JP2016160530A - 磁気合金スパッタリングターゲット及び磁気記録媒体用記録層 - Google Patents
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Abstract
【課題】磁気記録媒体の結晶磁気異方性、保磁力及び信号対ノイズ比を著しく向上して、高密度磁気記録媒体としての要件を満たす磁気合金スパッタリングターゲット及び磁気記録媒体用記録層の提供。【解決手段】磁性相と、MgB4O7、Mg2B2O5、Mg3B2O6、Al18B4O33、Al4B2O9、及びこれらの酸化物の組み合わせから選択した第1酸化物からなるアモルファス相を具備する磁気合金スパッタリングターゲット及び前記磁気合金スパッタリングターゲットをスパッタリングすることによって形成される磁気記録媒体用記録層。磁気相かCoPt又はFePtとGr、B、Mo、Ti、Si又はTaと、からなる合金からなる磁気合金スパッタリングターゲット。【選択図】なし
Description
本発明は磁気合金スパッタリングターゲット及び磁気記録媒体用記録層に関する。
垂直磁気記録媒体用記録層には、通常、コバルト・白金系(CoPt系)合金が使用される。前記コバルトは、磁気記録媒体の磁化を誘起する磁力を生じる。一方、白金は上記合金材料の結晶磁気異方性と保磁力(Hc)を高めるために有益であり、磁気記録媒体のデータ保存能力を向上する。
しかし、CoPt系合金において隣接する磁気白金系(Co系)粒子間に誘起される磁気交換結合作用は、磁気記録媒体の信号対ノイズ比(SNR)を低減するため、磁気記録媒体のリード/ライト信頼性を低下させる。
磁気記録媒体のリード/ライト信頼性を向上させるため、二酸化ケイ素(SiO2)、五酸化タンタル(Ta2O5)、二酸化チタン(TiO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化マグネシウム(MgO)、二酸化トリウム(ThO2)、二酸化ジルコニウム(ZrO2)、二酸化セリウム(CeO2)、酸化マンガン(MnO)、三酸化ジイットリウム(Y2O3)等の非磁性酸化物を具備するCoPt酸化物組成物が開発された。このCoPt酸化物組成物からなる記録層は、Co粒子及びPt粒子からなる磁性相と、磁性相からなる2つの粒子間に位置する非磁性酸化物相とを具備し、粒子間の磁気交換結合作用を阻止することができる。
しかし、磁性相からなる粒子は、非磁性相によって完全には被覆されていないため、CoPt酸化物組成物は、高密度磁気記録媒体にとって望ましい結晶磁気異方性HcやSNRを達成することが得ることができない。
本発明は上記した問題を解決するためなされたものであり、上記した問題を軽減または防止することができる磁気合金スパッタリングターゲット及び磁気記録媒体用記録層を提供する。
本発明の目的は、磁気記録媒体の結晶磁気異方性、Hc及びSNRを向上して、高密度磁気記録媒体としての要件を満たす磁気合金スパッタリングターゲット及び磁気記録媒体用記録層を提供することにある。
本発明にかかる磁気合金スパッタリングターゲットは、磁性相及びアモルファス相を具備する。アモルファス相は、MgB4O7、 Mg2B2O5、 Mg3B2O6、Al18B4O33、 Al4B2O9及びこれらの酸化物の組み合わせからなる群から選択した第1酸化物からなる。
好ましくは、磁気合金スパッタリングターゲットの第1酸化物の量は、磁気合金スパッタリングターゲットの量に対して0.1モルパーセント(モル%)〜8.0モル%の範囲である。
より好ましくは、アモルファス相の第1酸化物は、MgB4O7, Mg2B2O5, Mg3B2O6およびこれらの酸化物の組み合わせからなる群から選択され、第1酸化物の量は、磁気合金スパッタリングターゲットの量に対して、1.5モル%〜8.0モル%の範囲であり、より好ましくは、3.0モル%〜6.0モル%の範囲である。
より好ましくは、アモルファス相の第1酸化物は、Al18B4O33、Al4B2O9及びこれらの組み合わせからなる群から選択される。第1酸化物の量は、磁気合金スパッタリングターゲットの量に対して、0.1モル%〜4.0モル%の範囲であり、より好ましくは、0.2モル%〜3.0モル%の範囲であり、さらに好ましくは、0.3モル%〜2.0モル%の範囲である。
より好ましくは、アモルファス相の第1酸化物はAl18B4O33であり、第1酸化物の量は、磁気合金スパッタリングターゲットの量に対して、0.1モル%〜1.5モル%の範囲であり、より好ましくは、0.2モル%〜1.0モル%の範囲であり、さらに好ましくは、0.3モル%〜0.7モル%の範囲である。
より好ましくは、アモルファス相の第1酸化物はAl4B2O9であり、第1酸化物の量は、磁気合金スパッタリングターゲットの量に対して、0.3モル%〜4.0モル%の範囲であり、より好ましくは、0.7モル%〜3.5モル%の範囲であり、さらに好ましくは、1.0モル%〜2.0モル%の範囲である。
好ましくは、磁気合金スパッタリングターゲットの第1酸化物の量は、磁気合金スパッタリングターゲットの量に対して、4容量パーセント(容量%)〜45容量%の範囲である。
より好ましくは、アモルファス相の第1酸化物は、MgB4O7, Mg2B2O5, Mg3B2O6およびこれらの酸化物の組み合わせからなる群から選択され、第1酸化物の量は、磁気合金スパッタリングターゲットの量に対して、10容量%〜35容量%の範囲である。
より好ましくは、アモルファス相の第1酸化物は、Al18B4O33、Al4B2O9及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、第1酸化物の量は、磁気合金スパッタリングターゲットの量に対して、4.0容量%〜45容量%の範囲であり、より好ましくは、9容量%〜36容量%の範囲であり、さらに好ましくは、14容量%〜25容量%の範囲である。
好ましくは、磁気合金スパッタリングターゲットの磁性相は、コバルト(Co)、鉄(Fe)又はそれらの合金材料等からなる少なくとも1つの磁性成分を具備する。より好ましくは、磁気合金スパッタリングターゲットの磁性相は、CoPt合金、CoPtX合金、FePt合金、FePtX合金及びこれらの組み合わせからなる群から選択される。ここで、Xは、クロム(Cr),ホウ素(B),モリブデン(Mo),チタン(Ti),ケイ素(Si),タンタル(Ta)、及びマンガン(Mn)のいずれかである。
好ましくは、磁気合金スパッタリングターゲットは、前記第1酸化物とは異なる第2酸化物、すなわち、MgB4O7、 Mg2B2O5、 Mg3B2O6、Al18B4O33、Al4B2O9及び/又はこれらの組み合わせをさらに具備する。第2酸化物は、少なくとも、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、ケイ素(Si)、クロム(Cr)、ガリウム(Ga)、マグネシウム(Mg)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、タンタル(Ta)及び鉄(Fe)からなる群から選択された少なくとも一つの金属元素を具備する。
より好ましくは、磁気合金スパッタリングターゲットの第2酸化物の量は、磁気合金スパッタリングターゲットの量に対して、0.1モル%〜9モル%の範囲であり、より好ましくは、0.1モル%〜6モル%の範囲である。
メタログラフ分析によれば、真空熱間プレスを用いた焼結プロセスによって製造された磁気合金スパッタリングターゲットは、高温下でも、安定したアモルファス相を具備することができる。アモルファス相の粒子は、熱処理後もなお微細かつ均一に分布しているので、磁気合金スパッタリングターゲットをスパッタリングで形成する際に、望ましくないアークの発生を効果的に回避でき、これにより、スパッタリング安定性と製造歩留まりを向上することができる。
このような磁気合金スパッタリングターゲットにアモルファス相を具備させることによって、ターゲットをスパッタリングすることによって形成した記録層もまたアモルファス相を具備し、記録層における磁性相の2つの粒子間の磁気交換結合作用を効果的に阻止し、記録層を具備する磁気記録媒体の結晶磁気異方性、Hc及びSNRを向上することができ、磁気記録媒体は高密度磁気記録媒体としての要件を満たすことができる。
本発明に係る磁気記録媒体用の記録層は、磁性相及びアモルファス相を具備する。記録層のアモルファス相は、MgB4O7、 Mg2B2O5、 Mg3B2O6、Al18B4O33及び Al4B2O9及びこれらの酸化物の組み合わせから選択した第1酸化物からなる。
記録層がアモルファス相を具備するため、記録層の磁性相の2つの粒子間の磁気交換結合作用を効果的に阻止でき、磁気記録媒体の結晶磁気異方性、Hc及びSNRを向上することができ、磁気記録媒体は高密度磁気記録媒体としての要件を満たすことができる。
好ましくは、記録層の第1酸化物の量は、記録層の量に対して0.1モル%〜8モル%の範囲である。
より好ましくは、アモルファス相の第1酸化物は、MgB4O7, Mg2B2O5, Mg3B2O6およびこれらの酸化物の組み合わせからなる群から選択され、第1酸化物の量は、記録層の量に対して、3.0モル%〜6.0モル%の範囲である。
より好ましくは、アモルファス相の第1酸化物は、Al18B4O33、Al4B2O9及びこれらの組み合わせからなる群から選択される。第1酸化物の量は、記録層の量に対して、0.1モル%〜4.0モル%の範囲であり、より好ましくは、0.2モル%〜3.0モル%の範囲であり、さらに好ましくは、0.3モル%〜2.0モル%の範囲である。
より好ましくは、アモルファス相の第1酸化物はAl18B4O33であり、記録層の第1酸化物の量は、記録層の量に対して、0.1モル%〜1.5モル%の範囲であり、より好ましくは、0.2モル%〜1.0モル%の範囲であり、さらに好ましくは、0.3モル%〜0.7モル%の範囲である。
より好ましくは、アモルファス相の第1酸化物はAl4B2O9であり、記録層の第1酸化物の量は、記録層の量に対して、0.3モル%〜4.0モル%の範囲であり、より好ましくは、0.7モル%〜3.5モル%の範囲であり、より好ましくは、1.0モル%〜2.0モル%の範囲である。
好ましくは、記録層の第1酸化物の量は、記録層の量に対して、4容量%〜45容量%の範囲である。
より好ましくは、アモルファス相の第1酸化物は、MgB4O7, Mg2B2O5, Mg3B2O6およびこれらの酸化物の組み合わせからなる群から選択され、記録層の第1酸化物の量は、記録層の量に対して、10容量%〜35容量%の範囲である。
より好ましくは、記録層のアモルファス相の第1酸化物は、Al18B4O33、Al4B2O9及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、第1酸化物の量は、記録層の量に対して、4.0容量%〜45容量%の範囲であり、より好ましくは、9容量%〜36容量%の範囲であり、さらに好ましくは、14.0容量%〜25.0容量%の範囲である。
記録層の第1酸化物の量を制御することにより、記録層の磁性相の2つの粒子間の磁気交換結合作用を低減することができる。また、記録層の磁性相の粒子の量を制御することによって、磁気記録媒体の結晶磁気異方性、Hc及びSNRを最適化することができる。
好ましくは、記録層の磁性相は、コバルト(Co)、鉄(Fe)又はそれらの合金等からなる少なくとも1つの磁性成分を具備する。より好ましくは、記録層の磁性相は、CoPt合金、CoPtX合金、FePt合金、FePtX合金及びこれらの組み合わせからなる群から選択される。ここで、Xは、クロム(Cr),ホウ素(B),モリブデン(Mo),チタン(Ti),ケイ素(Si),タンタル(Ta)、及びマンガン(Mn)のいずれかである。
好ましくは、記録層は、前記第1酸化物とは異なる第2酸化物、すなわち、MgB4O7、 Mg2B2O5、 Mg3B2O6、Al18B4O33、Al4B2O9及び/又はこれらの組み合わせをさらに具備する。この第2酸化物は、少なくとも、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、ケイ素(Si)、クロム(Cr)、ガリウム(Ga)、マグネシウム(Mg)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、タンタル(Ta)及び鉄(Fe)からなる群から選択された少なくとも一つの金属元素を具備する。第2酸化物の添加によって、記録層の磁性相の2つの粒子間の磁気交換結合作用を低減することができ、かつ、記録層を有する磁気記録媒体の結晶磁気異方性、Hc及びSNRを向上することができる。
より好ましくは、記録層の第2酸化物の量は、記録層の量に対して、0.1モル%〜9モル%の範囲であり、より好ましくは、0.1モル%〜6モル%の範囲とすることによって、記録層を有する磁気記録媒体の結晶磁気異方性、Hc及びSNRを最適化することができる。
好ましくは、記録層は、磁気合金スパッタリングターゲットをスパッタリングすることによって形成される。スパッタリングプロセスとしては、マグネトロンスパッタリング、プラズマスパッタリング又はイオンビームスパッタリングがあげられるが、これらには限定されない。このように、磁気合金スパッタリングターゲットを、高スパッタリング安定性でスパッタリングすることによって記録層を形成することによって、記録層の歩留まりを向上でき、かつ、記録層はアモルファス相を具備することになる。従って、記録層における磁性相の2つの粒子間の磁気交換結合作用を効果的に阻止し、磁気記録媒体の結晶磁気異方性、Hc及びSNRを効果的に向上することができ、磁気記録媒体は高密度磁気記録媒体としての要件を満たすことができる。
発明の他の目的、効果及び新規な特徴は、添付の図面を参照して、以下の詳細な記述からより明らかになるであろう。
実験例1〜11:磁気合金スパッタリングターゲットの製造及び分析
実験例1〜11のそれぞれにおいて、磁気合金スパッタリングターゲットを以下の要領で製造した。
磁性体と第1酸化物とを混合し、ボールミルにより粉砕し、粉末混合物を生成した。次に、粉末混合物を、温度を約650℃、圧力を760バールとして、2時間、水素で還元して、還元粉末を生成した。還元粉末を2時間高エネルギー混合機により混合した後、還元粉末を黒鉛型に充填し、300psiの圧力で液圧プレスを行い、圧粉体を形成した。黒鉛型を圧粉体とともに熱間プレス炉に装入し、500バールの焼結圧力と約950度〜1100度の焼結温度の下で2時間〜3時間、圧粉体を焼結し、磁気合金スパッタリングターゲットを得た。
実験例1〜11のそれぞれにおいて、磁気合金スパッタリングターゲットを以下の要領で製造した。
磁性体と第1酸化物とを混合し、ボールミルにより粉砕し、粉末混合物を生成した。次に、粉末混合物を、温度を約650℃、圧力を760バールとして、2時間、水素で還元して、還元粉末を生成した。還元粉末を2時間高エネルギー混合機により混合した後、還元粉末を黒鉛型に充填し、300psiの圧力で液圧プレスを行い、圧粉体を形成した。黒鉛型を圧粉体とともに熱間プレス炉に装入し、500バールの焼結圧力と約950度〜1100度の焼結温度の下で2時間〜3時間、圧粉体を焼結し、磁気合金スパッタリングターゲットを得た。
実験例1〜11の各々の磁性体の成分、第1酸化物の成分、第1酸化物に対する磁性体の分子比及び容量比、焼結温度及び焼結継続時間を表1に示す。留意すべき点として、実験例8については、第2酸化物をさらに磁性体と第1酸化物に混合し、その後、磁性体と、第1酸化物と、第2酸化物とをボールミルで混合し、実験例8の粉末混合物を生成した。第2酸化物の組成は、Cr2O3粉末とTiO2の粉末とを具備する。実験例8における、磁性体と、第1酸化物と、Cr2O3粉末と、TiO2の粉末の分子比を、80:6:5:9とした。
実験例1〜11の各々の磁気合金スパッタリングターゲット中のMg、Al及びBの濃度を、誘導結合プラズマ分光計(Perkin Elmer 5300 DV ICP)によって分析した。分析結果を表2に示す。
表1 各実験例と各比較例の関連する製造パラメータ
表2 ICP分析の結果
実験例1〜11の各々の磁気合金スパッタリングターゲットのメタログラフを、走査電子顕微鏡(日立製作所製:3400NSEM)を用いて、15キロボルテージ(kV)の加速電圧下で、かつ、3ミリメートル(mm)の作動距離で走査することによって得た。図1〜11に示すように、実験例1〜11の各々の磁気合金スパッタリングターゲットのメタログラフ中に、明相と暗相とが観察された。上記分析に続いて、エネルギー分散型分光計(EDS)を用いて、実験例1〜7及び実験例9〜11の各々の磁気合金スパッタリングターゲットを分析したところ、実験例1〜7及び実験例9〜11において、各明相は磁性体よりなる磁性相であり、各暗相は第1酸化物よりなる第1酸化物相であることがさらに判明した。EDS分析の結果を表3に示す。
表3 EDS分析の結果
また、EDSを用いて、実験例8の各々の磁気合金スパッタリングターゲットを分析したところ、実験例8のターゲットの明相は磁性体よりなる磁性相であり、同ターゲットの暗相は第1酸化物よりなる第1酸化物相と第2酸化物よりなる第2酸化物相とを具備することが判明した。EDS分析の結果を表3に示す。
図1〜11に示す磁気合金スパッタリングターゲットにおいては、磁性層に、Mg、B及びAlの固溶は観察されなかった。図1〜7及び9〜11に示す磁気合金スパッタリングターゲットにおいては、第1酸化物相には、Co原子、Cr原子、Pt原子及びFe原子の固溶は観察されなかった。さらに、表2に示すように、Mg原子、B原子及びAl原子の信号は、EDSによって磁性相からは検出されず、Co原子、Cr原子、Pt原子、Fe原子の信号も、EDSによって第1酸化物相からは検出されなかった。従って、各実験例1〜11における各磁気合金スパッタリングターゲットの第1酸化物は安定していることが判明し、実験例1〜11の各々の磁気合金スパッタリングターゲットの第1酸化物は磁気合金に溶解していなかった。
さらに、図1〜11から、実験例1〜11の磁気合金スパッタリングターゲットの暗相は微細で均一に分布してことが判明した。従って、各磁気合金スパッタリングターゲットは、スパッタリングプロセス中のアーク発生を防止し、スパッタリングの安定性を高め、さらに、各ターゲットのスパッタリングによって形成される記録層の歩留まりを増大させることができた。
各実験例1〜11の磁気合金スパッタリングターゲットのX線回析スペクトルを、X線回析計(Rigaku Ultima IV)を用いて、毎分6度(/分)の走査速度でかつ2θ角度を20度〜80度に設定して、Cu Kαを照射する走査を行って測定し、測定したX線回析スペクトルを、粉末回析標準委員会(JCPDS)の粉末回析ファイル(PDF)と比較した。XRD分析の結果を図12〜22に示す。
図12〜22に示すように、実験例1〜11の各々の磁気合金スパッタリングターゲットのX線回析スペクトル中の特徴的ピークは、MgB4O7、 Mg2B2O5、 Mg3B2O6、Al18B4O33及び Al4B2O9の結晶体の特徴的ピークとマッチしなかった。しかし、実験例1〜7及び9〜11の各々の磁気合金スパッタリングターゲットの特徴的ピーク及び実験例8の磁気合金スパッタリングターゲットの特徴的ピークの一部は、実験例の各々の磁性体の成分によっては、Co、FePt、Cr、Ptの一つかいくつかの結晶体の特徴的ピークとマッチした。実験例8の磁気合金スパッタリングターゲットの特徴的ピークの他の幾つかは、Cr2O3とTiO2の結晶体の特徴的ピークとマッチした。また、表3及び図1〜7、9〜11に示すように、上記したSEM及びEDS分析の結果によれば、各磁気合金スパッタリングターゲットは、Co(実験例1〜5)、FePt(実験例6)又はCoCrPt(実験例7)からなる磁性相と、MgB4O7、 Mg2B2O5、 Mg3B2O6、Al18B4O33又はAl4B2O9からなる第1酸化物相とを具備する。従って、磁気合金スパッタリングターゲット中のMgB4O7、 Mg2B2O5、 Mg3B2O6、Al18B4O33及び Al4B2O9の結晶体構造は焼結後のアモルファスとなることが判明した。すなわち、実験例1〜11の各々の磁気合金スパッタリングターゲットの第1酸化物相は、焼結後、アモルファス相となることが判明した。結論として、実験例1〜11の各々の磁気合金スパッタリングターゲットは、Co、FePt又はCoCrPtからなる磁性相と、MgB4O7、 Mg2B2O5、 Mg3B2O6、Al18B4O33又はAl4B2O9からなるアモルファス相を具備し。実験例8の磁気合金スパッタリングターゲットは、さらに、Cr2O3とTiO2からなる酸化結晶体相を具備することが判明した。
実験例1〜11の各々の磁気合金スパッタリングターゲットは、焼結後、Co、FePt又はCoCrPtからなる磁性層と、MgB4O7、 Mg2B2O5、 Mg3B2O6、Al18B4O33又はAl4B2O9からなる第1酸化物相とを具備する。従って、実験例1〜11の各々の磁気合金スパッタリングターゲットをスパッタリングすることによって形成される記録層は、MgB4O7、 Mg2B2O5、 Mg3B2O6、Al18B4O33又はAl4B2O9からなるアモルファス相と、Co、FePt又はCoCrPtからなる磁性層とを具備する。アモルファス相は濡れ性がよいため、各磁気合金スパッタリングターゲットによって形成される記録層のアモルファス相は、磁性層の粒子を囲む上で有益である。すなわち、アモルファス相は、記録層の磁性相の2つの粒子間の磁気交換結合作用を十分に阻止できた。
実験例2、9及び11の各々の磁気合金スパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより形成される記録層のメタログラフは、透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて作成したものである。図23〜28に示すように、Mg2B2O5、Al18B4O33又はAl4B2O9からなる各記録層のアモルファス相10は、各記録層の磁性相20の隣接する2つの粒子間に位置している。すなわち、アモルファス相10は、磁性相20の隣接する粒子間の粒子境界上に位置している。さらに、磁性相20の隣接する粒子は、各々の輪郭はくっきりして明確であり、各記録層のアモルファス相10は、磁性相20の各粒子を十分に囲んでいることが判明した。従って、各記録層の磁性相の2つの粒子間の磁気交換結合作用は、Mg2B2O5、Al18B4O33又はAl4B2O9からなるアモルファス相によって充分に阻止できることが判明した。
比較例1:磁気合金スパッタリングターゲットの作成と分析
本比較例の磁気合金スパッタリングターゲットを、実験例1〜11の各々と同じ工程によって作成した。本比較例に係る磁性体の成分、第1酸化物の成分、第1酸化物に対する磁性体の分子比、焼結温度及び焼結時間を表1に示した。また、本比較例に係る磁気合金スパッタリングターゲットも、実験例1〜11に係る各磁気合金スパッタリングターゲットと同様に、SEM、EDS及びXRD分析によって分析した。さらに、容量パーセントで表した本比較例に係るターゲットの磁性相と第1酸化物相の成分を表1に示す。
本比較例の磁気合金スパッタリングターゲットを、実験例1〜11の各々と同じ工程によって作成した。本比較例に係る磁性体の成分、第1酸化物の成分、第1酸化物に対する磁性体の分子比、焼結温度及び焼結時間を表1に示した。また、本比較例に係る磁気合金スパッタリングターゲットも、実験例1〜11に係る各磁気合金スパッタリングターゲットと同様に、SEM、EDS及びXRD分析によって分析した。さらに、容量パーセントで表した本比較例に係るターゲットの磁性相と第1酸化物相の成分を表1に示す。
本比較例の磁気合金スパッタリングターゲットのメタログラフを図29に示す。図29に示すように、本比較例のメタログラフにおいて、明相と暗相が観察された。表1と表2から、本比較例の明相は磁性体からなる磁性相であり、本比較例の暗相は、B2O3からなる第1酸化物相であることが判明した。
また、図29に示すように、本比較例の磁性相にはB原子の固溶は観察されず、本比較例の第1酸化物相にはCo原子の固溶は観察されなかった。さらに、表2に示すように、B原子の信号は、EDSによって、本比較例の磁性相からは検出されず、Co原子の信号は、EDSによって、本比較例の第1酸化物相からは検出されなかった。このため、本比較例の磁気合金スパッタリングターゲットでは、酸化ホウ素は同磁性相中に溶解していないことが判明した。
図30に示すように、本比較例の磁気合金スパッタリングターゲットのX線回析スペクトル中の特徴的ピークは、B2O3の結晶体の特徴的ピークとマッチしなかったが、Coの結晶体の特徴的ピークのみマッチした。従って、本比較例の磁気合金スパッタリングターゲット中のB2O3の結晶体はアモルファスであることが判明した。
図1〜11及び図29に示すように、本比較例に対して実験例1〜11と同一の真空熱間プレス焼結プロセスが行われた後、本比較例の第1酸化物相の平均粒径は、実験例1〜11の各々の第1酸化物相の平均粒径よりも明らかに大きいことが判明した。実験例1〜11の各々の第1酸化物相の平均粒径は1ミクロンメーター(μm)よりも大きく、本比較例の第1酸化物相の平均粒径は5μmより大きかった。すなわち、本比較例の第1酸化物相の粒径は粗大化しており、本比較例の第1酸化物相の高温安定性は、実験例1〜11の各々の第1酸化物相の高温安定性よりも劣っていた。従って、本比較例の磁気合金スパッタリングターゲットは、スパッタリングプロセスにおけるアーク発生をほとんど防止することができず、結果として、スパッタリング安定性と製造歩留まりが不十分なものとなっていた。
比較例2:磁気合金スパッタリングターゲットの作成と分析
本比較例の磁気合金スパッタリングターゲットを、実験例1〜11の各々と同じ工程によって作成した。本比較例に係る磁性体の成分、第1酸化物の成分、第1酸化物に対する磁性体の分子比、焼結温度及び焼結時間を表1に示した。また、本比較例に係る磁気合金スパッタリングターゲットも、実験例1〜11に係る各磁気合金スパッタリングターゲットと同様に、SEM、EDS及びXRD分析によって分析した。さらに、容量パーセントで表した本比較例に係るターゲットの磁性相と第1酸化物相の成分も表1に示す。
本比較例の磁気合金スパッタリングターゲットを、実験例1〜11の各々と同じ工程によって作成した。本比較例に係る磁性体の成分、第1酸化物の成分、第1酸化物に対する磁性体の分子比、焼結温度及び焼結時間を表1に示した。また、本比較例に係る磁気合金スパッタリングターゲットも、実験例1〜11に係る各磁気合金スパッタリングターゲットと同様に、SEM、EDS及びXRD分析によって分析した。さらに、容量パーセントで表した本比較例に係るターゲットの磁性相と第1酸化物相の成分も表1に示す。
本比較例の磁気合金スパッタリングターゲットのメタログラフを図31に示す。図31に示すように、本比較例のメタログラフにおいて、明相と暗相が観察された。表1と表2から、本比較例の明相は磁性体からなる磁性相であり、本比較例の暗相は、Mg2TiO4からなる第1酸化物相であることが判明した。
また、図31に示すように、本比較例の磁性相にはMg原子及びTi原子の固溶は観察されず、本比較例の第1酸化物相にはCo原子の固溶は観察されなかった。さらに、表2に示すように、Mg原子及びTi原子の信号は、EDSによって、本比較例の磁性相からは検出されず、Co原子の信号は、EDSによって、本比較例の酸化ホウ素相からは検出されなかった。このため、本比較例の磁気合金スパッタリングターゲットでは、第1酸化物は同磁性相中に溶解していないことが判明した。
図32に示すように、本比較例の磁気合金スパッタリングターゲットのX線回析スペクトル中の特徴的ピークは、Mg2TiO4とCoの結晶体の特徴的ピークとマッチした。従って、本比較例の磁気合金スパッタリングターゲットは高度な結晶体であった。
本比較例の磁気合金スパッタリングターゲットの第1酸化物相は結晶体Mg2TiO4であり、その磁性相は、焼結後は、Coからなるので、磁気合金スパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより形成された記録層は、Mg2TiO4からなる結晶体Mg−Ti酸化物相とCoからなる磁性相を具備することになる。結晶体相の濡れ性が悪かったため、本比較例の磁気合金スパッタリングターゲットによって形成された記録層のMg−Ti酸化物相は磁性相の粒子を囲むことが困難であり、これにより記録層の磁性相の2つの粒子間の磁気交換結合作用を効果的に阻止できなかった。
本比較例の磁気合金スパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより形成される記録層のメタログラフを、TEMによって得た。図33及び34に示すように、本比較例のターゲットによって作成された記録層のMg2TiO4からなる結晶体Mg−Ti酸化物相10Aは、磁性相20Aの2つの隣接する粒子間にあった。すなわち、Mg−Ti酸化物相10Aは、磁性相20Aの隣接する粒子間の粒子境界上に位置した。しかし、本比較例のターゲットから作成された記録層と、実験例2、9及び11(図23〜28参照)のターゲットから作成された記録層を比較すると、本比較例のターゲットから作成された記録層の磁性相20Aの隣接する粒子の各々の輪郭は、実験例2のターゲットから作成された記録層の磁性相20隣接する粒子よりも、くっきりしておらず、明確でなかった。このため、本比較例のターゲットから作成された記録層のMg−Ti酸化物相10Aは磁性相20Aの各粒子を十分に囲むことが困難であった。これにより、本比較例のターゲットから作成された記録層のMg−Ti酸化物相10Aは、実験例2のターゲットから作成された記録層のアモルファス相10のようには、効果的に、磁性相20Aの2つの粒子間の磁気交換結合作用を阻止できなかった。
要約すると、MgB4O7、 Mg2B2O5、 Mg3B2O6、Al18B4O33又はAl4B2O9からなり、真空熱間プレス焼結プロセス後の微細で均一に分布した粒子を有するアモルファス相によって、実験例1〜11の各々の磁気合金スパッタリングターゲットのアモルファス相は、高温で安定することが判明した。これに加え、実験例1〜11の各々の磁気合金スパッタリングターゲットは、アモルファス相の粒子が微細且つ均一に分散しているので、スパッタリングプロセスにおけるアーク発生を防止することができ、スパッタリング安定性と製造歩留まりを高めることができた。さらに、実験例1〜11の各々の磁気合金スパッタリングターゲットをスパッタリングすることによって形成される、アモルファス相と磁性相を含んだ記録層は、記録層のアモルファス相によって、記録層の磁性相の2つの粒子間の磁気交換結合作用を十分に阻止することができ、磁気記録媒体の結晶磁気異方性、Hc及びSNRを十分に向上でき、高密度記録媒体としての要件を満たす。
Claims (13)
- 磁性相と、
MgB4O7、 Mg2B2O5、 Mg3B2O6、Al18B4O33、Al4B2O9、及びこれらの酸化物の組み合わせからなる群から選択した第1酸化物からなるアモルファス相とを具備することを特徴とする磁気合金スパッタリングターゲット。 - 前記磁気合金スパッタリングターゲットの前記第1酸化物の量は、前記磁気合金スパッタリングターゲットの量に対して、0.1モル%〜8.0モル%の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の磁気合金スパッタリングターゲット。
- 前記磁気合金スパッタリングターゲットの前記磁性相は、Co又はFeからなることを特徴とする請求項1に記載の磁気合金スパッタリングターゲット。
- 前記磁気合金スパッタリングターゲットの前記磁性相は、CoPt合金、CoCrPt合金、CoPtB合金、CoPtMo合金、CoPtTi合金、CoPtSi合金、CoPtTa合金、CoPtMn合金、FePt合金、FeCrPt合金、FePtB合金、FePtMo合金、FePtTi合金、FePtSi合金、FePtTa合金及びFePtMn合金からなる群から選択されることを特徴とする請求項3に記載の磁気合金スパッタリングターゲット。
- 前記第1酸化物とは異なる第2酸化物をさらに具備し、同第2酸化物は、少なくとも、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、ケイ素(Si)、クロム(Cr)、ガリウム(Ga)、マグネシウム(Mg)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、タンタル(Ta)及び鉄(Fe)からなる群から選択された少なくとも一つの金属元素を具備することを特徴とする請求項1に記載の磁気合金スパッタリングターゲット。
- 前記磁気合金スパッタリングターゲットの前記第2酸化物の量は、前記磁気合金スパッタリングターゲットの量に対して、0.1モル%〜9モル%の範囲であることを特徴とする請求項5に記載の磁気合金スパッタリングターゲット。
- 磁性相と、
MgB4O7、 Mg2B2O5、 Mg3B2O6、Al18B4O33、Al4B2O9及びこれらの酸化物の組み合わせからなる群から選択した第1酸化物からなるアモルファス相とを具備することを特徴とする磁気記録媒体用の記録層。 - 前記記録層は、請求項1に記載の前記磁気合金スパッタリングターゲットをスパッタリングすることによって形成されることを特徴とする請求項7に記載の記録層。
- 前記記録層の前記第1酸化物の量は、前記記録層の量に対して、0.1モル%〜8.0モル%の範囲であることを特徴とする請求項7に記載の記録層。
- 前記記録層の前記磁性相は、Co又はFeからなることを特徴とする請求項7に記載の記録層。
- 前記記録層の前記磁性相は、CoPt合金、CoCrPt合金、CoPtB合金、CoPtMo合金、CoPtTi合金、CoPtSi合金、CoPtTa合金、CoPtMn合金、FePt合金、FeCrPt合金、FePtB合金、FePtMo合金、FePtTi合金、FePtSi合金、FePtTa合金及びFePtMn合金からなる群から選択される少なくとも1つの合金であることを特徴とする請求項10に記載の記録層。
- 前記第1酸化物とは異なる第2酸化物をさらに具備し、同第2酸化物は、少なくとも、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、ケイ素(Si)、クロム(Cr)、ガリウム(Ga)、マグネシウム(Mg)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、タンタル(Ta)及び鉄(Fe)からなる群から選択された少なくとも一つの金属元素を具備することを特徴とする請求項7に記載の記録層。
- 前記記録層の前記第2酸化物の量は、前記記録層の量に対して、0.1モル%〜9モル%の範囲であることを特徴とする請求項12に記載の記録層。
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