JP4740799B2 - 薄板収納容器の検査装置およびその検査方法 - Google Patents

薄板収納容器の検査装置およびその検査方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4740799B2
JP4740799B2 JP2006158899A JP2006158899A JP4740799B2 JP 4740799 B2 JP4740799 B2 JP 4740799B2 JP 2006158899 A JP2006158899 A JP 2006158899A JP 2006158899 A JP2006158899 A JP 2006158899A JP 4740799 B2 JP4740799 B2 JP 4740799B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate
conductive
conductive plate
storage container
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006158899A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007329277A (ja
Inventor
勝弘 芳野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lapis Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Oki Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Semiconductor Co Ltd filed Critical Oki Semiconductor Co Ltd
Priority to JP2006158899A priority Critical patent/JP4740799B2/ja
Priority to US11/730,994 priority patent/US7532004B2/en
Publication of JP2007329277A publication Critical patent/JP2007329277A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4740799B2 publication Critical patent/JP4740799B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735Closed carriers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/141Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、半導体ウェハ等の薄板を複数収納する薄板収納容器の変形を検査する薄板収納容器の検査装置およびその検査方法に関する。
一般に、半導体ウェハを複数、段状にして収納する樹脂製のウェハ収納容器は、内部を洗浄しながら長期間使用されるために、経時変化により変形が生ずる場合がある。
ウェハ収納容器に変形が生ずると、段ガイドに支持された半導体ウェハの支持間隔が不揃いになり、ウェハ収納容器に半導体ウェハを挿抜するための搬送アームの保持板の半導体ウェハ間への挿入等の際に、保持板が半導体ウェハに当たって半導体ウェハを傷付けるることがあり、ウェハ収納容器の変形量が多い場合には半導体ウェハを破損させるという問題が生ずる。
このような搬送アームによる半導体ウェハの損傷を防止するために、従来のウェハ収納容器の検査装置は、ウェハ収納容器の検査の際に、ウェハ収納容器の内部に段ガイドにより1枚毎に段状に支持された複数の半導体ウェハを収納し、その半導体ウェハ間にこれを吸着保持するための搬送アームの保持板を挿入し、保持板と上下の半導体ウェハとの隙間が均等になるように作業者の目視により調整して初期位置を設定し、ウェハ収納装置の底板の4箇所に設けられたカセット脚の高さを変更して半導体ウェハの支持位置のバラツキの上下限で保持板と上下の半導体ウェハとの接触がないことを確認してウェハ収納容器の変形を検査している(例えば、特許文献1参照。)。
特開2004−72067号公報(第14頁段落0079−第16頁段落0104、第11図)
しかしながら、上述した従来の技術においては、ウェハ収納容器の変形の検査を、保持板と上下の半導体ウェハとの隙間の均等性を作業員の目視により確認した後に、カセット脚の高さを変更して半導体ウェハの支持位置のバラツキの上下限における保持板と上下の半導体ウェハとの接触の有無を確認して行っているため、保持板と半導体ウェハとの隙間が小さい場合には上下の隙間の均等性を目視で測定することは難しく、正確な初期位置の設定が困難になり、バラツキの上下限の確認において誤判定が生じる虞があるという問題がある。
また、バラツキの上下限の確認を行うときに、カセット脚を取替えるための時間を要し、検査時間が長くなって検査効率が低下するという問題がある。
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、ウェハ収納容器等の薄板収納容器の変形の検査における判定を正確に行うことができると共に、その検査効率を向上させる手段を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決するために、絶縁性を有し、薄板を1枚毎に支持する段ガイドを備えた薄板収納容器の検査装置であって、上面および下面を有し、前記段ガイドに支持されると共に導電性を有する導電板と、前記上面および前記下面に、それぞれ隙間を介して配置された導電性を有するシャフトと、前記導電板に当接する導電性を有する接触子とを備えたことを特徴とする。
これにより、本発明は、接触子に電流を供給してシャフトと導電板との接触による導通により、薄板収納容器の導電板の上面および下面とシャフトとの間の隙間以上の変形を誰でも容易かつ正確に判定することができと共に、導電板を挟んでシャフトを挿入するだけで薄板収納容器の変形を容易に判定することが可能になり、薄板収納容器の変形の検査における検査効率を向上させることができるという効果が得られる。
以下に、図面を参照して本発明による薄板収納容器の検査装置およびその検査方法の実施例について説明する。
図1は実施例の検査装置の上面を示す説明図、図2は実施例の検査装置の側面を示す説明図、図3は実施例のウェハ収納容器の正面を示す説明図、図4は実施例の接触子組立体の断面を示す説明図、図5は実施例の検査機構の測定状態を示す説明図、図6は実施例の検査機構の配置を示す説明図、図7は実施例の検査装置の回路構成例を示す説明図である。
図1、図2において、1は検査装置であり、薄板収納容器としてのウェハ収納容器2の変形を検査する検査装置である。
3は検査装置1の基台であり、比較的厚い鋼板等により形成された矩形の板状部材であって、その中央部に設置されるウェハ収納容器2の設置位置の位置決めを行うためのL字状に配置された基準板4がその上面にボルトにより固定されている。
また、基台3のウェハ収納容器2のウェハ挿抜方向(図1における長手方向)の一方の側には後述する接触検知部10を設置するための段差が設けられ、そのウェハ収納容器2を挟んだ反対側には、後述する電流供給部20を設置するためのレール設置溝21が設けられている。
ウェハ収納容器2は、半導体の製造ラインのラインサイドに設置され、図示しない搬送アームの保持板に吸着保持された薄板としての半導体ウェハを1枚毎に段ガイド5に支持させて収納し、収納された半導体ウェハを保持板に吸着保持して取出すための収納容器である。
本実施例のウェハ収納容器2は、直径6インチ、厚さT=0.65mmの半導体ウェハを1枚毎に段ガイド5に支持して段状に25枚収納(図3参照)する絶縁性を有する樹脂材料で形成された収納容器であって、その段ガイド5による半導体ウェハの支持ピッチPは4.76mmに設定されている。
7は導電板であり、ウェハ収納容器2に収納される半導体ウェハと同じ直径および同じ厚さを有する円盤状の導電性を有する板状部材であって、銅(Cu)やアルミニウム(Al)、鉄(Fe)等の導電性を有する金属材料で形成された円盤状の板や、樹脂材料等で形成された円盤状の板の上下面および側面を含む全表面を、蒸着等により金(Au)や銅等の導電材料からなる導電性被膜で被覆して形成される。
本実施例の導電板7は、半導体ウェハを形成するシリコン基板の全表面を、金を導電材料とした導電性被膜で被覆して形成されており、その円周面の一部を切欠いて後述する接触子25を当接させるための当接部8が形成されている。
10は検査装置1の接触検知部であり、ウェハ収納容器2に対して基台3のウェハ挿抜方向の一方の側に配置されている。
11は接触検知部10のシャフト取付板であり、アルミニウム等の導電性を有する金属材料で形成され、そのウェハ収納容器2側の面の両側の側縁部には、それぞれ導電性を有する金属材料で形成されたシャフト12が止めねじ13により半導体ウェハの支持ピッチPと同じピッチPsで一列に固定されており(図6参照)、これら2列のシャフト12は、ウェハ収納容器2に収納される半導体ウェハの直径の2/3以上離間させて配置されている。
また、シャフト取付板11には直線案内機構が設けられており、シャフト取付板11のウェハ収納容器2とは反対側の面に設けられたグリップ14を用いて往復移動可能に構成されている。
本実施例の直線案内機構は、基台3に調整ねじ15により固定された補助基台3aにボルトにより基台3のウェハ挿抜方向に沿って平行に設置された2本のレール16aに、鞍状のスライダ16bを図示しないボール等の転動体を介してそれぞれ嵌合させて、レール16a上にスライダ16bを直線往復移動可能に支持する2台のリニアガイド装置16により形成され、そのスライダ16bにシャフト取付板11がボルト等により固定されている。
18は押え具であり、シャフト取付板11のウェハ収納容器2側の面の中央部に取付けられ、導電板7を押圧する機能を有しており、シャフト12の設置範囲より長い矩形段断面を有する柱状のブロック18aのウェハ収納容器2側の面に、合成ゴム等の絶縁性を有する弾性材料で形成されたブロック18aと同等の長さを有する円柱状の弾性部材18bを、樹脂材料等の絶縁性を有する材料で形成された押え板18cにより、弾性部材18bの円周面の一部が押え板18cのウェハ収納容器2側の面から突出するように固定して形成(図5参照)される。
20は検査装置1の電流供給部であり、ウェハ収納容器2を挟んで基台3のウェハ挿抜方向の他方の側に接触検知部10と対向して配置され、基台3の短手方向の中央部にウェハ挿抜方向に沿って形成されたレール設置溝21に設置された接触検知部10と同様の直線案内機構、つまりレール設置溝21の底面に設置されたレール22aとレール22a上に直線往復移動可能に支持されたスライダ22bとにより構成されるリニアガイド装置22に支持されており、そのスライダ22bにボルトにより固定された接触子取付板23に、ボルトにより取付けられたカバー23aのウェハ収納容器2とは反対側の面に設けられたグリップ24を用いて往復移動可能に構成されている。
25は接触子であり、図4に示すように、接触子組立体26の先端部に設けられたアルミニウム等の導電性を有する金属材料で形成された段付軸状部材であって、その大径の頭部25aの端面が、導電板7の当接部8に当接して導電板7へ電流を供給する機能を有している。
27は接触子組立体26のホルダであり、樹脂材料等の絶縁性を有する材料で形成された有底の円筒状部材であって、その底板には銅等の導電性を有する金属材料で形成された端子部28が底板を貫通して形成されている。
29は圧縮コイルスプリング等のバネ部材であり、導電性を有するバネ鋼等の鋼線をコイル状に成形して形成され、接触子25の小径の軸部25bの頭部25aと反対側の端部に設けられたストッパ部25cと、ホルダ27の底板に形成された端子部28との間のホルダ27の内部に配置され、これらを離間させる方向に付勢力を発揮する。
これにより、接触子25がホルダ27に出没可能に支持される。
接触子取付板23は、図1に示すように、金属材料等で形成された矩形断面を有する柱状部材であって、ウェハ収納容器2側の面から反対側の面に貫通するホルダ嵌合穴31(図2、図6参照)が半導体ウェハの支持ピッチPと同じピッチPtで一列に形成されており、このホルダ嵌合穴31にホルダ27を圧入または接着等により固定して接触子組立体26の接触子25が電流供給部20のウェハ収納容器2側に配置される。
33は表示板であり、電流供給部20のカバー23aの側面にスペーサを介してボルトにより固定され、図2に示すように表示灯としての発光ダイオード34および発光ダイオード34の電圧調節のための抵抗35を一組として各接触子組立体26の端子部28にそれぞれ接続されており、後述する検査における測定の際に、導電板7にシャフト12が接触したことを導電板7毎に発光により表示する機能を有している。
また、各発光ダイオード34は、それぞれ図1に示すスイッチ37を介して電源38に接続しており、電源38により供給される電流は、発光ダイオード34、抵抗35、接触子組立体26の端子部28、バネ部材29を経由して各接触子25へ導かれ、図7に示すように一組の発光ダイオード34と抵抗35が、各接触子25にそれぞれ並列に結線される。
本実施例の検査装置1の検査機構40は、図5に示すように、接触子取付板23に固定されたホルダ27に出没可能に支持された接触子25を、導電板7の当接部8と反対側の端部をシャフト取付板11に固定された押え具18の弾性部材18bで押圧して当接部8に当接させ、図6に示すように、導電板7の上面および下面にそれぞれ隙間Cを介してシャフト取付板11に固定されたシャフト12を配置して構成される。
この場合のシャフト12の外周面と導電板7の上面および下面との間の隙間Cは、それぞれウェハ収納容器2の各段の段ガイド5に支持された半導体ウェハの支持位置の許容範囲の上限位置のときの半導体ウェハの上面から下限位置のときの半導体ウェハの下面までの距離(許容長Lという。)から半導体ウェハの厚さT(=導電板7の厚さ)を減じた値の半分に設定され、
C=(L−T)/2 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(1)
で表される。
また、シャフト12の直径Dは、支持ピッチPから許容長Lを減じた値に設定され、
D=P−L ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(2)
で表される。
このため、接触子25の固定位置は、図6に示すように、正常なウェハ収納容器2に支持ピッチPで支持された半導体ウェハの支持位置と同じ位置に設定され、シャフト12の固定位置は、接触子25のピッチPtとシャフト12のピッチPsがともに半導体ウェハの支持ピッチPと同一であるので、支持ピッチPの半ピッチ(=P/2)ずらした状態に設定される。
また、シャフト12の長さは、シャフト取付板11に固定された位置で、導電板7の間に挿入したときに、導電板7のその位置の弦の長さの3/4以上奥まで挿入できる長さに設定される。
本実施例のウェハ収納容器2の支持ピッチPは4.76mm、半導体ウェハの厚さTは0.65mmであり、許容長Lは1.76mmであるので、(1)、(2)式より、シャフト12の直径Dは3mm、隙間Cは0.56mmに設定される。
また、接触子25の固定位置と、シャフト12の固定位置とは2.28mm下方にずれた状態で設定されそれぞれ4.76mmの等ピッチで直列に配置される。
上記の検査装置1を用いて、ウェハ収納容器2の変形を検査する場合の検査方法について、Sで示すステップに従って説明する。
S1、変形のない基準となるウェハ収納容器2(基準収納容器という。)を準備し、5枚の導電板7を最下段、下から7段目、13段目、19段目および25段目(最上段)の各段の段ガイド5に当接部8側から挿入し、各導電板7を段ガイド5に支持させて収納し(図5参照)、接触検知部10のシャフト取付板11に前記の各段の導電板7を挟む位置にシャフト12をそれぞれ固定する。
この場合に25段目は、最上段であるので導電板7の下面側のみにシャフト12が配置される。
S2、5枚の導電板7を収納した基準収納容器の底板を、基台3の各基準板4に合わせて基台3上に設置する。
S3、接触検知部10をグリップ14を用いて基準収納容器の方向に移動させ、押え具18の弾性部材18bを導電板7の外周面に当接させ、前記各段に収納された導電板7を挟んでシャフト12を挿入する。
S4、次いで、電流供給部20をグリップ24を用いて基準収納容器の方向に移動させ、接触子25の端面を導電板7の当接部8に当接させて図5に示す測定状態とし、導電板7が接触子25と押え具18の弾性部材18bとの間に挟持されていることを確認する。
そして、導電板7の上面および下面とシャフト12の外周面との間に、それぞれ隙間Cが形成されていることを、シックネスゲージまたはギロチンゲージ(本実施例では0.56mmの隙間Cを挟むように調整された隙間ゲージ)等を用いて確認する。
このとき、導電板7の上面および下面とシャフト12の外周面との間にはそれぞれ隙間Cが形成されているので、図7に示すように、導電板7とシャフト12により形成される接点は開放状態にあり、発光ダイオード34が点灯することはないが、もし、導電板7とシャフト12の間の接触による導通により発光ダイオード34が点灯するようであれば、その発光ダイオード34の位置により調整を要するシャフト12を特定し、そのシャフト12の固定位置を調整する。
以上のステップにより、検査装置1が正確に設定されていることを確認して接触検知部10、電流供給部20を元の位置(図1に示す状態)に戻し、基準収納容器を取外す。
S5、次いで、検査対象となるウェハ収納容器2に、5枚の導電板7を前記の各段の段ガイド5に当接部8側から挿入し、各導電板7を段ガイド5に支持させて収納する。
S6、上記ステップS2と同様にして、ウェハ収納容器2を基台3上に設置する。
S7、上記ステップS3と同様にして、前記各段に収納された導電板7を挟んでシャフト12を挿入する。
S8、上記ステップS4と同様にして、接触子25の端面を導電板7の当接部8に当接させ、表示板33の発光ダイオード34の点灯状況を確認する。
全ての発光ダイオード34が点灯しないようであれば、ステップS5において検査対象としたウェハ収納容器2は変形があったとしても許容範囲内であるので合格と判定し、一つでも発光ダイオード34が点灯するようであれば、変形量が多くなっていることが懸念されるので、点灯した発光ダイオード34の段ガイド5の段位置を記録して不合格と判定する。
そして、上記ステップS5において設置したウェハ収納容器2を取外し、他のウェハ収納容器2を用いて、上記ステップ5に戻って他のウェハ収納容器2の検査を行う。
このようにして、本実施例の検査装置1を用いたウェハ収納容器2の変形が検査される。
この場合に、上記ステップS8において、本実施例の接触子25は、導電板7毎に設置されているので、シャフト12が導電板7の上面および下面のどちらの面に接触してもその導電板7の位置を特定することができる。
その後、不合格となったウェハ収納容器2を特定された段ガイド5の段位置を中心に詳細に計測し、再使用の可否を判定する。
このように、本実施例の検査装置1は、ウェハ収納容器2の段ガイド5に支持された導電板7に接触子25を当接させ、その導電板7の上面および下面にそれぞれ隙間Cを介してシャフト12を配置したので、接触子25に電流を供給してシャフト12と導電板7の接触による導通により、ウェハ収納容器2の隙間C以上の変形を、隙間Cが小さい場合においても熟練を要する目視判定によらずに、誰でも容易かつ正確に判定することができると共に、導電板7を挟んでシャフト12を挿入するだけで、ウェハ収納容器2の変形を容易に判定することが可能になり、ウェハ収納容器2の変形の検査における検査効率を向上させることができる。
また、シャフト12の外周面と導電板7の上面および下面との間の隙間Cを、それぞれ段ガイド5に支持された半導体ウェハの支持位置の許容範囲の許容長Lから半導体ウェハの厚さTを減じた値の半分に設定したので、ウェハ収納容器2の変形量が許容範囲の上限または下限を超えたことを、一度の測定で判定することが可能になる。
この場合において、許容範囲の許容長Lが更に短いときは、シャフト12の直径を大きくすれば、容易に許容範囲の変更に対応することができる。
更に、導電板7毎に接触子25を設けてシャフト12と導電板7とが接触したときに、接触した導電板7を発光ダイオード34の点灯により表示するので、ウェハ収納容器2の変形量の多い部位を誰でも容易かつ迅速に特定することができる。
更に、導電板7を全表面に導電性被膜を形成したシリコン基板で形成したので、金属板で導電板7を形成する場合に較べて、軽量かつ高剛性な導電板7を得ることができ、導電板7の自重による撓みを抑制して、更に正確な変形量の判定を行うことができる。
上記のように、本実施例の検査装置1を用いれば、ウェハ収納容器2の変形を容易に判定することが可能になり、搬送アームによる半導体ウェハの搬送時における半導体ウェハの損傷を未然に防止することができる。
なお、上記ステップS7とS8との順を入れ換えてもよい。つまり、先に接触子25を導電板7に当接させておき、その後にシャフト12を挿入して導電板7を接触子25と押え具18の弾性部材18bとの間に挟持するようにしてもよい。
また、導電板7に当接部8を形成するとして説明したが、当接部8を形成せずに導電板7を円盤としてもよい。このようにすればウェハ収納容器2に導電板7を挿入するときにその方向性を識別する必要がなくなり、更に検査効率の向上を図ることができる。
更に、ウェハ収納容器2は全てが絶縁材料で一体に形成されているとして説明したが、段ガイド5が絶縁性を有していれば足り、段ガイド5を別に形成してウェハ収納容器2の内部に取付けるようにしてもよい。
更に、上記の検査方法においては、5枚の導電板7をウェハ収納容器2に収納して測定を行うとして説明したが、ウェハ収納容器2に収納する導電板7の数は前記に限らず、4枚以下であっても、6枚以上であってもよく、全ての段ガイド5に導電板7を支持させ、全てのシャフト12を取付けて測定を行うようにしてもよい。
以上説明したように、本実施例では、絶縁性を有する段ガイドを備えたウェハ収納容器の変形を検査する検査装置に、段ガイドに支持された半導体ウェハと同じ厚さTを有する導電板の上面および下面に、それぞれ隙間Cを介して配置された導電性を有するシャフトと、導電板に当接する導電性を有する接触子とを設けたことによって、接触子に電流を供給してシャフトと導電板との接触による導通により、ウェハ収納容器の隙間C以上の変形を誰でも容易かつ正確に判定することができと共に、導電板を挟んでシャフトを挿入するだけでウェハ収納容器の変形を容易に判定することが可能になり、ウェハ収納容器の変形の検査における検査効率を向上させることができる。
またシャフトが、導電板に接触したときに、接触した導電板を表示する発光ダイオードを設けたことによって、ウェハ収納容器の変形量の多い部位を誰でも容易かつ迅速に特定することができる。
更に、導電板を、全表面に導電性被膜を形成したシリコン基板としたことによって、導電板を軽量かつ高剛性なものとして導電板の自重による撓みを抑制することができ、ウェハ収納容器の変形量の判定を更に正確に行うことができる。
更に、シャフトの外周面と導電板の上面および下面との間の隙間Cを、それぞれ段ガイドに支持された半導体ウェハの支持位置の許容範囲の許容長Lから半導体ウェハの厚さを減じた値の半分に設定したことによって、ウェハ収納容器の変形量が許容範囲の上限または下限を超えたことを、一度の測定で容易に判定することができる。
なお、上記実施例においては、表示灯は発光ダイオードであるとして説明したが、白熱灯等の導通により光を発するものであればどのようなものであってもよい。
また、上記実施例においては、検査装置の各部を具体的な数値を用いて説明したが、本発明にかかる検査装置は、上記の数値に限定されるものではなく、検査すべきウェハ収納容器や半導体ウェハの大きさに応じて適宜に定めればよい。
更に、上記実施例においては、薄板としての半導体ウェハを段状に収納する薄板収納容器としてウェハ収納容器を例に説明したが、薄板収納容器は前記に限らず、塗装工程における薄板としての鉄板を複数収納する鉄板収納容器や、ケース等の製作に用いる薄板としての樹脂パネルを複数収納するパネル収納容器等であってもよい。要は絶縁性を有する段ガイドを備えた薄板収納容器であればどのような薄板収納容器であっても、その変形の検査に本発明を適用すれば上記と同様の効果を得ることができる。
実施例の検査装置の上面を示す説明図 実施例の検査装置の側面を示す説明図 実施例のウェハ収納容器の正面を示す説明図 実施例の接触子組立体の断面を示す説明図 実施例の検査機構の測定状態を示す説明図 実施例の検査機構の配置を示す説明図 実施例の検査装置の回路構成例を示す説明図
符号の説明
1 検査装置
2 ウェハ収納容器
3 基台
3a 補助基台
4 基準板
5 段ガイド
7 導電板
8 当接部
10 接触検知部
11 シャフト取付板
12 シャフト
13 止めねじ
14、24 グリップ
15 調整ねじ
16、22 リニアガイド装置
16a、22a レール
16b、22b スライダ
18 押え具
18a ブロック
18b 弾性部材
18c 押え板
20 電流供給部
21 レール設置溝
23 接触子取付板
23a カバー
25 接触子
25a 頭部
25b 軸部
25c ストッパ部
26 接触子組立体
27 ホルダ
28 端子部
29 バネ部材
31 ホルダ嵌合穴
33 表示板
34 発光ダイオード
35 抵抗
37 スイッチ
38 電源
40 検査機構

Claims (5)

  1. 絶縁性を有し、薄板を1枚毎に支持する段ガイドを備えた薄板収納容器の検査装置であって、
    上面および下面を有し、前記段ガイドに支持されると共に導電性を有する導電板と、
    前記上面および前記下面に、それぞれ隙間を介して配置された導電性を有するシャフトと、
    前記導電板に当接する導電性を有する接触子とを備えたことを特徴とする薄板収納容器の検査装置。
  2. 請求項1において、
    前記シャフトが、前記導電板に接触したときに、該接触した導電板を表示する表示灯を設けたことを特徴とする薄板収納容器の検査装置。
  3. 請求項1または請求項2において、
    前記導電板が、全表面に導電性被膜を形成したシリコン基板であることを特徴とする薄板収納容器の検査装置。
  4. 請求項1ないし請求項3のいずれか一項において、
    前記シャフトの外周面と前記導電板の上面および下面との間の隙間を、それぞれ前記段ガイドに支持された薄板の支持位置の許容範囲の許容長から前記薄板の厚さを減じた値の半分に設定したことを特徴とする薄板収納容器の検査装置。
  5. 絶縁性を有し、薄板を1枚毎に支持する段ガイドを備えた薄板収納容器の検査方法であって、
    上面および下面を有し、導電性を有する導電板を前記段ガイドに支持させるステップと、
    前記段ガイドに支持された前記導電板の前記上面および前記下面に、それぞれ隙間を介して配置された導電性を有するシャフトを、前記導電板を挟んで挿入するステップと、
    導電性を有する接触子を、前記導電板に当接させるステップとを備えることを特徴とする薄板収納容器の検査方法。
JP2006158899A 2006-06-07 2006-06-07 薄板収納容器の検査装置およびその検査方法 Active JP4740799B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006158899A JP4740799B2 (ja) 2006-06-07 2006-06-07 薄板収納容器の検査装置およびその検査方法
US11/730,994 US7532004B2 (en) 2006-06-07 2007-04-05 Inspection device for inspecting thin plate container and method of inspecting thin plate container

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006158899A JP4740799B2 (ja) 2006-06-07 2006-06-07 薄板収納容器の検査装置およびその検査方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007329277A JP2007329277A (ja) 2007-12-20
JP4740799B2 true JP4740799B2 (ja) 2011-08-03

Family

ID=38822105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006158899A Active JP4740799B2 (ja) 2006-06-07 2006-06-07 薄板収納容器の検査装置およびその検査方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7532004B2 (ja)
JP (1) JP4740799B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9570331B2 (en) * 2014-07-30 2017-02-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer cassette with electrostatic carrier charging scheme
US10840121B2 (en) 2016-10-31 2020-11-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for unpacking semiconductor wafer container

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05162823A (ja) * 1991-12-13 1993-06-29 Nippon Steel Corp ウェハーカセットの歪み検出装置
JP2001284444A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Sony Corp ウェーハカセット試験装置
JP2004111830A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Shin Etsu Polymer Co Ltd 基板収納容器
JP2004172287A (ja) * 2002-11-19 2004-06-17 Fujitsu Ltd ウェハキャリア、検査用ウェハおよびウェハキャリアへのウェハ挿入調整方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0828205B2 (ja) * 1989-10-27 1996-03-21 株式会社日立製作所 ウエハ搬送装置
JP3869098B2 (ja) 1997-11-28 2007-01-17 大日本スクリーン製造株式会社 搬送装置、基板搬入搬出装置及び基板処理装置
US6591162B1 (en) * 2000-08-15 2003-07-08 Asyst Technologies, Inc. Smart load port with integrated carrier monitoring and fab-wide carrier management system
US7153079B2 (en) * 2001-09-18 2006-12-26 Murata Kikai Kabushiki Kaisha Automated guided vehicle
JP2004072067A (ja) 2002-06-13 2004-03-04 Renesas Technology Corp 半導体ウエハカセットおよび半導体処理装置の調整方法
JP4276440B2 (ja) * 2003-01-06 2009-06-10 東京エレクトロン株式会社 基板検出方法及び装置並びに基板処理装置
US6889818B2 (en) * 2003-04-09 2005-05-10 Lsi Logic Corporation Wafer blade contact monitor
US7290813B2 (en) * 2004-12-16 2007-11-06 Asyst Technologies, Inc. Active edge grip rest pad

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05162823A (ja) * 1991-12-13 1993-06-29 Nippon Steel Corp ウェハーカセットの歪み検出装置
JP2001284444A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Sony Corp ウェーハカセット試験装置
JP2004111830A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Shin Etsu Polymer Co Ltd 基板収納容器
JP2004172287A (ja) * 2002-11-19 2004-06-17 Fujitsu Ltd ウェハキャリア、検査用ウェハおよびウェハキャリアへのウェハ挿入調整方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7532004B2 (en) 2009-05-12
US20070286598A1 (en) 2007-12-13
JP2007329277A (ja) 2007-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9733299B2 (en) Inspection jig
JP6073304B2 (ja) 互いに噛み合わされた蛇行する検査接点を有する電子デバイス検査用のプローブモジュール
JP4684805B2 (ja) プローブ装置及び被検査体とプローブとの接触圧の調整方法
JP4740799B2 (ja) 薄板収納容器の検査装置およびその検査方法
JP6721302B2 (ja) 両面回路基板の検査装置
KR101785820B1 (ko) 프로브 장치
WO2021039501A1 (ja) 絶縁材の耐電圧特性評価方法及び耐電圧特性測定装置
JP2011007750A (ja) ウエハのクラックの検出方法及びその検出装置
KR20150135312A (ko) 프로브 장치
US20090319216A1 (en) Teaching device and teaching method
KR101828547B1 (ko) 전자 부품 검사 장치
JP6019198B2 (ja) 蒸着用磁性体検査装置
CN209181720U (zh) 探针误差检测装置
TWI675432B (zh) 測試位置對位校正裝置
JP2012057995A (ja) 検査治具及び接触子
TWM601346U (zh) 夾持式檢測電路機構
JP2012057995A5 (ja)
JP2008157681A (ja) 回路基板の検査装置
CN110153378A (zh) 检测砂芯组芯安装合格的辅助装置
JP2005134224A (ja) 半導体バーの通電装置
JP2009250660A (ja) 基板検査用治具及び検査用接触子
JPH06289097A (ja) コンタクトユニット
KR20140145426A (ko) 불량 행거 검사장치
KR20150054295A (ko) 스크래치 테스트 장치 및 이를 이용한 박막의 접착력 측정 방법
WO2021149668A1 (ja) プローブ、測定装置、及び測定方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080813

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20081210

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20090127

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100914

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110202

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110405

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110502

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4740799

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R370 Written measure of declining of transfer procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R370 Written measure of declining of transfer procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250