JP2015119191A - 複合材料、発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置 - Google Patents
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Abstract
複合材料を提供する。また、有機化合物へのキャリア注入性の高い複合材料を提供する。
また、電荷移動相互作用による吸収が生じにくい複合材料を提供する。また、該複合材料
を発光素子に適用することにより、発光効率の高い発光素子を提供する。また、駆動電圧
の低い発光素子を提供する。また、長寿命の発光素子を提供する。
【解決手段】ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格を有する複素環化合物と、
該複素環化合物に対して電子受容性を示す無機化合物とを含む複合材料を提供する。また
、一対の電極間に発光物質を含む層を有し、該発光物質を含む層は、該複合材料を含む層
を有する発光素子を提供する。
【選択図】図1
Description
器、及び照明装置に関する。
)を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成
は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を
印加することにより、発光性の有機化合物からの発光を得ることができる。
、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好
適であると考えられている。また、このような発光素子は、薄型軽量に作製できることも
大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
形成することができる。このことは、白熱電球やLEDに代表される点光源、あるいは蛍
光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての
利用価値も高い。
る。一方で、有機ELを用いた発光素子には課題も多い。その課題の一つとして、消費電
力の低減が挙げられる。消費電力を低減するためには、発光素子の駆動電圧を低減するこ
とが重要である。そして、有機ELを用いた発光素子は流れる電流量によって発光強度が
決まるため、駆動電圧を低減するためには、低い電圧で多くの電流を流すことが必要とな
ってくる。
機化合物を含む層との間に設けるという試みがなされている。例えば、カンファースルホ
ン酸をドープしたポリアニリン(PANI)からなるバッファー層をインジウム錫酸化物
(ITO:indium tin oxide)と発光層との間に設けることにより、駆
動電圧を低減できることが知られている(例えば、非特許文献1参照)。これは、PAN
Iの発光層へのキャリア注入性が優れているためと説明されている。なお、非特許文献1
では、バッファー層であるPANIも電極の一部と見なしている。
悪くなるという問題点がある。具体的には、250nm程度の膜厚で、透過率は70%を
切ると報告されている。すなわち、バッファー層に用いている材料自体の透明性に問題が
あるため、素子内部で発生した光を効率良く取り出すことができない。
を直列に接続することにより、ある電流密度当たりの輝度、すなわち電流効率を高めよう
という試みがなされている。特許文献1においては、発光素子を直列に接続する際の接続
部分に、有機化合物と金属酸化物(具体的には酸化バナジウムおよび酸化レニウム)とを
混合した層を適用しており、この層はホール(正孔)や電子を発光ユニットへ注入できる
とされている。
例を見てもわかる通り、赤外領域だけでなく可視光領域(500nm付近)にも大きな吸
収ピークが見られ、やはり透明性に問題が生じている。これは、電荷移動相互作用により
発生する吸収バンドの影響である。したがって、やはり素子内部で発生した光を効率良く
取り出すことができず、素子の発光効率が低下する。
キャリア輸送性の高い複合材料を提供することを課題の一とする。また、有機化合物への
キャリア注入性の高い複合材料を提供することを課題の一とする。また、電荷移動相互作
用による光吸収が生じにくい複合材料を提供することを課題の一とする。
発光素子を提供することを課題の一とする。また、駆動電圧の低い発光素子を提供するこ
とを課題の一とする。また、長寿命の発光素子を提供することを課題の一とする。また、
該発光素子を用いた発光装置、該発光装置を用いた電子機器、又は照明装置を提供するこ
とを課題の一とする。
とする。
物と、該複素環化合物に対して電子受容性を示す無機化合物とを含む複合材料である。
す。よって、上記複合材料は、キャリア輸送性が高い。
による光吸収が生じにくい。また、可視光に対する透光性(以下、透光性と記載する)が
高い。
数6以上70以下の置換基が結合した複素環化合物と、該複素環化合物に対して電子受容
性を示す無機化合物とを含む複合材料である。
複合材料に用いることで、電荷移動相互作用に基づく光吸収の発生を抑制することができ
るため、好ましい。また、複合材料の膜質が安定化するため好ましい。
レン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環か
ら選ばれる一種又は複数種であることが好ましい。これによって、電荷移動相互作用に基
づく光吸収の発生を抑制するだけでなく、複素環化合物自体の吸収ピークが可視光領域(
380nm〜760nm)よりも短波長側に生じるよう制御できるため、透光性が特に高
い複合材料を得ることができる。
ゾフラン環から選ばれる一種又は複数種であることが好ましい。これによって、該無機化
合物との間に、電荷移動相互作用に基づく光吸収がほとんど生じなくなる。
ニル基が結合し、フェニル基が1以上の置換基を有し、フェニル基及び1以上の置換基の
炭素数の総和が12以上70以下である複素環化合物と、該複素環化合物に対して電子受
容性を示す無機化合物とを含む複合材料である。
した複素環化合物を複合材料に用いることで、電荷移動相互作用に基づく光吸収の発生を
抑制することができるため、好ましい。また、複合材料の膜質が安定化するため好ましい
。また、共役が広がりにくくなるため、透光性向上の観点でも有効である。
ナフタレン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ジベンゾチオフェ
ン環、ジベンゾフラン環から選ばれる一種又は複数種であることが好ましい。これによっ
て、電荷移動相互作用に基づく光吸収の発生を抑制するだけでなく、複素環化合物自体の
吸収ピークが可視光領域よりも短波長側に生じるように制御できるため、特に透光性の高
い複合材料を得ることができる。
ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環から選ばれる一種又は複数種であることが好まし
い。これによって、該無機化合物との間に、電荷移動相互作用に基づく光吸収がほとんど
生じなくなる。
対して電子受容性を示す無機化合物とを含む複合材料である。
アルキル基、又は環を構成する炭素数が6〜25のアリール基を表し、R8〜R12は、
それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチ
ル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のトリフェニレニル
基、置換もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル
基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表す。ただし、R8〜R12のうち
、少なくとも1つは、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル
基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のトリフェニレニル基
、置換もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基
、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表す。
もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は
置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表すことが好ましい。ただし、R8〜R12
のうち、少なくとも1つは、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のフ
ルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換
のジベンゾフラニル基を表す。
環化合物と、遷移金属酸化物とを含む複合材料である。
また、電荷移動相互作用による光吸収が生じにくい。また、透光性が高い。
数6以上70以下の置換基が結合した複素環化合物と、遷移金属酸化物とを含む複合材料
である。
複合材料に用いることで、電荷移動相互作用に基づく光吸収の発生を抑制することができ
るため、好ましい。また、複合材料の膜質が安定化するため好ましい。
レン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環か
ら選ばれる一種又は複数種であることが好ましい。これによって、電荷移動相互作用に基
づく光吸収の発生を抑制するだけでなく、複素環化合物自体の吸収ピークが可視光領域よ
りも短波長側に生じるよう制御できるため、特に透光性の高い複合材料を得ることができ
る。
ンゾフラン環から選ばれる一種又は複数種であることが好ましい。これによって、該遷移
金属酸化物との間に、電荷移動相互作用に基づく光吸収がほとんど生じなくなる。
ニル基が結合し、フェニル基が1以上の置換基を有し、フェニル基及び1以上の置換基の
炭素数の総和が12以上70以下である複素環化合物と、遷移金属酸化物とを含む複合材
料である。
した複素環化合物を複合材料に用いることで、電荷移動相互作用に基づく光吸収の発生を
抑制することができるため好ましい。また、複合材料の膜質が安定化するため好ましい。
また、共役が広がりにくくなるため、透光性向上の観点でも有効である。
ナフタレン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ジベンゾチオフェ
ン環、ジベンゾフラン環から選ばれる一種又は複数種であることが好ましい。これによっ
て、電荷移動相互作用に基づく光吸収の発生を抑制するだけでなく、複素環化合物自体の
吸収ピークが可視光領域よりも短波長側に生じるよう制御できるため、特に透光性の高い
複合材料を得ることができる。
ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環から選ばれる一種又は複数種であることが好まし
い。これによって、該遷移金属酸化物との間に、電荷移動相互作用に基づく光吸収がほと
んど生じなくなる。
を含む複合材料である。
アルキル基、又は環を構成する炭素数が6〜25のアリール基を表し、R8〜R12は、
それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチ
ル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のトリフェニレニル
基、置換もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル
基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表す。ただし、R8〜R12のうち
、少なくとも1つは、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル
基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のトリフェニレニル基
、置換もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基
、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表す。
もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は
置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表すことが好ましい。ただし、R8〜R12
のうち、少なくとも1つは、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のフ
ルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換
のジベンゾフラニル基を表す。
物、モリブデン酸化物、タングステン酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロ
ム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物から選ば
れる一種又は複数種であることが好ましい。
光法での測定値が−5.7eV以下であることが好ましい。
有し、発光物質を含む層は、上記複合材料を含む層を有する発光素子である。
極と接することが好ましい。また、複合材料を含む層は、一対の電極のうち、陰極として
機能する電極と接することが好ましい。
のうち、一方の層は、一対の電極のうち陽極として機能する電極と接し、他方の層は、陰
極として機能する電極と接することが好ましい。
を含む層の間に、上記複合材料を含む層を有する発光素子である。すなわち、複数の発光
ユニットを積層した構成の有機EL発光素子(タンデム型の有機EL発光素子)における
中間層(電荷発生層とも記す)に、上記複合材料を用いることができる。
示部に有する電子機器である。また、該発光素子を発光部に有する照明装置である。
リア輸送性の高い複合材料を提供することができる。また、有機化合物へのキャリア注入
性の高い複合材料を提供することができる。また、電荷移動相互作用による光吸収が生じ
にくい複合材料を提供することができる。
の高い発光素子を提供することができる。また、駆動電圧の低い発光素子を提供すること
ができる。また、長寿命の発光素子を提供することができる。また、該発光素子を用いた
発光装置、該発光装置を用いた電子機器、又は照明装置を提供することができる。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
で示されているように、芳香族アミンと電子受容性の無機化合物が混合された複合材料は
、電子受容性の無機化合物が芳香族アミンから電子を奪うことにより、芳香族アミンにホ
ールが、無機化合物に電子が発生すると解釈されている。換言すれば、このような複合材
料は、芳香族アミンと電子受容性の無機化合物とが電荷移動錯体を形成していると解釈さ
れる。そして、このような現象を利用して、これまでにキャリア輸送性、キャリア注入性
に優れた複合材料がいくつか報告されている。
することが知られている。この吸収バンドは深赤色〜近赤外領域に発生すると言われてい
るが、実際には、多くの場合、可視光領域にも吸収バンドが生じる。例えば、4,4’−
ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB又はα−
NPD)と酸化バナジウム、又はNPBと酸化モリブデンを混合した複合材料は、130
0nm付近の吸収バンド以外に、500nm付近にも吸収バンドが生じる。このことは、
発光素子のような光学デバイスにとっては大きなデメリットとなる。
と電子受容性を示す無機化合物、又は、該複素環化合物と遷移金属酸化物とを複合させる
ことにより、電荷移動相互作用に基づく光吸収が確認できない(ほとんど発生しない)に
も関わらず、優れたキャリア輸送性やキャリア注入性を発現できることを見出した。従来
、電荷移動相互作用によって発生するホールおよび電子が、キャリア輸送性・キャリア注
入性発現の要素と考えられていたわけであるから、電荷移動相互作用による光吸収が明確
に観察されないにも関わらず優れたキャリア輸送性やキャリア注入性を発現できる本発明
は、その一般論とは矛盾しており、予測不可能の驚くべき機能であると言える。
い。したがって、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格を含むことで、該
複素環化合物自体が可視光領域に吸収ピークを持たない化合物となるよう設計できる。し
たがって、透光性向上の観点で大きなメリットがある。
定によると、HOMO準位が−6eV以下と非常に低い。したがって、ジベンゾフラン骨
格またはジベンゾチオフェン骨格を含む複素環化合物単体は、他の有機化合物への正孔注
入性には優れていると考えられるが、AlやITOに代表されるような導電材料(仕事関
数が3〜5eV程度)から正孔を受け取ることは困難であると考えられる。しかしながら
、本発明の一態様のような複合材料を形成することにより、他の有機化合物への優れた正
孔注入性を保ちつつ、電極からの正孔注入性の問題点を克服することができる。このよう
な複合材料の性質は、発光素子に用いた際に、駆動電圧の低減に寄与する。また、透光性
が高いことから、発光効率を高めることができる。さらには、深いHOMO準位により発
光素子中にキャリアの蓄積を防止できると考えられるため、長寿命化を達成できる。
本実施の形態では、本発明の一態様の複合材料について説明する。
ある。本発明の一態様の複合材料の作製方法に限定は無く、例えば、当該有機化合物と無
機化合物を同時に蒸着する共蒸着法により形成することができる。本発明の一態様の複合
材料において、有機化合物と無機化合物の混合比は質量比で8:1〜1:2(=有機化合
物:無機化合物)程度が好ましく、さらに望ましくは4:1〜1:1(=有機化合物:無
機化合物)である。混合比は複合材料を共蒸着法によって形成する場合は、有機化合物と
無機化合物の蒸着レートをそれぞれ調節することによって制御することができる。
ン骨格又はジベンゾフラン骨格を有する複素環化合物である。
る。また、有機化合物へのキャリア注入性が高い材料とすることができる。また、無機化
合物との電荷移動相互作用による光吸収が生じにくい材料とすることができる。また、該
複素環化合物を複合材料に用いることで、透光性が高い材料とすることができる。
置換基が結合した複素環化合物を用いることが好ましい。ジベンゾチオフェン骨格又はジ
ベンゾフラン骨格の4位に置換基を有する複素環化合物を複合材料に用いることで、電荷
移動相互作用に基づく光吸収の発生を抑制することができるためである。また、ジベンゾ
チオフェンやジベンゾフランが、4位にバルキーな(嵩高い)置換基(例えば炭素数が6
以上)を有する場合、ジベンゾチオフェンやジベンゾフランと該置換基との立体障害によ
り、分子全体が立体的な骨格となる。このことにより、複合材料の膜質が安定化する。ま
た、該複合材料を作製する際には、該複素環化合物と無機化合物とを共蒸着することが好
ましいが、この場合は該複素環化合物が気化しやすいことが望まれる。したがって、分子
量の観点から、該置換基の炭素数は70以下であることが好ましい。なお、該複素環化合
物の分子量としては、1200以下程度が好ましい。
(例えばアントラセン化合物)と、無機化合物とを混合した際、芳香族炭化水素化合物と
無機化合物の混合比における無機化合物の比率が低い場合には、混合により形成される複
合材料は結晶化しやすい。逆に、無機化合物の比率が高い場合には、結晶化は抑制できる
ものの、芳香族炭化水素化合物が有する骨格(例えばアントラセン骨格)と無機化合物と
の電荷移動相互作用に由来するわずかな吸収ピークが可視光領域で増大する。一方で、本
発明の一態様に示すように、ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格の4位に置
換基が結合した複素環化合物を用いる場合は、例えば該置換基にアントラセン骨格を含み
、かつ無機化合物の比率が低い場合においても、複合材料の結晶化は抑制され、複合材料
の膜質が安定化する。したがって、本発明の一態様の複合材料の場合には、複素環化合物
がアントラセン骨格を含んでいたとしても、結晶化を抑制する目的で無機化合物の比率を
高くする必要がなく、電荷移動相互作用に由来する吸収ピークが可視光領域に観測される
ことを防ぐことができる。
化合物と、無機化合物とを混合した際も、アリールカルバゾール化合物と無機化合物の混
合比における無機化合物の比率が低い場合には、混合により形成される複合材料は結晶化
しやすい。逆に、無機化合物の比率が高い場合には、結晶化は抑制できるものの、アリー
ルカルバゾール骨格と無機化合物との電荷移動相互作用に由来するわずかな吸収ピークが
可視光領域で増大する。一方で、本発明の一態様に示すように、ジベンゾチオフェン骨格
又はジベンゾフラン骨格の4位に置換基が結合した複素環化合物を用いる場合は、例えば
該置換基にアリールカルバゾール骨格を含み、かつ無機化合物の比率が低い場合において
も、複合材料の結晶化は抑制され、複合材料の膜質が安定化する。したがって、本発明の
一態様の複合材料の場合には、複素環化合物がアリールカルバゾール骨格を含んでいたと
しても、結晶化を抑制する目的で無機化合物の比率を高くする必要がなく、電荷移動相互
作用に由来する吸収ピークが可視光領域に観測されることを防ぐことができる。
ン環、フルオレン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環から選ばれる一種又は複
数種であることが好ましい。これらの環は、いずれもキャリア輸送性(特に正孔輸送性)
を発現するのに重要な共役環であるが、それと同時に、エネルギーギャップの広い共役環
でもある。したがって、上記置換基が有する環がこれらの環のみであることで、電荷移動
相互作用に基づく光吸収の発生を抑制するだけでなく、複素環化合物の吸収ピークが可視
光領域よりも短波長側に生じるよう制御できるため、該複素環化合物を用いることで、透
光性の高い複合材料を得ることができる。
ベンゾフラン環から選ばれる一種又は複数種であることが好ましい。これによって、無機
化合物との間に、電荷移動相互作用に基づく光吸収がほとんど生じなくなることを本発明
者らは見いだした。特に、複素環化合物と無機化合物の混合比において、無機化合物の比
率を上げても、電荷移動相互作用による光吸収はほとんど生じない。具体的には、複素環
化合物と無機化合物の混合比が質量比で4:1〜1:1(=複素環化合物:無機化合物)
であっても、電荷移動相互作用に基づく光吸収がほとんど生じない。なお、無機化合物の
濃度が高いと、複合材料の導電性が高くなるため好ましい。また、本発明者らは、電荷移
動相互作用による光吸収がほとんど生じないにも関わらず、発光素子に用いた際には、良
好なキャリア輸送性・キャリア注入性、信頼性を発現できることを見いだした。
フェニル基が1以上の置換基を有し、フェニル基及び1以上の置換基の炭素数の総和が1
2以上70以下である複素環化合物を用いることが好ましい。ジベンゾチオフェン骨格又
はジベンゾフラン骨格の4位に共役が小さいフェニル基が結合した複素環化合物を複合材
料に用いることで、電荷移動相互作用に基づく光吸収の発生を抑制することができるため
である。また、フェニル基は共役が小さいため、フェニル基にさらに置換基を結合させて
分子量を増大させたとしても、広いエネルギーギャップを保つことができ、透光性向上の
観点でも有効である。さらに、ジベンゾチオフェンやジベンゾフランが、4位にバルキー
な部位(例えば、上記のフェニル基を含めて炭素数の総和が12以上の骨格)を有する場
合、ジベンゾチオフェンやジベンゾフランと該バルキーな部位との立体障害により、分子
全体が立体的な骨格となる。このことにより、複合材料の膜質が安定化する。また、該複
合材料を作製する際には、該複素環化合物と無機化合物とを共蒸着することが好ましいが
、この場合は該複素環化合物が気化しやすいことが望まれる。したがって、分子量の観点
から、該バルキーな部位は炭素数の総和が70以下であることが好ましい。なお、該複素
環化合物の分子量としては、1200以下程度が好ましい。
トレン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環
から選ばれる一種又は複数種であることが好ましい。これらの環は、いずれもキャリア輸
送性(特に正孔輸送性)を発現するのに重要な共役環であるが、それに加えて、エネルギ
ーギャップの広い共役環でもある。したがって、置換基が有する環がこれらの環のみであ
ることで、電荷移動相互作用に基づく光吸収の発生を抑制するだけでなく、複素環化合物
の吸収ピークが可視光領域よりも短波長側に生じるように制御できるため、該複素環化合
物を用いることで、透光性の高い複合材料を得ることができる。
ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環から選ばれる一種又は複数種であることが好ま
しい。これによって、無機化合物との間に、電荷移動相互作用に基づく光吸収がほとんど
生じなくなることを、本発明者らは見出した。特に、複素環化合物と無機化合物の混合比
において、無機化合物の比率を上げても、電荷移動相互作用による光吸収はほとんど生じ
ない。具体的には、複素環化合物と無機化合物の混合比が質量比で4:1〜1:1(=複
素環化合物:無機化合物)であっても、電荷移動相互作用に基づく光吸収がほとんど生じ
ない。なお、無機化合物の濃度が高いと、複合材料の導電性が高くなるため好ましい。ま
た、本発明者らは、電荷移動相互作用による光吸収がほとんど生じないにも関わらず、発
光素子に用いた際には、良好なキャリア輸送性・キャリア注入性、信頼性を発現できるこ
とを見いだした。
表される複素環化合物である。
素数1〜4のアルキル基、又は環を構成する炭素数が6〜25のアリール基を表し、R8
〜R12は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無
置換のナフチル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のトリ
フェニレニル基、置換もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾ
チオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表す。ただし、R8〜
R12のうち、少なくとも1つは、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置
換のナフチル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のトリフ
ェニレニル基、置換もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチ
オフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表す。
もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は
置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表すことが好ましい。ただし、R8〜R12
のうち、少なくとも1つは、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のフ
ルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換
のジベンゾフラニル基を表す。
有機化合物の一例を示す。
用いることができる。例えば、塩化鉄(III)や塩化アルミニウムなどは、電子受容性
が高い無機化合物の一例である。
ができる。好ましくは元素周期表における4〜8族に属する金属の酸化物が望ましい。特
にチタン酸化物、バナジウム酸化物、タンタル酸化物、モリブデン酸化物、タングステン
酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフ
ニウム酸化物、銀酸化物が好ましい。この中でもモリブデン酸化物は蒸着がしやすく、吸
湿性が低く、安定であることから特に扱いやすい材料である。
性はそれほど高くない(反応性は低い)と考えられる。また、上述した通り、本発明の一
態様である複合材料においては、電荷移動相互作用に基づく光吸収の発生が抑制される(
あるいはほとんど発生しない)。これらのことから、本発明において、遷移金属酸化物は
一般的な意味合いでの電子受容体として作用しているという証明はし難い。しかしながら
一方で、実施例で後述するように、実験的には、電界を印加した際には複素環化合物単体
では流せないほどの電流を流せる事実がある。したがって、本発明の一態様である複合材
料において遷移金属酸化物を用いた場合、少なくとも電界印加のアシストにより容易にキ
ャリアが発生しているものと考えられる。したがって本明細書では、少なくとも電界印加
のアシストによりキャリアが発生していれば、複合材料中の無機化合物(上述のような遷
移金属酸化物など)は電子受容性を有するものとして扱う。
子分光法での測定値が−5.7eV以下であることが好ましい。上述したとおり、ジベン
ゾチオフェンやジベンゾフランは、CV測定によると、HOMO準位が−6eV以下と非
常に低い。したがって、ジベンゾフラン骨格またはジベンゾチオフェン骨格を含む複素環
化合物単体も、HOMO準位を−5.7eV以下という低い値をとることが容易である。
ていると考えられるが、AlやITOに代表されるような導電材料(仕事関数が3〜5e
V程度)から正孔を受け取ることは困難であると考えられる。しかしながら、本発明の一
態様のような複合材料を形成することにより、他の有機化合物への優れた正孔注入性を保
ちつつ、電極からの正孔注入性の問題点を克服することができる。このような複合材料の
性質は、発光素子に用いた際に、駆動電圧の低減に寄与する。また、透光性が高いことか
ら、発光効率を高めることができる。さらには、深いHOMO準位によりキャリアの蓄積
を防止できるため、長寿命化を達成できる。
性が高い材料である。また、本発明の一態様の複合材料は、有機化合物へのキャリア注入
性に優れた材料である。また、本発明の一態様の複合材料は、電荷移動相互作用に基づく
光吸収が生じにくい材料である。
の半導体素子に用いることが可能である。
性に優れることから、発光素子等に用いることで、駆動電圧を低下させることができる。
、高い発光効率を実現できる。
ことで、長寿命の素子を作製することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子について図1を用いて説明する。
される。EL層は、少なくとも、実施の形態1で示した本発明の一態様の複合材料を含む
層と、発光層とを有する。さらに、EL層は、そのほかの層を有していても良い。例えば
、電極から離れたところに発光領域が形成されるように、つまり電極から離れた部位でキ
ャリアの再結合が行われるように、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物
質からなる層を備えていても良い。本明細書では、キャリア注入性の高い物質やキャリア
輸送性の高い物質からなる層をキャリアの注入、輸送などの機能を有する、機能層ともよ
ぶ。機能層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などを用いるこ
とができる。なお、本実施の形態において、本発明の一態様の複合材料を含む層は、正孔
注入層として用いる。
層など)を設ける事が好ましい。そのことで、発光層で生じた励起エネルギーが、該複合
材料を含む層へ伝わることでの消光(効率低下)を抑制でき、より高効率な素子を得るこ
とができる。
102が設けられている。EL層102は、第1の電極101上に正孔注入層701、正
孔輸送層702、発光層703、電子輸送層704、電子注入層705の順で積層されて
いる。なお、本実施の形態に示す発光素子において、第1の電極101は陽極として機能
し、第2の電極108は陰極として機能する。
板、又はプラスチック基板などを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。
可撓性基板とは、曲げることができる(フレキシブル)基板のことであり、例えば、ポリ
カーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォンからなるプラスチック基板等が
挙げられる。また、フィルム(ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニ
ル、塩化ビニル等からなる)、無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光
素子の支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。
を用いることができる。例えば、酸化インジウム−酸化スズ(ITO:Indium T
in Oxide)、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化
インジウム−酸化亜鉛(Indium Zinc Oxide)、酸化タングステン及び
酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZO)等が挙げられる。これらの導電性金属酸
化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構
わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛膜は、酸化インジウムに対し1〜20wt%
の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。
また、IWZO膜は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5〜5wt%、酸化
亜鉛を0.1〜1wt%含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成するこ
とができる。この他、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コ
バルト、銅、パラジウム、又は金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等が挙げられる
。
を用いることが好ましい。なお、第1の電極101と、本発明の一態様の複合材料を含む
層とが接する構成の発光素子については、第1の電極101に用いる材料は、仕事関数の
大きい材料に限定されず、仕事関数の小さい材料を用いることもできる。例えば、アルミ
ニウム、銀、アルミニウムを含む合金(例えば、Al−Si)等を用いることもできる。
低く、正孔輸送層702及び発光層703への正孔注入性が良好である。一方、第1の電
極101との間に注入障壁が生じ、第1の電極101から正孔が注入されにくい。
(該複素環化合物と、該複素環化合物に対して電子受容性を示す無機化合物とを含む材料
)を用いるため、第1の電極101と正孔注入層701との間の注入障壁を緩和すること
ができる。したがって、第1の電極101から発光層703までの注入障壁が小さく、キ
ャリア注入性の高い素子の実現が可能となり、駆動電圧の低い発光素子を提供することが
できる。
。そのため、本発明の一態様の複合材料を用いることで、発光効率の高い発光素子を実現
することができる。
化合物は、HOMO準位が低く、該無機化合物との間に、電荷移動相互作用に基づく光吸
収が生じにくい。したがって、本発明の一態様の複合材料は、可視光領域に吸収ピークが
生じにくく、高い透光性を有する。よって、このことからも、本発明の一態様の複合材料
を用いることで、発光効率の高い発光素子を実現することができると言える。
提供することができる。
して、本発明の一態様の複合材料に用いる複素環化合物を用いても良い。そのほか、正孔
輸送性の高い物質としては、例えば、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェ
ニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB又はα−NPD)、N,N’−ビス(3−メチル
フェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(
略称:TPD)、4−フェニル−4’−(9−フェニルフルオレン−9−イル)トリフェ
ニルアミン(略称:BPAFLP)、4,4’−ビス[N−(9,9−ジメチルフルオレ
ン−2−イル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DFLDPBi)、4,4’
−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビ
フェニル(略称:BSPB)等の芳香族アミン化合物を用いることができる。ここに述べ
た物質は、主に10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子
よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔
輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積
層したものとしてもよい。
BP)、9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾー
ル(略称:CzPA)、9−フェニル−3−[4−(10−フェニル−9−アントリル)
フェニル]−9H−カルバゾール(略称:PCzPA)のようなカルバゾール誘導体や、
2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuD
NA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10−ジフ
ェニルアントラセン(略称:DPAnth)のようなアントラセン誘導体を用いても良い
。
るため、正孔輸送層にも低いHOMO準位を有する材料を適用することができる。このよ
うな構成とすることにより、発光層と正孔輸送層との界面における電荷の蓄積を防ぐこと
ができ、発光素子を長寿命化できる。具体的には、正孔輸送層のHOMO準位は−5.6
eV以下であることが好ましい。また、このような観点から、正孔輸送層に用いる化合物
としては、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ア
ントラセン誘導体などが好ましい。
(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4−{N’−[
4−(4−ジフェニルアミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェニル)
メタクリルアミド](略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニ
ル)−N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)などの高分
子化合物を用いることもできる。
えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる
。
して、N,N’−ビス[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−
ジフェニルスチルベン−4,4’−ジアミン(略称:YGA2S)、4−(9H−カルバ
ゾール−9−イル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(
略称:YGAPA)、4−(10−フェニル−9−アントリル)−4’−(9−フェニル
−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBAPA)などが挙
げられる。また、緑色系の発光材料として、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリ
ル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、
N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル]−N,9
−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCABPhA)、N−(9
,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェ
ニレンジアミン(略称:2DPAPA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル
−2−イル)−2−アントリル]−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレン
ジアミン(略称:2DPABPhA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−
2−イル)]−N−[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニル
アントラセン−2−アミン(略称:2YGABPhA)、N,N,9−トリフェニルアン
トラセン−9−アミン(略称:DPhAPhA)などが挙げられる。また、黄色系の発光
材料として、ルブレン、5,12−ビス(1,1’−ビフェニル−4−イル)−6,11
−ジフェニルテトラセン(略称:BPT)などが挙げられる。また、赤色系の発光材料と
して、N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)テトラセン−5,11−
ジアミン(略称:p−mPhTD)、7,14−ジフェニル−N,N,N’,N’−テト
ラキス(4−メチルフェニル)アセナフト[1,2−a]フルオランテン−3,10−ジ
アミン(略称:p−mPhAFD)などが挙げられる。
材料として、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]
イリジウム(III)テトラキス(1−ピラゾリル)ボラート(略称:FIr6)、ビス
[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(II
I)ピコリナート(略称:FIrpic)、ビス{2−[3’,5’−ビス(トリフルオ
ロメチル)フェニル]ピリジナト−N,C2’}イリジウム(III)ピコリナート(略
称:Ir(CF3ppy)2(pic))、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニ
ル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:FI
r(acac))などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス(2−フェ
ニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir(ppy)3)、ビス
(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(
略称:Ir(ppy)2(acac))、ビス(1,2−ジフェニル−1H−ベンゾイミ
ダゾラト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(pbi)2(ac
ac))、ビス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート
(略称:Ir(bzq)2(acac))、トリス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウ
ム(III)(略称:Ir(bzq)3)などが挙げられる。また、黄色系の発光材料と
して、ビス(2,4−ジフェニル−1,3−オキサゾラト−N,C2’)イリジウム(I
II)アセチルアセトナート(略称:Ir(dpo)2(acac))、ビス[2−(4
’−パーフルオロフェニルフェニル)ピリジナト]イリジウム(III)アセチルアセト
ナート(略称:Ir(p−PF−ph)2(acac))、ビス(2−フェニルベンゾチ
アゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(bt
)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニ
ル)−5−メチルピラジナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdppr−Me)
2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス{2−(4−メトキシフェニル)−3,
5−ジメチルピラジナト}イリジウム(III)(略称:Ir(dmmoppr)2(a
cac))などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス(2−フェニルキ
ノリナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir(pq)3)、ビス(2−フ
ェニルキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:I
r(pq)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス(3,5−ジメチル−2−フ
ェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(mppr−Me)2(acac
))、(アセチルアセトナト)ビス(5−イソプロピル−3−メチル−2−フェニルピラ
ジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(mppr−iPr)2(acac))など
が挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス[2−(2’−ベンゾ[4,5−α
]チエニル)ピリジナト−N,C3’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略
称:Ir(btp)2(acac))、ビス(1−フェニルイソキノリナト−N,C2’
)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(piq)2(acac))
、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト
]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)2(acac))、(アセチルアセト
ナト)ビス(2,3,5−トリフェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir
(tppr)2(acac))、(ジピバロイルメタナト)ビス(2,3,5−トリフェ
ニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(tppr)2(dpm))、2,
3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポルフィリン白
金(II)(略称:PtOEP)等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス(アセチ
ルアセトナト)(モノフェナントロリン)テルビウム(III)(略称:Tb(acac
)3(Phen))、トリス(1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオナト)(モノ
フェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(DBM)3(Phen))、
トリス[1−(2−テノイル)−3,3,3−トリフルオロアセトナト](モノフェナン
トロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(TTA)3(Phen))等の希土類
金属錯体は、希土類金属イオンからの発光(異なる多重度間の電子遷移)であるため、燐
光性化合物として用いることができる。
ホスト材料)に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のものを用いる
ことができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位(LUMO準位)が高く、HOMO準位
が低い物質を用いることが好ましい。
(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)(
略称:Almq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(I
I)(略称:BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェ
ノラト)アルミニウム(III)(略称:BAlq)、ビス(8−キノリノラト)亜鉛(
II)(略称:Znq)、ビス[2−(2−ベンゾオキサゾリル)フェノラト]亜鉛(I
I)(略称:ZnPBO)、ビス[2−(2−ベンゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(I
I)(略称:ZnBTZ)などの金属錯体、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−te
rt−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3−ビ
ス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル
]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4
−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、2,2’
,2’’−(1,3,5−ベンゼントリイル)トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミ
ダゾール)(略称:TPBI)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュ
プロイン(略称:BCP)などの複素環化合物や、9−[4−(10−フェニル−9−ア
ントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、3,6−ジフェニル−
9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称
:DPCzPA)、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称
:DPPA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、2−te
rt−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、
9,9’−ビアントリル(略称:BANT)、9,9’−(スチルベン−3,3’−ジイ
ル)ジフェナントレン(略称:DPNS)、9,9’−(スチルベン−4,4’−ジイル
)ジフェナントレン(略称:DPNS2)、3,3’,3’’−(ベンゼン−1,3,5
−トリイル)トリピレン(略称:TPB3)、9,10−ジフェニルアントラセン(略称
:DPAnth)、6,12−ジメトキシ−5,11−ジフェニルクリセンなどの縮合芳
香族化合物、N,N−ジフェニル−9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェ
ニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:CzA1PA)、4−(10−フェニ
ル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:DPhPA)、N,9−ジフェニル−
N−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−
アミン(略称:PCAPA)、N,9−ジフェニル−N−{4−[4−(10−フェニル
−9−アントリル)フェニル]フェニル}−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:P
CAPBA)、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−
9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、NPB(又はα−NPD)、
TPD、DFLDPBi、BSPBなどの芳香族アミン化合物などを用いることができる
。
ン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー
移動をより効率良く行うためにNPB、あるいはAlq等をさらに添加してもよい。
制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制すること
ができる。
光材料として、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)(略称:PFO
)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(2,5−ジメ
トキシベンゼン−1,4−ジイル)](略称:PF−DMOP)、ポリ{(9,9−ジオ
クチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−[N,N’−ジ−(p−ブチルフェニル)
−1,4−ジアミノベンゼン]}(略称:TAB−PFH)などが挙げられる。また、緑
色系の発光材料として、ポリ(p−フェニレンビニレン)(略称:PPV)、ポリ[(9
,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイル)−alt−co−(ベンゾ[2,1,3
]チアジアゾール−4,7−ジイル)](略称:PFBT)、ポリ[(9,9−ジオクチ
ル−2,7−ジビニレンフルオレニレン)−alt−co−(2−メトキシ−5−(2−
エチルヘキシロキシ)−1,4−フェニレン)]などが挙げられる。また、橙色〜赤色系
の発光材料として、ポリ[2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキソキシ)−1,4−フ
ェニレンビニレン](略称:MEH−PPV)、ポリ(3−ブチルチオフェン−2,5−
ジイル)(略称:R4−PAT)、ポリ{[9,9−ジヘキシル−2,7−ビス(1−シ
アノビニレン)フルオレニレン]−alt−co−[2,5−ビス(N,N’−ジフェニ
ルアミノ)−1,4−フェニレン]}、ポリ{[2−メトキシ−5−(2−エチルヘキシ
ロキシ)−1,4−ビス(1−シアノビニレンフェニレン)]−alt−co−[2,5
−ビス(N,N’−ジフェニルアミノ)−1,4−フェニレン]}(略称:CN−PPV
−DPD)などが挙げられる。
素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つの発光層を有する発
光素子において、第1の発光層の発光色と第2の発光層の発光色を補色の関係になるよう
にすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお
、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色
を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つ
以上の発光層を有する発光素子の場合でも同様である。
ては、例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(4
−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq3)、ビス(10−ヒドロ
キシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq2)、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)など、キ
ノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビス
[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX)2
)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BT
Z)2)などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いること
ができる。さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert
−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)や、1,3−ビス
[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]
ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−
tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、バソフェナ
ントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)なども用いること
ができる。ここに述べた物質は、主に10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物
質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上
積層したものとしてもよい。
チウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、
リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用い
ることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができ
る。また、上述した電子輸送層704を構成する物質を用いることもできる。
、電子注入層705は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む)、インクジェット法、塗
布法等の方法で形成することができる。
108の一対の電極間に、EL層102が設けられている。EL層102は、正孔注入層
701、正孔輸送層702、発光層703、電子輸送層704、電子注入層705を有し
ている。図2(A)における発光素子は、基板100上に、陰極として機能する第2の電
極108と、第2の電極108上に順に積層した電子注入層705、電子輸送層704、
発光層703、正孔輸送層702、正孔注入層701と、さらにその上に設けられた陽極
として機能する第1の電極101から構成されている。
の色の発光を得ることができる。例えば、2つのEL層を有する発光素子において、第1
のEL層の発光色と第2のEL層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素
子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、3つ以上のEL層を
有する発光素子の場合でも同様である。
積層されていても良い。この場合、積層された第1のEL層800と第2のEL層801
との間には、電荷発生層803を設けることが好ましい。電荷発生層803は本発明の一
態様の複合材料を用いて形成することができる。本発明の一態様の複合材料は、電圧印加
時におけるキャリアの発生効率が高く、正孔輸送性が高い。そのため、本発明の一態様の
複合材料を用いることで、駆動電圧の低い発光素子を実現することができる。また、発光
効率の高い発光素子を実現することができる。
はHOMO準位が低く、該無機化合物との間に、電荷移動相互作用に基づく光吸収が生じ
にくい、したがって、本発明の一態様の複合材料は、可視光領域に吸収ピークが生じにく
く、高い透光性を有する。よって、このことからも、本発明の一態様の複合材料を用いる
ことで、発光効率の高い発光素子を実現することができると言える。
の積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸
送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。このよ
うな構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の
選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易
である。また、一方のEL層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。この
構造は上述のEL層の構造と組み合わせて用いることができる。
ることが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に、電荷発生
層を挟んで複数のEL層を配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度で発光す
る長寿命素子を実現できる。
孔注入層701、正孔輸送層702、発光層703、電子輸送層704、電子注入バッフ
ァー層706、電子リレー層707、及び第2の電極108と接する複合材料層708を
有していても良い。
いて第2の電極108を形成する際に、EL層102が受けるダメージを低減することが
できるため、好ましい。複合材料層708は、本発明の一態様の複合材料を用いることが
できる。
04との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層708で生じた電子を電
子輸送層704に容易に注入することができる。
びこれらの化合物(アルカリ金属化合物(酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸
リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲ
ン化物、炭酸塩を含む)、又は希土類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含
む))等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、0.001以上0.1以下
の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカ
リ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物(アルカリ金属化合物(
酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む
)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、又は希土類金属
の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む))の他、テトラチアナフタセン(略称
:TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもでき
る。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層704の材料と同様
の材料を用いて形成することができる。
を形成することが好ましい。電子リレー層707は、必ずしも設ける必要は無いが、電子
輸送性の高い電子リレー層707を設けることで、電子注入バッファー層706へ電子を
速やかに送ることが可能となる。
構造は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層70
6に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造で
ある。したがって、駆動電圧の上昇を抑制することができる。
O準位は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送
層704に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるように形成する。
また、電子リレー層707がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準
位も複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送層70
4に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるようにする。具体的なエ
ネルギー準位の数値としては、電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質のL
UMO準位は−5.0eV以上、好ましくは−5.0eV以上−3.0eV以下とすると
よい。
は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
hthalocyanine tin(II) complex)、ZnPc(Phth
alocyanine zinc complex)、CoPc(Cobalt(II)
phthalocyanine, β−form)、FePc(Phthalocyan
ine Iron)及びPhO−VOPc(Vanadyl 2,9,16,23−te
traphenoxy−29H,31H−phthalocyanine)のいずれかを
用いることが好ましい。
、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重結
合はアクセプター性(電子を受容しやすい性質)を有するため、電子の移動(授受)がよ
り容易になる。また、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる
。したがって、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を低
電圧でより安定に駆動することが可能になる。
い。具体的には、VOPc(Vanadyl phthalocyanine)、SnO
Pc(Phthalocyanine tin(IV) oxide complex)
及びTiOPc(Phthalocyanine titanium oxide co
mplex)のいずれかは、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用
しやすく、アクセプター性が高いため好ましい。
具体的にはPhO−VOPcのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好
ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、
発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、
成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。
アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物(アルカリ金属化合物
(酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩
を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、又は希土
類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む))の他、テトラチアナフタセン
(略称:TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いるこ
とができる。電子リレー層707にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の
移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。
した材料の他、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より
高いLUMO準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては
、−5.0eV以上、好ましくは−5.0eV以上−3.0eV以下の範囲にLUMO準
位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導
体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安
定であるため、電子リレー層707を形成する為に用いる材料として、好ましい材料であ
る。
物(略称:PTCDA)、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボキシリックビスベン
ゾイミダゾール(略称:PTCBI)、N,N’−ジオクチル−3,4,9,10−ペリ
レンテトラカルボン酸ジイミド(略称:PTCDI−C8H)、N,N’−ジヘキシル−
3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(略称:Hex PTC)等が挙
げられる。
フェナントロリン−2,3−ジカルボニトリル(略称:PPDN)、2,3,6,7,1
0,11−ヘキサシアノ−1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン(略称
:HAT(CN)6)、2,3−ジフェニルピリド[2,3−b]ピラジン(略称:2P
YPR)、2,3−ビス(4−フルオロフェニル)ピリド[2,3−b]ピラジン(略称
:F2PYPR)等が挙げられる。
5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(略称:NTCDA)、パーフルオロペン
タセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン(略称:F16CuPc)、N,N’−ビ
ス(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−ペンタデカフルオ
ロオクチル)−1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド(略称:NTCD
I−C8F)、3’,4’−ジブチル−5,5’’−ビス(ジシアノメチレン)−5,5
’’−ジヒドロ−2,2’:5’,2’’−テルチオフェン)(略称:DCMT)、メタ
ノフラーレン(例えば、[6,6]−フェニルC61酪酸メチルエステル)等を用いるこ
とができる。
ー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層707を形成すれば良い。
料を用いてそれぞれ形成すれば良い。
本実施の形態では、本発明の一態様の、発光素子を有する発光装置について図3を用いて
説明する。なお、図3(A)は、発光装置を示す上面図、図3(B)は図3(A)をA−
B及びC−Dで切断した断面図である。
は画素部、403は駆動回路部(ゲート側駆動回路)である。また、404は封止基板、
405はシール材であり、シール材405で囲まれた内側は、空間になっている。
される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリ
ントサーキット)409からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等
を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配
線基板(PWB)が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装
置本体だけでなく、それにFPC又はPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。
及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路401と
、画素部402中の一つの画素が示されている。
とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、TFTで形成される種
々のCMOS回路、PMOS回路又はNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形
態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく
、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。
レインに電気的に接続された第1の電極413とを含む複数の画素により形成される。な
お、第1の電極413の端部を覆って絶縁物414が形成されている。ここでは、ポジ型
の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物414の材料としてポジ型の感光性アクリ
ルを用いた場合、絶縁物414の上端部のみに曲率半径(0.2μm〜3μm)を有する
曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物414として、光の照射によってエッチャ
ントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ
型のいずれも使用することができる。
る。ここで、陽極として機能する第1の電極413に用いる材料としては、仕事関数の大
きい材料を用いることが望ましい。例えば、ITO膜、又は珪素を含有したインジウム錫
酸化物膜、2〜20wt%の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜
、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタン膜とアルミニウムを主
成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜と
の3層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く
、良好なオーミックコンタクトがとれる。
、印刷法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。EL層416は、実施の
形態1で示した複合材料を含んでいる。また、EL層416を構成する他の材料としては
、低分子材料、オリゴマー、デンドリマー、又は高分子材料であっても良い。
としては、仕事関数の小さい材料(Al、Mg、Li、Ca、又はこれらの合金や化合物
、Mg−Ag、Mg−In、Al−Li等)を用いることが好ましい。なお、EL層41
6で生じた光が第2の電極417を透過するためには、第2の電極417として、膜厚を
薄くした金属薄膜と、透明導電膜(ITO、2〜20wt%の酸化亜鉛を含む酸化インジ
ウム、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化亜鉛等)との積
層を用いるのが良い。
子基板410、封止基板404、及びシール材405で囲まれた空間407に発光素子4
18が備えられた構造になっている。なお、空間407には、充填材が充填されており、
不活性気体(窒素やアルゴン等)が充填される場合の他、シール材405で充填される場
合もある。
できるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板404に
用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRP(Fiberglass−Rein
forced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、ポリエステル又
はアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
置を得ることができる。
シブマトリクス型の発光装置に用いることもできる。図4に本発明の発光素子を用いたパ
ッシブマトリクス型の発光装置の斜視図及び断面図を示す。なお、図4(A)は、発光装
置を示す斜視図、図4(B)は図4(A)をX−Yで切断した断面図である。
04が設けられている。第1の電極502の端部は絶縁層505で覆われている。そして
、絶縁層505上には隔壁層506が設けられている。隔壁層506の側壁は、基板面に
近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなるような傾斜を有する。つ
まり、隔壁層506の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺(絶縁層505と接する辺
)の方が上辺(絶縁層505と接しない辺)よりも短い。このように、隔壁層506を設
けることで、クロストーク等に起因した発光素子の不良を防ぐことができる。
ことができる。
)は、いずれも本発明の一態様の発光素子を用いて形成されることから、消費電力の低い
発光装置を得ることができる。
本実施の形態では、本発明を適用した一態様である発光装置を用いて完成させた様々な電
子機器および照明器具の一例について、図5、図6を用いて説明する。
ョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオ
カメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携
帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げ
られる。これらの電子機器および照明器具の具体例を図5に示す。
体7101に表示部7103が組み込まれている。表示部7103により、映像を表示す
ることが可能であり、発光装置を表示部7103に用いることができる。また、ここでは
、スタンド7105により筐体7101を支持した構成を示している。
コン操作機7110により行うことができる。リモコン操作機7110が備える操作キー
7109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7103に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機7110に、当該リモコン操作機
7110から出力する情報を表示する表示部7107を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線によ
る通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)又は双方向(送
信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
ボード7204、外部接続ポート7205、ポインティングデバイス7206等を含む。
なお、コンピュータは、発光装置をその表示部7203に用いることにより作製される。
ており、連結部7303により、開閉可能に連結されている。筐体7301には表示部7
304が組み込まれ、筐体7302には表示部7305が組み込まれている。また、図5
(C)に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部7306、記録媒体挿入部7307、
LEDランプ7308、入力手段(操作キー7309、接続端子7310、センサ731
1(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学
物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、
におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン7312)等を備えてい
る。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部730
4および表示部7305の両方、又は一方に発光装置を用いていればよく、その他付属設
備が適宜設けられた構成とすることができる。図5(C)に示す携帯型遊技機は、記録媒
体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携
帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図5(C)に示す携
帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、スピ
ーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、発光装
置を表示部7402に用いることにより作製される。
を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、
表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。
示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示
モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部7402の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ま
しい。
有する検出装置を設けることで、携帯電話機7400の向き(縦か横か)を判断して、表
示部7402の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
02に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。ま
た、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源
を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
支柱7504、台7505、電源7506を含む。なお、卓上照明器具は、発光装置を照
明部7501に用いることにより作製される。なお、照明器具には天井固定型の照明器具
又は壁掛け型の照明器具なども含まれる。
も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。その他、ロール型の照
明装置812として用いることもできる。なお、図6に示すように、室内の照明装置81
1を備えた部屋で、図5(E)で説明した卓上照明器具813を併用してもよい。
置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
み合わせて用いることができる。
料は、ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格を有する複素環化合物と、該複素
環化合物に対して電子受容性を示す無機化合物とを含む。本実施例の構成例1〜9に用い
た複素環化合物、及び該複素環化合物のHOMO準位(光電子分光法での測定値)を表1
に示す。また、該複素環化合物の構造式を以下に示す。
2〜9は、構成例1と同様に作製したため、説明を省略する。
まず、ガラス基板を真空蒸着装置内の基板ホルダーに固定する。そして、4−[4−(9
−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)フェニル]−6−フェニルジベンゾチオフェ
ン(略称:DBTFLP−IV)と酸化モリブデン(VI)とをそれぞれ別の抵抗加熱式
の蒸発源に入れ、真空に引いた状態で、共蒸着法によりDBTFLP−IVと酸化モリブ
デンとを含む膜を形成した。この時、DBTFLP−IVと酸化モリブデン(VI)の比
率が質量比で4:2(=DBTFLP−IV:酸化モリブデン)、4:1、4:0.5と
なるようにそれぞれ共蒸着した。なお、膜厚は50nmとした。
収スペクトルを測定した結果を、図7に示す。また、比較のため、DBTFLP−IVの
みの膜(膜厚50nm)の吸収スペクトルも合わせて図示する。なお、構成例2〜9も、
それぞれの構成例で用いた複素環化合物のみの膜の吸収スペクトルを比較として示す。
3P−II)と酸化モリブデンの複合膜(構成例2)の吸収スペクトルを測定した結果を
図8に示す。なお、膜厚はすべて50nmとした。
:oDBTBP−II)と酸化モリブデンの複合膜(構成例3)の吸収スペクトルを測定
した結果を図9に示す。なお、oDBTBP−IIと酸化モリブデン(VI)の比率が質
量比で4:1(=oDBTBP−II:酸化モリブデン)の膜のみ、膜厚は47nmであ
った。そのほかの膜の膜厚は50nmとした。
フェニル]ジベンゾチオフェン(略称:DBTFLP−III)と酸化モリブデンの複合
膜(構成例4)の吸収スペクトルを測定した結果を図10に示す。なお、膜厚はすべて5
0nmとした。
mDBTPTp−II)と酸化モリブデンの複合膜(構成例5)の吸収スペクトルを測定
した結果を図11に示す。なお、膜厚はすべて50nmとした。
ール(略称:DBT2PC−II)と酸化モリブデンの複合膜(構成例6)の吸収スペク
トルを測定した結果を図12に示す。なお、膜厚はすべて50nmとした。
ェン(略称:2mDBTPPA−II)と酸化モリブデンの複合膜(構成例7)の吸収ス
ペクトルを測定した結果を図13に示す。なお、膜厚はすべて50nmとした。
(略称:2mDBFPPA−II)と酸化モリブデンの複合膜(構成例8)の吸収スペク
トルを測定した結果を図14に示す。なお、膜厚はすべて50nmとした。
フェン(略称:mDBTPA−II)と酸化モリブデンの複合膜(構成例9)の吸収スペ
クトルを測定した結果を図15に示す。なお、膜厚はすべて50nmとした。
著な吸収ピークがほとんど見られず、透光性の高い材料であることが分かった。構成例7
〜9は、アントラセン骨格を有する。本発明の一態様の複合材料は、アントラセン骨格、
テトラセン骨格、ペリレン骨格などを含む複素環化合物を用いると、厚膜化した際に、こ
れらの骨格に由来するわずかな吸収ピークが可視光領域に観測される。一方、構成例1〜
6は、波長が360nm以上の領域に顕著な吸収ピークが見られず、特に透光性の高い材
料であることが分かった。
上の領域)においても、顕著な吸収ピークがほとんど見られなかった。
ルは、該複素環化合物の吸収スペクトルとはほとんど同じ形状を有しており、酸化モリブ
デンの濃度が高い膜(具体的には、各構成例において、複素環化合物と酸化モリブデンの
比率が質量比で4:2の膜)においても、可視光領域から赤外領域までに顕著な吸収ピー
クがほとんど見られなかった。このことから、本発明の一態様の複合材料は、電荷移動相
互作用による光吸収が生じにくいことが示唆された。
実施例で用いた材料の構造式を以下に示す。
。
まず、ガラス基板1100上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパ
ッタリング法にて成膜し、陽極として機能する第1の電極1101を形成した。なお、そ
の膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
、200℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板1100を3
0分程度放冷した。
成された基板1100を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10−4P
a程度まで減圧した後、第1の電極1101上に、4−[4−(9−フェニル−9H−フ
ルオレン−9−イル)フェニル]−6−フェニルジベンゾチオフェン(略称:DBTFL
P−IV)と酸化モリブデン(VI)を共蒸着することで、正孔注入層1111を形成し
た。その膜厚は、50nmとし、DBTFLP−IVと酸化モリブデン(VI)の比率は
、質量比で4:2(=DBTFLP−IV:酸化モリブデン)となるように調節した。な
お、共蒸着法とは、一つの処理室内で、複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である
。
フェニル−9H−カルバゾール(略称:PCPPn)を10nmの膜厚となるように成膜
し、正孔輸送層1112を形成した。
称:CzPA)、及びN,N’−ビス〔4−(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イ
ル)フェニル〕−N,N’−ジフェニルピレン−1,6−ジアミン(略称:1,6FLP
APrn)を共蒸着し、正孔輸送層1112上に発光層1113を形成した。ここで、C
zPA、及び1,6FLPAPrnの質量比は、1:0.05(=CzPA:1,6FL
PAPrn)となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は30nmとした。
送層1114aを形成した。
膜厚15nmとなるように成膜し、第2の電子輸送層1114bを形成した。
蒸着し、電子注入層1115を形成した。
厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子1を作製した。
比較発光素子2の正孔注入層1111は、9−フェニル−3−[4−(10−フェニル−
9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:PCzPA)及び酸化モリブ
デン(VI)を共蒸着することで形成した。その膜厚は、50nmとし、PCzPAと酸
化モリブデン(VI)の比率は、質量比で4:2(=PCzPA:酸化モリブデン)とな
るように調節した。正孔注入層1111以外は、発光素子1と同様に作製した。
比較発光素子3の正孔注入層1111は、4−フェニル−4’−(9−フェニルフルオレ
ン−9−イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP)及び酸化モリブデン(VI)
を共蒸着することで形成した。その膜厚は、50nmとし、BPAFLPと酸化モリブデ
ン(VI)の比率は、質量比で4:2(=BPAFLP:酸化モリブデン)となるように
調節した。正孔注入層1111以外は、発光素子1と同様に作製した。
示す。
れないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行っ
た。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
の電極、正孔輸送層〜第2の電極、封止は、同時に形成及び操作を行っている。
7において、横軸は電圧(V)を、縦軸は輝度(cd/m2)を表す。また、輝度−電流
効率特性を図18に示す。図18において、横軸は輝度(cd/m2)を、縦軸は電流効
率(cd/A)を表す。また、各発光素子における輝度1000cd/m2のときの電圧
(V)、CIE色度座標(x、y)、電流効率(cd/A)、外部量子効率(%)を表3
に示す。
は(x,y)=(0.15,0.23)であり、比較発光素子2のCIE色度座標は(x
,y)=(0.15,0.22)であり、比較発光素子3のCIE色度座標は(x、y)
=(0.15,0.22)であった。これらの結果から、発光素子1、比較発光素子2及
び比較発光素子3は、1,6FLPAPrnに由来する青色発光が得られたことがわかっ
た。
輝度が得られ、比較発光素子2と同等の輝度が得られている。また、図18及び表3から
わかるように、発光素子1は、比較発光素子2及び比較発光素子3よりも高い電流効率、
外部量子効率を得られている。
験の結果を図19に示す。図19において、縦軸は初期輝度を100%とした時の規格化
輝度(%)を示し、横軸は素子の駆動時間(h)を示す。
の発光素子を駆動した。
、比較発光素子2の200時間後の輝度は、初期輝度の50%以下であった。また、比較
発光素子3の62時間後の輝度は、初期輝度の50%以下であった。
長寿命であることが明らかとなった。
で、高い発光効率の素子を実現できることが示された。また、本発明の一態様の複合材料
を、発光素子の正孔注入層として用いることで、駆動電圧の低い発光素子を提供できるこ
とが示された。また、本発明の一態様の複合材料を正孔注入層として用いることで、長寿
命な発光素子を作製できることが示された。
実施例で用いた材料の構造式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。
発光素子4の正孔注入層1111は、1,3,5−トリ(ジベンゾチオフェン−4−イル
)−ベンゼン(略称:DBT3P−II)及び酸化モリブデン(VI)を共蒸着すること
で形成した。その膜厚は、50nmとし、DBT3P−IIと酸化モリブデン(VI)の
比率は、質量比で4:2(=DBT3P−II:酸化モリブデン)となるように調節した
。正孔注入層1111以外は、実施例2に示した発光素子1と同様に作製した。
いように封止する作業を行った後、発光素子4の動作特性について測定を行った。なお、
測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
軸は輝度(cd/m2)を表す。また、輝度−電流効率特性を図21に示す。図21にお
いて、横軸は輝度(cd/m2)を、縦軸は電流効率(cd/A)を表す。また、発光素
子4における輝度1000cd/m2のときの電圧(V)、CIE色度座標(x、y)、
電流効率(cd/A)、外部量子効率(%)を表5に示す。
y)=(0.15,0.22)であった。この結果から、発光素子4は、1,6FLPA
Prnに由来する青色発光が得られたことがわかった。
また、発光素子4は、駆動電圧が低い発光素子であることがわかる。
いて、縦軸は初期輝度を100%とした時の規格化輝度(%)を示し、横軸は素子の駆動
時間(h)を示す。
の発光素子を駆動した。
実現できることが示された。また、本発明の一態様の複合材料を用いることで、駆動電圧
の低い発光素子を作製できることが示された。また、本発明の一態様の複合材料を用いる
ことで、長寿命の発光素子を提供できることが示された。
実施例で用いた材料の構造式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。
発光素子5の正孔注入層1111は、2,8−ジフェニル−4−[4−(9−フェニル−
9H−フルオレン−9−イル)フェニル]ジベンゾチオフェン(略称:DBTFLP−I
II)及び酸化モリブデン(VI)を共蒸着することで形成した。その膜厚は、50nm
とし、DBTFLP−IIIと酸化モリブデン(VI)の比率は、質量比で4:2(=D
BTFLP−III:酸化モリブデン)となるように調節した。正孔注入層1111以外
は、実施例2に示した発光素子1と同様に作製した。
いように封止する作業を行った後、発光素子5の動作特性について測定を行った。なお、
測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
軸は輝度(cd/m2)を表す。また、輝度−電流効率特性を図24に示す。図24にお
いて、横軸は輝度(cd/m2)を、縦軸は電流効率(cd/A)を表す。また、発光素
子5における輝度1000cd/m2のときの電圧(V)、CIE色度座標(x、y)、
電流効率(cd/A)、外部量子効率(%)を表7に示す。
y)=(0.15,0.23)であった。この結果から、発光素子5は、1,6FLPA
Prnに由来する青色発光が得られたことがわかった。
また、発光素子5は、駆動電圧が低い発光素子であることがわかる。
実現できることが示された。また、本発明の一態様の複合材料を用いることで、駆動電圧
の低い発光素子を作製できることが示された。
料は、ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格を有する複素環化合物と、該複素
環化合物に対して電子受容性を示す無機化合物とを含む。本実施例の構成例10〜14に
用いた複素環化合物、及び構成例10〜13に用いた複素環化合物のHOMO準位(光電
子分光法での測定値)を表8に示す。また、本実施例で用いた複素環化合物の構造式を以
下に示す。
例11〜14は、構成例10と同様に作製したため、説明を省略する。
まず、ガラス基板を真空蒸着装置内の基板ホルダーに固定する。そして、3−〔4−(ジ
ベンゾチオフェン−4−イル)−フェニル〕−9−フェニル−9H−カルバゾール(略称
:DBTPPC−II)と酸化モリブデン(VI)とをそれぞれ別の抵抗加熱式の蒸発源
に入れ、真空に引いた状態で、共蒸着法によりDBTPPC−IIと酸化モリブデンとを
含む膜を形成した。この時、DBTPPC−IIと酸化モリブデン(VI)の比率が質量
比で4:2(=DBTPPC−II:酸化モリブデン)、4:1、4:0.5となるよう
にそれぞれ共蒸着した。なお、膜厚は50nmとした。
吸収スペクトルを測定した結果を、図25に示す。また、比較のため、DBTPPC−I
Iのみの膜(膜厚50nm)の吸収スペクトルも合わせて図示する。なお、構成例11、
12、14も、それぞれの構成例で用いた複素環化合物のみの膜の吸収スペクトルを比較
として示す。
H−カルバゾール(略称:mDBTPPC−II)と酸化モリブデンの複合膜(構成例1
1)の吸収スペクトルを測定した結果を図26に示す。なお、膜厚はすべて50nmとし
た。
PPn−II)と酸化モリブデンの複合膜(構成例12)の吸収スペクトルを測定した結
果を図27に示す。なお、構成例12で示す複合膜は、DBTPPn−IIと酸化モリブ
デン(VI)の比率が質量比で4:2(=DBTPPn−II:酸化モリブデン)の膜の
みである。また、該複合膜、及びDBTPPn−IIのみの膜の膜厚は、どちらも50n
mとした。
−3,3’’’−イル}−ビスジベンゾチオフェン(略称:mZ−DBT2−II)と酸
化モリブデンの複合膜(構成例13)の吸収スペクトルを測定した結果を図28に示す。
なお、構成例13では、mZ−DBT2−IIと酸化モリブデンの比率が質量比で4:2
(=mZ−DBT2−II:酸化モリブデン)の膜のみを示す(膜厚50nm)。
ェニル}ジベンゾフラン(略称:mmDBFFLBi−II)と酸化モリブデンの複合膜
(構成例14)の吸収スペクトルを測定した結果を図29に示す。なお、膜厚はすべて5
0nmとした。
域に顕著な吸収ピークがほとんど見られず、透光性の高い材料であることが分かった。ま
た、構成例10〜14に示す本発明の一態様の複合材料は、赤外領域(波長が700nm
以上の領域)においても、顕著な吸収ピークがほとんど見られなかった。
ルは、該複素環化合物の吸収スペクトルとはほとんど同じ形状を有しており、酸化モリブ
デンの濃度が高い膜(具体的には、各構成例において、複素環化合物と酸化モリブデンの
比率が質量比で4:2の膜)においても、可視光領域から赤外領域までに顕著な吸収ピー
クがほとんど見られなかった。このことから、本発明の一態様の複合材料は、電荷移動相
互作用による光吸収が生じにくいことが示唆された。
実施例で用いた材料の構造式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。
まず、実施例2に示した発光素子1と同様に、ガラス基板1100上にITSOを成膜す
ることで、第1の電極1101を形成した。
成された基板1100を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10−4P
a程度まで減圧した後、第1の電極1101上に、4,4’−{(1,1’:2’,1’
’:2’’,1’’’)−クアテルフェニル−3,3’’’−イル}−ビスジベンゾチオ
フェン(略称:mZ−DBT2−II)と酸化モリブデン(VI)を共蒸着することで、
正孔注入層1111を形成した。その膜厚は、50nmとし、mZ−DBT2−IIと酸
化モリブデン(VI)の比率は、質量比で4:2(=mZ−DBT2−II:酸化モリブ
デン)となるように調節した。
ル−9H−カルバゾール(略称:PCPN)を10nmの膜厚となるように成膜し、正孔
輸送層1112を形成した。
(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)フェニル〕−ピレン−1,6−ジアミン
(略称:1,6mMemFLPAPrn)を共蒸着し、正孔輸送層1112上に発光層1
113を形成した。ここで、CzPA、及び1,6mMemFLPAPrnの質量比は、
1:0.04(=CzPA:1,6mMemFLPAPrn)となるように調節した。ま
た、発光層1113の膜厚は30nmとした。
送層1114aを形成した。
、第2の電子輸送層1114bを形成した。
1115を形成した。
厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子6を作製した。
ように封止する作業を行った後、発光素子6の動作特性について測定を行った。なお、測
定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
軸は輝度(cd/m2)を表す。また、輝度−電流効率特性を図31に示す。図31にお
いて、横軸は輝度(cd/m2)を、縦軸は電流効率(cd/A)を表す。また、発光素
子6における輝度1000cd/m2のときの電圧(V)、CIE色度座標(x、y)、
電流効率(cd/A)、外部量子効率(%)を表10に示す。
,y)=(0.14,0.16)であった。この結果から、発光素子6は、1,6mMe
mFLPAPrnに由来する青色発光が得られたことがわかった。
。また、発光素子6は、駆動電圧が低い発光素子であることがわかる。
いて、縦軸は初期輝度を100%とした時の規格化輝度(%)を示し、横軸は素子の駆動
時間(h)を示す。
6を駆動した。
で、高い発光効率の素子を実現できることが示された。また、本発明の一態様の複合材料
を、発光素子の正孔注入層として用いることで、駆動電圧の低い発光素子を提供できるこ
とが示された。また、本発明の一態様の複合材料を正孔注入層として用いることで、長寿
命な発光素子を作製できることが示された。
実施例で用いた材料の構造式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。
発光素子7の正孔注入層1111は、4−{3−[3−(9−フェニル−9H−フルオレ
ン−9−イル)フェニル]−フェニル}ジベンゾフラン(略称:mmDBFFLBi−I
I)及び酸化モリブデン(VI)を共蒸着することで形成した。その膜厚は、50nmと
し、mmDBFFLBi−IIと酸化モリブデン(VI)の比率は、質量比で4:2(=
mmDBFFLBi−II:酸化モリブデン)となるように調節した。
することで形成した。正孔注入層1111及び正孔輸送層1112以外は、実施例6に示
した発光素子6と同様に作製した。
ように封止する作業を行った後、発光素子7の動作特性について測定を行った。なお、測
定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
軸は輝度(cd/m2)を表す。また、輝度−電流効率特性を図34に示す。図34にお
いて、横軸は輝度(cd/m2)を、縦軸は電流効率(cd/A)を表す。また、発光素
子7における輝度1000cd/m2のときの電圧(V)、CIE色度座標(x、y)、
電流効率(cd/A)、外部量子効率(%)を表12に示す。
,y)=(0.14,0.16)であった。この結果から、発光素子7は、1,6mMe
mFLPAPrnに由来する青色発光が得られたことがわかった。
。また、発光素子7は、駆動電圧が低い発光素子であることがわかる。
で、高い発光効率の素子を実現できることが示された。また、本発明の一態様の複合材料
を、発光素子の正孔注入層として用いることで、駆動電圧の低い発光素子を提供できるこ
とが示された。
実施例で用いた材料は先の実施例で用いた材料であるため、化学式は省略する。
発光素子8の正孔注入層1111は、mmDBFFLBi−II及び酸化モリブデン(V
I)を共蒸着することで形成した。その膜厚は、50nmとし、mmDBFFLBi−I
Iと酸化モリブデン(VI)の比率は、質量比で4:2(=mmDBFFLBi−II:
酸化モリブデン)となるように調節した。
した。正孔注入層1111及び正孔輸送層1112以外は、実施例6に示した発光素子6
と同様に作製した。
ように封止する作業を行った後、発光素子8の動作特性について測定を行った。なお、測
定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
軸は輝度(cd/m2)を表す。また、輝度−電流効率特性を図36に示す。図36にお
いて、横軸は輝度(cd/m2)を、縦軸は電流効率(cd/A)を表す。また、発光素
子8における輝度1000cd/m2のときの電圧(V)、CIE色度座標(x、y)、
電流効率(cd/A)、外部量子効率(%)を表14に示す。
,y)=(0.14,0.18)であった。この結果から、発光素子8は、1,6mMe
mFLPAPrnに由来する青色発光が得られたことがわかった。
。また、発光素子8は、駆動電圧が低い発光素子であることがわかる。
で、高い発光効率の素子を実現できることが示された。また、本発明の一態様の複合材料
を、発光素子の正孔注入層として用いることで、駆動電圧の低い発光素子を提供できるこ
とが示された。
実施例で用いた材料の構造式を以下に示す。なお、先の実施例で用いた材料の構造式は省
略する。
まず、ガラス基板1100上に、ITSO膜をスパッタリング法にて成膜し、陽極として
機能する第1の電極1101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は
2mm×2mmとした。
00℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板1100を3
0分程度放冷した。
成された基板1100を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10−4P
a程度まで減圧した後、第1の電極1101上に、DBT3P−IIと酸化モリブデン(
VI)を共蒸着することで、第1の正孔注入層1111aを形成した。その膜厚は、50
nmとし、DBT3P−IIと酸化モリブデン(VI)の比率は、質量比で4:2(=D
BT3P−II:酸化モリブデン)となるように調節した。
、第1の正孔輸送層1112aを形成した。
上に第1の発光層1113aを形成した。ここで、CzPA、及び1,6FLPAPrn
の質量比は、1:0.05(=CzPA:1,6FLPAPrn)となるように調節した
。また、第1の発光層1113aの膜厚は30nmとした。
mとなるように成膜し、第1の電子輸送層1114aを形成した。
厚で蒸着し、第1の電子注入層1115aを形成した。
nmで蒸着し、電子リレー層1116を形成した。
することで、第2の正孔注入層1111bを形成した。その膜厚は50nmとし、DBT
3P−IIと酸化モリブデン(VI)の比率は、質量比で4:2(=DBT3P−II:
酸化モリブデン)となるように調節した。なお、本実施例の第2の正孔注入層1111b
は、先の実施の形態で説明した電荷発生層として機能する。
、第2の正孔輸送層1112bを形成した。
上に第2の発光層1113bを形成した。ここで、CzPA、及び1,6FLPAPrn
の質量比は、1:0.05(=CzPA:1,6FLPAPrn)となるように調節した
。また、第2の発光層1113bの膜厚は30nmとした。
mとなるように成膜し、第2の電子輸送層1114bを形成した。
注入層1115bを形成した。
厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子9を作製した。
比較発光素子10の第1の正孔注入層1111aは、PCzPA及び酸化モリブデン(V
I)を共蒸着することで形成した。その膜厚は、50nmとし、PCzPAと酸化モリブ
デン(VI)の比率は、質量比で4:2(=PCzPA:酸化モリブデン)となるように
調節した。
I)を共蒸着することで形成した。その膜厚は、60nmとし、PCzPAと酸化モリブ
デン(VI)の比率は、質量比で4:2(=PCzPA:酸化モリブデン)となるように
調節した。第1の正孔注入層1111a及び第2の正孔注入層1111b以外は、発光素
子9と同様に作製した。
光素子9は、表15における物質XがDBT3P−IIであり、膜厚Yが50nmである
。そして、比較発光素子10は、表15における物質XがPCzPAであり、膜厚Yが6
0nmである。
れないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行っ
た。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
の電極、第1の正孔輸送層〜電子リレー層、第2の正孔輸送層〜第2の電極、封止は、同
時に形成及び操作を行っている。
軸は電圧(V)を表し、縦軸は輝度(cd/m2)を表す。また、輝度−電流効率特性を
図38に示す。図38において、横軸は輝度(cd/m2)を、縦軸は電流効率(cd/
A)を表す。また、発光素子9及び比較発光素子10における輝度1000cd/m2の
ときの電圧(V)、CIE色度座標(x、y)、電流効率(cd/A)、パワー効率(l
m/W)、外部量子効率(%)を表16に示す。
CIE色度座標はどちらも(x,y)=(0.14,0.20)であった。
、パワー効率、外部量子効率を得られている。
て、吸収スペクトルを測定し、発光素子9に用いたDBT3P−IIと酸化モリブデンと
を含む複合材料(図8)と比較した。
た膜(質量比で4:2、4:1、4:0.5(=PCzPA:酸化モリブデン))の吸収
スペクトルを図39に示す。なお、図39において、横軸は波長(nm)を、縦軸は吸光
度(単位なし)を表す。
収ピークを有する。一方、実施例1で示した通り、DBT3P−IIと酸化モリブデンと
を含む複合材料は、可視光領域に顕著な吸収ピークがほとんど見られない(図8)。
化モリブデンとを含む複合材料に比べて可視光領域における透過性が高いため、発光素子
9は、比較発光素子10に比べて、高い電流効率が得られたと考えられる。
荷発生層に用いることで、高い発光効率の素子を実現できることが示された。また、本発
明の一態様の複合材料を、タンデム型の発光素子の正孔注入層、電荷発生層に用いること
で、駆動電圧の低い発光素子を提供できることが示された。また、本発明の一態様の複合
材料は、電荷移動相互作用による光吸収が観察されないにも関わらず、タンデム型の発光
素子の電荷発生層として極めて有効に機能することがわかった。
tron Spin Resonance)法を用いて評価した結果を説明する。本実施
例では、DBT3P−IIと酸化モリブデンとを含む本発明の一態様の複合材料と、4,
4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)
と酸化モリブデンとを含む従来の複合材料との比較を行う。NPBの構造式を以下に示す
。
まず、NPBと酸化モリブデンとを含む従来の複合材料に関して、吸収スペクトルを測定
し、DBT3P−IIと酸化モリブデンとを含む本発明の一態様の複合材料(図8)と比
較した。
(質量比で4:2、4:1、4:0.5(=NPB:酸化モリブデン)の吸収スペクトル
を図40に示す。なお、図40において、横軸は波長(nm)を、縦軸は吸光度(単位な
し)を表す。
近および1300nm付近に電荷移動相互作用に基づく大きな光吸収が生じてしまう(し
かも、酸化モリブデンの濃度を増やすとピーク強度が大きくなる)が、DBT3P−II
を用いるとその問題点が解消されることがわかる。なお、NPBのHOMO準位(光電子
分光法での測定値)は−5.4eVであり、DBT3P−IIのHOMO準位は−5.9
eVである。このことからも、NPBはDBT3P−IIに比べて電荷移動相互作用を起
こしやすい傾向にあることが示唆される。
実施例では、さらにESR測定による定性的かつ定量的な評価を行い、本発明の一態様の
複合材料と従来の複合材料との違いを考察した。以下にその内容を示す。
本実施例の試料1乃至6、及び比較試料1乃至13について説明する。
材料を含む複合膜である。比較試料1乃至13は、NPBと酸化モリブデンとの複合材料
を含む複合膜である。
ブデン(VI)を共蒸着させることで形成した。石英基板のサイズは、2.8mm×20
mm(比較試料1〜3は、3.0mm×20mm)とした。
置内に設けられたホルダーに固定した。そして、真空装置内を10−4Paに減圧した後
、有機化合物(DBT3P−II又はNPB)と、酸化モリブデン(VI)とを共蒸着す
ることにより、石英基板上に有機化合物(DBT3P−II又はNPB)及び酸化モリブ
デンとの複合材料を含む複合膜を形成した。上記複合膜の膜厚は、全ての試料において5
0nmとなるように調整した。
節した。表17に、各試料における有機化合物と酸化モリブデン(VI)の質量比及びモ
ル比を示す。なお、各試料は4つずつ(比較試料3は、8つ)用意し、ESR測定では4
つ(比較試料3は、8つ)を重ねて測定を行った。さらに、表17には、各試料のg値も
示す。
測定は、電子スピン共鳴測定装置 JES−FA200(日本電子製)を使用し、共振周
波数約9.4GHz、変調周波数100kHz、変調幅0.6mT、時定数0.1sec
、掃引時間4min、測定温度は室温、の条件で行った。そして、Mn2+第3及び第4
シグナルの位置により磁場補正を行った。測定により得られる電子スピン共鳴(ESR)
スペクトルの強度は、不対電子の数を反映しており、その強度を比較することにより有機
化合物と酸化モリブデンの間における電荷移動相互作用の生じやすさを間接的に把握する
ことができる。なお、ESRスペクトルのピークから算出されたg値は、2.001〜2
.006の範囲であり、自由電子のg値(2.0023)近傍の数値を示していた。
図41に、試料6及び比較試料11のESRスペクトルを示す。図41において、横軸は
磁場(単位:mT)を、縦軸は強度を表す。
の強度が極めて低い。該強度が低いほど、複合材料内において、電荷移動相互作用により
発生する不対電子の数が少ない。つまり、試料6は、比較試料11に比べて、複合材料内
において、電荷移動相互作用が生じにくいと言える。
を含む複合材料は、NPBと酸化モリブデンとを含む複合材料に比べて、電荷移動相互作
用が生じにくく、該電荷移動相互作用に基づく光吸収の発生を抑制することができると示
唆された。
料のESRスペクトルにおける正のピークの値(A)及び負のピークの値(B)の比の値
(A/B)との関係を示すグラフである。例として、図41では、比較試料11における
A及びBを示した。図42(A)(B)において、横軸は、各試料における有機化合物及
び酸化モリブデン(VI)のモル比(1:X(=有機化合物:酸化モリブデン))のXの
値を表し、縦軸は、各試料におけるA/Bの値を示す。
42(B)は、有機化合物としてNPBを用いた比較試料1乃至13について示している
。
あり、比較試料1乃至13の多くは、A/Bの値が、1.1〜1.2付近にあった。つま
り、本発明の一態様の複合材料である、DBT3P−IIと酸化モリブデンとを含む複合
材料は、ESRスペクトルの正のピークと負のピークの形状が対称的であるのに対し、N
PBと酸化モリブデンとを含む複合材料はその形状が非対称であると言える。
材料内において不対電子が局在化しており、非対称である場合は、不対電子があたかも半
導体のように非局在化していると考えられる。
1乃至13のg値は、2.001〜2.003であることがわかる。g値は不対電子近傍
の原子のスピン軌道相互作用の影響を受けるため、重原子が近傍にあれば大きな値を示す
。このことから、試料1乃至6において、不対電子は、DBT3P−IIにおける硫黄原
子(S)の影響を強く受けており、一方、比較試料1乃至13において、不対電子は、N
PBにおける窒素原子(N)や炭素原子(C)の影響を受けていると示唆される。
以上で得られたESRスペクトルの強度、ピークの対称性、及びg値から、以下のように
考察を行った。
用が生じやすいことを示している。また、比較試料1乃至13では、酸化モリブデンがN
PBから電子を奪うことにより、主として窒素原子に不対電子が生じ、該不対電子は窒素
原子や周辺の炭素原子に非局在化していると考えられる。なぜならば、g値が比較的小さ
く、また、ESRスペクトルの正のピークと負のピークの形状が非対称であるためである
。
いるため、そのホールも非局在化していることになる。したがって、窒素原子からベンゼ
ン環にかけて広がる共役系を、ホールが移動しやすくなっており、分子間を移動すること
も容易となっていると推察される(芳香族アミンが優れたホール輸送性を示す所以である
)。つまり、NPB上に生じたホールは、そのまま伝導に寄与するキャリアとなっている
と考えられる。
動相互作用によって発生するNPB上のホールが、そのままキャリア輸送性・キャリア注
入性に寄与していると示唆される。
、電荷移動相互作用がほとんど生じていないことを示している。また、試料1乃至6では
、極わずかにではあるが、酸化モリブデンがDBT3P−IIから電子を奪うことにより
硫黄原子上に不対電子が生じていると考えられるが、該不対電子は硫黄原子に局在化して
いると考えられる。なぜならば、g値が比較的大きく、またESRスペクトルの正のピー
クと負のピークが対称形状であるためである。
いるため、そのホールも局在化していることになる。したがって、硫黄原子上に生じたわ
ずかなホールも、硫黄原子上にとどまってしまい、伝導に寄与するキャリアにはなりにく
い。以上のことから、DBT3P−IIは電荷移動相互作用が生じにくく、また、仮にD
BT3P−II上にホールが生成したとしても、キャリアにはなりにくいことが示唆され
る。
送することができる。このことは、以下のように説明できる。つまり、試料1乃至6のよ
うな複合材料は、電圧を印加することで、酸化モリブデンがDBT3P−IIからさらに
電子を奪うことにより、今度は硫黄原子ではなく、炭素原子上に不対電子ができる(すな
わちホールができる)と考えられる。このホールは、炭素原子同士のπ結合により非局在
化し、ジベンゾチオフェン環(又はベンゼン環)に広がる共役系を移動すると考えられる
。よって、電荷移動相互作用が生じにくいにも関わらず、優れたキャリア輸送性・キャリ
ア注入性を発現することができると示唆される。実際に、先の実施例で示した通り、本発
明の一態様の複合材料を用いた発光素子は高い発光効率を示している。
電荷移動相互作用に基づく光吸収の発生を抑制することができると示唆された。また、電
荷移動相互作用が生じにくいにも関わらず、優れたキャリア注入性・輸送性を示す機構が
示唆された。
上記実施例で用いた4−[4−(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)フェニル
]−6−フェニルジベンゾチオフェン(略称:DBTFLP−IV)の合成方法について
説明する。DBTFLP−IVの構造を以下に示す。
ンを1.6g(4.0mmol)、4−フェニルジベンゾチオフェン−6−ボロン酸を1
.2g(4.0mmol)、酢酸パラジウム(II)を4.0mg(20μmol)、ト
リ(オルト−トリル)ホスフィンを12mg(40μmol)、トルエン30mL、エタ
ノール3mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液3mLを加えた。この混合物を、減圧下
で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、90℃で6時間加熱撹拌し、反応させた。
和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135)、アルミナ(メルク、中性
)、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)の順で濾過
して濾液を得た。得られた濾物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒 トル
エン:ヘキサン=1:3)による精製を行った。得られたフラクションを濃縮し、アセト
ンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶化したところ、目的物の白色粉末を
収量1.6g、収率73%で得た。また、上記合成法の反応スキームを下記(A−1)に
示す。
サン=1:10)は、目的物では0.40、9−(4−ブロモフェニル)−9−フェニル
−9H−フルオレンでは0.48だった。
ことを確認した。
1H NMR(CDCl3,300MHz):7.16−7.59(m,22H),7
.69−7.71(m,2H),7.79(d,J=7.5Hz,2H),8.14−8
.18(m,2H)。
上記実施例で用いた4,4’−(ビフェニル−2,2’−ジイル)−ビス−ジベンゾチオ
フェン(略称:oDBTBP−II)の合成方法について説明する。oDBTBP−II
の構造を以下に示す。
、ジベンゾチオフェン−4−ボロン酸を3.2g(11mmol)、酢酸パラジウム(I
I)を44mg(0.2mmol)、トリ(オルト−トリル)ホスフィンを120mg(
0.4mmol)、トルエン30mL、エタノール3mL、2mol/L炭酸カリウム水
溶液20mLを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下
、90℃で10時間加熱撹拌し、反応させた。
セライトの順で濾過して濾液を得た。得られた濾物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(展開溶媒 トルエン:ヘキサン=1:3)による精製を行った。得られたフラクショ
ンを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶化したところ、
目的物であるoDBTBP−IIの白色粉末を収量1.8g、収率69%で得た。また、
上記合成法の反応スキームを下記(B−1)に示す。
サン=1:10)は、oDBTBP−IIでは0.56、2,2’−ジブロモビフェニル
では0.77だった。
上記実施例で用いた2,8−ジフェニル−4−[4−(9−フェニル−9H−フルオレン
−9−イル)フェニル]ジベンゾチオフェン(略称:DBTFLP−III)の合成方法
について説明する。DBTFLP−IIIの構造を以下に示す。
ンを1.6g(4.0mmol)、2,8−ジフェニルジベンゾチオフェン−4−ボロン
酸を1.7g(4.4mmol)、酢酸パラジウム(II)を11mg(0.1mmol
)、トリ(オルト−トリル)ホスフィンを30mg(0.1mmol)、トルエン30m
L、エタノール3mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液5mLを加えた。この混合物を
、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、90℃で6.5時間加熱撹拌し、反
応させた。
アルミナ、セライトの順で濾過して濾液を得た。得られた濾物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー(展開溶媒 トルエン:ヘキサン=1:3)による精製を行った。得られた
フラクションを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶化し
たところ、目的物の白色粉末を収量2.3g、収率90%で得た。また、上記合成法の反
応スキームを下記(C−1)に示す。
サン=1:10)は、目的物では0.33、9−(4−ブロモフェニル)−9−フェニル
−9H−フルオレンでは0.60だった。
ることを確認した。
1H NMR(CDCl3,300MHz):7.23−7.52(m,20H),7
.65−7.76(m,8H),7.81(d,J=6.9Hz,1H),7.88(d
,J=8.1Hz,1H),8.40(dd,J=11.7Hz,1.5Hz,2H)。
上記実施例で用いた3,6−ジ−(ジベンゾチオフェン−4−イル)−9−フェニル−9
H−カルバゾール(略称:DBT2PC−II)の合成方法について説明する。DBT2
PC−IIの構造を以下に示す。
0g(5.0mmol)、ジベンゾチオフェン−4−ボロン酸を3.2g(11mmol
)、酢酸パラジウム(II)を10mg(0.1mmol)、トリ(オルト−トリル)ホ
スフィンを30mg(0.1mmol)、トルエン50mL、エタノール5mL及び2m
ol/L炭酸カリウム水溶液7.5mLを加え、この混合物を減圧下で攪拌しながら脱気
した後、窒素雰囲気下、90℃で6時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合
液を室温まで冷ました後、水、エタノール、トルエン、ヘキサンの順で洗浄しながら、濾
過して濾物を得た。得られた濾物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒 ト
ルエン:ヘキサン=1:3)によって精製を行った。これにより得られたフラクションを
濃縮し、アセトンとエタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶化したところ、白色
粉末を収量1.4g、収率47%で得た。また、上記合成法の反応スキームを下記(D−
1)に示す。
1H NMR(CDCl3,300MHz):δ(ppm)=7.44−7.70(m、
15H)、7.82−7.86(m、4H)、8.15−8.22(m、4H)、8.5
7(d、J=1.5Hz、2H)
上記実施例で用いた4−[3−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)フェニル]ジ
ベンゾチオフェン(略称:2mDBTPPA−II)の合成方法について説明する。2m
DBTPPA−IIの構造を以下に示す。
関し以下において詳述する。
ベンゾチオフェン−4−イル)フェニルボロン酸1.2g(4.0mmol)、トリ(オ
ルト−トリル)ホスフィン0.30g(1.0mmol)を、100mL三口フラスコに
入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、トルエン25mL、エタノール5.0
mL、2.0mol/L炭酸カリウム水溶液5.0mLを加えた。この混合物を減圧しな
がら攪拌することで脱気した。
、80℃で5時間攪拌した。攪拌後、この混合物の水層をトルエンで抽出し、抽出溶液と
有機層を合わせて、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、乾
燥後この混合物を自然濾過した。得られた濾液を濃縮して、油状物を得た。得られた油状
物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。クロマトグラフィーは、ヘ
キサン:トルエン=5:1の混合溶媒を展開溶媒として用いて行った。得られた固体をト
ルエンとヘキサンの混合溶媒により再結晶化したところ、目的物の黄色粉末を1.6g、
収率70%で得た。
華精製条件は、圧力3.0Pa、アルゴンガスを流量4.0mL/minで流しながら、
290℃で黄色粉末状固体を加熱した。昇華精製後、目的物の黄色固体を1.4g、収率
87%で得た。
フェニル−2−アントリル)フェニル]ジベンゾチオフェン(略称:2mDBTPPA−
II)であることを確認した。
1H NMR(CDCl3,300MHz):δ=7.33(q,J1=3.3Hz,2
H),7.46−7.73(m,20H),7.80−7.87(m,2H),7.99
(st,J1=1.8Hz,1H),8.03(sd,J1=1.5Hz,1H),8.
14−8.20(m,2H)
上記実施例で用いた4−[3−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)フェニル]ジ
ベンゾフラン(略称:2mDBFPPA−II)の合成方法について説明する。2mDB
FPPA−IIの構造を以下に示す。
関し以下において詳述する。
ベンゾフラン−4−イル)フェニルボロン酸0.87g(3.0mmol)、トリ(オル
ト−トリル)ホスフィン0.23g(0.75mmol)を、100mL三口フラスコに
入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、トルエン15mL、エタノール5.0
mL、2.0mol/L炭酸カリウム水溶液3.0mLを加えた。この混合物を減圧しな
がら攪拌することで脱気した。
、80℃で4時間攪拌した。攪拌後、この混合物の水層を酢酸エチルで抽出し、抽出溶液
と有機層を合わせて、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、
乾燥後この混合物を自然濾過した。得られた濾液を濃縮して得た固体をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製した。クロマトグラフィーは、ヘキサン:トルエン=5:
1の混合溶媒を展開溶媒に用いて行った。得られた固体をトルエンとヘキサンの混合溶媒
により再結晶化したところ、目的物の黄色粉末を1.4g、収率79%で得た。
華精製条件は、圧力3.0Pa、アルゴンガスを流量4.0mL/minで流しながら、
270℃で黄色粉末状固体を加熱した。昇華精製後、目的物の黄色固体を1.1g、収率
81%で得た。
フェニル−2−アントリル)フェニル]ジベンゾフラン(略称:2mDBFPPA−II
)であることを確認した。
1H NMR(CDCl3,300MHz):δ=7.31−7.67(m,19H),
7.69−7.73(m,3H),7.80−7.86(m,2H),7.95(dd,
J1=0.90Hz,J2=1.8Hz,1H),7.98−8.01(m,2H),8
.07(s,1H)
上記実施例で用いた4−フェニル−4’−(9−フェニルフルオレン−9−イル)トリフ
ェニルアミン(略称:BPAFLP)の合成方法について具体的に説明する。BPAFL
Pの構造を以下に示す。
100mL三口フラスコにて、マグネシウムを1.2g(50mmol)減圧下で30分
加熱撹拌し、マグネシウムを活性化させた。これを室温にまで冷まして窒素雰囲気にした
後、ジブロモエタン数滴を加えて発泡、発熱するのを確認した。ここにジエチルエーテル
10mL中に溶かした2−ブロモビフェニルを12g(50mmol)ゆっくり滴下した
後、2.5時間加熱還流撹拌してグリニヤール試薬とした。
を500mL三口フラスコに入れた。ここに先に合成したグリニヤール試薬をゆっくり滴
下した後、9時間加熱還流撹拌した。
し、ここに1N−塩酸を酸性になるまで加えて2時間撹拌した。この液体の有機層の部分
を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を取り除いた。この懸濁液を濾過し、得ら
れた濾液を濃縮し粘性の高い物質を得た。
とを入れ、窒素雰囲気下、130℃で1.5時間加熱撹拌し、反応させた。
溶液、水、メタノールの順で洗浄したのち乾燥させ、目的物の白色粉末を収量11g、収
率69%で得た。また、上記合成法の反応スキームを下記(G−1)に示す。
ルアミン(略称:BPAFLP)の合成法>
100mL三口フラスコへ、9−(4−ブロモフェニル)−9−フェニルフルオレンを3
.2g(8.0mmol)、4−フェニル−ジフェニルアミンを2.0g(8.0mmo
l)、ナトリウム tert−ブトキシドを1.0g(10mmol)、ビス(ジベンジ
リデンアセトン)パラジウム(0)を23mg(0.04mmol)加え、フラスコ内の
雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、脱水キシレン20mLを加えた。この混合物を、
減圧下で攪拌しながら脱気した後、トリ(tert−ブチル)ホスフィン(10wt%ヘ
キサン溶液)0.2mL(0.1mmol)を加えた。この混合物を、窒素雰囲気下、1
10℃で2時間加熱撹拌し、反応させた。
イトを通して濾過した。得られた濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(
展開溶媒 トルエン:ヘキサン=1:4)による精製を行った。得られたフラクションを
濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶化したところ、目的
物の白色粉末を収量4.1g、収率92%で得た。また、上記合成法の反応スキームを下
記(G−2)に示す。
サン=1:10)は、目的物は0.41、9−(4−ブロモフェニル)−9−フェニルフ
ルオレンは0.51、4−フェニル−ジフェニルアミンは0.27だった。
データを示す。測定結果から、フルオレン誘導体であるBPAFLP(略称)が得られた
ことがわかった。
3H)、7.06−7.11(m、6H)、7.19−7.45(m、18H)、7.5
3−7.55(m、2H)、7.75(d、J=6.9Hz、2H)。
上記実施例で用いたN,N’−ビス〔4−(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル
)フェニル〕−N,N’−ジフェニルピレン−1,6−ジアミン(略称:1,6FLPA
Prn)の合成方法について具体的に説明する。1,6FLPAPrnの構造を以下に示
す。
オレン−9−イル)ジフェニルアミン(略称:FLPA)6.8g(17mmol)を3
00mLの三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ、100mL
のトルエンと、トリ(tert−ブチル)ホスフィンの10wt%ヘキサン溶液0.10
mLと、ナトリウム tert−ブトキシド2.4g(25mmol)を加えた。この混
合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した。この混合物を80℃で加熱して原料が溶けるの
を確認してから、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)48mg(0.08
3mmol)を加えた。この混合物を、80℃で1.5時間攪拌した。攪拌後、析出した
黄色固体を、混合物を冷まさずに吸引濾過により回収した。得られた固体を3Lのトルエ
ンに懸濁し、110℃で加熱した。この懸濁液を110℃のままアルミナ、セライト、フ
ロリジールを通して吸引濾過し、さらに110℃に熱した200mLのトルエンを流した
。得られた濾液を約300mLまで濃縮して再結晶化したところ、目的物を5.7g、収
率67%で得た。
製条件は、圧力5.0Pa、アルゴンガスを流量5.0mL/minで流しながら、35
3℃で加熱した。昇華精製後、目的物の黄色固体2.54g、収率71%で得た。上記合
成例の合成スキームを下記(H−1)に示す。
目的物であるN,N’−ビス〔4−(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)フェ
ニル〕−N,N’−ジフェニルピレン−1,6−ジアミン(略称:1,6FLPAPrn
)であることを確認した。
1H NMR(CDCl3,300MHz):δ=6.88−6.91(m,6H),7
.00−7.03(m,8H),7.13−7.40(m,26H),7.73−7.8
0(m,6H),7.87(d,J=9.0Hz,2H),8.06−8.09(m,4
H)
上記実施例で用いた3−[4−(9−フェナントリル)−フェニル]−9−フェニル−9
H−カルバゾール(略称:PCPPn)の合成方法について具体的に説明する。PCPP
nの構造を以下に示す。
の合成法>
300mL三口フラスコに、3−(4−ブロモフェニル)−9−フェニル−9H−カルバ
ゾールを8.0g(20mmol)入れ、フラスコ内の雰囲気を窒素置換したのち、脱水
テトラヒドロフラン(略称:THF)100mLを加えて−78℃にした。この混合液に
1.65mol/Lのn−ブチルリチウムヘキサン溶液15mL(24mmol)を滴下
し、2時間撹拌した。この混合物にホウ酸トリメチル3.4mL(30mmol)を加え
、−78℃で2時間、室温で18時間撹拌した。反応後、この反応溶液に1M希塩酸を酸
性になるまで加えて7時間撹拌した。これを酢酸エチルで抽出し、得られた有機層を飽和
食塩水で洗浄した。洗浄後、有機層に硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この
懸濁液を濾過し、得られた濾液を濃縮し、ヘキサンを加え超音波をかけたのち、再結晶し
たところ、目的の白色粉末を収量6.4g、収率88%で得た。上記ステップ1の反応ス
キームを下記(I−1)に示す。
サン=1:10)は、目的物は0(原点)であり、3−(4−ブロモフェニル)−9−フ
ェニル−9H−カルバゾールは0.53だった。また、展開溶媒に酢酸エチルを用いたシ
リカゲル薄層クロマトグラフィー(TLC)でのRf値は、目的物は0.72で、3−(
4−ブロモフェニル)−9−フェニル−9H−カルバゾールは0.93だった。
カルバゾール(略称:PCPPn)の合成法>
200mL三口フラスコへ9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル−フェニル−4
−ボロン酸を1.5g(5.0mmol)、9−ブロモフェナントレンを3.2g(11
mmol)、酢酸パラジウム(II)を11mg(0.1mmol)、トリ(オルト−ト
リル)ホスフィンを30mg(0.1mmol)、トルエン30mL、エタノール3mL
、2mol/L炭酸カリウム水溶液5mLの混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後
、窒素雰囲気下、90℃で6時間加熱撹拌し、反応させた。
ル、アルミナ、セライトを通して濾過した。得られた濾液を水で洗浄し、硫酸マグネシウ
ムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液を濾過して濾液を得た。得られた濾液を濃縮し
、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。このとき、クロマトグラフ
ィーの展開溶媒として、トルエンとヘキサンの混合溶媒(トルエン:ヘキサン=1:4)
を用いた。得られたフラクションを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけ
たのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量2.2g、収率75%で得た。ステ
ップ2の反応スキームを下記(I−2)に示す。
サン=1:10)は、目的物は0.33、9−ブロモフェナントレンは0.70だった。
す。
1H NMR(CDCl3,300MHz):δ(ppm)=7.30−7.35(m,
11H),7.43−7.78(m,16H),7.86−7.93(m,3H),8.
01(dd,J=0.9Hz,7.8Hz,1H),8.23(d,J=7.8Hz,1
H),8.47(d,J=1.5Hz,1H),8.74(d,J=8.1Hz,1H)
,8.80(d,J=7.8Hz,1H)。
上記実施例で用いた3−〔4−(ジベンゾチオフェン−4−イル)−フェニル〕−9−フ
ェニル−9H−カルバゾール(略称:DBTPPC−II)の合成方法について具体的に
説明する。DBTPPC−IIの構造を以下に示す。
バゾール2.4g(6.0mmol)、ジベンゾチオフェン−4−ボロン酸1.7g(6
.0mmol)、酢酸パラジウム(II)13mg(0.1mmol)、トリ(オルト−
トリル)ホスフィン36mg(0.1mmol)、トルエン20mL、エタノール3mL
、2mol/L炭酸カリウム水溶液5mLの混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後
、窒素雰囲気下、90℃で4時間加熱しながら撹拌し、反応させた。
ル(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135)、アルミナ(メルク、
中性)、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)を通し
て濾過した。得られた濾液を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させ
た。この懸濁液を濾過して濾液を得た。得られた濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマ
トグラフィーによる精製を行った。クロマトグラフィーの展開溶媒としては、トルエンと
ヘキサンの混合溶媒(トルエン:ヘキサン=1:4)を用いた。得られたフラクションを
濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、白色粉
末を収量2.3g、収率77%で得た。また、上記合成法の反応スキームを下記(J−1
)に示す。
サン=1:10)は、上記反応で得られた白色粉末は0.40、3−(4−ブロモフェニ
ル)−9−フェニル−9H−カルバゾールは0.60だった。
タを示す。測定結果から、上記反応で得られた白色粉末が目的物であるDBTPPC−I
Iであることを確認した。
1H),7.44−7.52(m,6H),7.55−7.67(m,6H),7.75
(dd,J=8.7Hz,1.5Hz,1H),7.85−7.88(m,5H),8.
16−8.24(m,3H),8.46(d,J=1.5Hz,1H)。
上記実施例で用いた3−〔3−(ジベンゾチオフェン−4−イル)−フェニル〕−9−フ
ェニル−9H−カルバゾール(略称:mDBTPPC−II)の合成方法について具体的
に説明する。mDBTPPC−IIの構造を以下に示す。
ゾール2.4g(6.0mmol)、ジベンゾチオフェン−4−ボロン酸1.7g(6.
0mmol)、酢酸パラジウム(II)13mg(0.1mmol)、トリ(オルト−ト
リル)ホスフィン36mg(0.1mmol)、トルエン20mL、エタノール3mL、
2mol/L炭酸カリウム水溶液5mLの混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、
窒素雰囲気下、90℃で6時間加熱しながら撹拌し、反応させた。
ル(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135)、アルミナ(メルク、
中性)、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)を通し
て濾過した。得られた濾液を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させ
た。この懸濁液を濾過して濾液を得た。得られた濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマ
トグラフィーによる精製を行った。クロマトグラフィーの展開溶媒は、トルエンとヘキサ
ンの混合溶媒(トルエン:ヘキサン=1:4)を用いた。得られたフラクションを濃縮し
、アセトンとヘキサンを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、白色粉末を収量
2.6g、収率87%で得た。また、上記合成法の反応スキームを下記(K−1)に示す
。
サン=1:10)は、上記反応で得られた白色粉末は0.38、3−(3−ブロモフェニ
ル)−9−フェニル−9H−カルバゾールは0.54だった。
タを示す。測定結果から、上記反応で得られた白色粉末はmDBTPPC−IIがである
ことを確認した。
1H),7.41−7.51(m,6H),7.58−7.65(m,7H),7.70
−7.86(m,4H),8.12(t,J=1.5Hz,1H),8.17−8.22
(m,3H),8.44(d,J=1.8Hz,1H)。
上記実施例で用いた4−[4−(9−フェナントリル)フェニル]ジベンゾチオフェン(
略称:DBTPPn−II)の合成方法について具体的に説明する。DBTPPn−II
の構造を以下に示す。
(3.5mmol)のジベンゾチオフェン−4−ボロン酸と、53mg(0.2mmol
)のトリ(オルト−トリル)ホスフィンを50mLの三口フラスコに入れ、フラスコ内を
窒素置換した。この混合物に3.5mLの2.0M炭酸カリウム水溶液と、13mLのト
ルエンと、4.0mLのエタノールを加え、減圧下で攪拌することにより脱気した。この
混合物に8.0mg(36μmol)の酢酸パラジウム(II)を加え、窒素気流下、8
0℃で7時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物の水層から有機物をトルエンで
抽出した。
。この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して油状物を得た。この油状物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。カラムクロマトグラフィーはヘキサン
:トルエン=20:1を展開溶媒として用いることにより行った。得られたフラクション
を濃縮して油状物を得た。この油状物をトルエンとヘキサンの混合溶媒で再結晶したとこ
ろ、目的物である白色粉末を収量0.8g、収率53%で得た。
は、圧力2.4Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、白色粉末を240℃で加熱
して行った。昇華精製後、白色粉末を収量0.7g、収率88%で得た。上述の合成スキ
ームを下記(L−1)に示す。
トリル)フェニル]ジベンゾチオフェン(略称:DBTPPn−II)であることを確認
した。
1H NMR(CDCl3,300MHz):δ(ppm)=7.46−7.53(m,
2H),7.58−7.73(m,8H),7.80(s,1H),7.87−7.96
(m,4H),8.07(d,J=8.1Hz,1H),8.18−8.24(m,2H
),8.76(d,J=8.1Hz,1H),8.82(d,J=7.8Hz,1H)。
上記実施例で用いた4,4’−{(1,1’:2’,1’’:2’’,1’’’)−クア
テルフェニル−3,3’’’−イル}−ビスジベンゾチオフェン(略称:mZ−DBT2
−II)の合成方法について説明する。
)、3−(ジベンゾチオフェン−4−イル)−フェニルボロン酸2.1g(6.7mmo
l)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)47mg(40μmol
)、トルエン20mL、エタノール2mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液7mLの混
合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、85℃で6時間加熱撹拌し、
その後、100℃で6時間加熱撹拌し、反応させた。さらに、テトラキス(トリフェニル
ホスフィン)パラジウム(0)47mg(40μmol)を混合物に加え、窒素雰囲気下
、100℃で2時間加熱撹拌し、反応させた。
ル(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135)、アルミナ(メルク、
中性)、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)を通し
て濾過した。得られた濾液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。
この懸濁液を濾過して濾液を得た。得られた濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーによる精製を行った。このとき、クロマトグラフィーの展開溶媒として、トルエ
ンとヘキサンの混合溶媒(トルエン:ヘキサン=1:5)を用いた。得られたフラクショ
ンを濃縮し、ヘキサンを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉
末を収量2.2g、収率51%で得た。また、上記合成法の反応スキームを下記(M−1
)に示す。
サン=1:10)は、目的物は0.25だった。
ることを確認した。
1H NMR(CDCl3,300MHz):δ(ppm)=6.73(td,J=0
.98Hz,1.95Hz,7.4Hz,2H)、7.01−7.06(m,4H)7.
34−7.39(m,4H)、7.41−7.47(m,11H)、7.53−7.59
(m,3H)7.69−7.72(m,2H)7.98(dd,J=1.5Hz,6.8
Hz,2H)、8.08−8.11(m,2H)。
上記実施例で用いた4−{3−[3−(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)フ
ェニル]フェニル}ジベンゾフラン(略称:mmDBFFLBi−II)の合成方法につ
いて説明する。
.5g(8.9mmol)、3−(ジベンゾフラン−4−イル)フェニルボロン酸2.8
g(9.8mmol)、酢酸パラジウム(II)22mg(0.1mmol)、トリ(オ
ルト−トリル)ホスフィン89.5mg(0.3mmol)、トルエン38ml、エタノ
ール3.8ml、2mol/L炭酸カリウム水溶液12.7mlの混合物を、減圧下で撹
拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、80℃で15.5時間加熱撹拌し、反応させた。
メルク、中性)、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855
)を通して濾過した。得られた濾液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着
させた。この懸濁液をろ過して濾液を得た。得られた濾液を濃縮し、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーによる精製を行った。このとき、クロマトグラフィーの展開溶媒として
、トルエンとヘキサンの混合溶媒(トルエン:ヘキサン=2:5)を用いた。得られたフ
ラクションを濃縮し、メタノールを加えて超音波をかけた後、再結晶をしたところ、目的
物の白色粉末を収量3.0g、収率60%で得た。また、上記合成法の反応スキームを下
記(N−1)に示す。
サン=1:10)は、目的物は0.33であった。
であることを確認した。
1H NMR(CDCl3、300MHz):δ(ppm)=7.18−7.60(m
,22H)、7.78(d,J=6.4Hz,2H)、7.85(td,J=1.5Hz
,7.3Hz,1H)、7.96(dd,J=1.47Hz,7.81Hz,1H)、7
.99−8.00(m,2H)。
上記実施例で用いた3−[4−(1−ナフチル)−フェニル]−9−フェニル−9H−カ
ルバゾール(略称:PCPN)を製造する合成例を示す。
(15.5mmol)、4−(1−ナフチル)フェニルボロン酸4.2g(17.1mm
ol)、酢酸パラジウム(II)38.4mg(0.2mmol)、トリ(オルト−トリ
ル)ホスフィン104mg(0.3mmol)、トルエン50mL、エタノール5mL、
2mol/L炭酸カリウム水溶液30mLの混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後
、窒素雰囲気下、85℃で9時間加熱撹拌し、反応させた。
ル(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135)、アルミナ、セライト
(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)を通して濾過した。得ら
れた濾液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液を濾過
して濾液を得た。得られた濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精
製を行った。このとき、クロマトグラフィーの展開溶媒として、トルエンとヘキサンの混
合溶媒(トルエン:ヘキサン=1:4)を用いた。得られたフラクションを濃縮し、メタ
ノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶化したところ、目的物の白色粉末を収量6.
24g、収率90%で得た。
−ナフチル)−フェニル]−9−フェニル−9H−カルバゾール(略称:PCPN)であ
ることを確認した。
1H NMR(CDCl3,300MHz):δ(ppm)=7.30−7.35(m
,1H),7.44−7.67(m,14H),7.76(dd,J=8.7Hz,1.
8Hz,1H),7.84−7.95(m,4H),8.04(d,J=7.8,1H)
,8.23(d,J=7.8,1H),8.46(d,J=1.5,1H)。
101 第1の電極
102 EL層
108 第2の電極
401 ソース側駆動回路
402 画素部
403 ゲート側駆動回路
404 封止基板
405 シール材
407 空間
408 配線
409 FPC(フレキシブルプリントサーキット)
410 素子基板
411 スイッチング用TFT
412 電流制御用TFT
413 第1の電極
414 絶縁物
416 EL層
417 第2の電極
418 発光素子
423 nチャネル型TFT
424 pチャネル型TFT
501 基板
502 第1の電極
503 第2の電極
504 EL層
505 絶縁層
506 隔壁層
701 正孔注入層
702 正孔輸送層
703 発光層
704 電子輸送層
705 電子注入層
706 電子注入バッファー層
707 電子リレー層
708 複合材料層
800 EL層
801 EL層
802 EL層
803 電荷発生層
811 照明装置
812 照明装置
813 卓上照明器具
1100 基板
1101 第1の電極
1103 第2の電極
1111 正孔注入層
1111a 第1の正孔注入層
1111b 第2の正孔注入層
1112 正孔輸送層
1112a 第1の正孔輸送層
1112b 第2の正孔輸送層
1113 発光層
1113a 第1の発光層
1113b 第2の発光層
1114a 第1の電子輸送層
1114b 第2の電子輸送層
1115 電子注入層
1115a 第1の電子注入層
1115b 第2の電子注入層
1116 電子リレー層
7100 テレビジョン装置
7101 筐体
7103 表示部
7105 スタンド
7107 表示部
7109 操作キー
7110 リモコン操作機
7201 本体
7202 筐体
7203 表示部
7204 キーボード
7205 外部接続ポート
7206 ポインティングデバイス
7301 筐体
7302 筐体
7303 連結部
7304 表示部
7305 表示部
7306 スピーカ部
7307 記録媒体挿入部
7308 LEDランプ
7309 操作キー
7310 接続端子
7311 センサ
7312 マイクロフォン
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
7501 照明部
7502 傘
7503 可変アーム
7504 支柱
7505 台
7506 電源
Claims (16)
- ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格を有する複素環化合物と、モリブデン酸化物とを含む複合材料。
- ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格の4位に炭素数6以上70以下の置換基が結合した複素環化合物と、モリブデン酸化物とを含む複合材料。
- ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格の4位にフェニル基が結合し、前記フェニル基が1以上の置換基を有し、前記フェニル基及び前記1以上の置換基の炭素数の総和が12以上70以下である複素環化合物と、モリブデン酸化物とを含む複合材料。
- 請求項2又は請求項3において、
前記置換基が有する環は、それぞれ独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環から選ばれる一種又は複数種である複合材料。 - 式(G1)で表される複素環化合物と、モリブデン酸化物とを含む複合材料。
(式中、Aは酸素又は硫黄を表し、R1〜R7は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜4のアルキル基、又は環を構成する炭素数が6〜25のアリール基を表し、R8〜R12は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表す。ただし、R8〜R12のうち、少なくとも1つは、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表す。) - 式(G1)で表される複素環化合物と、モリブデン酸化物とを含む複合材料。
(式中、Aは酸素又は硫黄を表し、R1〜R7は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜4のアルキル基、又は環を構成する炭素数が6〜25のアリール基を表し、R8〜R12は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表す。ただし、R8〜R12のうち、少なくとも1つは、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表す。) - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記複素環化合物と、前記モリブデン酸化物とは、混合されている複合材料。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
前記複素環化合物の最高被占有軌道準位は、光電子分光法での測定値が−5.7eV以下である複合材料。 - 一対の電極間に、請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の複合材料を含む層を有する発光素子。
- 請求項9において、
前記複合材料を含む層が、前記一対の電極のうち陽極として機能する電極と接する発光素子。 - 請求項9において、
前記複合材料を含む層が、前記一対の電極のうち陰極として機能する電極と接する発光素子。 - 請求項9において、
前記複合材料を含む層を2層有し、一方の層は、前記一対の電極のうち陽極として機能する電極と接し、他方の層は、前記一対の電極のうち陰極として機能する電極と接する発光素子。 - 一対の電極間に発光物質を含む層を複数有し、
複数の前記発光物質を含む層の間に、請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の複合材料を含む層を有する発光素子。 - 請求項9乃至請求項13のいずれか一項に記載の発光素子を有する発光装置。
- 請求項14に記載の発光装置を表示部に有する電子機器。
- 請求項14に記載の発光装置を発光部に有する照明装置。
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JP2011122827 | 2011-05-31 | ||
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