KR20150135312A - 프로브 장치 - Google Patents

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무네토시 나가사카
겐 다오카
요시야스 가토
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

종래에 비해 프로브 장치에 있어서의 전기적인 경로를 짧게 할 수 있어서, 전기적인 저항 등을 감소시키고, 정밀도 양호하게 검사를 실시할 수 있는 프로브 장치를 제공한다. 프로브 장치(100)는, 탑재대(111)에 있어서의 반도체 웨이퍼(W)의 탑재면에 형성된 도체막 전극(220)과, 탑재대(111)의 상방에 배설된 전극판(221)과, 탑재대(111)의 측방에 배설된 컨택트 프로브(222)를 구비하고, 해당 컨택트 프로브(222)는, 상면에 요철이 형성된 접촉부(222a)와, 접촉부(222a)의 하방에 접촉부(222a)와 일체로 구성되며, 도체막 전극(220)과 전기적으로 접속된 케이블(225)이 접속되는 케이블 접속부(222b)를 갖고, 탑재대(111)를 상승시켜서 반도체 웨이퍼(W)의 반도체 디바이스의 전극에 프로브 카드(210)의 프로브(211)를 접촉시켰을 때에, 케이블 접속부(222b)의 하방에 배설된 부세 부재에 의해 접촉부(222a)와 전극판(221)이 접촉한다.

Description

프로브 장치{PROBE DEVICE}
본 발명은 프로브 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 디바이스의 전기적인 검사를 실행하기 위한 프로브 장치가 이용되고 있다. 이러한 프로브 장치에서는, 탑재대(척 탑; chuck top)에 반도체 웨이퍼를 탑재하고, 탑재대를 구동하는 등에 의해, 반도체 웨이퍼의 반도체 디바이스의 전극에 프로브를 접촉시켜서 전기적인 도통을 얻는다. 그리고, 측정기(테스터)로부터 프로브를 거쳐서 반도체 디바이스에 소정의 검사 신호를 인가하고, 반도체 디바이스로부터의 출력 신호를 검출하여 반도체 디바이스의 검사를 실행한다.
또한, 반도체 웨이퍼의 이면측에 전극을 갖는 반도체 디바이스, 예컨대, 이면측에 컬렉터 전극이 형성된 파워 디바이스 등의 전기적인 검사를 실행하는 프로브 장치에서는, 탑재대(척 탑)의 탑재면에 탑재대 전극으로서 금 등의 도전성 금속으로 이루어지는 도체막 전극 등을 형성하고, 이 도체막 전극과 반도체 웨이퍼의 이면측의 전극을 접촉시켜 전기적인 도통을 얻는다. 파워 디바이스는, 통상의 반도체 디바이스와 비교하여 고 내압화, 대 전류화되며, 또한 용도에 따라 고속, 고주파화 되어 있다. 파워 디바이스로서는, 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT), 다이오드, 파워 트랜지스터, 파워 MOS-FET, 사이리스터 등이 있다. 이들 파워 디바이스는 각각의 전기적 특성(정특성, 동특성)의 측정에 의해 양품(良品)이 선별된다.
또한, 상기의 파워 디바이스 등의 전기적인 검사를 실행하는 프로브 장치에서는, 도체막 전극과 테스터를 케이블 등으로 전기적으로 접속하면, 탑재대가 구동되는 방식상 케이블이 길어져, 케이블의 저항이나 인덕턴스가 증가한다고 하는 문제가 있다. 이 때문에, 도체막 전극과 전기적으로 접속된 포고 핀(pogo pin)을 탑재대의 측면에 배설하고, 포고 핀을 상방에 배설한 환상의 전극판에 접촉시켜서 전기적인 도통을 얻는 구성의 프로브 장치도 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
일본 특허 공개 제 2001-138865 호 공보
그렇지만, 파워 디바이스 등의 전기적인 검사를 실행하는 경우, 대전류를 흐르게 할 필요 등이 있기 때문에, 프로브 장치에 있어서의 전기적인 경로가 길고, 그 저항이나 인덕턴스가 크면, 전기적인 경로의 전류에 대한 부하가 커지는 동시에, 고주파 신호를 인가했을 경우에 출력 파형이 둔해져, 정확한 검사를 실행할 수 없게 된다. 이 때문에, 프로브 장치에 있어서의 전기적인 경로를 가능한 한 짧게 하여 전기적인 저항 등을 감소시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 목적은, 종래에 비해 프로브 장치에 있어서의 전기적인 경로를 짧게 할 수 있어서, 전기적인 저항 등을 감소시키고, 정밀도 양호하게 검사를 실시할 수 있는 프로브 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 의하면, 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 디바이스와 전기적으로 접속하며, 테스터에 의해 상기 반도체 디바이스의 전기적인 검사를 실행하는 프로브 장치로서, 상기 반도체 웨이퍼를 탑재하는 탑재대와, 상기 탑재대에서 상기 반도체 웨이퍼가 탑재되는 탑재면에 형성되며, 상기 반도체 디바이스의 이면측에 형성된 이면측 전극과 접촉하는 탑재대 전극과, 상기 탑재대의 상방에 배설되며, 상기 테스터와 전기적으로 접속하는 복수의 프로브를 갖는 프로브 카드와, 상기 탑재대를 구동하여 해당 탑재대에 탑재된 상기 반도체 웨이퍼의 상기 반도체 디바이스의 전극에 상기 복수의 프로브를 접촉시키는 구동 기구와, 상기 탑재대의 상방에 배설되며, 상기 테스터와 전기적으로 접속하는 전극판과, 상기 탑재대의 측방에 배설된 컨택트 프로브를 구비하고, 상기 컨택트 프로브는, 상면에 요철이 형성되며 상기 전극판에 접촉하는 접촉부와, 상기 접촉부의 하방에서 해당 접촉부와 일체로 구성되며, 상기 탑재대 전극과 전기적으로 접속된 케이블이 접속되는 케이블 접속부를 갖고, 상기 케이블 접속부의 하방에 배설된 부세 부재에 의해 상기 접촉부와 상기 케이블 접속부가 상하 이동 가능하게 구성되며, 상기 탑재대를 상승시켜 상기 반도체 디바이스의 전극에 상기 프로브를 접촉시켰을 때에, 상기 접촉부와 상기 전극판을 접촉시켜서 상기 이면측 전극과 상기 테스터를 전기적으로 접속시키는 것을 특징으로 하는 프로브 장치가 제공된다.
본 발명에 의하면, 종래에 비해 프로브 장치에 있어서의 전기적인 경로를 짧게 할 수 있어서, 전기적인 저항 등을 감소시키고, 정밀도 양호하게 검사를 실시할 수 있는 프로브 장치를 제공한다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 프로브 장치의 전체 구성을 모식적으로 도시하는 평면도,
도 2는 도 1의 프로브 장치의 주요부 구성을 모식적으로 도시하는 측면도,
도 3은 도 1에 있어서의 컨택트 프로브 및 그 주변의 구성을 모식적으로 도시하는 사시도,
도 4는 도 1에 있어서의 컨택트 프로브의 구성을 모식적으로 도시하는 측면도.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 프로브 장치(100)의 전체 구성을 모식적으로 도시하는 평면도이며, 도 2는 도 1의 프로브 장치(100)의 주요부 구성을 모식적으로 도시하는 측면도이다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 프로브 장치(100)의 주요부는 측정부(110)와, 반송 유닛인 로더부(150)를 갖는다.
측정부(110)에는, x-y-z-θ 방향으로 이동 가능하게 되고, 반도체 웨이퍼(W)가 탑재되는 탑재대(111)가 마련되며, 탑재대(111)를 구동 기구(112)에 의해 구동함으로써, 프로브 카드(210)에 배설된 프로브(211)(도 2 참조)와, 반도체 웨이퍼(W)에 복수 형성된 반도체 디바이스의 전극을 접촉시켜서, 반도체 디바이스의 전기적 특성을 측정한다.
로더부(150)에는, 그 전방측(도 1 중 하측)에, 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 웨이퍼 캐리어(웨이퍼 카세트 또는 후프)(151)가 탑재되는 로드 포트(152)가 배설되며, 이 로드 포트(152)에 인접하여 웨이퍼 반송 기구(160)가 배설되어 있다. 또한, 로더부(150)의 후방측(도 1 중 상측)에는, 위치 맞춤 기구(170)가 배설되어 있다. 위치 맞춤 기구(170)는 반도체 웨이퍼(W)를 회전시켜 해당 웨이퍼(W)의 노치의 위치와 반도체 웨이퍼(W)의 편심 상태를 검출하도록 구성되어 있다.
웨이퍼 반송 기구(160)는 반도체 웨이퍼(W)를 진공 흡착하여 반송하기 위한 웨이퍼 반송 아암(161)을 구비하고 있다. 이 웨이퍼 반송 아암(161)에는, 반도체 웨이퍼(W)를 진공 흡착하기 위한 흡착부(흡착 패드)(162)가 복수(본 실시형태에서는 2개) 배설되어 있다. 이들 흡착부(162)에는, 진공 펌프 등의 흡인원에 접속된 진공 라인(도 1에는 도시하지 않음)이 접속되어 있다. 또한, 웨이퍼 반송 아암(161)은 필요에 따라 예컨대 상하로 중첩되어 복수 배설된다.
웨이퍼 반송 기구(160)는, 웨이퍼 반송 아암(161)을 진퇴 및 선회시키는 것에 의해, 로드 포트(152)에 탑재된 웨이퍼 캐리어(151)와, 위치 맞춤 기구(170)와, 측정부(110)의 탑재대(111)와의 사이에서 반도체 웨이퍼(W)를 반송한다.
로드 포트(152)는 상하 이동 기구에 의해 상하 이동 가능하게 되어 있으며, 로드 포트(152)와 웨이퍼 반송 기구(160)와의 사이에는 지지 프레임(153)이 배설되어 있다. 이 지지 프레임(153)에는 도시하지 않는 광학 검출기가 배설되어 있다. 그리고, 로드 포트(152)에 탑재된 웨이퍼 캐리어(151)를 상하 이동시키면서, 이 광학 검출기에서 반도체 웨이퍼(W)의 유무를 검출하는 것에 의해, 웨이퍼 캐리어(151) 내의 어느 슬롯에 반도체 웨이퍼(W)가 배치되어 있는가를 검출할 수 있다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 프로브 카드(210)는, 탑재대(111)의 상방에 위치하도록, 클램프 기구(도시 생략)를 거쳐서 측정부(110)의 상부에 배치된 헤드 플레이트(110A)에 고정되어 있다. 프로브 카드(210)에는 복수의 프로브(211)가 배설되어 있으며, 이들 프로브(211)는 테스터(300)와 전기적으로 접속된다.
또한, 탑재대(111)의 반도체 웨이퍼(W)의 탑재면 및 탑재대(111)의 측면의 상측 부분에는, 탑재대 전극으로서 금 등의 도전체 금속으로 이루어지며, 탑재된 반도체 웨이퍼(W)의 반도체 디바이스의 이면측에 형성된 이면측 전극과 접촉하는 도체막 전극(220)(도 2에는 굵은선으로 나타내고 있음)이 형성되어 있다. 또한, 탑재대(111)에는, 도시하지 않는 베큠 척 및 온도 조절 기구가 배설되며, 탑재대(111)에 탑재된 반도체 웨이퍼(W)를 흡착하여, 웨이퍼(W)를 소망의 온도로 온도 조절할 수 있다.
프로브 카드(210)와 탑재대(111)와의 사이에는 전극판(221)이 배설되어 있다. 이 전극판(221)은 테스터(300)와 전기적으로 접속된다. 또한, 탑재대(111)의 측방에는 컨택트 프로브(222)가 복수(본 실시형태에서는 180° 이격된 위치에 합계 2개) 배설되어 있다. 이 컨택트 프로브(222)는 도체막 전극(220)과 전기적으로 접속되어 있으며, 탑재대(111)를 상승시켰을 때에, 컨택트 프로브(222)와 전극판(221)이 접촉하는 것에 의해, 도체막 전극(220)과 테스터(300)가 전기적으로 접속된다. 또한, 전극판(221)은, 탑재대(111)를 구동하여 반도체 웨이퍼(W)의 표면측의 전극에 프로브(211)를 접촉시켰을 때에, 어느 위치에서도 컨택트 프로브(222)가 전극판(221)에 접촉 가능한 형상으로 되어 있으며, 예컨대, 환상 또는 2개의 컨택트 프로브(222)가 각각 접촉되도록 2개로 분할된 형상 등으로 할 수 있다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 컨택트 프로브(222)에는, 그 정상부에 원판 형상의 접촉부(222a)가 배설되어 있으며, 접촉부(222a)의 상면에는 요철이 형성되어 있다. 접촉부(222a)의 바로 아래에는, 직방체 형상인 케이블 접속부(222b)가 배설되어 있으며, 이들 접촉부(222a)와 케이블 접속부(222b)는, 예컨대, 놋쇠 등의 금속으로 일체로 구성되어 있다. 즉, 1개의 금속 재료로 절삭 가공 등에 의해 접촉부(222a)와 케이블 접속부(222b)가 형성되어 있다.
또한, 접촉부(222a)와 케이블 접속부(222b)의 표면에는, 두께가 예컨대 0.3㎛ 내지 0.5㎛ 정도의 금 도금층이 형성되어 있다. 또한, 금 도금층의 하층에는, 두께가 예컨대 3㎛ 정도의 무전해 니켈 도금 등으로 이루어지는 중간 도금층이 형성되어 있다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 케이블 접속부(222b)의 측벽부에는, 케이블 접속부(222b)의 길이 방향의 양 측단부에 위치하도록 2개의 나사 구멍(222c)이 형성되어 있다. 그리고, 이들 나사 구멍(222c)에 나사(223)(도 3 참조)를 나사 결합시키는 동시에, 탑재대(111)의 도체막 전극(220)의 부분에 형성된 나사 구멍(도시 생략)에 나사(224)를 나사 결합시켜, 이들 나사(223), 나사(224)에 의해 케이블(225)의 도체를 고정하는 것에 의해, 도체막 전극(220)과 컨택트 프로브(222)가 전기적으로 접속되어 있다.
케이블 접속부(222b)의 하측에는 원기둥부(222d)가 형성되어 있으며, 이 원기둥부(222d)는 원통 부재(222e) 내에 수용되어 있다. 그리고, 이 원통 부재(222e) 내에 배설된 코일 스프링 등의 부세 부재(도시 생략)에 의해, 원통 부재(222e)에 대해 접촉부(222a) 및 케이블 접속부(222b) 등이 상측을 향해 부세된 상태로 되어 있다. 그리고, 도 4 중 화살표로 나타내는 바와 같이, 접촉부(222a) 및 케이블 접속부(222b) 등이 원통 부재(222e)에 대해 상하 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 이것에 의해, 접촉부(222a)가 전극판(221)에 대해 탄성적으로 가압된 상태에서 접촉한다.
상기와 같이, 본 실시형태의 프로브 장치(100)에서는, 컨택트 프로브(222)의 접촉부(222a)의 바로 아래에 케이블 접속부(222b)가 배설되어 있다. 또한, 접촉부(222a)와 케이블 접속부(222b)는 일체로 구성되어 있으며, 이들 사이에 접촉부(222a)를 탄성적으로 전극판(221)에 접촉시키기 위한 슬라이딩부 등이 개재되지 않은 구성으로 되어 있다. 또한, 이들 접촉부(222a)와 케이블 접속부(222b)의 표면에는 금 도금층이 형성되어 있다.
이것에 의해, 접촉부(222a)와 케이블 접속부(222b)와의 사이의 전기 경로를 짧게 할 수 있어서, 전기 저항의 증대 및 인덕턴스의 증대를 억제할 수 있다. 예컨대, 접촉부(222a)의 측벽부와 케이블 접속부(222b)의 나사 구멍(222c)이 형성된 측벽부와의 사이의 전기 저항을 측정한 결과, 0.06mΩ였다. 이에 반하여, 접촉부와 케이블 접속부가 별도 부품으로 구성되며, 접촉부와 케이블 접속부와의 사이에 접촉부를 가동하기 위한 슬라이딩부가 개재되는 구성으로 했을 경우에는, 전기 저항은 2.20mΩ였다.
그리고, 케이블 접속부(222b)와 도체막 전극(220)이 전기 저항이 작은 길이의 짧은 케이블(225)에 의해 전기적으로 접속되어 있으므로, 도체막 전극(220)과 테스터(300)와의 사이의 전기 저항을 종래에 비해 대폭 저감할 수 있다. 또한, 도체 전극(220)으로부터 접촉부(222a)에 도달할 때까지의 전기 경로가 짧으므로 인덕턴스 성분도 줄일 수 있다. 이 때문에, 예컨대, 다이오드의 역전류를 측정했을 때에, 파워 디바이스가 웨이퍼로부터 절출되어 패키지된 후보다, 본 실시형태의 프로브 장치(100)를 이용하여 파워 디바이스가 웨이퍼로부터 절출되어 있지 않은 상태가 파형의 둔함이 적은 측정 결과를 얻을 수 있었다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 탑재대(111)의 측벽부에는, 알루미늄 등으로 구성된 스토퍼 앤드 가이드 블록(226)이 고정되어 있다. 또한, 탑재대(111)의 하부에는, 스테인리스강 등으로 이루어지는 베이스 블록(227)이 돌출하여 배설되어 있으며, 컨택트 프로브(222)는, 이 베이스 블록(227) 상에, 예컨대, PEEK 등의 수지로 이루어지는 프로브 가이드 블록(228)이나, 예컨대, 알루미늄 등으로 이루어지는 프로브 가압부(229) 등을 거쳐서 걸림고정되어 있다.
또한, 베이스 블록(227)의 하부에는, 컨택트 프로브(222)를 상하 이동시키기 위한 승강 기구(230)가 배설되어 있다. 이 승강 기구(230)는, 탑재대(111)가 상승하여 반도체 웨이퍼(W)의 표면측의 전극에 프로브(211)가 접촉했을 때에, 컨택트 프로브(222)를 상하 이동시켜 접촉부(222a)를 전극판(221)에 접촉하는 상승 위치와, 접촉부(222a)가 전극판(221)에 접촉하지 않는 하강 위치와의 사이에서 이동시킨다.
또한, 승강 기구(230)는, 상기의 상승 위치와 하강 위치와의 사이에서, 다단계로 컨택트 프로브(222)의 상하 방향의 위치를 변경 가능하게 되어 있다. 이것에 의해, 접촉부(222a)와 전극판(221)과의 접촉 상태를 최적인 상태로 조정 가능하게 되어 있다.
다음에, 상기 프로브 장치(100)에 의한 반도체 웨이퍼(W)의 검사 순서에 대해 설명한다.
우선, 로더부(150)의 로드 포트(152)에 반도체 웨이퍼(W)를 수용한 웨이퍼 캐리어(151)가 탑재되면, 상하 이동 기구에 의해 웨이퍼 캐리어(151)를 상하 이동시키고, 광학 검출기에 의해 반도체 웨이퍼(W)가 어느 슬롯에 수용되어 있는가를 검출한다.
다음에, 반도체 웨이퍼(W)를 웨이퍼 반송 기구(160)의 웨이퍼 반송 아암(161)에 흡착하여, 위치 맞춤 기구(170)에 반송한다. 그리고, 위치 맞춤 기구(170)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 노치를 검출하여 반도체 웨이퍼(W)의 위치를 검지한다.
다음에, 위치 맞춤 기구(170)에 의한 위치 검출이 종료된 반도체 웨이퍼(W)를, 웨이퍼 반송 기구(160)의 웨이퍼 반송 아암(161)에 의해, 위치 맞춤 기구(170)로부터 취출하고, 측정부(110)의 탑재대(111) 상에 반도체 웨이퍼(W)를 탑재한다.
그리고, 탑재대(111) 상의 반도체 웨이퍼(W)의 반도체 디바이스에 프로브(211)를 접촉시켜서, 테스터(300)와 반도체 웨이퍼(W)의 표면측의 전극과의 전기적인 도통을 얻는 동시에, 컨택트 프로브(222)의 접촉부(222a)를 전극판(221)에 접촉시켜서 테스터(300)와 반도체 웨이퍼(W)의 이면측의 전극과의 전기적인 도통을 얻는다. 이 상태에서, 테스터(300)로부터 반도체 디바이스에 테스트 신호를 공급하는 동시에, 반도체 디바이스로부터의 출력 신호를 측정하는 것에 의해, 반도체 디바이스의 전기적인 특성의 검사를 실행한다.
그 후, 반도체 웨이퍼(W)의 반도체 디바이스의 전기적인 상태의 검사가 종료되면, 탑재대(111) 상의 반도체 웨이퍼(W)를, 웨이퍼 반송 기구(160)의 웨이퍼 반송 아암(161)에 의해 취출하여, 웨이퍼 캐리어(151)에 수용하고, 반도체 웨이퍼(W)의 검사를 종료한다.
이상, 본 발명에 대해, 상기 실시형태를 이용하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
본 출원은 2013년 3월 28일에 출원된 일본 출원 제 2013-067811 호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 해당 일본 출원에 기재된 전체 내용을 본 출원에 원용한다.
W : 반도체 웨이퍼 100 : 프로브 장치
111 : 탑재대 210 : 프로브 카드
211 : 프로브 220 : 도체막 전극
221 : 전극판 222 : 컨택트 프로브
222a : 접촉부 222b : 케이블 접속부
225 : 케이블

Claims (7)

  1. 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 디바이스와 전기적으로 접속하며, 테스터에 의해 상기 반도체 디바이스의 전기적인 검사를 실행하는 프로브 장치에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼를 탑재하는 탑재대와,
    상기 탑재대에서 상기 반도체 웨이퍼가 탑재되는 탑재면에 형성되며, 상기 반도체 디바이스의 이면측에 형성된 이면측 전극과 접촉하는 탑재대 전극과,
    상기 탑재대의 상방에 배설되며, 상기 테스터와 전기적으로 접속하는 복수의 프로브를 갖는 프로브 카드와,
    상기 탑재대를 구동하여 해당 탑재대에 탑재된 상기 반도체 웨이퍼의 상기 반도체 디바이스의 전극에 상기 복수의 프로브를 접촉시키는 구동 기구와,
    상기 탑재대의 상방에 배설되며, 상기 테스터와 전기적으로 접속하는 전극판과,
    상기 탑재대의 측방에 배설된 컨택트 프로브를 구비하고,
    상기 컨택트 프로브는, 상면에 요철이 형성되며 상기 전극판에 접촉하는 접촉부와, 상기 접촉부의 하방에서 상기 접촉부와 일체로 구성되며, 상기 탑재대 전극과 전기적으로 접속된 케이블이 접속되는 케이블 접속부를 갖고,
    상기 케이블 접속부의 하방에 배설된 부세 부재에 의해 상기 접촉부와 상기 케이블 접속부가 상하 이동 가능하게 구성되고,
    상기 탑재대를 상승시켜서 상기 반도체 디바이스의 전극에 상기 프로브를 접촉시켰을 때에, 상기 접촉부와 상기 전극판을 접촉시켜서 상기 이면측 전극과 상기 테스터를 전기적으로 접속시키는 것을 특징으로 하는
    프로브 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 컨택트 프로브가 상기 탑재대의 둘레 방향으로 간격을 두고 복수 배설되어 있는 것을 특징으로 하는
    프로브 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 컨택트 프로브를 상하 이동시키는 승강 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는
    프로브 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 승강 기구는 상기 컨택트 프로브의 높이를 다단계로 조정 가능한 것을 특징으로 하는
    프로브 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접촉부가 원판 형상으로 형성되는 동시에, 상기 케이블 접속부가 직방체 형상으로 형성되고, 상기 접촉부의 바로 아래에 상기 케이블 접속부가 배설되며, 상기 케이블 접속부의 측면에 상기 케이블을 접속하기 위한 나사부가 배설되어 있는 것을 특징으로 하는
    프로브 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접촉부 및 상기 케이블 접속부의 표면에 금 도금층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    프로브 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접촉부의 측면과 상기 케이블 접속부의 측면과의 사이의 저항값이 0.1mΩ 이하인 것을 특징으로 하는
    프로브 장치.
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