JP2015015472A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
20 トンネル層
32 第1導電型半導体層
34 第2導電型半導体層
36 トレンチ部
40 絶縁層
42 第1電極
44 第2電極
50 反射防止膜
60 パッシベーション膜
62 前面電界層
100 太陽電池
110 ベース領域
Claims (20)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の一面上に形成されるトンネル層と、
前記トンネル層上に形成される第1導電型半導体層と、
前記トンネル層上に形成される第2導電型半導体層と、を含み、
前記トンネル層上において前記第1及び第2導電型半導体層の境界部分の少なくとも一部に、前記第1及び第2導電型半導体層を分離する分離部分が位置する、太陽電池。 - 前記トンネル層は、前記半導体基板の一面上に全体的に形成され、
前記分離部分が、前記トンネル層及び前記半導体基板に形成されない、請求項1に記載の太陽電池。 - 平面視で、前記分離部分が、前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層との間に部分的に形成される、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記分離部分は、空き空間として構成されるトレンチ部を含む、請求項3に記載の太陽電池。
- 前記分離部分に真性半導体層が形成される、請求項3に記載の太陽電池。
- 前記真性半導体層が、多結晶、微細結晶、または非晶質シリコンを含む、請求項5に記載の太陽電池。
- 前記分離部分に位置した前記真性半導体層が、前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層との間を全体的に充填しながら形成される、請求項5に記載の太陽電池。
- 前記分離部分に位置した前記真性半導体層が、前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層との間に部分的に形成される、請求項5に記載の太陽電池。
- 前記分離部分に位置した前記真性半導体層が、前記第1導電型半導体層及び前記第2導電型半導体層のうち少なくとも一つと同一の厚さを有する、請求項5に記載の太陽電池。
- 前記分離部分に位置した前記真性半導体層が、前記第1導電型半導体層及び前記第2導電型半導体層よりも薄い厚さを有する、請求項5に記載の太陽電池。
- 平面視で、前記分離部分が、前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層との間に全体的に形成される、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記分離部分は、空き空間として構成されるトレンチ部を含む、請求項11に記載の太陽電池。
- 前記トレンチ部が、連続して形成される単一のトレンチ部として構成される、請求項12に記載の太陽電池。
- 前記第1導電型半導体層は、互いに並んで配置される複数の第1枝部を含み、
前記第2導電型半導体層は、互いに並んで配置される複数の第2枝部を含み、
前記トレンチ部は、前記第1枝部と前記第2枝部との間で前記第1及び第2枝部の長手方向に沿って長く延びる複数の第1トレンチ部分と、前記複数の第1トレンチ部分のうち互いに隣接する2つの第1トレンチ部分を交互に連結する第2トレンチ部分とを含む、請求項13に記載の太陽電池。 - 半導体基板の一面上に形成されるトンネル層を形成するステップと、
前記トンネル層上に、互いに接する第1導電型半導体層及び第2導電型半導体層を形成するステップと、
前記トンネル層上において前記第1及び第2導電型半導体層を選択的に除去して、前記第1及び第2導電型半導体層の境界部分の少なくとも一部にトレンチ部を形成するステップと、を含む、太陽電池の製造方法。 - 前記トレンチ部を形成するステップでは、前記トンネル層を除去せずに、前記第1及び第2導電型半導体層を除去する、請求項15に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記トレンチ部を形成するステップでは、前記トンネル層、そして、前記第1及び第2導電型半導体層に対するエッチング比が異なるエッチング溶液を使用するか、またはレーザーを使用する、請求項15に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記エッチング溶液がテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(tetramethylammonium hydroxide、TMAH)を含み、
前記トンネル層がシリコン酸化物を含み、
前記第1及び第2導電型半導体層がシリコンを含む、請求項17に記載の太陽電池の製造方法。 - 半導体基板を準備するステップと、
前記半導体基板の一面上にトンネル層を形成するステップと、
前記トンネル層上に真性半導体層を形成するステップと、
前記真性半導体層に第1導電型不純物及び第2導電型不純物をドープして、第1導電型半導体層及び第2導電型半導体層を形成するドーピングステップと、を含み、
前記ドーピングステップでは、前記第1導電型半導体層及び前記第2導電型半導体層の間の境界部分を部分的にドープしないことで分離部分を形成する、太陽電池の製造方法。 - 前記ドーピングステップは、
前記真性半導体層上に前記第1導電型不純物を含む第1ドーピング層を形成するステップと、
前記真性半導体層上において前記第1ドーピング層及び前記第1ドーピング層の周辺部の一部にアンドープ層を形成するステップと、
前記真性半導体層、前記第1ドーピング層及び前記アンドープ層上に全体的に前記第2導電型不純物を含む第2ドーピング層を形成するステップと、
熱処理により、前記第1導電型不純物及び前記第2導電型不純物を前記真性半導体層に拡散させて、前記第1導電型半導体層、前記第2導電型半導体層及び前記分離部分を同時に形成する拡散ステップと、を含み、
前記拡散ステップでは、前記第1導電型不純物が拡散された部分が前記第1導電型半導体層を構成し、前記第2導電型不純物が拡散された部分が前記第2導電型半導体層を構成し、前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層との間にドープされていない領域が前記分離部分を構成する、請求項19に記載の太陽電池の製造方法。
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016174154A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-29 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池 |
JP2016225627A (ja) * | 2015-05-28 | 2016-12-28 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2017005253A (ja) * | 2015-06-10 | 2017-01-05 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池の製造方法 |
JP2017069567A (ja) * | 2015-10-01 | 2017-04-06 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池 |
JP2017118112A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2017143267A (ja) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
US9887314B2 (en) | 2015-06-10 | 2018-02-06 | Lg Electronics Inc. | Method of manufacturing solar cell |
WO2018061769A1 (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法 |
JP2018082160A (ja) * | 2017-10-24 | 2018-05-24 | 信越化学工業株式会社 | 高光電変換効率太陽電池、その製造方法、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
JP2019009473A (ja) * | 2015-03-24 | 2019-01-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池セルの製造方法 |
JP2020170830A (ja) * | 2019-04-05 | 2020-10-15 | 株式会社アルバック | TOPCon−BC構造の結晶系太陽電池の製造方法、及びTOPCon−BC構造の結晶系太陽電池 |
US11201253B2 (en) | 2016-11-15 | 2021-12-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | High photovoltaic-conversion efficiency solar cell, method for manufacturing the same, solar cell module, and photovoltaic power generation system |
JP2024082212A (ja) * | 2022-12-07 | 2024-06-19 | ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド | 太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュール |
US12159952B2 (en) | 2022-06-01 | 2024-12-03 | Jinko Solar (Haining) Co., Ltd. | Photovoltaic cell and photovoltaic module |
JP2025023825A (ja) * | 2023-08-04 | 2025-02-17 | 横店集団東磁股▲ふん▼有限公司 | 太陽電池及びその製造方法 |
JP7636605B1 (ja) * | 2024-02-06 | 2025-02-26 | ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド | 太陽電池及び光起電力モジュール |
US12317642B2 (en) | 2022-12-07 | 2025-05-27 | Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. | Solar cell and photovoltaic module |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9012766B2 (en) | 2009-11-12 | 2015-04-21 | Silevo, Inc. | Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells |
US9214576B2 (en) | 2010-06-09 | 2015-12-15 | Solarcity Corporation | Transparent conducting oxide for photovoltaic devices |
US9773928B2 (en) | 2010-09-10 | 2017-09-26 | Tesla, Inc. | Solar cell with electroplated metal grid |
US9800053B2 (en) | 2010-10-08 | 2017-10-24 | Tesla, Inc. | Solar panels with integrated cell-level MPPT devices |
US9054256B2 (en) | 2011-06-02 | 2015-06-09 | Solarcity Corporation | Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application |
US9865754B2 (en) | 2012-10-10 | 2018-01-09 | Tesla, Inc. | Hole collectors for silicon photovoltaic cells |
WO2014110520A1 (en) | 2013-01-11 | 2014-07-17 | Silevo, Inc. | Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes |
US10074755B2 (en) | 2013-01-11 | 2018-09-11 | Tesla, Inc. | High efficiency solar panel |
US9412884B2 (en) | 2013-01-11 | 2016-08-09 | Solarcity Corporation | Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes |
JP6438678B2 (ja) * | 2014-05-14 | 2018-12-19 | Jxtgエネルギー株式会社 | 凹凸構造を有するフィルム部材 |
US10309012B2 (en) | 2014-07-03 | 2019-06-04 | Tesla, Inc. | Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing |
NL2013722B1 (en) * | 2014-10-31 | 2016-10-04 | Univ Delft Tech | Back side contacted wafer-based solar cells with in-situ doped crystallized thin-film silicon and/or silicon oxide regions. |
US9899546B2 (en) | 2014-12-05 | 2018-02-20 | Tesla, Inc. | Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste |
US9947822B2 (en) | 2015-02-02 | 2018-04-17 | Tesla, Inc. | Bifacial photovoltaic module using heterojunction solar cells |
CN105990465B (zh) * | 2015-02-03 | 2017-08-04 | 新日光能源科技股份有限公司 | 异质结硅晶太阳能电池及其制造方法 |
KR102317141B1 (ko) * | 2015-02-10 | 2021-10-22 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
US20160284917A1 (en) * | 2015-03-27 | 2016-09-29 | Seung Bum Rim | Passivation Layer for Solar Cells |
KR101686663B1 (ko) * | 2015-09-01 | 2016-12-14 | 금오공과대학교 산학협력단 | 후면 전극형 박막 솔라셀과 그의 제조방법 |
US9761744B2 (en) | 2015-10-22 | 2017-09-12 | Tesla, Inc. | System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer |
CN106784069A (zh) * | 2015-11-20 | 2017-05-31 | 上海神舟新能源发展有限公司 | 背表面隧道氧化钝化交指式背结背接触电池制作方法 |
US9842956B2 (en) | 2015-12-21 | 2017-12-12 | Tesla, Inc. | System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures |
US9502601B1 (en) * | 2016-04-01 | 2016-11-22 | Sunpower Corporation | Metallization of solar cells with differentiated P-type and N-type region architectures |
KR102547806B1 (ko) * | 2016-04-15 | 2023-06-28 | 오씨아이 주식회사 | 후면접합 실리콘 태양전지 제조방법 |
US10115838B2 (en) | 2016-04-19 | 2018-10-30 | Tesla, Inc. | Photovoltaic structures with interlocking busbars |
KR102586115B1 (ko) * | 2016-08-10 | 2023-10-10 | 오씨아이 주식회사 | 양면 수광형 실리콘 태양전지 |
CN106340557B (zh) * | 2016-10-08 | 2017-11-21 | 保定天威英利新能源有限公司 | 一种太阳能电池片及其组件 |
CN106449800B (zh) * | 2016-12-07 | 2019-04-05 | 天合光能股份有限公司 | 选择性多晶硅薄膜的钝化接触结构及其制备方法 |
CN106684160A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-05-17 | 中国科学院微电子研究所 | 一种背结背接触太阳能电池 |
CN106653887A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-05-10 | 中国科学院微电子研究所 | 一种背结背接触太阳能电池 |
US10672919B2 (en) | 2017-09-19 | 2020-06-02 | Tesla, Inc. | Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles |
JP2019110185A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | 株式会社アルバック | 太陽電池の製造方法 |
US11190128B2 (en) | 2018-02-27 | 2021-11-30 | Tesla, Inc. | Parallel-connected solar roof tile modules |
CN108649079A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-10-12 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池及其制备方法 |
CN113948589B (zh) * | 2020-06-30 | 2023-07-14 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种p型电池及其制作方法 |
CN114695593B (zh) * | 2020-12-30 | 2024-05-14 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 背接触电池的制备方法及背接触电池 |
CN116417536A (zh) * | 2021-12-29 | 2023-07-11 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池及其制备方法 |
CN116314361B (zh) * | 2023-03-31 | 2025-06-13 | 天合光能股份有限公司 | 太阳电池及太阳电池的制备方法 |
CN116632093A (zh) * | 2023-04-21 | 2023-08-22 | 晶科能源(海宁)有限公司 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
CN116825901B (zh) * | 2023-08-25 | 2023-11-21 | 天合光能股份有限公司 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及光伏系统 |
CN117352567A (zh) * | 2023-09-28 | 2024-01-05 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及光伏组件 |
CN118658923A (zh) * | 2024-05-31 | 2024-09-17 | 天合光能股份有限公司 | 太阳能电池的制备方法和太阳能电池 |
CN118983365A (zh) * | 2024-07-31 | 2024-11-19 | 上海交通大学 | Thbc太阳电池结构及其制备方法 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05114747A (ja) * | 1991-04-23 | 1993-05-07 | Us Government | 改良されたモノリシツクなタンデム型太陽電池 |
JP2003298078A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Ebara Corp | 光起電力素子 |
US20090293948A1 (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland | Method of manufacturing an amorphous/crystalline silicon heterojunction solar cell |
US20100154869A1 (en) * | 2008-12-24 | 2010-06-24 | Min-Seok Oh | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
US20110059571A1 (en) * | 2008-06-12 | 2011-03-10 | Denis De Ceuster | Trench Process and Structure for Backside Contact Solar Cells with Polysilicon Doped Regions |
US20120073647A1 (en) * | 2009-06-02 | 2012-03-29 | Helmholtz-Zentrum Berlin Fuer Materialien Und Energie Gmbh | Solar cell comprising neighboring electrically insulating passivation regions having high surface charges of opposing polarities and production method |
JP2012511258A (ja) * | 2008-12-04 | 2012-05-17 | サンパワー コーポレイション | ドープされたポリシリコン領域が形成されている裏面コンタクト型太陽電池 |
JP2012517121A (ja) * | 2009-02-05 | 2012-07-26 | アジア・ユニオン・エレクトロニック・ケミカル・コーポレーション | シリコン単結晶基板のダメージエッチング及びテクスチャリング方法 |
JP2012164961A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Samsung Sdi Co Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
US20120247560A1 (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | Seung Bum Rim | Thin Silicon Solar Cell And Method Of Manufacture |
US20120322199A1 (en) * | 2011-06-15 | 2012-12-20 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Patterned doping for polysilicon emitter solar cells |
JP2013077851A (ja) * | 2006-10-27 | 2013-04-25 | Kyocera Corp | 太陽電池素子 |
JP2013120863A (ja) * | 2011-12-08 | 2013-06-17 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060130891A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-06-22 | Carlson David E | Back-contact photovoltaic cells |
US7468485B1 (en) * | 2005-08-11 | 2008-12-23 | Sunpower Corporation | Back side contact solar cell with doped polysilicon regions |
DE102008030880A1 (de) * | 2007-12-11 | 2009-06-18 | Institut Für Solarenergieforschung Gmbh | Rückkontaktsolarzelle mit großflächigen Rückseiten-Emitterbereichen und Herstellungsverfahren hierfür |
TW201019482A (en) * | 2008-04-09 | 2010-05-16 | Applied Materials Inc | Simplified back contact for polysilicon emitter solar cells |
KR101142861B1 (ko) | 2009-02-04 | 2012-05-08 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
US20100229928A1 (en) * | 2009-03-12 | 2010-09-16 | Twin Creeks Technologies, Inc. | Back-contact photovoltaic cell comprising a thin lamina having a superstrate receiver element |
US8324015B2 (en) * | 2009-12-01 | 2012-12-04 | Sunpower Corporation | Solar cell contact formation using laser ablation |
JP5334926B2 (ja) | 2010-08-02 | 2013-11-06 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
WO2012026358A1 (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-01 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
KR20130050721A (ko) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양 전지 |
US8785233B2 (en) * | 2012-12-19 | 2014-07-22 | Sunpower Corporation | Solar cell emitter region fabrication using silicon nano-particles |
US9530923B2 (en) * | 2012-12-21 | 2016-12-27 | Sunpower Corporation | Ion implantation of dopants for forming spatially located diffusion regions of solar cells |
-
2013
- 2013-07-05 KR KR1020130079184A patent/KR101622089B1/ko active Active
-
2014
- 2014-07-03 EP EP14002285.6A patent/EP2822041B1/en active Active
- 2014-07-03 US US14/323,986 patent/US10833210B2/en active Active
- 2014-07-04 JP JP2014139004A patent/JP6254493B2/ja active Active
- 2014-07-04 CN CN201410319160.2A patent/CN104282782B/zh active Active
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05114747A (ja) * | 1991-04-23 | 1993-05-07 | Us Government | 改良されたモノリシツクなタンデム型太陽電池 |
JP2003298078A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Ebara Corp | 光起電力素子 |
JP2013077851A (ja) * | 2006-10-27 | 2013-04-25 | Kyocera Corp | 太陽電池素子 |
US20090293948A1 (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland | Method of manufacturing an amorphous/crystalline silicon heterojunction solar cell |
US20110059571A1 (en) * | 2008-06-12 | 2011-03-10 | Denis De Ceuster | Trench Process and Structure for Backside Contact Solar Cells with Polysilicon Doped Regions |
JP2011523231A (ja) * | 2008-06-12 | 2011-08-04 | サンパワー コーポレイション | トレンチ処理およびポリシリコンドーピング領域を持つ裏面コンタクト型太陽電池用の構造 |
JP2012511258A (ja) * | 2008-12-04 | 2012-05-17 | サンパワー コーポレイション | ドープされたポリシリコン領域が形成されている裏面コンタクト型太陽電池 |
US20100154869A1 (en) * | 2008-12-24 | 2010-06-24 | Min-Seok Oh | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
JP2012517121A (ja) * | 2009-02-05 | 2012-07-26 | アジア・ユニオン・エレクトロニック・ケミカル・コーポレーション | シリコン単結晶基板のダメージエッチング及びテクスチャリング方法 |
US20120073647A1 (en) * | 2009-06-02 | 2012-03-29 | Helmholtz-Zentrum Berlin Fuer Materialien Und Energie Gmbh | Solar cell comprising neighboring electrically insulating passivation regions having high surface charges of opposing polarities and production method |
JP2012164961A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Samsung Sdi Co Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
US20120247560A1 (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | Seung Bum Rim | Thin Silicon Solar Cell And Method Of Manufacture |
US20120322199A1 (en) * | 2011-06-15 | 2012-12-20 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Patterned doping for polysilicon emitter solar cells |
JP2013120863A (ja) * | 2011-12-08 | 2013-06-17 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10566483B2 (en) | 2015-03-17 | 2020-02-18 | Lg Electronics Inc. | Solar cell |
JP2017135421A (ja) * | 2015-03-17 | 2017-08-03 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池 |
JP2016174154A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-29 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池 |
JP2019009473A (ja) * | 2015-03-24 | 2019-01-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池セルの製造方法 |
JP2016225627A (ja) * | 2015-05-28 | 2016-12-28 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
US10777694B2 (en) | 2015-05-28 | 2020-09-15 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method of manufacturing the same |
US10388804B2 (en) | 2015-05-28 | 2019-08-20 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method of manufacturing the same |
JP2017005253A (ja) * | 2015-06-10 | 2017-01-05 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池の製造方法 |
US9887314B2 (en) | 2015-06-10 | 2018-02-06 | Lg Electronics Inc. | Method of manufacturing solar cell |
JP2018186278A (ja) * | 2015-06-10 | 2018-11-22 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池の製造方法 |
US10256364B2 (en) | 2015-06-10 | 2019-04-09 | Lg Electronics Inc. | Method of manufacturing solar cell |
JP2017069567A (ja) * | 2015-10-01 | 2017-04-06 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池 |
JP2017118112A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2017143267A (ja) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
JPWO2018061769A1 (ja) * | 2016-09-27 | 2019-07-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法 |
WO2018061769A1 (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法 |
US11201253B2 (en) | 2016-11-15 | 2021-12-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | High photovoltaic-conversion efficiency solar cell, method for manufacturing the same, solar cell module, and photovoltaic power generation system |
JP2018082160A (ja) * | 2017-10-24 | 2018-05-24 | 信越化学工業株式会社 | 高光電変換効率太陽電池、その製造方法、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
JP2020170830A (ja) * | 2019-04-05 | 2020-10-15 | 株式会社アルバック | TOPCon−BC構造の結晶系太陽電池の製造方法、及びTOPCon−BC構造の結晶系太陽電池 |
US12159952B2 (en) | 2022-06-01 | 2024-12-03 | Jinko Solar (Haining) Co., Ltd. | Photovoltaic cell and photovoltaic module |
JP2024082212A (ja) * | 2022-12-07 | 2024-06-19 | ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド | 太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュール |
JP2024098032A (ja) * | 2022-12-07 | 2024-07-19 | ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド | 太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュール |
US12317642B2 (en) | 2022-12-07 | 2025-05-27 | Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. | Solar cell and photovoltaic module |
JP2025023825A (ja) * | 2023-08-04 | 2025-02-17 | 横店集団東磁股▲ふん▼有限公司 | 太陽電池及びその製造方法 |
JP7636605B1 (ja) * | 2024-02-06 | 2025-02-26 | ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド | 太陽電池及び光起電力モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101622089B1 (ko) | 2016-05-18 |
US20150007879A1 (en) | 2015-01-08 |
EP2822041A1 (en) | 2015-01-07 |
US10833210B2 (en) | 2020-11-10 |
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CN104282782A (zh) | 2015-01-14 |
EP2822041B1 (en) | 2022-10-19 |
CN104282782B (zh) | 2016-09-14 |
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