JP2015194718A5

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Publication number: JP2015194718A5
Application number: JP2015026689A
Authority: JP
Filing date: 2015-02-13
Publication date: 2018-03-01
Anticipated expiration: 2035-02-13

Claims

支持体、該支持体上に設けられた電荷発生層ならびに該電荷発生層上に設けられた電荷輸送層を有し、かつ、該電荷輸送層が表面層である電子写真感光体において、
該電荷輸送層が、マトリックスとドメインを有するマトリックス−ドメイン構造を有し、
該ドメインは、下記式（Ａ−１）もしくは下記式（Ａ−２）で示される構造単位、及び下記式（Ｂ）で示される構造単位を有する樹脂Ａを含有し、
該マトリックスは、
下記式（Ｄ）で示される構造単位、及び下記式（Ｅ）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂Ｄと、
電荷輸送物質と
を含有し、
該樹脂Ａの全質量に対する式（Ａ−１）もしくは式（Ａ−２）で示される構造単位の含有量が５質量％以上２５質量％以下、かつ該樹脂Ａの全質量に対する式（Ｂ）で示される構造単位の含有量が２５質量％以上９５質量％以下であり、
該ポリカーボネート樹脂Ｄの全質量に対する式（Ｄ）で示される構造単位の含有量が１０質量％以上６０質量％以下、かつ該ポリカーボネート樹脂Ｄの全質量に対する式（Ｅ）で示される構造単位の含有量が４０質量％以上９０質量％以下であることを特徴とする電子写真感光体。

（式（Ａ−１）中、ｍ^１１は、０又は１の整数を示す。ｍ^１１が１のとき、Ｘ^１１は、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、２つのｐ−フェニレン基がメチレン基を介して結合した２価の基、又は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。Ｚ^１１、及びＺ^１２は、それぞれ独立に炭素数１から４のアルキレン基を示す。Ｒ^１１〜Ｒ^１４は、それぞれ独立に、炭素数１から４のアルキル基、又はフェニル基を示す。ｎ^１１は、括弧内の構造の繰返し数を示し、式（Ａ−１）におけるｎ^１１の平均値は１０以上１５０以下である。）

（式（Ａ−２）中、ｍ^２１は、０又は１の整数を示す。ｍ^２１が１のとき、Ｘ^２１は、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、２つのｐ−フェニレン基がメチレン基を介して結合した２価の基、又は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。Ｚ^２１〜Ｚ^２３は、それぞれ独立に炭素数１から４のアルキレン基を示す。Ｒ^１６〜Ｒ^２７は、それぞれ独立に、炭素数１から４のアルキル基、又はフェニル基を示す。ｎ^２１、ｎ^２２、ｎ^２３は、それぞれ独立に括弧内の構造の繰返し数を示し、式（Ａ−２）におけるｎ^２１の平均値、及びｎ^２２の平均値は、１以上１０以下であり、ｎ^２３の平均値は、１０以上２００以下である。）

（式（Ｂ）中、ｍ^２２は、０又は１の整数を示す。ｍ^２２が１のとき、Ｘ^２２は、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、２つのｐ−フェニレン基がメチレン基を介して結合した２価の基、又は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。）

（式（Ｄ）中、Ｙ^４１は、酸素原子、又は硫黄原子を示す。Ｒ^４１〜Ｒ^４４は、それぞれ独立に、水素原子、又はメチル基を示す。）

（式（Ｅ）中、Ｙ^５１は、単結合、メチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、シクロヘキシリデン基、フェニルメチレン基、フェニルエチリデン基を示し、Ｒ^５１〜Ｒ^５８は、それぞれ独立に、水素原子、又はメチル基を示す。）
前記樹脂Ａが末端に下記式（Ａ−Ｅ）に示すシロキサン構造を有する請求項１に記載の電子写真感光体。

（式（Ａ−Ｅ）中のｎ ^５１は、括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ａ−Ｅ）におけるｎ ^５１の平均値は１０以上６０以下である。）
前記樹脂Ａが、さらに、下記式（Ｃ）で示される構造単位を有し、
前記樹脂Ａの全質量に対する前記式（Ａ−１）もしくは前記式（Ａ−２）で示される構造単位の含有量が５質量％以上２５質量％以下、
前記樹脂Ａの全質量に対する前記式（Ｂ）で示される構造単位の含有量が３５質量％以上６５質量％以下、かつ
前記樹脂Ａの全質量に対する該式（Ｃ）で示される構造単位の含有量が１０質量％以上６０質量％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子写真感光体。

（式（Ｃ）中、ｍ^３１は、０又は１の整数を示す。ｍ^３１が１のとき、Ｘ^３１は、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、２つのｐ−フェニレン基がメチレン基を介して結合した２価の基、又は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。Ｙ^３１は、酸素原子、又は硫黄原子を示し、Ｒ^３１〜Ｒ^３８は、それぞれ独立に、水素原子、又はメチル基を示す。）
前記樹脂Ａが、さらに、下記式（Ｆ）で示される構造単位を有し、
前記樹脂Ａの全質量に対する前記式（Ａ−１）もしくは前記式（Ａ−２）で示される構造単位の含有量が５質量％以上２５質量％以下、
前記樹脂Ａの全質量に対する前記式（Ｂ）で示される構造単位の含有量が３５質量％以上６５質量％以下、
前記樹脂Ａの全質量に対する前記式（Ｃ）で示される構造単位の含有量が１０質量％以上６０質量％以下、かつ
前記樹脂Ａの全質量に対する該式（Ｆ）で示される構造単位の含有量が３０質量％以下であることを特徴とする請求項３に記載の電子写真感光体。

（式（Ｆ）中、ｍ^６１は、０又は１の整数を示す。ｍ^６１が１のとき、Ｘ^６１は、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、２つのｐ−フェニレン基がメチレン基を介して結合した２価の基、又は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。Ｙ^６１は、単結合、メチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、シクロヘキシリデン基、フェニルメチレン基、又はフェニルエチリデン基を示し、Ｒ^６１〜Ｒ^６８は、それぞれ独立に、水素原子、又はメチル基を示す。）
前記樹脂Ａの含有量が、前記電荷輸送層中の全樹脂の全質量に対して５質量％以上５０質量％以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
前記ドメインの数平均粒径が１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
前記電荷輸送物質が、トリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、ブタジエン化合物、及びエナミン化合物からなる群より選択される少なくとも１つである請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
支持体、該支持体上に設けられた電荷発生層ならびに該電荷発生層上に設けられた電荷輸送層を有し、かつ、該電荷輸送層が表面層である電子写真感光体を製造する方法であって、
該製造方法が、
下記式（Ａ−１）もしくは下記式（Ａ−２）で示される構造単位、及び下記式（Ｂ）で示される構造単位を有する樹脂Ａと、
下記式（Ｄ）で示される構造単位、及び下記式（Ｅ）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂Ｄと、
電荷輸送物質と
を含有する電荷輸送層用塗布液を調製する工程、及び
該電荷輸送層用塗布液の塗膜を形成し、該塗膜を乾燥させて該電荷輸送層を形成する工程を有し、
該樹脂Ａの全質量に対する式（Ａ−１）もしくは式（Ａ−２）で示される構造単位の含有量が５質量％以上２５質量％以下、かつ該樹脂Ａの全質量に対する式（Ｂ）で示される構造単位の含有量が２５質量％以上９５質量％以下であり、
該ポリカーボネート樹脂Ｄの全質量に対する式（Ｄ）で示される構造単位の含有量が１０質量％以上６０質量％以下、かつ該ポリカーボネート樹脂Ｄの式（Ｅ）で示される構造単位の含有量が４０質量％以上９０質量％以下であることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。

（式（Ａ−１）中、ｍ^１１は、０又は１の整数を示す。ｍ^１１が１のとき、Ｘ^１１は、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、２つのｐ−フェニレン基がメチレン基を介して結合した２価の基、又は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。Ｚ^１１、及びＺ^１２は、それぞれ独立に炭素数１から４のアルキレン基を示す。Ｒ^１１〜Ｒ^１４は、それぞれ独立に、炭素数１から４のアルキル基、又はフェニル基を示す。ｎ^１１は、括弧内の構造の繰返し数を示し、式（Ａ−１）におけるｎ^１１の平均値は１０以上１５０以下である。）

（式（Ａ−２）中、ｍ^２１は、０又は１の整数を示す。ｍ^２１が１のとき、Ｘ^２１は、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、２つのｐ−フェニレン基がメチレン基を介して結合した２価の基、又は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。Ｚ^２１〜Ｚ^２３は、それぞれ独立に炭素数１から４のアルキレン基を示す。Ｒ^１６〜Ｒ^２７は、それぞれ独立に、炭素数１から４のアルキル基、又はフェニル基を示す。ｎ^２１、ｎ^２２、ｎ^２３は、それぞれ独立に括弧内の構造の繰返し数を示し、式（Ａ−２）におけるｎ^２１の平均値、及びｎ^２２の平均値は、１以上１０以下であり、ｎ^２３の平均値は、１０以上２００以下である。）

（式（Ｂ）中、ｍ^２２は、０又は１の整数を示す。ｍ^２２が１のとき、Ｘ^２２は、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、２つのｐ−フェニレン基がメチレン基を介して結合した２価の基、又は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。）

（式（Ｄ）中、Ｙ^４１は、酸素原子、又は硫黄原子を示す。Ｒ^４１〜Ｒ^４４は、それぞれ独立に、水素原子、又はメチル基を示す。）

（式（Ｅ）中、Ｙ^５１は、単結合、メチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、シクロヘキシリデン基、フェニルメチレン基、フェニルエチリデン基を示し、Ｒ^５１〜Ｒ^５８は、それぞれ独立に、水素原子、又はメチル基を示す。）
前記樹脂Ａが末端に下記式（Ａ−Ｅ）に示すシロキサン構造を有する請求項１０に記載の電子写真感光体。

（式（Ａ−Ｅ）中のｎ ^５１は、括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ａ−Ｅ）におけるｎ ^５１の平均値は１０以上６０以下である。）