JP2015089117A - スイッチ回路、半導体装置、及びシステム - Google Patents
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Abstract
Description
図1に、本発明の一態様にかかるスイッチ回路10の構成を、一例として示す。図1に示すスイッチ回路10は、トランジスタ11と、スイッチ12乃至スイッチ14と、ダイオード15及びダイオード16とを有する。
次いで、図1に示したスイッチ回路10の具体的な構成の一例について、図2を用いて説明する。
なお、図3(A)及び図3(B)では、図2に示したスイッチ回路10の導通状態を設定する際、期間T3において配線WL2にハイレベルの電位を与えている場合のタイミングチャートを示している。ただし、期間T2において、トランジスタ11がオフになる程度にノードFNの電位が低下しているならば、期間T3において必ずしも配線WL2にハイレベルの電位を与える必要はない。期間T2において、ノードFNの電位が、トランジスタ11がオフになる程度の高さになっている場合は、期間T3において配線WL2にローレベルの電位を与えて、トランジスタ13t及びトランジスタ14tをオフにしても良い。
本発明の一態様にかかるスイッチ回路は、導通状態を維持するためのレジスタ等の記憶装置を別途設ける必要がなく、導通状態を制御するための回路を別途設けなくとも、その導通状態を制御することができる。よって、複数のコンポーネントで構成される半導体装置またはシステムにおいて、複数のコンポーネント間の導通状態を本発明の一態様にかかるスイッチ回路により制御することで、半導体装置またはシステムの構成をシンプルにすることができる。
次いで、本発明の一態様にかかる半導体装置の、具体的な構成を一例として図8に示す。
次いで、本発明の一態様にかかる半導体装置の、図8とは異なる具体的な構成例を図9に示す。
次いで、本発明の一態様にかかる半導体装置の、図8及び図9とは異なる具体的な構成例を図10に示す。
図11に、図2に示したスイッチ回路10が有する、トランジスタ11及びトランジスタ12tの断面構造を、一例として示す。なお、破線A1−A2で示す領域では、トランジスタ11及びトランジスタ12tのチャネル長方向における構造を示しており、破線A3−A4で示す領域では、トランジスタ11及びトランジスタ12tのチャネル幅方向における構造を示している。ただし、本発明の一態様では、トランジスタ11のチャネル長方向とトランジスタ12tのチャネル長方向とが、必ずしも一致していなくともよい。
本発明の一態様に係る半導体装置またはプログラマブルロジックデバイスは、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置またはプログラマブルロジックデバイスを用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯情報端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図12に示す。
例えば、本明細書等において、XとYとが接続されている、と明示的に記載する場合は、XとYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている場合と、XとYとが直接接続されている場合とを含むものとする。ここで、X、Yは、対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など)であるとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも含むものとする。
10a スイッチ回路
10a1 スイッチ回路
10a2 スイッチ回路
10a3 スイッチ回路
10b スイッチ回路
10b1 スイッチ回路
10b2 スイッチ回路
10b3 スイッチ回路
11 トランジスタ
12 スイッチ
12t トランジスタ
13 スイッチ
13t トランジスタ
14 スイッチ
14t トランジスタ
15 ダイオード
15t トランジスタ
16 ダイオード
16t トランジスタ
20 半導体装置
21 コンポーネント
22 コンポーネント
30 半導体装置
31a CPU
31b CPU
32 MS
32a MS
32b MS
33 CCU
34 DD
34a DD
34b DD
400 基板
401 素子分離領域
402 不純物領域
403 不純物領域
404 チャネル形成領域
405 絶縁膜
406 ゲート電極
411 絶縁膜
412 導電膜
413 導電膜
414 導電膜
416 導電膜
417 導電膜
418 導電膜
420 絶縁膜
421 絶縁膜
422 絶縁膜
430 半導体膜
430a 酸化物半導体膜
430b 酸化物半導体膜
430c 酸化物半導体膜
431 ゲート絶縁膜
432 導電膜
433 導電膜
434 ゲート電極
5001 筐体
5002 筐体
5003 表示部
5004 表示部
5005 マイクロホン
5006 スピーカー
5007 操作キー
5008 スタイラス
5101 車体
5102 車輪
5103 ダッシュボード
5104 ライト
5301 筐体
5302 冷蔵室用扉
5303 冷凍室用扉
5401 筐体
5402 表示部
5403 キーボード
5404 ポインティングデバイス
5601 筐体
5602 筐体
5603 表示部
5604 表示部
5605 接続部
5606 操作キー
5801 筐体
5802 筐体
5803 表示部
5804 操作キー
5805 レンズ
5806 接続部
Claims (8)
- トランジスタと、
前記トランジスタが有するゲートと配線との間の導通状態を制御する第1スイッチと、
第2スイッチと、
前記第2スイッチにより、アノードと前記トランジスタが有する前記ゲートとの間の導通状態が制御され、カソードが前記トランジスタの有するソースに電気的に接続されている第1ダイオードと、
第3スイッチと、
前記第3スイッチにより、アノードと前記トランジスタが有する前記ゲートとの間の導通状態が制御され、カソードが前記トランジスタの有するドレインに電気的に接続されている第2ダイオードと、を有するスイッチ回路。 - 第1トランジスタ乃至第6トランジスタを有し、
前記第2トランジスタにより、前記第1トランジスタが有するゲートと配線との間の導通状態が制御され、
前記第3トランジスタにより、前記第4トランジスタが有するゲートと前記第1トランジスタが有する前記ゲートとの間の導通状態が制御され、
前記第4トランジスタが有するゲートは、前記第4トランジスタが有するソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、前記第4トランジスタが有するソース又はドレインの他方は、前記第1トランジスタが有するソースに電気的に接続されており、
前記第5トランジスタにより、前記第6トランジスタが有するゲートと前記第1トランジスタが有する前記ゲートとの間の導通状態が制御され、
前記第6トランジスタが有するゲートは、前記第6トランジスタが有するソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、前記第6トランジスタが有するソース又はドレインの他方は、前記第1トランジスタが有するドレインに電気的に接続されているスイッチ回路。 - 請求項2において、
前記第3トランジスタが有するゲートと前記第5トランジスタが有するゲートとが、電気的に接続されているスイッチ回路。 - 請求項3において、
前記第3トランジスタが有するゲートと前記第5トランジスタが有するゲートとが、前記第2トランジスタが有するゲートに電気的に接続されているスイッチ回路。 - 請求項3において、
前記第3トランジスタが有するゲートと前記第5トランジスタが有するゲートとが、前記第2トランジスタが有するゲート及び前記配線に、電気的に接続されているスイッチ回路。 - 請求項2乃至請求項5のいずれか1項において、
前記第2トランジスタ乃至前記第6トランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体膜に形成されるスイッチ回路。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の前記スイッチ回路と、
出力される信号が、前記第1トランジスタが有するソースに与えられる第1コンポーネントと、
入力される前記信号が、前記第1トランジスタが有するドレインから与えられる第2コンポーネントと、を有する半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の前記スイッチ回路と、
出力される信号が、前記第1トランジスタが有するソースに与えられる第1コンポーネントと、
入力される前記信号が、前記第1トランジスタが有するドレインから与えられる第2コンポーネントと、を有するシステム。
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