JP2015109316A - 積層膜及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の1つの積層膜は、CVD法又はPVD法によって第1層20の一部を覆うように形成されたアモルファスカーボン層及びダイヤモンドライクカーボン層の群から選択される少なくとも1種の第2層30を備えている。また、この積層膜においては、第2層30と前述の一部と異なる領域の第1層20とが、フッ化水素の蒸気に曝露されたときに、その一部と異なる領域の第1層20のエッチング速度が、その一部の第1層20のエッチング速度よりも800倍以上速い。
【選択図】図3
Description
図1は、本実施形態の積層膜の製造装置100の構成を示す一部断面図である。本図面は概略図であるため、公知のガス供給機構の一部や排気機構の一部を含む周辺装置は省略されている。
本実施形態では、上述のとおり、第1層20の一例である酸化シリコン層上に、第2層30の一例であるアモルファスカーボン層及びダイヤモンドライクカーボン層の群から選択される少なくとも1種の層を形成する工程が行われる。なお、本実施形態においては、第1層20としての酸化シリコン層は、公知の方法(例えば、プラズマCVD法)によって形成され得る。
本実施形態の積層膜及びその製造方法は、第1の実施形態における第2層30の形成工程の一部の条件が異なる点を除き、第1の実施形態と同様である。従って、第1の実施形態と重複する説明は省略され得る。
本実施形態においても、被保護層としての第1層20である酸化シリコン層上に、第2層30の一例であるアモルファスカーボン層及びダイヤモンドライクカーボン層の群から選択される少なくとも1種の層を形成する工程が行われる。
本願発明者は、ガスの供給と排気が可能な密閉チャンバー内に配置された上述の各実施形態において形成された積層膜がフッ化水素の蒸気及びエタノールの蒸気に所定時間曝したときの、第2層30及び被保護層としての第1層20の状態の変化を観察した。なお、この評価における第1層20は、公知の熱酸化法によって形成された酸化シリコン膜である。また、第2層30及び第1層20の厚みは、光干渉式膜厚測定装置によって測定した。
ところで、上述の実施形態では、制御部49が排気流量調整器38等に直接接続されていたが、上述の各実施形態の態様は、そのような構成に限定されない。例えば、制御部49が、ローカルエリアネットワークやインターネット回線等の公知の技術を介して、いわば間接的に、排気流量調整器48等と接続されている態様も上述の各実施形態の他の採用し得る一態様に含まれ得る。
11 活性層
15 電極
20,50 第1層
21 第1層(埋め込み酸化シリコン層)
30 第2層(有機物層)
41 ステージ
42a,42b ガスボンベ
43a,43b ガス流量調整器
40 チャンバー
46a 第1高周波電源
46b 第2高周波電源
47 真空ポンプ
48 排気流量調整器
49 制御部
44a,44b ヒーター
45 シャワーヘッドガス導入部
90 積層膜
100 積層膜の製造装置
Claims (10)
- CVD法又はPVD法によって第1層の一部を覆うように形成されたアモルファスカーボン層及びダイヤモンドライクカーボン層の群から選択される少なくとも1種の第2層と、前記一部と異なる領域の第1層とが、フッ化水素の蒸気に曝露されたときに、
前記一部と異なる領域の第1層のエッチング速度が、前記一部の第1層のエッチング速度よりも800倍以上速い、
積層膜。 - 前記第2層の厚みが、50nm以上100nm以下である、
請求項1に記載の積層膜。 - 前記第1層の一部が、SOI基板における埋め込み酸化シリコン層である、
請求項1又は請求項2に記載の積層膜。 - 前記第1層が、酸化シリコン層、酸窒化シリコン層、及び窒化シリコン層を含む絶縁層、窒化チタン層及びチタン層を含む導電性を備えうる層、並びに樹脂層を含む有機膜層の群から選択される少なくとも1種である、
請求項1又は請求項2に記載の積層膜。 - 前記第1層が形成された被処理体が載置されたステージに対して50W以上1000W以下の電力を印加することにより、前記第2層が形成される、
請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の積層膜。 - CVD法又はPVD法によって第1層の一部を覆うようにアモルファスカーボン層及びダイヤモンドライクカーボン層の群から選択される少なくとも1種の第2層を形成する有機物層形成工程と、
前記第2層と前記一部と異なる領域の第1層とをフッ化水素の蒸気に曝露する曝露工程と、を含み、
前記曝露工程において、前記一部と異なる領域の第1層のエッチング速度が、前記一部の第1層のエッチング速度よりも800倍以上速い、
積層膜の製造方法。 - 前記第2層の厚みが、50nm以上100nm以下である、
請求項6に記載の積層膜の製造方法。 - 前記第1層が、SOI基板における埋め込み酸化シリコン層である、
請求項6又は請求項7に記載の積層膜の製造方法。 - 前記第1層が、酸化シリコン層、酸窒化シリコン層、及び窒化シリコン層を含む絶縁層、窒化チタン層及びチタン層を含む導電性を備えうる層、並びに樹脂層を含む有機膜層の群から選択される少なくとも1種である、
請求項6又は請求項7に記載の積層膜の製造方法。 - 前記第1層が形成された被処理体が載置されたステージに対して50W以上1000W以下の電力を印加することにより、前記第2層が形成される、
請求項6乃至請求項9のいずれか1項に記載の積層膜の製造方法。
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CN113785382A (zh) * | 2020-04-10 | 2021-12-10 | 株式会社日立高新技术 | 蚀刻方法 |
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2013
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CN113785382B (zh) * | 2020-04-10 | 2023-10-27 | 株式会社日立高新技术 | 蚀刻方法 |
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