TWI711876B - 光罩基底、光罩基底之製造方法、及使用其等之光罩之製造方法、以及顯示裝置之製造方法 - Google Patents

光罩基底、光罩基底之製造方法、及使用其等之光罩之製造方法、以及顯示裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種可將遮罩圖案剖面形狀垂直化之光罩基底及其製造方法。本發明提供一種使用其等之光罩之製造方法、以及顯示裝置之製造方法。 本發明之光罩基底具有透明基板1、遮光層2、及反射降低層3，遮光層2包含含有鉻及氮之鉻化合物，反射降低層3包含含有鉻、氮及氧之鉻化合物，反射降低層3中所包含之鉻之含量少於遮光層2中所包含之鉻之含量，反射降低層3係積層複數層而成之積層膜，反射降低層3之表面側之上層部32中所包含之氧含量，多於反射降低層3之遮光層側之下層部31中所包含之氧含量，於上層部32之表面側具有實質上不含碳之區域，該區域係朝向最表面而氧連續地增加，且氧相對於氮之比率(O/N)之最大值為5以上。

Description

光罩基底、光罩基底之製造方法、及使用其等之光罩之製造方法、以及顯示裝置之製造方法
本發明係關於一種光罩基底、光罩基底之製造方法、及使用其等之光罩(轉印用遮罩)之製造方法、以及使用藉由該製造方法而製造之光罩之顯示裝置之製造方法。
例如，以LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示裝置)為代表之FPD(Flat Panel Display，平板顯示裝置)等顯示裝置中，隨著大畫面化、廣視角化，高精細化、高速顯示化正快速發展。用於該高精細化、高速顯示化而需要之要素之一係微細且尺寸精度較高之元件或配線等電路圖案之製作。於該顯示裝置用電路之圖案化多採用光微影。因此，需要形成有微細且高精度之圖案之顯示裝置製造用之光罩。 關於顯示裝置製造用之光罩，就提高所使用之圖案之微細度及遮罩圖案之描畫產能之觀點而言，一般而言，於遮罩圖案描畫中使用波長為413 nm等之雷射光。而且，為了利用雷射描畫形成較高之尺寸精度之遮罩圖案，一般而言，形成於合成石英等透明基板上之遮罩圖案(遮光膜圖案)包含遮罩圖案用遮光膜，該遮罩圖案用遮光膜具有將製造顯示裝置時之曝光之光(微影中所使用之曝光之光)遮光之遮光層與降低上述雷射描畫光之反射之反射降低層之積層構造。藉由形成於遮光層上之反射降低層而抑制雷射描畫光之反射，可形成較高之尺寸精度之遮罩圖案。 此種光罩基底及使用其之光罩之製造方法、以及顯示裝置之製造方法之技術揭示於專利文獻1中。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2016-105158
[發明所欲解決之問題] 為了降低畫素缺陷或電路缺陷而以較高之良率製造如上所述之顯示裝置，需求圖案之精度較高之光罩。因此，需求滿足所需之光學性能，缺陷較少，可形成較高之精度之圖案之光罩基底。 影響光罩之光學性能或圖案之精度之主要因素之一有圖案的剖面形狀之垂直化。 一般而言，顯示裝置之製造中之轉印用圖案之尺寸大於半導體裝置製造所需之轉印用圖案之尺寸。然而，作為半導體裝置製造用之光罩，通常使用縮小投影用遮罩，與此相對，作為顯示裝置製造用之光罩，通常使用等倍曝光用之遮罩(等倍遮罩)。由於該遮罩倍率之差異，故而於顯示裝置製造用之光罩中，因遮罩圖案之縱橫比(遮罩圖案之高度H相對於寬度W之比：H/W)之關係，而遮罩圖案之剖面形狀之傾斜區域之寬度相對於縮小投影用遮罩之該寬度於被轉印之後變得更大。又，於顯示裝置製造用之光罩(等倍遮罩)中，遮罩圖案之剖面形狀之傾斜本身亦對轉印性能造成影響。因此，於應對顯示裝置製造中之微細圖案形成需求之方面，使其傾斜儘可能接近垂直較重要。 本發明鑒於上述方面，其目的在於提供一種可製造能夠形成具有接近垂直之剖面形狀之遮罩圖案，藉此可高精度地形成微細圖案之光罩之光罩基底及其製造方法。又，本發明之目的在於提供一種使用其等之光罩之製造方法、以及顯示裝置之製造方法。 [解決問題之技術手段] (構成1) 一種光罩基底，其特徵在於：其係具有包含對於曝光之光實質上為透明之材料之透明基板、於上述透明基板上具有遮光層、及於上述遮光層上具有反射降低層者，上述遮光層包含含有鉻及氮之鉻化合物，上述反射降低層包含含有鉻、氮及氧之鉻化合物，上述反射降低層中所包含之鉻之含量少於上述遮光層中所包含之鉻之含量，上述反射降低層係積層複數層而成之積層膜，上述反射降低層之表面側之上層部中所包含之氧含量，多於上述反射降低層之遮光層側之下層部中所包含之氧含量，於上述上層部之表面側具有實質上不含碳之區域，該區域係朝向最表面而氧連續地增加，且氧相對於氮之比率(O/N)之最大值為5以上。 (構成2) 如構成1所記載之光罩基底，其特徵在於：上述氧相對於氮之比率(O/N)之最小值為2以上。 (構成3) 如構成1或2所記載之光罩基底，其特徵在於：於上述透明基板與遮光層之間具有調整透過率之透過率調整層。 (構成4) 如構成1或2所記載之光罩基底，其特徵在於：於上述透明基板與遮光層之間具有調整相位差之相位調整層。 (構成5) 如構成3或4所記載之光罩基底，其特徵在於：上述透過率調整層及上述相位調整層包含與上述遮光層具有蝕刻選擇性之材料。 (構成6) 如構成1至5中任一項所記載之光罩基底，其特徵在於：於上述反射降低層上形成有抗蝕劑層。 (構成7) 如構成6所記載之光罩基底，其特徵在於：上述抗蝕劑層係塗佈不包含界面活性劑之抗蝕劑而成者。 (構成8) 一種光罩基底之製造方法，其特徵在於，其係如構成1至7中任一項所記載之光罩基底之製造方法，且具有：準備上述透明基板之步驟；於上述透明基板之主表面上形成上述遮光層之步驟；及於上述遮光層上形成上述反射降低層之步驟；且具有於包含二氧化碳氣體、及氮系氣體之混合氣體環境中藉由使用鉻靶之濺鍍而形成上述反射降低層之下層部之步驟；以及於包含氧系氣體、及氮系氣體之混合氣體環境中藉由使用鉻靶之濺鍍而形成上述反射降低層之上層部之步驟。 (構成9) 一種光罩之製造方法，其特徵在於使用如構成1至5中任一項所記載之光罩基底、或藉由如構成8所記載之製造方法而製造之光罩基底，且具有如下步驟而製造光罩，即具有：於該光罩基底上形成抗蝕劑層之步驟；對上述抗蝕劑層描畫所需之圖案之步驟；進行顯影而於上述光罩基底上形成抗蝕劑圖案之步驟；及基於上述抗蝕劑圖案而藉由蝕刻將上述遮光層及上述反射降低層圖案化之步驟。 (構成10) 一種光罩之製造方法，其特徵在於使用如構成6或7所記載之光罩基底，且具有如下步驟而製造光罩，即具有：對上述抗蝕劑層描畫所需之圖案之步驟；進行顯影而於上述光罩基底上形成抗蝕劑圖案之步驟；及基於上述抗蝕劑圖案而藉由蝕刻將上述遮光層及上述反射降低層圖案化之步驟。 (構成11) 如構成9或10所記載之光罩之製造方法，其特徵在於：上述抗蝕劑層係塗佈不包含界面活性劑之抗蝕劑而成者。 (構成12) 一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於具有曝光步驟，即，將藉由如構成9至11中任一項所記載之光罩之製造方法而製造之光罩載置於曝光裝置之遮罩載置台，且將形成於上述光罩上之轉印用圖案曝光轉印於形成於顯示裝置基板上之抗蝕劑。 [發明之效果] 藉由使用本發明之光罩基底製造光罩，可提供一種圖案剖面之形狀接近垂直而適合轉印特性或微細化之光罩。進而，藉由使用該光罩製造顯示裝置，能以較高之良率製造高精細之顯示裝置。
以下，參照圖式對本發明之實施態樣具體地進行說明。再者，以下之實施態樣係將本發明具體化時之一形態，並非為將本發明限定於其範圍內者。 ＜實施形態1＞ 於實施形態1中，對顯示裝置製造用之光罩基底、及其製造方法進行說明。 圖1係表示顯示裝置製造用光罩基底100之膜構成之剖面模式圖。該光罩基底100進行大致劃分而包含：透明基板1，其包含對於曝光之光為透明之材料；遮光層2，其形成於透明基板1上；及反射降低層3，其形成於遮光層上。 遮光層2包含至少含有鉻及氮之鉻化合物，且具有將曝光之光吸收而遮光之功能。作為構成遮光層2之鉻化合物，可使用氮化鉻(CrN)或氮氧化鉻(CrON)等。藉由使遮光層2含有氮，可提高對於鉻蝕刻液之濕式蝕刻速率。又，藉由使遮光層2含有氮，可成膜以晶粒變小之方式進行控制之膜。使遮光層2含有氮就緩和膜應力之意義而言亦較佳。就上述觀點而言，較佳為不含氧之氮化鉻(CrN)，但於氮氧化鉻(CrON)之情形時，較理想為，氧之含量設為10原子%以下，較佳為設為8原子%以下，進而較佳為設為5原子%以下。 再者，亦可使遮光層2中所含有之各元素為梯度組成。於設為梯度組成之情形時，可為連續之梯度組成(分佈)，亦可階段性地組成分佈。若組成連續地梯度分佈，則有如下特徵：遮罩圖案膜厚方向之濕式蝕刻速率亦連續地變化，易於獲得平滑且接近垂直之遮罩圖案形狀。另一方面，於階段性地組成分佈之情形時，有如下特徵：遮光層之成膜步驟穩定而易於提高製造品質，因此，可簡化PQC(Process Quality Control，製程質量控制)所需之步驟。 反射降低層3包含含有鉻、氮及氧之鉻化合物，具有防止遮罩圖案描畫光(雷射描畫光)之反射之功能。又，反射降低層3亦一併具有對於製造顯示裝置時之曝光之光之抗反射功能。反射降低層3之鉻之含量少於遮光層2之鉻含量。或者，遮光層2包含含有鉻、氮及氧中之至少鉻及氮之鉻化合物，反射降低層3之氧之含量多於遮光層2之氧之含量。其原因在於，若反射降低層3之鉻含量多於遮光層2之鉻含量，或者反射降低層3之氧含量少於遮光層2之氧含量，則對於遮罩圖案描畫光(雷射描畫光)或曝光之光之反射率變高。 反射降低層3包含表面側之上層部32及遮光層2側之下層部31積層而成之積層膜。藉由設為積層膜，能由緻密之膜形成(以低功率之濺鍍功率形成)可獲得所需之光學性能之厚度之反射降低層3。藉此，可抑制膜缺陷之發生，且可使其為具備較高之耐化學品性(如硫酸或硫酸過氧化氫混合物般之包含硫酸之洗淨液、或對利用臭氧洗淨液等藥液所進行之抗蝕劑塗佈前洗淨之耐受性)之反射降低層3。 反射降低層3之上層部32中所包含之氧含量多於下層部31中所包含之氧含量，於上層部32之表面側具有實質上不含碳之區域，於該區域中，朝向最表面而氧連續地增加，且氧相對於氮之比率(O/N)之最大值為5以上。藉由設為此種構成，可將遮罩圖案之剖面形狀垂直化。 遮罩圖案之形成係藉由將光罩基底洗淨之後，於反射降低層3上形成抗蝕劑層，並基於形成於該抗蝕劑層之抗蝕劑圖案對反射降低層3進行蝕刻而進行。 先前，該抗蝕劑層之形成係使用包含界面活性劑之抗蝕劑。其係為了提高塗佈抗蝕劑時之潤濕性。然而，查明該抗蝕劑中所包含之界面活性劑於用於轉印圖案之微細化之抗蝕劑層之薄膜化中，會妨礙抗蝕劑塗佈性能(面內膜厚均勻性或缺陷降低等)之提高，嘗試使用不包含界面活性劑之抗蝕劑進行遮罩圖案之形成，其結果為，如下文以比較例(圖8)之形式所示，遮罩圖案之剖面形狀變成拖著非常長之下擺之錐形狀。認為其原因在於，因抗蝕劑與光罩基底表面(反射降低層)之密接性之問題等，而濕式蝕刻液滲入至抗蝕劑膜與光罩基底(反射降低層)之界面造成較大之腐蝕。 對該問題詳細研究之結果，如以下實施例所示，於反射降低層3之上層部32之表面側形成實質上不含碳之區域，於該區域中，朝向最表面而氧連續地增加，且使氧相對於氮之比率(O/N)之最大值為5以上，藉此抗蝕劑與光罩基底表面(反射降低層)之密接性提高，將遮罩圖案之剖面形狀急遽地改善(垂直化)。又，藉由提高氧相對於氮之比率，可形成緻密之膜，可形成耐化學品性亦優異之膜。 再者，於圖1中，上層部32及下層部31係以分為2個膜之方式進行描繪，但亦可為連續變化之層。進而，亦可為3層以上之積層膜。只要為如下者即可，即，反射降低層3為積層膜，於該積層膜之上層部之表面側形成有實質上不含碳之區域且朝向最表面而氧連續地增加且氧相對於氮之比率(O/N)之最大值為5以上的區域。 就將遮罩圖案之剖面形狀垂直化之觀點而言，較理想為，於反射降低層3之上層部32之表面側之實質上不含碳之區域中，氧相對於氮之比率(O/N)之最小值較佳為2以上，氧相對於氮之比率(O/N)之最小值進而較佳為2.5以上。 再者，關於反射降低層3中所含有之各元素，若於膜厚方向連續地(或階段性地)組成分佈(梯度組成)，則濕式蝕刻後之遮光膜圖案之剖面亦變得平滑，從而較佳，CD(Critical Dimension ，臨界尺寸)精度亦提高。 包含遮光層2及反射降低層3之遮光膜可為二元遮罩用之遮光膜，亦可為形成於相位偏移遮罩(例如，半色調型相位偏移遮罩(Attenuated Phase Shift Mask)、或利文森型相位偏移遮罩(Levenson Mask，Alternating Phase Shift Mask))用之相位偏移膜(調整相位差之相位調整層)、或者多灰階遮罩(Multi-level Gradation Mask)之透過率控制膜(調整透過率之透過率調整層)之上或下之遮光膜。 於相位偏移遮罩中，半色調型相位偏移遮罩、或在透明之基板與遮光膜圖案之間形成有透過率控制膜圖案之多灰階遮罩之情形時，為了由成為遮罩圖案之相位偏移膜或透過率控制膜進行透過光之透過率控制及/或相位控制，而於透明基板1與遮光層2之間設置調整透過率或相位之至少任一者之功能膜。作為該功能膜，對於作為構成遮光層2之材料之鉻材料具有蝕刻選擇性之材料即矽(Si)中包含金屬、氧、氮、碳、或氟之至少任一者之材料較適合。例如，MoSi等金屬矽化物、金屬矽化物之氧化物、金屬矽化物之氮化物、金屬矽化物之氮氧化物、金屬矽化物之碳氮化物、金屬矽化物之碳氧化物、金屬矽化物之碳氮氧化物、SiO、SiO2 、及SiON等較適合。於透明基板1為合成石英之情形時，SiO或SiO2 包含與透明基板1相同之元素，但因原子間之鍵結狀態之差異等而蝕刻速率與基板之蝕刻速率不同，從而可高精度地進行相位差控制中重要之光學距離(蝕刻深度)控制。再者，該功能膜亦可為包含作為功能膜而列舉之上述膜之積層膜。 該功能膜之加工係將包含鉻之遮光膜圖案作為蝕刻遮罩而進行。因此，於功能膜之加工中，使用功能膜之蝕刻速率較包含遮光層2及反射降低層3之遮光膜更快之濕式蝕刻液。作為此種濕式蝕刻液，例如可列舉包含選自氫氟酸、氟矽酸、及氟化氫銨之至少一者之氟化化合物、及選自過氧化氫、硝酸、及硫酸之至少一者之氧化劑、或水之溶液。具體而言，可列舉用純水將氟化氫銨及過氧化氫之混合溶液稀釋而成之蝕刻液、或將氟化銨混合於氫氟酸水溶液中而成之蝕刻液等。 以下，對光罩基底之製造步驟詳細地進行說明。 1.準備步驟 首先，準備透明基板1。 透明基板1之材料只要為對於所使用之曝光之光具有透光性，又具有剛性之材料，則並無特別限制。例如，可列舉合成石英玻璃、鈉鈣玻璃、無鹼玻璃。又，以成為平坦且平滑之主表面之方式，適當視需要進行包含粗研磨加工步驟、精密研磨加工步驟、局部加工步驟、及接觸研磨加工步驟之研磨。其後，進行洗淨而將透明基板1之表面之異物或污染去除。作為洗淨，例如可使用氫氟酸、氟矽酸、硫酸、硫酸過氧化氫混合物(SPM)、氨、氨水過氧化氫混合物(APM)、OH自由基洗淨水、臭氧水等。 2.遮光膜形成步驟 其次，藉由濺鍍法而於透明基板1之主表面上形成包含鉻系材料之遮罩圖案形成用之遮光膜。遮光膜包含具有遮光層2及反射降低層3之積層膜，進而，反射降低層3亦成為積層膜。再者，遮光層2亦可由積層膜形成。遮光層2及反射降低層3之積層數並無特別限定，但此處，以包含1層遮光層2、及2層反射降低層3之合計3層之情形之形成步驟為例詳細地進行說明。 首先，對成膜裝置進行說明。 圖2係表示用於遮光層2、及反射降低層3之形成之濺鍍裝置之一例模式圖。 圖2所示之濺鍍裝置300為直列型，包含搬入腔室LL、第1濺鍍腔室SP1、緩衝腔室BU、第2濺鍍腔室SP2、及搬出腔室UL之5個腔室。該等5個腔室依序連續配置。 於基板保持器搭載有透明基板1之托盤301以特定之移動速度(搬送速度)，向箭頭方向依序搬送至搬入腔室LL、第1濺鍍腔室SP1、緩衝腔室BU、第2濺鍍腔室SP2、搬出腔室UL。 搬入腔室LL與第1濺鍍腔室SP1、第2濺鍍腔室SP2與搬出腔室UL分別被擋板311及312區隔。又，搬入腔室LL、各濺鍍腔室SP1、2、緩衝腔室BU、及搬出腔室UL連接於進行排氣之排氣裝置(未圖示)。 於第1濺鍍腔室SP1設置有濺鍍靶331、332，與各個靶對應之氣體導入口(未圖示)配置於各個靶之上游側(圖式中之左側)。又，於第2濺鍍腔室SP2設置有濺鍍靶333、334。與濺鍍靶333對應之氣體導入口(未圖示)相對於靶配置於上游側(圖式中之左側)，與濺鍍靶334對應之氣體導入口(未圖示)相對於靶配置於下游側(圖式中之右側)。 其次，對使用該直列型之濺鍍裝置300成膜遮光層2及反射降低層3(上層部32及下層部31)之步驟進行說明。 首先，將托盤301搬入至搬入腔室LL。 使濺鍍裝置300之內部為特定真空度之後，自配置於第1濺鍍腔室SP1之氣體導入口以特定之流量導入成膜遮光層2時所需之成膜用之氣體，又，對濺鍍靶施加特定之濺鍍功率，並使托盤301以特定之速度S1通過濺鍍靶331及332上。作為濺鍍靶331及332，使用鉻或主要包含鉻之靶。作為主要包含鉻之靶，有鉻、氮化鉻、氧化鉻等，但利用供給氣體之反應性濺鍍更易於對組成分佈以所期望之方式梯度控制，故而此處，將鉻用於靶。為了成膜含有鉻及氮之氮化鉻(CrN)層或氮氧化鉻(CrON)層作為遮光層2，而自配置於第1濺鍍腔室SP1之氣體導入口供給之氣體係至少包含氮(N2 )之氣體，視需要添加氬(Ar)氣等惰性氣體。作為惰性氣體，除了氬氣以外，亦有氦(He)氣、氖(Ne)氣、氪(Kr)氣、及氙(Xe)氣等，自其等之中視需要選擇1種或複數種。膜厚方向之組成分佈之控制可藉由氣體導入口之配置或氣體供給方法等而進行。 藉由以上之步驟，而於托盤301通過第1濺鍍腔室SP1之濺鍍靶附近時，藉由反應性濺鍍而於透明基板1之主表面上成膜包含特定之膜厚之鉻系材料之遮光層2。此時，較佳為使對波長436 nm之光之OD(Optical Density，光密度)值成為1.0以上。其原因在於，即便以高曝光量(高劑量)進行轉印，亦可防止轉印缺陷之發生。可藉由組成而確保該OD值，亦可藉由膜厚之控制而確保該OD值。 其後，托盤301通過緩衝腔室BU，並移動至第2濺鍍腔室SP2。 自與濺鍍靶333對應之氣體導入口以特定之流量導入成膜下層部31時所需之成膜用之氣體，且對濺鍍靶333施加特定之濺鍍功率。 於該狀態下，一面使托盤301以特定之速度S2通過濺鍍靶333上，一面成膜下層部31。作為濺鍍靶333，使用鉻靶。除此以外，亦可使用鉻中包含氮或氧等適當之添加物之靶。為了成膜含有鉻、氧及氮之氮氧化鉻(CrON)層或含有鉻、氧、氮及碳之碳氮氧化鉻(CrCON)層作為下層部31，而自與濺鍍靶333對應之氣體導入口供給之氣體係至少包含氧系氣體及氮系氣體之氣體，視需要添加氬(Ar)氣等惰性氣體。作為惰性氣體，除了氬氣以外，亦有氦(He)氣、氖(Ne)氣、氪(Kr)氣、及氙(Xe)氣等，自其等之中視需要選擇1種或複數種。氧系氣體係指包含氧作為構成元素之氣體，氮系氣體係指包含氮作為構成元素之氣體。此處，氧系氣體例如有氧(O2 )氣、二氧化碳(CO2 )氣體等，氮系氣體例如有氮(N2 )氣、二氧化氮(NO2 )氣體、及一氧化氮(NO)氣體等。膜厚方向之組成分佈之控制可藉由氣體導入口之配置或氣體供給方法等而進行。此處，若於濺鍍功率較小之條件下成膜，則會成為緻密之膜而不易產生膜缺陷。 用以使下層部31為緻密之膜而不易產生膜缺陷之濺鍍功率之條件較佳為設為3.0 kW以下。若考慮膜缺陷之降低及生產性，則較理想為，較佳為使濺鍍功率為1.0 kW以上3.0 kW以下，進而較佳為1.0 kW以上2.5 kW以下。 藉由以上之步驟，而於托盤301通過濺鍍靶333附近時，藉由反應性濺鍍而於遮光層2之上成膜特定之膜厚之包含含有鉻、氮及氧之鉻化合物之下層部31(CrON層或CrCON層)。就剖面形狀之垂直化之觀點而言，下層部31較佳為含有鉻、氧、氮及碳之碳氮氧化鉻(CrCON)。作為成膜下層部31時之氣體，較佳為使用含有二氧化碳(CO2 )氣體、氮(N2 )氣及惰性氣體(Ar等)之混合氣體。 其後，托盤301向濺鍍靶334移動。自與濺鍍靶334對應之氣體導入口以特定之流量導入成膜上層部32時所需之成膜用之氣體，且施加特定之濺鍍功率。於該狀態下，一面使托盤301以特定之速度S3通過濺鍍靶334上，一面成膜上層部32。作為濺鍍靶334，使用鉻靶。除此以外，亦可使用鉻中包含氧或氮等適當之添加物之靶。為了成膜含有鉻、氧及氮且於上層部32之表面側具有實質上不含碳之區域之氮氧化鉻(CrON)層或碳氮氧化鉻(CrCON)層作為上層部32，而自與濺鍍靶334對應之氣體導入口供給之氣體係至少包含氧系氣體及氮系氣體之氣體，視需要添加氬(Ar)氣等惰性氣體。作為惰性氣體，除了氬氣以外，亦有氦(He)氣、氖(Ne)氣、氪(Kr)氣、及氙(Xe)氣等，自其等之中視需要選擇1種或複數種。氧系氣體係指包含氧作為構成元素之氣體，氮系氣體係指包含氮作為構成元素之氣體。氧系氣體例如有氧(O2 )氣、二氧化碳(CO2 )氣體等，氮系氣體例如有氮(N2 )氣、二氧化氮(NO2 )氣體、及一氧化氮(NO)氣體等。再者，為了於上層部32之表面側具有實質上不含碳之區域，較佳為，作為氧系氣體而使用氧(O2 )氣，作為包含氮之氣體而使用氮(N2 )氣。即，作為成膜上層部32時之氣體，較佳為使用含有氧(O2 )氣、氮(N2 )氣及惰性氣體之混合氣體。於下層部31為包含碳之碳氮氧化鉻(CrCON)層之情形時，為了將剖面形狀垂直化，可設為除表面側以外之上層部32中包含微量之碳之碳氮氧化鉻(CrCON)層。於此情形時，惰性氣體中含有微量之烴系氣體。作為烴系氣體，可列舉甲烷、丁烷、丙烷等。惰性氣體中含有微量之烴系氣體之情形之含量較佳為設為15%以下。較理想為，進而較佳為設為12%以下。膜厚方向之組成分佈之控制可藉由氣體導入口之配置或氣體供給方法等而進行。此處，若於濺鍍功率較小之條件下成膜，則會成為緻密之膜而不易產生膜缺陷。 用以使上層部32為緻密之膜而不易產生膜缺陷之濺鍍功率之條件較佳為設為3.0 kW以下。若考慮膜缺陷之降低及生產性，則較理想為，較佳為使濺鍍功率為1.0 kW以上3.0 kW以下，進而較佳為1.0 kW以上2.5 kW以下。 藉由以上之步驟，而於托盤301通過濺鍍靶334附近時，藉由反應性濺鍍而於下層部31之上成膜特定之膜厚之包含含有鉻、氮及氧之鉻化合物之上層部32(CrON層或CrCON層)。再者，於上層部32為含有鉻、氧、氮及碳之碳氮氧化鉻(CrCON)之情形時，使上層部32之表面側具有實質上不含碳之區域。 其後，托盤301移動至搬出腔室UL，然後，將擋板312關閉而將腔室UL真空排氣之後，向大氣開放而將基板保持器取出至濺鍍裝置300之外部。 自基板保持器將形成有遮光膜之透明基板取出，視需要適當進行缺陷檢查或洗淨而製造光罩基底100。 實施形態1中所製造之光罩基底100對抗蝕劑膜之密接性較高，從而抑制濕式蝕刻液滲入至抗蝕劑膜與光罩基底(反射降低層)之界面，因此可將光罩形成時之遮罩圖案之剖面形狀垂直化。又，由於反射降低層3由緻密之膜形成，故而可抑制膜缺陷之發生，且可具備較高之耐化學品性。 ＜實施形態2＞ 於實施形態2中，一面使用以主要部分剖視圖表示製造步驟之圖3，一面對顯示裝置製造用之光罩之製造方法進行說明。 首先，對於所準備之光罩基底100，於塗佈、形成抗蝕劑之前，進行利用包含硫酸之洗淨液、或臭氧洗淨液等藥液之抗蝕劑塗佈前洗淨(藥液洗淨：Chemical Cleaning)。尤其是，作為抗蝕劑塗佈前洗淨，使用臭氧洗淨液進行臭氧洗淨即可。臭氧洗淨將抗蝕劑塗佈面之異物及污染去除。該臭氧洗淨對去除抗蝕劑塗佈面之異物及污染有效，但於完成本發明之申請人之研究過程中獲得如下見解，即，於使用不包含界面活性劑之抗蝕劑之情形時，亦存在抗蝕劑之密接性變差而使抗蝕劑塗佈性能變差之情形。由此，若為先前之光罩基底，則有與抗蝕劑(不包含界面活性劑之抗蝕劑)之密接性不足而圖案之剖面形狀錐化之虞，但根據本實施形態之光罩基底，可抑制此種問題。 以下，作為抗蝕劑塗佈前洗淨，列舉臭氧洗淨進行說明，但作為洗淨裝置或洗淨方法，亦可替換為利用包含硫酸之洗淨液等藥液之藥液洗淨(Chemical Cleaning)。 代表性之臭氧洗淨係使用臭氧水之旋轉洗淨，但亦可進行浴槽洗淨，即，將光罩基底100放入於臭氧洗淨液(臭氧水)之浴槽中進行洗淨。旋轉洗淨具有適合單片處理，洗淨液之消耗量較少，洗淨裝置亦相對小型之特徵，浴槽洗淨具有可同時洗淨複數個光罩基底100之特徵。關於大型顯示裝置製造用之光罩基底，由於光罩基底亦為大型，故而對於大型顯示裝置製造用之光罩基底，就洗淨液之消耗量及洗淨裝置之小型化之方面而言，較佳使用單片處理之洗淨法，尤其是旋轉洗淨法。 於利用旋轉洗淨法之臭氧洗淨中，首先，將臭氧洗淨液滴加至以低速旋轉之光罩基底100之旋轉中心部附近，藉由利用旋轉之擴展塗佈而於光罩基底100之上層部32之表面整個面塗滿臭氧洗淨液。其後，亦一面繼續供給臭氧洗淨液直至洗淨結束時間為止，一面使光罩基底100以低速旋轉而繼續進行洗淨，洗淨時間結束之後，供給純水而將臭氧洗淨液替換為純水，最後進行旋轉乾燥。再者，於光罩基底100之上層部32之表面全體溢滿臭氧洗淨液之後，亦可使用停止臭氧洗淨液之滴加及光罩基底之旋轉之覆液式之臭氧洗淨。一面使光罩基底100低速旋轉一面繼續使洗淨液流動之流液式之旋轉洗淨法具有臭氧濃度不易變化，亦有由流液產生之機械洗淨效果之特徵，覆液式之洗淨法具有臭氧洗淨液之消耗量較少之特徵。旋轉洗淨方法雖然具有上述特徵，但是，由於首先將臭氧洗淨液滴加至光罩基底100之旋轉中心部，故而易於受到以旋轉中心部為中心之同心圓狀之洗淨衝擊(洗淨損傷)。因此，洗淨損傷差易於以同心圓狀產生。顯示裝置製造用之光罩基底多用例如1220 mm×1400 mm般之光罩基底之尺寸亦較大者，該同心圓狀之洗淨損傷差(損傷面內分佈差)有變大之傾向。因此，尤其對於顯示裝置製造用之光罩基底，需要提高臭氧洗淨耐受性。再者，若預先進行將純水供給至光罩基底100之表面而將其表面濡濕之預處理之後滴加臭氧洗淨液，則會減輕由臭氧洗淨液之滴加所導致之對光罩基底表面材料之最初之損傷(最先衝擊)。 進行利用該臭氧洗淨之抗蝕劑塗佈前洗淨之後，緊接著進行抗蝕劑圖案形成步驟，即，於光罩基底100之上層部32上形成抗蝕劑圖案4a。 詳細而言，於該抗蝕劑圖案形成步驟中，首先，於光罩基底100之最表面層即上層部32上形成抗蝕劑膜4(圖3(b))。其後，對抗蝕劑膜4描畫電路或畫素圖案等所需之圖案。作為該描畫光，經常使用波長為355 nm、365 nm、405 nm、413 nm、436 nm、及442 nm等之光，尤其是雷射光。使用電子束之EB(Electron Beam，電子束)描畫亦可。其後，利用特定之顯影液將抗蝕劑膜4顯影，而形成抗蝕劑圖案4a(圖3(c))。 其次，將抗蝕劑圖案4a作為遮罩對遮罩圖案用之遮光膜進行濕式蝕刻而形成遮光膜圖案(遮光層圖案2a及反射降低層圖案3a)(圖3(d))。遮罩圖案用之遮光膜雖包含遮光層2、下層部31、及上層部32，但為了削減步驟數，較理想為進行一次性濕式蝕刻。步驟數之削減不僅對產能提高或蝕刻裝置之簡化發揮有利作用，而且對缺陷品質之提高亦發揮有利作用。關於實施形態1中所製造之光罩基底100，自遮光層2至上層部32之構成遮罩圖案用之遮光膜之所有層包含含有鉻之材料，又，對於自表面側朝向透明基板1側之膜厚方向，以相對於鉻蝕刻液而蝕刻速度變快之方式調整構成材料之組成，故而即便利用一次性濕式蝕刻，主體部之剖面亦為垂直，且圖案底部不易發生拖著下擺之情況，又，不易產生鉻蝕刻殘渣。作為此處所使用之鉻蝕刻液，具體而言，可列舉包含硝酸鈰銨及過氯酸之蝕刻液、或不包含鈰之鹼性溶液。 其後，藉由抗蝕劑剝離液或灰化等而將抗蝕劑圖案4a去除，並進行洗淨。作為洗淨液，例如可使用硫酸、硫酸過氧化氫混合物(SPM)、氨、氨水過氧化氫混合物(APM)、OH自由基洗淨水、臭氧水等。其後，視需要適當進行遮罩圖案缺陷檢查或缺陷修正等。以此方式製造於透明基板1上具有包含遮光層圖案2a、下層部圖案31a、及上層部圖案32a之遮光膜圖案之光罩200。 於上述光罩200之製造方法中，於上層部32上直接形成抗蝕劑膜4，但亦可於上層部32上形成蝕刻用遮罩，並於其上形成抗蝕劑膜4。利用上述方法形成抗蝕劑圖案4a之後，暫時利用濕式蝕刻對該蝕刻用遮罩進行加工，將該所加工之蝕刻用遮罩作為遮罩而對包含遮光層2、下層部31、及上層部32之遮光膜進行濕式蝕刻。其後，將所加工之蝕刻用遮罩去除。抗蝕劑圖案4a可在對蝕刻用遮罩進行加工之後不久去除，亦可在遮光膜之濕式蝕刻後去除。於蝕刻用遮罩為具有較高之濕式蝕刻耐受性，且與氧化鉻密接性較高而防止濕式蝕刻液之滲入之材料之情形時，可利用該方法獲得包含上層部且垂直之剖面形狀之遮光膜圖案。作為蝕刻用遮罩之材料，可列舉矽中包含金屬、氧、氮、或碳之至少任一者之材料，例如MoSi、SiO、SiON、SiC等。 又，於光罩基底為上述相位偏移遮罩基底或多灰階遮罩基底之情形時，利用上述方法形成遮光膜圖案之後，對形成於透明基板1與遮光層2之間之實施形態1所記載的控制曝光之光之相位及/或透過率之功能膜進行蝕刻加工。進而，於需要進行相位之微調整之情形時，使用將氟化銨等緩衝液混合於稀氫氟酸水溶液、或氫氟酸水溶液中而成之蝕刻液對透明基板1進行蝕刻至所需之深度為止。其後，將抗蝕劑圖案4a去除而製造相位偏移遮罩。 實施形態2中所製造之光罩200對抗蝕劑膜之密接性較高，從而抑制濕式蝕刻液滲入至抗蝕劑膜與反射降低層3之界面，因此，可將遮光膜圖案(遮罩圖案)之剖面形狀垂直化。 又，對抗蝕劑塗佈前洗淨即臭氧洗淨之耐受性較高。因此，對遮罩圖案描畫光之反射率之變化較少，於光罩基底面內對該光之反射率均勻。藉此，所形成之遮罩圖案之CD不均較小。此外，具有遮罩圖案用之遮光膜2之膜缺陷亦較少，遮罩製造步驟中所產生之缺陷亦較少之特徵。 ＜實施形態3＞ 於實施形態3中，對顯示裝置之製造方法進行說明。 於實施形態3之顯示裝置之製造方法中，首先，對於在顯示裝置之基板上形成有抗蝕劑膜之具有抗蝕劑膜之基板，以隔著曝光裝置之投影光學系統與形成於基板上之抗蝕劑膜對向般之配置，將藉由實施形態2中所說明之製造方法而獲得之光罩200載置於曝光裝置之遮罩載置台上。 其次，進行對光罩200照射曝光之光而將抗蝕劑膜曝光之抗蝕劑曝光步驟。 曝光之光例如經常使用365 nm以上550 nm以下之波長範圍之光，具體而言，波長365 nm之i射線、405 nm之h射線、及436 nm之g射線等單一波長之光、或包含其等之複合光。 根據該實施形態3之顯示裝置之製造方法，使用藉由實施形態2中所說明之製造方法而獲得之光罩製造顯示裝置。因此，可高精度且低缺陷地形成微細之圖案。除該微影步驟(曝光、顯影步驟)以外，還經過被加工膜之蝕刻或絕緣膜、導電膜之形成、摻雜劑之導入、或者退火等各種步驟，藉此能以較高之良率製造形成有所需電路之高精細之顯示裝置。 [實施例] 以下，關於各實施例，一面參照圖式，一面對本發明進一步詳細地進行說明。再者，於各實施例中，關於同樣之構成要素使用同一符號，並簡化或省略說明。 (實施例1) 圖3雖於實施形態2中亦用於說明，但其係表示自顯示裝置製造用光罩基底100製作顯示裝置製造用光罩之步驟之主要部分剖面模式圖。 如圖3(a)所示，實施例1之光罩基底100具有：透明基板1；遮光層2，其具有將主要用於顯示裝置製造之曝光之光遮光之功能；及反射降低層3，其降低遮罩圖案描畫光之反射；將遮光層2及反射降低層3合併而形成遮罩圖案用之遮光膜。遮光層2包含含有鉻及氮之鉻化合物(於本實施例中，為CrON)，反射降低層3包含2層(上層部32、下層部31)含有鉻、氧及氮之鉻化合物(CrCON)。 首先，對該光罩基底100之製造方法及膜構成之詳細內容進行說明。 ((光罩基底之製造)) (((透明基板))) 準備第1主面及第2主面之兩表面經研磨之8092尺寸(約800 mm×920 mm)之合成石英玻璃基板並將其作為透明基板1。此處，使用膜厚為10 mm者，但亦可為8 mm者。以成為平坦且平滑之主表面之方式，適當進行包含粗研磨加工步驟、精密研磨加工步驟、局部加工步驟、及接觸研磨加工步驟之研磨。 (((遮光膜))) 使用大型直列型濺鍍裝置300(圖2)，於透明基板1上進行遮罩圖案用之遮光膜之成膜，該遮光膜包括包含鉻化合物(於本實施例1中，為CrON)之遮光層2、及2層(上層部32、下層部31)包含鉻化合物(於本實施例1中，為CrCON)之反射降低層3。 其次，對該等膜之成膜方法進行說明。 首先，將使透明基板1以該透明基板1之主表面(形成遮光膜之表面)朝下側搭載於基板保持器(未圖示)之托盤301搬入至圖2所示的直列型之濺鍍裝置300之搬入腔室LL。此處，於第1濺鍍腔室SP1、第2濺鍍腔室SP2配置有包含鉻(Cr)之濺鍍靶331、332、333、及334。 打開擋板311，將搭載有透明基板1之托盤301自搬入腔室LL移動至第1濺鍍腔室SP1，自與濺鍍靶331對應之氣體導入口、及與濺鍍靶332對應之氣體導入口導入氬(Ar)氣、氮(N2 )氣及氧(O2 )氣之混合氣體，且對濺鍍靶332施加9 kW之濺鍍功率(濺鍍靶331為0 kW)，而進行反應性濺鍍。再者，於本實施例中，自與濺鍍靶331～334對應之各氣體導入口同時導入以下分別進行說明之氣體。 關於氣體之流量，Ar為70 sccm，N2 為15 sccm，O2 為3 sccm(與濺鍍靶331對應之氣體導入口、與濺鍍靶332對應之氣體導入口之任一者均為相同條件)。此時，使托盤301以400 mm/min之速度於第1濺鍍腔室SP1內移動。藉由該步驟，而於透明基板1之主表面上以約80 nm之膜厚成膜遮光層2即CrON膜。 其次，托盤301通過緩衝腔室BU移動至第2濺鍍腔室SP2。 自與濺鍍靶333對應之氣體導入口導入氬(Ar)氣、氮(N2 )氣、及二氧化碳(CO2 )氣體，且對濺鍍靶333施加2.2 kW之濺鍍功率而進行反應性濺鍍。關於氣體之流量，氬氣為60 sccm，氮氣為25 sccm，而且，二氧化碳氣體為17 sccm。此時，使托盤301以400 mm/min之速度移動。藉由該反應性離子濺鍍步驟，而於遮光層2即膜厚約80 nm之CrON膜上成膜膜厚為約20 nm之CrCON膜(下層部31)。 其次，自與濺鍍靶334對應之導入口導入氬(Ar)氣中混合有12%之甲烷(CH4 )之混合氣體、氮(N2 )氣、及氧(O2 )氣，且對濺鍍靶334施加2.4 kW之濺鍍功率而進行反應性濺鍍。關於氣體之流量，氬與甲烷之混合氣體為60 sccm，氮氣為32 sccm，而且，氧氣為12 sccm。此時，使托盤301以400 mm/min之速度移動。藉由該反應性離子濺鍍步驟，而於膜厚為約20 nm之CrCON膜(下層部31)上成膜膜厚為約20 nm之CrCON膜(上層部32)。 其後，將托盤301自第2濺鍍腔室SP2移動至搬出腔室UL之後，關閉擋板312，暫時進行真空排氣之後，將搬出腔室UL恢復至大氣壓狀態而將基板保持器自濺鍍裝置300取出。 以此方式獲得於合成石英玻璃基板上形成有包含CrON(遮光層)、CrCON(下層部)、CrCON(上層部)之遮光膜之光罩基底100。 若以一覽之形式記述以上所述之各膜(各層)之成膜條件，則為如下所述。 濺鍍1：Ar＝70 sccm，N2 ＝15 sccm，功率＝0 kW，托盤搬送速度＝400 mm/min 濺鍍2：Ar＝70 sccm，N2 ＝15 sccm，功率＝9.0 kW，托盤搬送速度＝400 mm/min 濺鍍3：Ar＝60 sccm，N2 ＝25 sccm，CO2 ＝17 sccm，功率＝2.2 kW，托盤搬送速度＝400 mm/min 濺鍍4：Ar/CH4(12%)＝60 sccm，N2 ＝32 sccm，O2 ＝12 sccm，功率＝2.4 kW，托盤搬送速度＝400 mm/min 再者，濺鍍1～3之氣體供給係相對於靶自上游側供給。濺鍍4之氣體供給係相對於靶自下游側供給。 對於所獲得之光罩基底，進行利用X射線光電子光譜法(XPS)之深度方向之組成分析。將其結果示於圖4中。 如該圖所示，反射降低層中所包含之鉻之含量少於遮光層中所包含之鉻之含量，且反射降低層中之上層部中所包含之氧含量多於下層部中所包含之氧含量(反射降低層中所包含之氧之含量多於遮光層中所包含之氧之含量，且反射降低層中之上層部中所包含之氧含量多於下層部中所包含之氧含量)。 又，於上層部之表面側(除產生自然氧化及其他污染物之最表面層(距表面深度約2 nm為止)以外)以約6.5 nm之厚度形成實質上不含碳之區域A，該區域A係朝向最表面而氧連續地增加，相反，氮連續地降低。 圖5中表示基於XPS分析結果而將氮與氧之比圖表化之圖。如該圖所示，區域A中之氧相對於氮之比率(O/N)之最大值為5以上，最小值為2.8以上。 再者，“實質上不含碳”係表示利用XPS之碳檢測極限以下。 利用平坦度測定裝置對透明基板1測定成膜遮光膜(遮光層2及反射降低層3)之前後之平坦度變化量，結果確認到為5 μm，遮光膜之膜應力較低。認為該結果係由如下情況引起：遮光層係包含含有微量之氧之氮化鉻之材料而表現為拉伸應力，且反射降低層係包含氧之含量多於遮光層之鉻化合物之材料而表現為壓縮應力，由此產生應力相抵效果。 ((光罩之製造)) 其次，使用光罩基底100製造光罩200。 首先，對所準備之光罩基底100使用臭氧洗淨液進行臭氧洗淨。 該臭氧洗淨係如下所述般進行。首先，將臭氧洗淨液滴加至以低速旋轉之光罩基底100之旋轉中心部附近，藉由利用旋轉之擴展塗佈而於光罩基底100之上層部32之表面整個面塗滿臭氧洗淨液。其後，亦一面繼續供給洗淨液直至洗淨結束時間為止，一面使光罩基底100以低速旋轉而繼續進行洗淨，洗淨時間結束之後，供給純水而將臭氧洗淨液替換為純水，最後進行旋轉乾燥。 於該階段(圖3(a))中，進行缺陷檢查。缺陷檢查係對790 mm×910 mm之區域進行，於暗室中對膜面照射強度較強之光，藉由目視而檢查10 μm以上之缺陷。其結果為，該光罩基底100之檢測缺陷數量為0個。 對臭氧洗淨前後之反射率(波長436 nm)之變化進行測定，結果確認到為0.06%，臭氧洗淨耐受性極高。 其次，如圖3(b)所示，使用不包含界面活性劑之抗蝕劑，於光罩基底100之上層部32之上形成膜厚525 nm之抗蝕劑膜4。然後，使用雷射描畫機於該抗蝕劑膜4描畫電路圖案等所需之圖案，進而，進行顯影、沖洗，藉此形成特定之抗蝕劑圖案4a(圖3(c))。此處，所使用之雷射描畫機之描畫光之波長為413 nm。其後，將抗蝕劑圖案4a作為遮罩，利用濕式蝕刻將包含依序形成於透明基板1上之CrON層(遮光層2)、CrCON層(下層部31)、CrCON層(上層部32)之合計3層之遮光膜一體地圖案化，而形成遮光膜圖案(圖3(d))。因此，遮光膜圖案包括包含CrON之遮光層圖案2a、包含CrCON之下層部圖案31a及包含CrCON之上層部圖案32a(該2層為反射降低層圖案3a)。此處，作為濕式蝕刻，使用包含硝酸鈰銨及過氯酸之鉻蝕刻液。 圖6係使用至以上步驟為止同樣地製作之試樣，且使用掃描型電子顯微鏡拍攝殘留有抗蝕劑圖案4a之狀態下之遮光膜圖案之剖面形狀而成者。 如同一圖所示，獲得了極其接近垂直之剖面形狀之遮光膜圖案。 其後，將抗蝕劑圖案剝離(圖3(e))，而獲得於透明基板1上形成有線＆間隙圖案(L/S)為2 μm之遮光膜圖案之光罩200。 藉由Seiko Instruments Nano Technologies公司製造之SIR8000而測定該光罩之遮罩圖案之尺寸不均(CD不均、CD均勻性)。CD不均之測定係對於基板之除周緣區域以外之880 mm×910 mm之區域，於5×5之地點進行測定。於以下之實施例、及比較例中，CD均勻性之測定係使用相同裝置及相同評價方法。 其結果為，CD均勻性為0.078 μm。比較例之結果雖亦於下文進行敍述，但比較例之CD均勻性為0.15 μm，實施例1之CD均勻性良好。 ((顯示裝置之製造)) 將該實施例1中製成之光罩200設置於曝光裝置之遮罩載置台，對顯示裝置之基板上形成有抗蝕劑膜之試樣進行圖案曝光。然後，藉由將該曝光完畢抗蝕劑膜顯影，而於顯示裝置基板上形成抗蝕劑圖案。作為曝光之光，使用包含波長365 nm之i射線、405 nm之h射線、及436 nm之g射線之波長300 nm以上500 nm以下之光。 實施例1中製成之光罩200以CD均勻性表示為0.078 μm，遮罩圖案尺寸精度較高，對上述曝光之光之反射率亦較低，且於光罩基底之階段之缺陷數量為0個而缺陷較少，故而顯示裝置基板上之抗蝕劑圖案之轉印圖案亦精度較高，且缺陷亦較少。 藉由蝕刻而將該抗蝕劑圖案轉印於被加工膜，又，經過絕緣膜、導電膜之形成、摻雜劑之導入、或者退火等各種步驟，藉此能以較高之良率製造具有所需特性之高精細之顯示裝置。 (實施例2) 實施例2之光罩基底除使遮光層2為實質上不含氧之氮化鉻(CrN)，且調整遮光層2及反射降低層3(下層部31、上層部32)之膜厚以外，與實施例1同樣地製作光罩基底。 實施例2之遮光層2之成膜係使實施例1之氣體流量為Ar為70 sccm，N2 為15 sccm，且以遮光層2之CrN膜之膜厚成為約80 nm之濺鍍功率進行成膜。 又，反射降低層3之上層部及下層部之成膜係設為與實施例1之氣體流量相同，且以下層部31之CrCON膜之膜厚成為約20 nm之濺鍍功率，以上層部32之CrCON膜之膜厚成為約20 nm之濺鍍功率進行成膜。 對所獲得之光罩基底進行XPS分析，結果確認到，於遮光層2中未檢測出氧，其包含含有鉻及氮之氮化鉻之鉻化合物。 其次，對於所獲得之光罩基底，與實施例1同樣地對膜應力、臭氧洗淨耐受性進行評價。 利用平坦度測定機對透明基板1測定成膜遮光膜(遮光層2及反射降低層3)之前後之平坦度變化量，結果確認到該平坦度變化量為4 μm，遮光膜之膜應力較低。認為該結果係由如下情況引起：遮光層係包含氮化鉻之材料而表現為拉伸應力，且反射降低層係包含氧之含量多於遮光層之鉻化合物之材料而表現為壓縮應力，由此產生應力相抵效果。 對臭氧洗淨前後之反射率(波長436 nm)之變化進行測定，結果確認到，與實施例1同樣地為0.06%，臭氧洗淨耐受性極高。 (實施例3) 實施例3之光罩基底係於透明基板1與遮罩圖案用之遮光膜之間形成有調整曝光之光的透過率及相位偏移量之功能膜即相位偏移膜(相位調整層)之光罩基底，即為所謂之相位偏移遮罩基底。再者，形成於相位偏移膜上之遮罩圖案用之遮光膜係與實施例1相同之遮光膜，省略說明。 使用大型直列型濺鍍裝置，於包含與實施例1相同尺寸之合成石英玻璃基板之透明基板1上進行包含MoSiN之2層膜之相位偏移膜之成膜。成膜相位偏移膜時，將第1濺鍍腔室SP1、第2濺鍍腔室SP2之濺鍍靶分別替換為包含矽化鉬(MoSi)之濺鍍靶331、333，並於以下之成膜條件下進行相位偏移膜之成膜。 濺鍍1：Ar＝50 sccm，N2 ＝90 sccm，功率＝8.0 kW，托盤搬送速度＝400 mm/min 濺鍍3：Ar＝50 sccm，N2 ＝90 sccm，功率＝8.0 kW，托盤搬送速度＝400 mm/min 藉由上述成膜條件，於濺鍍1中，於透明基板1上成膜膜厚55 nm之包含氮化鉬矽膜(MoSiN)之第1層之相位偏移膜，於濺鍍3中，成膜膜厚55 nm之包含氮化鉬矽膜(MoSiN)之第2層之相位偏移膜，而於透明基板1上形成2層包含氮化鉬矽膜(MoSiN)之合計膜厚110 nm之相位偏移膜。 對於形成有該相位偏移膜之基板，藉由Lasertec公司製造之MPM-100而測定透過率、相位差。透過率、相位差之測定係使用同時製作之6025尺寸之虛設基板進行測定。其結果為，透過率為5.5%(波長：365 nm)，相位差為180°(波長：365 nm)。 其次，於相位偏移膜上進行與實施例1相同之遮罩圖案用之遮光膜(遮光層2及反射降低層3)之成膜，而製造相位偏移遮罩基底。 利用與實施例1相同之評價方法及相同之條件對該所獲得之相位偏移遮罩基底進行評價。遮罩圖案用之遮光膜5之鉻含量、含氧分佈、含氮分佈相同。 其次，使用該相位偏移遮罩基底製造相位偏移遮罩。 首先，與實施例1同樣地，對於所準備之相位偏移遮罩基底，使用臭氧洗淨液進行臭氧洗淨。 其次，使用不包含界面活性劑之抗蝕劑，於遮光膜上形成膜厚525 nm之抗蝕劑膜4。然後，使用雷射描畫機於該抗蝕劑膜4描畫電路圖案等所需之圖案，進而，進行顯影、沖洗，藉此形成特定之抗蝕劑圖案4a。其後，將抗蝕劑圖案作為遮罩，利用包含硝酸鈰銨及過氯酸之鉻蝕刻液，藉由濕式蝕刻將該遮光膜圖案化而形成預備遮光膜圖案。 其後，在不將抗蝕劑圖案去除之情況下，將抗蝕劑圖案及遮光膜圖案作為遮罩，利用氫氟酸、氟矽酸、氟化氫銨等氟化合物中添加過氧化氫、硝酸、硫酸等氧化劑而成之蝕刻液，藉由濕式蝕刻將相位偏移膜圖案化而形成相位偏移膜圖案。 其次，在不將抗蝕劑圖案去除之情況下，再次利用上述鉻蝕刻液對預備遮光膜圖案進行再次蝕刻，而於相位偏移膜圖案上之中央部形成具有所需之圖案線寬之遮光膜圖案。 最後，將抗蝕劑圖案剝離而獲得於透明基板1上形成有線＆間隙圖案為2 μm之相位偏移膜圖案、及於相位偏移膜圖案之中央部上形成有遮光膜圖案之相位偏移遮罩。 與實施例1同樣地測定該相位偏移遮罩之相位偏移膜圖案之尺寸均勻性(CD均勻性)，評價之結果為，CD均勻性為0.08 μm。該相位偏移遮罩係具有CD均勻性足夠小之高精度之相位偏移膜圖案者。因此，可與實施例1同樣地以較高之良率製造具有所需之特性之高精細之顯示裝置。 (比較例) 以下，表示比較例之成膜條件。 濺鍍1：Ar＝65 sccm，N2 ＝15 sccm，功率＝1.5 kW，托盤搬送速度＝400 mm/min 濺鍍2：Ar/CH4 (4.9%)＝31 sccm，功率＝8.5 kW，托盤搬送速度＝400 mm/min 濺鍍3：Ar＝34.8 sccm，N2 ＝32.2 sccm，CO2 ＝4.5 sccm，功率＝1.74 kW，托盤搬送速度＝400 mm/min 濺鍍4：Ar＝34.8 sccm，N2 ＝32.2 sccm，CO2 ＝4.5 sccm，功率＝1.74 kW，托盤搬送速度＝400 mm/min 再者，濺鍍1～4之氣體供給係相對於所有靶自上游側供給。 藉此而獲得之光罩基底於透明基板上具備CrN之遮光層、以及均為CrCON之上層部及下層部之2層構造之反射降低層。 對於所獲得之比較例之光罩基底，進行利用X射線光電子光譜法(XPS)之深度方向之組成分析。將其結果示於圖7中。 如該圖所示，反射降低層中所包含之氧之含量多於遮光層中所包含之氧之含量，但反射降低層中之上層部中所包含之氧含量係與下層部大致相同之水準。 又，於上層部之表面側不存在實質上不含碳之區域，氮及氧之含有率大致同等。 其次，對於所獲得之光罩基底，與實施例1同樣地對膜應力、臭氧洗淨耐受性進行評價。 利用平坦度測定機對透明基板1測定成膜遮光膜(遮光層2及反射降低層3)之前後之平坦度變化量，其結果為7.5 μm。又，對臭氧洗淨前後之反射率(波長436 nm)之變化進行測定，其結果為2.11%。與實施例1、2相比，膜應力及臭氧洗淨耐受性變差。 圖8係使用利用比較例1之方法製造之光罩基底，以與實施例1相同之方法形成遮光膜圖案，且使用掃描型電子顯微鏡拍攝殘留有抗蝕劑圖案4a之狀態下之遮光膜圖案之剖面形狀而成者。 如該圖所示，剖面形狀變成拖著非常長之下擺之錐形狀。認為其原因在於，因抗蝕劑(不包含界面活性劑之抗蝕劑)與反射降低層之密接性之問題，而濕式蝕刻液滲入至抗蝕劑膜與反射降低層之界面造成較大之腐蝕。 又，利用與實施例1相同之方法製造之光罩之CD均勻性為0.15 μm。 由以上可明確，於實施例及比較例中，雖基本之膜構成相同(於透明基板上具備CrON或CrN之遮光層、以及均為CrOCN之上層部及下層部之2層構造之反射降低層)，但比較例之光罩基底於形成遮光膜圖案時，其剖面形狀成為較大之錐形狀。 與此相對，本發明之實施例之光罩基底藉由利用上述所說明之製造方法而具備上述所說明之構成，可於形成遮光膜圖案時將其剖面形狀垂直化。 又，根據實施例之光罩基底，反射降低層3由上層部32及下層部31之2層構造形成，若相對性地比較各自之氧及氮之含量，則下層部31富含氮，上層部32富含氧。藉此，作為膜應力，於下層部31產生拉伸應力，於上層部32產生壓縮應力，從而膜應力相互抵消，故而可降低作為膜整體之應力。
1‧‧‧透明基板2‧‧‧遮光層2a‧‧‧遮光層圖案3‧‧‧反射降低層3a‧‧‧反射降低層圖案4‧‧‧抗蝕劑膜4a‧‧‧抗蝕劑圖案31‧‧‧下層部31a‧‧‧下層部圖案32‧‧‧上層部32a‧‧‧上層部圖案100‧‧‧光罩基底200‧‧‧光罩300‧‧‧直列濺鍍裝置301‧‧‧托盤311‧‧‧擋板312‧‧‧擋板331‧‧‧濺鍍靶332‧‧‧濺鍍靶333‧‧‧濺鍍靶334‧‧‧濺鍍靶BU‧‧‧緩衝腔室LL‧‧‧搬入腔室SP1‧‧‧第1濺鍍腔室SP2‧‧‧第2濺鍍腔室UL‧‧‧搬出腔室
圖1係表示本發明之實施形態1之光罩基底之概略構成之主要部分剖面構成圖。 圖2係表示可用於本發明之光罩基底之成膜之直列型濺鍍裝置之概要構成之模式圖。 圖3(a)～(e)係表示根據本發明之實施形態2之光罩製造步驟之主要部分剖面構造圖。 圖4係表示實施例1中之光罩基底之膜之元素分佈之特性圖。 圖5係表示實施例1中之光罩基底之氮與氧之元素分佈之比率之圖。 圖6係表示實施例1之遮光膜圖案之邊緣部分之剖面形狀之剖面照片。 圖7係表示比較例中之光罩基底之膜之元素分佈之特性圖。 圖8係表示比較例之遮光膜圖案之邊緣部分之剖面形狀之剖面照片。
1‧‧‧透明基板
2‧‧‧遮光層
3‧‧‧反射降低層
31‧‧‧下層部
32‧‧‧上層部
100‧‧‧光罩基底

Claims (12)

  1. 一種光罩基底，其特徵在於：其係具有包含對於曝光之光實質上為透明之材料之透明基板、於上述透明基板上之遮光層、及於上述遮光層上之反射降低層者，上述遮光層包含含有鉻及氮之鉻化合物，上述反射降低層包含含有鉻、氮、氧及碳之鉻化合物，上述反射降低層中所包含之鉻之含量少於上述遮光層中所包含之鉻之含量，上述反射降低層係積層複數層而成之積層膜，上述反射降低層之表面側之上層部中所包含之氧含量，多於上述反射降低層之遮光層側之下層部中所包含之氧含量，於上述上層部之表面側具有實質上不含碳之區域，該區域係朝向最表面而氧連續地增加，且上述區域中氧相對於氮之比率(O/N)之最大值為5以上。
  2. 如請求項1之光罩基底，其中上述氧相對於氮之比率(O/N)之最小值為2以上。
  3. 如請求項1之光罩基底，其中於上述透明基板與遮光層之間具有調整透過率之透過率調整層。
  4. 如請求項1之光罩基底，其中於上述透明基板與遮光層之間具有調整相位差之相位調整層。
  5. 如請求項1至4中任一項之光罩基底，其中於上述反射降低層上形成有抗蝕劑層。
  6. 如請求項5之光罩基底，其中上述抗蝕劑層係塗佈不包含界面活性劑之抗蝕劑而成者。
  7. 一種光罩基底之製造方法，其特徵在於，其係如請求項1至6中任一項之光罩基底之製造方法，且具有：準備上述透明基板之步驟；於上述透明基板之主表面上形成上述遮光層之步驟；及於上述遮光層上形成上述反射降低層之步驟；且具有：於包含二氧化碳氣體、及氮系氣體之混合氣體環境中，藉由使用鉻靶之濺鍍而形成上述反射降低層之下層部之步驟；以及於包含氧系氣體、及氮系氣體之混合氣體環境中，藉由使用鉻靶之濺鍍而形成上述反射降低層之上層部之步驟。
  8. 一種光罩之製造方法，其特徵在於使用如請求項1至4中任一項之光罩基底、或藉由如請求項7之製造方法而製造之光罩基底，且具有如下步驟而製造光罩，即具有：於該光罩基底上形成抗蝕劑層之步驟；針對上述抗蝕劑層描畫所需之圖案之步驟；進行顯影而於上述光罩基底上形成抗蝕劑圖案之步驟；及基於上述抗蝕劑圖案，而藉由蝕刻將上述遮光層及上述反射降低層 圖案化之步驟。
  9. 如請求項8之光罩之製造方法，其中於形成上述抗蝕劑層之步驟前，對上述光罩基底之上述反射降低層利用臭氧洗淨液進行抗蝕劑塗佈前洗淨。
  10. 一種光罩之製造方法，其特徵在於，使用如請求項5或6之光罩基底，且具有如下步驟而製造光罩，即具有：針對上述抗蝕劑層描畫所需之圖案之步驟；進行顯影而於上述光罩基底上形成抗蝕劑圖案之步驟；及基於上述抗蝕劑圖案，而藉由蝕刻將上述遮光層及上述反射降低層圖案化之步驟。
  11. 如請求項8至10中任一項之光罩之製造方法，其中上述抗蝕劑層係塗佈不包含界面活性劑之抗蝕劑而成者。
  12. 一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於具有曝光步驟，即，將藉由如請求項7至11中任一項之光罩之製造方法而製造之光罩載置於曝光裝置之遮罩載置台，且將形成於上述光罩上之轉印用圖案曝光轉印於形成於顯示裝置基板上之抗蝕劑。
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