JP2014206729A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014206729A5 JP2014206729A5 JP2014038329A JP2014038329A JP2014206729A5 JP 2014206729 A5 JP2014206729 A5 JP 2014206729A5 JP 2014038329 A JP2014038329 A JP 2014038329A JP 2014038329 A JP2014038329 A JP 2014038329A JP 2014206729 A5 JP2014206729 A5 JP 2014206729A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shift
- film
- shift mask
- light
- mask blank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 12
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 5
- 230000001340 slower Effects 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 23
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 19
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 19
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N HF Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium(0) Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims 2
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton(0) Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon(0) Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon(0) Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N Chromium carbide Chemical compound [Cr]#C[Cr]C#[Cr] UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 claims 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052813 nitrogen oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 102100008019 GNA11 Human genes 0.000 description 1
- 101700048596 GNA11 Proteins 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014038329A JP6324756B2 (ja) | 2013-03-19 | 2014-02-28 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013056295 | 2013-03-19 | ||
JP2013056295 | 2013-03-19 | ||
JP2014038329A JP6324756B2 (ja) | 2013-03-19 | 2014-02-28 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018075943A Division JP6553240B2 (ja) | 2013-03-19 | 2018-04-11 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014206729A JP2014206729A (ja) | 2014-10-30 |
JP2014206729A5 true JP2014206729A5 (fr) | 2017-03-09 |
JP6324756B2 JP6324756B2 (ja) | 2018-05-16 |
Family
ID=51758359
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014038329A Active JP6324756B2 (ja) | 2013-03-19 | 2014-02-28 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
JP2018075943A Active JP6553240B2 (ja) | 2013-03-19 | 2018-04-11 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018075943A Active JP6553240B2 (ja) | 2013-03-19 | 2018-04-11 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6324756B2 (fr) |
KR (2) | KR102134487B1 (fr) |
TW (2) | TWI707053B (fr) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6324756B2 (ja) * | 2013-03-19 | 2018-05-16 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
JP6661262B2 (ja) * | 2014-05-29 | 2020-03-11 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスクの製造方法 |
JP6391495B2 (ja) * | 2015-02-23 | 2018-09-19 | Hoya株式会社 | フォトマスク、フォトマスクセット、フォトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 |
JP6502143B2 (ja) * | 2015-03-27 | 2019-04-17 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
WO2016162157A1 (fr) * | 2015-04-07 | 2016-10-13 | Asml Netherlands B.V. | Dispositifs de formation de motifs pour utilisation dans un appareil lithographique, procédés de fabrication et d'utilisation de tels dispositifs de formation de motifs |
JP6726553B2 (ja) * | 2015-09-26 | 2020-07-22 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 |
JP2017182052A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-10-05 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び表示装置の製造方法 |
TWI615668B (zh) * | 2016-11-18 | 2018-02-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 相位移光罩的形成方法 |
JP2018106022A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | Hoya株式会社 | 表示装置製造用フォトマスクの製造方法および表示装置の製造方法 |
SG10201911900YA (en) * | 2017-02-27 | 2020-02-27 | Hoya Corp | Mask blank, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device |
US11048160B2 (en) * | 2017-06-14 | 2021-06-29 | Hoya Corporation | Mask blank, phase shift mask and method for manufacturing semiconductor device |
CN110196530B (zh) * | 2018-02-27 | 2024-05-14 | Hoya株式会社 | 相移掩模坯料、相移掩模的制造方法、及显示装置的制造方法 |
JP7073246B2 (ja) * | 2018-02-27 | 2022-05-23 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 |
WO2020054131A1 (fr) * | 2018-09-14 | 2020-03-19 | 株式会社ニコン | Ébauche de masque à décalage de phase, masque à décalage de phase, procédé d'exposition à la lumière et procédé de production de dispositif |
JP7217620B2 (ja) * | 2018-11-22 | 2023-02-03 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクスおよびマスク |
JP7059234B2 (ja) * | 2018-11-30 | 2022-04-25 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法 |
JP7303077B2 (ja) * | 2019-09-10 | 2023-07-04 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクスの製造方法及びフォトマスクの製造方法、マスクブランクス及びフォトマスク |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61272746A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-03 | Asahi Glass Co Ltd | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
JPH02198835A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-07 | Toppan Printing Co Ltd | マスター用ガラス基板 |
JPH06123961A (ja) * | 1992-10-12 | 1994-05-06 | Hoya Corp | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク並びに位相シフトマスクの製造方法 |
KR100295385B1 (ko) * | 1993-04-09 | 2001-09-17 | 기타지마 요시토시 | 하프톤위상쉬프트포토마스크,하프톤위상쉬프트포토마스크용블랭크스및이들의제조방법 |
JP3229446B2 (ja) * | 1993-07-13 | 2001-11-19 | 大日本印刷株式会社 | ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス |
JP3256345B2 (ja) * | 1993-07-26 | 2002-02-12 | アルバック成膜株式会社 | フォトマスクブランクスおよびフォトマスク |
JPH0876353A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-22 | Nec Corp | 位相シフトマスクの製造方法 |
JPH08123010A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-17 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクおよびそれに用いるマスクブランク |
JP2001174973A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-06-29 | Dainippon Printing Co Ltd | ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス |
JP2001147516A (ja) * | 2000-11-27 | 2001-05-29 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
JP4919259B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2012-04-18 | Hoya株式会社 | マスクブランク及びフォトマスク |
JP5115953B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2013-01-09 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
JP5588633B2 (ja) * | 2009-06-30 | 2014-09-10 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクの製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法及び位相シフトマスク |
JP5274393B2 (ja) * | 2009-06-30 | 2013-08-28 | アルバック成膜株式会社 | ハーフトーンマスクの製造方法 |
CN102834773B (zh) * | 2010-04-09 | 2016-04-06 | Hoya株式会社 | 相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模 |
JP6324756B2 (ja) * | 2013-03-19 | 2018-05-16 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
-
2014
- 2014-02-28 JP JP2014038329A patent/JP6324756B2/ja active Active
- 2014-03-12 TW TW107105445A patent/TWI707053B/zh active
- 2014-03-12 TW TW103108822A patent/TWI622659B/zh active
- 2014-03-18 KR KR1020140031753A patent/KR102134487B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-04-11 JP JP2018075943A patent/JP6553240B2/ja active Active
-
2020
- 2020-07-08 KR KR1020200084084A patent/KR102246114B1/ko active IP Right Grant
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014206729A5 (fr) | ||
JP6367401B2 (ja) | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、位相シフトマスク及びその製造方法、並びに表示装置の製造方法 | |
JP6553240B2 (ja) | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 | |
KR102078430B1 (ko) | 위상 시프트 마스크 블랭크 및 그 제조 방법과 위상 시프트 마스크의 제조 방법 | |
JP2015102633A5 (fr) | ||
TWI711876B (zh) | 光罩基底、光罩基底之製造方法、及使用其等之光罩之製造方法、以及顯示裝置之製造方法 | |
KR101916498B1 (ko) | 위상 시프트 마스크 블랭크 및 그 제조 방법과, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 | |
KR102339725B1 (ko) | 위상 시프트 마스크 블랭크 및 그 제조 방법과 위상 시프트 마스크의 제조 방법 | |
JP2022179355A (ja) | ブランクマスク及びそれを用いたフォトマスク | |
CN109782525B (zh) | 掩模基底及其制造方法、相移掩模及其制造方法 | |
TWI828864B (zh) | 光罩基底、光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法 | |
CN111025840B (zh) | 掩模坯、半色调掩模、掩模坯的制造方法及半色调掩模的制造方法 | |
JP7217620B2 (ja) | マスクブランクスおよびマスク |