JP2015222060A - 内燃機関のピストン - Google Patents

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Abstract

【課題】内燃機関に適用した場合に、燃焼室内のガス温度に対するピストン頂面温度の追従性を確保しつつ、ノッキングの発生を良好に抑制可能なピストンを提供する。
【解決手段】ピストン頂面10には、キャビティ12と、2つのバルブリセス14とが形成されている。ピストン頂面10には第1の遮熱膜が形成されている。但し、エッジ部10a,12a,14aには、第1の遮熱膜とは異なる第2の遮熱膜が形成されている。第2の遮熱膜は、エッジ部10a,12a,14aに沿って形成されている。第1の遮熱膜は、多孔質アルミナと封孔材とから構成されている。一方、第2の遮熱膜は多孔質アルミナのみから構成されている。
【選択図】図1

Description

この発明は、内燃機関のピストンに関し、より詳細には、頂面に遮熱膜が形成される内燃機関のピストンに関する。
従来、例えば特許文献1には、頂面の全体に遮熱膜が形成された内燃機関のピストンが開示されている。この遮熱膜は、アルミ合金製のピストン母材の表面の陽極酸化処理により得られるポーラス層と、該ポーラス層の上に設けられY安定化ZrO粉末のプラズマ溶射により得られる被覆層とから構成される。被覆層は、該ポーラス層の細孔を塞ぐように設けられ、被覆層を構成するY安定化ZrOは該ピストン母材よりも熱伝導率が低い。このような遮熱膜が形成されたピストンを内燃機関に適用すれば、内燃機関の燃焼室内の遮熱性を高めて冷却損失の低減を図ることができる。
特開2012−72745号公報 特開2008−111367号公報
上述のポーラス層はアルマイトと称されるものであり、ピストン母材のみならず従来のセラミック系の断熱材よりも低熱伝導率かつ低熱容量であることが知られている。従って、ポーラス層と被覆層の組み合わせから構成される特許文献1の遮熱膜は膜全体として低熱伝導率かつ低熱容量であり、このような遮熱膜をピストン頂面の全体に形成したピストンを内燃機関に適用すれば、燃焼室内のガス温度に対するピストン頂面温度の追従性を向上できる。しかし、本発明者の知見によれば、このような遮熱膜をピストン頂面の全体に形成した場合には、ノッキングが発生し易くなるという新たな問題が起こることが明らかとなった。
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたものである。即ち、内燃機関に適用した場合に、燃焼室内のガス温度に対するピストン頂面温度の追従性を確保しつつ、ノッキングの発生を良好に抑制可能なピストンを提供することを目的とする。
第1の発明は、ピストン本体と、前記ピストン本体の頂面に形成されたキャビティと、前記頂面に形成され前記ピストン本体の母材よりも低熱伝導率かつ低熱容量の材料から構成される遮熱膜と、を備える内燃機関のピストンであって、
前記キャビティと前記頂面の境界を形成するキャビティエッジ部の熱伝導率および熱容量は、前記遮熱膜の材料の熱伝導率および熱容量よりも高く、且つ、前記母材の熱伝導率および熱容量以下の熱伝導率および熱容量を有し、
前記キャビティエッジ部よりも内側の面と、前記キャビティエッジ部を囲む面とに、前記遮熱膜が形成されることを特徴とする。
また、第2の発明は、第1の発明において、
前記頂面の縁を形成するピストンエッジ部の熱伝導率および熱容量は、前記遮熱膜の材料の熱伝導率および熱容量よりも高く、且つ、前記母材の熱伝導率および熱容量以下の熱伝導率および熱容量を有し、
前記ピストンエッジ部と前記キャビティエッジ部との間に、前記キャビティエッジ部を囲む面が形成されることを特徴とする。
また、第3の発明は、第1または第2の発明において、
前記キャビティエッジ部のエッジ角度θが0°<θ≦90°であることを特徴とする。
また、第4の発明は、第1乃至第3の何れかの発明において、
前記キャビティエッジ部を囲む面に形成されたバルブリセスを更に備え、
前記キャビティエッジ部を囲む面と前記バルブリセスの境界のうちの円弧部分に相当するバルブリセスエッジ部の熱伝導率および熱容量は、前記遮熱膜の材料の熱伝導率および熱容量よりも高く、且つ、前記母材の熱伝導率および熱容量以下の熱伝導率および熱容量を有し、
前記バルブリセスエッジ部よりも内側の面に、前記遮熱膜が形成されることを特徴とする。
また、第5の発明は、第4の発明において、
前記バルブリセスエッジ部のエッジ角度θが0°<θ≦90°であることを特徴とする。
また、第6の発明は、第1乃至第5の発明の何れかにおいて、
前記母材はアルミニウム合金製であり、
前記遮熱膜は、前記頂面に開口する多数の細孔を有するアルミナと、前記多数の細孔の開口部を覆うように設けられた封孔材とで構成されることを特徴とする。
本発明者の知見によれば、キャビティが形成されたピストン頂面の全体にピストン母材よりも低熱伝導率かつ低熱容量の材料から構成される遮熱膜を設けると、キャビティとピストン頂面との境界を形成するキャビティエッジ部がヒートスポット化して、ノッキングが発生し易くなることが明らかとなった。第1の発明は、この知見に基づいてなされたものである。即ち、第1の発明によれば、キャビティエッジ部の熱伝導率および熱容量を、遮熱膜の材料の熱伝導率および熱容量よりも高く、尚且つ、ピストン母材の熱伝導率および熱容量以下としたので、キャビティエッジ部のヒートスポット化を抑制できる。また、第1の発明によれば、キャビティエッジ部よりも内側の面と、キャビティエッジ部を囲む面とに遮熱膜を設けたので、燃焼室内のガス温度に対するピストン頂面温度の追従性を確保することもできる。
ヒートスポット化の問題は、ピストン頂面の縁を形成するピストンエッジ部においても生じ得る。この点、第2の発明によれば、ピストンエッジ部の熱伝導率および熱容量を、遮熱膜の材料の熱伝導率および熱容量よりも高く、尚且つ、ピストン母材の熱伝導率および熱容量以下としたので、ピストンエッジ部のヒートスポット化を抑制できる。
キャビティエッジ部のエッジ角度θが0°<θ≦90°である場合は、キャビティエッジ部においてヒートスポット化の問題が生じ易い傾向がある。この点、第3の発明によれば、キャビティエッジ部のヒートスポット化を良好に抑制できる。
キャビティエッジ部を囲む面にバルブリセスが形成されている場合には、キャビティエッジ部を囲む面とバルブリセスの境界のうちの円弧部分に相当するバルブリセスエッジ部において、ヒートスポット化の問題が生じ得る。この点、第4の発明によれば、バルブリセスエッジ部の熱伝導率および熱容量を、遮熱膜の材料の熱伝導率および熱容量よりも高く、尚且つ、ピストン母材の熱伝導率および熱容量以下としたので、バルブリセスが形成されている場合においても、第1の発明と同様の効果を得ることができる。
バルブリセスエッジ部のエッジ角度θが0°<θ≦90°である場合は、キャビティエッジ部においてヒートスポット化の問題が生じ易い傾向がある。この点、第5の発明によれば、キャビティエッジ部のヒートスポット化を良好に抑制できる。
第6の発明によれば、ピストン頂面に開口する多数の細孔を有するアルミナと、当該多数の細孔の開口部を覆うように設けられた封孔材とで遮熱膜を構成したので、燃焼室内のガス温度に対するピストン頂面温度の追従性を向上できる。
実施の形態の内燃機関のピストンの頂面模式図である。 図1のA−A断面図である。 図1のB−B断面図である。 図2のエッジ部12aの拡大模式図である。 図2のエッジ部14aの拡大模式図である。 図2のエッジ部10aの拡大模式図である。 第1の遮熱膜と第2の遮熱膜の違いを説明するための図である。 燃焼サイクルにおけるエッジ部の表面温度と燃焼室内のガス温度の推移を示した図である。 実施の形態のピストンの製造方法を説明するための図である。 第2の遮熱膜の他の形成例を説明するための図である。 実施の形態のピストンの他の製造方法を説明するための図である。 圧縮点火式の内燃機関のピストンの頂面模式図である。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、各図において共通する要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略する。また、以下の実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
[ピストンの構成]
図1は、本実施の形態の内燃機関のピストンの頂面模式図である。図1に示すように、ピストン頂面10には、キャビティ12と、2つのバルブリセス14とが形成されている。キャビティ12は、ピストン頂面10に向けて噴射される燃料を点火プラグ(図示しない)側に導く目的でピストン頂面10に凹設されるものである。バルブリセス14は、排気バルブ(図示しない)との干渉を回避する目的でピストン頂面10に凹設されるものである。図中に示す破線16は吸気バルブの投影線であり、破線18は排気バルブの投影線である。ピストン頂面10とキャビティ12の境界には、環状のエッジ部12aが形成される。ピストン頂面10とバルブリセス14の境界は半月状に形成され、破線18に沿った円弧部分にエッジ部14aが形成されている。エッジ部14aの一部はピストン頂面10の縁を形成するエッジ部10aと連続している。
ピストン頂面10には第1の遮熱膜が形成されている。但し、エッジ部10a,12a,14aには、第1の遮熱膜とは異なる第2の遮熱膜が形成されている。第2の遮熱膜は、エッジ部10a,12a,14aに沿って形成されている。なお、以下の説明において、エッジ部10a,12a,14aの区別を要しない場合には、「エッジ部」と総称することがある。
第1の遮熱膜と第2の遮熱膜の位置関係について、図2乃至図6を参照しながら説明する。図2は、図1のA−A断面図である。図2に示すエッジ部12aを除いたキャビティ12の内部構成面(具体的には、キャビティ側面12bおよびキャビティ底面12c)に、第1の遮熱膜が形成されている。エッジ部14aを除いたバルブリセス14の内部構成面(具体的には、バルブリセス側面14bおよびバルブリセス底面14c)にも、第1の遮熱膜が形成されている。エッジ部10aとエッジ部12aの間のピストン頂面10b、エッジ部10aとエッジ部14aの間のピストン頂面10cや、エッジ部12aとバルブリセス底面14cの間のピストン頂面10dにも、第1の遮熱膜が形成されている。
図3は、図1のB−B断面図である。図3に示すエッジ部10aとエッジ部14aの間のバルブリセス14の内部構成面、つまり、バルブリセス側面14bおよびバルブリセス底面14cに、第1の遮熱膜が形成されている。2つのエッジ部14aの間のピストン頂面10eにも、第1の遮熱膜が形成されている。
図4は、図2のエッジ部12aの拡大模式図である。図4に示すエッジ部12aに第2の遮熱膜が形成されている。エッジ部12aに形成された第2の遮熱膜のピストン頂面方向の膜幅は、エッジ部12aの端点P12から最大2mmとされる。第2の遮熱膜のキャビティ方向の膜幅も同様で、端点P12から最大2mmとされる。また、破線Sと破線Sのなす角度(エッジ角度)θ12は0°<θ12≦90°である。ここで、破線Sは、エッジ部12aに隣接するピストン頂面10側の面(つまり、ピストン頂面10bまたはピストン頂面10d)の延長により形成される仮想表面の断面線である。破線Sは、エッジ部12aに隣接するキャビティ12側の面(つまり、キャビティ側面12b)の延長により形成される仮想表面の断面線である。
図5は、図2のエッジ部14aの拡大模式図である。図5に示すエッジ部14aに第2の遮熱膜が形成されている。エッジ部14aに形成された第2の遮熱膜のピストン頂面方向の膜幅は、エッジ部14aの端点P14から最大2mmとされる。第2の遮熱膜のバルブリセス方向の膜幅も同様で、端点P14から最大2mmとされる。また、破線Sと破線Sのなす角度(エッジ角度)θ34は0°<θ34≦90°である。ここで、破線Sは、エッジ部14aに隣接するピストン頂面10側の面(つまり、ピストン頂面10c)の延長により形成される仮想表面の断面線である。破線Sは、エッジ部14aに隣接するバルブリセス14側の面(つまり、バルブリセス側面14b)の延長により形成される仮想表面の断面線である。
図6は、図2のエッジ部10aの拡大模式図である。図6に示すエッジ部10aに第2の遮熱膜が形成されている。第2の遮熱膜はピストン頂面方向にのみ形成されている。第2の遮熱膜のピストン頂面方向の膜幅は、エッジ部10aの端点P10から最大2mmとされる。また、破線Sと破線Sのなす角度(エッジ角度)θ56は90°≦θ56<180°である。ここで、破線Sは、エッジ部10aに隣接するピストン頂面10側の面(つまり、ピストン頂面10bまたはピストン頂面10d)の延長により形成される仮想表面の断面線である。破線Sは、エッジ部10aに隣接するピストン側面の延長により形成される仮想表面の断面線である。
第1の遮熱膜と第2の遮熱膜の違いについて、図7を参照しながら説明する。本実施の形態において、第2の遮熱膜はアルマイトから構成されている。一方、第1の遮熱膜は、アルマイトと封孔材とから構成されている。アルマイトは、ピストン頂面10の陽極酸化処理によりピストン頂面10上に形成される多孔質アルミナの被膜(膜厚約100〜500μm)である。多孔質アルミナは、ピストン母材であるアルミニウム合金の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有しており、尚且つ、アルミニウム合金の単位体積当たりの熱容量よりも低い熱容量を有している。封孔材は、シリコン酸化物(例えばポリシロキサン、ポリシラザン等)を主成分し、多孔質アルミナの表面に形成される被膜(膜厚約5〜50μm)である。
第1の遮熱膜と第2の遮熱膜の違いは、封孔材の有無にある。図7は、封孔材の有無による被膜構造の違いを説明するための図である。図7(a)は封孔材を使用していない被膜構造を示しており、図7(b)は封孔材を使用した被膜構造を示している。図7に示すように、アルマイトはその表面に開口する複数の細孔を有しており、この細孔の開口部を覆うように封孔材が設けられる。ここで、シリコン酸化物を主成分とする封孔材は、多孔質アルミナ同様、アルミニウム合金の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有している。従って、図7(a),(b)の被膜構造は共に高い遮熱性を示す。但し、図7(a)の被膜構造は、細孔内に圧縮ガスや噴射燃料が侵入可能であることから、図7(b)の被膜構造に比べると遮熱性は低い。つまり、図7(a)の被膜構造は、図7(b)の被膜構造に比べて燃焼室で発生した熱がアルミ母材側に逃げ易い構造となっている。
本実施の形態のピストンによる効果を、図8を参照しながら説明する。図8は、燃焼サイクルにおけるエッジ部の表面温度と燃焼室内のガス温度の推移を示した図である。図8に一点鎖線で示す「ガス温」は燃焼室内のガス温度の推移を示している。同図に実線で示す「未遮熱時」は、本実施の形態のピストンのエッジ部の表面温度の推移を示している。同図に破線で示す「遮熱時」は、ピストン頂面の全体に第1の遮熱膜を形成した比較用ピストンのエッジ部の表面温度の推移を示している。
図8に示すように、ガス温度は、TDC近傍での点火により急上昇してピークに到達する。ガス温度の上昇に追従してエッジ部の表面温度も上昇する。但し、遮熱時においては点火タイミング以前にエッジ部の表面温度が高温化している。この理由は、エッジ部がヒートスポット化しているためである。エッジ部のヒートスポット化は、エッジ部の構造と、図7で説明した第1の遮熱膜の高い遮熱性とに由来する。エッジ部がヒートスポット化すれば、このエッジ部の近傍を着火点としたノッキングが発生し易くなる。この点、未遮熱時においては点火タイミング以前のエッジ部の表面温度を下げることができる。この理由は、図7で説明した第2の遮熱膜の被膜構造によるものである。
以上、本実施の形態のピストンによれば、ピストン頂面10に形成した第1の遮熱膜によって燃焼室内の遮熱性を高めることができる。また、エッジ部に形成した第2の遮熱膜によって、ヒートスポット化し易いエッジ部の表面温度が点火タイミング以前に過剰に上昇することを抑制できる。
[ピストンの製造方法]
本実施の形態のピストンの製造方法について、図9を参照しながら説明する。本実施の形態のピストンの製造方法は、アルミニウム合金製のピストンの頂面を陽極酸化処理してアルマイトを形成する工程(陽極酸化処理工程)と、アルマイトの表面を封孔処理して封孔材を形成する工程(封孔処理工程)と、を備えている。
図9(a)は、陽極酸化処理工程を示している。陽極酸化処理工程においては、電解液を流通させる流路と一対の電極とを備える処理装置が使用される。処理装置にピストンを設置し、当該流路に電解液を流通させながら一対の電極間に電圧を印加して電気分解を行うことで、ピストン頂面にアルマイトが形成される。アルマイトの空孔率は印加電圧により、アルマイトの膜厚は印加時間により、それぞれ所望の値に調節される。なお、このような陽極酸化手法は既に公知であることから、これ以上の詳細な説明は省略する。
図9(b),(c)は、封孔処理工程を示している。封孔処理工程においては、先ず、エッジ部をシールした上で、シリコン酸化物の原料となるケイ素系ポリマー溶液(ポリシロキサン溶液、ポリシラザン溶液等)をアルマイトの表面に含浸させる。含浸方法は特に限定されるものではなく、アルマイトの表面にスプレーする方法、ブレードコート法、スピンコート法、刷毛塗り法などを適用することができる。続いて、アルマイトの表面を高温加熱してケイ素系ポリマー溶液を乾燥・焼成する。高温加熱時の条件(温度、時間等)は、ケイ素系ポリマー溶液の含浸厚さに応じて適宜調節される。最後に、エッジ部のシールを除去する。以上の工程を経ることで、本実施の形態のピストンを製造できる。
なお、上記実施の形態においては、第1の遮熱膜が上記第1の発明の「遮熱膜」に、エッジ部12aが同発明の「キャビティエッジ部」に、キャビティ側面12bおよびキャビティ底面12cが同発明の「キャビティエッジ部よりも内側の面」に、ピストン頂面10b,10dが同発明の「キャビティエッジ部を囲む面」に、それぞれ相当する。
また、エッジ部10aが上記第2の発明の「ピストンエッジ部」に相当する。
また、エッジ部14aが上記第4の発明の「バルブリセスエッジ部」に、バルブリセス側面14bおよびバルブリセス底面14cが同発明の「バルブリセスエッジ部よりも内側の面」に、それぞれ相当する。
[その他のピストンの構成]
ところで、上記実施の形態においては、図4の説明で述べたように、エッジ部12aのピストン頂面方向とキャビティ方向の両方に第2の遮熱膜を形成した。しかし、ピストン頂面方向とキャビティ方向の何れか一方に第2の遮熱膜を形成してもよい。図10は、第2の遮熱膜の他の形成例を説明するための図である。図10(a)に示すように、第2の遮熱膜をエッジ部12aのピストン頂面方向にのみ形成し、エッジ部12aのキャビティ方向には第1の遮熱膜を形成してもよい。図10(b)に示すように、第2の遮熱膜をエッジ部12aのキャビティ方向にのみ形成し、エッジ部12aのピストン頂面方向には第1の遮熱膜を形成してもよい。
また、上記実施の形態においては、図5の説明で述べたように、エッジ部14aのピストン頂面方向とバルブリセス方向の両方に第2の遮熱膜を形成した。しかし、エッジ部14aのピストン頂面方向にのみ第2の遮熱膜を形成し、エッジ部14aのバルブリセス方向には第1の遮熱膜を形成してもよい。また、エッジ部14aのバルブリセス方向にのみ第2の遮熱膜を形成し、エッジ部14aのピストン頂面方向には第1の遮熱膜を形成してもよい。
また、上記実施の形態においては、エッジ部に第2の遮熱膜を形成した。しかし、エッジ部12a,14aに第2の遮熱膜を形成し、エッジ部10aに第1の遮熱膜を形成してもよい。図4乃至図6の説明の際に述べたように、エッジ角度θ56は(90°≦θ56<180°)はエッジ角度θ12,θ34(0°<θ12,θ34≦90°)以上である。つまり、エッジ部10aはエッジ部12a,14aに比べて傾斜が緩やかであり、エッジ部12a,14aに比べてヒートスポット化し難い構造となっている。従って、エッジ部10aに第1の遮熱膜を形成した場合でも、エッジ部12a,14aに第2の遮熱膜を形成すれば、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
また、上記実施の形態においては、ピストン頂面10にバルブリセス14が凹設されていたが、バルブリセス14が凹設されていなくてもよい。この場合、エッジ部10a,12aに第2の遮熱膜を形成し、エッジ部10a,12aを除くピストン頂面10に第1の遮熱膜を形成すれば、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
また、上記実施の形態においては、ピストン頂面10にバルブリセス14が凹設されていたが、バルブリセス14の他に、吸気バルブ(図示しない)との干渉を回避するバルブリセスが更に凹設されていてもよい。この場合は、当該バルブリセスのエッジ部に第2の遮熱膜を形成すれば、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
また、上記実施の形態においては、図9で説明した手法によりピストンを製造した。しかし、図11に示す手法によっても製造できる。図11に示す製造方法は、上述した陽極酸化処理工程および封孔処理工程の他に、封孔材を研削する研削工程を備えている。図11(a)は、陽極酸化処理工程を示している。この陽極酸化処理工程は、図9(a)と同様である。図11(b)は、封孔処理工程を示している。封孔処理工程においては、図9(b)と異なり、エッジ部のシールを行わずに、アルマイトの表面に封孔材を設ける。図11(c)は、研削工程を示している。研削工程においては、封孔材を設けた箇所の周辺を研削してアルマイトを露出させる。以上の工程を経ることで、本実施の形態のピストンと同様のピストンを製造できる。
また、上記実施の形態においては、第1の遮熱膜をアルマイトと封孔材とから構成し、第2の遮熱膜をアルマイトから構成した。しかし、(i)第1の遮熱膜を上記実施の形態と同様とし、第2の遮熱膜をセラミックス(ZrO、SiO、Si等)やこれに付随する材料から構成してもよい。或いは、(ii)第1の遮熱膜を上記実施の形態と同様とし、第2の遮熱膜を非遮熱性の被膜から構成してもよい。或いは、(iii)第1の遮熱膜を上記実施の形態と同様とし、第2の遮熱膜を形成せずエッジ部のピストン母材を露出させてもよい。或いは、(iv)第1の遮熱膜を上記セラミックス等から構成し、第2の遮熱膜を形成せずエッジ部のピストン母材を露出させてもよい。つまり、第1の遮熱膜の熱伝導率(λ)と、エッジ部の熱伝導率(λedge)と、ピストン母材の熱伝導率(λpiston)との関係が、λ<λedge≦λpistonを満たし、尚且つ、第1の遮熱膜の単位体積当たりの熱容量(C)と、エッジ部の単位体積当たりの熱容量(Cedge)と、ピストン母材の単位体積当たりの熱容量(Cpiston)との関係が、C<Cedge≦Cpistonを満たせば上記実施の形態と同様の効果を得ることができるので、このような関係を満たす第1の遮熱膜、エッジ部およびピストン母材の組み合わせであれば、上記実施の形態の変形例とすることできる。
なお、上記(i),(ii)の遮熱膜構成を有するピストンは、例えば、図9の説明の際に述べた封孔処理工程の後にエッジ部にセラミックス、非遮熱性の被膜等を形成すれば製造できる。図9の説明の際に述べた陽極酸化処理工程の前にエッジ部をシールし、封孔処理工程の最後にシールを除去した後に、当該エッジ部にセラミックス、非遮熱性の被膜等を形成しても製造できる。また、上記(iii)の遮熱膜構成を有するピストンは、例えば、図9の説明の際に述べた陽極酸化処理工程の前にエッジ部をシールし、封孔処理工程の最後にシールを除去すれば製造できる。また、上記(iv)の遮熱膜構成を有するピストンは、例えば、エッジ部をシールした上でピストン頂面にセラミックス等を形成し、その後にシールを除去すれば製造できる。
また、上記実施の形態においては、点火プラグを備える火花点火式の内燃機関を前提としたが、本発明のピストンは、圧縮点火式の内燃機関にも適用できる。図12は、圧縮点火式の内燃機関のピストンの頂面模式図である。図12に示すように、ピストン頂面20の中心部にはキャビティ22が形成されている。ピストン頂面20には第1の遮熱膜が形成されている。但し、ピストン頂面20のエッジ部20aとキャビティ22のエッジ部22aには第2の遮熱膜が形成されている。エッジ部20a,22aに形成した第2の遮熱膜によれば、エッジ部20a,22aのヒートスポット化に起因したプレイグニッションの発生を抑制できる。即ち、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
10,20 ピストン頂面
12,22 キャビティ
14 バルブリセス
10a,12a,14a,20a,22a エッジ部
第1の発明は、ピストン本体と、前記ピストン本体の頂面に形成されたキャビティと、前記頂面に形成され前記ピストン本体の母材に使用されるアルミニウム合金よりも熱伝導率が低く、かつ、単位体積当たりの熱容量が低い遮熱膜と、を備える内燃機関のピストンであって、
前記遮熱膜が、前記キャビティと前記頂面の境界を形成するキャビティエッジ部に形成され前記頂面に開口する多数の細孔を有するアルミナからなる低遮熱性膜と、前記キャビティエッジ部よりも内側の面と前記キャビティエッジ部を囲む面とに形成され、前記頂面に開口する多数の細孔を有するアルミナと前記多数の細孔の開口部を覆うように設けられた封孔材とで構成される高遮熱性膜と、を備えることを特徴とする。
また、第2の発明は、第1の発明において、
前記頂面の縁を形成するピストンエッジ部に前記低遮熱性膜が形成され
前記ピストンエッジ部と前記キャビティエッジ部との間に、前記キャビティエッジ部を囲む面が形成されることを特徴とする。
また、第4の発明は、第1乃至第3の何れかの発明において、
前記キャビティエッジ部を囲む面に形成されたバルブリセスを更に備え、
前記キャビティエッジ部を囲む面と前記バルブリセスの境界のうちの円弧部分に相当するバルブリセスエッジ部に前記低遮熱性膜が形成され、
前記バルブリセスエッジ部よりも内側の面に、前記高遮熱性膜が形成されることを特徴とする。
本発明者の知見によれば、キャビティが形成されたピストン頂面の全体にピストン母材であるアルミニウム合金よりも熱伝導率が低く、かつ、単位体積当たりの熱容量が低い遮熱膜を設けると、キャビティとピストン頂面との境界を形成するキャビティエッジ部がヒートスポット化して、ノッキングが発生し易くなることが明らかとなった。第1の発明は、この知見に基づいてなされたものである。即ち、第1の発明によれば、低遮熱性膜と高遮熱性膜によって燃焼室内のガス温度に対するピストン頂面温度の追従性を確保しつつ、低遮熱性膜の構造によって燃焼室内で発生した熱をピストン母材側に逃げ易くできるので、キャビティエッジ部のヒートスポット化を抑制できる
ヒートスポット化の問題は、ピストン頂面の縁を形成するピストンエッジ部においても生じ得る。この点、第2の発明によれば、ピストンエッジ部に形成した低遮熱性膜の構造によって燃焼室内で発生した熱をピストン母材側に逃げ易くできるので、ピストンエッジ部のヒートスポット化を抑制できる。
キャビティエッジ部を囲む面にバルブリセスが形成されている場合には、キャビティエッジ部を囲む面とバルブリセスの境界のうちの円弧部分に相当するバルブリセスエッジ部において、ヒートスポット化の問題が生じ得る。この点、第4の発明によれば、バルブリセスエッジ部に形成した低遮熱性膜の構造によって燃焼室内で発生した熱をピストン母材側に逃げ易くできるので、バルブリセスが形成されている場合においても、第1の発明と同様の効果を得ることができる。
なお、上記実施の形態においては、第1の遮熱膜が上記第1の発明の「高遮熱性膜」に、第2の遮熱膜が上記第1の発明の「低遮熱性膜」に、エッジ部12aが同発明の「キャビティエッジ部」に、キャビティ側面12bおよびキャビティ底面12cが同発明の「キャビティエッジ部よりも内側の面」に、ピストン頂面10b,10dが同発明の「キャビティエッジ部を囲む面」に、それぞれ相当する。
また、エッジ部10aが上記第2の発明の「ピストンエッジ部」に相当する。
また、エッジ部14aが上記第4の発明の「バルブリセスエッジ部」に、バルブリセス側面14bおよびバルブリセス底面14cが同発明の「バルブリセスエッジ部よりも内側の面」に、それぞれ相当する。

Claims (6)

  1. ピストン本体と、前記ピストン本体の頂面に形成されたキャビティと、前記頂面に形成され前記ピストン本体の母材よりも低熱伝導率かつ低熱容量の材料から構成される遮熱膜と、を備える内燃機関のピストンであって、
    前記キャビティと前記頂面の境界を形成するキャビティエッジ部の熱伝導率および熱容量は、前記遮熱膜の材料の熱伝導率および熱容量よりも高く、且つ、前記母材の熱伝導率および熱容量以下の熱伝導率および熱容量を有し、
    前記キャビティエッジ部よりも内側の面と、前記キャビティエッジ部を囲む面とに、前記遮熱膜が形成されることを特徴とする内燃機関のピストン。
  2. 前記頂面の縁を形成するピストンエッジ部の熱伝導率および熱容量は、前記遮熱膜の材料の熱伝導率および熱容量よりも高く、且つ、前記母材の熱伝導率および熱容量以下の熱伝導率および熱容量を有し、
    前記ピストンエッジ部と前記キャビティエッジ部との間に、前記キャビティエッジ部を囲む面が形成されることを特徴とする請求項1に記載の内燃機関のピストン。
  3. 前記キャビティエッジ部のエッジ角度θが0°<θ≦90°であることを特徴とする請求項1または2に記載の内燃機関のピストン。
  4. 前記キャビティエッジ部を囲む面に形成されたバルブリセスを更に備え、
    前記キャビティエッジ部を囲む面と前記バルブリセスの境界のうちの円弧部分に相当するバルブリセスエッジ部の熱伝導率および熱容量は、前記遮熱膜の材料の熱伝導率および熱容量よりも高く、且つ、前記母材の熱伝導率および熱容量以下の熱伝導率および熱容量を有し、
    前記バルブリセスエッジ部よりも内側の面に、前記遮熱膜が形成されることを特徴とする請求項1乃至3何れか1項に記載の内燃機関のピストン。
  5. 前記バルブリセスエッジ部のエッジ角度θが0°<θ≦90°であることを特徴とする請求項4に記載の内燃機関のピストン。
  6. 前記母材はアルミニウム合金製であり、
    前記遮熱膜は、前記頂面に開口する多数の細孔を有するアルミナと、前記多数の細孔の開口部を覆うように設けられた封孔材とで構成されることを特徴とする請求項1乃至5何れか1項に記載の内燃機関のピストン。
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