CN116417536A - 一种太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

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CN116417536A CN202111644250.5A CN202111644250A CN116417536A CN 116417536 A CN116417536 A CN 116417536A CN 202111644250 A CN202111644250 A CN 202111644250A CN 116417536 A CN116417536 A CN 116417536A
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鲁伟明
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Abstract

本申请公开了一种太阳能电池，包括半导体基底，在所述半导体基底的一侧表面具有第一半导体膜层，第一半导体膜层具有第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的导电类型相反；所述第一掺杂区中含有第一掺杂剂和第二掺杂剂，所述第二掺杂区含有第二掺杂剂；在所述第一掺杂区中，所述第一掺杂剂的掺杂浓度大于所述第二掺杂剂的掺杂浓度。本申请还提供一种太阳能电池的制备方法。本申请所述的太阳能电池以及制备方法，仅需要一次图形化，即可以完成两个区域的掺杂半导体的制备。并且该方法制备的掺杂区，两极均为钝化接触结构，钝化效果好，金属区复合速率大幅降低，从而提升了电池的效率。

Description

一种太阳能电池及其制备方法
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种太阳能电池及其制备方法。
背景技术
目前现有的太阳电池结构中，背接触太阳电池由于正面没有电极遮挡，因此光电转换效率会更高。背接触电池的背面不同的区域上设置有p型区域和n型区域，然后在其上分别设置正极和负极。并且这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高，而且看上去更美观，同时，全背电极的组件更易于装配。IBC电池是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。
但由于IBC电池结构较为复杂，制备方法也较为复杂。通常需要至少两次图形化，才能完成p型区域和n型区域的图形化。CN113140656A公开了一种IBC太阳电池制备方法，即使用形成整面的第一导电半导体层，第一导电半导体层含有硼掺杂，然后在其上使用局域的磷掺杂，使得P型半导体的部分区域变成n型半导体层，这样即可以制备不同区域的不同掺杂导电类型区域，从而完成电池制备。但这种局部将P型掺杂区域变成n型掺杂区域的方法，使得P型掺杂区域内的硼掺杂剂至少受到了两次加热(第一次加热为硼掺杂本身的掺杂加热，第二次为磷掺杂剂掺杂加热)，使得n型掺杂区域内的硼掺杂剂更加深入基底或要求浓度更高，而n型掺杂区域内的硼导电掺杂剂实际上对于n型掺杂区域是无益的(n型掺杂区域内的硼掺杂剂的并不能提高n型掺杂区域的导电性或电子导电载流子浓度)，第二反而增加了第n型掺杂区域内的俄歇复合。另外，在CN113140656A中，先进行整面掺杂，再进行局部掺杂的方法，由于n型掺杂区域区域需要制备反型成为n型导电类型，因此必须要使得第二次局部掺杂的磷掺杂剂完全地将硼掺杂剂补偿完，因此需要局部掺杂步骤中(也即磷掺杂步骤)的浓度要求更高，并且局部掺杂(也即磷掺杂)的温度也需要更高。会造成基底经过更为严重的热处理过程(至少要经过两次热处理且局部掺杂的温度需要更高)，从而影响基底的少子寿命，从而降低电池转换效率。再有甚者，甚至会出现在半导体基底或者半导体膜的某些深处，硼掺杂剂(整体掺杂时的掺杂剂)不能被磷掺杂剂完全中和的情况，从而严重影响电池效率。
CN113224210A公开了一种IBC制备方法，仅需要一次高温热过程，但是这种方法制备而成的电池，仅有一个负极为钝化接触结构，而正极为非钝化接触结构，其金属复合速率非常大，所以导致效率不高。
发明内容
针对上述问题，本申请提出了一种太阳能电池及其制备方法，仅需要一次图形化，即可以完成两个区域的掺杂半导体的制备。并且该方法制备的掺杂区，两极均为钝化接触结构，钝化效果好，金属区复合速率大幅降低，从而提升了电池的效率。
本申请提供一种太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
提供半导体基底；
在所述半导体基底的一侧表面形成第一半导体膜层；
在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底的部分表面通过第一掺杂剂进行掺杂，所述第一掺杂剂扩散进入所述第一半导体膜层内，从而在所述第一半导体膜层上形成第一掺杂区；
在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底的整个表面通过第二掺杂剂进行掺杂，所述第二掺杂剂扩散进入所述第一半导体膜层内，从而形成与所述第一掺杂区并排的第二掺杂区；
所述第一掺杂区中含有第一掺杂剂和第二掺杂剂，所述第二掺杂区含有第二掺杂剂；
所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的导电类型相反。
进一步地，在所述第二掺杂剂掺杂前，所述第一掺杂区内的第一掺杂剂的峰值掺杂浓度为1×1019～5×1021atoms/cm3。
进一步地，在所述第二掺杂剂掺杂后，在所述第一掺杂区中，所述第一掺杂剂的掺杂浓度大于所述第二掺杂剂的掺杂浓度；
所述第一掺杂区内的第一掺杂剂的峰值掺杂浓度大于1×1020atoms/cm3；
在所述第二掺杂区中，所述第二掺杂剂的峰值掺杂浓度为1×1019～5×1019atoms/cm3。
进一步地，所述第一掺杂剂通过热处理或激光处理或离子注入的方式扩散掺杂到所述第一半导体膜层内，优选为激光处理的方式；
所述第二掺杂剂通过热处理或激光处理的方式扩散掺杂到所述第一半导体膜层内，优选为热处理的方式。
进一步地，所述热处理的峰值温度为850℃以上，优选为900℃以上，更优选为1000℃；和/或，所述热处理的时间为20～120min。
进一步地，所述太阳能电池还包括界面钝化层，
在所述半导体基底的一侧表面先形成界面钝化层，在所述界面钝化层背离所述半导体基底的一侧表面形成第一半导体膜层，
所述第一半导体膜层的表面经过第一掺杂剂以及第二掺杂剂的掺杂形成第一掺杂区和第二掺杂区；
在所述第一掺杂区以及第二掺杂区背离所述界面钝化层的一侧表面形成背面钝化层。
进一步地，位于所述第一掺杂区的上方的所述背面钝化层上形成贯穿所述背面钝化层，与所述第一掺杂区接触的第一电极；
位于所述第二掺杂区的上方的所述背面钝化层上形成贯穿所述背面钝化层，与所述第二掺杂区接触的第二电极。
进一步地，还包括如下步骤：
将所述第一掺杂区与所述第二掺杂区交界处的第一半导体膜层去掉，从而使得所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间具有隔离区。
进一步地，位于所述隔离区处的所述背面钝化层与所述隔离区共形。
进一步地，所述第一掺杂剂为第VA族元素或第IIIA族元素，所述第二掺杂剂为第VA族元素或第IIIA族元素，优选为第一掺杂剂为第VA族元素，所述第二掺杂剂为第IIIA族元素。
进一步地，所述第一半导体膜层的厚度为50-200nm；
和/或，所述第一半导体膜层选自本征非晶硅层、微晶硅层或多晶硅层中的一种。
本申请提供一种太阳能电池，包括半导体基底，在所述半导体基底的一侧表面具有第一半导体膜层，在所述第一半导体膜层上具有并排的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的导电类型相反；
所述第一掺杂区中含有第一掺杂剂和第二掺杂剂，所述第二掺杂区含有第二掺杂剂；
所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的导电类型相反。
进一步地，在所述半导体基底靠近所述第一掺杂区的一侧内形成第三掺杂区，所述第三掺杂区含有第一掺杂剂；和/或
在所述半导体基底靠近所述第二掺杂区的一侧内形成第四掺杂区，所述第四掺杂区内含有第二掺杂剂。
进一步地，在所述第三掺杂区内，所述第一掺杂剂的峰值掺杂浓度为5×1019～3×1021atoms/cm3；
所述第四掺杂区内，所述第二掺杂剂的峰值掺杂浓度为5×1018～5×1019atoms/cm3。
进一步地，所述第一掺杂区为n型导电类型或p型导电类型，优选为n型导电类型，第二掺杂区为n型导电类型或p型导电类型，优选为p型导电类型。
进一步地，在所述第一掺杂区内，所述第一掺杂剂的掺杂浓度从远离所述半导体基底基底的一侧表面到靠近所述半导体基底的一侧表面的掺杂浓度逐渐减小；
在所述第一掺杂区在远离所述半导体基底的一侧表面上的所述第一掺杂剂掺杂浓度最高，为峰值掺杂浓度；
在所述第二掺杂区内，第二掺杂剂的掺杂浓度从远离所述半导体基底的一侧表面到靠近所述半导体基底的一侧表面的掺杂浓度逐渐减小；
在所述第二掺杂区在远离所述半导体基底的一侧表面上的所述第二掺杂剂掺杂浓度最高，为峰值掺杂浓度。
进一步地，在所述第一掺杂区内，所述第一掺杂剂的掺杂浓度从远离所述半导体基底的一侧表面到靠近所述半导体基底的一侧表面的掺杂浓度相同；
在所述第二掺杂区内，所述第二掺杂剂的掺杂浓度从远离所述半导体基底的一侧表面到靠近所述半导体基底的一侧表面的掺杂浓度相同。
进一步地，所述太阳能电池为前述方法制备的太阳能电池。
本申请提供的太阳能电池的制备方法，仅需要一次图形化，即可以完成两个区域的掺杂半导体的制备。并且该方法制备的掺杂区，两极均为钝化接触结构，钝化效果好，金属区复合速率大幅降低，从而提升了电池的效率，本太阳能电池制备方法先掺杂了高浓度的掺杂剂，因此第二次整体掺杂时，第二掺杂剂无论掺杂多少(只要不高于第一次掺杂的浓度)，都不会影响局部区域的导电类型，也不会出现该中和而未中和的情况。扩大了第二次整体掺杂时的工艺窗口；并且这种背接触制备方法仅需要一次高温热处理，减少了高温热处理带来的热损伤。
附图说明
附图用于更好地理解本申请，不构成对本申请的不当限定。其中：
图1为本申请提供的太阳能电池的结构示意图。
图2为本申请提供的太阳能电池的结构示意图。
附图标记说明
1-第一掺杂区，2-第一电极，3-第二电极，4-背面钝化层，5-第二掺杂区，6-界面钝化层，7-半导体基底，8-隔离区。
具体实施方式
以下对本申请的示范性实施例做出说明，其中包括本申请实施例的各种细节以助于理解，应当将它们认为仅仅是示范性的。因此，本领域普通技术人员应当认识到，可以对这里描述的实施例做出各种改变和修改，而不会背离本申请的范围和精神。同样，为了清楚和简明，以下的描述中省略了对公知功能和结构的描述。在本申请中上下位置依据光线入射方向而定，光线入射处为上。
本申请提供两种太阳能电池，具体如下：
如图1所示，第一种太阳能电池，包括半导体基底7，在所述半导体基底7上依次设置有界面钝化层6、第一半导体膜层以及背面钝化层4，所述第一半导体膜层包括并排设置的第一掺杂区1和第二掺杂区5，所述第一掺杂区1与所述第二掺杂区5的导电类型相反(所述第一掺杂区1为n型导电类型，第二掺杂区5为p型导电类型)；所述第一掺杂区1中含有第一掺杂剂和第二掺杂剂，所述第二掺杂区5含有第二掺杂剂；在所述第一掺杂区1中，所述第一掺杂剂的掺杂浓度大于所述第二掺杂剂的掺杂浓度。
由于所述第一掺杂剂的掺杂浓度大于所述第二掺杂剂的掺杂浓度，因此在所述第一掺杂区1内的导电类型与第一掺杂剂的导电类型相同。因此，所述第一掺杂区1的导电类型与所述第二掺杂区5的导电类型相反。
位于所述第一掺杂区1上方还设置有第一电极2，所述第一电极2穿过所述背面钝化层4与所述第一掺杂区1接触。
位于所述第二掺杂区5上方还设置有第二电极3，所述第二电极3穿过所述背面钝化层4与所述第二掺杂区5接触。
所述第一电极2以及第二电极3可以为金、银或铝。
导电类型可以使用ECV等的测试，也可以使用pn笔测试得到。
掺杂浓度的测定，使用ECV方法测试。
所述第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区以及第四掺杂区内的掺杂元素可以通过STEM表征出来，也可以通过SIMS表征出来。
在本申请中，所述第一半导体膜层可以为本征非晶硅层、多晶硅层或微晶硅层，优选为本征非晶硅层，因为本征非晶硅的制备温度更低，相对来说工艺时间也会更节省。所述第一半导体膜层的厚度为50-200nm，例如可以为50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm、150nm、160nm、170nm、180nm、190nm或200nm。
所述半导体基底7为硅基底或锗基底。
在本申请中，所述界面钝化层6可以为氧化物层、氮化物层、碳化物层、氢化非晶硅层中的一种或多种，所述氧化物层包括：氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、HfO2、Ga2O3、Ta2O5、Nb2O5中的一种或多种的混合物，所述氮化物层包括：氮化硅、氮化铝、TiN、TiCN中的一种或多种，所述碳化物包括：SiC、SiCN等。
具体地，所述界面钝化层6可以为隧穿氧化层，其厚度为0.5-5nm，例如可以为0.5nm、1nm、1.5nm、2nm、2.5nm、3nm、3.5nm、4nm、4.5nm或5nm。
在本申请中，所述背面钝化层4可以为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成。
在所述背面钝化层4背离所述第一掺杂区1以及第二掺杂区5的一侧表面还可以设置有减反射层。
在所述半导体基底7背离所述界面钝化层6的一侧表面还依次设置有正面钝化层和减反射层，所述正面钝化层可以为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成。
在本申请中，在所述第一掺杂区1中，所述第一掺杂剂的峰值掺杂浓度大于1×1020atoms/cm3，例如可以为2×1020atoms/cm3、3×1020atoms/cm3、4×1020atoms/cm3、5×1020atoms/cm3、6×1020atoms/cm3、7×1020atoms/cm3、8×1020atoms/cm3、9×1020atoms/cm3、1×1021atoms/cm3、2×1021atoms/cm3或3×1021atoms/cm3等。
在所述第一掺杂区1中，所述第二掺杂剂的峰值掺杂浓度为1×1019-5×1019atoms/cm3，例如可以为1×1019atoms/cm3、2×1019atoms/cm3或3×1019atoms/cm3、4×1019atoms/cm3、5×1019atoms/cm3等。
在所述第二掺杂区5中，所述第二掺杂剂的峰值掺杂浓度为1×1019-5×1019atoms/cm3，例如可以为1×1019atoms/cm3、2×1019atoms/cm3或3×1019atoms/cm3、4×1019atoms/cm3、5×1019atoms/cm3等。
在一个具体实施方式中，在所述第一掺杂区1内所述第一掺杂剂以及第二掺杂剂的掺杂浓度从远离所述半导体基底7的一侧表面到靠近所述半导体基底7的一侧表面的掺杂浓度逐渐减小。在所述第一掺杂区1在远离所述半导体基底7的一侧表面上的所述第一掺杂剂以及第二掺杂剂掺杂浓度最高，均为峰值掺杂浓度。在所述第二掺杂区5内，第二掺杂剂的掺杂浓度从远离所述半导体基底7的一侧表面到靠近所述半导体基底7的一侧表面的掺杂浓度逐渐减小；在所述第二掺杂区5在远离所述半导体基底7的一侧表面上的所述第二掺杂剂掺杂浓度最高，为峰值掺杂浓度。
在另一个具体实施方式中，在所述第一掺杂区1内，所述第一掺杂剂的掺杂浓度从远离所述半导体基底7的一侧表面到靠近所述半导体基底7的一侧表面的掺杂浓度相同；
在所述第二掺杂区5内，所述第二掺杂剂的掺杂浓度从远离所述半导体基底7的一侧表面到靠近所述半导体基底7的一侧表面的掺杂浓度相同。
在本申请中，所述第一掺杂剂为第VA族元素或第IIIA族元素，优选为第VA族元素，所述第二掺杂剂为第VA族元素或第IIIA族元素，优选为第IIIA族元素。
具体地，所述第一掺杂剂优选为磷，所述第二掺杂剂优选为硼。
含磷掺杂物一般包括：POCl3(一般在热扩散时使用)、PH3(磷烷，会在离子注入，或者原位掺杂等的时候使用)、含磷氧化硅(APCVD法掺杂)等。含硼的掺杂物一般包括：BBr3、BCl3(BBr3和BCl3均为热扩散时使用)，B2H6(乙硼烷一般在原位掺杂，或者离子注入时使用)。
掺杂剂就是通过掺杂物掺杂进去的物质，例如掺杂物为POCl3时，掺杂剂为磷。
在所述半导体基底7靠近所述第一掺杂区1的一侧内形成第三掺杂区，所述第三掺杂区含有第一掺杂剂和第二掺杂剂，和/或在所述半导体基底7靠近所述第二掺杂区5的一侧内形成第四掺杂区，所述第四掺杂区内含有第二掺杂剂。
优选地，在所述第三掺杂区内，所述第一掺杂剂的峰值掺杂浓度为5×1019～3×1021atoms/cm3，例如可以为5×1019atoms/cm3、6×1019atoms/cm3、7×1019atoms/cm3、8×1019atoms/cm3、9×1019atoms/cm3、1×1020atoms/cm3、2×1020atoms/cm3、3×1020atoms/cm3、4×1020atoms/cm3、5×1020atoms/cm3、6×1020atoms/cm3、7×1020atoms/cm3、8×1020atoms/cm3、9×1020atoms/cm3、1×1021atoms/cm3、2×1021atoms/cm3或3×1021atoms/cm3。
所述第二掺杂剂的峰值掺杂浓度为5×1018～5×1019atoms/cm3。例如可以为5×1018atoms/cm3、6×1018atoms/cm3、7×1018atoms/cm3、8×1018atoms/cm3、9×1018atoms/cm3、1×1019atoms/cm3、2×1019atoms/cm3、3×1019atoms/cm3、4×1019atoms/cm3、5×1019atoms/cm3。
优选地，所述第四掺杂区内，所述第二掺杂剂的峰值掺杂浓度为
5×1018～5×1019atoms/cm3。例如可以为5×1018atoms/cm3、6×1018atoms/cm3、7×1018atoms/cm3、8×1018atoms/cm3、9×1018atoms/cm3、1×1019atoms/cm3、2×1019atoms/cm3、3×1019atoms/cm3、4×1019atoms/cm3、5×1019atoms/cm3。
在一个具体实施方式中，在所述半导体基底7靠近所述第一掺杂区1的一侧内含有第一掺杂剂和第二掺杂剂，形成第三掺杂区(未示出)，在所述半导体基底7靠近所述第二掺杂区5的一侧内含有不含有第二掺杂剂，没有第四掺杂区(未示出)。
在另一个具体实施方式中，在所述半导体基底7靠近所述第一掺杂区1的一侧内含有第一掺杂剂和第二掺杂剂，形成第三掺杂区，在所述半导体基底7靠近所述第二掺杂区5的一侧内含有第二掺杂剂，形成第四掺杂区。
由于第一半导体膜层比较薄，无法提供足够的横向导电能力，因此半导体基底内的掺杂，可以在半导体基底表面形成浓度梯度，从而提高电流的纵向收集能力和横向传输能力。
所述第一种太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
步骤一：提供半导体基底7；
步骤二：在所述半导体基底7的一侧表面形成第一半导体膜层；
步骤三：在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底7的部分表面通过第一掺杂剂进行掺杂，所述第一掺杂剂扩散进入所述第一半导体膜层内，从而在所述第一半导体膜层上形成第一掺杂区1；
步骤四：在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底7的整个表面通过第二掺杂剂进行掺杂，所述第二掺杂剂扩散进入所述第一半导体膜层内，从而形成与所述第一掺杂区1并排的第二掺杂区5；
所述第一掺杂区1中含有第一掺杂剂和第二掺杂剂，所述第二掺杂区5含有第二掺杂剂；
在所述第一掺杂区1中，所述第一掺杂剂的峰值掺杂浓度大于所述第二掺杂剂的峰值掺杂浓度。
由于所述第一掺杂剂的掺杂浓度大于所述第二掺杂剂的掺杂浓度，因此在所述第一掺杂区1内的导电类型与第一掺杂剂的导电类型相同。因此，所述第一掺杂区1的导电类型与所述第二掺杂区5的导电类型相反。
在步骤二中，首先使用LPCVD在所述半导体基底7的一侧表面形成界面钝化层6，使用温度为400-700℃，在所述界面钝化层6背离所述半导体基底7的一侧表面形成第一半导体膜层。界面钝化层6的厚度为0.5-5nm，例如可以为0.5nm、1nm、1.5nm、2nm、2.5nm、3nm、3.5nm、4nm、4.5nm或5nm。所述第一半导体膜层的厚度为50-200nm，例如可以为50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm、150nm、160nm、170nm、180nm、190nm或200nm。
在步骤三中，所述第一掺杂剂通过热处理或激光处理的方式扩散掺杂到所述第一半导体膜层内。
具体地，在所述第一半导体膜层的第一区域进行磷元素掺杂或者含磷材料涂布或者磷原子的注入，使用方法可以包括，热沉积方式、磷浆涂布(印刷涂布等方法)、含磷氧化硅的沉积或激光处理等方式，也可以将部分或者全部的磷分布于第一区域的第一半导体膜层中(即第一掺杂区)，使用加热或者其他方法，使得磷在第一半导体膜层中有一定的分布。优选为激光处理方式，相比于加热方法，激光处理的优势在于，可以通过简单的激光辐照，在需要掺杂或者加热的区域进行激光辐照，而在非必要区域则可以不用辐照，减少了对电池其他区域的热损伤。也可以免去掩膜制备，掩膜去除等的一系列步骤。离子注入除了要先注入，还需要整体加热进行退火。磷浆印刷涂布等方法，也需要先印刷、烘干，然后进行整体加热。
所述第一掺杂区1内的第一掺杂剂的峰值掺杂浓度为1×1019～5×
1021atoms/cm3，优选为2×1020-3×1021atoms/cm3，例如可以为1×1019atoms/cm3、1×1020atoms/cm3、1×1021atoms/cm3、2×1021atoms/cm3、3×1021atoms/cm3、4×1021atoms/cm3或5×1021atoms/cm3。
当采用热处理将第一掺杂剂到所述第一半导体膜层内时，由于热处理峰值温度(峰值温度在850℃以上)较高，所述第一半导体膜层中的非晶硅或微晶硅会转化为多晶硅，从而可以提高第一半导体膜层的电导率。
在步骤四中，所述第二掺杂剂通过热处理或激光处理的方式扩散掺杂到所述第一半导体膜层内，优选为热处理。
具体地，所述第二掺杂剂可以使用离子注入、热扩散沉积方式或激光处理方式在整个在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底7的一侧表面或者内部形成第二掺杂剂的掺杂。
经过第二掺杂剂掺杂后，第一区域中的第一半导体膜层既有第一掺杂剂，也有第二掺杂剂，但总体来说第一掺杂剂的掺杂浓度较高，使得整个第一区域呈现第一导电类型(即第一掺杂区呈现第一导电类型)。
在所述第二掺杂剂掺杂后，所述第一掺杂区1内的第一掺杂剂的峰值掺杂浓度大于1×1020atoms/cm3，所述第二掺杂剂的峰值掺杂浓度为1×1019～5×1019atoms/cm3。
通过热处理，使得第二掺杂剂能够快速转移到第一区域中的第一半导体膜层中，使得第一区域的第一半导体膜层内既掺杂有IIIA元素，也掺杂有VA元素。在第一区域中，IIIA元素和VA优选的情况下，掺杂浓度都在1×1019atoms/cm3以上。VA族元素更高。
所述热处理的峰值温度为850℃以上，优选为900℃以上，更优选为1000℃。例如可以为850℃、900℃、1000℃、1100℃、1200℃等
在所述热处理峰值温度的时间为10min以上，优选为20～120min。
当第一掺杂剂采用激光处理工艺，第二掺杂剂采用热处理工艺的优点有：一)在热处理过程中，还可以使得第一掺杂剂以及第二掺杂剂进一步分布，或者使得所述第一半导体膜层的结构发生变化，更有利于电池性能的提升。例如，加热退火使得非晶半导体膜层或者微晶半导体膜层进一步晶化为多晶硅半导体膜层，提高第一半导体膜层的电导率；二)加热退火使得界面钝化层6(例如隧穿氧化层)上的钝化性和导电性优化，可能原因是由于在隧穿氧化层中形成pinhole等，使得隧穿氧化层的导电性变强，更有利于进行载流子选择性和传输性。三)还可以使得离子注入的第一掺杂剂被激活(磷激活)，并且修复第一掺杂剂注入过程中产生的高能损伤。四)加热可以使得掺杂元素进入隧穿层和半导体基底7中，从而减少传输电阻。
当第一掺杂剂使用热处理工艺，那么第二掺杂剂采用热处理工艺的优点有一)在热处理过程中，还可以使得第一掺杂剂以及第二掺杂剂进一步分布。三)还可以使得离子注入的第一掺杂剂被激活(磷激活)，并且修复第一掺杂剂注入过程中产生的高能损伤。四)加热可以使得掺杂元素进入隧穿层和半导体基底7中，从而减少传输电阻。
可选地，在热处理后，可以设置有去除在加热过程中可能形成的氧化膜，去除所述氧化膜层使用的溶液中包含氟元素，具体可以使用含HF或者NH4F等的溶液等去除所述的氧化硅层。
所述方法还包括如下步骤：
步骤五：在所述第一掺杂区1以及第二掺杂区5的表面形成背面钝化层4，同时在所述半导体基底7背离所述界面钝化层6的一侧表面形成正面钝化层。
步骤六：在所述背面钝化层4的背离所述第一掺杂区1以及第二掺杂区5的一侧表面形成减反射层。
步骤七：在所述第一掺杂区1的上方形成贯穿所述减反射层以及背面钝化层4的第一电极2，同时，在所述第二掺杂区5的上方形成贯穿所述减反射层以及背面钝化层4的第二电极3。
具体地，形成电极的方法包括多种，可以直接使用烧穿型浆料涂覆在背面钝化层4上，然后经过热处理使得电极浆料穿过背面钝化层4与掺杂区形成接触。也可以先在背面钝化层4上开孔，然后使用电极浆料、激光转印法、电镀、化学镀、光诱导电镀等方法，或者蒸发、溅射等物理气相沉积等方法形成电极。显然地，也可以使用以上方法中的一种或者多种方法的结合来形成电极。
所述第一种太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
步骤一：提供半导体基底7；
步骤二：在所述半导体基底7的一侧表面形成第一半导体膜层；
具体地，首先使用LPCVD在所述半导体基底7的一侧表面形成界面钝化层6，使用温度为400-700℃，在所述界面钝化层6背离所述半导体基底7的一侧表面形成第一半导体膜层。界面钝化层6的厚度为0.5-5nm，例如可以为0.5nm、1nm、1.5nm、2nm、2.5nm、3nm、3.5nm、4nm、4.5nm或5nm。所述第一半导体膜层的厚度为50-200nm，例如可以为50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm、150nm、160nm、170nm、180nm、190nm或200nm。
所述第一半导体膜层可以为本征非晶硅层、微晶硅层或多晶硅层。
步骤三：在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底7的部分表面通过第一掺杂剂进行掺杂，所述第一掺杂剂扩散进入所述第一半导体膜层内，从而在所述第一半导体膜层上形成第一掺杂区1；
具体地，所述第一掺杂剂通过热处理或激光处理的方式扩散掺杂到所述第一半导体膜层内。
具体地，在所述第一半导体膜层的第一区域进行磷元素掺杂或者含磷材料涂布或者磷原子的注入，使用方法可以包括，热沉积方式、磷浆涂布(印刷涂布等方法)、含磷氧化硅的沉积或激光处理等方式，也可以将部分或者全部的磷分布于第一区域的第一半导体膜层中(即第一掺杂区)，使用加热或者其他方法，使得磷在第一半导体膜层中有一定的分布。优选为激光处理方式，相比于加热方法，激光处理的优势在于，可以通过简单的激光辐照，在需要掺杂或者加热的区域进行激光辐照，而在非必要区域则可以不用辐照，减少了对电池其他区域的热损伤。也可以免去掩膜制备，掩膜去除等的一系列步骤。离子注入除了要先注入，还需要整体加热进行退火。磷浆印刷涂布等方法，也需要先印刷、烘干，然后进行整体加热。
所述第一掺杂区1内的第一掺杂剂的峰值掺杂浓度为1×1019～5×
1021atoms/cm3，优选为2×1020-3×1021atoms/cm3，例如可以为1×1019atoms/cm3、1×1020atoms/cm3、1×1021atoms/cm3、2×1021atoms/cm3、3×1021atoms/cm3、4×1021atoms/cm3或5×1021atoms/cm3。
当采用热处理将第一掺杂剂到所述第一半导体膜层内时，由于热处理峰值温度(峰值温度在850℃以上)较高，所述第一半导体膜层中的非晶硅或微晶硅会转化为多晶硅，从而可以提高第一半导体膜层的电导率。
步骤四：在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底7的整个表面通过第二掺杂剂进行掺杂，所述第二掺杂剂扩散进入所述第一半导体膜层内，从而形成与所述第一掺杂区1并排的第二掺杂区5；
所述第一掺杂区1中含有第一掺杂剂和第二掺杂剂，所述第二掺杂区5含有第二掺杂剂；
在所述第一掺杂区1中，所述第一掺杂剂的掺杂浓度大于所述第二掺杂剂的掺杂浓度。
具体地，所述第二掺杂剂通过热处理或激光处理的方式扩散掺杂到所述第一半导体膜层内，优选为热处理。
具体地，所述第二掺杂剂可以使用离子注入、热扩散沉积方式或激光处理方式在整个在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底7的一侧表面或者内部形成第二掺杂剂的掺杂。
经过第二掺杂剂掺杂后，第一区域中的第一半导体膜层既有第一掺杂剂，也有第二掺杂剂，但总体来说第一掺杂剂的掺杂浓度较高，使得整个第一区域呈现第一导电类型(即第一掺杂区呈现第一导电类型)。
在所述第二掺杂剂掺杂后，所述第一掺杂区1内的第一掺杂剂的峰值掺杂浓度大于1×1020atoms/cm3，所述第二掺杂剂的峰值掺杂浓度为1×1019～5×1019atoms/cm3。
通过热处理，使得第二掺杂剂能够快速转移到第一区域中的第一半导体膜层中，使得第一区域的第一半导体膜层内既掺杂有IIIA元素，也掺杂有VA元素。在第一区域中，IIIA元素和VA优选的情况下，掺杂浓度都在1×1019atoms/cm3以上。VA族元素更高。
所述热处理的峰值温度为850℃以上，优选为900℃以上，更优选为1000℃。例如可以为850℃、900℃、1000℃、1100℃、1200℃等
在所述热处理峰值温度的时间为10min以上，优选为20～120min。
当第一掺杂剂采用激光处理工艺，第二掺杂剂采用热处理工艺的优点有：一)在热处理过程中，还可以使得第一掺杂剂以及第二掺杂剂进一步分布，或者使得所述第一半导体膜层的结构发生变化，更有利于电池性能的提升。例如，加热退火使得非晶半导体膜层或者微晶半导体膜层进一步晶化为多晶硅半导体膜层，提高第一半导体膜层的电导率；二)加热退火使得界面钝化层6(例如隧穿氧化层)上的钝化性和导电性优化，可能原因是由于在隧穿氧化层中形成pinhole等，使得隧穿氧化层的导电性变强，更有利于进行载流子选择性和传输性。三)还可以使得离子注入的第一掺杂剂被激活(磷激活)，并且修复第一掺杂剂注入过程中产生的高能损伤。四)加热可以使得掺杂元素进入隧穿层和半导体基底7中，从而减少传输电阻。
当第一掺杂剂使用热处理工艺，那么第二掺杂剂采用热处理工艺的优点有一)在热处理过程中，还可以使得第一掺杂剂以及第二掺杂剂进一步分布。三)还可以使得离子注入的第一掺杂剂被激活(磷激活)，并且修复第一掺杂剂注入过程中产生的高能损伤。四)加热可以使得掺杂元素进入隧穿层和半导体基底7中，从而减少传输电阻。
可选地，在热处理后，可以设置有去除在加热过程中可能形成的氧化膜，去除所述氧化膜层使用的溶液中包含氟元素，具体可以使用含HF或者NH4F等的溶液等去除所述的氧化硅层。
步骤五：在所述第一掺杂区1以及第二掺杂区5的表面形成背面钝化层4，同时在所述半导体基底7背离所述界面钝化层6的一侧表面形成正面钝化层。
步骤六：在所述背面钝化层4的背离所述第一掺杂区1以及第二掺杂区5的一侧表面形成减反射层。
步骤七：在所述第一掺杂区1的上方形成贯穿所述减反射层以及背面钝化层4的第一电极2，同时，在所述第二掺杂区5的上方形成贯穿所述减反射层以及背面钝化层4的第二电极3。
具体地，形成电极的方法包括多种，可以直接使用烧穿型浆料涂覆在背面钝化层4上，然后经过热处理使得电极浆料穿过背面钝化层4与掺杂区形成接触。也可以先在背面钝化层4上开孔，然后使用电极浆料、激光转印法、电镀、化学镀、光诱导电镀等方法，或者蒸发、溅射等物理气相沉积等方法形成电极。显然地，也可以使用以上方法中的一种或者多种方法的结合来形成电极。
如图2所示，第二种太阳能电池，包括包括半导体基底7，在所述半导体基底7上依次设置有界面钝化层6、第一半导体膜层以及背面钝化层4，所述第一半导体膜层包括并排设置的第一掺杂区1和第二掺杂区5，所述第一掺杂区1与第二掺杂区5之间设置有隔离区8，所述第一掺杂区1与所述第二掺杂区5的导电类型相反(所述第一掺杂区1为n型导电类型，第二掺杂区5为p型导电类型)；所述第一掺杂区1中含有第一掺杂剂和第二掺杂剂，所述第二掺杂区5含有第二掺杂剂；在所述第一掺杂区1中，所述第一掺杂剂的掺杂浓度大于所述第二掺杂剂的掺杂浓度。
位于所述第一掺杂区1上方还设置有第一电极2，所述第一电极2穿过所述背面钝化层4与所述第一掺杂区1接触。
位于所述第二掺杂区5上方还设置有第二电极3，所述第二电极3穿过所述背面钝化层4与所述第二掺杂区5接触。
所述第一电极2以及第二电极3可以为金、银或铝。
所述第二种太阳能电池和第一种太阳能电池的区别仅在于第二种太阳能电池中的第一掺杂区1和第二掺杂区5之间具有隔离区8，因此第二种太阳能电池中的半导体基底7、界面钝化层6、掺杂区、背面钝化层4以及第一电极2和第二电极3均可以参考第一种太阳能电池，
所述隔离区8的深度为h为300nm-1μm，例如可以为300nm、400nm、500nm、600nm、700nm、800nm、900nm或1μm。所述隔离区8的宽度为w为10-200μm，优选30-100μm。例如可以为10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm、90μm、100μm、110μm、120μm、130μm、140μm、150μm、160μm、170μm、180μm、190μm或200μm。
位于所述隔离区8处的所述背面钝化层6与所述隔离区8共形。
所述间隔区8用于隔离p型和n型半导体区域，以防止漏电，也防止击穿侧向pn结导致发热等现象的出现。在本申请的方案中，由于所述第一掺杂区中既有p型掺杂，又有n型掺杂，因此，隔离区的存在更为重要。
所述背面钝化层4在所述第一掺杂区1、隔离区8以及第二掺杂区5的厚度相等。
第二种太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
步骤一：提供半导体基底7；
步骤二：在所述半导体基底7的一侧表面形成第一半导体膜层；
步骤三：在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底7的部分表面通过第一掺杂剂进行掺杂，所述第一掺杂剂扩散进入所述第一半导体膜层内，从而在所述第一半导体膜层上形成第一掺杂区1；
步骤四：在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底7的整个表面通过第二掺杂剂进行掺杂，所述第二掺杂剂扩散进入所述第一半导体膜层内，从而形成与所述第一掺杂区1并排的第二掺杂区5；
所述第一掺杂区1中含有第一掺杂剂和第二掺杂剂，所述第二掺杂区5含有第二掺杂剂；
在所述第一掺杂区1中，所述第一掺杂剂的掺杂浓度大于所述第二掺杂剂的掺杂浓度。
步骤五：将所述第一掺杂区1与所述第二掺杂区5交界处的第一半导体膜层去掉，从而使得所述第一掺杂区1与所述第二掺杂区5之间具有隔离区8。
具体地，使用激光直接将第一半导体膜层去除，甚至还可以去除部分半导体基底7，这样使得隔离区8的深度较深，间隔区越深，隔离效果越好。因为一般情况下，第一半导体膜层中的掺杂剂都会有一定的量穿过界面钝化层而来到半导体基底中，因此半导体基底中的掺杂也如前面描述，会有漏电或者击穿发热的危险，因此间隔区伸入半导体基底内，可以减小漏电或者击穿发热的危险。
在步骤二中，首先使用LPCVD在所述半导体基底7的一侧表面形成界面钝化层6，使用温度为400-700℃，在所述界面钝化层6背离所述半导体基底7的一侧表面形成第一半导体膜层。界面钝化层6的厚度为0.5-5nm，例如可以为0.5nm、1nm、1.5nm、2nm、2.5nm、3nm、3.5nm、4nm、4.5nm或5nm。所述第一半导体膜层的厚度为70-200nm，例如可以为70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm、150nm、160nm、170nm、180nm、190nm或200nm。
在步骤三中，所述第一掺杂剂通过热处理或激光处理的方式扩散掺杂到所述第一半导体膜层内。
具体地，在所述第一半导体膜层的第一区域进行磷元素掺杂或者含磷材料涂布或者磷原子的注入，使用方法可以包括，热沉积方式、磷浆涂布(印刷涂布等方法)、含磷氧化硅的沉积或激光处理等方式，也可以将部分或者全部的磷分布于第一区域的第一半导体膜层中(即第一掺杂区)，使用加热或者其他方法，使得磷在第一半导体膜层中有一定的分布。优选为激光处理方式，相比于加热方法，激光处理的优势在于，可以通过简单的激光辐照，在需要掺杂或者加热的区域进行激光辐照，而在非必要区域则可以不用辐照，减少了对电池其他区域的热损伤。也可以免去掩膜制备，掩膜去除等的一系列步骤。离子注入除了要先注入，还需要整体加热进行退火。磷浆印刷涂布等方法，也需要先印刷、烘干，然后进行整体加热。
所述第一掺杂区1内的第一掺杂剂的峰值掺杂浓度为1×1019～5×
1021atoms/cm3，例如可以为1×1019atoms/cm3、1×1020atoms/cm3或1×
1021atoms/cm3、2×1021atoms/cm3、3×1021atoms/cm3、4×1021atoms/cm3或5×1021atoms/cm3。
当采用热处理将第一掺杂剂到所述第一半导体膜层内时，由于热处理峰值温度(峰值温度在850℃以上)较高，所述第一半导体膜层中的非晶硅或微晶硅会转化为多晶硅，从而可以提高第一半导体膜层的电导率。
在步骤四中，所述第二掺杂剂通过热处理或激光处理的方式扩散掺杂到所述第一半导体膜层内，优选为热处理。
具体地，所述第二掺杂剂可以使用离子注入、热扩散沉积方式或激光处理方式在整个在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底7的一侧表面或者内部形成第二掺杂剂的掺杂。
经过第二掺杂剂掺杂后，第一区域中的第一半导体膜层既有第一掺杂剂，也有第二掺杂剂，但总体来说第一掺杂剂的掺杂浓度较高，使得整个第一区域呈现第一导电类型(第一掺杂区呈现第一导电类型)。
在所述第二掺杂剂掺杂后，所述第一掺杂区1内的第一掺杂剂的峰值掺杂浓度大于1×1020atoms/cm3，所述第二掺杂剂的峰值掺杂浓度为1×1019～5×1019atoms/cm3。在所述第二掺杂区中，所述第二掺杂剂的峰值掺杂浓度为1×1019～5×1019atoms/cm3。
通过热处理，使得第二掺杂剂能够快速转移到第一区域中的第一半导体膜层中，使得第一区域的第一半导体膜层内既掺杂有IIIA元素，也掺杂有VA元素。在第一区域中，IIIA元素和VA优选的情况下，掺杂浓度都在1×1019atoms/cm3以上。VA族元素更高。
所述热处理的峰值温度为850℃以上，优选为900℃以上，更优选为1000℃。例如可以为850℃、900℃、1000℃、1100℃、1200℃等
在所述热处理峰值温度的时间为10min以上，优选为20～120min。
当第一掺杂剂采用激光处理工艺，第二掺杂剂采用热处理工艺的优点有：一)在热处理过程中，还可以使得第一掺杂剂以及第二掺杂剂进一步分布，或者使得所述第一半导体膜层的结构发生变化，更有利于电池性能的提升。例如，加热退火使得非晶半导体膜层或者微晶半导体膜层进一步晶化为多晶硅半导体膜层，提高第一半导体膜层的电导率；二)加热退火使得界面钝化层6(例如隧穿氧化层)上的钝化性和导电性优化，可能原因是由于在隧穿氧化层中形成pinhole等，使得隧穿氧化层的导电性变强，更有利于进行载流子选择性和传输性。三)还可以使得离子注入的第一掺杂剂被激活(磷激活)，并且修复第一掺杂剂注入过程中产生的高能损伤。四)加热可以使得掺杂元素进入隧穿层和半导体基底7中，从而减少传输电阻。
当第一掺杂剂使用热处理工艺，那么第二掺杂剂采用热处理工艺的优点有一)在热处理过程中，还可以使得第一掺杂剂以及第二掺杂剂进一步分布。三)还可以使得离子注入的第一掺杂剂被激活(磷激活)，并且修复第一掺杂剂注入过程中产生的高能损伤。四)加热可以使得掺杂元素进入隧穿层和半导体基底7中，从而减少传输电阻。
可选地，在热处理后，可以设置有去除在加热过程中可能形成的氧化膜，去除所述氧化膜层使用的溶液中包含氟元素，具体可以使用含HF或者NH4F等的溶液等去除所述的氧化硅层。
所述方法还包括如下步骤：
步骤六：在所述第一掺杂区1以及第二掺杂区5的表面形成背面钝化层4，同时在所述半导体基底7背离所述界面钝化层6的一侧表面形成正面钝化层。
步骤七：在所述背面钝化层4的背离所述第一掺杂区1以及第二掺杂区5的一侧表面形成减反射层。
步骤八：在所述第一掺杂区1的上方形成贯穿所述减反射层以及背面钝化层4的第一电极2，同时，在所述第二掺杂区5的上方形成贯穿所述减反射层以及背面钝化层4的第二电极3。
具体地，形成电极的方法包括多种，可以直接使用烧穿型浆料涂覆在背面钝化层4上，然后经过热处理使得电极浆料穿过背面钝化层4与掺杂区形成接触。也可以先在背面钝化层4上开孔，然后使用电极浆料、激光转印法、电镀、化学镀、光诱导电镀等方法，或者蒸发、溅射等物理气相沉积等方法形成电极。显然地，也可以使用以上方法中的一种或者多种方法的结合来形成电极。
实施例
下述实施例中所使用的实验方法如无特殊要求，均为常规方法。
下述实施例中所使用的材料、试剂等，如无特殊说明，均可从商业途径得到。
实施例1
本实施例中的太阳能电池为第一种太阳能电池，包括如下步骤：
步骤一：提供硅基底作为半导体基底7；
步骤二：使用LPCVD在所述半导体基底7的一侧表面形成界面钝化层6，使用温度为500℃，在所述界面钝化层6背离所述半导体基底7的一侧表面形成本征非晶硅层(即第一半导体膜层)。界面钝化层6的厚度为1nm，所述本征非晶硅层的厚度为100nm。
步骤三：在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底7的部分表面，通过激光处理的方式，对含磷掺杂物(如含磷氧化硅)进行激光辐照，使得磷元素扩散掺杂进入所述第一半导体膜层内，从而在所述第一半导体膜层上形成第一掺杂区1，第一掺杂区1为n型导电类型；
所述第一掺杂区1内的含磷掺杂物的峰值掺杂浓度为2×1020atoms/cm3。
步骤四：使用BBr3或者BCl3作为气源，在通入氧气的情况下，在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底7的整个表面，通过含硼掺杂物(BBr3)热处理，使得硼扩散进入所述第一半导体膜层内，从而形成与所述第一掺杂区1并排的第二掺杂区5；所述第一掺杂区1中含有第一掺杂剂和第二掺杂剂，所述第二掺杂区5含有第二掺杂剂，所述第一掺杂区1为n型导电类型；所述第二掺杂区5为p型导电类型；
在所述第二掺杂剂掺杂后，所述第一掺杂区1内的第一掺杂剂的峰值掺杂浓度为2×1020atoms/cm3，所述第二掺杂剂的峰值掺杂浓度为1×1019atoms/cm3。
所述热处理的峰值温度为900℃，在所述热处理峰值温度的时间为30min。
步骤五：在所述第一掺杂区1以及第二掺杂区5的表面形成背面钝化层4(厚度为15nm的氧化铝层)，同时在所述半导体基底7背离所述界面钝化层6的一侧表面形成正面钝化层(厚度为15nm的氧化铝层)。
步骤六：在所述背面钝化层4的背离所述第一掺杂区1以及第二掺杂区5的一侧表面形成减反射层。减反射层为氮化硅，厚度为80nm。
步骤七：在所述第一掺杂区1的上方形成贯穿所述减反射层以及背面钝化层4的第一电极2，同时，在所述第二掺杂区5的上方形成贯穿所述减反射层以及背面钝化层4的第二电极3。
所述第一电极2和第二电极3均为银电极。
所述太阳能电池的性能如表1以及表2所示。
实施例2
本实施例中的太阳能电池为第一种太阳能电池，包括如下步骤：
步骤一：提供硅基底作为半导体基底7；
步骤二：使用LPCVD在所述半导体基底7的一侧表面形成界面钝化层6，使用温度为500℃，在所述界面钝化层6背离所述半导体基底7的一侧表面形成本征非晶硅层(即第一半导体膜层)。界面钝化层6的厚度为1nm，所述本征非晶硅层的厚度为100nm。
步骤三：在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底7的部分表面，通过激光处理的方式将对含磷掺杂物(如含磷氧化硅)扩散掺杂，所述含磷掺杂剂扩散进入所述第一半导体膜层内，从而在所述第一半导体膜层上形成第一掺杂区1,第一掺杂区1为n型导电类型；
所述第一掺杂区1内的含磷掺杂剂的峰值掺杂浓度为2×1020atoms/cm3。
步骤四：使用BBr3或者BCl3作为气源，在通入氧气的情况下，在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底7的整个表面通过含硼掺杂物(BBr3)热处理，使得硼扩散进入所述第一半导体膜层内，从而形成与所述第一掺杂区1并排的第二掺杂区5；所述第一掺杂区1中含有第一掺杂剂和第二掺杂剂，所述第二掺杂区5含有第二掺杂剂,所述第一掺杂区1为n型导电类型；所述第二掺杂区5为p型导电类型；
在所述第二掺杂剂掺杂后，所述第一掺杂区1内的第一掺杂剂的峰值掺杂浓度为2×1020atoms/cm3，所述第二掺杂剂的峰值掺杂浓度为1×1019atoms/cm3。
所述热处理的峰值温度为900℃，在所述热处理峰值温度的时间为30min。
步骤五：在所述第一掺杂区1以及所述第二掺杂区5背离所述界面钝化层6的一侧表面形成氧化硅层，然后使用激光，将所述第一掺杂区1与所述第二掺杂区5交界处的氧化硅层去掉，然后使用KOH溶液清洗直接进行清洗，将去掉氧化硅层处的第一掺杂区1和第二掺杂区5以及其下方的界面钝化层6去除，从而形成隔离区8。所述隔离区8的深度h为0.5μm，宽度w为80μm。
步骤六：在所述第一掺杂区1以及第二掺杂区5的表面形成背面钝化层4(厚度为15nm的氧化铝层)，同时在所述半导体基底7背离所述界面钝化层6的一侧表面形成正面钝化层(厚度为15nm的氧化铝层)。
步骤七：在所述背面钝化层4的背离所述第一掺杂区1以及第二掺杂区5的一侧表面形成减反射层。减反射层为氮化硅，厚度为80nm。
步骤八：在所述第一掺杂区1的上方形成贯穿所述减反射层以及背面钝化层4的第一电极2，同时，在所述第二掺杂区5的上方形成贯穿所述减反射层以及背面钝化层4的第二电极3。
所述第一电极2和第二电极3均为银电极。
所述太阳能电池的性能如表1以及表2所示。
实施例3
实施例3与实施例1的不同之处在于步骤三，本实施例的步骤三为：在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底7的部分表面，使用印刷磷浆料进行扩散掺杂，通过峰值温度不超过880℃的工艺，将磷掺杂入第一半导体膜层的第一区域中，从而形成第一掺杂区1，所述第一掺杂区1内的含磷掺杂剂的峰值掺杂浓度为4×1020atoms/cm3。
实施例4
实施例4与实施例1的不同之处在于步骤三，本实施例的步骤三为：在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底7的部分表面，使用离子注入进行磷掺杂，离子注入剂量1×1015atoms/cm2，含磷掺杂物为PH3(磷烷)，将磷掺杂入第一半导体膜层的第一区域中，从而形成第一掺杂区1，所述第一掺杂区1内的含磷掺杂剂的峰值掺杂浓度为2×1020atoms/cm3。
所述太阳能电池的性能如表1以及表2所示。
对比例1
本对比例1中的太阳能电池为第一种太阳能电池，包括如下步骤：
步骤一：提供硅基底作为半导体基底；
步骤二：使用LPCVD在所述半导体基底的一侧表面形成界面钝化层，使用温度为500℃，在所述界面钝化层背离所述半导体基底的一侧表面形成本征非晶硅层。界面钝化层的厚度为1nm，所述本征非晶硅层的厚度为150nm。
步骤三：使用BBr3或者BCl3作为气源，在通入氧气的情况下，在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底的整个表面，通过含硼掺杂物(BBr3)热处理，使得硼扩散进入所述第一半导体膜层内。硼扩散的峰值温度为1000℃，在所述热处理峰值温度的时间为60min。
步骤四：在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底的部分表面，通过离子注入方法，使得磷元素扩散掺杂进入所述第一半导体膜层的一定深度内，然后再进行加热激活处理，从而在所述第一半导体膜层上形成第一掺杂区；所述激活热处理的峰值温度为900℃，在所述热处理峰值温度的时间为30min。所述第一掺杂区内的含磷掺杂物的峰值掺杂浓度为2×1020atoms/cm3。从而形成与所述第一掺杂区并排的第二掺杂区；所述第一掺杂区中含有第一掺杂剂和第二掺杂剂，所述第二掺杂区含有第二掺杂剂；所述第一掺杂剂为磷掺杂剂，第二掺杂剂为硼掺杂剂，所述第一掺杂区为n型导电类型，第二掺杂区为P型导电类型，在所述第二掺杂剂掺杂后，所述第一掺杂区内的第一掺杂剂的峰值掺杂浓度为2×1020atoms/cm3，所述第二掺杂剂的峰值掺杂浓度为2×1019atoms/cm3。
步骤五：在所述第一掺杂区以及第二掺杂区的表面形成背面钝化层(厚度为15nm的氧化铝层)，同时在所述半导体基底背离所述界面钝化层的一侧表面形成正面钝化层(厚度为15nm的氧化铝层)。
步骤六：在所述背面钝化层的背离所述第一掺杂区以及第二掺杂区的一侧表面形成减反射层。减反射层为氮化硅，厚度为80nm。
步骤七：在所述第一掺杂区的上方形成贯穿所述减反射层以及背面钝化层的第一电极，同时，在所述第二掺杂区的上方形成贯穿所述减反射层以及背面钝化层的第二电极。所述第一电极和第二电极均为银电极。
所述太阳能电池的性能如表1以及表2所示。
表1
Figure BDA0003443178930000231
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Figure BDA0003443178930000241
表2
能量转换效率Eff/％ 开路电压Voc/mV 短路电流密度Jsc/mA/cm2 填充因子FF/％
实施例1 25.83 738 42.16 83.01
实施例2 25.97 739 42.25 83.19
实施例3 25.79 736 42.18 83.08
实施例4 25.76 737 42.15 82.94
对比例1 25.48 733 42.13 82.51
小结：结合表1和表2可知，本申请实施例1-4的太阳能电池的开路电压远大于对比例1的开路电压，大大降低n型掺杂区的俄歇复合，同时降低了p型掺杂区和n型掺杂区的串联电阻，提升了填充因子，实施例1和实施例2采用激光进行局部处理，在需要掺杂或者加热的区域进行激光辐照，而在非必要区域则可以不用辐照，减少了对电池其他区域的热损伤。也可以免去掩膜制备，掩膜去除等的一系列步骤，效率相对于实施例3和实施例4的转换效率略有提升，实施例4有隔离区，用于隔离p型和n型半导体区域，以防止漏电，也防止击穿侧向pn结导致发热等现象的出现，开路电压、填充因子和短路电流都得到了明显提升。
尽管以上结合对本申请的实施方案进行了描述，但本申请并不局限于上述的具体实施方案和应用领域，上述的具体实施方案仅仅是示意性的、指导性的，而不是限制性的。本领域的普通技术人员在本说明书的启示下和在不脱离本申请权利要求所保护的范围的情况下，还可以做出很多种的形式，这些均属于本申请保护之列。

Claims (18)

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供半导体基底；
在所述半导体基底的一侧表面形成第一半导体膜层；
在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底的部分表面通过第一掺杂剂进行掺杂，所述第一掺杂剂扩散进入所述第一半导体膜层内，从而在所述第一半导体膜层上形成第一掺杂区；
在所述第一半导体膜层背离所述半导体基底的整个表面通过第二掺杂剂进行掺杂，所述第二掺杂剂扩散进入所述第一半导体膜层内，从而形成与所述第一掺杂区并排的第二掺杂区；
所述第一掺杂区中含有第一掺杂剂和第二掺杂剂，所述第二掺杂区含有第二掺杂剂；
所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的导电类型相反。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二掺杂剂掺杂前，所述第一掺杂区内的第一掺杂剂的峰值掺杂浓度为1×1019～5×1021atoms/cm3。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二掺杂剂掺杂后，在所述第一掺杂区中，所述第一掺杂剂的掺杂浓度大于所述第二掺杂剂的掺杂浓度；
所述第一掺杂区内的第一掺杂剂的峰值掺杂浓度大于1×1020atoms/cm3；
在所述第二掺杂区中，所述第二掺杂剂的峰值掺杂浓度为1×1019～5×1019atoms/cm3。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂剂通过热处理或激光处理或离子注入的方式扩散掺杂到所述第一半导体膜层内，优选为激光处理的方式；
所述第二掺杂剂通过热处理或激光处理的方式扩散掺杂到所述第一半导体膜层内，优选为热处理的方式。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述热处理的峰值温度为850℃以上，优选为900℃以上，更优选为1000℃；和/或，所述热处理的时间为20～120min。
6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述太阳能电池还包括界面钝化层，
在所述半导体基底的一侧表面先形成界面钝化层，在所述界面钝化层背离所述半导体基底的一侧表面形成第一半导体膜层，
所述第一半导体膜层的表面经过第一掺杂剂以及第二掺杂剂的掺杂形成第一掺杂区和第二掺杂区；
在所述第一掺杂区以及第二掺杂区背离所述界面钝化层的一侧表面形成背面钝化层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，位于所述第一掺杂区的上方的所述背面钝化层上形成贯穿所述背面钝化层，与所述第一掺杂区接触的第一电极；
位于所述第二掺杂区的上方的所述背面钝化层上形成贯穿所述背面钝化层，与所述第二掺杂区接触的第二电极。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，还包括如下步骤：
将所述第一掺杂区与所述第二掺杂区交界处的第一半导体膜层去掉，从而使得所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间具有隔离区。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，位于所述隔离区处的所述背面钝化层与所述隔离区共形。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂剂为第VA族元素或第IIIA族元素，所述第二掺杂剂为第VA族元素或第IIIA族元素，优选为第一掺杂剂为第VA族元素，所述第二掺杂剂为第IIIA族元素。
11.根据权利要求1-10任一项所述的方法，其特征在于，所述第一半导体膜层的厚度为50-200nm；
和/或，所述第一半导体膜层选自本征非晶硅层、微晶硅层或多晶硅层中的一种。
12.一种太阳能电池，其特征在于，包括半导体基底，在所述半导体基底的一侧表面具有第一半导体膜层，在所述第一半导体膜层上具有并排的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的导电类型相反；
所述第一掺杂区中含有第一掺杂剂和第二掺杂剂，所述第二掺杂区含有第二掺杂剂；
所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的导电类型相反。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池，其特征在于，在所述半导体基底靠近所述第一掺杂区的一侧内形成第三掺杂区，所述第三掺杂区含有第一掺杂剂；和/或
在所述半导体基底靠近所述第二掺杂区的一侧内形成第四掺杂区，所述第四掺杂区内含有第二掺杂剂。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，在所述第三掺杂区内，所述第一掺杂剂的峰值掺杂浓度为5×1019～3×1021atoms/cm3；
所述第四掺杂区内，所述第二掺杂剂的峰值掺杂浓度为5×1018～5×1019atoms/cm3。
15.根据权利要求12-14任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂区为n型导电类型或p型导电类型，优选为n型导电类型，第二掺杂区为n型导电类型或p型导电类型，优选为p型导电类型。
16.根据权利要求12-14任一项所述的太阳能电池，其特征在于，
在所述第一掺杂区内，所述第一掺杂剂的掺杂浓度从远离所述半导体基底基底的一侧表面到靠近所述半导体基底的一侧表面的掺杂浓度逐渐减小，
在所述第一掺杂区在远离所述半导体基底的一侧表面上的所述第一掺杂剂掺杂浓度最高，为峰值掺杂浓度；
在所述第二掺杂区内，第二掺杂剂的掺杂浓度从远离所述半导体基底的一侧表面到靠近所述半导体基底的一侧表面的掺杂浓度逐渐减小，
在所述第二掺杂区在远离所述半导体基底的一侧表面上的所述第二掺杂剂掺杂浓度最高，为峰值掺杂浓度。
17.根据权利要求12-14任一项所述的太阳能电池，其特征在于，
在所述第一掺杂区内，所述第一掺杂剂的掺杂浓度从远离所述半导体基底的一侧表面到靠近所述半导体基底的一侧表面的掺杂浓度相同；
在所述第二掺杂区内，所述第二掺杂剂的掺杂浓度从远离所述半导体基底的一侧表面到靠近所述半导体基底的一侧表面的掺杂浓度相同。
18.根据权利要求12-17任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池为权利要求1-11任一项所述的方法制备的太阳能电池。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117239103B (zh) * 2023-11-10 2024-02-23 浙江帕瓦新能源股份有限公司 高镍三元正极材料及其制备方法、锂离子电池

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101622089B1 (ko) * 2013-07-05 2016-05-18 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
US20150349180A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 David D. Smith Relative dopant concentration levels in solar cells
DE102014215893A1 (de) * 2014-08-11 2016-02-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Erzeugen von Dotierbereichen in einer Halbleiterschicht eines Halbleiterbauelementes
CN106299024A (zh) * 2016-08-26 2017-01-04 泰州中来光电科技有限公司 一种背接触太阳能电池的制备方法及其电池和组件、系统
US10686087B2 (en) * 2016-09-19 2020-06-16 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117954518A (zh) * 2024-03-26 2024-04-30 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池、太阳能电池的制造方法及光伏组件

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