JP2015072259A - ガスセンサ素子及びガスセンサ - Google Patents

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Abstract

【課題】筒状のガスセンサ素子を内側領域及び外側領域を有する多孔質保護層で覆っても当該多孔質保護層が剥離し難いガスセンサ素子及びガスセンサを提供する。【解決手段】軸線O方向に延び、先端が閉じた有底筒状に形成された固体電解質体3sと、固体電解質体の内表面に設けられた内側電極50と、固体電解質体の外表面に設けられた外側電極51と、外側電極を覆う多孔質保護層80と、を有するガスセンサ素子3であって、多孔質保護層は、外側電極を覆う内側領域81と、内側領域を覆うと共に内側領域よりも気孔率が低い外側領域82とを有し、外側領域は、セラミックとガラスとの焼結体とからなる。【選択図】図2

Description

本発明は、被検出ガスの濃度を検出するガスセンサ素子及びガスセンサに関する。
自動車等の排気ガス中の酸素濃度を検出するガスセンサとして、軸線方向に延び、先端が閉じた略円筒状のガスセンサ素子を、筒状の主体金具の内側に挿通して保持するものが知られている(特許文献1)。このガスセンサ素子は、筒体の固体電解質体(以下、素子本体とも言う)と、固体電解質体の内外表面にそれぞれ形成された内側電極及び外側電極とを有している。又、固体電解質体の外表面は、外側電極を被毒等から保護するための多孔質保護層で覆われている(特許文献2)。
一方、積層型(板型)の検出素子に多孔質保護層を設けたガスセンサ素子において、多孔質保護層を3つの領域とし、そのうち内側領域を外側領域よりも空孔率の高いものとした技術が開発されている(特許文献3)。
この特許文献3の多孔質保護層は、内側領域の気孔率を外側領域の気孔率よりも高くすることで、内側領域の断熱効果が高まり、検知素子の熱が多孔質保護層に奪われることを抑制できる。他方、外側領域の気孔率を内側領域の気孔率よりも低くすることで、多孔質保護層に付着した被毒物質を外側領域にて効果的に捕捉できると共に、多孔質保護層に付着した水滴が内側領域内に浸透しにくくなり、外側領域内にて効果的に浸透させることができ、その結果、検出素子に水滴が付着することを抑制できる。
特開2012−37445号公報 特開平11−72460号公報 特開2012−189579号公報
ところで、近年、この特許文献3の多孔質保護層を筒型のガスセンサ素子に適用することが考えられている。しかしながら、この多孔質保護層を筒状のガスセンサ素子に適用した場合、多孔質保護層が固体電解質体から剥がれ易くなることが判明した。積層型(板型)のガスセンサ素子の検出素子は筒型のガスセンサ素子の固体電解質体と比べて比較的強度が低いため、積層型(板型)のガスセンサ素子を主体金具等に組み付けてガスセンサを形成した場合に、ガスセンサに振動が加わると、検出素子が多孔質保護層と共に撓み、多孔質保護層のみに加わる応力を緩和することができる。
これに対し、筒状のガスセンサ素子の固体電解質体は比較的強度が高いため、ガスセンサを形成した場合に、ガスセンサに振動が加わったとしても、固体電解質体が撓まず、多孔質保護層のみに応力が加わり、固体電解質体から剥離し易くなると考えられる。特に、特許文献3のような内側領域が外側領域と比べて気孔率が大きい多孔質保護層を筒型のガスセンサ素子に適用した場合、多孔質保護層と固体電解質体との界面で剥離が生じ易い。
従って、本発明は、筒状のガスセンサ素子を内側領域及び外側領域を有する多孔質保護層で覆っても、当該多孔質保護層が剥離し難いガスセンサ素子及びガスセンサの提供を目的とする。
上記課題を解決するため、本発明のガスセンサ素子は、軸線方向に延び、先端が閉じた有底筒状に形成された固体電解質体と、該固体電解質体の内表面に設けられた内側電極と、前記固体電解質体の外表面に設けられた外側電極と、前記外側電極を覆う多孔質保護層と、を有するガスセンサ素子であって、前記多孔質保護層は、前記外側電極を覆う内側領域と、該内側領域を覆うと共に、当該内側領域よりも気孔率が低い外側領域とを有し、前記外側領域は、セラミックとガラスとの焼結体からなる。
このガスセンサ素子によれば、外側領域をセラミックとガラスとの焼結体にて形成している。これにより、外側領域の焼成時に、ガラスが溶融してセラミック粒子間に介在することで、セラミック粒子間の結合が強くなり、その結果、外側領域の強度が向上し、ひいては多孔質保護層の強度も向上する。その結果、多孔質保護層の応力が加わったとしても、固体電解質体から多孔質保護層が剥離することを抑制できる。
さらに、外側領域をセラミックとガラスの焼結体にて形成しているため、外側領域の気孔率が相対的に低くなるが、外側領域の気孔率を内側領域の気孔率より低くする関係は維持できる。よって、外側領域の気孔率を内側領域の気孔率より低く維持しているため、外側領域にて被毒物質を効果的に捕捉でき、且つ外側領域にて水滴を効果的に浸透させることができる。他方、内側領域の気孔率を外側領域の気孔率よりも高く維持しているため、内側領域が断熱効果を維持し、固体電解質体の熱が多孔質保護層に奪われることを抑制できる。
なお、内側領域は、セラミックとガラスの焼結体にて形成しても良いし、セラミックのみの焼結体にて形成しても良い。特に、内側領域をセラミックとガラスの焼結体にて形成した場合、セラミックのみの焼結体にて形成した場合に比べて、内側領域の強度もさらに向上し、また内側領域と外側領域との密着性もさらに向上する。
さらに、本発明のガスセンサ素子において、前記外側領域は、該内側領域よりも後端側に延びて内側領域を内包することが好ましい。
外側領域は、内側領域よりも後端側へ延びて内側領域を内包するので、固体電解質体と外側領域とが接合する。この結果、外側領域に対する内側領域の密着性が向上するだけでなく、外側領域に対する固体電解質体への密着性をも向上し、外側領域と内側領域との界面や、外側領域と固体電解質体との界面で剥離することも防止される。
さらに、本発明のガスセンサ素子において、前記外側領域の前記セラミックは、粒径の大きな粗粒子と、該粗粒子よりも小さい微粒子とからなり、前記外側領域には、前記ガラスが7.5〜12wt%含まれてなることが好ましい。
外側領域を粗粒子と微粒子により形成することで、外側領域にて被毒物質をより多く捕捉したり、水滴をより多く浸透する構造とすることができる。そして、粗粒子と微粒子にて形成される外側領域に対して、ガラスを7.5〜12wt%含ませることで、粗粒子や微粒子といったセラミック粒子間の結合が強くなり、その結果、外側領域の強度が向上し、ひいては多孔質保護層の強度も向上する。
なお、外側領域に対してガラスが7.5wt%未満であると、粗粒子と微粒子にて形成される外側領域の強度を向上する効果が得られないことがある。他方、外側領域に対してガラスが12wt%を超えると、微粒子の粒成長によって、ガラスに残留応力が残り、粗粒子と微粒子にて形成される外側領域の強度を向上する効果が得られないことがある。
さらに、本発明のガスセンサ素子において、前記内側領域は、前記粗粒子からなるセラミックとガラスの焼結体からなり、前記ガラスが9wt%〜18wt%含まれてなることが好ましい。
内側領域を外側領域に用いる粗粒子を用いて形成することで、内側領域の気孔率を外側領域よりも高くすることができ、内側領域が断熱効果を効果的に維持することができる。そして、粗粒子にて形成される内側領域に対して、ガラスを9wt%〜18wt%含ませることで、粗粒子間の結合が強くなり、内側領域の強度が向上し、ひいては多孔質保護層の強度も向上する。
なお、内側領域に対してガラスが9wt%未満であると、粗粒子形成される内側領域の強度を向上する効果が得られないことがある。他方、内側領域に対してガラスが18wt%を越えると、粗粒子間にガラスが多量に含有されることとなり、内側領域の気孔率が外側領域よりも低くなり、内側領域が断熱効果を維持することができないことがある。
さらに、本発明のガスセンサ素子において、前記外側電極と前記多孔質保護層との間には、溶射により形成された溶射層が設けられなり、前記溶射層は、前記多孔質保護層よりも気孔率が低いことが好ましい。
このように、外側電極と多孔質保護層との間に多孔質保護層よりも気孔率が低い溶射層が形成されることで、多孔質保護層と素子本体との密着性をさらに向上させることができる。その上、溶射層が多孔質保護層よりも気孔率が低いため、溶射層のみで排気ガスの拡散律速を制御でき、多孔質保護層(外側領域、内側領域)の役割(被毒物質を捕捉する、水滴を効果的に浸透させる、検知素子の熱が多孔質保護層に奪われることの抑制する)を十分に発揮できる。
さらに、本発明のガスセンサは、被測定ガス中の特定ガスを検出する検知素子と、該検知素子を保持する主体金具と、を備えるガスセンサであって、前記検知素子として、前記ガスセンサ素子を備える。
この発明によれば、筒状のガスセンサ素子を内側領域及び外側領域を有する多孔質保護層で覆っても当該多孔質保護層が剥離し難いガスセンサ素子が得られる。
本発明の実施形態に係るガスセンサを軸線方向に沿う面で切断した断面図で ある。 ガスセンサ素子の構成を示す部分断面図である。 実施例の多孔質保護層の断面SEM像を示す図である。
以下、本発明の実施形態について説明する。
図1は、本発明の実施形態に係るガスセンサ素子3を有するガスセンサ100を軸線O方向に沿う面で切断した断面図を示す。この実施形態において、ガスセンサ100は自動車の排気管内に挿入されて先端が排気ガス中に曝され、排気ガス中の酸素濃度を検出する酸素センサになっている。ガスセンサ素子3は、酸素イオン伝導性の固体電解質体に一対の電極を積層した酸素濃淡電池を構成し、酸素量に応じた検出値を出力する公知の酸素センサ素子である。
なお、図1の下側をガスセンサ100の先端側とし、図1の上側をガスセンサ100の後端側とする。
ガスセンサ100は、先端が閉じた略円筒状(中空軸状)のガスセンサ素子(この例では酸素センサ素子)3を、筒状の金具本体(主体金具)20の内側に挿通して保持するよう組み付けられている。センサ素子3は、先端に向かってテーパ状に縮径する筒状の固体電解質体3s(図2参照)と、固体電解質体3sの内周面と外周面にそれぞれ形成された内側電極50(図2参照)及び外側電極51(図2参照)とからなる。又、ガスセンサ素子3の中空部には丸棒状のヒータ15が挿入され、固体電解質体3sを活性化温度に昇温するようになっている。
金具本体20の後端部には、ガスセンサ素子3の後端側に設けられたリード線や端子(後述)を保持し、センサ素子3の後端部を覆う筒状の外筒40が接合されている。さらに、ガスセンサ素子3の後端側の外筒40内側には、絶縁性で円柱状のセパレータ121が加締め固定されている。一方、ガスセンサ素子3先端の検出部はプロテクタ7で覆われている。そして、このようにして製造されたガスセンサ100の金具本体20の雄ねじ部20dを排気管等のネジ孔に取付けることで、ガスセンサ素子3先端の検出部を排気管内に露出させて被検出ガス(排気ガス)を検知している。なお、金具本体20の中央付近には、六角レンチ等を係合するための多角形の鍔部20cが設けられ、鍔部20cと雄ねじ部20dとの間の段部には、排気管に取付けた際のガス抜けを防止するガスケット14が嵌挿されている。
金具本体20の先端寄りの内周面には内側に縮径する段部20eが設けられている。又、この段部20eの後端向き面には、ワッシャ12を介して筒状のセラミックホルダ5が配置されている。ガスセンサ素子3は金具本体20及びセラミックホルダ5の内側に挿通されており、セラミックホルダ5に後端側からワッシャ13を介してガスセンサ素子3の中央側に設けられた鍔部3aが当接している。
さらに、鍔部3aの後端側におけるガスセンサ素子3と金具本体20との径方向の隙間には、筒状の滑石粉末6、及び筒状のセラミックリーブ10が配置されている。そして、セラミックリーブ10の後端側に金属リング30を配し、金具本体20の後端部を内側に屈曲して加締め部20aを形成することにより、セラミックリーブ10が先端側に押し付けられる。これにより滑石リング6を押し潰し、セラミックリーブ10及び滑石粉末6が加締め固定されるとともに、ガスセンサ素子3と金具本体20の隙間がシールされている。
ガスセンサ素子3の後端側に配置されたセパレータ121には、挿通孔(この例では4個)が設けられ、そのうち2個の挿通孔にそれぞれ内側端子金具71、外側端子金具91の板状基部74、94が挿入されて固定されている。各板状基部74、94の後端にはそれぞれコネクタ部75、95が形成され、コネクタ部75、95にそれぞれリード線41、41が加締め接続されている。又、セパレータ121の図示しない2個の挿通孔(ヒータリード孔)に、ヒータ15から引き出されたヒータリード線43(図1では1個のみ図示)が挿通されている。
セパレータ121よりも後端側の外筒40の内側には筒状のグロメット131が加締め固定され、グロメット131の4個の挿通孔からそれぞれ2個のリード線41、及び2個のヒータリード線43が外部に引き出されている。
なお、グロメット131の中心には貫通孔131aが形成され、ガスセンサ素子3の内部空間に連通している。そして、グロメット131の貫通孔131aに撥水性の通気フィルタ140が介装され、外部の水を通さずにガスセンサ素子3の内部空間に基準ガス(大気)を導入するようになっている。
一方、金具本体20の先端側には筒状のプロテクタ7が外嵌され、金具本体20から突出するガスセンサ素子3の先端側がプロテクタ7で覆われている。プロテクタ7は、複数の孔部(図示せず)を有する有底筒状で金属製(例えば、ステンレスなど)二重の外側プロテクタ7bおよび内側プロテクタ7aを、溶接等によって取り付けて構成されている。
次に、図2を参照してガスセンサ素子3の構成について説明する。図2に示すように、固体電解質体3sの内周面の先端側には、先端面を含む周方向全周にわたって内側電極50が形成されている。又、内側電極50から後端側へ向かって図示しないリード部が延びている。一方、固体電解質体3sの外周面の先端側には、先端面を含む周方向全周にわたって外側電極51が形成されている。又、外側電極51から後端側へ向かって図示しないリード部が延びている。
内側電極50は、ガスセンサ素子3の内部空間に導入される基準ガス雰囲気に曝される。一方、ガスセンサ素子3の外面に形成された外側電極51は被検出ガスに曝され、固体電解質体3sを介して内側電極50と外側電極51との間でガスの検知を行うようになっている。
なお、内側電極50及び外側電極51は、図示しないリード部を介してそれぞれ内側端子金具71及び外側端子金具91に電気的に接続されている。
さらに、固体電解質体3sの外周面の先端面から鍔部3a近傍までの領域には、外側電極51を覆う溶射層60が形成されている。溶射層60は、例えばスピネル等のセラミックを溶射して形成してなり、多孔質層になっている。
そして、溶射層60を介して外側電極51を多孔質保護層80が覆っている。多孔質保護層80は、外側電極51の表面側から外側へ向かって、内側領域(内側層)81及び外側領域(外側層)82を有する。内側領域81は外側電極51よりも後端側へ延びて外側電極51を内包すると共に、外側領域82は内側領域81よりも後端側へ延びて内側領域811を内包している。
内側領域81は、例えばアルミナ、スピネル、ジルコニア、ムライト、ジルコン及びコージェライトの群から選ばれる1種以上のセラミック粒子を焼成等により結合して形成することができる。これらの粒子を含むスラリーを焼結することでセラミック粒子間に気孔を形成することができる。
又、内側領域81の気孔率は50〜70%が好ましく、本実施形態では、55%である。このように、内側領域81の気孔率を50〜70%とすると、内側領域81に断熱性を良好に確保できるので好ましい。内側領域81の気孔率が50%未満であると、空隙の合計体積が小さくなって断熱層としての効果が低下し、70%を超えると内側領域81を構成することが難しくなることがある。
又、内側多孔質層21の厚みを100〜800μmとすると好ましい。
なお、内側領域81と外側領域82は次のようにして決定される。まず、多孔質保護層80の断面写真(SEM像、図3参照)に基づき、セラミック粒子の大きさ、粒子形状、気孔形状等が異なる箇所で内側領域81、外側領域82を区別する。
さらに、内側領域81、外側領域82のそれぞれの気孔率は以下のように求める。多孔質保護層80の断面写真(SEM像、図3)に基づき、外側領域82、内側領域81の厚み方向の2値化を市販の画像解析ソフトを用いて行い、断面写真の黒色部の割合を求めてゆく。断面写真の黒色部は気孔に対応し、白色部はセラミック及びガラス(の焼結体)に対応するので、黒色部が多いほど気孔率が大きいことを示す。
なお、図3の外側領域82、内側領域81の厚み方向(図3の左右方向)に気孔率を求めてゆくと、内側領域81に相当する部分では、一定のばらつき範囲内で所定の気孔率を示すが、ある地点でばらつきを超えて気孔率が低下する。そこでこの地点を内側領域81と外側領域82との境界とみなすことができ(図3の白線)、この地点より外側の層が外側領域82となる。
外側領域82は、例えばアルミナ、スピネル、ジルコニア、ムライト、ジルコン及びコージェライトの群から選ばれる1種以上のセラミック粒子と、ガラスとを焼成して形成することができる。
セラミック粒子を含むスラリーを焼結することで、セラミック粒子間の隙間や、スラリー中の有機又は無機バインダが焼失する際に、セラミック粒子間に気孔が形成される。又、外側領域82の焼成時にガラスが溶融してセラミック粒子間に介在することで、セラミック粒子間の結合が強くなり、その結果、外側領域82の強度が向上し、ひいては多孔質保護層80の強度も向上する。これにより、多孔質保護層80の応力が加わったとしても、固体電解質体3sから剥離することを抑制できる。その上、外側領域82に対する内側領域81の密着性が向上するだけでなく、外側領域82は、内側領域81よりも後端側へ延びて内側領域82を内包するので、外側領域81に対する固体電解質体3sへの密着性をも向上し、外側領域82と内側領域81との界面や、外側領域82と固体電解質体3sとの界面で剥離することも防止される。
又、外側領域82の気孔率は25〜40%が好ましく、本実施形態では、30%である。このように、外側領域82の気孔率を25〜40%とすると、被毒物質の捕捉や水滴の浸透を確保しつつガス透過性を低下させないので好ましい。外側領域82の気孔率が25%未満であると被毒物質によって目詰まりし易く、40%を超えると水が外側領域82内部に浸入して耐被水性が低下することがある。
又、外側領域82の厚みを100〜800μmとすると好ましい。
そして、外側領域82の気孔率を内側領域81の気孔率より低くすると、外側領域82にて被毒物質を効果的に捕捉できると共に、多孔質保護層80に付着した水滴が内側領域81に浸透しにくくなり、外側領域82にて効果的に浸透させることができる。又、内側領域81の気孔率を外側領域82の気孔率よりも高くすることで、内側領域81の断熱効果が高まり、固体電解質体3sの熱が多孔質保護層80に奪われることが抑制できる。
なお、多孔質保護層80に形成される気孔は、ガス透過が可能なように三次元網目構造をなしている。
又、外側領域82の厚みよりも内側領域81の厚みを厚くするとよい。これにより、外側領域82に浸透する水滴の量を増やすことができると共に、被毒物質の捕捉量も増やすことができる。
さらに、本実施形態では、外側領域82のセラミック粒子として、スピネルからなる粒径の大きな粗粒子と、該粗粒子よりも小さいチタニアからなる微粒子とから形成されている。このように、外側領域82を粗粒子と微粒子により形成することで、外側領域82にて被毒物質をより多く捕捉したり、水滴をより多く浸透する構造とすることができる。
そして、粗粒子と微粒子にて形成される外側領域82に対して、ガラスを7.5〜12wt%含ませることが好ましく、本実施形態では、ガラスが8wt%含まれている。このように、外側領域82に対して、ガラスを7.5〜12wt%含ませることで、粗粒子や微粒子といったセラミック粒子間の結合が強くなり、その結果、外側領域の強度が向上し、ひいては多孔質保護層の強度も向上する。
一方、本実施形態では、内側領域81のセラミック粒子として、外側領域82に用いたスピネルからなる粗粒子を用いて形成されている。内側領域81を外側領域82に用いる粗粒子を用いて形成することで、内側領域81の気孔率を外側領域82よりも高くすることができ、内側領域81が断熱効果を効果的に維持することができる。
そして、粗粒子にて形成される内側領域に対して、ガラスを9wt%〜18wt%含ませることが好ましく、本実施形態では、ガラスが10wt%含まれている。このように、内側領域81に対して、ガラスが9wt%〜18wt%含ませることで、粒子間の結合が強くなり、内側領域の強度が向上し、ひいては多孔質保護層の強度も向上する。
さらに、本実施形態では、溶射層60の気孔率を、多孔質保護層80の気孔率よりも低くしている。なお、溶射層60の気孔率は5〜20%が好ましく、本実施形態では、15%である。
このように、外側電極51と多孔質保護層80との間に多孔質保護層80よりも気孔率が低い溶射層60が形成されることで、多孔質保護層80と固体電解質体3sとの密着性をさらに向上させることができる。その上、溶射層60が多孔質保護層80よりも気孔率が低いため、溶射層60のみで排気ガスの拡散律速を制御でき、多孔質保護層80(外側領域82、内側領域81)の役割(被毒物質を捕捉する、水滴を効果的に浸透させる、検知素子の熱が多孔質保護層に奪われることの抑制する)を十分に発揮できる。
なお、溶射層60の平均気孔径(A)と、外側領域82の平均気孔径(B)と、内側領域81の平均気孔径(C)としたときに、A<B<Cとなることが好ましい。これにより、更に、溶射層60及び多孔質保護層80(外側領域82、内側領域81)のそれぞれの役割を十分に発揮することができる。
次に、本発明の実施形態に係るガスセンサ素子の製造方法の一例について説明する。
まず、所定の固体電解質(例えば、ZrOにYを5mol%添加した部分安定化ジルコニア)の材料をスラリーとし、このスラリーをスプレードライ方式にて乾燥造粒する。その粉末を、油圧プレス法によって有底円筒形に形成し、所定の形状に研削した後に、例えば1500℃にて焼成して固体電解質体3sを形成する。
次に、固体電解質体3sの内周面に、無電解メッキ法により、Ptからなる内側電極50を形成するとともに、同様に、固体電解質体3sの外周面の先端側に、無電解メッキ法により、Ptからなる外側電極51を形成する。
次に、外側電極51を覆うようにして、セラミック(スピネル等)の溶射層60を形成する。
次に、外側電極51を覆うようにして、溶射層60の上に内側領域81となるセラミックを含む内側ペーストを塗布し、焼成する。なお、内側ペーストは、ディップ法により塗布することができる。
次に、内側ペーストの表面に、外側領域82となる外側ペーストを塗布し、焼成する。外側ペーストを形成するためのスラリーは、セラミックとガラスとを含む。なお、それぞれ内側領域81、外側領域82となるスラリーを順に塗布して一度に焼結してもよい。
本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の思想と範囲に含まれる様々な変形及び均等物に及ぶことはいうまでもない。例えば、内側電極の形状は上記に限定されない。
(実施例1)
ZrOにYを5mol%添加した部分安定化ジルコニアからなり、図1、図2に示す形状の有底円筒状の固体電解質体3sを用意した。次に、固体電解質体3sの内周面に、無電解メッキ法により、Ptからなる内側電極50を形成するとともに、同様に、固体電解質体3sの外周面の先端側に、無電解メッキ法により、Ptからなる外側電極51を形成した。
次に、外側電極51を覆うようにして、セラミック(スピネル等)の溶射層60を形成した(厚み:150μm)。
次に、外側電極51を覆うようにして、溶射層60の上に内側領域81となる内側ペーストをディップ法により塗布した(厚み:250μm)。内側ペーストは、セラミック粒子としてスピネル(平均粒子径:30μm)のみを用い、さらに、本実施例では、内側ペーストにガラスを添加しなかった。
次に、内側ペーストの表面に、外側領域82となる外側ペーストを塗布し(厚み:450μm)、全体を1000℃で焼成した。外側ペーストを形成するためのスラリーは、セラミック粒子としてスピネル(平均粒子径:30μm)、チタニア(平均粒子径0.1μm)を、スピネル:70vol%、チタニア:30vol%となる混合割合で混合し、さらにジルコン系ガラスからなるガラスを、セラミック100wt%に対して、ガラス8wt%となる混合割合(質量割合)で混合した。ガラスのガラス転移温度(約600℃)は1000℃未満であった。このようにして固体電解質体3sの表面に多孔質保護層80(内側領域81及び外側領域82)を形成したガスセンサ素子を製造した。
比較として、外側ペーストにガラスを含まないものを用いて、同様に内側領域81及び外側領域82を形成し、ガスセンサ素子を製造した。
得られたガスセンサ素子を、振り子式衝撃試験装置に取り付けた。なお、この試験装置は、試料であるガスセンサ素子を振り子式に持ち上げた後、自由落下させ、支点直下に垂直に取り付けられた相手材(炭素工具鋼SK120)の突起にガスセンサ素子の多孔質保護層80を側面から衝突させるものである。衝突後、多孔質保護層80の割れの有無を目視で観察し、以下の基準で評価した。なお、振り子の持ち上げ角度が高いほど、衝撃が大きい。
○:多孔質保護層に割れがない。
×:多孔質保護層に割れが発生
得られた結果を表1に示す。
表1から明らかなように、外側領域がセラミックとガラスとの焼結体からなる実施例の場合、振り子の持ち上げ角度を高く(50度)しても多孔質保護層が割れなかった。一方、比較例は、振り子の持ち上げ角度を30度した場合、多孔質保護層に割れが発生した。
(実施例2)
実施例1と同様の固体電解質体3sを準備し、実施例1と同様に、内側電極50、外側電極51、溶射層60を形成した。
次に、外側電極51を覆うようにして、溶射層60の上に内側領域81となる内側ペーストをディップ法により塗布した(厚み:250μm)。内側ペーストは、セラミック粒子としてスピネル(平均粒子径:30μm)のみを用い、さらに、本実施例では、さらにジルコン系ガラスからなるガラスを、セラミック100wt%に対して、ガラス10wt%となる混合割合(質量割合)で混合した。
次に、内側ペーストの表面に、外側領域82となる外側ペーストを塗布し(厚み:450μm)、全体を1000℃で焼成した。外側ペーストを形成するためのスラリーは、セラミック粒子としてスピネル(平均粒子径:30μm)、チタニア(平均粒子径0.1μm)を、スピネル:70vol%、チタニア:30vol%となる混合割合で混合し、さらにジルコン系ガラスからなるガラスを、セラミック100wt%に対して、表2に示す混合割合(質量割合)で混合した。このようにして固体電解質体3sの表面に多孔質保護層80(内側領域81及び外側領域82)を形成したガスセンサ素子を製造した。
得られたガスセンサ素子に対して、密着性評価を行った。密着性評価としては、ガスセンサ素子を大気中に配置し、センサ素子を90秒加熱(素子到達温度950℃)した後、放冷を90秒行い、次に空冷を90秒行うサイクルを50サイクル行い、50サイクル後のガスセンサ素子の多孔質保護層80の表面を拡大鏡で観察し、多孔質保護層80の割れの有無を実施例1と同様の基準で評価した。
得られた結果を表2に示す。
表2から明らかなように、外側領域のガラス含有量が7.3wt%以下や15wt%以上の場合、多孔質保護層に割れが発生した。一方、外側領域のガラス含有量が7.5wt%〜12wt%の場合、多孔質保護層に割れが発生しなかった。
(実施例3)
実施例2と同様の固体電解質体3sを準備し、実施例2と同様に、内側電極50、外側電極51、溶射層60を形成した。
次に、外側電極51を覆うようにして、溶射層60の上に内側領域81となる内側ペーストをディップ法により塗布し(厚み:250μm)、全体を1000℃で焼成した。内側ペーストは、セラミック粒子としてスピネル(平均粒子径:30μm)のみを用い、さらに、本実施例では、さらにジルコン系ガラスからなるガラスを、セラミック100wt%に対して、表3に示す混合割合(質量割合)で混合した。このようにして固体電解質体3sの表面に内側領域81を形成したガスセンサ素子を製造した。
得られたガスセンサ素子に対して、密着性評価を行った。密着性評価としては、実施例2と同様の評価を行った。得られた結果を表3に示す。
また、上述のガスセンサ素子に対して、応答性評価を行った。具体的には、ガスセンサ素子を主体金具等に組み付け、ガスセンサを作製する。このガスセンサを排気量2000cc、直列4気筒ガソリンエンジンの排気管に取り付けて、その出力値を測定することにより行った。ガソリンエンジンは、無鉛ガソリンを用いて200rpm(回転数/分)の速度で駆動させた。排気温度は、約450℃である。この測定では、理論空燃比14.7倍をλ=1としたときに、0.5Hzで強制的にリッチ(λ=0.97)、リーン(λ=1.03)に切り替える制御を下。そして、リッチからリーンへの切り替え後、ガスセンサの出力がλ=1に対応した値に変化するまでの時間と、リーンからリッチへの切り替え後、ガスセンサの出力がλ=1に対応した値に変化するまでの時間との和を求めた。そして、以下の基準で評価した。
○:従来品(内側領域82にガラスを含有してないガスセンサ)に対して40ms未満の遅れが発生
×:従来品(内側領域82にガラスを含有してないガスセンサ)に対して40ms以上の遅れが発生
得られた結果を表3に示す。
表2から明らかなように、外側領域のガラス含有量が7wt%以下の場合、多孔質保護層に割れが発生したが、外側領域のガラス含有量が9wt%以上の場合、多孔質保護層に割れが発生しなかった。また、外側領域のガラス含有量が20wt%以上の場合、従来品に対して40ms以上の遅れが発生したが、外側領域のガラス含有量が18wt%以下の場合、従来品に対して40ms以上の遅れが発生しなかった。
3 ガスセンサ素子
3s 固体電解質体
20 主体金具
50 内側電極
51 外側電極
60 溶射層
80 多孔質保護層
81 内側領域
82 外側領域
100 ガスセンサ
O 軸線方向

Claims (6)

  1. 軸線方向に延び、先端が閉じた有底筒状に形成された固体電解質体と、該固体電解質体の内表面に設けられた内側電極と、前記固体電解質体の外表面に設けられた外側電極と、前記外側電極を覆う多孔質保護層と、を有するガスセンサ素子であって、
    前記多孔質保護層は、前記外側電極を覆う内側領域と、該内側領域を覆うと共に、当該内側領域よりも気孔率が低い外側領域とを有し、
    前記外側領域は、セラミックとガラスとの焼結体からなるガスセンサ素子。
  2. 前記外側領域は、該内側領域よりも後端側に延びて内側領域を内包する請求項1に記載のガスセンサ素子。
  3. 前記外側領域の前記セラミックは、粒径の大きな粗粒子と、該粗粒子よりも小さい微粒子とからなり、
    前記外側領域には、前記ガラスが7.5〜12wt%含まれてなることを特徴とする請求項1又2に記載のガスセンサ素子。
  4. 前記内側領域は、前記粗粒子からなるセラミックとガラスの焼結体からなり、
    前記ガラスが9wt%〜18wt%含まれてなることを特徴とする請求項3に記載のガスセンサ素子。
  5. 前記外側電極と前記多孔質保護層との間には、溶射により形成された溶射層が設けられなり、前記溶射層は、前記多孔質保護層よりも気孔率が低いことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のガスセンサ素子。
  6. 被測定ガス中の特定ガスを検出する検知素子と、該検知素子を保持する主体金具と、を備えるガスセンサであって、
    前記検知素子として、請求項1〜5のいずれかに記載のガスセンサ素子を備えるガスセンサ。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015059758A (ja) * 2013-09-17 2015-03-30 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ素子及びガスセンサ
JP2017187482A (ja) * 2016-03-30 2017-10-12 日本碍子株式会社 センサ素子及びガスセンサ
WO2019130630A1 (ja) * 2017-12-27 2019-07-04 日本特殊陶業株式会社 センサ素子及びガスセンサ
WO2020136962A1 (ja) * 2018-12-28 2020-07-02 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ素子およびガスセンサ
WO2021090839A1 (ja) * 2019-11-05 2021-05-14 日本碍子株式会社 センサ素子
US11204336B2 (en) 2016-03-30 2021-12-21 Ngk Insulators, Ltd. Sensor element and gas sensor

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6580845B2 (ja) * 2015-03-17 2019-09-25 株式会社Soken ガスセンサ素子
WO2018194052A1 (ja) 2017-04-17 2018-10-25 株式会社 東芝 焼結体、基板、回路基板、および焼結体の製造方法
WO2019155867A1 (ja) 2018-02-06 2019-08-15 日本碍子株式会社 ガスセンサ
CN111699382B (zh) * 2018-02-06 2023-05-09 日本碍子株式会社 传感器元件及气体传感器
JP6810286B2 (ja) 2018-02-06 2021-01-06 日本碍子株式会社 ガスセンサ
JP6885885B2 (ja) * 2018-02-14 2021-06-16 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ素子およびガスセンサ
JP6999455B2 (ja) * 2018-03-13 2022-01-18 日本碍子株式会社 センサ素子及びガスセンサ
JP7082921B2 (ja) * 2018-08-03 2022-06-09 日本碍子株式会社 センサ素子
WO2020065952A1 (ja) * 2018-09-28 2020-04-02 日本碍子株式会社 セラミックス構造体およびガスセンサのセンサ素子
JP7195996B2 (ja) * 2019-03-29 2022-12-26 日本碍子株式会社 ガスセンサのセンサ素子
JP7261640B2 (ja) * 2019-03-29 2023-04-20 日本碍子株式会社 ガスセンサのセンサ素子

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5367495A (en) * 1976-11-29 1978-06-15 Hitachi Ltd Oxygen concentration detector
JPS5690255A (en) * 1979-12-25 1981-07-22 Ngk Spark Plug Co Ltd Sensor for detecting density of oxygen in flame
JPS56111461A (en) * 1980-02-08 1981-09-03 Toyota Motor Corp Element of oxygen sensor and its manufacture
JPH01232252A (ja) * 1988-03-11 1989-09-18 Ngk Spark Plug Co Ltd 酸素センサ素子
JPH01232253A (ja) * 1988-03-11 1989-09-18 Ngk Spark Plug Co Ltd 酸素センサ素子
JPH01245147A (ja) * 1988-03-28 1989-09-29 Ngk Spark Plug Co Ltd 酸素センサ素子
US5766434A (en) * 1996-01-31 1998-06-16 Denso Corporation Oxygen concentration detecting device and method for fabricating the same
JPH10221296A (ja) * 1996-01-31 1998-08-21 Denso Corp 酸素濃度検出素子およびその製造方法
JP2002071632A (ja) * 2000-06-12 2002-03-12 Denso Corp ガスセンサ素子
JP2003279528A (ja) * 2002-03-27 2003-10-02 Kyocera Corp 酸素センサ素子
JP2013104706A (ja) * 2011-11-11 2013-05-30 Ngk Spark Plug Co Ltd ガスセンサ素子及びガスセンサ

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5824855A (ja) * 1981-08-05 1983-02-14 Nippon Denso Co Ltd 酸素濃度検出器
JPS60171447A (ja) * 1984-02-17 1985-09-04 Hitachi Ltd 空燃比検出方法
JP3811991B2 (ja) * 1996-05-21 2006-08-23 株式会社デンソー 酸素センサ素子の製造方法及び酸素センサ素子
JP3655441B2 (ja) 1997-08-29 2005-06-02 日本特殊陶業株式会社 酸素センサ素子及びその製造方法
DE19825094C1 (de) * 1998-06-05 1999-11-25 Heraeus Electro Nite Int Verfahren zur Herstellung keramischer, diffusionslimitierender Schichten sowie Verwendung dieser Schichten
JP4595264B2 (ja) * 2000-10-05 2010-12-08 株式会社デンソー 酸素センサ素子及びその製造方法
JP5194073B2 (ja) 2010-08-10 2013-05-08 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ
JP5416757B2 (ja) * 2011-02-22 2014-02-12 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ素子及びガスセンサ
JP5990687B2 (ja) 2012-03-07 2016-09-14 株式会社ソフイア 遊技機
JP6154154B2 (ja) 2013-02-14 2017-06-28 京セラ株式会社 積層基板

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5367495A (en) * 1976-11-29 1978-06-15 Hitachi Ltd Oxygen concentration detector
JPS5690255A (en) * 1979-12-25 1981-07-22 Ngk Spark Plug Co Ltd Sensor for detecting density of oxygen in flame
JPS56111461A (en) * 1980-02-08 1981-09-03 Toyota Motor Corp Element of oxygen sensor and its manufacture
JPH01232252A (ja) * 1988-03-11 1989-09-18 Ngk Spark Plug Co Ltd 酸素センサ素子
JPH01232253A (ja) * 1988-03-11 1989-09-18 Ngk Spark Plug Co Ltd 酸素センサ素子
JPH01245147A (ja) * 1988-03-28 1989-09-29 Ngk Spark Plug Co Ltd 酸素センサ素子
US5766434A (en) * 1996-01-31 1998-06-16 Denso Corporation Oxygen concentration detecting device and method for fabricating the same
JPH10221296A (ja) * 1996-01-31 1998-08-21 Denso Corp 酸素濃度検出素子およびその製造方法
JP2002071632A (ja) * 2000-06-12 2002-03-12 Denso Corp ガスセンサ素子
JP2003279528A (ja) * 2002-03-27 2003-10-02 Kyocera Corp 酸素センサ素子
JP2013104706A (ja) * 2011-11-11 2013-05-30 Ngk Spark Plug Co Ltd ガスセンサ素子及びガスセンサ

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015059758A (ja) * 2013-09-17 2015-03-30 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ素子及びガスセンサ
JP2017187482A (ja) * 2016-03-30 2017-10-12 日本碍子株式会社 センサ素子及びガスセンサ
US11204336B2 (en) 2016-03-30 2021-12-21 Ngk Insulators, Ltd. Sensor element and gas sensor
JP2019117135A (ja) * 2017-12-27 2019-07-18 日本特殊陶業株式会社 センサ素子及びガスセンサ
WO2019130630A1 (ja) * 2017-12-27 2019-07-04 日本特殊陶業株式会社 センサ素子及びガスセンサ
WO2020136962A1 (ja) * 2018-12-28 2020-07-02 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ素子およびガスセンサ
CN113227774A (zh) * 2018-12-28 2021-08-06 日本特殊陶业株式会社 气体传感器元件和气体传感器
JPWO2020136962A1 (ja) * 2018-12-28 2021-11-18 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ素子およびガスセンサ
JP7114701B2 (ja) 2018-12-28 2022-08-08 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ素子およびガスセンサ
CN113227774B (zh) * 2018-12-28 2023-08-11 日本特殊陶业株式会社 气体传感器元件和气体传感器
WO2021090839A1 (ja) * 2019-11-05 2021-05-14 日本碍子株式会社 センサ素子
JPWO2021090839A1 (ja) * 2019-11-05 2021-05-14
JP7235890B2 (ja) 2019-11-05 2023-03-08 日本碍子株式会社 センサ素子

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