JP2015036410A - 高誘電率エポキシ樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】誘電率、流動性、耐ワイヤ流れ性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂（Ｂ）フェノール樹脂からなる硬化剤（Ｃ）硬化促進剤とＤ）高誘電率粉末（Ｅ）（Ｄ）成分以外の無機充填材とを含有し、Ａ成分が下記一般式（１）の樹脂を含み、Ｂ成分を、Ａ成分中のエポキシ基に対し、Ｂ成分中のフェノール性水酸基の当量比が０．５〜２．０となる量含み、Ｃ成分を、Ａ成分とＢ成分との合計量１００質量部当たり、０．４〜２０質量部含み、Ｄ成分が、Ａ成分より比誘電率が高く、１０〜５０ｖｏｌ％含まれ、Ｄ成分及びＥ成分の合計を、４０〜９０ｖｏｌ％含むエポキシ樹脂組成物。

（式中、Ｘは単結合、又はＣＨ_２、Ｃ（ＣＨ_３）_２から選ばれる基であり、Ｒ^１は水素原子、炭素数１〜６の鎖状もしくは環状アルキル基、フェニル基、及びハロゲンの中から選択される基または原子であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。）
【選択図】なし

Description

本発明は、高誘電率エポキシ樹脂組成物及び半導体装置に関する。

近年の電子機器の高機能化、軽薄短小化の要求に伴い電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使用される半導体パッケージは、従来にも増して、益々、小型化が進んでいる。特に発展が期待されている衛星放送、衛星通信、携帯電話、自動車電話などの通信機器では高周波化が進んでおり、使用される高周波デバイスにも、高周波における電気特性を維持しながら、小型化、薄型化することが求められている。

このような高周波用デバイスの小型化には、複数の機能素子をひとつの基板上に形成するマルチチップモジュール技術や、高誘電率基板技術が用いられている。基板の材料は高周波伝送特性が優れた（誘電損失が小さい）ものでなければならず、ここで誘電損失は周波数と基板の誘電率ε_ｒと誘電正接（以下ｔａｎδとも記載する）の積に比例することより誘電損失を少なくするためには基板のｔａｎδを小さくしなければならない。また、基板中では電磁波の波長が１／√ε_ｒに短縮されるため、誘電率ε_ｒが大きい程基板の小型化が可能である。また、上記のような送受信機器に使用される高周波回路の絶縁層には、遅延回路の形成、低インピーダンス回路における配線基板のインピーダンス整合、配線パターンの細密化、基板自身にコンデンサを内臓した回路等の要求があり、絶縁層の高誘電率化を要求される場合があるなど樹脂材料の機能化が検討されている。

樹脂材料の高誘電率化として、特許文献１には、特定の誘電体セラミック粉末と有機高分子樹脂を混合した樹脂―セラミック複合材が開示されている。しかしながら、ここで開示された方法により得られる樹脂―セラミック複合材は、加熱プレスや射出成型法、シートロール法などによって、シート状に成型することはできるが、トランスファー成型によって、半導体を封入封止するためには樹脂の流動性が悪く、薄い隙間をうまく充填させることができない。流動性が悪いと、ワイヤ流れ等の問題が生じやすく、高周波デバイスの特性に大きな影響を及ぼす可能性がある。

また、特許文献２には、高誘電率セラミックを含有する樹脂接着剤を使用した誘電体フィルタが開示されている。エポキシ樹脂接着剤に高誘電率セラミックの粉末を混合する方法が開示されているが、液状接着剤であり、半導体を封入封止するためには流動性や硬化速度が十分でない。

特開平８−２３１２７４号公報 特開平９−６９７０２号公報

本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、高誘電率および高流動性を有し、耐ワイヤ流れ性が良好なエポキシ樹脂組成物、および該組成物の硬化物により半導体素子を封止してなる半導体装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明では、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）フェノール樹脂からなる硬化剤と、（Ｃ）硬化促進剤と、（Ｄ）高誘電率粉末と、（Ｅ）（Ｄ）成分以外の無機充填材とを含有するエポキシ樹脂組成物であって、
前記（Ａ）成分が下記一般式（１）から選ばれる１種類以上の樹脂を含み、
前記（Ｂ）成分を、前記（Ａ）成分中のエポキシ基に対し、前記（Ｂ）成分中のフェノール性水酸基の当量比が０．５〜２．０となる量含み、
前記（Ｃ）成分を、前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分との合計量１００質量部当たり、０．４質量部〜２０質量部含み、
前記（Ｄ）成分が、前記（Ａ）成分より比誘電率が高いものであり、
前記（Ｄ）成分を、１０ｖｏｌ％〜５０ｖｏｌ％含み、
前記（Ｄ）成分及び前記（Ｅ）成分の合計を、４０ｖｏｌ％〜９０ｖｏｌ％含むものであることを特徴とするエポキシ樹脂組成物を提供する。

（式中、Ｘは単結合、又はＣＨ_２、Ｃ（ＣＨ_３）_２から選ばれる基であり、Ｒ^１は水素原子、炭素数１〜６の鎖状もしくは環状アルキル基、フェニル基、及びハロゲンの中から選択される基または原子であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。）

このようなエポキシ樹脂組成物であれば、高誘電率および高流動性を有し、良好な耐ワイヤ流れ性を有する。

また、前記（Ｄ）成分が、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸亜鉛及び酸化チタンのいずれか一つ以上であることが好ましい。

このような化合物を用いることによって、より誘電率の高いエポキシ樹脂組成物とすることができる。

また、本発明では、上記本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化物によって半導体素子を封止したものであることを特徴とする半導体装置を提供する。

本発明のエポキシ樹脂組成物は、高誘電率および高流動性を有し、良好な耐ワイヤ流れ性を有することから、この硬化物によって半導体素子を封止したものである半導体装置は、高誘電率を有し、良好な品質特性を有するものとなる。

本発明の樹脂組成物は、誘電率、流動性、耐ワイヤ流れ性に優れるため、高周波デバイス等に用いられる半導体の封止に利用可能である。そのため、本発明の樹脂組成物の硬化物によって半導体素子を封止したものである半導体装置は、良好な誘電率を有するとともに、隙間の充填性等の品質特性も良いものとなる。さらに、本発明の樹脂組成物の硬化物によって半導体素子を封止したものである半導体装置を高周波デバイスに用いることによって、高周波デバイスを小型化、薄型化することができる。

以下、本発明をより詳細に説明する。
上記のように、高誘電率および高流動性を有し、良好な耐ワイヤ流れ性を有するエポキシ樹脂組成物が求められている。

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行った結果、
（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）フェノール樹脂からなる硬化剤と、（Ｃ）硬化促進剤と、（Ｄ）高誘電率粉末と、（Ｅ）（Ｄ）成分以外の無機充填材とを含有するエポキシ樹脂組成物であって、
（Ａ）成分が下記一般式（１）から選ばれる１種類以上の樹脂を含み、
（Ｂ）成分を、（Ａ）成分中のエポキシ基に対し、（Ｂ）成分中のフェノール性水酸基の当量比が０．５〜２．０となる量含み、
（Ｃ）成分を、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との合計量１００質量部当たり、０．４質量部〜２０質量部含み、
（Ｄ）成分が、（Ａ）成分より比誘電率が高いものであり、
（Ｄ）成分を、１０ｖｏｌ％〜５０ｖｏｌ％含み、
（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分の合計を、４０ｖｏｌ％〜９０ｖｏｌ％含むエポキシ樹脂組成物を用いることにより、上記課題を達成できることを見出した。

（式中、Ｘは単結合、又はＣＨ_２、Ｃ（ＣＨ_３）_２から選ばれる基であり、Ｒ^１は水素原子、炭素数１〜６の鎖状もしくは環状アルキル基、フェニル基、及びハロゲンの中から選択される基または原子であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。）

以下、本発明についてより具体的に説明する。
＜（Ａ）エポキシ樹脂＞
本発明に用いられるエポキシ樹脂は１分子内に２個以上のエポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、およびポリマー全般を言う。例えばビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性エポキシ樹脂等が挙げられる。

これらのエポキシ樹脂の内では融点が５０℃〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂が好ましい。このような結晶性エポキシ樹脂は、ビフェニル骨格、ビスフェノール骨格等の剛直な構造を主鎖に有し、比較的低分子であるために結晶性を示すものである。結晶性エポキシ樹脂は常温では結晶化している固体であるが、融点以上の温度域では急速に融解して低粘度の液状に変化するものである。これらの条件を満たす結晶性エポキシ樹脂として本発明は特に、下記一般式（１）から選ばれるエポキシ樹脂を含む。

（式中、Ｘは単結合、又はＣＨ_２、Ｃ（ＣＨ_３）_２から選ばれる基であり、Ｒ^１は水素原子、炭素数１〜６の鎖状もしくは環状アルキル基、フェニル基、及びハロゲンの中から選択される基または原子であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。）

一般式（１）で示されるエポキシ樹脂の置換基Ｒ^１は、水素原子、炭素数１〜６の鎖状もしくは環状アルキル基、フェニル基、又はハロゲンの中から選択される基又は原子であり、互いに同じであっても異なっていてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、塩素原子、臭素原子等が挙げられ、特にメチル基が好ましい。

（Ａ）成分は、少なくとも一般式（１）から選ばれる１種類以上の樹脂を含む。また、（Ａ）成分は、一般式（１）から選ばれる１種類以上の樹脂を単独で用いても良く、さらに一般式（１）に含まれないエポキシ樹脂を混合して用いても良い。この場合、（Ａ）成分中に、一般式（１）から選ばれる１種類以上の樹脂を１０質量％以上（１０〜１００質量％）、特に１０質量％〜９０質量％配合することが好ましい。（Ａ）成分中の一般式（１）の含有量が１０質量％以上の場合、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度が低下し、高誘電粉末及び無機充填材を高充填とした場合でも高流動性を有し、耐ワイヤ流れ性が良好となり、９０質量％以下の場合、エポキシ樹脂組成物の硬化性の低下を抑制できるため好ましい。

＜（Ｂ）フェノール樹脂からなる硬化剤＞
本発明に用いられる（Ｂ）フェノール樹脂からなる硬化剤は、エポキシ樹脂と反応して硬化させるものであれば、特に制限されるものではなく、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等が挙げられ、これらは単独又は混合して用いても良い。これらのフェノール樹脂は、分子量、軟化点、水酸基量等に制限なく使用することができるが、軟化点が低く比較的低粘度のものが好ましい。

（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）成分中のエポキシ基に対し、（Ｂ）成分中のフェノール性水酸基の当量比が、０．５〜２．０となる量、好ましくは０．７〜１．５となる量である。当量比が、０．５未満となる量、２．０を超える量となる場合、硬化性、耐湿信頼性等が低下する恐れがある。

＜（Ｃ）硬化促進剤＞
本発明で用いる（Ｃ）硬化促進剤としては、エポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応を促進するものであれば良く、例えば、１，８―ジアザビシクロ（５，４，０）―７―ウンデセン等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラボレート塩等の有機リン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの硬化促進剤は、単独でも併用しても差し支えない。

本発明において、（Ｃ）硬化促進剤は、本発明のエポキシ樹脂組成物中の（Ａ）成分と（Ｂ）成分との合計量１００質量部当たり、０．４質量部〜２０質量部含まれる。０．４質量部未満の場合、十分な硬化性が得られない恐れがあり、２０質量部を超える場合、硬化が速すぎて、流動性の低下によるワイヤ流れや充填不良等を生じる恐れがある。

＜（Ｄ）高誘電率粉末＞
本発明で用いる（Ｄ）高誘電率粉末としてはセラミックス系の粉末が好ましく、高周波数帯域において分散体となるベース樹脂（（Ａ）成分）よりも大きい比誘電率とＱ値（誘電正接の逆数）を持つものが良く、２種以上を併用することもできる。その場合の比率は任意に選定すればよい。具体的な種類としては、酸化チタンやチタン酸バリウム系セラミック、チタン酸ストロンチウム系セラミック、チタン酸ジルコン酸亜鉛系セラミックなどが挙げられ、チタン酸ストロンチウムやチタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸亜鉛が好ましい。特にチタン酸ストロンチウム系セラミックは、常誘電体であり誘電率が比較的高く誘電損失が少ないことから好ましい。これらのセラミックは、安定した高誘電率の粉末を得るために、あらかじめ１０００℃以上の高温で焼成して高誘電率セラミックとしたものを粉砕することが好ましい。

高誘電率粉末の粒径は０．１μｍから３０μｍが好ましい。３０μｍ以下の場合、薄型の半導体装置の封止時に金型の間隙にセラミック粉末が詰まることがなく、充填性に影響を及ぼす恐れもない。０．１μｍ以上の場合、樹脂との混練時に粘度が十分なものとなり、樹脂組成物の流動性調整が容易となる。また、得られた樹脂組成物の溶融粘度は適切なものであるため、成型時金型内での流動性に影響を及ぼす恐れもない。

高誘電率粉末の形態は、球状に近い方が流動性や混練性がよく、好ましい。セラミックの場合、その結晶形態から、必ずしも球形にはならないものもあるが、磨砕などによって、角がとれたものであることが好ましい。粒径は、一様であるよりも、大きさの異なるものが混合されたものの方が、高充填とすることができ、より高い誘電率の樹脂組成物を得るのに好ましい。また、上記の粒径範囲で、３μｍ以下の粒径のセラミック粉末を、積極的に添加することによってより均一な誘電率を得ることができる。

本発明において、（Ｄ）高誘電率粉末は、本発明のエポキシ樹脂組成物中に１０ｖｏｌ％〜５０ｖｏｌ％含まれる。１０ｖｏｌ％未満の場合、樹脂組成物中の誘電率が十分に高くならない。５０ｖｏｌ％を超える場合、樹脂組成物を混練できない恐れがある。また、樹脂組成物の硬化物が脆くなり、流動性の低下等が見られるなど成型性に影響を及ぼす。

＜（Ｅ）無機充填材＞
本発明に用いられる（Ｅ）無機充填材は、前記（Ｄ）成分以外の無機充填材であり、その種類については特に制限はなく、一般に封止材料に用いられるものを使用することができる。例えば溶融破砕シリカ粉末、溶融球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、２次凝集シリカ粉末、アルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム等が挙げられ、特に溶融球状シリカ粉末が好ましい。形状は限りなく真球状であることが好ましく、又粒子の大きさの異なるものを混合することにより充填量を多くすることができる。その粒径は特に限定されるものではないが、成型性、流動性からみて、平均粒径は４μｍ〜４０μｍ、特には７μｍ〜３５μｍが好ましい。また、流動性に優れた樹脂組成物を得るには、０．１〜３μｍの微細領域、４μｍ〜８μｍの中粒径領域、１０μｍ〜４０μｍの粗領域のものを組み合わせて使用するのが好ましい。

上記（Ｅ）成分の無機充填剤は、（Ａ）、（Ｂ）の樹脂成分との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤等のカップリング剤で予め表面処理したものを配合してもよい。

このようなカップリング剤としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性アルコキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ官能性アルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト官能性アルコキシシランなどを用いることが好ましい。

本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ｄ）高誘電率粉末と（Ｅ）無機充填材の合計を、４０ｖｏｌ％〜９０ｖｏｌ％含む。４０ｖｏｌ％未満の場合、樹脂組成物の硬化物が十分な強度を得ることができない恐れがある。９０ｖｏｌ％を超える場合、樹脂組成物を混練できない恐れがある。また、樹脂組成物の溶融粘度が高くなり、ワイヤ流れ、未充填等充填性の低下が生じる恐れがある。

［その他の添加剤］
本発明のエポキシ樹脂組成物は（Ａ）〜（Ｅ）成分の他、必要に応じてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤、カーボンブラック等の着色剤、臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力成分、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸およびその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を配合することができる。

本発明のエポキシ樹脂組成物は（Ａ）〜（Ｅ）成分、及びその他の添加剤等を、ミキサーを用いて常温混合し、ロール、押出機等の混練機で溶融混合し、冷却後粉砕して得られる。

本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成型方法で成型硬化すればよい。このときの硬化温度は、１４０℃〜１８０℃程度の低温度でよく、セラミックの焼成温度のように、１０００℃以上の高温度を必要とせずに、半導体装置を得ることができる。

以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。

［実施例１〜６、比較例１〜５］
表１に示す成分を熱２本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。使用した原材料を下記に示す。
（Ａ）エポキシ樹脂
＜一般式（１）に含まれる樹脂＞
Ａ−１ 下記式（２）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂：ＹＸ−４０００Ｋ（（株）ＪＥＲ製 エポキシ当量１９０、融点１０５℃）

＜一般式（１）に含まれない樹脂＞
Ａ−２ ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂：ＮＣ−３０００（（株）日本化薬製 エポキシ当量２９０、軟化点７０℃）
Ａ−３ オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂：エピクロンＮ６６５−ＥＸＰＳ（（株）ＤＩＣ エポキシ当量２００、軟化点６５℃）

（Ｂ）フェノール樹脂からなる硬化剤
Ｂ−１ 多官能フェノール樹脂：ＭＥＨ−７５００（（株）明和化成製 フェノール性水酸基当量９７）
Ｂ−２ ノボラック型フェノール樹脂：ＴＤ−２１３１（（株）ＤＩＣ製 フェノール性水酸基当量１１０）

（Ｃ）硬化促進剤
Ｃ−１ トリフェニルホスフィン：ＴＰＰ（（株）北興化学製）

（Ｄ）高誘電率粉末
チタン酸ストロンチウム粉末：ＳＴ−０３（（株）堺化学工業 平均粒径０．３μｍ）

（Ｅ）無機充填剤
Ｅ−１ シリカ：球状溶融シリカ ＭＡＲ−Ｔ８１５Ｈ（（株）龍森製、平均粒径７〜１７μｍ）

（Ｆ）離型剤
Ｆ−１ 天然ワックス：カルナバワックス（（株）日興ファインプロダクツ製）

（Ｇ）難燃剤
Ｇ−１ モリブデン酸亜鉛担持亜鉛 ＫＥＭＧＡＲＤ ９１１Ｂ （シャーウインウイリアムズ製）

（Ｈ）着色剤
Ｈ−１ 黒色顔料：デンカブラック（（株）電気化学工業製）

（Ｉ）イオントラップ剤
Ｉ−１ ハイドロタルサイト化合物：ＤＨＴ−４Ａ−２（（株）協和化学製）

（Ｊ）シランカップリング剤
Ｊ−１ γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン：ＫＢＭ−４０３、（（株）信越化学工業製）

これらの組成につき、以下の諸特性を測定した。結果を表１に示す。成型はトランスファー成型機で、成型温度１７５℃、成型圧力６．９Ｎ／ｍｍ^２、成型時間１２０秒の条件で行った。

［スパイラルフロー値］
ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して、成型温度１７５℃、成型圧力６．９Ｎ／ｍｍ^２、トランスファー成型時間１２０秒の条件で行った。

［ワイヤー流れ量］
１０×１０×０．３０ｍｍの大きさのシリコンチップを１６個搭載した５１ｍｍ×５１ｍｍＦＢＧＡ（ファインピッチ・ボールグリッドアレイ）基板のチップ表面を金線（直径２０μｍ）、ループ高さ２００μｍ、ワイヤー長さ４ｍｍの条件でワイヤボンディングした。これにエポキシ樹脂組成物を温度１７５℃、成型圧力６．９Ｎ／ｍｍ^２、トランスファー時間１２０秒で成型し、ワイヤーの変形量（％）をマイクロフォーカスＸ線ＴＶ検査装置（ポニー工業（製））を用いて測定した。

［誘電率］
トランスファー成型機を用いて、成型温度１７５℃、成型圧力６．９Ｎ／ｍｍ^２、成型時間１２０秒で、直径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍのテストピースを成型した。テストピースは１８０℃、４時間のポストキュアー後、ＴＯ−０９（（株）安藤電気製）を用いて、測定周波数１ＭＨｚにて測定した。

結果を表１に示す。

表１より、高誘電率粉末を含み、本発明の範囲にあるエポキシ樹脂組成物の硬化物（実施例１〜６）は高誘電率および高流動性を示し、耐ワイヤ流れ性が良好であることがわかる。一方、比較例１〜５の組成物の硬化物は、（Ｄ）成分の量、（Ｄ）成分と（Ｅ）成分の合計量が本発明の組成物の範囲外であるか、（Ａ）成分中に、一般式（１）に含まれる樹脂を含まないため、実施例１〜６の組成物の硬化物に比べて、誘電率、高流動性、耐ワイヤ流れ性に劣る。このことから、本発明の樹脂組成物は高周波半導体装置に有用であることが確認できた。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (3)

1. （Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）フェノール樹脂からなる硬化剤と、（Ｃ）硬化促進剤と、（Ｄ）高誘電率粉末と、（Ｅ）（Ｄ）成分以外の無機充填材とを含有するエポキシ樹脂組成物であって、
   前記（Ａ）成分が下記一般式（１）から選ばれる１種類以上の樹脂を含み、
   前記（Ｂ）成分を、前記（Ａ）成分中のエポキシ基に対し、前記（Ｂ）成分中のフェノール性水酸基の当量比が０．５〜２．０となる量含み、
   前記（Ｃ）成分を、前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分との合計量１００質量部当たり、０．４質量部〜２０質量部含み、
   前記（Ｄ）成分が、前記（Ａ）成分より比誘電率が高いものであり、
   前記（Ｄ）成分を、１０ｖｏｌ％〜５０ｖｏｌ％含み、
   前記（Ｄ）成分及び前記（Ｅ）成分の合計を、４０ｖｏｌ％〜９０ｖｏｌ％含むものであることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
   

   

   （式中、Ｘは単結合、又はＣＨ_２、Ｃ（ＣＨ_３）_２から選ばれる基であり、Ｒ^１は水素原子、炭素数１〜６の鎖状もしくは環状アルキル基、フェニル基、及びハロゲンの中から選択される基または原子であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。）
2. 前記（Ｄ）成分が、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸亜鉛及び酸化チタンのいずれか一つ以上であることを特徴とする請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物。
3. 請求項１又は請求項２に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物によって半導体素子を封止したものであることを特徴とする半導体装置。