JP2015038797A - 半導体装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施の形態では、半導体装置の回路構成、及びその動作について説明する。
本実施の形態では、実施の形態1で説明したメモリセルがマトリクス状に設けられた半導体装置の一例について説明する。また以下では、図8乃至図12を参照して説明する。
図8は、図4で説明した、マトリクス状に設けられたメモリセルMCを有する、半導体装置の構成例を示すブロック図である。
図10は、図8で説明した行選択ドライバ202の構成例を示すブロック図である。
図11は、図8で説明した列選択ドライバ203の構成例を示すブロック図である。
図12は、図8で説明した読み出しドライバ204の構成例を示すブロック図である。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明したオフ電流の低いトランジスタの、チャネル形成領域となる半導体層に用いることのできる酸化物半導体層について説明する。
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る半導体装置のメモリセルMCが有するトランジスタの断面の構造について、図面を参照して説明する。
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明した半導体装置を電子部品に適用する例、及び該電子部品を具備する電子機器に適用する例について、図14、図15を用いて説明する。
WD 書き込みデータ線
RG 読み出し選択線
WG 書き込み選択線
VS 配線
MC メモリセル
N_1 ノード
Cp1 容量素子
Cp2 容量素子
MC_m1 メモリセル
MC_mn メモリセル
N1 ノード
N1_m1 ノード
N1_mn ノード
N1_1n ノード
N1_11 ノード
N2 ノード
N2_m1 ノード
N2_mn ノード
N2_1n ノード
N2_11 ノード
RD_n 読み出しデータ線
RG_m 読み出し選択線
t1 時刻
t2 時刻
t3 時刻
t4 時刻
t5 時刻
t6 時刻
t7 時刻
t8 時刻
t9 時刻
t10 時刻
t11 時刻
t13 時刻
t14 時刻
t15 時刻
t16 時刻
t18 時刻
t19 時刻
t20 時刻
t21 時刻
t22 時刻
T1 時刻
T2 時刻
T3 時刻
T4 時刻
T5 時刻
T6 時刻
T7 時刻
T8 時刻
Tr1 トランジスタ
Tr1_OS トランジスタ
Tr2 トランジスタ
Tr2_a−Si トランジスタ
Tr2_OS トランジスタ
Tr3 トランジスタ
Tr3_c−Si トランジスタ
Tr3_p トランジスタ
Tr3_Si トランジスタ
VS_n 配線
WD_n 書き込みデータ線
WG_m 書き込み選択線
RD_1 読み出しデータ線
WD_1 書き込みデータ線
MC_1 メモリセル
Dout_1 出力端子
Dout_n 出力端子
RG_1 読み出し選択線
WG_1 書き込み選択線
VS_1 配線
MC_1n メモリセル
VS_2 配線
MC_11 メモリセル
200 半導体装置
201 メモリセルアレイ
202 行選択ドライバ
203 列選択ドライバ
204 ドライバ
301 デコーダ
302 用バッファ回路
401 デコーダ
402 スリーステートバッファ
501 トランジスタ
502 スイッチ回路
503 コンパレータ
700 電子部品
701 リード
702 プリント基板
703 半導体装置
704 実装基板
810 半導体基板
812 素子分離用絶縁膜
814 不純物領域
816 不純物領域
818 導電膜
820 ゲート絶縁膜
822 絶縁膜
824 導電膜
826 導電膜
828 導電膜
830 導電膜
832 導電膜
834 絶縁膜
836 導電膜
838 導電膜
840 半導体層
842 半導体層
844 導電膜
846 導電膜
848 導電膜
850 導電膜
852 ゲート絶縁膜
854 導電膜
856 導電膜
858 導電膜
860 絶縁膜
862 導電膜
901 筐体
902 筐体
903a 表示部
903b 表示部
904 選択ボタン
905 キーボード
911 筐体
912 筐体
913 表示部
914 表示部
915 軸部
916 電源
917 操作キー
918 スピーカー
921 筐体
922 表示部
923 スタンド
924 リモコン操作機
930 本体
931 表示部
932 スピーカー
933 マイク
934 操作ボタン
941 本体
942 表示部
943 操作スイッチ
Claims (8)
- ソース及びドレインの一方が書き込みデータ線に電気的に接続され、ゲートが書き込み選択線に電気的に接続された第1のトランジスタと、
ソース及びドレインの一方が定電位を与える配線に電気的に接続され、ゲートが前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第2のトランジスタと、
一方の電極が前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方、及び前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され、他方の電極がグラウンド線に電気的に接続された第1の容量素子と、
一方の電極が前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、他方の電極が前記グラウンド線に電気的に接続された第2の容量素子と、
ソース及びドレインの一方が前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、ゲートが読み出し選択線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が読み出しデータ線に電気的に接続された第3のトランジスタと、
を有し、
前記第1のトランジスタは、半導体層に酸化物半導体を有するトランジスタであり、
前記第3のトランジスタは、半導体層に単結晶シリコンを有するトランジスタであり、
前記第2のトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚は、前記第3のトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚よりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1の容量素子及び前記第2の容量素子は、同じ層に設けられた容量素子であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2において、
前記第2のトランジスタは、半導体層に、前記第3のトランジスタの半導体層とは異なる層に設けられたシリコンを有するトランジスタであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2において、
前記第2のトランジスタは、半導体層に酸化物半導体を有するトランジスタであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4において、
前記第2のトランジスタは、前記第1のトランジスタと同じ層に設けられたトランジスタであることを特徴とする半導体装置。 - 第1のトランジスタを導通状態として、前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方にあるデータを、前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方にある第1のノードに書き込み、その後、前記第1のトランジスタを非導通状態として前記第1のノードに前記データの保持をし、
前記データに従って、ゲートが前記第1のノードに電気的に接続された第2のトランジスタの導通状態又は非導通状態を制御し、前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方にある配線の電位が、第2のトランジスタのソース及びドレインの他方にある第2のノードに与えられるか否かを制御することで、前記第2のノードにおいて前記データに対応する読み出し電位を保持させ、
前記第2のノードに電気的に接続された第3のトランジスタを導通状態として、電気的に浮遊状態とした読み出しデータ線と前記第2のノードとを電気的に接続し、変化した前記読み出しデータ線の電位を読み出し、
前記第3のトランジスタを非導通状態として、前記読み出しデータ線と前記第2のノードとを電気的に接続することで変化した前記読み出し電位を、前記データに従って前記第2のトランジスタの導通状態又は非導通状態を制御し、復元することを特徴とする半導体装置の駆動方法。 - 請求項6において、前記第2のノードに保持される前記読み出し電位は、前記第2のトランジスタを介して与えられると同時に、前記第3のトランジスタを導通状態として前記第3のトランジスタを介して与えられる電位であることを特徴とする半導体装置の駆動方法。
- 請求項6又は7において、
前記電気的に浮遊状態とした読み出しデータ線は、Lレベルの電位として電気的に浮遊状態としたものであることを特徴とする半導体装置の駆動方法。
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---|---|
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015136414A1 (ja) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子部品、及び電子機器 |
CN109155310A (zh) * | 2016-08-31 | 2019-01-04 | 美光科技公司 | 存储器单元及存储器阵列 |
US11968821B2 (en) | 2017-01-12 | 2024-04-23 | Micron Technology, Inc. | Methods used in fabricating integrated circuitry and methods of forming 2T-1C memory cell arrays |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015172991A (ja) | 2014-02-21 | 2015-10-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子部品、及び電子機器 |
US10007161B2 (en) | 2015-10-26 | 2018-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US10411013B2 (en) | 2016-01-22 | 2019-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and memory device |
US10109633B2 (en) * | 2016-04-27 | 2018-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and authentication system |
WO2018069785A1 (en) * | 2016-10-12 | 2018-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and system using the same |
TWI730725B (zh) * | 2020-04-15 | 2021-06-11 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 半導體結構以及積體電路及半導體結構 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05210971A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マルチポートメモリ |
JP2011151383A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011151384A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US20120037972A1 (en) * | 2010-08-16 | 2012-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2015018594A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015028829A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置及び半導体装置 |
Family Cites Families (146)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3171836D1 (en) | 1980-12-08 | 1985-09-19 | Toshiba Kk | Semiconductor memory device |
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
US5366922A (en) | 1989-12-06 | 1994-11-22 | Seiko Instruments Inc. | Method for producing CMOS transistor |
JP2775040B2 (ja) | 1991-10-29 | 1998-07-09 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 電気光学表示装置およびその駆動方法 |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
KR100394896B1 (ko) | 1995-08-03 | 2003-11-28 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 투명스위칭소자를포함하는반도체장치 |
JP3392604B2 (ja) | 1995-11-14 | 2003-03-31 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
KR100234700B1 (ko) | 1996-11-27 | 1999-12-15 | 김영환 | 반도체 소자의 제조방법 |
US5796650A (en) | 1997-05-19 | 1998-08-18 | Lsi Logic Corporation | Memory circuit including write control unit wherein subthreshold leakage may be reduced |
JPH11126491A (ja) | 1997-08-20 | 1999-05-11 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
US5943270A (en) | 1997-11-26 | 1999-08-24 | Intel Corporation | Two-transistor DRAM cell for logic process technology |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW461096B (en) | 1999-05-13 | 2001-10-21 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4282197B2 (ja) | 2000-01-24 | 2009-06-17 | 株式会社ルネサステクノロジ | 不揮発性半導体記憶装置 |
US6570206B1 (en) | 2000-03-29 | 2003-05-27 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US6266269B1 (en) | 2000-06-07 | 2001-07-24 | Xilinx, Inc. | Three terminal non-volatile memory element |
US6628551B2 (en) | 2000-07-14 | 2003-09-30 | Infineon Technologies Aktiengesellschaft | Reducing leakage current in memory cells |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4731718B2 (ja) | 2001-04-27 | 2011-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2003037249A (ja) | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
US6787835B2 (en) | 2002-06-11 | 2004-09-07 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memories |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US6882010B2 (en) | 2002-10-03 | 2005-04-19 | Micron Technology, Inc. | High performance three-dimensional TFT-based CMOS inverters, and computer systems utilizing such novel CMOS inverters |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
US6765825B1 (en) | 2003-03-12 | 2004-07-20 | Ami Semiconductor, Inc. | Differential nor memory cell having two floating gate transistors |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US6982897B2 (en) | 2003-10-07 | 2006-01-03 | International Business Machines Corporation | Nondestructive read, two-switch, single-charge-storage device RAM devices |
JP4418254B2 (ja) | 2004-02-24 | 2010-02-17 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路 |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
KR20070116888A (ko) | 2004-03-12 | 2007-12-11 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터 |
US8314420B2 (en) | 2004-03-12 | 2012-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device with multiple component oxide channel |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
RU2358354C2 (ru) | 2004-11-10 | 2009-06-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Светоизлучающее устройство |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
CN102938420B (zh) | 2004-11-10 | 2015-12-02 | 佳能株式会社 | 无定形氧化物和场效应晶体管 |
WO2006051995A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI445178B (zh) | 2005-01-28 | 2014-07-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI562380B (en) | 2005-01-28 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
KR100704784B1 (ko) | 2005-03-07 | 2007-04-10 | 삼성전자주식회사 | 적층된 반도체 장치 및 그 제조방법 |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
US7459743B2 (en) | 2005-08-24 | 2008-12-02 | International Business Machines Corporation | Dual port gain cell with side and top gated read transistor |
JP4560502B2 (ja) | 2005-09-06 | 2010-10-13 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5006598B2 (ja) | 2005-09-16 | 2012-08-22 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101050767B1 (ko) | 2005-11-15 | 2011-07-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 제조방법 |
JP2007157982A (ja) | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | トランジスタ型強誘電体メモリおよびその製造方法 |
JP4233563B2 (ja) | 2005-12-28 | 2009-03-04 | パナソニック株式会社 | 多値データを記憶する不揮発性半導体記憶装置 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
KR100714401B1 (ko) | 2006-02-08 | 2007-05-04 | 삼성전자주식회사 | 적층된 트랜지스터를 구비하는 반도체 장치 및 그 형성방법 |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR101402189B1 (ko) | 2007-06-22 | 2014-06-02 | 삼성전자주식회사 | Zn 산화물계 박막 트랜지스터 및 Zn 산화물의 식각용액 |
KR101344483B1 (ko) | 2007-06-27 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 |
US8354674B2 (en) | 2007-06-29 | 2013-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer |
KR20090002841A (ko) | 2007-07-04 | 2009-01-09 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR100889688B1 (ko) | 2007-07-16 | 2009-03-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 반도체 활성층 제조 방법, 그를 이용한 박막 트랜지스터의제조 방법 및 반도체 활성층을 구비하는 박막 트랜지스터 |
WO2009075281A1 (ja) | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
KR100936874B1 (ko) | 2007-12-18 | 2010-01-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법 |
JP5213458B2 (ja) | 2008-01-08 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ |
JP5121478B2 (ja) | 2008-01-31 | 2013-01-16 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 光センサー素子、撮像装置、電子機器、およびメモリー素子 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP2010140919A (ja) | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Hitachi Ltd | 酸化物半導体装置及びその製造方法並びにアクティブマトリクス基板 |
KR101623619B1 (ko) | 2009-10-08 | 2016-05-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체층 및 반도체 장치 |
WO2011048929A1 (en) | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101293262B1 (ko) | 2009-10-30 | 2013-08-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011052488A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011055660A1 (en) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102682982B1 (ko) | 2009-11-20 | 2024-07-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011135999A1 (en) * | 2010-04-27 | 2011-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
WO2012029638A1 (en) | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
2014
- 2014-07-08 JP JP2014140122A patent/JP6516978B2/ja active Active
- 2014-07-15 US US14/331,732 patent/US9305630B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05210971A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マルチポートメモリ |
JP2011151383A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011151384A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US20120037972A1 (en) * | 2010-08-16 | 2012-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2012256818A (ja) * | 2010-08-16 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2015018594A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015028829A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置及び半導体装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015136414A1 (ja) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子部品、及び電子機器 |
US9747962B2 (en) | 2014-03-14 | 2017-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
CN109155310A (zh) * | 2016-08-31 | 2019-01-04 | 美光科技公司 | 存储器单元及存储器阵列 |
CN109155310B (zh) * | 2016-08-31 | 2023-03-31 | 美光科技公司 | 存储器单元及存储器阵列 |
US11968821B2 (en) | 2017-01-12 | 2024-04-23 | Micron Technology, Inc. | Methods used in fabricating integrated circuitry and methods of forming 2T-1C memory cell arrays |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150023114A1 (en) | 2015-01-22 |
JP6516978B2 (ja) | 2019-05-22 |
US9305630B2 (en) | 2016-04-05 |
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