JP2015032742A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015032742A5 JP2015032742A5 JP2013162512A JP2013162512A JP2015032742A5 JP 2015032742 A5 JP2015032742 A5 JP 2015032742A5 JP 2013162512 A JP2013162512 A JP 2013162512A JP 2013162512 A JP2013162512 A JP 2013162512A JP 2015032742 A5 JP2015032742 A5 JP 2015032742A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- comparative example
- voltage
- leakage current
- wafer stage
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Description
（評価２：耐圧による絶縁層の放熱性評価）
発明例１および比較例１で作製した貼り合わせウェーハの耐圧を測定するにあたり、活性層をホトリソ・エッチング処理して電極加工した。電極加工処理した各ウェーハをウェーハ・ステージに載置した後、高温電流電圧測定装置を用いて、印加する電圧を変化させながら電圧印加してリーク電流値を取得した。測定は、ウェーハ・ステージ温度が常温の場合と２００℃の場合との２条件にて実施した。
ウェーハ・ステージが常温の場合、９００Ｖ以上の高電圧を印加しても、発明例１と比較例１とで、測定したリーク電流値に大きな差は生じなかった。一方、ウェーハ・ステージが２００℃の場合、９００Ｖ以上の高電圧を印加すると、比較例１に比べて、発明例１の方が、リーク電流値が大きく増加することが確認された。これは、発明例１の絶縁膜は、比較例１の絶縁膜よりも熱伝導率が高いために高温化して抵抗が小さくなり、その結果、リーク電流が増大しているものと考えられる。すなわち、本結果は、発明例１の貼り合わせウェーハは比較例１の貼り合わせウェーハよりも放熱性に優れることを意味する。
発明例１および比較例１で作製した貼り合わせウェーハの耐圧を測定するにあたり、活性層をホトリソ・エッチング処理して電極加工した。電極加工処理した各ウェーハをウェーハ・ステージに載置した後、高温電流電圧測定装置を用いて、印加する電圧を変化させながら電圧印加してリーク電流値を取得した。測定は、ウェーハ・ステージ温度が常温の場合と２００℃の場合との２条件にて実施した。
ウェーハ・ステージが常温の場合、９００Ｖ以上の高電圧を印加しても、発明例１と比較例１とで、測定したリーク電流値に大きな差は生じなかった。一方、ウェーハ・ステージが２００℃の場合、９００Ｖ以上の高電圧を印加すると、比較例１に比べて、発明例１の方が、リーク電流値が大きく増加することが確認された。これは、発明例１の絶縁膜は、比較例１の絶縁膜よりも熱伝導率が高いために高温化して抵抗が小さくなり、その結果、リーク電流が増大しているものと考えられる。すなわち、本結果は、発明例１の貼り合わせウェーハは比較例１の貼り合わせウェーハよりも放熱性に優れることを意味する。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013162512A JP6248458B2 (ja) | 2013-08-05 | 2013-08-05 | 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013162512A JP6248458B2 (ja) | 2013-08-05 | 2013-08-05 | 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015032742A JP2015032742A (ja) | 2015-02-16 |
| JP2015032742A5 true JP2015032742A5 (ja) | 2015-04-02 |
| JP6248458B2 JP6248458B2 (ja) | 2017-12-20 |
Family
ID=52517811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013162512A Active JP6248458B2 (ja) | 2013-08-05 | 2013-08-05 | 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6248458B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017038030A (ja) * | 2015-08-14 | 2017-02-16 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法及び電子デバイス |
| JP6772995B2 (ja) * | 2017-09-25 | 2020-10-21 | 株式会社Sumco | Ｓｏｉウェーハの製造方法およびｓｏｉウェーハ |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02206118A (ja) * | 1989-02-06 | 1990-08-15 | Hitachi Ltd | 半導体素子 |
| JPH0394416A (ja) * | 1989-09-07 | 1991-04-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| FR2767605B1 (fr) * | 1997-08-25 | 2001-05-11 | Gec Alsthom Transport Sa | Circuit integre de puissance, procede de fabrication d'un tel circuit et convertisseur incluant un tel circuit |
| JP2001172765A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-06-26 | Shimadzu Corp | Ｄｌｃ膜の成膜方法およびｄｌｃ膜成膜装置 |
| FR2858461B1 (fr) * | 2003-07-30 | 2005-11-04 | Soitec Silicon On Insulator | Realisation d'une structure comprenant une couche protegeant contre des traitements chimiques |
| GB0317854D0 (en) * | 2003-07-30 | 2003-09-03 | Element Six Ltd | Method of manufacturing diamond substrates |
| JP4733941B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2011-07-27 | 株式会社プラズマイオンアシスト | シール材およびその製造方法 |
-
2013
- 2013-08-05 JP JP2013162512A patent/JP6248458B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2014132646A5 (ja) | 半導体装置及びその作製方法 | |
| JP2015111742A5 (ja) | 半導体装置の作製方法、及び半導体装置 | |
| JP2016029710A5 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2015135953A5 (ja) | ||
| JP2015233159A5 (ja) | ||
| JP2015156491A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2015188079A5 (ja) | ||
| JP2017103467A5 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
| JP2014135478A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013153160A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2016139777A5 (ja) | 半導体装置および半導体装置の作製方法 | |
| JP2016146478A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2015079947A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2016001736A5 (ja) | ||
| JP2012160742A5 (ja) | ||
| JP2016518739A5 (ja) | ||
| PH12017500373A1 (en) | Conductive adhesive film | |
| JP2015035591A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2016039328A5 (ja) | ||
| JP2016027597A5 (ja) | ||
| JP2013236066A5 (ja) | ||
| JP2017201422A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2012202786A5 (ja) | ||
| EP2894682A3 (en) | Thermoelectric module and heat conversion device using the same | |
| JP2016027626A5 (ja) | 半導体装置 |