JP2018022722A - パターン構造体の製造方法およびインプリント用モールドの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 転写基板に高精度の凹凸構造を多面付けで安定して作製することができるパターン構造体の製造方法と、このパターン構造体の製造方法を用いたインプリント用モールドの製造方法を提供する。【解決手段】 ハードマスク材料層を備える転写基板のハードマスク材料層に、複数のインプリント領域で構成されるパターン形成領域を画定し、複数のインプリント領域から選択したインプリント領域にハードマスクを形成した後、他のインプリント領域にハードマスクを形成することを繰り返し、次いで、形成したハードマスクを介して転写基板をエッチングしてパターン形成領域に凹凸構造を形成するようにした。【選択図】 図５

Description

本発明は、インプリントにより転写基板にパターン構造体を形成するパターン構造体の製造方法と、このパターン構造体の製造方法を用いたインプリント用モールドの製造方法に関する。

近年、フォトリソグラフィ技術に代わる微細なパターン形成技術として、インプリント方法を用いたパターン形成技術が注目されている。インプリント方法は、微細な凹凸構造を備えた型部材（モールド）を用い、凹凸構造を被成形樹脂層に転写することで微細構造を等倍転写するパターン形成技術である。例えば、被成形樹脂組成物として光硬化性樹脂組成物を用いたインプリント方法では、転写基板の表面に光硬化性樹脂組成物の液滴を供給し、所望の凹凸構造を有するモールドと転写基板とを所定の距離まで近接させて凹凸構造内に光硬化性樹脂組成物を充填し、この状態でモールド側から光を照射して光硬化性樹脂組成物を硬化させ、その後、モールドを樹脂層から引き離すことにより、モールドが備える凹凸が反転した凹凸構造（凹凸パターン）を有するパターン構造体を形成する。
このようなインプリント方法では、モールドを樹脂層から引き離す際に静電気が発生してモールドが帯電し、このモールドに雰囲気中の異物等が静電吸着により付着し易くなるという問題があった。モールドに異物等が付着した状態でインプリントを行うと、パターン構造体の欠陥が生じ、さらに、モールドの破損等を生じるおそれがあった。これに対応するために、例えば、モールドの電位が所定値以上となった場合に、モールドの除電を行うこと（例えば、特許文献１）等が提案されている。尚、上記の異物とは、インクジェット方式で供給された液滴がミストとして漂い乾燥した固形物、インクジェットヘッド等のインプリント装置を構成する部材から生じる微粒子、インプリント装置内に存在する塵等、インプリントに関与することを目的としていない物質である。

また、インプリント方法として、同じモールドを使用し、転写基板に凹凸構造を多面付けで有するパターン構造体を製造することが行われている。このようなインプリント方法では、例えば、ステップ＆リピートで同じモールドを用いたインプリントを複数回行って、転写基板のハードマスク材料層上にレジストパターンを多面付けで形成し、その後、レジストパターンを介してハードマスク材料層をエッチングしてハードマスクを形成し、このハードマスクを介して転写基板のエッチングが行われる。このような転写基板への多面付けでの凹凸構造の形成では、複数回のインプリント間で転写基板の温度が変化し、また、この転写基板の温度変化の影響を受けてモールドの温度が変化する場合があり、これにより凹凸構造に膨張あるいは収縮等による寸法精度の低下が生じるという問題があった。これを防止するために、ステップ＆リピートにおいて、２つの連続してインプリントされるパターンが互いに隣接しないようにすることが提案されている（例えば、特許文献２）。

特開２００９−２８６０８５号公報 特開２００９−６５１３５号公報

しかしながら、上記のようなモールドの帯電は、同じモールドを使用し、ステップ＆リピートでインプリントを複数回行って、転写基板に凹凸構造を多面付けで形成する場合に、より顕著なものとなる。したがって、転写基板に凹凸構造を多面付けで有するパターン構造体の製造では、パターン構造体の欠陥や、モールドの破損等を生じるおそれがより高いものとなる。
また、転写基板に凹凸構造を多面付けで形成する従来のステップ＆リピートのインプリント工程では、インプリントに必要な種々の動作が各インプリント工程毎に繰り返されるので、既に形成された凹凸構造において異物付着等の欠陥が発生するおそれが高くなるという問題があった。
上記のような課題は、マスターモールドを用いたインプリントにより、凹凸構造領域を多面付けで備えるレプリカモールドを作製する場合においても、同様に生じる課題であり、高価なマスターモールドの損傷を防止する上で、上記の課題の解決が望まれている。
本発明は、上述のような実状に鑑みてなされたものであり、転写基板に高精度の凹凸構造を多面付けで安定して作製することができるパターン構造体の製造方法と、このパターン構造体の製造方法を用いたインプリント用モールドの製造方法を提供することを目的とする。

このような目的を達成するために、本発明のパターン構造体の製造方法は、ハードマスク材料層を備える転写基板の前記ハードマスク材料層に、複数のインプリント領域で構成されるパターン形成領域を画定し、複数の前記インプリント領域からインプリント対象のインプリント領域を選択する選択工程、インプリント対象の前記インプリント領域に、凹凸構造を有するモールドを用いてレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程、インプリント対象の前記インプリント領域を除く前記インプリント領域にエッチング保護用レジスト層を形成するエッチング保護用レジスト層形成工程、前記レジストパターンおよび前記エッチング保護用レジスト層を介して前記ハードマスク材料層をエッチングして、インプリント対象の前記インプリント領域のみにハードマスクを形成するエッチング工程、残存する前記レジストパターンおよび前記エッチング保護用レジスト層を除去する除去工程、を実行し、その後、既にハードマスクを形成したインプリント領域を除く複数の前記インプリント領域からインプリント対象のインプリント領域を選択し、前記レジストパターン形成工程、前記エッチング保護用レジスト層形成工程、前記エッチング工程、および、前記除去工程を実行することを繰り返すことにより、前記パターン形成領域の全てのインプリント領域にハードマスクを形成し、前記ハードマスクを介して前記転写基板をエッチングして前記パターン形成領域に凹凸構造を形成するような構成とした。

本発明の他の態様として、インプリント対象として１箇所のインプリント領域を選択するような構成とした。
本発明の他の態様として、インプリント対象として２箇所以上のインプリント領域を選択し、前記レジストパターン形成工程では、選択した２箇所以上のインプリント領域に凹凸構造を有するモールドを用いて順次レジストパターンを形成し、前記エッチング工程では、選択した２箇所以上の前記インプリント領域に同時にハードマスクを形成するような構成とした。

本発明の他の態様として、前記エッチング保護用レジスト層形成工程では、モールドを用いたインプリントにより前記エッチング保護用レジスト層を形成するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記ハードマスクを介した前記転写基板のエッチングでは、前記パターン形成領域を構成する複数のインプリント領域を同時にエッチングして前記パターン形成領域に凹凸構造を形成するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記転写基板は、周囲から突出した凸構造部を有するメサ構造であり、前記パターン形成領域は前記凸構造部の表面に位置するような構成とした。

本発明の他の態様として、前記レジストパターン形成工程では、前記転写基板の前記凸構造部の外側周囲の所定部位にバランスレジスト層を形成し、前記エッチング工程では、前記レジストパターン、前記エッチング保護用レジスト層、および、前記バランスレジスト層を介して前記ハードマスク材料層をエッチングするような構成とした。
本発明の他の態様として、前記エッチング保護用レジスト層形成工程では、前記転写基板の前記凸構造部の周囲の所定部位にバランスレジスト層を形成し、前記エッチング工程では、前記レジストパターン、前記エッチング保護用レジスト層、および、前記バランスレジスト層を介して前記ハードマスク材料層をエッチングするような構成とした。

本発明のインプリント用モールドの製造方法は、凹凸構造が位置する複数の凹凸構造単位領域を多面付けで有する凹凸構造領域を基材の一平面に備えるインプリント用モールドの製造方法であって、ハードマスク材料層を備えるモールド製造用の基材の前記ハードマスク材料層上に、複数の前記凹凸構造単位領域を多面付けで有する前記凹凸構造領域に対応するように、複数のインプリント領域で構成されるパターン形成領域を画定し、上述のいずれかのパターン構造体の製造方法によって、モールド製造用の基材の一平面に凹凸構造を形成するような構成とした。

本発明の他の態様として、前記モールド製造用の基材は、周囲から突出した凸構造部を有するメサ構造であり、前記凸構造部の表面に前記凹凸構造を形成するような構成とした。

本発明では、異物によるモールドの損傷を防止して、転写基板に高精度の凹凸構造を多面付けで有するパターン構造体を安定して作製することができる。また、異物によるマスターモールドの損傷を防止して、凹凸構造が位置する凹凸構造領域を多面付けで有するインプリント用モールドを高い精度で製造することができる。

図１は、本発明のパターン構造体の製造方法において使用する転写基板の一例を示す平面図である。 図２は、図１に示される転写基板のＩ−Ｉ線における断面図である。 図３は、本発明のパターン構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図であり、図１に示される転写基板の凸構造部とその周辺を示す部分平面図で示している。 図４は、本発明のパターン構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図であり、図１に示される転写基板の凸構造部とその周辺を示す部分平面図で示している。 図５は、本発明のパターン構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図であり、図１に示される転写基板の凸構造部とその周辺を示す部分平面図で示している。 図６は、本発明のパターン構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図であり、図１に示される転写基板の凸構造部とその周辺を示す部分平面図で示している。 図７は、本発明のパターン構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図であり、図１に示される転写基板の凸構造部とその周辺を示す部分平面図で示している。 図８は、本発明のパターン構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図であり、図１に示される転写基板の凸構造部とその周辺を示す部分平面図で示している。 図９は、本発明のパターン構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図であり、図２に示される転写基板の凸構造部とその周辺を示す部分断面図で示しており、図９（Ａ）は図３（Ａ）のII−II線における断面、図９（Ｃ）は図３（Ｂ）のIII−III線における断面を示している。 図１０は、本発明のパターン構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図であり、図２に示される転写基板の凸構造部とその周辺を示す部分断面図で示しており、図１０（Ｂ）は図４（Ａ）のIV−IV線における断面、図１０（Ｃ）は図５（Ａ）のＶ−Ｖ線における断面を示している。 図１１は、本発明のパターン構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図であり、図２に示される転写基板の凸構造部とその周辺を示す部分断面図で示しており、図１１（Ａ）は図５（Ｂ）のVI−VI線における断面、図１１（Ｂ）は図６（Ａ）のVII−VII線における断面、図１１（Ｃ）は図７（Ａ）のVIII−VIII線における断面、図１１（Ｄ）は図８のIX−IX線における断面を示している。 図１２は、凹凸構造を有するモールドを使用したエッチング保護用レジスト層の形成を説明する図である。 図１３は、本発明のパターン構造体の製造方法の他の実施形態を説明するための工程図であり、図１に示される転写基板の凸構造部とその周辺を示す部分平面図で示している。 図１４は、本発明のパターン構造体の製造方法の他の実施形態を説明するための工程図であり、図１に示される転写基板の凸構造部とその周辺を示す部分平面図で示している。 図１５は、本発明のパターン構造体の製造方法の他の実施形態を説明するための工程図であり、図１に示される転写基板の凸構造部とその周辺を示す部分平面図で示している。 図１６は、本発明のパターン構造体の製造方法の他の実施形態を説明するための工程図であり、図１に示される転写基板の凸構造部とその周辺を示す部分平面図で示している。 図１７は、本発明のパターン構造体の製造方法の他の実施形態を説明するための工程図であり、図２に示される転写基板の凸構造部とその周辺を示す部分断面図で示しており、図１７（Ａ）は図１５（Ｂ）のＸ−Ｘ線における断面、図１７（Ｂ）は図１６（Ｂ）のXI−XI線における断面を示している。 図１８は、本発明のパターン構造体の製造方法に使用するモールドの例を説明するための平面図である。 図１９は、本発明のパターン構造体の製造方法に使用する転写基板の例を説明するための平面図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
尚、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らず、また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。

［パターン構造体の製造方法］
図１は、本発明のパターン構造体の製造方法において使用する転写基板の一例を示す平面図であり、図２は、図１に示される転写基板のＩ−Ｉ線における断面図である。図１および図２において、転写基板１１は、基部１２と、この基部１２の一方の面１２ａに周囲から突出している凸構造部１４を有する、いわゆるメサ構造を備えている。また、基部１２の他方の面１２ｂには、凸構造部１４の平面視形状よりも広い面積の窪み部１５を有している。図１では、窪み部１５の周縁を一点鎖線で示している。
このような転写基板１１は、基部１２の面１２ａおよび凸構造部１４の表面１４ａをハードマスク材料層１７により被覆されている。
転写基板１１としては、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。これらの材料は、光透過性を有しており、凹凸構造を形成後の転写基板１１に光透過性が要求される場合には好適である。尚、転写基板１１が光透過性を具備することが要求されない場合には、製造したパターン構造体の使用目的等に応じて、従来公知の材料から適宜選択して使用することができる。

ハードマスク材料層１７は、例えば、クロム、タンタル、アルミニウム、モリブデン、チタン、ジルコニウム、タングステン等の金属、これらの金属の合金、酸化クロム、酸化チタン等の金属酸化物、窒化クロム、窒化チタン等の金属窒化物、ガリウム砒素等の金属間化合物等の１種、あるいは、２種以上の組み合わせからなるものであってよい。ハードマスク材料層１７の形成は、転写基板１１とのエッチング選択性を考慮して上記のような材料から選択した金属、金属化合物を用いて、スパッタリング法等の真空成膜法により行うことができる。
この転写基板１１は、凸構造部１４の表面１４ａに位置するハードマスク材料層１７に、複数のインプリント領域１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄで構成されるパターン形成領域１３が画定されている。図示例では、各インプリント領域１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄは正方形状であり、これらで構成されるパターン形成領域１３も正方形状であるが、形状はこれに限定されるものではない。また、図示例では、パターン形成領域１３を構成するインプリント領域の数が４箇所であるが、インプリント領域の数はこれに限定されるものではない。

次に、本発明のパターン構造体の製造方法について説明する。
（第１の実施形態）
図３〜図８は、本発明のパターン構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図であり、上記の転写基板１１を使用した例である。この図３〜図８は、転写基板１１の凸構造部１４とその周辺を示す部分平面図である。また、図９〜図１１は、本発明のパターン構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図であり、図３〜図８に示される転写基板１１の部分平面図の所定箇所における断面図である。
本発明のパターン構造体の製造方法に使用する転写基板１１は、上記のように、凸構造部１４の表面１４ａに位置するハードマスク材料層１７に、複数のインプリント領域１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄで構成されるパターン形成領域１３が画定されている。そして、選択工程にて、インプリント領域１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄから、インプリント対象としてインプリント領域１３Ａを選択し、このインプリント領域１３Ａにレジスト材料２１の液滴をインクジェット法等により滴下して供給する（図３（Ａ）、図９（Ａ））。使用するレジスト材料２１は、光硬化性、熱硬化性、あるいは、熱可塑性のレジスト材料から適宜選択することができる。尚、図９（Ａ）は図３（Ａ）のII−II線における断面図である。

次に、レジストパターン形成工程にて、凹凸構造３３を有するモールド３１と転写基板１１とを近接させて、インプリント領域１３Ａとモールド３１との間にレジスト材料２１の液滴を展開してレジスト材料層２２を形成する（図９（Ｂ））。図示例では、モールド３１は、基部３２と、この基部３２の一方の面３２ａに周囲から突出している凸構造部３４を有し、この凸構造部３４の表面３４ａに凹凸構造３３を有している。また、基部３２の他方の面３２ｂには、凸構造部３４の平面視形状よりも広い面積の窪み部３５を有している。次に、このレジスト材料層２２を硬化させた後にモールド３１を引き離すことにより、ハードマスク材料層１７のインプリント領域１３Ａにレジストパターン２４を形成する（図３（Ｂ）、図９（Ｃ））。尚、図３（Ｂ）では、便宜的にレジストパターン２４を細直線で示している。また、図９（Ｃ）は図３（Ｂ）のIII−III線における断面図である。

次いで、エッチング保護用レジスト層形成工程にて、インプリント対象のインプリント領域１３Ａを除くインプリント領域１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄにエッチング保護用レジスト層を形成する。図示例では、まず、インプリント領域１３Ｂにレジスト材料を供給し、平坦面４３を有するモールド４１を近接させ、レジスト材料層５２を形成する（図１０（Ａ））。モールド４１は、基部４２と、この基部４２の一方の面４２ａに周囲から突出している凸構造部４４を有し、この凸構造部４４の表面４４ａに平坦面４３を有している。次に、このレジスト材料層５２を硬化させた後にモールド４１を引き離すことにより、ハードマスク材料層１７のインプリント領域１３Ｂにエッチング保護用レジスト層５４を形成する（図４（Ａ）、図１０（Ｂ））。尚、図４（Ａ）では、便宜的にエッチング保護用レジスト層５４に斜線を付して示している。また、図１０（Ｂ）は図４（Ａ）のIV−IV線における断面図である。その後、ハードマスク材料層１７のインプリント領域１３Ｃ，１３Ｄに、同様にして、エッチング保護用レジスト層５４を形成する（図４（Ｂ））。このようなモールドを用いたインプリントによるエッチング保護用レジスト層５４の形成は、フォトリソグラフィ法によるエッチング保護用レジスト層５４の形成に比べて、インクジェットによる少量のレジスト材料供給で所望の厚みを有するエッチング保護用レジスト層５４の形成が可能である。

尚、エッチング保護用レジスト層５４を、ハードマスク材料層１７のインプリント領域１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄに形成する順序には特に制限はない。エッチング保護用レジスト層５４の形成において、モールド３１を使用せずに、モールド４１を使用することにより、モールド３１の帯電による異物付着やレジスト詰り等の欠陥が存在する状態でのインプリントを回避することができる。また、モールド４１が平坦面４３を有しており、モールド３１の凹凸構造３３に比べて表面積が小さく、複数回のインプリントを行っても、帯電による異物付着および発塵を生じるおそれが低いものとなる。
このようなエッチング保護用レジスト層５４は、後述するエッチング工程において、レジストパターン２４、エッチング保護用レジスト層５４を介してハードマスク材料層１７をエッチングしている間、インプリント領域１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄに位置するハードマスク材料層１７を保護可能な厚みを有するように形成する。尚、図４（Ｂ）においても、便宜的にエッチング保護用レジスト層５４に斜線を付して示している。

上記のハードマスク材料層１７のインプリント領域１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄへのエッチング保護用レジスト層５４の形成は、ハードマスク材料層１７のインプリント領域１３Ａへのレジストパターン２４の形成よりも先に行ってもよい。このように、エッチング保護用レジスト層５４の形成を先に行うことにより、その後のインプリント領域１３Ａにおけるモールド３１を用いたレジストパターンの形成において、エッチング保護用レジスト層５４が壁となり、レジスト材料２１の浸み出しが抑制される。これにより、形成されたレジストパターン２４の残膜（モールド３１と転写基板１１との間隙において形成される薄膜部）の厚みが均一なものとなる。
次に、エッチング工程にて、レジストパターン２４およびエッチング保護用レジスト層５４をエッチングマスクとして、ハードマスク材料層１７をドライエッチングし、除去工程にて、残存するレジストパターン２４およびエッチング保護用レジスト層５４を除去する（図５（Ａ）、図１０（Ｃ））。これにより、インプリント対象のインプリント領域１３Ａのみにハードマスク１８が形成され、他のインプリント領域１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄにはハードマスク材料層１７が残存した状態となる。尚、図５（Ａ）では、便宜的にハードマスク１８を太直線で示している。また、図１０（Ｃ）は図５（Ａ）のＶ−Ｖ線における断面図である。

その後、既にハードマスク１８を形成したインプリント領域１３Ａを除く複数のインプリント領域１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄから、インプリント対象としてインプリント領域１３Ｂを選択する。そして、上記のレジストパターン形成工程と同様にして、ハードマスク材料層１７のインプリント領域１３Ｂにレジストパターン２４を形成する（図５（Ｂ）、図１１（Ａ））。尚、図５（Ｂ）では、便宜的にレジストパターン２４を細直線で示している。また、図１１（Ａ）は図５（Ｂ）のVI−VI線における断面図である。
次いで、上記のエッチング保護用レジスト層形成工程と同様にして、既にハードマスク１８を形成したインプリント領域１３Ａにエッチング保護用レジスト層５４を形成する（図６（Ａ）、図１１（Ｂ））。尚、図６（Ａ）では、便宜的にエッチング保護用レジスト層５４に斜線を付し、このエッチング保護用レジスト層５４で被覆されたハードマスク１８を便宜的に太鎖線で示している。また、図１１（Ｂ）は図６（Ａ）のVII−VII線における断面図である。その後、ハードマスク材料層１７のインプリント領域１３Ｃ，１３Ｄに、同様にして、エッチング保護用レジスト層５４を形成する（図６（Ｂ））。但し、エッチング保護用レジスト層５４を、ハードマスク材料層１７のインプリント領域１３Ａ，１３Ｃ，１３Ｄに形成する順序には特に制限はない。また、上記のハードマスク材料層１７のインプリント領域１３Ａ，１３Ｃ，１３Ｄへのエッチング保護用レジスト層５４の形成は、ハードマスク材料層１７のインプリント領域１３Ｂへのレジストパターン２４の形成よりも先に行ってもよく、この場合、上記と同様に、その後、インプリント領域１３Ｂに形成されるレジストパターン２４の残膜の厚みが均一なものとなる。尚、図６（Ｂ）においても、便宜的にエッチング保護用レジスト層５４に斜線を付して示している。

次に、上記のエッチング工程、除去工程と同様にして、インプリント対象のインプリント領域１３Ｂのみにハードマスク１８を形成し、インプリント領域１３Ａには既に形成したハードマスク１８をそのまま存在させ、他のインプリント領域１３Ｃ，１３Ｄにはハードマスク材料層１７を残存させる（図７（Ａ）、図１１（Ｃ））。尚、図７（Ａ）では、便宜的にハードマスク１８を太直線で示している。また、図１１（Ｃ）は図７（Ａ）のVIII−VIII線における断面図である。
同様に、既にハードマスク１８を形成したインプリント領域１３Ａ，１３Ｂを除く複数のインプリント領域１３Ｃ，１３Ｄから、インプリント対象としてインプリント領域１３Ｃを選択し、上記のレジストパターン形成工程、エッチング保護用レジスト層形成工程、エッチング工程、および、除去工程を実行することを繰り返す。さらに、残ったインプリント領域１３Ｄに、上記のレジストパターン形成工程、エッチング保護用レジスト層形成工程、エッチング工程、および、除去工程を実行することを繰り返す。これにより、パターン形成領域１３の全てのインプリント領域１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄにハードマスク１８を形成する（図７（Ｂ））。図７（Ｂ）では、便宜的にハードマスク１８を太直線で示している。尚、インプリント対象としてのインプリント領域の選択順は、上記の順序（１３Ａ⇒１３Ｂ⇒１３Ｃ⇒１３Ｄ）に限定されるものではない。

次に、ハードマスク１８を介して転写基板１１をエッチングし、残存するハードマスク１８を除去して、パターン形成領域１３に凹凸構造１６を形成する（図８、図１１（Ｄ））。尚、図８では、便宜的に、斜線を付した太直線で凹凸構造１６を示している。図１１（Ｄ）は図８のIX−IX線における断面図である。これにより、転写基板１１に凹凸構造１６を多面付けで有するパターン構造体１が得られる。
このように、ハードマスク１８を介して転写基板１１をエッチングして、パターン形成領域１３の４箇所のインプリント領域１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄに同時に凹凸構造１６を形成することにより、４箇所のインプリント領域における凹凸構造の凹部深さが均一なものとなる。

（第２の実施形態）
本発明のパターン構造体の製造方法は、ハードマスク１８を介して転写基板１１をエッチングして、４箇所のインプリント領域１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄに同時に凹凸構造１６を形成するのではなく、１箇所のインプリント領域にハードマスク１８を形成した後、さらに、当該インプリント領域において、形成したハードマスク１８を介して転写基板１１をエッチングして凹凸構造１６を形成する段階まで実施してもよい。このように、４箇所のインプリント領域１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄからインプリント対象のインプリント領域を選択する毎に、転写基板１１に凹凸構造１６を形成する実施形態は、インプリント領域毎に凹凸構造１６のパターンが異なり、それぞれのエッチング条件を設定する必要がある場合に有効である。

（第３の実施形態）
本発明のパターン構造体の製造方法は、モールド３１を用いたレジストパターン２４の形成において、モールド３１の帯電量が高くならず、静電吸着による異物付着の可能性が低い場合には、モールド３１を使用してエッチング保護用レジスト層を形成してもよい。図１２は、モールド３１を使用するエッチング保護用レジスト層の形成を説明する図である。この場合、インプリント領域１３Ｂにレジスト材料を供給し、モールド３１を近接させ、レジスト材料層５２を形成する（図１２（Ａ））。次に、このレジスト材料層５２を硬化させた後にモールド３１を引き離すことにより、ハードマスク材料層１７のインプリント領域１３Ｂにエッチング保護用レジスト層５４′を形成する（図１２（Ｂ））。その後、ハードマスク材料層１７のインプリント領域１３Ｃ，１３Ｄに、同様にして、エッチング保護用レジスト層５４′を形成する。形成したエッチング保護用レジスト層５４′は、モールド３１が備える凹凸構造３３を反転させた凹凸構造を表面に有している。そして、エッチング保護用レジスト層５４′は、エッチング工程において、レジストパターン２４、エッチング保護用レジスト層５４′を介してハードマスク材料層１７をエッチングしている間、インプリント領域１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄに位置するハードマスク材料層１７を保護可能な厚膜のレジスト層とする。

このように、エッチング保護用レジスト層の形成にモールド３１を使用する場合、インプリント対象としてインプリント領域１３Ａにレジストパターン２４を形成する工程と、インプリント領域１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄにエッチング保護用レジスト層５４′を形成する工程において、モールドを交換する必要がないという利点がある。また、ハードマスク材料層１７のインプリント領域１３Ａへのレジストパターン２４の形成を行った後、ハードマスク材料層１７のインプリント領域１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄへのエッチング保護用レジスト層５４′の形成を行うことにより、仮に、レジストパターン２４の形成でモールド３１に帯電による異物付着やレジスト詰り等が生じたとしても、厚膜のレジスト層となるようにエッチング保護用レジスト層５４′を形成するので、モールド３１に存在する欠陥が影響しないという利点がある。また、逆に、モールド３１を使用してインプリント領域１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄへのエッチング保護用レジスト層５４′の形成を行った後、モールド３１を使用してインプリント対象であるインプリント領域１３Ａへのレジストパターン２４の形成を行う場合、エッチング保護用レジスト層５４′を形成するインプリント工程を、モールド３１へ離型剤を付着させるプライミングのインプリントを兼ねさせることができる利点がある。

（第４の実施形態）
本発明のパターン構造体の製造方法は、２箇所以上のインプリント領域に同時にハードマスクを形成してもよい。すなわち、インプリント対象として２箇所以上のインプリント領域を選択し、レジストパターン形成工程では、選択した２箇所以上のインプリント領域にレジストパターンを形成し、エッチング工程では、選択した２箇所以上のインプリント領域に同時にハードマスクを形成することができる。図１３、図１４は、このような実施形態を説明するための工程図であり、上記の転写基板１１を使用した例である。この図１３、図１４は、図３〜図８と同様に、転写基板１１の凸構造部１４とその周辺を示す部分平面図である。

選択工程において、２箇所以上のインプリント領域をインプリント対象として選択する際に、インプリント対象として選択した１箇所のインプリント領域に対して最も隣接するインプリント領域は選択対象から外すものとする。これは、選択した１箇所のインプリント領域におけるモールドを用いたレジストパターンの形成において、レジスト材料の浸み出しが生じた場合、最も隣接するインプリント領域におけるレジストパターンの形成への影響を最も大きいので、これを防止するためである。そして、このように、インプリント対象として選択した１箇所のインプリント領域に対して最も隣接するインプリント領域を選択対象から外すことにより、上述のように、インプリント対象ではないインプリント領域にエッチング保護用レジスト層を先に形成し、その後、２箇所以上のインプリント領域にモールドを用いてレジストパターンを形成する際に、エッチング保護用レジスト層が、レジスト材料の浸み出しを抑制する壁として効果的に作用する。したがって、図示例では、４箇所のインプリント領域１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄから、２箇所のインプリント領域をインプリント対象として選択する場合、まず、インプリント領域１３Ａを選択すると、インプリント領域１３Ｂ，１３Ｃは選択対象から外れ、インプリント領域１３Ｄが２箇所目のインプリント対象として選択される。

次に、上記のレジストパターン形成工程と同様にして、インプリント対象として選択したインプリント領域１３Ａ，１３Ｄに、順次レジストパターン２４を形成する（図１３（Ａ））。尚、図１３（Ａ）では、便宜的にレジストパターン２４を細直線で示している。ハードマスク材料層１７の２箇所のインプリント領域１３Ａ，１３Ｄへのレジストパターン２４の形成順は特に制限はない。
次いで、上記のエッチング保護用レジスト層形成工程と同様にして、ハードマスク材料層１７のインプリント領域１３Ｂ，１３Ｃに、エッチング保護用レジスト層５４を形成する（図１３（Ｂ））。エッチング保護用レジスト層５４をインプリント領域１３Ｂ，１３Ｃに形成する順序には特に制限はない。また、上記のハードマスク材料層１７のインプリント領域１３Ｂ，１３Ｃへのエッチング保護用レジスト層５４の形成は、ハードマスク材料層１７のインプリント領域１３Ａ，１３Ｄへのレジストパターン２４の形成よりも先に行ってもよく、この場合、上記のように、インプリント領域１３Ａ，１３Ｄにおけるレジスト材料の浸み出しが抑制され、インプリント領域１３Ａ，１３Ｄに形成されたレジストパターン２４の残膜の厚みが均一なものとなる。尚、図１３（Ｂ）では、便宜的にエッチング保護用レジスト層５４に斜線を付して示している。

次に、上記のエッチング工程、除去工程と同様にして、インプリント対象のインプリント領域１３Ａ，１３Ｄのみにハードマスク１８を形成し、他のインプリント領域１３Ｂ，１３Ｃにはハードマスク材料層１７を残存させる（図１４（Ａ））。尚、図１４（Ａ）では、便宜的にハードマスク１８を太直線で示している。
その後、既にハードマスク１８を形成したインプリント領域１３Ａ，１３Ｄを除く複数のインプリント領域から、インプリント対象としてインプリント領域を選択する。図示例では、インプリント領域１３Ｂ，１３Ｃが残されているので、インプリント領域１３Ｂ，１３Ｃをインプリント対象とする。そして、上記のレジストパターン形成工程と同様にして、インプリント対象のインプリント領域１３Ｂ，１３Ｃにレジストパターン２４を形成する。また、既にハードマスク１８を形成したインプリント領域１３Ａ，１３Ｄにエッチング保護用レジスト層５４を形成する（図１４（Ｂ））。尚、図１４（Ｂ）では、便宜的にレジストパターン２４を細直線で示し、エッチング保護用レジスト層５４に斜線を付し、このエッチング保護用レジスト層５４で被覆されたハードマスク１８を太鎖線で示している。その後、上記のエッチング工程、および、除去工程を実行することを繰り返す。これにより、パターン形成領域１３の全てのインプリント領域１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄにハードマスク１８を形成する。（図７（Ｂ）参照）。尚、インプリント対象としてのインプリント領域の選択順は、上記の順序（１３Ａ，１３Ｄ⇒１３Ｂ，１３Ｃ）に限定されず、逆の選択順であってもよい。また、パターン形成領域１３を構成するインプリント領域の数が多い場合、同時にハードマスクを形成するインプリント領域の数は３箇所以上であってもよい。

次に、ハードマスク１８を介して転写基板１１をエッチングして、パターン形成領域１３に凹凸構造を形成して、パターン構造体１が得られる（図８参照）。
上記のような２箇所以上のインプリント領域に同時にハードマスクを形成する実施形態においても、モールド３１を用いたインプリントにおける帯電量が高くならず、静電吸着による異物付着の可能性が低い場合には、平坦面４３を有するモールド４１に代えて、モールド３１を使用してエッチング保護用レジスト層を形成してもよい。
この実施形態においても、２箇所以上のインプリント領域に同時にハードマスク１８を形成した後、さらに、当該インプリント領域において、形成したハードマスク１８を介して転写基板１１をエッチングして凹凸構造１６を形成する段階まで実施してもよい。

（第５の実施形態）
本発明のパターン構造体の製造方法は、凸構造部１４を備えたメサ構造の転写基板１１の凸構造部１４の外側周囲の所定部位に被覆レジスト層を形成するものであってもよい。図１５〜図１７は、このような実施形態を説明するための工程図であり、上記の転写基板１１を使用した例である。図１５、図１６は、図３〜図８と同様に、転写基板１１の凸構造部１４とその周辺を示す部分平面図であり、また、図１７は、図１５、図１６に示される転写基板１１の部分平面図の所定箇所における断面図である。
この実施形態では、選択工程にて、インプリント領域１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄから、インプリント対象として例えばインプリント領域１３Ａを選択する。

次に、第１の実施形態におけるレジストパターン形成工程と同様に、まず、インプリント対象として選択したインプリント領域１３Ａにレジスト材料２１の液滴をインクジェット法等により滴下して供給する。そして、本実施形態では、転写基板１１の凸構造部１４の外側周囲の基部１２において、環状にレジスト材料を供給して、被覆レジスト層２６を形成する（図１５（Ａ））。インプリント領域１３Ａに供給するレジスト材料２１と、被覆レジスト層２６を形成するためのレジスト材料は同じであってもよく、また、異なるものであってもよい。その後、第１の実施形態と同様に、モールド３１を使用してインプリント領域１３Ａにレジストパターン２４を形成する。また、転写基板１１の凸構造部１４の外側周囲に形成した環状の被覆レジスト層２６を硬化させて、バランスレジスト層２７とする（図１５（Ｂ）、図１７（Ａ））。尚、図１７（Ａ）は図１５（Ｂ）のＸ−Ｘ線における断面図である。
次に、第１の実施形態におけるエッチング保護用レジスト層形成工程と同様に、インプリント対象のインプリント領域１３Ａを除くインプリント領域１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄにエッチング保護用レジスト層５４を形成する（図１６（Ａ））。

次いで、第１の実施形態におけるエッチング工程、および、除去工程と同様にして、インプリント領域１３Ａにハードマスク１８を形成し、他のインプリント領域１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄにハードマスク材料層１７を残存させるとともに、上記の環状のバランスレジスト層２７に対応したバランスハードマスク層１９を、転写基板１１の凸構造部１４の外側周囲の基部１２に形成する（図１６（Ｂ）、図１７（Ｂ））。尚、図１７（Ｂ）は図１６（Ｂ）のXI−XI線における断面図である。図１６（Ｂ）では、便宜的にハードマスク１８を太直線で示している。
このハードマスク１８の形成では、レジストパターン形成工程において形成したレジストパターン２４、バランスレジスト層２７、および、エッチング保護用レジスト層形成工程で形成されたエッチング保護用レジスト層５４をエッチングマスクとして、ハードマスク材料層１７をドライエッチングする。このエッチング工程では、凸構造部１４の外側周囲に形成した環状のバランスレジスト層２７の存在により、凸構造部１４に位置するハードマスク材料層１７のエッチングにおけるマイクロローディング効果（レジストパターンの開口面積や開口率が小さくなるほどエッチング速度が低下する）の影響が均一化され、インプリント領域１３Ａにおけるエッチングが均一に安定して行われる。

その後、既にハードマスク１８を形成したインプリント領域１３Ａを除く複数のインプリント領域１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄに、第１の実施形態と同様に、順次ハードマスク１８の形成を繰り返す。これにより、パターン形成領域１３の全てのインプリント領域１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄにハードマスク１８を形成する（図１７（Ｃ））。但し、インプリント領域１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄにおけるレジストパターン形成工程では、インプリント対象として選択したインプリント領域へレジスト材料２１を供給するとともに、インプリント領域１３Ａへのハードマスク１８の形成と同時に形成されている上記のバランスハードマスク層１９を被覆するように、凸構造部１４の外側周囲に環状にレジスト材料を供給して、被覆レジスト層２６を形成する。そして、レジストパターン２４を形成するとともに、環状の被覆レジスト層２６を硬化させて、バランスレジスト層２７とする。このようにバランスハードマスク層１９を被覆したバランスレジスト層２７の存在により、インプリント領域１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄへのハードマスク１８の形成におけるエッチング工程でも、エッチングが均一に安定して行われる。また、インプリント領域１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄにハードマスク１８を形成するエッチング工程において、バランスハードマスク層１９はバランスレジスト層２７によりエッチングから保護されるので、パターン形成領域１３の全てのインプリント領域１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄにハードマスク１８が形成された段階で、凸構造部１４の外側周囲の基部１２に環状のバランスハードマスク層１９が位置するものとなる。

次に、ハードマスク１８を介して転写基板１１をエッチングし、残存するハードマスク１８を除去して、パターン形成領域１３に凹凸構造１６を形成する（図１７（Ｄ））。この転写基板１１のエッチングでは、凸構造部１４の外側周囲に位置する環状のバランスハードマスク層１９の存在により、凸構造部１４のエッチングにおけるマイクロローディング効果の影響が均一化され、パターン形成領域１３におけるエッチングが均一に安定して行われる。これにより、転写基板１１に多面付けで凹凸構造１６を有するパターン構造体１′が得られる。

このように、ハードマスク１８を介して転写基板１１をエッチングして、パターン形成領域１３の４箇所のインプリント領域１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄに同時に凹凸構造１６を形成することにより、４箇所のインプリント領域における凹凸構造の凹部深さが均一なものとなる。尚、転写基板１１に多面付けで凹凸構造１６を有する上記のパターン構造体１′は、凸構造部１４の外側周囲に、バランスハードマスク層１９の存在によりエッチングから保護されて形成された環状の凸部を備えるが、凹凸構造１６は凸構造部１４の表面１４ａに位置しているので、後述するインプリント用モールドの製造方法において形成したモールドであっても、環状の凸部がインプリントに支障を来すことはない。
また、ハードマスク１８を介した転写基板１１のエッチング後、残存するハードマスク１８を除去する際に、凸構造部１４の外側周囲に存在するバランスハードマスク層１９をそのまま残存させて、例えば、遮光膜等の所望の機能を発現する部材としてもよい。バランスハードマスク層１９を遮光膜とする場合、上述のように、転写基板１１の凸構造部１４の外側周囲の基部１２に環状の被覆レジスト層２６を形成（図１５（Ａ）参照）する際に、凸構造部１４の近傍、あるいは、凸構造部１４の側壁に接触するように被覆レジスト層２６を形成し、これにより、凸構造部１４の際までバランスハードマスク層１９を存在させることが好ましい。

上記の例では、転写基板１１の凸構造部１４の外側周囲への環状の被覆レジスト層２６の形成は、インプリント対象のインプリント領域１３Ａへのレジストパターン２４の形成時に行っているが、インプリント対象のインプリント領域１３Ａを除くインプリント領域１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄへのエッチング保護用レジスト層５４の形成時に行ってもよい。
また、上記の例では、転写基板１１の凸構造部１４の外側周囲に形成される被覆レジスト層２６は、連続した環状であるが、被覆レジスト層２６は不連続箇所を有するものであってもよい。凸構造部１４の外側周囲において、少なくとも、ハードマスク材料層１７をエッチングしてハードマスク１８を形成するインプリント領域が位置する凸構造部１４の周辺に、被覆レジスト層２６を設けておくことで、ハードマスク材料層１７をドライエッチングする際の、周囲のインプリント領域に存在するエッチング保護用レジスト層５４の存在量に依存するエッチング速度のバラツキを低減することができる。特に、エッチング対象のハードマスク材料層１７の中で、周囲のインプリント領域に存在するエッチング保護用レジスト層５４の近傍の部位、および、凸構造部１４の周縁部近傍の部位におけるエッチング速度と、ハードマスク材料層１７の他の部位におけるエッチング速度とのバラツキを低減することができる。

上述のような本発明のパターン構造体の製造方法では、各インプリント領域において、レジストパターンの形成で留めず、ハードマスクの形成まで行うので、形成されたハードマスクは、レジストパターンに比べて異物付着等による欠陥発生を生じ難く、転写基板に高精度の凹凸構造を多面付けで有するパターン構造体を安定して作製することができる。
上述のパターン構造体の製造方法は例示であり、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
例えば、上述の実施形態において使用するモールド３１を、図１８に示すように、凸構造部３４の周囲の四隅にアライメントマーク６１を備えたものとし、また、転写基板１１を、図１９に示すように、凸構造部３４の周囲に、各インプリント領域１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄに対応したアライメントマーク６５を備えたものとしてもよい。そして、レジストパターン形成工程において、インプリント対象のインプリント領域、例えば、図１９に示されるインプリント領域１３Ａに対するモールド３１を用いたインプリントでは、転写基板１１が有するアライメントマーク６５の中の○で囲んだ３箇所のアライメントマーク６５と、モールド３１の４箇所のアライメントマーク６１とを用いて位置合わせを行ってもよい。尚、上述の第５の実施形態のように、転写基板１１の凸構造部１４の外側周囲の基部１２に被覆レジスト層２６を形成する場合には、上記のアライメントマーク６５が設けられている位置よりも外側に被覆レジスト層２６を形成する。

［インプリント用モールドの製造方法］
本発明のインプリント用モールドの製造方法は、凹凸構造が位置する複数の凹凸構造単位領域を多面付けで有する凹凸構造領域を基材の一平面に備えるインプリント用モールドの製造方法である。
本発明のインプリント用モールドの製造方法では、上述の転写基板１１のように、ハードマスク材料層１７を備える基材をモールド製造用の基材として使用する。尚、モールド製造用の基材は、上述の転写基板１１のように、周囲から突出した凸構造部１４を具備するメサ構造であってよく、また、凸構造部１４を具備していないものであってもよい。さらに、モールド製造用の基材は、上述の転写基板１１のように、裏面側に窪み部１５を具備するものであってよく、また、窪み部１５を具備していないものであってもよい。

このようなモールド製造用の基材のハードマスク材料層１７上に、複数の凹凸構造単位領域を多面付けで有する凹凸構造領域に対応させて、複数のインプリント領域で構成されるパターン形成領域を画定する（図１参照）。そして、上述の本発明のパターン構造体の製造方法によって、モールド製造用の基材の一平面に凹凸構造を形成する（図３〜図８、図９〜図１１参照）。これにより、インプリント用モールドを作製することができる（図１１（Ｄ）、図１７（Ｄ）参照）。

インプリント法に使用するレプリカモールド等、微細な凹凸構造を多面付けで有するパターン構造体の形成を必要とする種々の加工に利用可能である。

１，１′…パターン構造体
１１…転写基板
１２…基材
１３…パターン形成領域
１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ…インプリント領域
１４…凸構造部
１４ａ…凸構造部の表面
１５…窪み部
１６…凹凸構造
１７…ハードマスク材料層１７
１８…ハードマスク
１９…バランスハードマスク層
２１…レジスト材料
２２…レジスト材料層
２４…レジストパターン
２６…被覆レジスト層
２７…バランスレジスト層
３１…モールド
３３…凹凸構造
３４…凸構造部
４１…モールド
４４…凸構造部
５４…エッチング保護用レジスト層

Claims (10)

1. ハードマスク材料層を備える転写基板の前記ハードマスク材料層に、複数のインプリント領域で構成されるパターン形成領域を画定し、
   複数の前記インプリント領域からインプリント対象のインプリント領域を選択する選択工程、インプリント対象の前記インプリント領域に、凹凸構造を有するモールドを用いてレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程、インプリント対象の前記インプリント領域を除く前記インプリント領域にエッチング保護用レジスト層を形成するエッチング保護用レジスト層形成工程、前記レジストパターンおよび前記エッチング保護用レジスト層を介して前記ハードマスク材料層をエッチングして、インプリント対象の前記インプリント領域のみにハードマスクを形成するエッチング工程、残存する前記レジストパターンおよび前記エッチング保護用レジスト層を除去する除去工程、を実行し、
   その後、既にハードマスクを形成したインプリント領域を除く複数の前記インプリント領域からインプリント対象のインプリント領域を選択し、前記レジストパターン形成工程、前記エッチング保護用レジスト層形成工程、前記エッチング工程、および、前記除去工程を実行することを繰り返すことにより、前記パターン形成領域の全てのインプリント領域にハードマスクを形成し、
   前記ハードマスクを介して前記転写基板をエッチングして前記パターン形成領域に凹凸構造を形成することを特徴とするパターン構造体の製造方法。
2. インプリント対象として１箇所のインプリント領域を選択することを特徴とする請求項１に記載のパターン構造体の製造方法。
3. インプリント対象として２箇所以上のインプリント領域を選択し、前記レジストパターン形成工程では、選択した２箇所以上のインプリント領域に凹凸構造を有するモールドを用いて順次レジストパターンを形成し、前記エッチング工程では、選択した２箇所以上の前記インプリント領域に同時にハードマスクを形成することを特徴とする請求項１に記載のパターン構造体の製造方法。
4. 前記エッチング保護用レジスト層形成工程では、モールドを用いたインプリントにより前記エッチング保護用レジスト層を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のパターン構造体の製造方法。
5. 前記ハードマスクを介した前記転写基板のエッチングでは、前記パターン形成領域を構成する複数のインプリント領域を同時にエッチングして前記パターン形成領域に凹凸構造を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のパターン構造体の製造方法。
6. 前記転写基板は、周囲から突出した凸構造部を有するメサ構造であり、前記パターン形成領域は前記凸構造部の表面に位置することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のパターン構造体の製造方法。
7. 前記レジストパターン形成工程では、前記転写基板の前記凸構造部の外側周囲の所定部位にバランスレジスト層を形成し、前記エッチング工程では、前記レジストパターン、前記エッチング保護用レジスト層、および、前記バランスレジスト層を介して前記ハードマスク材料層をエッチングすることを特徴とする請求項６に記載のパターン構造体の製造方法。
8. 前記エッチング保護用レジスト層形成工程では、前記転写基板の前記凸構造部の周囲の所定部位にバランスレジスト層を形成し、前記エッチング工程では、前記レジストパターン、前記エッチング保護用レジスト層、および、前記バランスレジスト層を介して前記ハードマスク材料層をエッチングすることを特徴とする請求項６に記載のパターン構造体の製造方法。
9. 凹凸構造が位置する複数の凹凸構造単位領域を多面付けで有する凹凸構造領域を基材の一平面に備えるインプリント用モールドの製造方法において、
   ハードマスク材料層を備えるモールド製造用の基材の前記ハードマスク材料層上に、複数の前記凹凸構造単位領域を多面付けで有する前記凹凸構造領域に対応するように、複数のインプリント領域で構成されるパターン形成領域を画定し、請求項１乃至請求８のいずれかに記載のパターン構造体の製造方法によって、モールド製造用の基材の一平面に凹凸構造を形成することを特徴とするインプリント用モールドの製造方法。
10. 前記モールド製造用の基材は、周囲から突出した凸構造部を有するメサ構造であり、前記凸構造部の表面に前記凹凸構造を形成することを特徴とする請求項９に記載のインプリント用モールドの製造方法。

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