JP2015149370A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】金属部材と封止樹脂との密着性に優れた信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】リードフレーム１２とリードフレーム１２上に設けられる半導体素子１３とリードフレーム１２と半導体素子１３とを一体に封止する封止樹脂１８とを備え、リードフレーム１２の外部接続部１１を封止樹脂１８から突出する構成とし、銅合金からなるリードフレーム１２とリードフレーム１２を熱処理することにより設けられる銅酸化膜とを有する。前記銅酸化膜は、前記リードフレーム１２上に形成され、リードフレーム１２側から順に、主成分である酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ２Ｏ）から形成する第一層１２ａと、前記第一層１２ａ上に形成され、主成分である酸化銅（II）（ＣｕＯ）から形成する第二層１２ｂと、を有し、前記銅酸化膜における酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ２Ｏ）層１２ａの膜厚と前記銅酸化膜における酸化銅（II）（ＣｕＯ）層１２ｂの膜厚の比が１３.５以下である。【選択図】図２

Description

本発明は、半導体素子を樹脂で封止して形成される半導体装置及びその製造方法に関する。

半導体装置は、半導体デバイスを樹脂で封止して電気的な絶縁を確保するものである。従来から、リードフレームのような金属体に半導体デバイスなどの電子素子を電気的に接続した実装体を、封止樹脂で封止したものが利用されている。リードフレームのような金属体としては従来、４２ｗｔ％Ｆｅ-Ｎｉや、２９ｗｔ％Ｎｉ-１７ｗｔ％Ｃｏ-ＦｅなどのＦｅ-Ｎｉ系合金が多く用いられてきた。このようなＦｅ系のリードフレームは、合金成分として高価なＮｉやＣｏ等を使用しているためにコストが高くなってしまうという問題点がある。

そこで比較的安価で、熱伝導性、電気伝導性に優れた性質を有する銅合金がリードフレームとして用いられつつある。このようなリードフレーム材料としては例えば、Ｃｕ-Ｓｎ系、Ｃｕ-Ｓｎ-Ｎｉ-Ｓｉ系、Ｃｕ-Ｆｅ-Ｐ系、Ｃｕ-Ｓｎ-Ｎｉ-Ｓｉ-Ｚｎ系等をあげることができる。

ところが、このような銅合金からなるリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を構成しようとすると、リードフレームのような金属体に半導体をワイヤボンディングするにあたり、半導体チップをダイペーストで固定するダイボンディング、半導体素子とリードフレームのワイヤボンディングの工程で、最高温度１８０〜４００℃の熱履歴を経る。この工程は、大気中で行なわれるため、リードフレームの銅や銅合金が露出している部分は大気中で酸化を受け、表面に銅酸化物層が生成する。

銅合金製のリードフレームと封止樹脂が銅酸化物層を介して、樹脂封止する場合、銅酸化物層の主成分である酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ₂Ｏ）層と酸化銅（II）（ＣｕＯ）層の機械的性質は極端に異なるため、前記の熱履歴において酸化物層が厚くなると、酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ₂Ｏ）層と酸化銅（II）（ＣｕＯ）層の厚さバランスが悪くなり、酸化膜内部で破壊し、剥離が生じる。このような剥離部では、環境中の水分などの侵入が起こったり、動作環境における温度差等により、その部分を起点としたパッケージクラックが生じたりして電子部品の欠陥となり、半導体装置内の半導体素子の耐湿性、耐候性、耐腐食性などに悪影響を及ぼし、半導体装置の信頼性が大きく低下してしまう。以上のことで、このような異種材料を組み合わせて用いる時には、材料間の密着性が非常に重要である。

上記したような問題点を解決する方法も鋭意検討されている。一例を示すと、図１０（ａ）に示すように、封止樹脂とリードフレームとの密着性を増すように、一般に基材の表面に黒化処理と呼ばれている酸化銅（II）（ＣｕＯ）の針状結晶層を形成している。Ｃｕで形成されたリードフレーム２１の表面に、アルカリ浴でリードフレーム２１を浸漬処理することにより、表面に針状結晶を有する黒化処理層２２を形成する。次に、図１０（ｂ）に示すように、リードフレーム２１がチップを含めて樹脂で封止され、封止樹脂層２５がリードフレーム２１の黒化処理層２２の上に形成される。この後、樹脂のキュア、リード整形等を経て、チップパッケージとして完成する。しかし、この樹脂をキュアする際、図１０（ｃ）に示されるように、酸化銅（II）（ＣｕＯ）で形成された黒化処理層２２とＣｕで形成されたリードフレーム２１とが反応し、黒化処理層２２側に還元反応による酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ₂Ｏ）層２６が形成され、リードフレーム２１側に酸化反応による酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ₂Ｏ）層２７が形成される。還元反応により生成された酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ₂Ｏ）層２６は、酸化反応による酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ₂Ｏ）層２７より膜が緻密でなくもろいので、封止樹脂２５とリードフレーム２１との密着性が著しく低下する。

この問題を解決するために、図１１（ｂ）に示すように、高温が加わってもリードフレームと封止樹脂の間の密着性が低下しないようにするため、リードフレーム基材と黒化処理層、すなわち、酸化銅（II）（ＣｕＯ）層との間に酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ₂Ｏ）層を介在させる方法が提案されている（特許文献１）。すなわち、図示のリードフレーム３は、銅又は銅合金からなり、その上に順に、酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ₂Ｏ）層４、酸化銅（II）（ＣｕＯ）層２ 、そして封止樹脂層５を有している。酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ₂Ｏ）層４は、リードフレーム３をアルカリ浴に浸漬する黒化処理によって酸化銅（II）（ＣｕＯ）層２を形成した後、リードフレーム３を酸化性雰囲気中で高温に加熱することによって形成することができる。リードフレームの基材と黒化処理層との間に該基材の表面を酸化させた酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ２Ｏ）層を形成することにより、後の樹脂封止後の製造工程および実装工程で加熱されても、リードフレームのＣｕと黒化処理層（ＣｕＯ）との間に、還元反応による酸化銅（II）（ＣｕＯ）層の発生を防ぐことができる。これは、酸素が供給されない状態で熱が加わった際に酸化・還元反応を起こすＣｕとＣｕＯの組み合わせに対し、リードフレームの基材（Ｃｕ）と酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ₂Ｏ）層及び酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ₂Ｏ）層と黒化処理層（ＣｕＯ）のそれぞれの組み合わせでは、酸素が供給されない状態で熱が加わっても、酸化・還元反応が起きないものと考えられる。

特開２００１−２１０７７６号公報

しかしながら、これらの従来の方法は、依然として改良の余地を残している。例えば、特許文献１のアルカリ浴でリードフレームを浸漬処理することにより、表面に針状結晶を有する黒化処理層を形成する方法では、得られる黒色酸化膜が厚くなりすぎという不都合がある。黒色酸化膜が厚すぎになると、黒色酸化膜とその下に酸化による形成した酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ₂Ｏ）層の膜厚バランスを崩れて、これらの二層の間に剥離を生じる可能性がある。また、リードフレーム基材と酸化銅（II）（ＣｕＯ）層との間に酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ₂Ｏ）層を介在させる方法では、製造工程が複雑であり、製造の完了までにかなりの長時間が必要である。

本発明の目的は、複雑かつ長時間な処理工程を必要とすることなく、銅合金製リードフレームと封止樹脂との密着性に優れた信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、外部接続部を有し、銅合金からなるリードフレームと、熱処理により前記リードフレーム表面上に形成された銅酸化物膜と、前記リードフレーム上に設けられ、前記外部接続部と電気的に接続される半導体素子と、前記リードフレームと前記半導体素子とを一体に封止する樹脂と、を備え、前記リードフレームの外部接続部が前記樹脂から露出している半導体装置において、前記銅酸化膜は、前記リードフレーム側に形成され、酸化銅（Ｉ）を主成分とする第一層と、前記第一層上に形成され、酸化銅（II）を主成分とする第二層と、を有し、前記第一層の膜厚と前記第二層の膜圧の割合が１３．５以下であることを特徴とする。

本発明によれば、複雑かつ長時間な処理工程を必要とすることなく、銅合金製リードフレームと封止樹脂との密着性に優れた信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することができる。

本発明の半導体装置の概略図とＡ-Ａ'断面図である。 図１に示すリードフレームの一部の拡大図である。 リードフレームと封止樹脂との接合強度の測定手法を模式的に示す図。 本発明における半導体装置の製造工程を示すフロー図である。 カソード還元法で測定した銅酸化物層の構成である酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ₂Ｏ）と層酸化銅（II）（ＣｕＯ）層の膜厚比と、銅合金板と封止樹脂とを剥離に要するせん断応力との関係図である。 樹脂封止前の酸化時間と、銅合金板と封止樹脂とを剥離に要するせん断応力との関係を、加熱温度を変化させて測定した結果を示す図である。 濃化層の生成によるチップパッケージ破壊のモデル図である。 リードフレーム表面粗化処理後の表面状態を示す図である。 樹脂封止前の酸化時間と、粗化処理した銅合金板と封止樹脂とを剥離に要するせん断応力との関係を、樹脂封止前の加熱温度２５０℃にて測定した結果を示す図である。 従来技術を説明する図である。 特許文献１における技術を説明する図である。

本発明の実施形態１を、図１から図７を用いて説明する。
図１は、本発明の半導体装置の概略図とＡ−Ａ'断面図である。図１に示すように、半導体装置１は、半導体素子１３と、リードフレーム１２と、ボンディングワイヤ１６とを封止樹脂１８により一体成形することにより構成される。半導体素子１３は、リードフレーム１２の上に接合部材１７により接着されている。接合部材１７は、たとえばエポキシを主成分とする絶縁性ダイアタッチフィルムや導電性を有するＡｇペーストなどが用いられる。

リードフレーム１２は、半導体素子１３と外部とを電気的に接続する外部接続部１１を有し、外部接続部１１の一端側が樹脂１８から露出している。外部接続部１１の他端側は樹脂１８で封止されていて、半導体素子１３とワイヤボンディング１６を介して電気的に接続されている。リードフレーム１２は金属部材である銅合金から形成される。銅合金としては、Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金や、Ｃｕ-Ｚｎ-Ｃｒ-Ｓｎ系銅合金などが挙げられる。本発明の半導体装置においては、Ｆｅ : ２．１〜２．６ｗｔ％、Ｚｎ : ０．０５〜０．２ｗｔ％、Ｐ : ０．０１５〜０．１５ｗｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなるＣｕ-Ｆｅ-Ｐ系銅合金を採用しているが、これに限られるものではない。

図２は図１に示すリードフレーム１２の一部の拡大断面図である。リードフレーム１２上には、熱処理により銅酸化膜が形成され、この銅酸化膜を介してリードフレーム１２が樹脂１８に封止される。銅酸化膜は、酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ₂Ｏ）を主成分とし、リードフレーム側に形成される酸化銅（Ｉ）層１２ａと、酸化銅（II）（ＣｕＯ）を主成分とし、樹脂１８側に形成される酸化銅（II）層１２ｂを有している。酸化銅（Ｉ）層１２ａの膜厚と酸化銅（II）層１２ｂとの膜厚比は１３．５以下に構成されている。図５に示すとおり、膜厚比を１３．５以下に制御すれば、未酸化状態の銅合金板と封止樹脂とのせん断応力よりも高いせん断応力を得られ、銅合金製リードフレームと封止樹脂との密着強度を向上させることができる。

図４は本発明の実施形態における半導体装置の製造工程を示すフロー図である。

リードフレーム成形工程では、本発明による半導体装置に用いるリードフレーム１２は、従来のリードフレームと同様に、基材としての銅合金板を加工してパターン化することにより形成する。銅合金板のパターン化は、従来と同様にサタンピングやエッチングなどの周知の技術により行われる。

半導体素子搭載工程では、リードフレーム１２上に半導体素子１３を接合剤１７により搭載されている。接合剤１７は、たとえばエポキシを主成分とする絶縁性ダイアタッチフィルム或いは、必要に応じて導電性を有するＡｇペーストを用いても良い。ダイアタッチフィルムなどの接合剤を介して貼り付ける場合は、銅合金製リードフレームを熱酸化させないため、非酸化雰囲気中で、前記接合剤を硬化させることが望ましい。

従来の半導体装置の製造プロセスでは、大気中で数十分をわたし、接合剤を硬化させる。そのとき、リードフレーム１２にかかる熱的負荷では、容易に数百ナノメートルの銅酸化物層を生成する。また、この際、銅合金中の微量の添加元素が銅酸化物層とリードフレーム基材との境界付近に析出し、濃化する現象も生じる。このように添加元素が濃化した部分は比較的脆い性質を有する。すなわち、銅合金製のリードフレーム１２を長時間熱酸化すると、表面の酸化銅層と内部の基材との間に脆弱な層が形成される。その部分を起点としたパッケージクラックが生じたりして電子部品の欠陥となった。図７はその破壊モデルを示す図である。本発明はその脆弱な濃化層を生成するような熱的な負荷をかけないように、半導体装置の製造プロセスにおける熱的負荷を出来る限り小さくし、非酸化雰囲気中で、前記接合剤を硬化させることにした。

次に、ワイヤボンディング（配線）工程へ進み、半導体素子１３とリードフレーム１２をボンディングワイヤ１６で接続する。ボンディングワイヤ１６の接続方法として金や銅のボールボンディング、アルミのスティッチボンディングなど公知のワイヤボンディング工程が利用できる。このようにして、半導体素子１３及びリードフレーム１２が電気的に接合され、実装体が得られる。ワイヤボンディング工程においてリードフレーム１２は酸素雰囲気下で加熱される。この際、リードフレーム１２が熱酸化されて銅酸化物層が形成される。図６に示すように、加熱温度を２５０℃とし、加熱時間を２．５分以上とすることで、未酸化状態における封止樹脂との密着強度以上の密着強度を得ることができる。

封止工程では、トランスファモールドなどのモールド工法によって、リードフレーム１２の一部を残して、実装体を封止樹脂１８で覆い、キュア工程で封止樹脂１８を硬化して半導体装置１を得る。リードフレームの外部接続部１１の一端は、封止樹脂１８の外部に突出しており、外部コネクタターミナルと接続することができる。このように、半導体装置１は、封止樹脂１８からリードフレームの外部接続部１１の一部が突出している構成であり、リードフレーム１２と封止樹脂１８との密着性が半導体装置１の信頼性を大きく左右する。また、本発明の半導体装置を構成する封止樹脂１８としては、半導体素子の主要な構成材料であるシリコンの線膨張係数に近づき、両者をダイアタッチ工程で張り合わせたのち室温まで冷却するとき、熱応力による反りを低減させるため、エポキシ系の熱硬化型樹脂にシリカ系のフィラーを９０ｗｔ％程度混合したものを用いている。この封止樹脂の線膨張率は約０.７×１０^-5/℃、曲げ弾性率は約２６.５ＧＰａ、曲げ強度は約１８０ＭＰａである。

ワイヤボンディングを行う時にリードフレームにかかる熱的負荷とこの熱酸化によりリードフレーム上に形成された酸化物層との関係について説明する。上記したリードフレームと封止樹脂との接着強度を調べるため、次のような単純化した試験を行った。まず、試験用サンプルについて、図３に示すように、板厚１００ｍｍ、サイズ２０×１１０ｍｍの本実施例と同じ組成の銅合金板２０をホットプレート上に置き、大気中で異なる時間（１〜５分）と温度（２００〜２５０℃）にわたって加熱し、異なる厚さの銅酸化物層２０ａを形成させる。次に、モールド法で、銅合金板２０上に柱状の封止樹脂２３を接着する。成型条件については、モールドプレス金型温度は１７５℃、注入圧力は７.８ＭＰａ、注入時間は９.７秒とする。モールド金型内で８０秒キュアした後、さらに１７５℃オーブン中で６時間キュアするにより、試験用サンプル２９を得られた。そして、得られたサンプル２９の銅酸化物層２０ａと封止樹脂２３の接着強度を測定するため、銅合金板２０上にモールドされた柱状封止樹脂２３を矢印方向にヘッド２４により剥離して、剥離に要する強度を測定した。銅合金板２０の表面に形成した酸化物層２０ａの定性、定量はカソード還元法を用いる。酸化物層２０ａが電気化学的に１００％の電流効率で還元されるならば、酸化物層厚さを直接定電流クーロメトリー法で決定できる。例えば、本実施例では、表面に酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ２Ｏ）、酸化銅（II）（ＣｕＯ）の２種類銅酸化物層を存在する場合、時間―電極電位曲線は階段状の形態となり、その相当する電極電位の経過時間によって、酸化物種の存在量を知ることができる。

図５はカソード還元法で測定した銅酸化物層の構成である酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ２Ｏ）と層酸化銅（II）（ＣｕＯ）層の膜厚比と、銅合金板と封止樹脂とを剥離に要するせん断応力との関係図である。上記した方法で、未酸化銅合金板２０と柱状封止樹脂２３とのせん断応力を測定した結果、約６.４ＭＰａである。これに比べ、酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ２Ｏ）層の膜厚と酸化銅（II）（ＣｕＯ）層の膜厚との膜厚比を１３.５以下に制御すれば、未酸化状態でのせん断応力６.４ＭＰａを超え、銅合金製リードフレームと封止樹脂との密着強度がより高い半導体装置を得ることが分かる。

図６はホットプレート上にリードフレームを加熱したときの加熱時間と、形成される酸化物層の構成である酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ２Ｏ）層と酸化銅（II）（ＣｕＯ）層の膜厚比との関係を、加熱温度を変化させて測定した結果を示す図である。未酸化銅合金板と封止樹脂との密着強度以上にするには、３分間の加熱にする場合、加熱温度を約２５０℃にすればよいことが分かる。従って、図６に例示した関係に基づいたワイヤボンディング工程の条件を設定することにより、リードフレームの基材上に形成される酸化物層の構成である酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ２Ｏ）層と酸化銅（II）（ＣｕＯ）層の膜厚比を制御することができる。

本発明の実施形態２を、図８と図９を用いて説明する。なお、実施形態１と同じ構成については説明を省略する。

図８はレーザ変位計を用い、粗化処理後のリードフレーム表面凹凸状態を示す図である。リードフレーム成形工程にて、銅合金板をパターン化してリードフレームの形状に加工する前に、リードフレームと封止樹脂との密着性を更に向上させるため、リードフレームに化学エッチング等を用いて粗面化処理を施し、リードフレームの表面に凹凸を形成する表面粗化処理を行う。封止樹脂が接触する領域に凹凸が形成されているため、アンカ効果と銅酸化物層との相乗効果により、封止樹脂とリードフレームとの密着性を更に向上させることができる。一例としては、ＪＩＳ Ｂ０６０１法に準じた表面粗さ測定における中心線平均粗さＲａが０.４６μｍ、最大高さＲｍａｘが４.８１μｍである銅合金板を用いて、樹脂封止前の酸化時間と、銅合金板と封止樹脂とを剥離に要するせん断応力との関係を、樹脂封止前の加熱温度２５０℃にて測定した結果を図９に示す。リードフレームを粗化処理した場合、封止樹脂との密着強度が約１．５倍向上する。表面粗化処理なしの場合と同じように、ある程度の酸化物層を付くと、密着強度が上がる傾向がみられる。未酸化状態の粗化処理銅合金板と封止樹脂との密着強度以上にするには、加熱温度２５０℃にする場合、加熱時間を約３分にすればよいことが分かる。

本発明の実施形態３について説明する。なお、実施形態１と同じ構成については説明を省略する。

本発明の実施形態３では、リードフレームの外部接続部１１の一端側、すなわち半導体装置１の外部との接続領域に部分的にＮｉ-Ｓｎメッキが施されており、このメッキ部以外に熱処理により銅酸化物層が形成される構成としている。本発明の実施形態３は、銅合金板をパターン化してリードフレーム１２の形状に加工した後にリードフレーム１２に部分的にＮｉ−Ｓｎをメッキするメッキ工程を行い、メッキ工程後に半導体素子搭載構成、ワイヤボンディング工程、封止樹脂工程を行うことで達成することができる。実施形態３によれば、リードフレームの外部接続部１１の外部接続領域に部分的にＮｉ-Ｓｎメッキされているため、樹脂１８とリードフレーム１２との接続信頼性の向上しつつ、更に半導体装置１と外部との接続信頼性を向上することができる。

１・・半導体装置
２・・黒化処理層（酸化銅（II）；ＣｕＯ）
３・・リードフレーム（Ｃｕ）
４・・酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ２Ｏ）層
５・・封止樹脂
１１・・リードフレームの外部接続部
１２・・リードフレーム（Ｃｕ合金）
１２ａ・・酸化銅（Ｉ）層
１２ｂ・・酸化銅（II）層
１３・・半導体素子
１４・・濃化層（ＭｘＯｙ）
１５・・酸化銅（II）（ＣｕＯ）層の剥がれ
１６・・ボンディングワイヤ
１７・・接合剤
１８・・封止樹脂
１９・・ワイヤ接続部
２０・・銅合金板
２０ａ・・銅酸化物層
２１・・リードフレーム（Ｃｕ）
２２・・黒化処理層（酸化銅（II）；ＣｕＯ）
２３・・柱状封止樹脂
２４・・ヘッド
２５・・封止樹脂
２６・・還元による酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ２Ｏ）層
２７・・酸化による酸化銅（II）（ＣｕＯ）層
２８・・酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ２Ｏ）層の剥がれ
２９・・試験用サンプル

Claims (7)

1. 外部接続部を有し、銅合金からなるリードフレームと、
   熱処理により前記リードフレーム表面上に形成された銅酸化物膜と、
   前記リードフレーム上に設けられ、前記外部接続部と電気的に接続される半導体素子と、
   前記リードフレームと前記半導体素子とを一体に封止する樹脂と、を備え、
   前記外部接続部の一端が前記樹脂から露出している半導体装置において、
   前記銅酸化膜は、前記リードフレーム側に形成され、酸化銅（Ｉ）を主成分とする第一層と、前記第一層上に形成され、酸化銅（II）を主成分とする第二層と、を有し、
   前記第一層の膜厚ｈ１と前記第二層の膜厚ｈ２との膜厚比ｈ１/ｈ２が１３．５以下であることを特徴とする半導体装置。
2. 前記リードフレームの外部接続部を部分的にメッキしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記リードフレームは表面に粗化部を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
4. 銅合金板を加工しパターン化するリードフレーム形成工程と、
   前記リードフレーム形成ステップで形成したリードフレーム上に半導体素子を搭載する半導体素子搭載工程と、
   前記リードフレームと前記半導体素子とをワイヤボンディングにより電気的に接続するワイヤボンディング工程と、
   ワイヤボンディング部や前記半導体素子を樹脂封止するモールド工程と、を備える半導体装置の製造方法において、
   前記ワイヤボンディング工程の熱処理条件が、加熱温度２５０度以上、保持時間２．５分以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 前記半導体素子搭載工程は、非酸化雰囲気中で接合剤を硬化させる工程を備えることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記リードフレーム形成工程は、前記リードフレームの表面を粗化する表面粗化工程を備えることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記リードフレーム形成工程は、前記リードフレームが前記封止樹脂から露出する部分を部分的にメッキするメッキ工程を備えることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。