JP2018098470A - パターン形成方法及びレプリカモールドの製造方法 - Google Patents
パターン形成方法及びレプリカモールドの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018098470A JP2018098470A JP2016244896A JP2016244896A JP2018098470A JP 2018098470 A JP2018098470 A JP 2018098470A JP 2016244896 A JP2016244896 A JP 2016244896A JP 2016244896 A JP2016244896 A JP 2016244896A JP 2018098470 A JP2018098470 A JP 2018098470A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- inversion layer
- forming material
- convex
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
まず、第1面11A及びそれに対向する第2面11Bを有する基部11及び基部11の第1面11A上に設定されたパターン領域内に形成されている凹凸パターン12を具備するマスターモールド10と、第1面21A及びそれに対向する第2面21Bを有する基部21及び基部21の第1面21A側における平面視略中央部に位置し、当該第1面21Aから突出する凸構造部22を具備するレプリカモールド用基板20とを準備する(図1(A)参照)。
次に、レプリカモールド用基板20の凸構造部22(ハードマスク層23)上に、インクジェット法によりインプリント樹脂30の液滴を離散的に供給する(図1(B)参照)。インプリント樹脂30の液滴は、マスターモールド10の凹凸パターン12のパターン密度等に応じて凸構造部22(ハードマスク層23)上に配置される。
次に、レプリカモールド用基板20の凸構造部22(ハードマスク層23)上に形成されたレジストパターン31上に、レジストパターン31の凹凸パターン32を被覆するように反転層形成材料を塗布し、反転層41を形成する(図2(A)参照)。
レジストパターン31上に形成された反転層41に上方から平板50を押し当てた状態で、紫外線等の活性エネルギー線を照射することで、当該反転層41を硬化させる(図2(B)参照)。図5及び図6に示すように、レジストパターン31上にインクジェット法又は有版印刷法により反転層形成材料の液滴を供給すると、反転層形成材料の液滴は、レジストパターン31の凹凸パターン32の凹部に充填されるように毛管力で自然に濡れ広がるものの、レジストパターン31上において部分的に反転層形成材料の存在しない領域も形成され得る。そこで、レジストパターン31に供給された反転層形成材料の液滴に平板50を接触させることで、反転層形成材料をレジストパターン31上に濡れ広げることができるとともに、反転層41の上面を平滑化することができる。
上述のようにして形成された反転層41は、レジストパターン31の凹凸パターン32の凹部に充填されているとともに、凸部上にも存在する。この凸部上に存在する反転層41を除去して凸部の頂部を露出させるとともに、凹部に充填されている反転層41を残存させるように、反転層41をエッチングする(図2(C)参照)。
上記反転層パターン42をマスクとして用い、例えば、塩素系(Cl2+O2)のエッチングガスを用いるドライエッチング処理によりレプリカモールド用基板20の凸構造部22上に形成されているハードマスク層23をエッチングして、ハードマスクパターン24を形成する(図3(A)参照)。その後、反転層パターン42及び残存するレジストパターン31をウェットエッチング等により除去する(図3(B)参照)。
最後に、ハードマスクパターン24をマスクとしてレプリカモールド用基板20にドライエッチング処理を施し、凸構造部22上に凹凸パターン2を形成し、ハードマスクパターン24を除去する。このようにして、レプリカモールド1が製造される(図3(C)参照)。
第1面11A及びそれに対向する第2面11Bを有する基部11と、第1面11Aに形成された凹凸パターン12とを有するマスターモールド10と、第1面21A及びそれに対向する第2面21Bを有する基部21と、第1面21Aから突出する凸構造部22と、凸構造部22上に設けられた金属クロムからなるハードマスク層23とを具備する、石英ガラスからなるレプリカモールド用基板20とを準備した。レプリカモールド用基板20の凸構造部22(ハードマスク層23)上に紫外線硬化性樹脂30の液滴をインクジェット法により供給し、当該紫外線硬化性樹脂30の液滴にマスターモールド10を押し当てて凹凸パターン32を転写した。
反転層形成材料をインクジェット法により供給した以外は、比較例1と同様にして反転層形成材料を硬化させた。硬化後の反転層形成材料を顕微鏡にて観察したところ、凸構造部22(ハードマスク層23)上に平坦な反転層41が形成されていることが確認された。
反転層形成材料を孔版印刷により塗布した以外は、比較例1と同様にして反転層形成材料を硬化させた。硬化後の反転層形成材料を顕微鏡にて観察したところ、凸構造部22(ハードマスク層23)上に平坦な反転層41が形成されていることが確認された。
反転層形成材料をダイコート法により塗布した以外は、比較例1と同様にして反転層形成材料を硬化させた。硬化後の反転層形成材料を顕微鏡にて観察したところ、凸構造部22(ハードマスク層23)上に平坦な反転層41が形成されていることが確認された。
2…凹凸パターン
10…マスターモールド
11…基部
11A…第1面
11B…第2面
12…凹凸パターン
20…レプリカモールド用基板
21…基部
21A…第1面
21B…第2面
22…凸構造部
23…ハードマスク層
24…ハードマスクパターン
31…レジストパターン
41…反転層
42…反転層パターン
50…平板
Claims (14)
- 第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する基部、並びに前記基部の前記第1面から突出する凸構造部を有する基板を準備する工程と、
複数の凹部及び凸部を含む凹凸パターンを有するレジスト層を、前記基板の前記凸構造部上に形成する工程と、
前記凹凸パターンを被覆するように前記レジスト層上に反転層形成材料を塗布することで、前記レジスト層上に反転層を形成する工程と、
前記凹凸パターンの前記凹部に前記反転層を埋設させた状態で、前記凸部の頂部を露出させるように前記反転層をエッチングする工程と、
エッチングされた前記反転層をマスクとして前記レジスト層をエッチングすることで、前記凸構造部上に反転層パターンを形成する工程と
を備える、パターン形成方法。 - 前記レジスト層上に前記反転層形成材料をインクジェット法により塗布する、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記反転層形成材料の25℃における粘度が、1mPa・s〜30Pa・sである、請求項2に記載のパターン形成方法。
- 前記レジスト層上に前記反転層形成材料を有版印刷により塗布する、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記反転層形成材料の25℃における粘度が、1Pa・s〜500Pa・sである、請求項4に記載のパターン形成方法。
- 前記有版印刷が、孔版印刷であり、
前記孔版印刷に用いられる版の厚みが5μm〜200μmであり、当該版の開孔率が10%〜40%である、請求項4又は5に記載のパターン形成方法。 - 前記版の開孔部の形状が、ドット状又はライン状である、請求項6に記載のパターン形成方法。
- 前記レジスト層上に前記反転層形成材料をダイコート法により塗布する、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記反転層形成材料の25℃における粘度が、1mPa・s〜200mPa・sである、請求項8に記載のパターン形成方法。
- 前記反転層形成材料が、Siを含有する活性エネルギー線硬化性樹脂である、請求項1〜9のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 前記レジスト層上に塗布された前記反転層形成材料に平面モールドを押圧した状態で前記反転層形成材料を硬化させることで、前記レジスト層上に前記反転層を形成する、請求項1〜10のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 前記基板の前記第1面側からの平面視において、前記凸構造部の外縁から当該外縁に最近接の前記凹部又は前記凸部までの距離が、1μm〜100μmである、請求項1〜11のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 凹凸パターンを有するマスターモールドを準備し、
前記凸構造部上に供給されたレジスト材料に前記マスターモールドの前記凹凸パターンを転写することで、前記凹凸パターンを有する前記レジスト層を形成する、請求項1〜12のいずれかに記載のパターン形成方法。 - 請求項13に記載のパターン形成方法により前記凸構造部上に形成された前記反転層パターンをマスクとして、前記基板をエッチングする工程を備える、レプリカモールドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016244896A JP6757241B2 (ja) | 2016-12-16 | 2016-12-16 | パターン形成方法及びレプリカモールドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016244896A JP6757241B2 (ja) | 2016-12-16 | 2016-12-16 | パターン形成方法及びレプリカモールドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018098470A true JP2018098470A (ja) | 2018-06-21 |
JP6757241B2 JP6757241B2 (ja) | 2020-09-16 |
Family
ID=62633201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016244896A Active JP6757241B2 (ja) | 2016-12-16 | 2016-12-16 | パターン形成方法及びレプリカモールドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6757241B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022075361A1 (ja) * | 2020-10-07 | 2022-04-14 | 大日本印刷株式会社 | ケイ素含有レジスト用硬化性樹脂組成物、パターン形成方法、インプリントモールドの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09318944A (ja) * | 1996-05-29 | 1997-12-12 | Toshiba Corp | 液晶表示素子の製造方法及びバックライトの製造方法並びにその製造システム |
JP2004007361A (ja) * | 2001-10-11 | 2004-01-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | データ送信制御方法及びこの方法のプログラム並びにこれを用いるデータ送信装置 |
US20070051697A1 (en) * | 2005-09-02 | 2007-03-08 | Dipietro Richard A | Processes and materials for step and flash imprint lithography |
JP2009241330A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Hitachi Ltd | 微細構造転写スタンパ及び微細構造転写装置 |
JP2013069920A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 成膜方法およびパターン形成方法 |
JP2013175671A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント用レプリカテンプレートの製造方法及びレプリカテンプレート |
JP2013214627A (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント用マスターテンプレート及びレプリカテンプレートの製造方法 |
JP2014007361A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-16 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント用テンプレートの製造方法及びテンプレート |
JP2015195278A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 凸版印刷株式会社 | インプリントレプリカモールド及びインプリントレプリカモールドの製造方法 |
WO2016052473A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 富士フイルム株式会社 | 多孔質体の製造方法、多孔質体、デバイスの製造方法、デバイス、配線構造の製造方法、配線構造 |
JP2016051808A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 株式会社ミノグループ | 微細凹凸パターン付き基板の製造方法及びそれにより得られる微細凹凸パターン付き基板 |
US20160118249A1 (en) * | 2014-10-23 | 2016-04-28 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Nanoshape patterning techniques that allow high-speed and low-cost fabrication of nanoshape structures |
JP2016162862A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | キヤノン株式会社 | パターンの形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 |
JP2016162863A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | キヤノン株式会社 | パターンの形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 |
-
2016
- 2016-12-16 JP JP2016244896A patent/JP6757241B2/ja active Active
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09318944A (ja) * | 1996-05-29 | 1997-12-12 | Toshiba Corp | 液晶表示素子の製造方法及びバックライトの製造方法並びにその製造システム |
JP2004007361A (ja) * | 2001-10-11 | 2004-01-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | データ送信制御方法及びこの方法のプログラム並びにこれを用いるデータ送信装置 |
US20070051697A1 (en) * | 2005-09-02 | 2007-03-08 | Dipietro Richard A | Processes and materials for step and flash imprint lithography |
JP2009241330A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Hitachi Ltd | 微細構造転写スタンパ及び微細構造転写装置 |
JP2013069920A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 成膜方法およびパターン形成方法 |
JP2013175671A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント用レプリカテンプレートの製造方法及びレプリカテンプレート |
JP2013214627A (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント用マスターテンプレート及びレプリカテンプレートの製造方法 |
JP2014007361A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-16 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント用テンプレートの製造方法及びテンプレート |
JP2015195278A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 凸版印刷株式会社 | インプリントレプリカモールド及びインプリントレプリカモールドの製造方法 |
JP2016051808A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 株式会社ミノグループ | 微細凹凸パターン付き基板の製造方法及びそれにより得られる微細凹凸パターン付き基板 |
WO2016052473A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 富士フイルム株式会社 | 多孔質体の製造方法、多孔質体、デバイスの製造方法、デバイス、配線構造の製造方法、配線構造 |
US20160118249A1 (en) * | 2014-10-23 | 2016-04-28 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Nanoshape patterning techniques that allow high-speed and low-cost fabrication of nanoshape structures |
JP2016162862A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | キヤノン株式会社 | パターンの形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 |
JP2016162863A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | キヤノン株式会社 | パターンの形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
TAKUYA UEHARA: "Reverse-tone ultraviolet nanoimprint lithography with fluorescent UV-curable resins", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. Vol. 54, 06FM02, JPN7020001354, 28 April 2015 (2015-04-28), pages 1 - 6, ISSN: 0004270147 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022075361A1 (ja) * | 2020-10-07 | 2022-04-14 | 大日本印刷株式会社 | ケイ素含有レジスト用硬化性樹脂組成物、パターン形成方法、インプリントモールドの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
TWI798858B (zh) * | 2020-10-07 | 2023-04-11 | 日商大日本印刷股份有限公司 | 含有矽之抗蝕劑用硬化性樹脂組合物、圖案形成方法、壓印模具之製造方法及半導體裝置之製造方法 |
KR20230082018A (ko) | 2020-10-07 | 2023-06-08 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 규소 함유 레지스트용 경화성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 임프린트 몰드의 제조 방법, 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6757241B2 (ja) | 2020-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5935385B2 (ja) | ナノインプリント用レプリカテンプレートの製造方法及びレプリカテンプレート | |
JP5804160B2 (ja) | インプリント方法およびインプリントモールドの製造方法 | |
CN110156343A (zh) | 覆板及其使用方法 | |
JP7060836B2 (ja) | インプリントモールドの製造方法 | |
KR101346063B1 (ko) | 관통홀을 가지는 프리스탠딩한 고분자 멤브레인 및 그 제조방법 | |
JP6579233B2 (ja) | インプリント用モールドおよびインプリント方法 | |
JP2015111607A (ja) | パターン形成方法 | |
JP2013222791A (ja) | ナノインプリント方法およびナノインプリント用基板並びにそれらを用いたパターン化基板の製造方法 | |
JP2019087678A (ja) | 機能性基板及びその製造方法、並びにインプリントモールド | |
JP2018060878A (ja) | パターン構造体の製造方法およびインプリント用モールドの製造方法 | |
JP6326916B2 (ja) | インプリント用モールドおよびインプリント方法 | |
JP6136271B2 (ja) | インプリントモールドの製造方法 | |
JP6757241B2 (ja) | パターン形成方法及びレプリカモールドの製造方法 | |
JP7139751B2 (ja) | インプリントモールドの製造方法 | |
JP2013202900A (ja) | モールドおよびその製造方法並びにナノインプリント方法およびパターン化基板の製造方法 | |
JP6972581B2 (ja) | インプリントモールド及びインプリントモールドの製造方法 | |
JP6628129B2 (ja) | パターン形成基板の製造方法、慣らし用基板、及び基板の組合体 | |
JP2016012635A (ja) | テンプレートの製造方法およびテンプレート | |
JP2016149578A (ja) | ナノインプリント用レプリカテンプレートの製造方法 | |
JP2018046223A (ja) | 凹凸構造体の製造方法、インプリントモールド製造用基材、およびインプリントモールドの製造方法 | |
JP6996333B2 (ja) | ブランクス基材、インプリントモールド、インプリントモールドの製造方法及びインプリント方法 | |
JP2018006707A (ja) | インプリントモールドの製造方法 | |
JP2019134029A (ja) | インプリントモールド | |
JP6417728B2 (ja) | テンプレートの製造方法 | |
JP7263885B2 (ja) | 被加工基板及びインプリント方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190716 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200514 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200721 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200804 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200828 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6757241 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |