KR20140061963A - 전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지, 및 전자 사진 장치 - Google Patents

전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지, 및 전자 사진 장치 Download PDF

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KR20140061963A
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가즈히사 시다
마사시 니시
히로후미 구모이
다이스케 다나카
가즈미치 스기야마
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Abstract

본 발명의 전자 사진 감광체의 표면 층은, (α) 특정 실록산-개질 수지, (β) 특정 화합물, 및 전하 수송 물질을 함유한다. (β)는 헥산올, 헵탄올, 시클로헥산올, 벤질 알콜, 에틸렌 글리콜, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 디에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 에틸 메틸 에테르, 에틸렌 카르보네이트, 프로필렌 카르보네이트, 니트로벤젠, 피롤리돈, N-메틸피롤리돈, 메틸 벤조에이트, 에틸 벤조에이트, 벤질 아세테이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 아세토페논, 메틸 살리실레이트, 디메틸 프탈레이트, 및 술폴란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물이다.

Description

전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지, 및 전자 사진 장치 {ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER, PROCESS CARTRIDGE, AND ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS}
본 발명은 전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지, 및 전자 사진 장치에 관한 것이다.
전자 사진 장치에 사용하기 위한 전자 사진 감광체는 흔히 유기 광도전성 물질 (전하 발생 물질)을 함유한다. 전자 사진 장치가 화상을 형성하는 동안, 대전, 노광, 현상, 전사, 및 클리닝에서 사용되는 것들과 같은 전기적 및 기계적 외력이 전자 사진 장치의 전자 사진 감광체에 직접적으로 적용된다. 따라서, 전자 사진 감광체는 이러한 전기적 및 기계적 외력에 대해 내구성을 가져야 한다. 전자 사진 감광체는 또한, 접촉 부재 (예컨대 클리닝 블레이드)에 대하여 마찰을 감소 (윤활성을 증가)시킬 수 있는 표면을 가져야 한다.
윤활성을 증가시키기 위해, 일본 특허 공개 번호 2008-195905 및 2006-328416에는, 특정 실록산-개질 폴리카르보네이트 수지 (실록산 구조를 가짐)를 전자 사진 감광체의 표면 층 내에 도입하는 방법이 제안되어 있다. 일본 특허 공개 번호 2009-84556에는, 특정 실록산-개질 폴리에스테르 수지를 표면 층 내에 도입하는 방법이 제안되어 있다.
그러나, 본 발명자들은, 검토 결과, 전자 사진 감광체의 표면 층 내의 실록산 물질 및 전하 수송 물질은 고스트를 유도하는 경향이 있음을 발견하였다. 보다 구체적으로, 전-회전 동안 광 조사된 출력 화상의 일부가 고농도를 갖는 (포지티브 고스트) 경향이 있다.
일본 특허 공개 번호 2008-195905, 2006-328416, 및 2009-84556에 개시된 특정 실록산-개질 폴리카르보네이트 수지 또는 실록산-개질 폴리에스테르 수지가 사용되는 경우, 전자 사진 감광체의 반복 사용 동안 고스트 화상의 발생 감소에 있어서 개선의 여지가 있다.
본 발명은, 초기 마찰력 (초기 마찰 계수) 및 전자 사진 감광체의 반복 사용 동안 고스트 화상의 발생을 감소시킬 수 있는, 특정 실록산-개질 수지를 함유하는 전자 사진 감광체를 제공한다. 본 발명은 또한, 각각 전자 사진 감광체를 포함하는 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치를 제공한다.
본 발명은 이러한 전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지, 및 전자 사진 장치를 제공한다.
본 발명은 지지체, 지지체 상에 형성된 전하 발생층, 및 전하 발생층 상에 형성된 전하 수송층을 포함하는 전자 사진 감광체에 관한 것이다. 전자 사진 감광체는 하기 (α) 및 (β) 및 전하 수송 물질을 함유하는 표면 층을 포함한다.
(α) 하기 화학식 (A), (B), (C), 및 (D) 중 어느 하나로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지.
(β) 헥산올, 헵탄올, 시클로헥산올, 벤질 알콜, 에틸렌 글리콜, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 디에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 에틸 메틸 에테르, 에틸렌 카르보네이트, 프로필렌 카르보네이트, 니트로벤젠, 피롤리돈, N-메틸피롤리돈, 메틸 벤조에이트, 에틸 벤조에이트, 벤질 아세테이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 아세토페논, 메틸 살리실레이트, 디메틸 프탈레이트, 및 술폴란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물.
Figure pat00001
화학식 (A)에서, Y1은 단일 결합, 메틸렌 기, 에틸리덴 기, 프로필리덴 기, 페닐에틸리덴 기, 시클로헥실리덴 기, 또는 산소 원자를 나타내고,
X1은 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자에 의해 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고,
n은 0 또는 1을 나타내고,
W1은 하기 화학식 (W1) 또는 (W2)로 표시되는 1가 기를 나타낸다.
Figure pat00002
화학식 (W1) 및 (W2)에서,
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기를 나타내고,
"a"는 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고, "b" 및 "c"는 각각 독립적으로 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고,
화학식 (A)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지에서 "a"의 평균은 10 내지 150의 범위이고,
화학식 (A)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지에서 b+c의 평균은 10 내지 150의 범위이다.
Figure pat00003
화학식 (B)에서,
X2는 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자에 의해 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고,
n은 0 또는 1을 나타내고,
R4 내지 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 또는 페닐 기를 나타내고,
V1은 하기 화학식 (V1) 또는 (V2)로 표시되는 1가 기를 나타낸다.
Figure pat00004
화학식 (V1) 및 (V2)에서,
R7 내지 R9는 각각 독립적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기를 나타내고,
"d"는 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고, 2 내지 10의 범위이고,
"e"는 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고, "f" 및 "g"는 각각 독립적으로 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고,
화학식 (B)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지에서 "e"의 평균은 10 내지 150의 범위이고, 화학식 (B)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지에서 f+g의 평균은 10 내지 150의 범위이다.
Figure pat00005
화학식 (C)에서,
X3은 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자에 의해 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고,
n은 0 또는 1을 나타내고,
"h", "i", 및 "j"는 각각 독립적으로 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고,
화학식 (C)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지에서 "h"의 평균 및 "i"의 평균은 각각 독립적으로 1 내지 10의 범위이고,
화학식 (C)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지에서 "j"의 평균은 20 내지 200의 범위이다.
Figure pat00006
화학식 (D)에서,
X4는 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자에 의해 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고,
n은 0 또는 1을 나타내고,
"k"는 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고, 화학식 (D)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지에서 "k"의 평균은 20 내지 200의 범위이다.
본 발명은 또한, 전자 사진 장치의 본체에 탈착식으로 부착가능한 프로세스 카트리지에 관한 것이다. 프로세스 카트리지는 전자 사진 감광체 및 대전 유닛, 현상 유닛, 전사 유닛, 및 클리닝 유닛으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 유닛을 일체형으로 지지한다.
본 발명은 또한, 전자 사진 감광체, 대전 유닛, 노광 유닛, 현상 유닛, 및 전사 유닛을 포함하는 전자 사진 장치에 관한 것이다.
본 발명은, 초기 마찰 계수 및 전자 사진 감광체의 반복 사용 동안 고스트 화상의 발생을 감소시킬 수 있는 전자 사진 감광체, 및 각각 전자 사진 감광체를 포함하는 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 추가의 특징은, 첨부된 도면을 참조로 하여 하기 예시적 실시양태의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 전자 사진 감광체를 포함하는 프로세스 카트리지를 포함하는 전자 사진 장치의 개략도이다.
도 2는 고스트 전위 및 고스트 화상의 측정에 사용되는 인쇄 화상의 설명도이다.
도 3은 1-도트 케이마(Keima)-패턴 (나이트-점프 패턴과 유사) 화상의 설명도이다.
도 4a와 도 4b는 전자 사진 감광체의 적층 구조의 일례의 개략도이다.
본 발명의 실시양태에 따른 전자 사진 감광체는 하기 (α) 및 (β) 및 전하 수송 물질을 함유하는 표면 층을 포함한다.
(α) 하기 화학식 (A), (B), (C), 및 (D) 중 어느 하나로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지.
(β) 헥산올, 헵탄올, 시클로헥산올, 벤질 알콜, 에틸렌 글리콜, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 디에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 에틸 메틸 에테르, 에틸렌 카르보네이트, 프로필렌 카르보네이트, 니트로벤젠, 피롤리돈, N-메틸피롤리돈, 메틸 벤조에이트, 에틸 벤조에이트, 벤질 아세테이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 아세토페논, 메틸 살리실레이트, 디메틸 프탈레이트, 및 술폴란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물.
전자 사진 감광체의 표면 층 내의 (β) (이하에서는 또한 구성요소 β라고 지칭됨)는 초기 마찰 계수 및 전자 사진 감광체의 반복 사용 동안 고스트 화상의 발생을 감소시킬 수 있다. 이는 아마도 하기와 같은 이유 때문일 것이다.
고스트는 표면 층 내의 전하 수송 물질이 응집되고 전하 이동을 방해하는 경우에 발생할 수 있다. 전하 수송 물질의 응집은 표면 층 내의 실록산-개질 수지와 전하 수송 물질 사이의 낮은 상용성에 기인할 수 있다.
구성요소 β와 전하 수송 물질 사이의 상용성은 일반적으로 구성 요소 β와 (α) (이하에서는 또한 구성요소 α라고 지칭됨) 사이의 상용성보다 더 높다.
따라서, 구성요소 β는 구성요소 α와 전하 수송 물질 사이의 상용성 감소를 억제함으로써 전하 수송 물질의 응집을 감소시킬 수 있다. 이는 전자 사진 감광체의 반복 사용 동안 전하 수송 물질의 응집에 기인하는 고스트 화상의 발생을 감소시킬 수 있다.
<구성요소 α>
구성요소 (α)는 하기 화학식 (A), (B), (C), 및 (D) 중 어느 하나로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지이다.
Figure pat00007
화학식 (A)에서,
Y1은 단일 결합, 메틸렌 기, 에틸리덴 기, 프로필리덴 기, 페닐에틸리덴 기, 시클로헥실리덴 기, 또는 산소 원자를 나타내고,
X1은 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자에 의해 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고,
n은 0 또는 1을 나타내고,
W1은 하기 화학식 (W1) 또는 (W2)로 표시되는 1가 기를 나타낸다.
Figure pat00008
화학식 (W1) 및 (W2)에서,
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기를 나타내고,
"a"는 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고, 화학식 (A)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지에서 "a"의 평균은 10 내지 150의 범위이고,
"b" 및 "c"는 각각 독립적으로 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고, 화학식 (A)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지에서 b+c의 평균은 10 내지 150의 범위이다.
Figure pat00009
화학식 (B)에서,
X2는 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자에 의해 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고,
n은 0 또는 1을 나타내고,
R4 내지 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 또는 페닐 기를 나타내고,
V1은 하기 화학식 (V1) 또는 (V2)로 표시되는 1가 기를 나타낸다.
Figure pat00010
화학식 (V1) 및 (V2)에서,
R7 내지 R9는 각각 독립적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기를 나타내고,
"d"는 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고, 2 내지 10의 범위이고,
"e"는 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고, 화학식 (B)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지에서 "e"의 평균은 10 내지 150의 범위이고,
"f" 및 "g"는 각각 독립적으로 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고, 화학식 (B)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지에서 f+g의 평균은 10 내지 150의 범위이다.
Figure pat00011
화학식 (C)에서,
X3은 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자에 의해 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고,
n은 0 또는 1을 나타내고,
"h", "i", 및 "j"는 각각 독립적으로 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고,
화학식 (C)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지에서 "h"의 평균 및 "i"의 평균은 각각 독립적으로 1 내지 10의 범위이고, 화학식 (C)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지에서 "j"의 평균은 20 내지 200의 범위이다.
Figure pat00012
화학식 (D)에서,
X4는 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자에 의해 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고,
n은 0 또는 1을 나타내고,
"k"는 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고, 화학식 (D)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지에서 "k"의 평균은 20 내지 200의 범위이다.
화학식 (A), (B), (C), 및 (D)에서 X1 내지 X4는 메타-페닐렌 기 또는 파라-페닐렌 기이고, 메타-페닐렌 기 및 파라-페닐렌 기가 공존할 수 있다. 예를 들어, X1 내지 X4에서 메타-페닐렌 기 대 파라-페닐렌 기의 비율은 바람직하게는 3/7 내지 7/3 (몰비)의 범위, 보다 바람직하게는 1/1 (몰비)이다.
화학식 (A)의 구체적 예를 하기에 기재한다.
[표 1]
Figure pat00013
표 1에서, "m/p"는 메타-페닐렌 기/파라-페닐렌 기 비율이 1/1 (몰비)임을 의미하고, "p-O-p"는 산소 원자에 의해 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타낸다.
화학식 (B)의 구체적 예를 하기에 기재한다.
[표 2]
Figure pat00014
표 2에서, "m/p"는 메타-페닐렌 기/파라-페닐렌 기 비율이 1/1 (몰비)임을 의미하고, "p-O-p"는 산소 원자에 의해 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타낸다.
화학식 (C)를 갖는 구조 단위의 예를 하기에 나타낸다.
[표 3]
Figure pat00015
표 3에서, "m/p"는 메타-페닐렌 기/파라-페닐렌 기 비율이 1/1 (몰비)임을 의미하고, "p-O-p"는 산소 원자에 의해 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타낸다.
화학식 (D)의 구체적 예를 하기에 기재한다.
[표 4]
Figure pat00016
표 4에서, "m/p"는 메타-페닐렌 기/파라-페닐렌 기 비율이 1/1 (몰비)임을 의미하고, "p-O-p"는 산소 원자에 의해 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타낸다.
화학식 (A), (B), (C), 및 (D) 중 어느 하나로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지는 하기 화학식 (E)로 표시되는 구조 단위를 추가로 가질 수 있다.
Figure pat00017
화학식 (E)에서,
Y5는 단일 결합, 메틸렌 기, 에틸리덴 기, 프로필리덴 기, 페닐에틸리덴 기, 시클로헥실리덴 기, 또는 산소 원자를 나타내고,
X5는 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자에 의해 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고,
n은 0 또는 1을 나타내고,
R11 내지 R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 또는 페닐 기를 나타낸다.
화학식 (E)를 갖는 구조 단위의 예를 하기에 기재한다.
[표 5]
Figure pat00018
표 5에서, "m/p"는 메타-페닐렌 기/파라-페닐렌 기 비율이 1/1 (몰비)임을 의미하고, "p-O-p"는 산소 원자에 의해 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타낸다. 실록산-개질 수지는 화학식 (E)로 표시되는 1종 또는 2종 이상의 구조 단위를 가질 수 있다.
본 발명에서는, 실록산의 말단 규소 원자, 말단 규소 원자에 결합된 기, 말단 규소 원자들 사이의 산소 원자 및 규소 원자, 및 규소 원자에 결합된 기가 실록산 모이어티를 구성한다. 예를 들어, 하기 화학식 (W1-S) 및 (C-S)를 갖는 구조 단위에서, 실록산 모이어티는 파선으로 둘러싸여 있다.
Figure pat00019
실록산-개질 수지의 실록산 모이어티 함량은 통상적인 분석 방법에 의해 측정할 수 있다. 분석 방법의 일례를 하기에 기재한다.
전자 사진 감광체의 표면 층을 용매 중에 용해시킨 후, 표면 층의 물질을 표면 층의 성분을 분리 및 수집할 수 있는 분별분리 장치, 예컨대 크기 배제 크로마토그래프 또는 고성능 액체 크로마토그래프로 분별분리한다. 실록산-개질 수지의 분별분리된 물질을 1H-NMR 측정에 적용한다. 구성요소 물질 구조 및 함량을 수소 원자 (수지의 수소 원자)의 피크 위치 및 피크 면적비로부터 측정할 수 있다. 이들 결과에 기초하여, 실록산 단위의 반복 횟수 또는 몰비를 결정하고, 이를 함량 (질량비)로 환산한다. 또한, 실록산-개질 수지를, 예를 들어 알칼리의 존재 하에, 카르복실산 부분 및 비스페놀 부분으로 가수분해시킨다. 생성된 비스페놀 부분에서 실록산 단위의 반복 횟수 또는 몰비를 핵 자기 공명 분광측정법 또는 질량 분광측정법에 의해 측정하고, 이를 함량 (질량비)로 환산한다.
실록산-개질 수지 중의 실록산 모이어티의 질량비는 이러한 방식으로 측정될 수 있다. 실록산-개질 수지 중의 실록산 모이어티의 질량비는 중합에 사용되는 실록산 모이어티를 함유하는 단량체 단위의 원료의 양에 따라 달라진다. 따라서, 원료의 양을 조절하여 실록산 모이어티의 목적 질량비를 달성할 수 있다.
실록산-개질 수지의 실록산 모이어티 함량은 실록산-개질 수지의 총 질량의 1 질량% 내지 50 질량%의 범위일 수 있다.
실록산-개질 수지는 화학식 (A), (B), (C), 및 (D) 중 어느 하나로 표시되는 구조 단위 및 화학식 (E)로 표시되는 구조 단위를 갖는 공중합체일 수 있다. 공중합체는 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 또는 교호 공중합체일 수 있다. 실록산-개질 수지는 말단 실록산 구조를 갖지 않을 수 있다.
실록산-개질 수지는 바람직하게는 10,000 내지 150,000, 보다 바람직하게는 20,000 내지 100,000 범위의 중량-평균 분자량을 갖는다.
본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "중량-평균 분자량"은, 통상적인 절차에 따라 일본 특허 공개 번호 2007-79555에 기재된 방법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산 중량-평균 분자량을 나타낸다.
실록산-개질 폴리카르보네이트 수지의 합성예를 하기에 기재한다.
폴리카르보네이트 수지는 일본 특허 공개 번호 5-158249, 10-182832, 2006-328416, 또는 2008-195905에 기재된 합성 방법에 의해 합성될 수 있다. 표 6 내지 9의 합성예에 기재된 구성요소 α (폴리카르보네이트 수지)는 화학식 (A), (B), (C), 및 (D) 중 어느 하나로 표시되는 구조 단위 및 화학식 (E)로 표시되는 구조 단위에 대한 원료를 사용하여 동일한 합성 방법에 의해 합성된다. 표 6 내지 9에, 합성된 폴리카르보네이트 수지의 중량-평균 분자량 및 실록산 모이어티 함량 (질량%)을 나타내었다.
[표 6]
Figure pat00020
표 6에서 "a", "b", 및 "c"는 화학식 (A)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지의 a, b, 및 c의 평균을 나타낸다.
[표 7]
Figure pat00021
표 7에서 "e", "f", 및 "g"는 화학식 (B)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지의 e, f, 및 g의 평균을 나타낸다.
[표 8]
Figure pat00022
표 8에서 "h", "i", 및 "j"는 화학식 (C)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지의 h, i, 및 j의 평균을 나타낸다.
[표 9]
Figure pat00023
표 9에서 "k"는 화학식 (D)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지의 k의 평균을 나타낸다.
실록산-개질 폴리에스테르 수지의 합성예를 하기에 기재한다.
폴리에스테르 수지는 일본 특허 공개 번호 05-043670, 08-234468, 또는 2009-084556에 기재된 합성 방법에 의해 합성될 수 있다. 표 10 내지 13의 합성예에 기재된 구성요소 α (폴리에스테르 수지)는 화학식 (A), (B), (C), 및 (D) 중 어느 하나로 표시되는 구조 단위 및 화학식 (E)로 표시되는 구조 단위에 대한 원료를 사용하여 동일한 합성 방법에 의해 합성된다. 표 10 내지 13에, 합성된 폴리에스테르 수지의 중량-평균 분자량 및 실록산 모이어티 함량 (질량%)을 나타내었다.
[표 10]
Figure pat00024
표 10에서 "a", "b", 및 "c"는 화학식 (A)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지의 a, b, 및 c의 평균을 나타낸다.
[표 11]
Figure pat00025
표 11에서 "e", "f", 및 "g"는 화학식 (B)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지의 e, f, 및 g의 평균을 나타낸다.
[표 12]
Figure pat00026
표 12에서 "h", "i", 및 "j"는 화학식 (C)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지의 h, i, 및 j의 평균을 나타낸다.
[표 13]
Figure pat00027
표 13에서 "k"는 화학식 (D)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지에서 k의 평균을 나타낸다.
본 발명의 실시양태에 따른 전자 사진 감광체의 초기 마찰 계수 및 반복 사용 동안 고스트 화상의 발생을 감소시키기 위해, 전자 사진 감광체의 표면 층 (전하 수송층 또는 보호층)의 구성요소 α 함량은 바람직하게는 표면 층의 총 질량의 0.1 질량% 내지 60 질량%, 보다 바람직하게는 1 질량% 내지 45 질량%의 범위이다.
<구성요소 β>
표면 층은, 구성요소 β로서, 헥산올, 헵탄올, 시클로헥산올, 벤질 알콜, 에틸렌 글리콜, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 디에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 에틸 메틸 에테르, 에틸렌 카르보네이트, 프로필렌 카르보네이트, 니트로벤젠, 피롤리돈, N-메틸피롤리돈, 메틸 벤조에이트, 에틸 벤조에이트, 벤질 아세테이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 아세토페논, 메틸 살리실레이트, 디메틸 프탈레이트, 및 술폴란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 함유한다.
이들 화합물은 전자 사진 감광체의 반복 사용 동안 고스트 화상의 발생을 감소시킬 수 있다. 구성요소 β 함량은 바람직하게는 표면 층의 총 질량의 0.001 질량% 내지 3.0 질량%, 보다 바람직하게는 0.001 질량% 내지 2.0 질량%의 범위이다. 이로부터 전자 사진 감광체의 초기 마찰 계수 및 반복 사용 동안 고스트 화상의 발생의 특별한 감소가 제공된다.
표면 층은, 구성요소 β를 함유하는 표면 층 코팅 용액의 필름을 지지체 상에 형성하고, 필름을 가열하고 건조시킴으로써 형성된다.
구성요소 β는 표면 층의 형성에서 가열-건조 동안 쉽게 휘발되기 때문에, 표면 층 코팅 용액의 구성요소 β 함량은 표면 층의 구성요소 β 함량보다 더 높을 수 있다. 표면 층 코팅 용액의 구성요소 β 함량은 표면 층 코팅 용액의 총 질량의 5 질량% 내지 80 질량%의 범위일 수 있다.
표면 층의 구성요소 β 함량은 하기 방법에 의해 측정될 수 있다. 표면 층의 구성요소 β 함량은 HP7694 헤드스페이스(Headspace) 샘플러 (애질런트 테크놀로지스(Agilent Technologies) 제조) 및 HP6890 시리즈 GS 시스템 (애질런트 테크놀로지스 제조)을 사용하여 측정할 수 있다. 헤드스페이스 샘플러의 셋팅은 오븐 150℃, 루프 170℃, 및 트랜스퍼 라인 190℃를 포함한다. 표면 층을 갖는 전자 사진 감광체로부터 절단된 5 mm x 40 mm 단편 (시험편)을 헤드스페이스 샘플러 내의 바이알 내에 배치한다. 생성된 기체를 기체 크로마토그래프 (HP6890 시리즈 GS 시스템)로 분석한다. 분석 후, 표면 층의 질량을, 바이알로부터 취출된 시험편의 질량과 표면 층이 제거된 시험편의 질량의 차로서 계산한다. 표면 층이 제거된 시험편은, 바이알로부터 취출된 시험편을 메틸 에틸 케톤 중에 5분 동안 침적시켜 표면 층을 제거하고, 이어서 시험편을 100℃에서 5분 동안 건조시킴으로써 제조된다. 이 방법에 의해 표면 층의 구성요소 β 함량을 측정한다.
본 발명의 실시양태에 따른 전자 사진 감광체의 구조를 하기에 기재한다.
본 발명의 실시양태에 따른 전자 사진 감광체는 지지체, 지지체 상에 형성된 전하 발생층, 및 전하 발생층 상에 형성된 전하 수송층을 포함한다. 도 4a 및 4b는 본 발명의 실시양태에 따른 전자 사진 감광체의 적층 구조의 개략도이다. 도 4a 및 4b에서, (101)은 지지체를 나타내고, (102)는 전하 발생층을 나타내고, (103)은 전하 수송층을 나타내고, (104)는 보호층 (제2 전하 수송층)을 나타낸다.
전하 발생층은 다층 구조를 가질 수 있고, 전하 수송층은 다층 구조를 가질 수 있다. 전하 수송층이 표면 층인 경우, 전하 수송층은 구성요소 α, 구성요소 β, 및 전하 수송 물질을 함유한다. 전하 수송층은 보호층 (표면 층)으로 덮일 수 있다. 이 경우, 보호층은 구성요소 α, 구성요소 β, 및 전하 수송 물질을 함유한다.
[지지체]
지지체는 도전성 지지체일 수 있다. 예를 들어, 지지체는 금속, 예컨대 알루미늄, 스테인레스강, 구리, 니켈, 또는 아연, 또는 이들의 합금으로 제조된다. 알루미늄 또는 알루미늄 합금 지지체는 ED 튜브, EI 튜브, 또는 이들 튜브의 절단, 전기화학 기계적 연마, 또는 습식 또는 건식 호닝(honing)에 의해 제조된 지지체일 수 있다. 지지체는 알루미늄, 알루미늄 합금, 또는 산화인듐-산화주석 합금 등의 도전성 물질로 제조된 박막으로 덮인 금속 또는 수지 지지체일 수 있다.
지지체는, 수지 중에 분산된, 카본 블랙, 산화주석 입자, 산화티타늄 입자, 또는 은 입자 등의 도전성 입자를 함유할 수 있다. 지지체는 또한 도전성 결합제 수지를 함유하는 플라스틱일 수 있다.
레이저 빔의 산란으로 인한 간섭 무늬를 방지하기 위해, 도전성 지지체의 표면은 절단, 조면화, 또는 알루마이트 처리에 적용될 수 있다.
본 발명의 실시양태에 따른 전자 사진 감광체에서는, 도전성 입자 및 수지를 함유하는 도전층이 지지체 상에 형성될 수 있다. 도전층은 결합제 수지 중에 분산된 도전성 입자를 함유하는 도전층 코팅 용액의 필름으로 형성된다.
도전성 입자의 예는, 카본 블랙, 아세틸렌 블랙, 알루미늄, 니켈, 철, 니크롬, 구리, 아연, 은, 및 다른 금속의 분말, 및 금속 산화물, 예컨대 도전성 산화주석 및 산화인듐주석 (ITO)을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.
도전층에 사용하기 위한 결합제 수지의 예는, 폴리에스테르 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리(비닐 부티랄), 아크릴 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 우레탄 수지, 페놀 수지, 및 알키드 수지를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.
도전층 코팅 용액에 사용하기 위한 용매의 예는, 에테르 용매, 알콜 용매, 케톤 용매, 및 방향족 탄화수소 용매를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 도전층은 바람직하게는 0.2 내지 40 ㎛, 보다 바람직하게는 1 내지 35 ㎛, 더욱 더 바람직하게는 5 내지 30 ㎛ 범위의 두께를 갖는다.
지지체 또는 도전층과 전하 발생층 사이에는 언더코트 층이 배치될 수 있다.
언더코트 층은, 지지체 또는 도전층 상에 결합제 수지를 함유하는 언더코트 층 코팅 용액의 필름을 형성하고, 필름을 건조 또는 경화시킴으로써 형성될 수 있다.
언더코트 층에 사용하기 위한 결합제 수지의 예는, 폴리(아크릴산), 메틸셀룰로스, 에틸셀룰로스, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리(아믹산) 수지, 멜라민 수지, 에폭시 수지, 및 폴리우레탄 수지를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 언더코트 층에 사용하기 위한 결합제 수지는 열가소성 수지, 보다 구체적으로는 열가소성 폴리아미드 수지일 수 있다. 폴리아미드 수지는 용액 형태로 적용될 수 있는 저결정성 또는 비결정성 나일론 공중합체일 수 있다.
언더코트 층 코팅 용액에 사용하기 위한 용매의 예는, 에테르 용매, 알콜 용매, 케톤 용매, 및 방향족 탄화수소 용매를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 언더코트 층은 바람직하게는 0.05 내지 40 ㎛, 보다 바람직하게는 0.1 내지 30 ㎛ 범위의 두께를 갖는다. 언더코트 층은 반도체 입자, 전자 수송 물질, 또는 전자 수용 물질을 함유할 수 있다.
[전하 발생층]
지지체, 도전층, 또는 언더코트 층 상에는 전하 발생층이 형성된다.
본 발명의 실시양태에 따른 전자 사진 감광체에 사용하기 위한 전하 발생 물질의 구체적 예는, 아조 안료, 프탈로시아닌 안료, 인디고 안료, 및 페릴렌 안료를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 이들 전하 발생 물질은 단독으로 또는 조합하여 사용될 수 있다. 특히, 옥시티타늄 프탈로시아닌, 히드록시갈륨 프탈로시아닌, 및 클로로갈륨 프탈로시아닌이 고감도를 갖는다.
전하 발생층은 결합제 수지, 예컨대 폴리카르보네이트 수지, 폴리에스테르 수지, 부티랄 수지, 폴리(비닐 아세탈) 수지, 아크릴 수지, 비닐 아세테이트 수지, 또는 우레아 수지를 함유할 수 있다. 결합제 수지는 부티랄 수지일 수 있다. 이들 수지는 단독으로 또는 조합하여 혼합물 또는 공중합체로서 사용될 수 있다.
전하 발생층은 전하 발생층 코팅 용액의 필름을 형성하고, 필름을 건조시킴으로써 형성될 수 있다. 전하 발생층 코팅 용액은 전하 발생 물질을 결합제 수지와 함께 용매 중에 분산시킴으로써 제조된다. 전하 발생층은 또한 전하 발생 물질의 증착막일 수 있다.
분산은 균질화기, 초음파, 볼 밀, 샌드 밀, 아트라이터(attritor), 또는 롤링 밀을 사용하여 수행될 수 있다.
결합제 수지에 대한 전하 발생 물질의 질량비는 바람직하게는 0.1 내지 10, 보다 바람직하게는 1 내지 3의 범위이다.
전하 발생층 코팅 용액에 사용하기 위한 용매의 예는, 알콜 용매, 술폭시드 용매, 케톤 용매, 에테르 용매, 에스테르 용매, 및 방향족 탄화수소 용매를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.
전하 발생층은 바람직하게는 0.01 내지 5 ㎛, 보다 바람직하게는 0.1 내지 2 ㎛ 범위의 두께를 갖는다.
전하 발생층은 필요한 경우 증감제, 산화방지제, 자외선 흡수제, 및/또는 가소제를 함유할 수 있다. 전하 발생층에서 전하 (캐리어)의 유동을 촉진시키기 위해, 전하 발생층은 전자 수송 물질 및/또는 전자 수용 물질을 함유할 수 있다.
[전하 수송층]
본 발명의 실시양태에 따른 전자 사진 감광체는 전하 발생층 상에 전하 수송층을 포함한다.
전하 수송층 및 표면 층은 전하 수송 물질, 예컨대 트리아릴아민 화합물, 히드라존 화합물, 스티릴 화합물, 스틸벤 화합물, 또는 엔아민 화합물을 함유한다. 이들 전하 수송 물질은 단독으로 또는 조합하여 사용될 수 있다. 전하 수송 물질의 예는 하기와 같다.
Figure pat00028
Figure pat00029
전하 수송층은 전하 수송층 코팅 용액의 필름을 형성하고, 필름을 건조시킴으로써 형성될 수 있다. 전하 수송층 코팅 용액은 전하 수송 물질을 결합제 수지와 함께 용매 중에 용해시킴으로써 제조된다.
표면 층 (전하 수송층 또는 보호층)은 수지로서 구성요소 α를 함유하고 추가의 수지를 함유할 수 있다. 추가의 수지는 폴리카르보네이트 수지 또는 폴리에스테르 수지일 수 있다. 폴리카르보네이트 수지 또는 폴리에스테르 수지는 화학식 (E)로 표시되는 구조 단위를 갖는 수지 E일 수 있다. 화학식 (E)로 표시되는 구조 단위의 예는, 상기한 화학식 (E-1) 내지 (E-19)로 표시되는 구조 단위를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 화학식 (E)로 표시되는 구조 단위를 갖는 수지 E는 1종의 화학식 (E)로 표시되는 구조 단위를 갖는 중합체 또는 2종 이상의 화학식 (E)로 표시되는 구조 단위를 갖는 공중합체일 수 있다. 이들 중, 화학식 (E)로 표시되는 구조 단위는 화학식 (E-3), (E-4), (E-5), (E-15), (E-17), 또는 (E-18)로 표시되는 구조 단위일 수 있다. 추가의 수지는 실록산 모이어티를 갖지 않을 수 있다. 표면 층이 수지 E를 함유하는 경우, 수지 E 대 실록산-개질 수지의 질량비는 1/9 내지 50/1의 범위일 수 있다.
수지 E는 일본 특허 공개 번호 2006-328416, 05-043670, 또는 08-234468에 기재된 방법에 의해 합성될 수 있다. 표 14 및 15에 수지 E (폴리카르보네이트 수지 및 폴리에스테르 수지)의 합성예를 나타내었다.
[표 14]
Figure pat00030
합성예 64에서 "(E-5)/(E-6)/(E-7)=4/5/1"은 공중합 비 (몰비)를 나타낸다.
[표 15]
Figure pat00031
전하 수송층은 바람직하게는 5 내지 50 ㎛, 보다 바람직하게는 10 내지 30 ㎛ 범위의 두께를 갖는다.
전하 수송 물질 대 결합제 수지의 질량비는 5:1 내지 1:5, 바람직하게는 3:1 내지 1:3의 범위이다. 전자 사진 감광체의 반복 사용 동안 고스트 화상의 발생을 감소시키기 위해, 표면 층의 전하 수송 물질 함량은 표면 층의 총 질량의 20 질량% 내지 50 질량%의 범위이다.
전하 수송층 코팅 용액에 사용하기 위한 용매의 예는, 알콜 용매, 술폭시드 용매, 케톤 용매, 에테르 용매, 에스테르 용매, 및 방향족 탄화수소 용매를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 전하 수송층 코팅 용액에 사용하기 위한 용매는 크실렌, 톨루엔, 또는 테트라히드로푸란일 수 있다.
본 발명의 실시양태에 따른 전자 사진 감광체의 각각의 층은 각종 첨가제를 함유할 수 있다. 첨가제의 예는, 열화방지제, 예컨대 산화방지제, 자외선 흡수제, 및 광 안정화제, 및 미립자, 예컨대 유기 미립자 및 무기 미립자를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.
열화방지제의 예는, 장애 페놀 산화방지제, 장애 아민 광 안정화제, 황 원자 함유 산화방지제, 및 인 원자 함유 산화방지제를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.
유기 미립자의 예는, 중합체 수지 입자, 예컨대 플루오린 원자 함유 수지 입자, 폴리스티렌 미립자, 및 폴리에틸렌 수지 입자를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 무기 미립자의 예는, 금속 산화물, 예컨대 실리카 및 알루미나를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.
이들 코팅 용액은 침지 코팅, 분무 코팅, 스피너 코팅, 롤러 코팅, 마이어(Mayer) 바 코팅, 또는 블레이드 코팅에 의해 적용될 수 있다. 이들 코팅 용액은 침지 코팅에 의해 적용될 수 있다.
각각의 층을 형성하기 위한 코팅 용액의 건조 온도는 60℃ 내지 150℃의 범위일 수 있다. 전하 수송층 코팅 용액 (표면 층 코팅 용액)의 건조 온도는 110℃ 내지 140℃의 범위일 수 있다. 건조 시간은 바람직하게는 10 내지 60분, 보다 바람직하게는 20 내지 60분의 범위이다.
[전자 사진 장치]
도 1은 본 발명의 실시양태에 따른 전자 사진 감광체를 포함하는 프로세스 카트리지를 포함하는 전자 사진 장치의 개략도이다.
도 1에서, 원주형 전자 사진 감광체 (1)은 축 (2)를 중심으로 하여 화살표 방향으로 소정의 원주 속도로 회전한다. 회전하는 전자 사진 감광체 (1)의 표면은, 대전 유닛 (1차 대전 유닛, 예컨대 대전 롤러) (3)으로 소정의 음전위로 대전된다. 이어서, 전자 사진 감광체 (1)에, 의도된 화상 정보의 시계열 전기 디지털 화상 신호에 대응하여, 노광 유닛 (도시하지 않음), 예컨대 슬릿 노광 유닛 또는 레이저 빔 주사 노광 유닛으로부터 방출되는 강도-변조된 노광 광 (화상 노광 광) (4)가 조사된다. 이러한 방식으로, 의도된 화상에 상응하는 정전 잠상이 전자 사진 감광체 (1)의 표면 상에 형성된다.
전자 사진 감광체 (1)의 표면 상에 형성된 정전 잠상은 현상 유닛 (5)의 현상제 중에 함유된 토너로 반전 현상에 의해 현상되어 토너 화상을 형성한다. 이어서, 전자 사진 감광체 (1)의 표면 상의 토너 화상은, 전사 유닛 (예컨대 전사 롤러) (6)으로부터 전사 바이어스를 수용하면서 전사재 (예컨대 페이퍼 시트) (P)로 전사된다. 전사재 (P)는, 전사재 공급 유닛 (도시하지 않음)으로부터, 전자 사진 감광체 (1)의 회전과 동기(同期)로 전자 사진 감광체 (1)과 전사 유닛 (6) 사이의 접촉부로 공급된다. 토너의 전하의 극성과 반대되는 극성을 갖는 바이어스 전압이 바이어스 전원 (도시하지 않음)에 의해 전사 장치 (6)에 인가된다.
토너 화상이 전사된 전사재 (P)는 전자 사진 감광체 (1)로부터 분리되어 정착 유닛 (8)로 전달되고, 여기서 토너 화상이 정착된다. 이어서, 생성된 화상-형성물 (프린트 또는 카피)은 장치의 외부로 수송된다.
토너 화상 전사 후, 전자 사진 감광체 (1)의 표면은 클리닝 유닛 (예컨대 클리닝 블레이드) (7)에 의해 잔류 현상제 (잔류 토너)가 세정된다. 전-노광 유닛 (도시하지 않음)으로부터 방출되는 전-노광 유닛 (도시하지 않음)을 이용한 전기 제거 후, 전자 사진 감광체 (1)이 다시 화상 형성에 사용된다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 대전 유닛 (3)이 대전 롤러 등의 접촉 대전 유닛인 경우, 전-노광이 반드시 필요한 것은 아니다.
전자 사진 감광체 (1), 대전 유닛 (3), 현상 유닛 (5), 전사 유닛 (6), 및 클리닝 유닛 (7)로부터 선택된 다수의 구성요소를 용기 내에 배치하여 프로세스 카트리지를 구성할 수 있다. 프로세스 카트리지는 복사기 또는 레이저-빔 프린터 등의 전자 사진 장치 본체에 탈착식으로 부착될 수 있다. 도 1에서, 전자 사진 감광체 (1), 대전 유닛 (3), 현상 유닛 (5), 및 클리닝 유닛 (7)은 카트리지 (9)에서 일체형으로 지지되어 있다. 프로세스 카트리지 (9)는 레일 등의 가이드 (10)을 통해 전자 사진 장치 본체에 부착되고 그로부터 탈착될 수 있다.
실시예
본 발명을 하기 실시예 및 비교예에서 추가로 설명한다. 본 발명은 이들 실시예로 제한되지 않는다. 실시예에서 용어 "부"는 "질량부"를 나타낸다. 표 16 내지 33에 실시예 1 내지 154 및 비교예 1 내지 112에 대한 결과를 나타내었다.
실시예 1
직경 24 mm 및 길이 257 mm의 알루미늄 실린더를 지지체 (도전성 지지체)로서 사용하였다.
SnO2-코팅된 황산바륨 (도전성 입자) 10부, 산화티타늄 (저항 조절 안료) 2부, 페놀 수지 (결합제 수지) 6부, 실리콘 오일 (레벨링(leveling)제) 0.001부, 및 메탄올 4부 및 메톡시프로판올 16부의 혼합 용매로부터 도전층 코팅 용액을 제조하였다.
도전층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 지지체에 적용하고, 140℃에서 30분 동안 경화 (열 경화)시켜 15 ㎛의 두께를 갖는 도전층을 형성하였다.
N-메톡시메틸화 나일론 3부 및 나일론 공중합체 3부를 메탄올 65부 및 n-부탄올 30부의 혼합 용매 중에 용해시켜 언더코트 층 코팅 용액을 제조하였다.
언더코트 층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 도전층에 적용하고, 80℃에서 10분 동안 건조시켜 0.7 ㎛의 두께를 갖는 언더코트 층을 형성하였다.
CuKα 특성 X선 회절에서 7.5, 9.9, 16.3, 18.6, 25.1, 및 28.3도의 브래그(Bragg)각 2θ±0.2도에서 강한 피크를 갖는 결정 형태의 히드록시 갈륨 프탈로시아닌 결정 (전하 발생 물질) 10부를 사용하였다. 히드록시 갈륨 프탈로시아닌 결정을 시클로헥사논 250부 중에 용해된 폴리(비닐 부티랄) 수지 (세키스이 케미칼사(Sekisui Chemical Co., Ltd.)에서 제조된 상표명: S-Lec BX-1) 5부에 첨가하였다. 혼합물을 23±3℃에서 1시간 동안 직경 1 mm를 갖는 유리 비드를 포함하는 샌드 밀 중에 분산시켰다. 혼합물에 에틸 아세테이트 250부를 첨가하여 전하 발생층 코팅 용액을 제조하였다.
전하 발생층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 언더코트 층에 적용하고, 100℃에서 10분 동안 건조시켜 0.3 ㎛의 두께를 갖는 전하 발생층을 형성하였다.
화학식 (CTM-1)을 갖는 화합물 9부, 수지 PC-A(1) 1부, 수지 PC-E(2) 9부 및 메틸 벤조에이트 10부를 테트라히드로푸란 (THF) 65부 중에 용해시킴으로써 전하 수송층 코팅 용액을 제조하였다.
전하 수송층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 전하 발생층에 적용하고, 125℃에서 40분 동안 건조시켜 16 ㎛의 두께를 갖는 전하 수송층을 형성하였다. 따라서, 도전층, 언더코트 층, 전하 발생층, 및 전하 수송층 (표면 층)을 포함하는 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전하 수송층은 상기한 기체 크로마토그래피 방법에 의해 측정시 0.12 질량% 메틸 벤조에이트를 함유하였다.
이제 평가에 대해 설명한다. 전자 사진 감광체의 반복 사용 동안 고스트 화상 및 초기 마찰 계수를 측정하였다.
<고스트 화상 평가>
휴렛-팩커드사(Hewlett-Packard Co.)에서 제조된 HP 컬러 레이저젯(Color LaserJet) 3700 (여기에 직경 24 mm를 갖는 원주형 전자 사진 감광체가 부착될 수 있음)을 사용하여 고스트 화상을 관찰하였다. 상기와 같이 제조된 전자 사진 감광체를 포함하는 프로세스 카트리지를 시험 장치 상에 장착하고, 32.5℃의 온도 및 80%RH의 습도에서 시험하였다. 2%의 인쇄 비율로 10,000매의 A4-크기 보통 용지 시트 상에 수평선 화상을 연속적으로 인쇄한 후, 도 2에 나타낸 고스트 시험 화상을 출력하였다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 고스트 시험 화상은 화상의 상단에 "백화상(white image)" 내의 정사각형 "솔리드 화상(solid image)"을 가졌고, 그 후 도 3에 나타낸 "1-도트 케이마-패턴 (나이트-점프 패턴과 유사) 하프톤 화상"을 가졌다. 도 2에서, "솔리드 화상"에 기인하는 고스트가 "고스트" 영역에서 나타날 수 있다. 도 2에 나타낸 화상에 기초하여, 고스트 화상은 A: 실질적으로 고스트가 없음, B: 몇몇 고스트, 및 C: 명백한 고스트로 분류되었다. 실시예 1에서는, 10,000매 인쇄 후에 고스트 화상이 실질적으로 나타나지 않았다. 표 25에 결과를 나타내었다.
<고스트 전위 측정>
휴렛-팩커드사에서 제조된 HP 컬러 레이저젯 3700을 사용하여 고스트 전위를 측정하였다. 전자 사진 감광체를 포함하는 프로세스 카트리지를 시험 장치 상에 장착하고, 32.5℃의 온도 및 80%RH의 습도에서 시험하였다. 2%의 인쇄 비율로 10,000매의 A4-크기 보통 용지 시트 상에 수평선 화상을 연속적으로 인쇄한 후, 하기와 같이 고스트 전위를 측정하였다. 고스트 전위는, 프로세스 카트리지에서 전자 사진 감광체의 단부로부터 128 mm 떨어져서 (중앙부에) 배치된 지그로 고정된 전위 측정 프로브를 사용하여 측정하였다. 지그로 현상 유닛을 교체하였다. 전자 사진 감광체의 비노광부의 암영역 전위가 -500 V가 되도록 바이어스를 적용하였다. 레이저 빔 강도는 0.28 μJ/㎠였다. 도 2에 나타낸 화상 출력 신호를 시험 장치에 입력하여 고스트 전위를 측정하였다. 도 2에 나타낸 화상 출력 신호에 대응하여, 도 2에 나타낸 화상에 상응하는 정전 잠상이 감광체의 표면 상에 형성되었다. 도 2에 나타낸 화상에 상응하는 정전 잠상에서, 고스트 전위는, 하프톤 화상 형성 영역 중 고스트 화상 형성 영역과 하프톤 화상 형성 영역 중 고스트 화상 형성 영역 이외의 영역 사이의 전위차였다. 실시예 1에서, 10,000매 인쇄 후 고스트 전위는 5 V였다. 표 25에 결과를 나타내었다.
<마찰 계수 측정>
실시예 및 비교예에서 제조된 전자 사진 감광체의 마찰 계수를 하기 방법에 의해 측정하였다. 마찰 계수는 신토 사이언티픽사(Shinto Scientific Co., Ltd.) 에서 제조된 HEIDON-14를 사용하여 상온 및 상습 (23℃/50%RH)에서 측정하였다. 블레이드 (우레탄 고무 블레이드)를 일정한 하중 (50 g)에서 각각의 전자 사진 감광체와 접촉시켰다. 전자 사진 감광체를 전자 사진 감광체의 축 방향으로 50 mm/min의 속도로 이동시키면서 각각의 전자 사진 감광체와 고무 블레이드 사이의 마찰력을 측정하였다. 우레탄 고무 블레이드에 부착된 변형 게이지의 변형량으로서 마찰력을 측정하고, 이를 인장 하중 (감광체에 인가된)으로 환산하였다. 우레탄 고무 블레이드가 이동하는 동안 식: [감광체에 인가된 힘 (마찰력) (gf)]/[블레이드에 인가된 하중 (gf)]을 이용하여 운동 마찰 계수를 측정하였다. 우레탄 고무 블레이드는 호쿠신사(Hokushin Corp.)에서 제조된 5 mm x 30 mm x 2 mm 우레탄 블레이드였다 (고무 경도 67도). 27도의 각도에서 "with" 방향으로 50 g의 하중에서 측정을 수행하였다. 실시예 1에서 마찰 계수는 1.0이었다. 표 25에 결과를 나타내었다.
실시예 2 내지 36
구성요소 α, 추가의 수지 (수지 E), 구성요소 β, 전하 수송 물질, 및 전하 수송층의 용매의 종류 및 양을 표 16에 나타낸 바와 같이 변화시킨 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 실시예 35 및 36에서 전하 수송층은 각각 10 및 25 ㎛의 두께를 가졌다. 표 25에 결과를 나타내었다.
[표 16]
Figure pat00032
실시예 37
전하 수송층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 전하 발생층에 적용한 후 건조 조건이 135℃에서 60분 동안인 것을 제외하고는, 실시예 3에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 표 25에 결과를 나타내었다.
실시예 38
전하 수송층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 전하 발생층에 적용한 후 건조 조건이 120℃에서 20분 동안인 것을 제외하고는, 실시예 3에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 표 25에 결과를 나타내었다.
실시예 39 내지 70
구성요소 α, 수지 E, 구성요소 β, 전하 수송 물질, 및 전하 수송층의 용매의 종류 및 양을 표 17에 나타낸 바와 같이 변화시킨 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 실시예 69 및 70에서 전하 수송층은 각각 10 및 25 ㎛의 두께를 가졌다. 표 26에 결과를 나타내었다.
[표 17]
Figure pat00033
실시예 71
전하 수송층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 전하 발생층에 적용한 후 건조 조건이 135℃에서 60분 동안인 것을 제외하고는, 실시예 41에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 표 26에 결과를 나타내었다.
실시예 72
전하 수송층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 전하 발생층에 적용한 후 건조 조건이 120℃에서 20분 동안인 것을 제외하고는, 실시예 41에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 표 26에 결과를 나타내었다.
실시예 73 내지 120
구성요소 α, 수지 E, 구성요소 β, 전하 수송 물질, 및 전하 수송층의 용매의 종류 및 양을 표 18 또는 19에 나타낸 바와 같이 변화시킨 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 실시예 119 및 120에서 전하 수송층은 각각 10 및 25 ㎛의 두께를 가졌다. 표 27 및 28에 결과를 나타내었다.
[표 18]
Figure pat00034
[표 19]
Figure pat00035
실시예 121
전하 수송층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 전하 발생층에 적용한 후 건조 조건이 135℃에서 60분 동안인 것을 제외하고는, 실시예 73에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 표 28에 결과를 나타내었다.
실시예 122
전하 수송층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 전하 발생층에 적용한 후 건조 조건이 120℃에서 20분 동안인 것을 제외하고는, 실시예 73에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 표 28에 결과를 나타내었다.
실시예 123
전하 수송층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 전하 발생층에 적용한 후 건조 조건이 115℃에서 20분 동안인 것을 제외하고는, 실시예 73에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 표 28에 결과를 나타내었다.
실시예 124 내지 152
구성요소 α, 수지 E, 구성요소 β, 전하 수송 물질, 및 전하 수송층의 용매의 종류 및 양을 표 20에 나타낸 바와 같이 변화시킨 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 실시예 151 및 152에서 전하 수송층은 각각 10 및 25 ㎛의 두께를 가졌다. 표 29에 결과를 나타내었다.
[표 20]
Figure pat00036
실시예 153
전하 수송층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 전하 발생층에 적용한 후 건조 조건이 135℃에서 60분 동안인 것을 제외하고는, 실시예 124에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 표 29에 결과를 나타내었다.
실시예 154
전하 수송층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 전하 발생층에 적용한 후 건조 조건이 120℃에서 20분 동안인 것을 제외하고는, 실시예 124에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 표 29에 결과를 나타내었다.
비교예 1 내지 29
구성요소 α, 수지 E, 구성요소 β의 비교 화합물, 전하 수송 물질, 및 전하 수송층의 용매의 종류 및 양을 표 21에 나타낸 바와 같이 변화시킨 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 비교예 28 및 29에서 전하 수송층은 각각 10 및 25 ㎛의 두께를 가졌다. 표 30에 결과를 나타내었다. 비교예 20 내지 22에서, 표면 층의 모노글라임 (비교예 20), n-펜틸 아세테이트 (비교예 21), 및 1-펜탄올 (비교예 22) 함량은 각각 0.002 질량%, 0.040 질량%, 및 0.030 질량%였다.
비교예 30
전하 수송층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 전하 발생층에 적용한 후 건조 조건이 135℃에서 60분 동안인 것을 제외하고는, 비교예 3에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 표 30에 결과를 나타내었다.
비교예 31
전하 수송층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 전하 발생층에 적용한 후 건조 조건이 120℃에서 20분 동안인 것을 제외하고는, 비교예 3에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 표 30에 결과를 나타내었다.
[표 21]
Figure pat00037
비교예 32 내지 56
구성요소 α, 수지 E, 구성요소 β의 비교 화합물, 전하 수송 물질, 및 전하 수송층의 용매의 종류 및 양을 표 22에 나타낸 바와 같이 변화시킨 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 비교예 55 및 56에서 전하 수송층은 각각 10 및 25 ㎛의 두께를 가졌다. 표 30에 결과를 나타내었다. 비교예 49 내지 51에서, 표면 층의 모노글라임 (비교예 49), n-펜틸 아세테이트 (비교예 50), 및 1-펜탄올 (비교예 51) 함량은 각각 0.005 질량%, 0.040 질량%, 및 0.040 질량%였다.
비교예 57
전하 수송층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 전하 발생층에 적용한 후 건조 조건이 135℃에서 60분 동안인 것을 제외하고는, 비교예 34에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 표 30에 결과를 나타내었다.
비교예 58
전하 수송층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 전하 발생층에 적용한 후 건조 조건이 120℃에서 20분 동안인 것을 제외하고는, 비교예 34에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 표 30에 결과를 나타내었다.
[표 22]
Figure pat00038
비교예 59 내지 86
구성요소 α, 수지 E, 구성요소 β의 비교 화합물, 전하 수송 물질, 및 전하 수송층의 용매의 종류 및 양을 표 23에 나타낸 바와 같이 변화시킨 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 비교예 85 및 86에서 전하 수송층은 각각 10 및 25 ㎛의 두께를 가졌다. 표 31에 결과를 나타내었다. 비교예 71 내지 73에서, 표면 층의 모노글라임 (비교예 71), n-펜틸 아세테이트 (비교예 72), 및 1-펜탄올 (비교예 73) 함량은 각각 0.003 질량%, 0.040 질량%, 및 0.050 질량%였다.
비교예 87
전하 수송층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 전하 발생층에 적용한 후 건조 조건이 135℃에서 60분 동안인 것을 제외하고는, 비교예 59에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 표 31에 결과를 나타내었다.
비교예 88
전하 수송층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 전하 발생층에 적용한 후 건조 조건이 120℃에서 20분 동안인 것을 제외하고는, 비교예 59에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 표 31에 결과를 나타내었다.
[표 23]
Figure pat00039
비교예 89 내지 110
구성요소 α, 수지 E, 구성요소 β의 비교 화합물, 전하 수송 물질, 및 전하 수송층의 용매의 종류 및 양을 표 24에 나타낸 바와 같이 변화시킨 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 비교예 109 및 110에서 전하 수송층은 각각 10 및 25 ㎛의 두께를 가졌다. 표 31에 결과를 나타내었다. 비교예 103 내지 105에서, 표면 층의 모노글라임 (비교예 103), n-펜틸 아세테이트 (비교예 104), 및 1-펜탄올 (비교예 105) 함량은 각각 0.003 질량%, 0.050 질량%, 및 0.030 질량%였다.
비교예 111
전하 수송층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 전하 발생층에 적용한 후 건조 조건이 135℃에서 60분 동안인 것을 제외하고는, 비교예 89에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 표 31에 결과를 나타내었다.
비교예 112
전하 수송층 코팅 용액을 침지 코팅에 의해 전하 발생층에 적용한 후 건조 조건이 120℃에서 20분 동안인 것을 제외하고는, 비교예 89에서와 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제조하였다. 표 31에 결과를 나타내었다.
[표 24]
Figure pat00040
[표 25]
Figure pat00041
[표 26]
Figure pat00042
[표 27]
Figure pat00043
[표 28]
Figure pat00044
[표 29]
Figure pat00045
[표 30]
Figure pat00046
[표 31]
Figure pat00047
실시예와 비교예의 비교는, 전자 사진 감광체의 표면 층 내의 구성요소 α의 실록산-개질 수지 및 구성요소 β의 화합물이 초기 마찰 계수 및 전자 사진 감광체의 반복 사용 동안 고스트 화상의 발생을 감소시킬 수 있음을 보여준다.
본 발명을 예시적 실시양태를 참조로 하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적 실시양태로 제한되지 않음을 이해하여야 한다. 하기 특허청구범위의 범주는 이러한 모든 변형 및 등가의 구조 및 기능을 포함하도록 가장 광범위한 해석에 따라야 한다.

Claims (11)

  1. 전자 사진 감광체이며,
    지지체;
    지지체 상에 형성된 전하 발생층; 및
    전하 발생층 상에 형성된 전하 수송층
    을 포함하며; 전자 사진 감광체의 표면 층이
    (α) 하기 화학식 (A), (B), (C), 및 (D) 중 어느 하나로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지;
    (β) 헥산올, 헵탄올, 시클로헥산올, 벤질 알콜, 에틸렌 글리콜, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 디에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 에틸 메틸 에테르, 에틸렌 카르보네이트, 프로필렌 카르보네이트, 니트로벤젠, 피롤리돈, N-메틸피롤리돈, 메틸 벤조에이트, 에틸 벤조에이트, 벤질 아세테이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 아세토페논, 메틸 살리실레이트, 디메틸 프탈레이트, 및 술폴란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물; 및
    전하 수송 물질
    을 포함하는 것인 전자 사진 감광체.
    Figure pat00048

    화학식 (A)에서,
    Y1은 단일 결합, 메틸렌 기, 에틸리덴 기, 프로필리덴 기, 페닐에틸리덴 기, 시클로헥실리덴 기, 또는 산소 원자를 나타내고,
    X1은 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자와 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고,
    n은 0 또는 1을 나타내고,
    W1은 하기 화학식 (W1) 또는 (W2)로 표시되는 1가 기를 나타내고,
    Figure pat00049

    화학식 (W1) 및 (W2)에서,
    R1 내지 R3은 각각 독립적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기를 나타내고,
    a는 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고, b 및 c는 각각 독립적으로 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고,
    화학식 (A)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지에서 a의 평균은 10 내지 150의 범위이고, 여기서 b+c의 평균은 10 내지 150의 범위이고,
    Figure pat00050

    화학식 (B)에서,
    X2는 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자와 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고,
    R4 내지 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 또는 페닐 기를 나타내고,
    n은 0 또는 1을 나타내고,
    V1은 하기 화학식 (V1) 또는 (V2)로 표시되는 1가 기를 나타내고,
    Figure pat00051

    화학식 (V1) 및 (V2)에서,
    R7 내지 R9는 각각 독립적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기를 나타내고,
    d는 2 내지 10의 정수를 나타내고,
    e는 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고, f 및 g는 각각 독립적으로 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고,
    화학식 (B)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지에서 e의 평균은 10 내지 150의 범위이고, 여기서 f+g의 평균은 10 내지 150의 범위이고,
    Figure pat00052

    화학식 (C)에서,
    X3은 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자와 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고,
    n은 0 또는 1을 나타내고,
    h, i, 및 j는 각각 독립적으로 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고,
    화학식 (C)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지에서 h의 평균 및 여기서 i의 평균은 각각 독립적으로 1 내지 10의 범위이고,
    여기서 j의 평균은 20 내지 200의 범위이고,
    Figure pat00053

    화학식 (D)에서,
    X4는 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자와 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고,
    n은 0 또는 1을 나타내고,
    k는 괄호 내의 구조의 반복 횟수를 나타내고, 화학식 (D)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실록산-개질 수지에서 k의 평균은 20 내지 200의 범위이다.
  2. 제1항에 있어서, (β)가 시클로헥산올, 벤질 알콜, 메틸 벤조에이트, 에틸 벤조에이트, 벤질 아세테이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 아세토페논, 메틸 살리실레이트, 및 디메틸 프탈레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물인 전자 사진 감광체.
  3. 제1항에 있어서, (β) 함량이 표면 층의 총 질량의 0.001 질량% 내지 2.0 질량%의 범위인 전자 사진 감광체.
  4. 제1항에 있어서, (α) 함량이 표면 층의 총 질량의 1 질량% 내지 45 질량%의 범위인 전자 사진 감광체.
  5. 제1항에 있어서, 실록산-개질 수지가 하기 화학식 (E)로 표시되는 구조 단위를 추가로 갖는 것인 전자 사진 감광체.
    Figure pat00054

    화학식 (E)에서,
    Y5는 단일 결합, 메틸렌 기, 에틸리덴 기, 프로필리덴 기, 페닐에틸리덴 기, 시클로헥실리덴 기, 또는 산소 원자를 나타내고,
    X5는 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자와 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고,
    n은 0 또는 1을 나타내고,
    R11 내지 R14는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기를 나타낸다.
  6. 제1항에 있어서, 전하 수송 물질이 트리아릴아민 화합물, 히드라존 화합물, 스티릴 화합물, 스틸벤 화합물, 및 엔아민 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 전자 사진 감광체.
  7. 제1항에 있어서, 표면 층이 전하 수송층인 전자 사진 감광체.
  8. 제1항에 있어서, 실록산-개질 수지의 실록산 모이어티 함량이 실록산-개질 수지의 총 질량의 1 질량% 내지 50 질량%의 범위인 전자 사진 감광체.
  9. 제1항에 있어서, 전하 수송 물질 함량이 표면 층의 총 질량의 20 질량% 내지 50 질량%의 범위인 전자 사진 감광체.
  10. 제1항에 따른 전자 사진 감광체, 및 대전 유닛, 현상 유닛, 전사 유닛, 및 클리닝 유닛으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 유닛을 일체형으로 지지하는, 전자 사진 장치의 본체에 탈착식으로 부착가능한 프로세스 카트리지.
  11. 제1항에 따른 전자 사진 감광체; 대전 유닛; 노광 유닛; 현상 유닛; 및 전사 유닛을 포함하는 전자 사진 장치.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6059025B2 (ja) 2013-01-18 2017-01-11 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
EP2757419B1 (en) * 2013-01-18 2017-03-15 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing electrophotographic photosensitive member
US9684277B2 (en) * 2014-11-19 2017-06-20 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and image-forming method
JP6436536B2 (ja) * 2015-03-26 2018-12-12 シャープ株式会社 有機電子写真感光体およびそれを用いた画像形成装置
JP6584177B2 (ja) * 2015-07-10 2019-10-02 キヤノン株式会社 画像形成方法および電子写真装置
JP6859734B2 (ja) * 2016-02-12 2021-04-14 三菱ケミカル株式会社 積層型電子写真感光体、電子写真感光体カートリッジ、及び画像形成装置
US10331052B2 (en) * 2016-12-20 2019-06-25 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP6896556B2 (ja) * 2017-08-10 2021-06-30 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0543670A (ja) 1991-08-09 1993-02-23 Unitika Ltd ポリアリレートおよびその製造方法
JP3084861B2 (ja) 1991-12-06 2000-09-04 三菱化学株式会社 電子写真感光体
JPH08234468A (ja) 1995-02-24 1996-09-13 Konica Corp 電子写真感光体
JP3902281B2 (ja) 1996-10-31 2007-04-04 東レ・ダウコーニング株式会社 ポリカーボネート樹脂及びその成形品
JP2002182406A (ja) * 2000-12-13 2002-06-26 Sharp Corp 電子写真感光体、その電荷輸送層用塗布液および電子写真装置
JP2002311627A (ja) * 2001-04-10 2002-10-23 Konica Corp 電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ
US6849367B2 (en) * 2001-09-14 2005-02-01 Ricoh Company, Ltd. Electrophotographic photoconductor, process for forming an image, image forming apparatus and a process cartridge for the same
JP3930433B2 (ja) 2002-06-12 2007-06-13 株式会社リコー 電子写真感光体
JP2006084578A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Sharp Corp 電子写真感光体の製造方法、電子写真感光体および画像形成装置
JP4302648B2 (ja) * 2005-02-18 2009-07-29 シャープ株式会社 電子写真感光体およびその製造方法、ならびに該電子写真感光体を備える画像形成装置
JP4847245B2 (ja) 2005-08-15 2011-12-28 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4630243B2 (ja) 2006-07-14 2011-02-09 出光興産株式会社 ポリカーボネート−シロキサン共重合樹脂とその製造法および電子写真感光体ならびにコーティング材
JP5009642B2 (ja) 2007-02-15 2012-08-22 信越化学工業株式会社 ポリカーボネート樹脂及びその製造方法並びにそれを用いた電子写真感光体
JP5283442B2 (ja) 2007-09-13 2013-09-04 ユニチカ株式会社 オルガノシロキサン共重合ポリエステルアミド樹脂
JP4663768B2 (ja) * 2008-04-15 2011-04-06 シャープ株式会社 電子写真感光体を備えた画像形成装置
KR101196105B1 (ko) * 2008-07-18 2012-11-01 캐논 가부시끼가이샤 전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치
US8241825B2 (en) * 2009-08-31 2012-08-14 Xerox Corporation Flexible imaging member belts
JP4764953B1 (ja) * 2009-12-09 2011-09-07 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5629588B2 (ja) * 2010-01-15 2014-11-19 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US8232030B2 (en) * 2010-03-17 2012-07-31 Xerox Corporation Curl-free imaging members with a slippery surface
KR101476567B1 (ko) * 2010-09-14 2014-12-24 캐논 가부시끼가이샤 전자사진 감광 부재, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 전자사진 감광 부재의 제조 방법
JP4948670B2 (ja) * 2010-10-14 2012-06-06 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置および電子写真感光体の製造方法
JP4959024B1 (ja) * 2010-12-02 2012-06-20 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置、および電子写真感光体の製造方法
JP5054238B1 (ja) * 2011-03-03 2012-10-24 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法

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