JP5373837B2 - ガスセンサ素子及びガスセンサ - Google Patents

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Description

本発明は、例えば燃焼器や内燃機関等の燃焼ガスや排気ガス中に含まれる特定ガスのガス濃度を検出するのに好適に用いられるガスセンサ素子及びガスセンサに関する。
従来から、例えばエンジンの排気管等の排気系に装着され、排気ガス中における特定ガス成分の濃度を検出するガスセンサとして、複数の固体電解質体を積層した検出素子部とヒータ部とを一体に積層したガスセンサ素子を有する構成が知られている。
このような構成のガスセンサ素子のうち排気ガスに晒される先端側においては、側面に複数の固体電解質体が露出しており、排気ガスに含まれる煤等の導電性物質が露出した固体電解質体に付着することがある。この場合、複数の固体電解質体を跨ぐようにして煤が付着すると、煤が焼失する温度(600℃程度)より低い部分では、煤が焼失せずに残留するため、当該煤によるリーク電流が固体電解質体間で生じ、ガス濃度の検出性能が低下する。
そこで、ガスセンサ素子の使用時に600℃未満の温度状態となる固体電解質体の露出部に、アルミナを主成分とするペーストを塗布して絶縁する技術が開発されている(例えば、特許文献1参照)。
又、ガスセンサ素子は排気ガス中に含まれる水滴が付着することがあるため、ガスセンサ素子の外表面に水滴がガスセンサ素子に直接接触しないよう多孔質保護層を被覆する技術が知られている(特許文献2,3参照)。つまり、ガスセンサ素子のうち測定対象ガス(排気ガス)に晒される先端部の全周を多孔質保護層にて被覆している。
特開2006−250925号公報 特開2003−322632号公報 特開2007−206082号公報
ところで、ガスセンサ素子を保護する多孔質保護層は、一般にスラリーをガスセンサ素子の先端側の周囲全体に浸漬又はスプレーした後、焼成されるが、多孔質保護層の後端部では厚みが薄くなって耐被水性が低下するおそれがある。とりわけ、ガスセンサ素子のうち、複数の固体電解質体が積層された積層界面が露出する側面は被水によりクラックの発生が生じ易い部位に該当するが、この側面上に形成される多孔質保護層の厚みが薄くなりがちな後端部においては耐被水性が低下するおそれがある。また、従来のガスセンサ素子では、上記の多孔質保護層と特許文献1記載の絶縁被膜とを共に設ける場合の構成までは十分に検討されていなかった。
そこで、本発明は、複数の固体電解質体に跨る煤等の付着に起因したガス濃度の検出性能の低下を抑制すると共に、多孔質保護層を用いて耐被水性を向上させたガスセンサ素子及びガスセンサを提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明のガスセンサ素子は、先端側が被測定雰囲気に晒されると共に、複数の固体電解質体を積層した構成をなし、前記被測定雰囲気に含まれる特定ガス成分の濃度に応じた信号を出力する検出素子部と、前記検出素子部に積層され、前記検出素子部を加熱する発熱部を有するヒータ部と、を備え、長手方向に延びるガスセンサ素子であって、前記ガスセンサ素子のうち前記被測定雰囲気に晒される表面であって、且つ前記複数の固体電解質体の積層方向に沿う側面のうち、長手方向に沿って前記ヒータ部の発熱部の最高発熱温度位置より後端側の領域の少なくとも一部に、前記複数の固体電解質体を跨ぐように絶縁被膜が被覆されており、前記ガスセンサ素子のうち前記絶縁被膜が形成された位置よりも先端側の領域には、自身の後端部が長手方向に沿って前記絶縁被膜の先端部と重なりつつ、前記検出素子部の外部に露出する表面全体を覆う多孔質保護層が形成されている。
このガスセンサ素子によれば、被測定雰囲気に晒される表面であって、且つ、複数の固体電解質体の積層方向に沿う側面のうち、ヒータ部の発熱部の最高発熱温度位置よりも後端側の領域は、ガスセンサ素子を保持するハウジングへの熱引きの影響等により低温となる。このとき、上記の後端側の領域において複数の固体電解質体の側面が露出していると、煤が付着した場合に当該煤は焼失せずに残留し、固体電解質体間でリーク電流が流れることがある。そこで、本発明では、ガスセンサ素子の側面のうち、ヒータ部の最高発熱温度位置よりも後端側の領域の少なくとも一部に、複数の固体電解質体に跨るように絶縁被膜を設けている。これにより、固体電解質体の積層方向に沿う側面の上記後端側の領域において、煤が付着するのを抑制でき、煤によるリーク電流を防止してガス濃度の検出性能を維持することができる。
又、絶縁被膜の先端部と多孔質保護層とを重ねる(重なり領域を形成する)ことで、多孔質保護層のうち厚みが薄い後端部が、絶縁被膜と重なって全体の厚みが厚くなるので、多孔質保護層の後端部の耐被水性が向上し、ひいてはガスセンサ素子の耐被水性が向上する。
前記絶縁被膜は、前記多孔質保護層よりも緻密に構成されていることが好ましい。
このガスセンサ素子によれば、多孔質保護層における水分のバリア性を確保しつつガス透過性を低下させないとともに、ガス透過性が不要な絶縁被膜においては煤が固体電解質体の側面に付着するのを良好に抑えられるため好ましい。
前記絶縁被膜がガラス被膜であると、被膜にピンホールが生じ難く、被膜自身を緻密化することができるので好ましい。
前記多孔質保護層の後端部は前記絶縁被膜の先端部上を覆っていると、ガスセンサ素子の長期間の使用によって絶縁被膜の先端部から剥離が生ずるのを多孔質保護層によって防護することができ、ガスセンサ素子の信頼性を高める上で好ましい。
本発明のガスセンサは、被測定ガス中の特定ガス成分の濃度を検出するセンサ素子と、該センサ素子の先端側を被測定雰囲気に晒すようにして当該センサ素子を保持するハウジングとを備えるガスセンサにおいて、前記センサ素子は、前記ガスセンサ素子を用いることを特徴とする。このようなガスセンサでは、上記した効果を有するガスセンサ素子を備えるため、信頼性の高いガスセンサを提供することができる。
この発明によれば、固体電解質体への煤等の付着に起因したガス濃度の検出性能の低下を絶縁被膜によって抑制すると共に、絶縁被膜の先端部と厚みが薄くなりがちな多孔質保護層の後端部とに重なり領域を設けることで、多孔質保護層を用いたことによる耐被水性向上の効果を良好に発揮することができるガスセンサ素子及びガスセンサが得られる。
本発明の実施形態に係るガスセンサ(酸素センサ)の軸線方向に沿う断面図である。 検出素子部及びヒータ部の模式分解斜視図である。 ガスセンサ素子の先端側を、軸線方向に沿い、かつ積層方向に沿って切断した部分拡大断面図である。 ガスセンサ素子の先端側を、図3と直交する方向に切断した部分拡大断面図である。 多孔質保護層と絶縁被膜の別の実施形態を示し、ガスセンサ素子の先端側を図4と同じ方向に切断した部分拡大断面図である。 実施例1の被水量が6μLのとき、重なり領域の多孔質保護層を削って露出した部分のSEM像を示す図である。
以下、本発明の実施形態について説明する。
図1は本発明の実施形態に係るガスセンサ(酸素センサ)1の長手方向(軸線L方向)に沿う断面図、図2は検出素子部300及びヒータ部200の模式分解斜視図、図3は検出素子部300の軸線L方向に直交する断面図である。
なお、軸線L方向に見て、プロテクタ24側を「先端」とし、ゴムキャップ52側を「後端」とする。
図1に示すように、ガスセンサ1は、検出素子部300、検出素子部300に積層されるヒータ部200から構成されるガスセンサ素子100、ガスセンサ素子100を内部に保持する主体金具(特許請求の範囲の「ハウジング」に相当)30、主体金具30の先端部に装着されるプロテクタ24等を有している。ガスセンサ素子100は軸線L方向に延びるように配置されている。
ヒータ部200は、図2に示すように、アルミナを主体とする第1基体101及び第2基体103と、第1基体101と第2基体103とに挟まれ、白金を主体とする発熱体102を有している。発熱体102は、先端側に位置する発熱部102aと、発熱部102aから第1基体101の長手方向に沿って延びる一対のヒータリード部102bとを有している。そして、ヒータリード部102bの端末は、第1基体101に設けられるヒータ部側スルーホール101aに形成された導体を介してヒータ部側パッド120と電気的に接続している。つまり、ヒータ部200は、第1基体101及び第2基体102を積層した絶縁セラミック体に、通電により発熱するヒータ(発熱体102)を設けてなる。
なお、ヒータ部200に通電した際、発熱部102aのうち最も高温となる部分を最高発熱温度位置HMとする。図2の例では、最高発熱温度位置HMは、発熱部102aのほぼ中央に位置すると共に後述するガス検出室107の略中央に位置する。
検出素子部300は、酸素濃度検知セル130と第1酸素ポンプセル140とを備える。酸素濃度検知セル130は、ジルコニアを主体とする第2固体電解質体105と、その第2固体電解質体105の両面に形成された基準電極(第2電極)104及び検知電極(第1電極)106とから形成されている。基準電極104は、基準電極部104aと、基準電極部104aから第2固体電解質体105の長手方向に沿って延びる第1リード部104bとから形成されている。検知電極106は、検知電極部106aと、検知電極部106aから第2固体電解質体105の長手方向に沿って延びる第2リード部106bとから形成されている。
そして、第1リード部104bの端末は、第2固体電解質体105に設けられる第1スルーホール105a、後述する絶縁層107に設けられる第2スルーホール107a、第1固体電解質体109に設けられる第4スルーホール109a及び保護層111に設けられる第6スルーホール111aのそれぞれに形成される導体を介して検出素子部側パッド121と電気的に接続する。一方、第2リード部106bの端末は、後述する絶縁層107に設けられる第3スルーホール107b、第1固体電解質体109に設けられる第5スルーホール109b及び保護層111に設けられる第7スルーホール111bのそれぞれに形成される導体を介して検出素子部側パッド121と電気的に接続する。
一方、第1酸素ポンプセル140は、ジルコニアを主体とする第1固体電解質体109と、その第1固体電解質体109の両面に形成された第3電極108、第4電極110とから形成されている。第3電極108は、第3電極部108aと、この第3電極部108aから第1固体電解質体109の長手方向に沿って延びる第3リード部108bとから形成されている。第4電極110は、第4電極部110aと、この第4電極部110aから第1固体電解質体109の長手方向に沿って延びる第4リード部110bとから形成されている。
そして、第3リード部108bの端末は、第1固体電解質体109に設けられる第5スルーホール109b及び保護層111に設けられる第7スルーホール111bのそれぞれに形成される導体を介して検出素子部側パッド121と電気的に接続する。一方、第4リード部110bの端末は、後述する保護層111に設けられる第8スルーホール111cに形成される導体を介して検出素子部側パッド121と電気的に接続する。なお、第2リード部106bと第3リード部108bは共通の検出素子部側パッド121に接続され、同電位となっている。
これら第1固体電解質体109、第2固体電解質体105は、ジルコニア(ZrO)に安定化剤としてイットリア(Y)又はカルシア(CaO)を添加してなる部分安定化ジルコニア焼結体から構成されている。
発熱体102、基準電極104、検知電極106、第3電極108、第4電極110、ヒータ部側パッド120及び検出素子部側パッド121は、白金族元素で形成することができる。これらを形成する好適な白金族元素としては、Pt、Rh、Pd等を挙げることができ、これらはその一種を単独で使用することもできるし、又二種以上を併用することもできる。
もっとも、発熱体102、基準電極104、検知電極106、第3電極108、第4電極110、ヒータ部側パッド120及び検出素子部側パッド121は、耐熱性及び耐酸化性を考慮するとPtを主体にして形成することがより一層好ましい。さらに、発熱体102、基準電極104、検知電極106、第3電極108、第4電極110、ヒータ部側パッド120及び検出素子部側パッド121は、主体となる白金族元素の他にセラミック成分を含有することが好ましい。このセラミック成分は、固着という観点から、積層される側の主体となる材料(例えば、第2固体電解質体105、第1固体電解質体109の主体となる成分)と同様の成分であることが好ましい。
そして、上記第1酸素ポンプセル140と酸素濃度検知セル130との間に、絶縁層107が形成されている。絶縁層107は、絶縁部114と拡散律速部115とからなる。この絶縁層107の絶縁部114には、検知電極部106a及び第3電極部108aに対応する位置に中空のガス検出室107cが形成されている。このガス検出室107cは、絶縁層107の幅方向で外部と連通しており、該連通部分には、外部とガス検出室107cとの間のガス拡散を所定の律速条件下で実現する拡散律速部115が配置されている。
絶縁部114は、絶縁性を有するセラミック焼結体であれば特に限定されなく、例えば、アルミナやムライト等の酸化物系セラミックを挙げることができる。
拡散律速部115は、アルミナからなる多孔質体である。この拡散律速部115によって排気ガス等の被測定ガスがガス検出室107cへ流入する際の律速が行われる。
また、第1固体電解質体109の表面には、第4電極110を挟み込むようにして、保護層111が形成されている。この保護層111は、第4電極部110aを挟み込むようにして、第4電極部110aを被毒から防御するための多孔質の電極保護部113aと、第4リード部110bを挟み込むようにして、第1固体電解質体109を保護するための補強部112とからなる。なお、本実施の形態のガスセンサ素子100は、酸素濃度検出セル130の電極間に生じる電圧(起電力)が所定の値(例えば、450mV)となるように、酸素ポンプセル140の電極間に流れる電流の方向及び大きさが調整され、酸素ポンプセル140に流れる電流に応じた被測定ガス中の酸素濃度をリニアに検出する酸素センサ素子に相当する。
図1に戻り、主体金具30は、SUS430製のものであり、ガスセンサを排気管に取り付けるための雄ねじ部31と、取り付け時に取り付け工具をあてがう六角部32とを有している。また、主体金具30には、径方向内側に向かって突出する金具側段部33が設けられており、この金具側段部33はガスセンサ素子100を保持するための金属ホルダ34を支持している。そしてこの金属ホルダ34の内側にはセラミックホルダ35、滑石36が先端側から順に配置されている。この滑石36は金属ホルダ34内に配置される第1滑石37と金属ホルダ34の後端に渡って配置される第2滑石38とからなる。金属ホルダ34内で第1滑石37が圧縮充填されることによって、ガスセンサ素子100は金属ホルダ34に対して固定される。また、主体金具30内で第2滑石38が圧縮充填されることによって、ガスセンサ素子100の外面と主体金具30の内面との間のシール性が確保される。そして第2滑石38の後端側には、アルミナ製のスリーブ39が配置されている。このスリーブ39は多段の円筒状に形成されており、軸線に沿うように軸孔39aが設けられ、内部にガスセンサ素子100を挿通している。そして、主体金具30の後端側の加締め部30aが内側に折り曲げられており、ステンレス製のリング部材40を介してスリーブ39が主体金具30の先端側に押圧されている。
また、主体金具30の先端側外周には、主体金具30の先端から突出して、被測定雰囲気(排気ガス)に晒されるガスセンサ素子100の先端部100sを覆うと共に、複数のガス取り入れ孔24aを有する金属製のプロテクタ24が溶接によって取り付けられている。このプロテクタ24は、二重構造をなしており、外側には一様な外径を有する有底円筒状の外側プロテクタ41、内側には後端部42aの外径が先端部42bの外径よりも大きく形成された有底円筒状の内側プロテクタ42が配置されている。
一方、主体金具30の後端側には、SUS430製の外筒25の先端側が挿入されている。この外筒25は先端側の拡径した先端部25aを主体金具30にレーザ溶接等により固定している。外筒25の後端側内部には、セパレータ50が配置され、セパレータ50と外筒25の隙間に保持部材51が介在している。この保持部材51は、後述するセパレータ50の突出部50aに係合し、外筒25を加締めることにより外筒25とセパレータ50とにより固定されている。
また、セパレータ50には、検出素子部300やヒータ部200用のリード線11〜15を挿入するための通孔50bが先端側から後端側にかけて貫設されている(なお、リード線14、15については図示せず)。通孔50b内には、リード線11〜15と、検出素子部300の検出素子側パッド121及びヒータ部200のヒータ側パッド120とを接続する接続端子16が収容されている。各リード線11〜15は、外部において、図示しないコネクタに接続されるようになっている。このコネクタを介してECU等の外部機器と各リード線11〜15とは電気信号の入出力が行われることになる。また、各リード線11〜15は詳細に図示しないが、導線を樹脂からなる絶縁皮膜にて披覆した構造を有している。
さらに、セパレータ50の後端側には、外筒25の後端側の開口部25bを閉塞するための略円柱状のゴムキャップ52が配置されている。このゴムキャップ52は、外筒25の後端内に装着された状態で、外筒25の外周を径方向内側に向かって加締めることにより、外筒25に固着されている。ゴムキャップ52にも、リード線11〜15をそれぞれ挿入するための通孔52aが先端側から後端側にかけて貫設されている。
次に、本発明の特徴部分である多孔質保護層20及び絶縁被膜23について説明する。図1に示すように、多孔質保護層20は、ガスセンサ素子100の先端部100sのうち水滴が付着することが考えられる部位の全周を覆って設けられている。
図3は、ガスセンサ素子100の先端側を、軸線L方向に沿い、かつ積層方向に沿って切断した部分拡大断面図である。多孔質保護層20は、ガスセンサ素子100の先端面を含み、先端から軸線L方向に沿って後端側に向かって形成され、かつガスセンサ素子100(検出素子部300とヒータ部200との積層体)の表裏面及び両側面の4面を完全に囲んで形成されている。なお、ガスセンサ素子100は、軸線Lに直交する向きで断面をとったときに断面略矩形状をなしている。又、多孔質保護層20は、所定のスラリーをガスセンサ素子先端に浸漬又はスプレーした後、焼成されて形成されており、多孔質保護層20の後端部20bは先端側と比較して厚みが薄くなっている。より詳細には、多孔質保護層20の後端部20bは、後端側に向けて厚みが徐々に薄くなっている。
一方、検出素子部300及びヒータ部200の表面であって検出素子部300の積層方向に沿う側面のうち、検出素子部300及びヒータ部200の軸線L方向に沿って最高発熱温度位置HMより後端側の領域が、絶縁被膜23で被覆されている。なお、本実施形態では、絶縁被膜23はガス検出室107c(拡散律速部115)よりも後端に形成されている。
なお、このように検出素子部300とヒータ部200は一体に積層されているので、通常、検出素子部300とヒータ部200とを区別せずに、ガスセンサ素子100の側面のうち上記位置に絶縁被膜23を被覆してよい。つまり、絶縁被膜23が、複数の固体電解質体(第1固体電解質体109,第2固体電解質体105の側面に跨って形成されるのに加え、ヒータ部200を構成する絶縁セラミック体の側面にまで跨って形成されていてよい。もちろん、ガスセンサ素子100の側面のうち検出素子部300のみに絶縁被膜23を被覆していてもよい。なお、「積層方向」とは、各固体電解質体105,109を貫く方向であり、図3の上下方向である。
多孔質保護層20は、例えばアルミナ、スピネル、ジルコニア、ムライト、ジルコン及びコージェライトの群から選ばれる1種以上のセラミック粒子を焼成等により結合して形成することができる。これらのセラミック粒子を含むスラリーを焼結することで、セラミック粒子間の隙間や、スラリー中の有機又は無機バインダが焼失する際に、皮膜の骨格中に気孔が形成される。なお、多孔質保護層20に形成される気孔は、ガス透過が可能なように三次元網目構造をなしている。
又、後述する画像解析で求めた多孔質保護層20の気孔率を10〜50%とすると、被毒物質や水滴のバリア性を確保しつつガス透過性を低下させないので好ましい。多孔質保護層20の気孔率が10%未満であると被毒物質によって目詰まりし易く、50%を超えると水が多孔質保護層20内部に浸入して耐被水性が低下することがある。
気孔率は、次のようにして決定される。多孔質保護層20の断面写真(SEM像)に基づき、多孔質保護層20の厚み方向の2値化を市販の画像解析ソフトを用いて行い、断面写真の黒色部の割合を求めてゆく。断面写真の黒色部は気孔に対応し、白色部は皮膜の骨格に対応するので、黒色部が多いほど気孔率が大きいことを示す。
又、多孔質保護層20の厚みを100〜600μmとすると好ましい。なお、上記したように、多孔質保護層20は後端部20bの厚みが先端側に比較して薄いため、多孔質保護層20の最大厚み部分を厚みとみなす。
絶縁被膜23としてはアルミナ被膜、ガラス被膜が例示され、アルミナやガラスの原料粉末と、その他成分(例えば焼結調整剤)とを混合分散したスラリーを塗布した後、焼結することで形成することができる。
絶縁被膜23の厚みは特に制限されないが、ガスセンサ素子100の積層方向の厚みの1/10〜1/500程度とすることができる。又、後述するように、絶縁被膜23は検出素子部300の側面を絶縁し、露出した第1,第2固体電解質体105、109間の煤等の付着に起因したリーク電流の発生を防止することを目的として形成され、ガス透過性は要求されない。このため、絶縁被膜23の気孔率が多孔質保護層20の気孔率より小さい(換言すれば、絶縁被膜23が多孔質保護層20よりも緻密に構成されている)ことが煤等の付着を良好に抑制する観点から好ましい。特に、絶縁被膜23に開気孔(検出素子部300の側面に連通する孔)が無い、つまり気孔率が0%であることがガスセンサ素子100の側面への煤の付着を確実に防止し、リーク電流の発生を効果的に防止する点でより好ましい。絶縁被膜23の気孔率については、絶縁被膜23がアルミナ被膜等の絶縁セラミック被膜である場合には、上述した多孔質保護層20の気孔率測定と同様の手法により決定することができる。一方、絶縁被膜23がガラス被膜である場合には、拡大鏡を用いて被膜の表面に開気孔が存在するか否かを確認し、開気孔が存在しなければ気孔率が0%とみなすことができる。なお、絶縁被膜23が多孔質保護層20よりも緻密に構成されていることは、ガス透過性の度合いを比較することで確認することができる。
特に、ガラス成分を含むスラリー(ガラススラリー)は、塗布時のレベリング性が良く、ピンホールが生じ難いため、1回の塗布で開気孔のない絶縁被膜23が得られ、セラミックペーストの塗布より生産性が優れる。なお、ガラススラリーの焼成温度は、ガスセンサ素子100の焼成温度より低いため、ガスセンサ素子100を焼成して製造後にガラススラリーの塗布及び焼成を行う。ガラス被膜としては、SiO:40〜70wt%、アルカリ土類酸化物(MgO,CaO,SrO,及びBaOの群から選ばれる1種以上):合計10〜45wt%を少なくとも含み、ガラス転移点が700℃を超えるガラス(非晶質ガラス)からなるものを用いることができる。また、ガラス被膜は、結晶化ガラスにて構成してもよい。
このように、ガスセンサ素子100の側面(固体電解質体105、109の露出部)のうち、最高発熱温度位置HMより後端側の領域の少なくとも一部に、複数の固体電解質体105、109に跨るように絶縁被膜23を設けている。これにより、固体電解質体105、109の積層方向に沿う側面の上記後端側の領域において、煤が付着するのを抑制でき、煤によるリーク電流を防止してガス濃度の検出性能を維持することができる。
なお、ガスセンサ素子100の側面のうち、最高発熱温度位置HMより先端側の部位は、ヒータ部200により第1,第2固体電解質体105,109の活性化温度(通常、600℃以上の所定温度)付近に加熱されるので、当該部位に付着した、煤は焼失する。このため、ガスセンサ素子100の側面のうち最高発熱温度位置HMよりも先端側は絶縁被膜23にて被覆する必要がない。又、ガスセンサ素子100の側面のうち最高発熱温度位置HMより先端側では、絶縁被膜23を例えばガラス被膜としたときのガラス転移点近傍の温度(700℃超)に到達する部分があるので、絶縁被膜23を被覆しないようにすると好ましい。
従って、最高発熱温度位置HMよりも後端側に形成される絶縁被膜23の先端部23aの位置は、検出素子部300の活性温度等に応じて、絶縁被膜23の耐熱性との兼ね合いで調整すればよい。
一方、検出素子部300とヒータ部200の側面のうち、セラミックホルダ35の先端より後端は、セラミックホルダ35の存在により煤が実質的に付着しないため、絶縁被膜23を被覆しなくてよいが、好ましくは、セラミックホルダ35の後端まで絶縁被膜23を被覆するとよい。この構成をとることで、セラミックホルダ35と検出素子部300との間にわずかな隙間が生じて煤が侵入しても、検出素子部300に煤が付着することがなくなる。更に好ましくは、検出素子部300とヒータ部200を直接保持する最も後端側の部材(図1の例ではスリーブ39)の後端より後端部分まで絶縁被膜23を被覆するのがよい。絶縁被膜23の後端がセラミックホルダ35の先端とスリーブ39の後端との間に存在すると、当該絶縁被膜23の後端が絶縁被膜23の被覆されている箇所と被覆されていない箇所との境目となって素子表面に段差が生じる。そして、この段差部分で検出素子部300(ガスセンサ素子100)を保持するようになるため、この段差に応力が集中して素子の折れの原因となる。しかしながら、スリーブ39よりも後端側まで絶縁被膜23が形成されていれば、ガスセンサ素子を保持する部分は段差がなく平滑であるため、ガスセンサ素子の一点に応力が集中することは無く、素子折れが生じ難くなる。
図4は、ガスセンサ素子100の先端側を、図3と直交する方向(軸線L方向に沿い、かつ積層方向に垂直な方向)に切断した部分拡大断面図である。検出素子部300の積層方向に沿う側面を絶縁被膜23が覆い、さらに絶縁被膜23の先端部23aの上に重なり領域Rを設けて多孔質保護層20が形成されている。
このように、絶縁被膜23の先端部23aと多孔質保護層20の後端部20bとを重ねることで、多孔質保護層20のうち厚みが薄い後端部20bは、絶縁被膜23と重なって全体の厚みが厚くなるので、多孔質保護層20による検出素子部300の耐被水性が向上する。
なお、図4の例では、絶縁被膜23を形成した後に多孔質保護層20を形成しており、絶縁被膜23の先端部23aの上に多孔質保護層20が重なっている。絶縁被膜23の先端部23aを多孔質保護層20で覆うことで、ガスセンサ素子100の長期間の使用によって絶縁被膜23の先端部23aから剥離が生ずるのを多孔質保護層20によって有効に防護することができる。
図5は、多孔質保護層20と絶縁被膜23の別の実施形態を示し、検出素子部300の先端側を図4と同じ方向に切断した部分拡大断面図である。図5の例では、多孔質保護層20を形成した後に絶縁被膜23を形成しており、多孔質保護層20の後端部20bの上に絶縁被膜23の先端部23aが重なっている。
図5の場合も、重なり領域Rを設けることで、多孔質保護層20のうち厚みが薄い後端部20bは、絶縁被膜23と重なって全体の厚みが厚くなり、多孔質保護層20の後端部20bの耐被水性を高めることが可能となる。
本発明は上記実施形態に限定されず、複数の固体電解質体からなる検出素子部(換言すれば、固体電解質体と一対の電極を有するセルを2以上有する検出素子部)とヒータ部とを有するあらゆるガスセンサ(ガスセンサ素子)に適用可能であり、本実施の形態の酸素センサ(酸素センサ素子)に適用することができるが、これらの用途に限られず、本発明の思想と範囲に含まれる様々な変形及び均等物に及ぶことはいうまでもない。例えば、被測定ガス中のNOx濃度を検出するため、上記の2セルに加えて第2酸素ポンプセルを追加した公知のNOxセンサ(NOxセンサ素子)や、HC濃度を検出するHCセンサ(HCセンサ素子)等に本発明を適用してもよい。また、上記実施形態では、多孔質保護層20をセラミック粒子にて形成したが、セラミック粒子にセラミックファイバーを含有させて多孔質保護層20を形成するようにしてもよい。また、絶縁被膜23の形成領域はガスセンサ素子100の両側面だけでなく、ガスセンサ素子100の積層方向に垂直な表面及び裏面にまで形成してもよい。
図1、図2に示すガスセンサ素子(酸素センサ素子)100の積層方向に沿う両側面のうち、最高発熱温度位置HMより後端の領域に、下記のガラス成分を含むスラリーを塗布した後に焼成し、絶縁被膜(ガラス被膜、厚み35μm)23を被覆した。絶縁被膜23の組成は、SiO:60wt%、MgO:5wt%,CaO:15wt%、Al:20wt%のガラス成分とし、ガラス転移点が700℃を超えるものを用いた。
次に、検出素子部300先端側の表面(表裏面及び両側面)であって、絶縁被膜23の先端と重なる領域に、多孔質保護層20となる下記のスラリーAを適当な粘度になるように調整し、ディップ(浸漬)法で所定厚みになるよう塗布した。その後、スラリーA中の余分な有機溶剤を揮発させるため、200℃に設定した乾燥機で数時間乾燥し、大気中、1100℃で3時間の条件で多孔質保護層20(厚み420μm)を焼成した。
スラリーA:スピネル粉末60vol%、アルミナ粉末40vol%、アルミナゾル(外配合)10wt%を秤量し、さらにエタノールを添加して攪拌して調製した。
ここで、軸線L方向に見て、最高発熱温度位置HMはガスセンサ素子100の先端から3mmの位置にあり、最高発熱温度は850℃であった。又、絶縁被膜23の先端はガスセンサ素子100の先端から7mmの位置とし、ガスセンサ素子100の先端を含み先端から11mmの位置まで多孔質保護層20を形成した。つまり、ガスセンサ素子100の両側面のうち、軸線L方向に7〜11mmの位置が重なり領域Rとなっている(図4参照)。
以上のようにして得られたガスセンサ素子を用い、被水試験を行った。
まず、重なり領域Rが約750℃になるようにヒータ部200へ通電し、温度が約750℃で安定したところで、マイクロシリンジで重なり領域Rに水の滴下を開始した。そして、第1酸素ポンプセル140に流れるポンピング電流が初期値から1%を超えた時点で被水を停止し、水の総滴下量を記録するとともに、重なり領域Rの多孔質保護層20、絶縁被膜23を削り、検出素子部300を含めたガスセンサ素子100のクラックの有無を判定した。なお、下記比較例1においては、絶縁被膜であるガラス被膜を形成していないため、重なり領域Rに対応する位置に水の滴下を行った。
図7は、実施例1の被水量が6μLのとき、重なり領域Rの多孔質保護層20を削って露出した部分のSEM像を示す。露出部の先端側に検出素子部300の第1,第2固体電解質体105,109の積層面を観察することができる。又、露出部の後端側に絶縁被膜23が形成されているが、この絶縁被膜23にクラックは見られなかった。また、絶縁被膜23を削った後のガスセンサ素子100を観察したときにクラックの発生は見られなかった。
ここで、同一の被水量について10本のガスセンサ素子について試験を行い、そのうちクラックが見られた本数が1本以下であればOK(使用可能)として被水量を増やして試験を続け、2本以上にクラックが見られたときをNG(使用不可)として以降の試験を中止した。又、被水量が6μLを超えれば実用上は耐被水性が問題ないレベルであるので、被水量が6μLになった時点で試験を終了した。
得られた結果を表1に示す。
表1から明らかなように、多孔質保護層20とガラス被膜23とに重なり領域Rを設けた実施例1の場合、被水量が6μLになってもクラックが2本以上見られず、OK(使用可能)となり耐被水性に優れた。なお、実施例1では、被水量が6μLになるまで1本もクラックが見られたガスセンサ素子は存在しなかった。
一方、多孔質保護層20のみを形成した比較例1の場合、重なり領域Rに相当する位置に被水すると、被水量が2.5μLでクラックが2本以上生じてNG(使用不可)となり、耐被水性に劣った。
1 ガスセンサ
20 多孔質保護層
23 絶縁被膜
23a 絶縁被膜の先端部
30 ハウジング
100 ガスセンサ素子
105 第2固体電解質体
109 第1固体電解質体
200 ヒータ部
102a 発熱部
300 検出素子部
L 軸線方向
HM ヒータ部の発熱部の最高発熱温度位置
R 重なり領域

Claims (5)

  1. 先端側が被測定雰囲気に晒されると共に、複数の固体電解質体を積層した構成をなし、前記被測定雰囲気に含まれる特定ガス成分の濃度に応じた信号を出力する検出素子部と、
    前記検出素子部に積層され、前記検出素子部を加熱する発熱部を有するヒータ部と、を備え、長手方向に延びるガスセンサ素子であって、
    前記ガスセンサ素子のうち前記被測定雰囲気に晒される表面であって、且つ前記複数の固体電解質体の積層方向に沿う側面のうち、長手方向に沿って前記ヒータ部の発熱部の最高発熱温度位置より後端側の領域の少なくとも一部に、前記複数の固体電解質体を跨ぐように絶縁被膜が被覆されており、
    前記ガスセンサ素子のうち前記絶縁被膜が形成された位置よりも先端側の領域には、自身の後端部が長手方向に沿って前記絶縁被膜の先端部と重なりつつ、前記検出素子部の外部に露出する表面全体を覆う多孔質保護層が形成されているガスセンサ素子。
  2. 前記絶縁被膜は、前記多孔質保護層よりも緻密に構成されている請求項1に記載のガスセンサ素子。
  3. 前記絶縁被膜がガラス被膜である請求項1又は2に記載のガスセンサ素子。
  4. 前記多孔質保護層の後端部は前記絶縁被膜の先端部上を覆っている請求項1〜3のいずれかに記載のガスセンサ素子。
  5. 被測定ガス中の特定ガス成分の濃度を検出するセンサ素子と、該センサ素子の先端側を被測定雰囲気に晒すようにして当該センサ素子を保持するハウジングとを備えるガスセンサにおいて、
    前記センサ素子は、請求項1〜4のいずれかに記載のガスセンサ素子を用いることを特徴とするガスセンサ。
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