JP2014115618A5

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Publication number: JP2014115618A5
Application number: JP2013214108A
Authority: JP
Filing date: 2013-10-11
Publication date: 2016-11-24
Anticipated expiration: 2033-10-11

Description

本発明の電子写真感光体は、支持体、電荷発生層および電荷輸送層をこの順に有し、該電子写真感光体の表面層が、電荷輸送物質、下記式（Ａ）〜（Ｄ）のいずれかで示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂（α）、およびヘキサノール、ヘプタノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、ニトロベンゼン、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸ベンジル、３−エトキシプロピオン酸エチル、アセトフェノン、サリチル酸メチル、フタル酸ジメチル、およびスルホランからなる群より選択される少なくとも１種の化合物（β）を含有することを特徴とする。

Claims

支持体、電荷発生層および電荷輸送層をこの順に有する電子写真感光体であって、
該電子写真感光体の表面層が、
電荷輸送物質、
式（Ａ）〜（Ｄ）のいずれかで示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂（α）、および
ヘキサノール、ヘプタノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、ニトロベンゼン、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸ベンジル、３−エトキシプロピオン酸エチル、アセトフェノン、サリチル酸メチル、フタル酸ジメチルおよびスルホランからなる群より選択される少なくとも１種の化合物（β）
を含有することを特徴とする電子写真感光体。

（式（Ａ）中、Ｙ^１は単結合、メチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、フェニルエチリデン基、シクロヘキシリデン基または酸素原子を示す。Ｘ^１は、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基または２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。ｎは０または１である。Ｗ^１は、下記式（Ｗ１）または下記式（Ｗ２）で示される１価の基を示す。）

（式（Ｗ１）および式（Ｗ２）中、Ｒ^１〜Ｒ^３は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基を示す。ａは括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ａ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるａの平均値は、１０以上１５０以下である。ｂおよびｃは、それぞれ独立に括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ａ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｂ＋ｃの平均値は、１０以上１５０以下である。）

（式（Ｂ）中、Ｘ^２は、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基または２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。ｎは０または１である。Ｒ^４〜Ｒ^６は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を示す。Ｖ^１は、下記式（Ｖ１）または下記式（Ｖ２）で示される１価の基を示す。）

（式（Ｖ１）および式（Ｖ２）中、Ｒ^７〜Ｒ^９は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基を示す。ｄは２以上１０以下の整数を示す。ｅは括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ｂ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｅの平均値は、１０以上１５０以下である。ｆおよびｇは、それぞれ独立に括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ｂ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｆ＋ｇの平均値は、１０以上１５０以下である。）

（式（Ｃ）中、Ｘ^３は、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基または２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。ｎは０または１である。ｈ、ｉおよびｊは、それぞれ独立に括弧内の構造の繰り返し数を示す。式（Ｃ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｈおよびｉの平均値は、それぞれ独立に１以上１０以下であり、式（Ｃ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｊの平均値は、２０以上２００以下である。）

（式（Ｄ）中、Ｘ^４は、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基または２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。ｎは０または１である。ｋは括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ｄ）で示される構造単位を有するシロキサン変性樹脂におけるｋの平均値は、２０以上２００以下である。）
前記化合物（β）が、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸ベンジル、３−エトキシプロピオン酸エチル、アセトフェノンおよびサリチル酸メチルからなる群より選択される少なくとも１種の化合物である請求項１に記載の電子写真感光体。
前記化合物（β）の含有量が、前記表面層の全質量に対して０．００１質量％以上２．０質量％以下である請求項１または２に記載の電子写真感光体。
前記シロキサン変性樹脂（α）の含有量が、前記表面層の全質量に対して１質量％以上４５質量％以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
前記シロキサン変性樹脂（α）が、式（Ｅ）で示される構造単位を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。

（式（Ｅ）中、Ｙ^５は単結合、メチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、フェニルエチリデン基、シクロヘキシリデン基または酸素原子を示す。Ｘ^５は、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基または２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。ｎは０または１である。Ｒ^１１〜Ｒ^１４は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示す。）
前記電荷輸送物質が、トリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、スチルベン化合物およびエナミン化合物からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
前記表面層が、前記電荷輸送層である請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
前記シロキサン変性樹脂（α）中のシロキサン部位の含有量が、前記シロキサン変性樹脂（α）の全質量に対して１質量％以上５０質量％以下である請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
前記電荷輸送物質の含有量が、表面層の全質量に対して、２０質量％以上５０質量％以下である請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。