JP2015190018A - 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
上記非特許文献1では、FeNiPtの磁気記録膜をスパッタリング成膜するために、Fe、Pt、FeNiによる三種類のターゲットを用いている。この方法では、三枚のターゲットを使用して成膜を行わなければならず、磁気記録膜の組成をコントロールすることが難しい。そこで、Fe、Ni、Ptの三元素を含むFeNiPt合金からなる1枚のターゲットを使用することが考えられるが、FeNiPt合金は、透磁率が高いため、ターゲット表面に透過する磁束密度(PTF)が小さい。このため、安定したプラズマの生成が困難で、スパッタリング効率が不十分になる場合があった。
(1)本発明のターゲットは、組成式:(FexPt100−x)100−yNiy(ただし、30≦x≦80、1≦y≦20)で表される成分組成からなる焼結体であって、前記焼結体は、FePt相とNiPt相とが分散している組織を有していることを特徴とする。
(2)本発明のターゲットは、組成式:{(FexPt100−x)100−yNiy}100−zCz(ただし、30≦x≦80、1≦y≦20、3≦z≦65)で表される成分組成からなる焼結体であって、前記焼結体は、FePt相とNiPt相とC相とが分散している組織を有することを特徴とする。
(3)前記(2)のターゲットにおける前記焼結体の前記C相は、主としてグラファイト相で構成されていることを特徴とする。
(4)前記(1)乃至(3)いずれかのターゲットにおける前記焼結体中の酸素含有量は、500質量ppm以下であることを特徴とする。
(5)前記(1)乃至(4)のいずれかのターゲットにおける前記焼結体の透過磁束密度(PTF)は、70%以上であることを特徴とする。
(6)本発明のターゲットの製造方法は、前記(1)、(4)及び(5)のいずれかのターゲットを製造する方法であって、FePt合金粉と、NiPt合金粉と、Pt粉との混合粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中でホットプレスして焼結体を得ることを特徴とする。
(7)本発明のターゲットの製造方法は、前記(2)乃至(5)のいずれかのターゲットを製造する方法であって、FePt合金粉と、NiPt合金粉と、Pt粉と、アセチレンガスの熱分解により生成されたカーボンブラック粉との混合粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中でホットプレスして焼結体を得ることを特徴とする。
ここでは、ガスアトマイズ法で作製されたFePt合金粉と、ガスアトマイズ法で作製された後に微粉を除去したNiPt合金粉と、Pt粉との混合粉末をホットプレスすることにより、焼結体中において、FePt相とNiPt相とが分散した組織を形成することができる。
即ち、ホットプレス時に、Pt粉と、FePt合金粉と、NiPt合金粉の固相反応により燒結体の成分組成が平均化され、均一合金化する際に、Pt粉とFePt合金粉に比べて、粒径の大きいNiPt合金粉から、Ni成分が外部に拡散する形で組成の均一化が進むため、焼結体中に強磁性を示さないNiPt相が分散した状態が実現される。
なお、ホットプレスを行うときの温度は、900〜1150℃とすることが好ましく、1150℃を超えると、NiPt相が減少して、ターゲットのPTFが低下しやすくなり、その温度が、900℃未満であると、ターゲットの密度が低下しやすくなる。
即ち、本発明に係る磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットによれば、焼結体が、FePt相及びNiPt相が分散した組織を有しているので、強磁性を示さないNiPt相の存在により、ターゲット表面のPTFが向上し、安定したスパッタリングが可能となる。さらに、Cを加えた場合のターゲットによっても、焼結体が、FePt相と、NiPt相とC相とが分散した組織となっているので、この場合も、強磁性を示さないNiPt相の存在により、ターゲット表面のPTFが増加し、安定したスパッタリングが可能となる。
Pt粉については、D50がFePt合金粉及びNiPt合金粉よりも小さいものを使用する必要があり、純度が3N〜4N、D50が1〜5μmの粉末が適当である。D50が5μmを超えると、燒結体中のNiPt相が減少しやすくなる。
C相となるカーボンブラック粉は、アセチレンガスの熱分解により生成された、アセチレンブラックを使用する。このアセチレンブラックとしては、例えば、2次粒子径が500nm、比表面積(BET値)70m2/gの粉末を用いることができる。
本実施例のターゲットを製造するに当たって、先ず、FePt合金アトマイズ粉、NiPt合金アトマイズ粉、Pt粉、C粉(アセチレンブラック)を用意した。FePt合金アトマイズ粉は、純度3Nの電解鉄と純度3NのPt粉とを原料として、Feの濃度が93.3原子%となるようにガスアトマイズ装置内で溶解し、Arガスでガスアトマイズし、FePt合金アトマイズ粉を作成した。回収した粉末を篩分し、D50が16μmのFePt合金アトマイズ粉を得た。また、NiPt合金アトマイズ粉は、純度3NのNi粉と純度3NのPt粉とを原料として、Niの濃度が75.0原子%となるように、ガスアトマイズ装置内で溶解し、Arガスでガスアトマイズし、NiPt合金アトマイズ粉を作成した。回収したNiPt合金アトマイズ粉から目開き125μmの篩で粗粉を除去した後、目開き45μmの篩で微粉を除去し、D50が60μmのNiPt合金アトマイズ粉を得た。Pt粉、アセチレンブラックについては、市販のものを使用した。
前述のFePt合金アトマイズ粉と、NiPt合金アトマイズ粉と、Pt粉と、C粉(アセチレンブラック)とを、表1の「原料配合比率(重量%)」欄に示される配合比率に秤量し、これらをボールミル容器に混合用の粉砕媒体となる5mmφのジルコニアボール等と共に投入し、容器内をArガスで置換した後蓋を閉め、さらにこの容器を16時間回転させ、原料を混合して、実施例1〜10の混合粉末を得た。実施例1〜10の混合粉末をそれぞれ黒鉛モールドに充填した状態でホットプレス装置に装入し、到達真空圧力が133×10−3Paの真空雰囲気中で加圧力:350kgf/cm2、表2の「ホットプレス温度(℃)」欄に示された温度で、3時間保持して焼結し、実施例1〜10の焼結体を得た。
本実施例と比較するため、比較例1〜4のターゲットを作製した。
比較例1は、実施例1の場合と同様の配合比率に従った、FePt合金アトマイズ粉と、NiPt合金アトマイズ粉と、Pt粉との混合粉末を用いているが、NiPt合金アトマイズ粉の、微粉を除去していない場合である。比較例2は、実施例5の場合と同様の配合比率に従った、FePt合金アトマイズ粉と、微粉を除去したNiPt合金アトマイズ粉と、Pt粉と、C粉との混合粉末を用いているが、焼結時に、ホットプレスの温度が、実施例の温度範囲外であり、高い場合である。比較例3は、実施例7の場合と同様の配合比率に従い、比較例4は、実施例10の場合と同様の配合比率に従ったが、FePt合金アトマイズ粉と、微粉を除去していないNiPt合金アトマイズ粉と、Pt粉と、C粉との混合粉末を用いた場合である。
実施例1〜4及び比較例1のターゲットについて、X線回折(XRD)にて観察したところ、図2に示すように、実施例1〜4の場合には、FePt相に帰属する回折ピークとNiPt相に帰属する回折ピークが共に確認され(「有」と表示)、比較例1の場合には、FePt相に帰属する回折ピークは確認されたが、NiPt相に帰属する回折ピークは確認されなかった(「無」と表示)。なお、XRDの測定条件は、次のとおりである。
・装置:理学電気社製(RINT−ULTIMA III)
・管球:Cu
・管電圧:40kV
・電流:40mA
・走査範囲(2θ):5°〜90°
・測定ステップ幅(2θ):0.01°
・スキャンスピード(2θ):毎分1°
組織観察では、ターゲットの表面を研磨して鏡面とした後、高分解能のFE−EPMA(フィールドエミッション型電子線プローブマイクロアナライザ、日本電子製JXA−8500F、以下EPMA)で反射電子像(COMPO像)とNiの元素分布像を撮影した。実施例1のターゲットについてCOMPO像を図3に、Ni分布像を図4に示した。
EPMAによる元素分布像は、本来カラー像であるが、白黒像に変換して記載しているため、濃淡の淡い部分(比較的白い部分)は、所定元素濃度が高い部分である。図4では、白い部分は、Ni濃度が高いことを示しており、この部分が強磁性を示さないNiPt相に対応する。この像から、NiPt相が分散した状態で存在していることが分かる。
PTFの測定は、ASTMF2086−01の規定に基づいて実施し、その測定結果を表3の「PTF(%)」欄に示した。
作製されたスパッタリングターゲットの表面から1g程度サンプリングを行い、表面を王水で1分程度エッチングし、純水で洗浄後、ガス分析により酸素量を測定した。その結果を、表3の「酸素量(質量ppm)」欄に示した。
相対密度については、各実施例及び比較例の焼結体を所定寸法に機械加工した後、重量を測定し嵩密度を求めた後、理論密度ρCalで割ることで、算出した。その結果を、表3の「相対密度(%)」欄に示した。
なお、理論密度ρCalは、原料中のFe、Ni、Pt及びCの重量に基づいて、下記の式により求めた。
Claims (7)
- 組成式:(FexPt100−x)100−yNiy(ただし、30≦x≦80、1≦y≦20)で表される成分組成からなる焼結体であって、
前記焼結体は、FePt相とNiPt相とが分散している組織を有していることを特徴とする磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。 - 組成式:{(FexPt100−x)100−yNiy}100−zCz(ただし、30≦x≦80、1≦y≦20、3≦z≦65)で表される成分組成からなる焼結体であって、
前記焼結体は、FePt相とNiPt相とC相とが分散している組織を有することを特徴とする磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。 - 前記C相は、主としてグラファイト相で構成されていることを特徴とする請求項2に記載の磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。
- 前記焼結体中の酸素含有量は、500質量ppm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。
- 前記焼結体の透過磁束密度は、70%以上であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。
- 請求項1、4及び5のいずれかに記載の磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットを製造する方法であって、
FePt合金粉と、微粉を除去したNiPt合金粉と、Pt粉との混合粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中でホットプレスして焼結体を得ることを特徴とする磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項2乃至5のいずれかに記載の磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットを製造する方法であって、
FePt合金粉と、微粉を除去したNiPt合金粉と、Pt粉と、アセチレンガスの熱分解により生成されたカーボンブラック粉との混合粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中でホットプレスして焼結体を得ることを特徴とする磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
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