JP2014192405A5 - - Google Patents
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Description
本発明のプローブ装置の一態様は、半導体ウエハに形成された半導体デバイスと電気的に接続し、テスタによって前記半導体デバイスの電気的な検査を行うプローブ装置であって、前記半導体ウエハを載置する載置台と、前記載置台において前記半導体ウエハが載置される載置面に形成され、前記半導体デバイスの裏面側に形成された裏面側電極と接触する載置台電極と、前記載置台の上方に配設され、前記テスタと電気的に接続する複数のプローブを有するプローブカードと、前記載置台を駆動して当該載置台に載置された前記半導体ウエハの前記半導体デバイスの電極に前記複数のプローブを接触させる駆動機構と、前記載置台の上方に配設され、前記テスタと電気的に接続される電極板と、前記載置台の側方に配設されたコンタクトプローブと、前記載置台の側方に固定されたストッパアンドガイドブロックと、前記載置台の下部から突出して配設されたベースブロックとを備え、前記コンタクトプローブは、上面に凹凸が形成されて前記電極板に当接する当接部と、前記当接部の下方において当該当接部と一体に構成され、前記載置台電極と電気的に接続されたケーブルが接続されるケーブル接続部とを有し、前記コンタクトプローブは前記ベースブロック上にプローブガイドブロック及びプローブ押さえを介して係止され、前記コンタクトプローブは１つの金属材料から一体に構成され、前記コンタクトプローブの表面には金メッキ層及び中間メッキ層が形成され、前記中間メッキ層は前記金メッキ層の下層に形成され、前記ケーブル接続部の下方に配設された付勢部材によって前記当接部と前記ケーブル接続部とが上下動自在に構成され、前記載置台を上昇させて前記半導体デバイスの電極に前記プローブを接触させた際に、前記当接部と前記電極板とを当接させて前記裏面側電極と前記テスタとを電気的に接続させることを特徴とする。
Claims (14)
- 半導体ウエハに形成された半導体デバイスと電気的に接続し、テスタによって前記半導体デバイスの電気的な検査を行うプローブ装置であって、
前記半導体ウエハを載置する載置台と、
前記載置台において前記半導体ウエハが載置される載置面に形成され、前記半導体デバイスの裏面側に形成された裏面側電極と接触する載置台電極と、
前記載置台の上方に配設され、前記テスタと電気的に接続する複数のプローブを有するプローブカードと、
前記載置台を駆動して当該載置台に載置された前記半導体ウエハの前記半導体デバイスの電極に前記複数のプローブを接触させる駆動機構と、
前記載置台の上方に配設され、前記テスタと電気的に接続される電極板と、
前記載置台の側方に配設されたコンタクトプローブと、
前記載置台の側方に固定されたストッパアンドガイドブロックと、
前記載置台の下部から突出して配設されたベースブロックとを備え、
前記コンタクトプローブは、 上面に凹凸が形成されて前記電極板に当接する当接部と、前記当接部の下方において当該当接部と一体に構成され、前記載置台電極と電気的に接続されたケーブルが接続されるケーブル接続部とを有し、
前記コンタクトプローブは前記ベースブロック上にプローブガイドブロック及びプローブ押さえを介して係止され、
前記コンタクトプローブは１つの金属材料から一体に構成され、
前記コンタクトプローブの表面には金メッキ層及び中間メッキ層が形成され、前記中間メッキ層は前記金メッキ層の下層に形成され、
前記ケーブル接続部の下方に配設された付勢部材によって前記当接部と前記ケーブル接続部とが上下動自在に構成され、
前記載置台を上昇させて前記半導体デバイスの電極に前記プローブを接触させた際に、前記当接部と前記電極板とを当接させて前記裏面側電極と前記テスタとを電気的に接続させる
ことを特徴とするプローブ装置。 - 請求項１記載のプローブ装置であって、
前記コンタクトプローブが、前記載置台の周方向に間隔を設けて複数配設されている
ことを特徴とするプローブ装置。 - 請求項１又は２記載のプローブ装置であって、
前記コンタクトプローブを上下動させる昇降機構を備える
ことを特徴とするプローブ装置。 - 請求項３記載のプローブ装置であって、
昇降機構は、前記コンタクトプローブの高さを多段階で調整可能である
ことを特徴とするプローブ装置。 - 請求項１〜４いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記当接部が円板状に形成されるとともに、前記ケーブル接続部が直方体状に形成され、前記当接部の直下に前記ケーブル接続部が配設され、前記ケーブル接続部の側面に前記ケーブルを接続するためのねじ部が配設されている
ことを特徴とするプローブ装置。 - 請求項１〜５いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記当接部及び前記ケーブル接続部の表面に金メッキ層が形成されている
ことを特徴とするプローブ装置。 - 請求項１〜６いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記当接部の側面と前記ケーブル接続部の側面との間の抵抗値が０．１ｍΩ以下である
ことを特徴とするプローブ装置。 - 請求項１〜７いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記ストッパアンドガイドブロックはアルミニウムから構成される
ことを特徴とするプローブ装置。 - 請求項１〜８いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記ベースブロックはステンレス鋼からなる
ことを特徴とするプローブ装置。 - 請求項１〜９いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記プローブガイドブロックは樹脂からなる
ことを特徴とするプローブ装置。 - 請求項１〜１０いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記プローブ押さえはアルミニウムからなる
ことを特徴とするプローブ装置。 - 請求項１〜１１いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記中間メッキ層は無電解ニッケルメッキからなる
ことを特徴とするプローブ装置。 - 請求項１〜１２いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記金メッキ層の厚さは０．３μｍ〜０．５μｍである
ことを特徴とするプローブ装置。 - 請求項１〜１３いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記中間メッキ層の厚さは３μｍである
ことを特徴とするプローブ装置。
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