角の凹凸形成領域の中央部におけるスペースの幅寸法の標準偏差（σ）の三倍値（３σ）、および、３５ｍｍ角の凹凸形成領域の周辺側（周辺端部から内側１ｍｍまでの領域）におけるスペースの幅寸法の標準偏差（σ）の三倍値（３σ）を測定し、下記の表１に示した。尚、測定は、走査型電子顕微鏡（アドバンテスト（株）製 Ｅ３６２０）を用いて行った。

＜転写基板の作製＞
一方、転写基板として、中央に３５ｍｍ角、高さ２０μｍの凸構造部を有するメサ構造の石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚み６．３５ｍｍ）を準備した。この石英ガラス基板の凸構造部位が位置する側の面にスパッタリング法によりクロム薄膜（厚み１５ｎｍ）を成膜してハードマスク材料層を形成した。

＜インプリント方法を用いたレプリカモールドの作製＞
次いで、この転写基板のパターン形成領域である凸構造部のハードマスク材料層上に、光硬化性樹脂をインクジェット方式で供給した。また、凸構造部の外側のハードマスク材料層に、上記の光硬化性樹脂をインクジェット方式で供給し、凸構造部を囲むように環状にバランス層を形成した。
次に、転写基板とマスターモールドを近接させ、転写基板の凸構造部とモールドとの間に液滴を展開して、被成形樹脂層を形成した。
次いで、インプリント装置の照明光学系から平行光（ピーク波長が３６５ｎｍの紫外線）をマスターモールド側に１５０ｍＪ／ｃｍ²の条件で照射した。これにより、被成形樹脂層を硬化させて、マスターモールドのライン／スペース形状の凹凸構造の凹凸が反転したライン／スペース形状の凹凸構造が形成された転写樹脂層とし、また、バランス層を硬化させて、厚み３μｍのバランス層とした。このバランス層は、凸構造部との離間距離Ｌ１が１８０〜２００μｍであり、凸構造部の外縁からバランス層の外縁までの最短距離Ｌ２が８４０〜８６０μｍであった。

次に、転写樹脂層とマスターモールドを引き離して、転写樹脂層であるパターン構造体を転写基板の凸構造部上に位置させた状態とした。
上記のように、転写基板の凸構造部のハードマスク材料層上に形成したパターン構造体と、凸構造部の外側の領域のハードマスク材料層上に形成したバランス層をエッチングマスクとして、ハードマスク材料層を塩素による反応性イオンエッチングでエッチングしてハードマスクを形成した（図２（Ｂ）参照）。
次に、上記のように形成したハードマスクをエッチングマスクとして転写基板をフッ素系ガスによる反応性イオンエッチングでエッチングすることにより、凸構造部にライン／スペースの凹凸構造が形成されたレプリカモールドを作製した。

このように作製したレプリカモールドのライン／スペースの凹凸構造について、ラインの幅寸法の平均値、３５ｍｍ角のパターン形成領域の中央部におけるラインの幅寸法の標準偏差（σ）の三倍値（３σ）、および、３５ｍｍ角のパターン形成領域の周辺側（周辺端部から内側１ｍｍまでの領域）におけるラインの幅寸法の標準偏差（σ）の三倍値（３σ）を、上記と同様に測定し、下記の表１に示した。

［実施例２］
バランス層と凸構造部との離間距離Ｌ１を８０〜１００μｍとした他は、実施例１と同様にして、レプリカモールドを作製した。
このように作製したレプリカモールドのライン／スペースの凹凸構造について、ラインの幅寸法の平均値、３５ｍｍ角のパターン形成領域の中央部におけるラインの幅寸法の標準偏差（σ）の三倍値（３σ）、および、３５ｍｍ角のパターン形成領域の周辺側（周辺端部から内側１ｍｍまでの領域）におけるラインの幅寸法の標準偏差（σ）の三倍値（３σ）を、実施例１と同様に測定し、下記の表１に示した。

［実施例３］
凸構造部の外縁からバランス層の外縁までの最短距離Ｌ２を１８００〜２０００μｍとした他は、実施例１と同様にして、レプリカモールドを作製した。
このように作製したレプリカモールドのライン／スペースの凹凸構造について、ラインの幅寸法の平均値、３５ｍｍ角のパターン形成領域の中央部におけるラインの幅寸法の標準偏差（σ）の三倍値（３σ）、および、３５ｍｍ角のパターン形成領域の周辺側（周辺端部から内側１ｍｍまでの領域）におけるラインの幅寸法の標準偏差（σ）の三倍値（３σ）を、実施例１と同様に測定し、下記の表１に示した。

［比較例］
バランス層を形成しない他は、実施例と同様にして、レプリカモールドを作製した。このレプリカモールドのライン／スペースの凹凸構造について、ラインの幅寸法の平均値、３５ｍｍ角のパターン形成領域の中央部におけるラインの幅寸法の標準偏差（σ）の三倍値（３σ）、および、３５ｍｍ角のパターン形成領域の周辺側（周辺端部から内側１ｍｍまでの領域）におけるラインの幅寸法の標準偏差（σ）の三倍値（３σ）を、実施例と同様に測定し、下記の表１に示した。

［実施例４］
バランス層と凸構造部との離間距離Ｌ１を４００〜４２０μｍとした他は、実施例１と同様にして、レプリカモールドを作製した。
このように作製したレプリカモールドのライン／スペースの凹凸構造について、ラインの幅寸法の平均値、３５ｍｍ角のパターン形成領域の中央部におけるラインの幅寸法の標準偏差（σ）の三倍値（３σ）、および、３５ｍｍ角のパターン形成領域の周辺側（周辺端部から内側１ｍｍまでの領域）におけるラインの幅寸法の標準偏差（σ）の三倍値（３σ）を、実施例１と同様に測定し、下記の表１に示した。

［実施例５］
凸構造部の外縁からバランス層の外縁までの最短距離Ｌ２を６８０〜７００μｍとした他は、実施例１と同様にして、レプリカモールドを作製した。
このように作製したレプリカモールドのライン／スペースの凹凸構造について、ラインの幅寸法の平均値、３５ｍｍ角のパターン形成領域の中央部におけるラインの幅寸法の標準偏差（σ）の三倍値（３σ）、および、３５ｍｍ角のパターン形成領域の周辺側（周辺端部から内側１ｍｍまでの領域）におけるラインの幅寸法の標準偏差（σ）の三倍値（３σ）を、実施例１と同様に測定し、下記の表１に示した。

表１に示されるように、実施例１〜３では、パターン形成領域の中央部におけるラインの幅寸法の平均値、標準偏差（σ）の三倍値（３σ）と、パターン形成領域の周辺側におけるラインの幅寸法の平均値、標準偏差（σ）の三倍値（３σ）との差が少なく、数値は、マスターモールドの中央部におけるスペースの幅寸法の平均値、標準偏差（σ）の三倍値（３σ）に近く、寸法精度の高いものであった。

これに対して、比較例は、パターン形成領域の周辺側と中央部におけるラインの幅寸法の平均値の差が大きく、また、パターン形成領域の周辺側における標準偏差（σ）の三倍値（３σ）が大きく、パターン形成領域の周辺側でのライン／スペースの凹凸構造の寸法精度は悪いものであった。
また、実施例４，５では、パターン形成領域の周辺側と中央部におけるラインの幅寸法の平均値の差がやや大きく、また、パターン形成領域の周辺側における標準偏差（σ）の三倍値（３σ）がやや大きく、比較例よりは寸法精度が良好ではあるが、実施例１〜３よりも劣るものであった。

［実施例６］
実施例１で作製したマスターモールドと、実施例１と同様の転写基板を使用し、転写樹脂層であるパターン構造体４１を、転写基板のパターン形成領域Ａである凸構造部１３（表面１３ａは３５ｍｍ角の正方形状）のハードマスク材料層１５上に形成した。このように形成したパターン構造体４１の凸部間に位置する残膜４２の厚みを、図４９に示すように、パターン形成領域Ａの中央箇所（i）と、パターン形成領域の四隅からそれぞれ２００μｍ中央寄りに離間した箇所（ii）〜（v）、計５箇所で測定し、結果を下記の表２に示した。尚、パターン構造体の残膜の厚みは、分光反射率計（Nanometrics社製 Atlas-M）を用いて測定した。

その後、実施例３と同様にバランス層３７（図４９に斜線を付して示す）を形成し、実施例１と同様にして、レプリカモールドを作製した。すなわち、バランス層３７は、凸構造部との離間距離Ｌ１が１８０〜２００μｍであり、凸構造部の外縁からバランス層の外縁までの最短距離Ｌ２が２ｍｍとなるように形成した。このように作製したレプリカモールドのライン／スペースの凹凸構造のラインの幅寸法を、上記の残膜厚みを測定した５箇所（（i）〜（v））に対応する場所にて、実施例１と同様に測定し、結果を下記の表２に示した。
これに対して、実施例６として、まず、実施例３と同様に、パターン構造体４１を形成した段階（図９（Ｃ）参照）で、パターン構造体４１の凸部間に位置する残膜４２の厚みを、図５０に示すように、（i）〜（v）の計５箇所で測定し、結果を下記の表２に示した。

次に、パターン形成領域Ａである凸構造部１３の四隅の外縁からバランス層３７の外縁までの最短距離を、図５０に示されるように、Ｌ２′、Ｌ′２′、Ｌ′２、Ｌ２とし、（ii）〜（v）における残膜の測定結果に基づいて、Ｌ２′＝１ｍｍ、Ｌ′２′＝１．５ｍｍ、Ｌ′２＝２ｍｍ、Ｌ２＝３ｍｍとなるようにバランス層３７を形成した他は、実施例３と同様にして、レプリカモールドを作製した。このように作製したレプリカモールドのライン／スペースの凹凸構造のラインの幅寸法を、上記の残膜厚みを測定した５箇所（（i）〜（v））に対応する場所実施例１と同様に測定し、結果を下記の表２に示した。

表２に示されるように、実施例６のレプリカモールドでは、パターン形成領域の四隅（ii）〜（v）付近のラインの幅と、中央部（i）のラインの幅との差が、実施例３に比べて小さいものであった。このことから、残膜厚みに基づいてバランス層の幅を調整することにより、寸法精度の向上が可能であることが確認された。

インプリント方法を用いた種々のパターン構造体の製造、基板等の被加工体へ微細加工等、および、インプリントモールドの製造に適用可能である。

１１，６１…転写基板
１３…凸構造部
１５，６５…ハードマスク材料層
２１，７１…モールド
７３…凸構造部
３５，８５…バランス層
３７，８７…硬化後のバランス層
４１，９１…パターン構造体
４２，９２…残膜
１０１…シリコンウエハ
１０２ａ…パターン形成領域
１０２ｄ…欠陥領域
１１２…硬化後のバランス層

Claims (22)

1. 転写基板の一方の主面に被成形樹脂を供給する樹脂供給工程と、
   凹凸構造を有するモールドと前記転写基板を近接させて、前記モールドと前記転写基板との間に前記被成形樹脂を展開して被成形樹脂層を形成する接触工程と、
   前記被成形樹脂層を硬化させて転写樹脂層とする硬化工程と、
   前記転写樹脂層と前記モールドを引き離して、前記転写樹脂層であるパターン構造体を前記転写基板上に位置させた状態とする離型工程と、
   前記パターン構造体をエッチングマスクとして前記転写基板をエッチングするエッチング工程と、有し、
   前記樹脂供給工程では、前記パターン構造体を形成する予定の転写基板のパターン形成領域の外側の領域にも被成形樹脂を供給してバランス層を形成し、
   前記エッチング工程では、前樹硬化工程で硬化させた前記バランス層を前記パターン構造体とともにエッチングマスクとして前記転写基板をエッチングすることを特徴とするインプリント方法。
2. 転写基板の一方の主面に被成形樹脂を供給する樹脂供給工程と、
   凹凸構造を有するモールドと前記転写基板を近接させて、前記モールドと前記転写基板との間に前記被成形樹脂を展開して被成形樹脂層を形成する接触工程と、
   前記被成形樹脂層を硬化させて転写樹脂層とする硬化工程と、
   前記転写樹脂層と前記モールドを引き離して、前記転写樹脂層であるパターン構造体を前記転写基板上に位置させた状態とする離型工程と、
   前記パターン構造体を形成した転写基板のパターン形成領域の外側の領域に被成形樹脂を供給し硬化してバランス層を形成するバランス層形成工程と、
   前記パターン構造体および前記バランス層をエッチングマスクとして前記転写基板をエッチングするエッチング工程と、を有することを特徴とするインプリント方法。
3. 転写基板として一方の主面にハードマスク材料層を有する転写基板を使用し、
   前記エッチング工程では、前記パターン構造体および前記バランス層をエッチングマスクとして前記ハードマスク材料層をエッチングしてハードマスクを形成し、該ハードマスクをエッチングマスクとして前記転写基板をエッチングすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のインプリント方法。
4. 前記パターン形成領域と前記バランス層とが離間する場合、離間距離が３００μｍ以下となるように前記バランス層を形成することを特徴とする請求項３に記載のインプリント方法。
5. 前記パターン形成領域の外縁から前記バランス層の外縁までの最短距離が８００μｍ以上となるように前記バランス層を形成することを特徴とする請求項３または請求項４に記載のインプリント方法。
6. パターン形成領域が周囲の領域よりも突出した凸構造部をなすメサ構造の転写基板を使用し、前記凸構造部の外側の前記転写基板に前記バランス層を形成することを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれかに記載のインプリント方法。
7. 凹凸構造を有する領域が周囲の領域よりも突出した凸構造部をなすメサ構造のモールドを使用し、前記転写基板の表面の前記モールドの前記凸構造部に対応する領域の外側に位置するように前記バランス層を形成することを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれかに記載のインプリント方法。
8. 前記パターン形成領域に形成されるパターン構造体の残膜厚が小さい部分の近傍に位置するバランス層から前記パターン形成領域までの距離をＬ１、当該バランス層の外縁から前記パターン形成領域までの距離をＬ２とし、
   前記パターン形成領域に形成されるパターン構造体の残膜厚が大きい部分の近傍に位置するバランス層から前記パターン形成領域までの距離をＬ１′、当該バランス層の外縁から前記パターン形成領域までの距離をＬ２′としたときに、
   Ｌ２′＜Ｌ２またはＬ１＜Ｌ１′の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するように前記バランス層を形成することを特徴とする請求項３乃至請求項７のいずれかに記載のインプリント方法。
9. 前記パターン形成領域に形成されるパターン構造体の残膜厚が小さい部分の近傍に位置するバランス層の被覆率が、前記パターン形成領域に形成されるパターン構造体の残膜厚が大きい部分の近傍に位置するバランス層の被覆率よりも大きくなるように前記バランス層を形成することを特徴とする請求項３乃至請求項７のいずれかに記載のインプリント方法。
10. 前記離型工程後に、前記パターン形成領域に形成されたパターン構造体の残膜厚分布を計測した結果から、前記バランス層を形成する領域を決定することを特徴とする請求項８または請求項９に記載のインプリント方法。
11. 複数回の事前のインプリントにおいて前記パターン形成領域に形成されたパターン構造体の残膜厚分布を予め計測した結果から、前記バランス層を形成する領域を決定することを特徴とする請求項８または請求項９に記載のインプリント方法。
12. 複数回の事前のインプリントにおいて、前記パターン形成領域に形成したパターン構造体をエッチングマスクとして前記ハードマスク材料層をエッチングしてハードマスクを形成し、該ハードマスクをエッチングマスクとして前記転写基板をエッチングして前記パターン形成領域に凹凸構造を形成し、前記パターン形成領域内の外縁部の中で、前記凹凸構造の凸部の幅寸法が前記モールドの該当する凹部の開口寸法よりも小さくなる傾向にある縮小傾向部位、および、前記凹凸構造の凸部の幅寸法が前記モールドの該当する凹部の開口寸法よりも大きくなる傾向にある拡大傾向部位を特定し、
    前記縮小傾向部位の近傍に位置するバランス層から前記パターン形成領域までの距離Ｌ１、当該バランス層の外縁から前記パターン形成領域までの距離Ｌ２とし、前記拡大傾向部位の近傍に位置するバランス層から前記パターン形成領域までの距離Ｌ１′、当該バランス層の外縁から前記パターン形成領域までの距離Ｌ２′としたときに、
    Ｌ２′＜Ｌ２またはＬ１＜Ｌ１′の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するように前記バランス層を形成することを特徴とする請求項３乃至請求項７のいずれかに記載のインプリント方法。
13. 複数回の事前のインプリントにおいて、前記パターン形成領域に形成したパターン構造体をエッチングマスクとして前記ハードマスク材料層をエッチングしてハードマスクを形成し、該ハードマスクをエッチングマスクとして前記転写基板をエッチングして前記パターン形成領域に凹凸構造を形成し、前記パターン形成領域内の外縁部の中で、前記凹凸構造の凸部の幅寸法が前記モールドの該当する凹部の開口寸法よりも小さくなる傾向にある縮小傾向部位、および、前記凹凸構造の凸部の幅寸法が前記モールドの該当する凹部の開口寸法よりも大きくなる傾向にある拡大傾向部位を特定し、
    前記縮小傾向部位の近傍に位置するバランス層の被覆率が、前記拡大傾向部位の近傍に位置するバランス層の被覆率よりも大きくなるように、前記バランス層を形成することを特徴とする請求項３乃至請求項７のいずれかに記載のインプリント方法。
14. 前記モールドが有する前記凹凸構造の凹部の開口の寸法分布を特定し、
    前記転写基板の前記パターン形成領域内の外縁部のうち、前記モールドの前記凹部の開口寸法が小さい部位に対応する部位の近傍に位置するバランス層から前記パターン形成領域までの距離をＬ１、当該バランス層の外縁から前記パターン形成領域までの距離をＬ２とし、
    前記転写基板の前記パターン形成領域内の外縁部のうち、前記モールドの前記凹部の開口寸法が大きい部位に対応する部位の近傍に位置するバランス層から前記パターン形成領域までの距離をＬ１′、当該バランス層の外縁から前記パターン形成領域までの距離をＬ２′としたときに、
    Ｌ２′＜Ｌ２またはＬ１＜Ｌ１′の関係が成立するとともに、（Ｌ２′−Ｌ１′）＜（Ｌ２−Ｌ１）の関係が成立するように前記バランス層を形成することを特徴とする請求項３乃至請求項７のいずれかに記載のインプリント方法。
15. 前記モールドが有する前記凹凸構造の凹部の開口の寸法分布を特定し、
    前記転写基板の前記パターン形成領域内の外縁部のうち、前記モールドの前記凹部の開口寸法が小さい部位に対応する部位の近傍に位置するバランス層の被覆率が、前記転写基板の前記パターン形成領域内の外縁部のうち、前記モールドの前記凹部の開口寸法が大きい部位に対応する部位の近傍に位置するバランス層の被覆率よりも大きくなるように前記バランス層を形成することを特徴とする請求項３乃至請求項７のいずれかに記載のインプリント方法。
16. 転写基板としてシリコンウエハを使用し、該シリコンウエハの一方の面にパターン構造体を形成する複数のパターン形成領域を多面付けで設定し、
    ステップ／リピート方式で複数のパターン形成領域にパターン構造体を形成する段階で、あるいは、ステップ／リピート方式で複数のパターン形成領域にパターン構造体を形成した後に、前記シリコンウエハの複数のパターン形成領域が集合した領域の外側の領域に被成形樹脂を供給してバランス層を形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のインプリント方法。
17. 転写基板として欠陥検査が行われたシリコンウエハを使用し、該シリコンウエハの一方の面にパターン構造体を形成する複数のパターン形成領域を多面付けで設定するとともに、該パターン形成領域の中で所定のサイズの欠陥が存在する欠陥領域は、パターン構造体を形成する領域から除外し、
    ステップ／リピート方式で複数のパターン形成領域にパターン構造体を形成する段階で、あるいは、ステップ／リピート方式で複数のパターン形成領域にパターン構造体を形成した後に、前記シリコンウエハの複数のパターン形成領域が集合した領域の外側の領域、および、前記欠陥領域に被成形樹脂を供給してバランス層を形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のインプリント方法。
18. 前記パターン形成領域と前記バランス層とが離間する場合、離間距離が３００μｍ以下となるように前記バランス層を形成することを特徴とする請求項１６または請求項１７に記載のインプリント方法。
19. 前記パターン形成領域の外縁から前記バランス層の外縁までの最短距離が８００μｍ以上となるように前記バランス層を形成することを特徴とする請求項１６乃至請求項１８のいずれかに記載のインプリント方法。
20. パターン形成領域が周囲の領域よりも突出した凸構造部をなすメサ構造の転写基板を使用し、前記凸構造部の外側の前記転写基板に前記バランス層を形成することを特徴とする請求項１６乃至請求項１９のいずれかに記載のインプリント方法。
21. 凹凸構造を有する領域が周囲の領域よりも突出した凸構造部をなすメサ構造のモールドを使用し、前記転写基板の表面の前記モールドの前記凸構造部に対応する領域の外側に位置するように前記バランス層を形成することを特徴とする請求項１６乃至請求項１９のいずれかに記載のインプリント方法。
22. マスターモールドを使用してレプリカモールドを製造するインプリントモールドの製造方法において、
    一方の主面にハードマスク材料層を有するレプリカモールド用の転写基板を準備し、所望のマスターモールドを使用し、請求項３乃至請求項１５のいずれかに記載のインプリント方法で、レプリカモールド用の前記転写基板に凹凸構造を形成することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。

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